JP2016001720A - 発光装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 68
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 33
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 17
- 239000004519 grease Substances 0.000 claims description 12
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 7
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 53
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 53
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 20
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 6
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 4
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 4
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 4
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 2
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-Diethoxyethane Chemical compound CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002600 TPX™ Polymers 0.000 description 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N bismuth tin Chemical compound [Sn].[Bi] JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000404 calcium aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- 235000012215 calcium aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N calcium aluminosilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940078583 calcium aluminosilicate Drugs 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000000805 composite resin Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 europium-activated silicate Chemical class 0.000 description 1
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001938 gadolinium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075613 gadolinium oxide Drugs 0.000 description 1
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002087 whitening effect Effects 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
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Abstract
Description
絶縁体と、該絶縁体の少なくとも上面に配置され、それぞれが外部に露出している露出部を含む1組の接続端子とを備えた基体と、
該基体の上面に配置され、前記1組の接続端子のそれぞれと電気的に接続された発光素子と、
前記発光素子の上面に形成された透光性部材と、
を含む発光装置の製造方法であって、
1)前記基体の上面に配置された発光素子を準備する工程と、
2)前記発光素子の上面の少なくとも一部を覆う被覆体を形成する工程と、
3)前記工程2)の後、前記接続端子の前記露出部の少なくとも一部を覆う保護層を形成する工程と、
4)前記被覆体を除去した後、前記基体の上面側から透光性部材形成材料を供給し、前記発光素子の上面に透光性部材を形成する工程と、
5)前記透光性部材のうち前記保護層の上に形成された部分を除去する工程と、
を含む発光装置の製造方法である。
各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある点も留意されたい。また、複数の図面に表れる同一符号の部分は同一の部分又は部材を示す。
本願発明の1つの実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する前に、本願発明の1つの実施形態に係る発光装置について説明する。
図1(a)は、本発明の1つの実施形態に係る発光装置100を示す模式斜視図であり、図1(b)は、図1(a)のIb−Ib断面を示す模式断面図である。
発光装置100は、絶縁体2と、1組の接続端子4a、4bを備えた基体20と、発光素子10と、透光性部材8とを有する。
なお、添付した図面においては、各図に示すZ方向が上方向を示す。従って、上面とは各図において、X−Y面に平行な面のうち、Z方向側に位置する面をいう。なお、発光装置100は任意の方向に回転した状態で使用可能であるから、例えば、図1および詳細を後述する図6に示す実施形態では、上面(すなわち、X−Y面に平行な面のうち、Z方向側に位置する面)は、図の上方に位置していない。このように、発光装置100の配置の仕方によって、上面が他の面よりも常に上方に位置しているわけではないことに留意されたい。
接続端子4aは発光素子10の電極(第1電極)14aと電気的に接続されており、接続端子4bは、発光素子10の電極(第2電極)14bと電気的に接続されている。電極14aは正極(P側電極)および負極(N側電極)の一方であり、電極14bは、正極および負極の他方である。
なお、図1(b)に示す実施形態では、発光素子10の下面から電極14a、14bが下面に突出しているが、これに代えてまたはこれに加えて、接続端子4aおよび接続端子4bに、それぞれ、電極14aおよび電極14bと概ね同程度の平面視した面積(−Z方向から平面視した面積)を有し、上方(Z方向)に突出した突出部を形成してもよい。このような突出部を形成することにより、セルフアライメント効果で発光素子10の位置決め精度を向上させることができる。
しかし、発光素子10を、基体20の上面に実装する方法は、これに限定されるものではなく、任意の方法を用いてよい。
また、半導体積層体の同一面側(例えば、第2半導体層側の面)に、第1半導体層に電気的に接続された電極14aと、第2半導体層に電気的に接続された電極14bとの双方を有することが好ましい。
好ましい実施形態の1つは、図1(a)、(b)に示すように、遮光性部材6により4つの側面全てが覆われている。さらには、発光素子10の下面(X−Y面に平行な2つの面のうち、−Z方向側の面)のうち、電極14a、14b以外の部分を覆うことが好ましい。この実施形態は、とりわけ、遮光性部材6は発光素子10からの光が意図しない方向に出ていかないよう制御できるという効果を有する。
遮光性部材6は、発光素子10からの光に対する反射率が60%以上、好ましくは70%以上、より好ましくは80%以上、よりさらに好ましくは90%以上の遮光性材料であることが好ましい。
遮光性部材6に遮光性を付与し、遮光性部材とするために、樹脂等の上述した材料に、酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト、酸化ニオブ、酸化亜鉛、硫酸バリウム、カーボンブラックおよび各種希土類酸化物(例えば、酸化イットリウム、酸化ガドリニウム)等のような光反射材、光散乱材または着色材等を含有させてよい。
透光性部材8は、発光素子10から出射され透光性部材8に入射した光のうち、好ましくは60%以上、より好ましくは70%以上、80%以上または90%以上を透過する。
このような透光性部材8を構成する好ましい材料として、樹脂材料をあげることができる。好ましい樹脂材料として、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ変性樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、TPX樹脂、ポリノルボルネン樹脂またはこれらの樹脂を1種以上含むハイブリッド樹脂等の樹脂を挙げることができる。なかでもシリコーン樹脂またはエポキシ樹脂が好ましく、特に耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂がより好ましい。また、透光性部材8はゾル・ゲル法により形成されたガラスであってもよい。
このような蛍光体は、当該分野で既知のものを使用することができる。例えば、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)系蛍光体、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット(LAG)、ユウロピウムおよび/またはクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム(CaO−Al2O3−SiO2)系蛍光体、ユウロピウムで賦活されたシリケート((Sr,Ba)2SiO4)系蛍光体、βサイアロン蛍光体、CASN系又はSCASN系蛍光体等の窒化物系蛍光体、KSF系蛍光体(K2SiF6:Mn)、硫化物系蛍光体を例示できる。
透光性部材8が蛍光体を含有することにより、発光装置100を可視波長の一次光及び二次光の混色光(例えば、白色系)を出射する発光装置または紫外光の一次光に励起されて可視波長の二次光を出射する発光装置とすることができる。発光装置100を液晶ディスプレイのバックライト等に用いた場合、青色光によって励起され、赤色発光する蛍光体(例えば、KSF系蛍光体)と、緑色発光する蛍光体(例えば、βサイアロン蛍光体)を用いることが好ましい。これにより、発光装置を用いたディスプレイの色再現範囲を広げることができる。照明等に用いられる場合、青緑色に発光する素子と赤色蛍光体とを組み合わせて用いることができる。
量子ドット蛍光体は、PMMA(ポリメタクリル酸メチル)などの樹脂で表面修飾または安定化してもよい。
蛍光体および/または充填材は、例えば、透光性部材8の全重量に対して10〜80重量%程度であることが好ましい。
絶縁体2は樹脂を含有することが好ましい。
樹脂は、当該分野で使用されている任意の樹脂であってよい。具体的な樹脂として、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン(BT)樹脂、ポリイミド樹脂、シアネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、アルキッド樹脂、ウレタン樹脂等を例示できる。これらの中でも高耐熱性、低誘電性等の特性を持つビスマレイミドトリアジン(BT)樹脂が好ましい。
発光装置100の側面が実装面となっており、発光装置100の上面(発光素子10の上面)が光取り出し面となっている。すなわち、図6に示す実施形態では発光装置100は、光取り出し面に隣接する面を実装面とする、いわゆるサイドビュー型と呼ばれる発光装置である。しかし、本発明に係る発光装置はこれに限定されるものでなく、光取り出し面と反対側の面を実装面とする(例えば、発光装置の上面を光り取り出し面とし、下面を実装面とする)トップビュー型と呼ばれる発光装置も包含するものである。
そして、配線層54aと接続端子4aの露出部とを例えば半田のような外部接合部材56aを介して接続することで外部電源と接続端子4aが電気的に接続される。また、配線層54bと接続端子4bの露出部とを例えば半田のような外部接合部材56bを介して接続することで外部電源と接続端子4bが電気的に接続される。この結果、外部電源から発光装置100に電力を供給することができ、発光装置100から所望の発光を得ることができる。
図6に示す実施形態では、外部接合部材56aは、絶縁体2の上面、下面および1つの側面(Y−Z面に平行な2つ面の一方)上で接続端子4aの露出部と接触し、外部接合部材56bは、絶縁体2の上面、下面および別の1つの側面(Y−Z面に平行な2つ面の他方)上で接続端子4bの露出部と接触している。
次に、発光装置100の製造方法について説明する。
以下に説明する実施形態は、発光装置100を効率的に製造できる方法に関する。発光装置100の製造において、最も効率化が求められる部分は、透光性部材8の形成方法である。
上述のように従来の発光装置では、透光性部材は、例えば、樹脂パッケージのキャビティー内の封止樹脂の形態をとる。このような、透光性部材は、樹脂パッケージを形成したキャビティー内に発光素子を配置した後、必要に応じて蛍光体を含む溶融樹脂をキャビティー内に供給し、これを硬化させる(例えば、ポッティング等)ことにより、容易に得ることができる。これは、キャビティーの内壁により溶融樹脂を拘束できるからである。
例えば、絶縁体2の上に金属めっきを施すことにより、接続端子4a、4bを形成し、基体20を得ることができる。そして、基体20上面の接続端子4a、4bと電気的に接続するように発光素子10をフリップチップ実装する。遮光性部材6を形成する場合は、さらに、上面に発光素子10が実装されている基体20を金型のキャビティー内に配置しトランスファー成形を行うことで、遮光性部材6を形成することができる。
このように、発光装置100の製造においては、透光性部材8以外の部分は既知の方法により比較的容易に高い効率で形成可能であるが、透光性部材8は、既知の方法では高い効率で形成することができない。
従って、以下では、透光性部材8の形成方法を中心に説明する。
図4は、個片化前の複数の発光装置100、より正確には製造途上であり、所望の部分以外にも透光性部材8Aが形成された状態の発光装置100Cを示す模式上面図である。絶縁体2を構成する絶縁材料よりなる絶縁板2Aは所定の間隔で、上面から下面に貫通する(Z方向に貫通している)スリット22を有している。
なお、図4では、個々の発光装置100Cが容易に認識できるように、発光装置100C同士の間の個片化時の切断ライン(発光装置100C同士の間で、スリット22から別のスリット22までX方向に延在する直線)を実示しているが、実際には、このような切断ラインは視認できないことに留意されたい。また、個々の発光装置100Cの絶縁体2は、個片化を行うまでは、絶縁板2Aの一部分となっている(すなわち、複数の発光装置100の絶縁体2が互いに繋がった状態となっている)。さらに、図4に示される接続端子4a、4bおよび絶縁体2の上にも透光性部材8Aが形成されているが、これら部材の構成を容易に理解できるように、透光性部材8Aのうち、接続端子4a、4bおよび絶縁体2の上に形成されている部分については記載を省略している。
なお、図4では、Y方向に7個、X方向に3個(一部分のみ表示されているものを除く)、合計21個の発光装置100Cが示されているが、より高い生産性効率を得るためには、例えば、数百〜数千個のように、より多くの発光装置100Cを絶縁板2A上に形成してよい。
図2(a)の発光装置100Aは、発光装置100の製造途上であって、透光性部材8以外の要素を既に備えた状態を示す。すなわち、発光装置100Aでは、既に接続端子4a、4bと絶縁体2とを含む基体20の上面に発光素子10が配置されている。
そして、発光装置100Aの上面のうち、透光性部材8を形成したい部分(発光素子10の上面の少なくとも一部分を含む)を被覆体30で覆う。発光素子10の上面の少なくとも一部分に加えて、遮光性部材の上面(例えば、遮光性部材6のうち、発光素子10の側面を覆う部分の上面)の少なくとも一部分を被覆体30により覆ってよい。図2(a)に示す実施形態では、発光素子10の上面全体と遮光性部材6の上面全体(遮光性部材6のうち、発光素子10の側面を覆う部分の上面全体)が被覆体30により覆われている。
次に、図2(c)に示すように接続端子4a、4bの露出部の少なくとも一部分を保護層32により覆う。図2(c)に示した発光装置100Bは、その表面に保護層32を有する発光装置である。少なくとも、接続端子4a、4bの露出部のうち、発光装置100を実装基板に接合する際に、外部接合部材56a、56bと接触する部分を保護層32により覆う。保護層32の形成をより効率的に行うために、保護層32は、発光装置100Aの表面のうち、接続端子4a、4bの露出部以外の部分を含む、被覆体30に覆われていない任意の部分を覆ってよい。
水溶性レジストは、水溶性樹脂を主成分とする(水溶性樹脂のみから成ってもよく、また少なくとも水溶性樹脂を含んでいれば他の物質を含んでもよい)。水溶性レジストを含む保護層32は、水に溶解させることで除去可能である。
透光性部材8を形成する際に軟化した樹脂(本明細書において「軟化した樹脂」は溶融した樹脂を含む概念である。)等である透光性部材形成材料を硬化させるために100〜200℃程度まで昇温する場合があるため、水溶性レジストの保護層32は、100〜200℃程度まで昇温された後も水に溶解させることで除去可能であることが好ましい。好ましい水溶性樹脂として、ポリビニルピロリドン系樹脂を例示できる。分子量の異なるポリビニルピロリドン系樹脂(低分子のポリビニルピロリドン系樹脂と高分子のポリビニルピロリドン系樹脂)の配合比を調整することで硬化前の粘度や水への溶解性等を調整できる。
なお、発光装置100Aの表面に水溶性レジストを付着させる方法は、上述の浸漬法に限定されるものでなく、ディスペンス法、印刷、圧縮成型またはスプレーコーティング等の既知の他の方法を用いてよい。
本明細書において、離型剤とは、その上に形成された透光性部材8Aを物理的手段(機械的手段とも言う)より除去できる(好ましくは比較的容易に)保護層32を意味する。より詳細には離型剤の上に形成された透光性部材8Aは、発光素子10の上に形成された透光性部材8Aよりも弱い力(物理的手段により印加される力)で除去することが可能である。すなわち、離型剤と透光性部材8Aとの間の接合力は発光素子10の上面と透光性部材8Aとの間の接合力より弱いため、保護層32のない部分に形成された透光性部材8Aを除去することなく保護層32の上に形成された透光性部材8Aを除去することが可能である。好ましくは、流体(例えば、水等の液体または空気等の気体)を透光性部材8Aに衝突させるという物理的手段により透光性部材8Aを除去できる(保護層32から透光性部材8Aを除去してもよく、保護層32とともに透光性部材8Aを除去してもよい)。また、別の好ましい実施形態では、磁気研磨により保護層32とともに透光性部材8Aを除去できる。磁気研磨法とは磁性素材をメディアとして金属加工時に発生する微細・微小バリを取り除き研磨、洗浄することができるバリ取り方法である。この方法を用いることにより、ダイシング時の発光装置100の切断面にできたバリを除去するとともに、同時に離型剤/水溶性レジストを除去することが出来る。
容易に所望の保護層32を形成できるように、および/または離型剤を除去する必要がある場合、容易に除去できるようにするため、離型剤は例えばアルコールまたはアルカリ溶液に溶解することが好ましい。
透光性部材8を形成する際に軟化した樹脂等である透光性部材形成材料を硬化させるために100〜200℃程度まで昇温する場合があるため、100〜200℃程度まで昇温された後もその上に形成された透光性部材8Aを物理的手段より比較的容易に除去できることが好ましい。好ましい離型剤として、一般的に市販されているものを用いることができ、フッ素系の離型剤(フッ素化合物を主成分(例えば、質量比で50%以上)とする離型剤)を例示できる。
耐熱グリスは、シリコーンオイルと、シリコーンオイルに加えた金属石鹸およびフィラーを含む。耐熱グリスは、必要に応じて油性向上材および/または酸化防止剤を含んでよい。
耐熱グリスは、その主な成分の1つであるシリコーンオイルが、トルエン、キシレン、ヘキサンまたは工業用ガソリンなどの有機溶媒に容易に溶解する特徴を有している。また、シリコーンオイルが耐熱性に優れることから、耐熱グリスは硬化しない(完全には硬化しない)という特徴を有している(好ましくは、耐熱グリスは蛍光体層の硬化温度でも完全には硬化しない)。この2つの特徴のため、耐熱グリスにより形成した保護層32は、有機溶剤を用いて短時間で除去できるという利点を有している。
また、耐熱グリスは、チクソ性が高い(高チクソ性)。このため、容易に、部分的に(局所的に)耐熱グリスを塗布することが可能であり、ライン塗装等において使用量を低減することができる。
なお、発光装置100Aの表面に離型剤の層を形成する方法は、上述の浸漬法に限定されるものでなく、ディスペンス法、印刷、圧縮成型またはスプレーコーティング等の既知の他の方法を用いてよい。
また、耐熱グリスの保護層32は、例えば、エアディスペンサーを用いてライン塗布により形成することができる。
次に、図2(d)に示すように被覆体30を除去する。被覆体30がシート状(テープ状の形態も含む)である場合は、シート状の被覆体30を剥がすことにより容易に除去できる。その後、図3(d)以下に示すように透光性部材8Aを形成する。発光装置100Cは、被覆体30を除去した後の発光装置100Bに透光性部材8Aを形成した発光装置である。所定の場所(被覆体30により覆われていた場所)に確実に透光性部材8を形成するために、透光性部材8Aは、透光性部材8を形成する所定の場所以外の部分、すなわち保護層32の上にも形成される。図3(f)に示す実施形態では、発光装置100Cの上面と側面の全体が透光性部材8Aにより覆われている。
このようにして供給された透光性部材形成材料を、例えば100〜200℃×4時間加熱する等適当な条件で加熱する等により透光性部材形成材料の樹脂成分が硬化し透光性部材8Aが形成される。
次に保護層32がない部分に形成された透光性部材8Aを残し(すなわち、透光性部材8となる部分を残し)、保護層32上の透光性部材8Aを除去し、図3(f)に示すように、発光装置100を得る。
保護層32上の透光性部材8Aの全てを除去することが好ましいが、少なくとも、発光装置100を実装基板に接合する際に、外部接合部材56a、56bと接触する部分の透光性部材8Aを除去する。なお、例えば、発光装置100を実装基板50に実装する際の半田接合(すなわち、外部接合部材56a、56bに半田を用いる)の熱により保護層32が蒸発する等の理由により、保護層32が発光装置100の実装性に悪影響を与えない限り、保護層32は、除去してもよく、残してもよい。一方、保護層32が発光装置100の実装性に悪影響を与える場合は、保護層32を除去する。
また、保護層32を除去する場合、透光性部材8となるべき部分の透光性部材8A(保護層32がない部分に形成された透光性部材8A)を除去してしまわない限り、既知の任意の方法を用いてよい。保護層32を除去する場合、保護層32の上の透光性部材8Aの除去と保護層32の除去は別々の工程で行ってもよく、同時に行ってもよい。
この場合、ダイシング工程により、個片化と透光性部材8Aの除去を同時に行えるだけでなく、保護層32の除去も同時に行える。
なお、離型剤は、通常、水溶性ではないため、ダイシング後も離型剤の保護層32は、発光装置100の表面に残存する。上述したように実装性等を考慮し、得られた発光装置100から離型剤を除去してよい。離型剤は、アルコール洗浄またはアルカリ溶液洗浄を含む既知の方法により除去することができる。
以上に説明した製造方法により、個片化された発光装置100を得ることができる。
以上に説明した発光装置100は1つの発光素子10を含んでいる。しかし、本発明に係る発光装置はこれに限定されるものでなく、複数の発光素子10を含む発光装置も本発明の技術的範囲に含まれる。
そこで、変形例として、複数の発光素子10を含む発光装置を例示する。図5は、複数の発光素子10を含む実施形態に係る発光装置200の模式断面図である。ここでは、発光装置100と異なる部分を中心に説明する。特に断りのない構成については、発光装置100と同じであってよい。
図5に示す実施形態では、2つの接続端子4aと1つの接続端子4bを用いて電気的に接続している。より詳細には、2つの発光素子10の電極14aと電極14bの向きを反対にし、図5の断面において、2つの発光素子10の電極14bが内側に位置し、電極14aが外側に位置している。そして、1つの接続端子4bが、2つの発光素子10のそれぞれの電極14bと電気的に接続されている。接続端子4bは、絶縁体2の上面を延在する部分に加えて、絶縁体2の内部を貫くビア42bと絶縁体2の下面上を延在する下面延在部44bを有している。そして、下面延在部44bが露出部となっている。従って、発光装置200を実装基板50に実装する際には、下面延在部44bに接合部材56bが接触する。
なお、発光装置100においても、接続端子4a、4bは、絶縁体2の側面上を延在する部分に加えてまたは代えてビア42bを有してよい。
一方、2つの接続端子4aは、それぞれ、異なる発光素子10の電極14aと電気的に接続されている。
2A 絶縁板
4a、4b 接続端子
6 遮光性部材
8、8A 透光性部材
10 発光素子
14a、14b 発光素子の電極
20 基体
22 スリット
24a、24b 接合部材
30 被覆体
36 保護層形成材料
32 保護層
42b ビア
44b 下面延在部
50 実装基板
54a、54b 配線層
56a、56b 外部接合部材
100 発光装置
100A、100B、100C 発光装置(製造途中)
Claims (13)
- 絶縁体と、該絶縁体の少なくとも上面に配置され、それぞれが外部に露出している露出部を含む1組の接続端子とを備えた基体と、
該基体の上面に配置され、前記1組の接続端子のそれぞれと電気的に接続された発光素子と、
前記発光素子の上面に形成された透光性部材と、
を含む発光装置の製造方法であって、
1)前記基体の上面に配置された発光素子を準備する工程と、
2)前記発光素子の上面の少なくとも一部を覆う被覆体を形成する工程と、
3)前記工程2)の後、前記接続端子の前記露出部の少なくとも一部を覆う保護層を形成する工程と、
4)前記被覆体を除去した後、前記基体の上面側から透光性部材形成材料を供給し、前記発光素子の上面に透光性部材を形成する工程と、
5)前記透光性部材のうち前記保護層の上に形成された部分を除去する工程と、
を含む発光装置の製造方法。 - 前記発光素子が、遮光性部材により側面を覆われている請求項1に記載の発光装置の製造方法。
- 前記透光性部材が、前記遮光性部材の上面の少なくとも一部を被覆している請求項2に記載の発光装置の製造方法。
- 前記工程4)において、前記透光性部材がスプレーコート法によって形成される請求項1〜3のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記透光性部材が、蛍光体を含む請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法
- 前記蛍光体が、量子ドットである請求項5に記載の発光装置の製造方法。
- 前記保護層が、離型剤、水溶性のレジスト、または耐熱グリスである請求項1〜6のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記接続端子の少なくとも1つが、前記絶縁体の上面から下面まで繋がって形成されている請求項1〜7のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 少なくとも2つの前記発光素子が前記基体の上面に載置されている請求項1〜8のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 複数の発光装置の絶縁体が互いに繋がった状態で前記工程4)を行った後、前記互いに繋がった絶縁体を切り離す個片化工程を備える請求項1〜9のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記個片化工程が、前記工程5)と同時に行われる請求項10に記載の発光装置の製造方法。
- 前記工程5)が、ダイシングによって行われる請求項1〜11のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記個片化工程が、前記工程5)と別に行われる請求項10に記載の発光装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015066521A JP6464877B2 (ja) | 2014-05-21 | 2015-03-27 | 発光装置の製造方法 |
US14/718,292 US9461219B2 (en) | 2014-05-21 | 2015-05-21 | Method of producing light emitting device |
US15/257,067 US9837590B2 (en) | 2014-05-21 | 2016-09-06 | Method of producing light emitting device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014105442 | 2014-05-21 | ||
JP2014105442 | 2014-05-21 | ||
JP2015066521A JP6464877B2 (ja) | 2014-05-21 | 2015-03-27 | 発光装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016001720A true JP2016001720A (ja) | 2016-01-07 |
JP6464877B2 JP6464877B2 (ja) | 2019-02-06 |
Family
ID=54556680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015066521A Active JP6464877B2 (ja) | 2014-05-21 | 2015-03-27 | 発光装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9461219B2 (ja) |
JP (1) | JP6464877B2 (ja) |
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2015
- 2015-03-27 JP JP2015066521A patent/JP6464877B2/ja active Active
- 2015-05-21 US US14/718,292 patent/US9461219B2/en active Active
-
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- 2016-09-06 US US15/257,067 patent/US9837590B2/en active Active
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US20160372644A1 (en) | 2016-12-22 |
US20150340550A1 (en) | 2015-11-26 |
US9461219B2 (en) | 2016-10-04 |
US9837590B2 (en) | 2017-12-05 |
JP6464877B2 (ja) | 2019-02-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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