JP2016003226A - シクロペンタノール誘導体の製造方法 - Google Patents

シクロペンタノール誘導体の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】安価でかつ高収率なシクロペンタノール誘導体(I)の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の製造方法は、硫黄イリドの存在下で、シクロペンタノン誘導体(II)を、アゾール化合物(III)を用いてアゾリルメチル化するアゾリルメチル化反応工程を含んでおり、上記硫黄イリドは、上記アゾリルメチル化反応工程の反応系内において、スルホニウム化合物またはスルホキソニウム化合物と、金属水酸化物とから生成される。
【化1】
Figure 2016003226

【選択図】なし

Description

本発明は、シクロペンタノール誘導体の製造方法に関する。
農園芸用病害防除剤および工業用材料保護剤の有効成分として優れた活性を示すアゾリルメチルシクロペンタノール誘導体が知られている。例えば、特許文献1には、人畜に対する毒性が低く、広範な植物病害に対する高い防除効果および種々の農園芸植物に対する高い生長効果を示す2−(ハロゲン化炭化水素置換)−5−ベンジル−1−アゾリルメチルシクロペンタノール誘導体が記載されている。
また、特許文献1には、2−(ハロゲン化炭化水素置換)−5−ベンジル−1−アゾリルメチルシクロペンタノール誘導体の製造工程の一部として、中間体である2−置換−5−ベンジルシクロペンタノン誘導体をアゾリルメチル化して、シクロペンタノール誘導体を製造することが記載されている。
特許文献2には、上記アゾリルメチル化において、塩基として金属水素化合物またはアルカリ金属のアルコキシドを用いることが記載されている。
国際公開第2011/070771号(2011年6月16日公開) 国際公開第2012/169559号(2012年12月13日公開)
しかしながら、従来のシクロペンタノール誘導体の製造方法は、未だ十分に安価に、かつ高収率にシクロペンタノール誘導体を得ることができる方法であるとはいえず、さらなる改良が求められている。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、2−置換−5−ベンジルシクロペンタノン誘導体のアゾリルメチル化、すなわちシクロペンタノール誘導体の製造を、安価に、かつ高収率で行うことができる方法を提供することである。
本発明は、下記一般式(I)で示されるシクロペンタノール誘導体を製造するシクロペンタノール誘導体の製造方法であって、硫黄イリドの存在下で、下記一般式(II)で示されるシクロペンタノン誘導体を、下記一般式(III)で示されるアゾール化合物を用いてアゾリルメチル化するアゾリルメチル化反応工程を含み、上記硫黄イリドは、上記アゾリルメチル化反応工程の反応系内において、スルホニウム化合物またはスルホキソニウム化合物と、金属水酸化物とから生成されることを特徴とする。
Figure 2016003226
(式(I)中、RおよびRは、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基または−C2n−O−Gを表しており、Gは保護基を表し、nは1〜4の整数を表しており、RおよびRが互いに結合して環を形成していてもよく、Xは、ハロゲン原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のハロアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、炭素数1〜4のハロアルコキシ基、フェニル基、シアノ基またはニトロ基を表しており、mは0〜5の整数を表しており、mが2以上である場合には、複数あるXは互いに異なっていてもよく、Aは、窒素原子またはメチン基を表している。)
Figure 2016003226
(式(II)中、R、R、Xおよびmは、それぞれ式(I)におけるR、R、Xおよびmと同一である。)
Figure 2016003226
(式(III)中、Mは、アルカリ金属原子を表しており、Aは、式(I)におけるAと同一である。)。
上記金属水酸化物は、アルカリ金属水酸化物であることが好ましい。
上記金属水酸化物は、水酸化ナトリウムであることがより好ましい。
上記アゾリルメチル化反応工程において、溶媒中に水が含まれていることが好ましい。
上記一般式(I)で示されるシクロペンタノール誘導体は、下記一般式(Ia)で示されるシクロペンタノール誘導体であり、上記一般式(II)で示されるシクロペンタノン誘導体は、下記一般式(IIa)で示されるシクロペンタノン誘導体であることが好ましい。
Figure 2016003226
(式(Ia)中、GおよびGはそれぞれ保護基を表し、GおよびGが互いに結合して環を形成していてもよく、pおよびqは、それぞれ独立に、1または2であり、X、mおよびAは、それぞれ式(I)におけるX、mおよびAと同一である。)
Figure 2016003226
(式(IIa)中、G、G、p、q、Xおよびmは、それぞれ式(Ia)におけるG、G、p、q、Xおよびmと同一である。)。
上記一般式(Ia)で示されるシクロペンタノール誘導体は、下記一般式(Ib)示されるシクロペンタノール誘導体であり、上記一般式(IIa)で示されるシクロペンタノン誘導体は、下記一般式(IIb)示されるシクロペンタノン誘導体であることがより好ましい。
Figure 2016003226
(式(Ib)中、RおよびRは,それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、フェニル基またはベンジル基を表しており、当該フェニル基の1以上の水素原子および当該ベンジル基のフェニル部における1以上の水素原子は、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基またはハロゲン原子で置換されていてもよく、p、q、A、Xおよびmは、それぞれ式(Ia)におけるp、q、A、Xおよびmと同一である。)
Figure 2016003226
(式(IIb)中、R、R、p、q、Xおよびmは、それぞれ式(Ib)におけるR、R、p、q、Xおよびmと同一である。)。
およびRは、それぞれ独立に、水素原子または炭素数1〜4のアルキル基であることがさらに好ましい。
Xは、フッ素原子または塩素原子であり、mは、0または1であることが好ましい。
本発明によれば、シクロペンタノール誘導体の製造過程で、アゾリルメチル化反応工程の反応系内における硫黄イリドの生成に、金属水酸化物を用いることができるため、従来の製造方法に比べて、安価にかつ高収率でシクロペンタノール誘導体を製造することができる。
本発明の一実施形態について説明すれば以下の通りである。
〔1.シクロペンタノール誘導体〕
本実施形態に係るシクロペンタノール誘導体の製造方法では、下記一般式(I)で示されるシクロペンタノール誘導体(以下、「シクロペンタノール誘導体(I)」と称する)を製造する。製造方法の詳細な説明に先立って、シクロペンタノール誘導体(I)の構造について以下に説明する。
Figure 2016003226
一般式(I)中、Xは、ハロゲン原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のハロアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、炭素数1〜4のハロアルコキシ基、フェニル基、シアノ基またはニトロ基を表している。
ハロゲン原子としては、例えば、塩素原子、フッ素原子、臭素原子、およびヨウ素原子を挙げることができる。
炭素数1〜4のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、1−メチルエチル基、2−メチルプロピル基、n−ブチル基、および1,1−ジメチルエチル基等を挙げることができる。
炭素数1〜4のハロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、1,1,2,2,2−ペンタフルオロエチル基、クロロメチル基、トリクロロメチル基、およびブロモメチル基等を挙げることができる。
炭素数1〜4のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、およびn−プロポキシ基等を挙げることができる。
炭素数1〜4のハロアルコキシ基としては、例えば、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、1,1,2,2,2−ペンタフルオロエトキシ基、および2,2,2−トリフルオロエトキシ基等を挙げることができる。
Xは、好ましくはハロゲン原子、炭素数1〜3のハロアルキル基、炭素数1〜3のハロアルコキシ基、炭素数1〜3のアルキル基、および炭素数1〜3のアルコキシ基であり、より好ましくはハロゲン原子、炭素数1〜2のハロアルキル基、および炭素数1〜2のハロアルコキシ基であり、さらに好ましくはハロゲン原子であり、特に好ましくはフッ素原子および塩素原子である。
mは、0〜5の整数を表している。mが2以上である場合には、複数あるXは同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。なかでも、mは、0〜3の整数であることが好ましく、0〜2の整数であることがより好ましく、0または1であることがさらに好ましい。
Xの結合位置は特に限定されないが、mが1である場合には、4−置換ベンジルとなる位置が好ましい。
Aは、窒素原子またはメチン基を表している。Aは、好ましくは窒素原子である。
およびRは、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基または−C2n−O−Gを表している。RおよびRは、互いに結合して環を形成していてもよい。
炭素数1〜4のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、1−メチルエチル基、1−メチルプロピル基、2−メチルプロピル基、n−ブチル基、および1,1−ジメチルエチル基等を挙げることができる。
−C2n−O−Gにおいて、Gは保護基を表す。保護基は特に限定されないが、例えば、メトキシメチル基およびエトキシメチル基等のアルコキシメチル基、t−ブチル基およびメチル基等の低級アルキル基、置換または無置換のベンジル基、置換または無置換テトラヒドロピラニル基、置換または無置換テトラヒドロフラニル基、ならびにアリル基等を挙げることができる。nは1〜4の整数を表している。なかでも、nは1〜3の整数であることが好ましく、1または2であることがより好ましく、1であることがさらに好ましい。−C2n−は、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよい。RおよびRの何れもが−C2n−O−Gである場合、2つのGは互いに結合して環を形成していてもよい。
2つのGが互いに結合して環を形成している場合の保護基としては、例えば、メチレンアセタール、エチリデンアセタール、t−ブチルメチリデンケタール、1−t−ブチルエチリデンケタール、1−フェニルエチリデンケタール、アクロレインアセタール、イソプロピリデンケタール(アセトナイド)、シクロペンチリデンケタール、シクロヘキシリデンケタール、シクロヘプチリデンケタール、ベンジリデンアセタール、p−メトキシベンジリデンアセタール、2,4−ジメトキシベンジリデンケタール、3,4−ジメトキシベンジリデンケタール、2−ニトロベンジリデンアセタール、4−ニトロベンジリデンアセタール、メシチレンアセタール、1−ナフトアルデヒドアセタール、ベンゾフェノンケタール、カンファーケタール、メントン、メトキシメチレンアセタール、エトキシメチレンアセタール、ジメトキシメチレンオルトエステル、1−メトキシエチリデンオルトエステル、1−エトキシエチリデンオルトエステル、メチリデンオルトエステル、フタリドオルトエステル、1,2−ジメトキシエチリデンオルトエステル、α−メトキシベンジリデンオルトエステル、2−オキサシクロペンチリデンオルトエステル、ブタン−2,3−ビスアセタール、シクロヘキサン−1,2−ジアセタール、ビスジヒドロピランケタール、ジ−t−ブチルシリレン、1,3−(1,1,3,3−テトライソプロピル)ジシリオキサニリデン、および1,1,3,3−テトラ−t−ブトキシジシロキサニリデン等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
およびRは、それぞれ、−C2n−O−Gであることが好ましい。
なお、RおよびRが何れも−C2n−O−Gである場合、シクロペンタノール誘導体(I)は、下記一般式(Ic)で表すことができる。
Figure 2016003226
一般式(Ic)中、GおよびGはそれぞれ保護基をしている。GおよびGは互いに同一でも異なっていてもよい。また、GおよびGが互いに結合して環を形成してもよい。GおよびGの具体例は、式(I)のRおよびRが−C2n−O−Gである場合におけるGと同じである。nおよびnは、それぞれ独立に、1〜4の整数(すなわち、1、2、3または4)を表している。X、mおよびAは、それぞれ式(I)におけるX、mおよびAと同一である。
シクロペンタノール誘導体(I)は、下記一般式(Ia)で示されるシクロペンタノール誘導体(以下、「シクロペンタノール誘導体(Ia)」と称する)であることがより好ましい。
Figure 2016003226
一般式(Ia)中、pおよびqは、それぞれ独立に、1または2である。pおよびqは、何れも、1であることが好ましい。X、mおよびAは、それぞれ式(I)におけるX、mおよびAと同一であり、GおよびGは、それぞれ式(Ic)におけるGおよびGと同一である。
シクロペンタノール誘導体(I)は、下記一般式(Ib)で示されるシクロペンタノール誘導体(以下、「シクロペンタノール誘導体(Ib)」と称する)であることがさらに好ましい。
Figure 2016003226
一般式(Ib)中、RおよびRは、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、フェニル基またはベンジル基を表している。
炭素数1〜4のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、1−メチルエチル基、1−メチルプロピル基、2−メチルプロピル基、n−ブチル基、および1,1−ジメチルエチル基等を挙げることができる。
またはRにおけるフェニル基の1以上の水素原子、およびRまたはRにおけるベンジル基のフェニル部における1以上の水素原子は、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基またはハロゲン原子で置換されていてもよい。置換基としての炭素数1〜4のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、1−メチルエチル基、1−メチルプロピル基、2−メチルプロピル基、n−ブチル基、および1,1−ジメチルエチル基等を挙げることができる。置換基としての炭素数1〜4のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、およびn−プロポキシ基等を挙げることができる。置換基としてのハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、および臭素原子等を挙げることができる。
これらの中でも、RおよびRは、それぞれ独立に、水素原子または炭素数1〜4のアルキル基であることが好ましく、炭素数1〜4のアルキル基であることがより好ましく、炭素数1〜2のアルキル基であることがさらに好ましく、RおよびRがともにメチル基であることが特に好ましい。
一般式(Ib)中、p、q、A、Xおよびmは、それぞれ式(Ia)におけるp、q、A、Xおよびmと同一である。
シクロペンタノール誘導体(I)の好適な例として、例えば下記一般式(Id)で示されるシクロペンタノール誘導体を挙げることができるが、これに限定されるものではない。
Figure 2016003226
一般式(Id)中、Xは、水素原子、フッ素原子または塩素原子を表している。
シクロペンタノール誘導体(I)は、下記一般式(V)で示されるアゾール誘導体(以下、「アゾール誘導体(V)」と称する)の製造に好適に使用される。
Figure 2016003226
一般式(V)中、X、mおよびAは、それぞれ式(I)におけるX、mおよびAと同一である。Lは、ハロゲン原子を表し、ハロゲン原子としては、塩素原子および臭素原子が好ましい。
シクロペンタノール誘導体(I)からのアゾール誘導体(V)の製造は、例えば、特許文献2の記載に基づけばよい。
アゾール誘導体(V)は、植物に病害を引き起こす多くの菌に対して優れた殺菌作用を有する。なお、シクロペンタノール誘導体(I)自体も、植物に病害を引き起こす菌に対して優れた殺菌作用を有している。また、アゾール誘導体(V)およびシクロペンタノール誘導体(I)は、工業用材料保護剤または植物成長調整剤としても好適に利用することができる。
〔2.シクロペンタノール誘導体(I)の製造方法の詳細〕
本実施形態に係るシクロペンタノール誘導体(I)の製造方法は、硫黄イリドの存在下で、下記一般式(II)で示されるシクロペンタノン誘導体(以下、「シクロペンタノン誘導体(II)」と称する)を、下記一般式(III)で示されるアゾール化合物(以下、「アゾール化合物(III)」と称する)を用いてアゾリルメチル化するアゾリルメチル化反応工程を含む。当該硫黄イリドは、当該アゾリルメチル化反応工程の反応系内において、スルホニウム化合物またはスルホキソニウム化合物と、金属水酸化物とから生成される。
Figure 2016003226
Figure 2016003226
一般式(II)中、R、R、Xおよびmは、それぞれ式(I)におけるR、R、Xおよびmと同一である。
一般式(III)中、Mは、アルカリ金属原子を表している。アルカリ金属原子としては、例えば、ナトリウム、カリウム、およびリチウム等を挙げることができ、Mは、好ましくは、ナトリウムまたはカリウムであり、より好ましくはナトリウムである。Aは、式(I)におけるAと同一である。
本実施形態に係るシクロペンタノール誘導体(I)の製造方法の概略的な反応スキームを、下記反応スキーム1に示す。
Figure 2016003226
反応スキーム1に示される反応は、下記反応スキーム2および下記反応スキーム3で示される2つの反応を含んでいる。反応スキーム2で示される反応(以下、「反応A」と称する)は、シクロペンタノン誘導体(II)から一般式(IV)で示される化合物(以下、「化合物(IV)」と称する)を生成するオキシラン化反応である。また、反応スキーム3で示される反応(以下、「反応B」と称する)は、化合物(IV)からシクロペンタノール誘導体(I)を生成するアゾール化反応である。
Figure 2016003226
Figure 2016003226
一般式(IV)中、R、R、Xおよびmは、それぞれ式(I)におけるR、R、Xおよびmと同一である。
反応Aと反応Bとは、同一の反応系内で行ってもよいし、異なる反応系で行ってもよい。ここで、「反応系」とは、反応容器内で起こる単一の反応、および反応容器内で同時に起こる複数の反応を指し、以下の説明においても同様である。すなわち、本実施形態のシクロペンタノール誘導体の製造方法では、原料から中間体を経由して得られる生成物であっても、反応容器内で原料から中間体への反応と中間体から生成物への反応とが同時に起きていれば、同一の反応系という。
より具体的に説明すると、反応Aを完了させた後で、反応Bを起こす場合は、反応Aおよび反応Bの反応系は異なる。このとき、反応Aを行う容器と反応Bを行う容器は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。一方、反応Aを起こしつつ、反応Bも起こす場合は、反応Aと反応Bとが同時にかつ連続的に起きているため、反応系は同一である。このとき、反応Aおよび反応Bの原料は、予め全量が反応容器内に仕込まれていてもよいし、反応途中で適宜投入するようにしてもよい。
本実施形態では、同一の反応系での反応を「ワンポット(反応)」、異なる反応系での反応を「ステップワイズ(の反応)」とも称する。すなわち、反応Aと反応Bとは、ワンポット反応としてもよいし、ステップワイズの反応としてもよいと換言することができる。
反応Aでは、硫黄イリドの作用によってシクロペンタノン誘導体(II)から化合物(IV)が生成される。この硫黄イリドは、スルホニウム化合物またはスルホキソニウム化合物と金属水酸化物とが反応して反応系内において生成されるものであり、その種類は用いられるスルホニウム化合物またはスルホキソニウム化合物に依存する。硫黄イリドとしては、ジメチルスルホニウムメチリド等のスルホニウムメチリド類およびジメチルスルホキソニウムメチリド等のスルホキソニウムメチリド類を挙げることができる。
スルホニウム化合物としては、例えば、トリメチルスルホニウムブロマイド、トリメチルスルホニウムクロライドおよびトリメチルスルホニウムヨード等を挙げることができる。スルホキソニウム化合物としては、トリメチルスルホキソニウムブロマイド(TMSOB)、トリメチルスルホキソニウムクロライドおよびトリメチルスルホキソニウムヨード等を挙げることができる。硫黄イリドの生成には収率の観点からスルホキソニウム化合物を用いることが好ましく、なかでもトリメチルスルホキソニウムブロマイドを用いることがより好ましい。スルホニウム化合物またはスルホキソニウム化合物は、分割して添加してもよい。
本実施形態に係るシクロペンタノール誘導体の製造方法において、金属水酸化物は塩基として働く。金属水酸化物としては、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、および水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物;水酸化マグネシウム、および水酸化カルシウム等の水酸化アルカリ土類金属;等を挙げることができる。金属水酸化物は、アルカリ金属水酸化物であることが好ましく、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムであることがより好ましく、水酸化ナトリウムであることがさらに好ましい。なお、金属水酸化物は、1種類を単独で用いてもよいし、2種類以上を併用してもよい。また、金属水酸化物は、分割して添加してもよい。
金属水酸化物を加える回数については、所定の目的を達成することができる回数であれば、特に限定されるものではない。回数としては、1〜20回であることが好ましく、2〜10回であることがより好ましい。スルホニウム化合物またはスルホキソニウム化合物を分割して加える場合も同様である。
溶媒は特に限定されないが、例えば、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、およびN−メチルピロリドン(NMP)等のアミド類;ジメチルスルホキシド(DMSO);トルエン;テトラヒドロフランおよびジオキサン等のエーテル類;等を挙げることができ、これらは必要に応じて混合して使用してもよい。また、溶媒中に水が含まれていてもよいし、水が含まれていなくてもよい。金属水酸化物を容易に溶解させる観点および収率の向上の観点から、溶媒中に水が含まれていることが好ましい。水が含まれている場合、溶媒中に含まれている水の量は、上記溶媒の0.001〜0.4倍(体積比)であることが好ましく、0.01〜0.2倍(体積比)であることがより好ましい。
シクロペンタノール誘導体(I)としてより好ましいシクロペンタノール誘導体(Ia)を製造する場合には、シクロペンタノン誘導体(II)として、下記一般式(IIa)で示されるシクロペンタノン誘導体(以下、「シクロペンタノン誘導体(IIa)」と称する)を用いる。
Figure 2016003226
一般式(IIa)中、G、G、p、q、Xおよびmは、それぞれ式(Ia)におけるG、G、p、q、Xおよびmと同一である。
シクロペンタノール誘導体(I)としてさらに好ましいシクロペンタノール誘導体(Ib)を製造する場合には、シクロペンタノン誘導体(II)として、下記一般式(IIb)で示されるシクロペンタノン誘導体(以下、「シクロペンタノン誘導体(IIb)」と称する)を用いる。
Figure 2016003226
一般式(IIb)中、R、R、p、q、Xおよびmは、それぞれ式(Ib)におけるR、R、p、q、Xおよびmと同一である。
反応Bでは、反応Aで生成した化合物(IV)が、反応系内に存在するアゾール化合物(III)と反応し、シクロペンタノール誘導体(I)が生成する。より詳細には、化合物(IV)におけるオキシラン環を構成する炭素原子とアゾール化合物(III)の窒素原子との間に炭素−窒素結合が生成することによって、シクロペンタノール誘導体(I)が生成する。
アゾール化合物(III)の添加のタイミングは特に限定されない。ワンポットの場合、反応Aの前に、シクロペンタノン誘導体(II)と一緒に、あるいはシクロペンタノン誘導体(II)と連続的に反応容器内に加えられてもよいし、反応Aの進行中に加えられてもよい。ステップワイズの場合、反応Aの終了後に、(同一または別の)反応容器内に加えればよい。あるいは、アゾール化合物(III)を反応器内で調製し、単離することなく、続けてシクロペンタノール誘導体(I)の製造を行ってもよい。
反応温度および反応時間は、用いられる溶媒、シクロペンタノール誘導体(I)、スルホニウム化合物またはスルホキソニウム化合物および金属水酸化物の種類等によって適宜設定することができる。反応温度は、例えば、0〜200℃であることが好ましく、20〜180℃であることがより好ましい。また、反応時間は、例えば、0.1時間〜数日であることが好ましく、0.5時間〜2日であることがより好ましい。
スルホニウム化合物またはスルホキソニウム化合物の合計の使用量は、シクロペンタノン誘導体(II)に対して0.5〜5倍モルであることが好ましく、0.8〜2倍モルであることがより好ましい。シクロペンタノン誘導体(II)に対するアゾール化合物(III)の使用量は、0.5〜10倍モルであることが好ましく、0.8〜5倍モルであることがより好ましい。
シクロペンタノン誘導体(II)に対する金属水酸化物の使用量(複数種類を併用する場合は合計の使用量)は、例えば0.01〜5倍モルであることが好ましく、0.1〜2倍モルであることがより好ましい。
シクロペンタノン誘導体(II)は、例えば、特許文献2の記載に基づいて合成すればよい。
また、アゾール化合物(III)は、例えば、下記一般式(VI)で示される化合物(以下、「化合物(VI)」と称する)を、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、N−メチルピロリドン(NMP)、またはジメチルスルホキシド(DMSO)等と水とを含む混合溶媒中で、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、および水酸化リチウム等のアルカリ金属水酸化物と反応させることによって得ることができる。
Figure 2016003226
一般式(VI)中、Aは、式(I)におけるAと同一である。
このアゾール化合物(III)の合成反応では、反応後の反応系内に水が存在する。本実施形態に係るシクロペンタノール誘導体(I)の製造方法では、水が含まれていてもよいため、アゾール化合物(III)の合成反応後に、従来行っていたトルエンによる水の共沸脱水を行わなくてもよい。そのため、本実施形態に係るシクロペンタノール誘導体の製造方法おいて溶媒中に水が含まれている場合には、全体の工程数を削減することができる上、トルエンの使用を回避することができる。
特許文献1および2において用いている金属水素化合物またはアルカリ金属のアルコキシド等の塩基は、工業的使用において取り扱いに注意が必要であり、特に金属水素化合物は水と激しく反応して発火する可能性がある。一方、本実施形態において塩基として用いる水酸化ナトリウム等の金属水酸化物は取り扱いが容易である。その上、水酸化ナトリウム等の金属水酸化物は安価である。そのため、本実施形態に係るシクロペンタノール誘導体(I)の製造方法は、特に工業規模において、安全面およびコスト面で有利である。
また、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、およびN−メチルピロリドン(NMP)等は、水酸化ナトリウムと水との共存下で分解し易いことが知られている。そのため、通常の技術常識では、水酸化ナトリウム等の金属水酸化物を塩基として用いてシクロペンタノール誘導体(I)を製造すると、良好な収率は得られないと予想される。しかしながら、本願発明者らは、今回、金属水酸化物の一例である水酸化ナトリウムを塩基として用いた場合に、驚くべきことに、塩基としてアルカリ金属のアルコキシドを用いた従来の製造方法と比較して、シクロペンタノール誘導体(I)の収率が同等あるいは飛躍的に向上するという予想外の効果を見出した(後述の実施例を参照)。
以下に実施例を示し、本発明の実施の形態についてさらに詳しく説明する。もちろん、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、細部については様々な態様が可能であることはいうまでもない。さらに、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、それぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。また、本明細書中に記載された文献の全てが参考として援用される。
様々な条件で、2−(4−クロロベンジル)−8,8−ジメチル−7,9−ジオキサスピロ[4,5]デカン−1−オン(化合物(II−1))を、1,2,4−トリアゾール(化合物(III−1))を用いてアゾリルメチル化し、2−(4−クロロベンジル)−8,8−ジメチル−1−(1H−1,2,4−トリアゾール−1−イルメチル)−7,9−ジオキサスピロ[4,5]デカン−1−オール(化合物(I−1))を製造した。
Figure 2016003226
〔実施例1〕
化合物(II−1)(48.6mmol)をN,N−ジメチルアセトアミド(30mL)および水(2.3mL)に溶解し、65℃に昇温した。ここに、化合物(III−1)(63.3mmol)、TMSOB(58.4mmol)および水酸化ナトリウム(9.7mmol)を添加し撹拌した。9時間後、反応温度を85℃に昇温して2時間反応させた。反応終了後、反応液に水を加え、トルエンで抽出し、化合物(I−1)を得た。
収率81.1%。
〔実施例2〕
化合物(II−1)(48.6mmol)をN,N−ジメチルアセトアミド(30mL)および水(2.3mL)に溶解し、65℃に昇温した。ここに、化合物(III−1)(63.3mmol)、TMSOB(58.4mmol)および水酸化ナトリウム(12.0mmol)を添加し撹拌した。7時間後、反応温度を85℃に昇温して2時間反応させた。反応終了後、反応液に水を加え、トルエンで抽出し、化合物(I−1)を得た。
収率82.0%。
〔実施例3〕
化合物(II−1)(9.68mmol)をN,N−ジメチルアセトアミド(12.0mL)および水(0.45mL)に溶解し、65℃に昇温した。ここに、化合物(III−1)(12.6mmol)、TMSOB(11.7mmol)および水酸化ナトリウム(9.8mmol)を添加した。7時間後、反応温度を85℃に昇温して2時間反応させた。反応終了後、反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を水および飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去し、化合物(I−1)を得た。
粗収量:6.008g。純度:52.9%。収率:83.8%。
〔実施例4〕
化合物(II−1)(9.68mmol)をN,N−ジメチルアセトアミド(6.0mL)および水(0.6mL)に溶解し、65℃に昇温した。ここに、化合物(III−1)(12.6mmol)、TMSOB(11.7mmol)および水酸化ナトリウム(2.4mmol)を添加し、8時間撹拌した。さらに、水酸化ナトリウム(2.4mmol)を追加して2時間撹拌した後、反応温度を85℃に昇温して2時間反応させた。反応終了後、反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を水および飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去し、化合物(I−1)を得た。
粗収量:5.204g。純度:61.5%。収率:84.4%。
〔実施例5〕
化合物(II−1)(9.67mmol)をN,N−ジメチルアセトアミド(6.0mL)に溶解し、65℃に昇温した。ここに、化合物(III−1)(12.62mmol)、TMSOB(11.72mmol)および水酸化ナトリウム(2.48mmol)を添加し、9時間撹拌した。反応終了後、反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を水および飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去し、化合物(I−1)を得た。
粗収量:5.099g。純度:58.7%。収率:79.0%。
〔比較例1〕
化合物(II−1)(10.0mmol)をN,N−ジメチルアセトアミド(6.0mL)に溶解し、65℃に昇温した。ここに、化合物(III−1)(13.07mmol)、TMSOB(11.95mmol)およびナトリウムt−ブトキシド(2.4mmol)を添加し、9時間撹拌した。反応終了後、反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を水および飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去し、化合物(I−1)を得た。
粗収量:4.121g。純度:74.3%。収率:78.1%。
〔比較例2〕
化合物(II−1)(9.69mmol)をN,N−ジメチルアセトアミド(6.0mL)に溶解し、65℃に昇温した。ここに、化合物(III−1)(12.65mmol)、TMSOB(11.68mmol)および28%ナトリウムメトキシドメタノール溶液(2.4mmol)を添加した、7時間撹拌した。反応終了後、反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を水および飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去し、化合物(I−1)を得た。
粗収量:3.934g。純度:76.1%。収率:78.9%。
〔比較例3〕
化合物(II−1)(9.70mmol)をN,N−ジメチルアセトアミド(6.0mL)および水(0.6mL)に溶解し、65℃に昇温した。ここに、化合物(III−1)(12.62mmol)、TMSOB(11.66mmol)および28%ナトリウムメトキシドメタノール溶液(2.44mmol)を添加し、12時間撹拌した。反応終了後、反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を水および飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去し、化合物(I−1)を得た。
粗収量:3.790g。純度:79.6%。収率:79.4%。
本発明は、農園芸用の殺菌剤の有効成分として利用することができる化合物の製造に好適に利用することができる。

Claims (8)

  1. 下記一般式(I)で示されるシクロペンタノール誘導体を製造するシクロペンタノール誘導体の製造方法であって、
    硫黄イリドの存在下で、下記一般式(II)で示されるシクロペンタノン誘導体を、下記一般式(III)で示されるアゾール化合物を用いてアゾリルメチル化するアゾリルメチル化反応工程を含み、
    上記硫黄イリドは、上記アゾリルメチル化反応工程の反応系内において、スルホニウム化合物またはスルホキソニウム化合物と、金属水酸化物とから生成されることを特徴とするシクロペンタノール誘導体の製造方法。
    Figure 2016003226
    (式(I)中、RおよびRは、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基または−C2n−O−Gを表しており、Gは保護基を表し、nは1〜4の整数を表しており、RおよびRが互いに結合して環を形成していてもよく、Xは、ハロゲン原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のハロアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、炭素数1〜4のハロアルコキシ基、フェニル基、シアノ基またはニトロ基を表しており、mは0〜5の整数を表しており、mが2以上である場合には、複数あるXは互いに異なっていてもよく、Aは、窒素原子またはメチン基を表している。)
    Figure 2016003226
    (式(II)中、R、R、Xおよびmは、それぞれ式(I)におけるR、R、Xおよびmと同一である。)
    Figure 2016003226
    (式(III)中、Mは、アルカリ金属原子を表しており、Aは、式(I)におけるAと同一である。)
  2. 上記金属水酸化物は、アルカリ金属水酸化物であることを特徴とする請求項1に記載のシクロペンタノール誘導体の製造方法。
  3. 上記金属水酸化物は、水酸化ナトリウムであることを特徴とする請求項2に記載のシクロペンタノール誘導体の製造方法。
  4. 上記アゾリルメチル化反応工程において、溶媒中に水が含まれていることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のシクロペンタノール誘導体の製造方法。
  5. 上記一般式(I)で示されるシクロペンタノール誘導体は、下記一般式(Ia)で示されるシクロペンタノール誘導体であり、
    上記一般式(II)で示されるシクロペンタノン誘導体は、下記一般式(IIa)で示されるシクロペンタノン誘導体であることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載のシクロペンタノール誘導体の製造方法。
    Figure 2016003226
    (式(Ia)中、GおよびGはそれぞれ保護基を表し、GおよびGが互いに結合して環を形成していてもよく、pおよびqは、それぞれ独立に、1または2であり、X、mおよびAは、それぞれ式(I)におけるX、mおよびAと同一である。)
    Figure 2016003226
    (式(IIa)中、G、G、p、q、Xおよびmは、それぞれ式(Ia)におけるG、G、p、q、Xおよびmと同一である。)
  6. 上記一般式(Ia)で示されるシクロペンタノール誘導体は、下記一般式(Ib)示されるシクロペンタノール誘導体であり、
    上記一般式(IIa)で示されるシクロペンタノン誘導体は、下記一般式(IIb)示されるシクロペンタノン誘導体であることを特徴とする請求項5に記載のシクロペンタノール誘導体の製造方法。
    Figure 2016003226
    (式(Ib)中、RおよびRは,それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、フェニル基またはベンジル基を表しており、当該フェニル基の1以上の水素原子および当該ベンジル基のフェニル部における1以上の水素原子は、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基またはハロゲン原子で置換されていてもよく、p、q、A、Xおよびmは、それぞれ式(Ia)におけるp、q、A、Xおよびmと同一である。)
    Figure 2016003226
    (式(IIb)中、R、R、p、q、Xおよびmは、それぞれ式(Ib)におけるR、R、p、q、Xおよびmと同一である。)
  7. およびRは、それぞれ独立に、水素原子または炭素数1〜4のアルキル基であることを特徴とする請求項6に記載のシクロペンタノール誘導体の製造方法。
  8. Xは、フッ素原子または塩素原子であり、mは、0または1であることを特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載のシクロペンタノール誘導体の製造方法。
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