JP2015533928A - 堆積プロセスの同期のための方法および装置 - Google Patents
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Abstract
Description
たとえば、従来の基板処理では、基板の特徴の内面に薄い材料層を施してから、特徴を導電性材料で充填する。理論上は、この薄い層は、特徴全体にわたって一貫しているはずであり、オーバーハング(特徴の開口部の表面上に過度の材料が残ること)を最小にし、それによって、特徴開口部のサイズを低減させることができ、または開口部を完全に閉じることができる(空隙もしくはボイドを特徴の中に閉じ込めたまま残すことは望ましくない)。集積回路の構成要素の寸法が減少するにつれて、特徴の高さと特徴の幅とのアスペクト比も増大し、薄い層を一貫して堆積させるという難題がさらに難しくなる。
そのような高アスペクト比の特徴を有する集積回路の製造に一般に使用される典型的なプロセスは、特徴の底部に材料を堆積させることと、材料を再スパッタリングして特徴の底部から側壁への再分布を容易にすることとを含む。これは、高エネルギーのイオンを基板の方へ誘導することによって行われる。しかし残念ながら、この方法は、特に特徴のコーナーまたは斜角および底部で、下層および基板自体に損傷を引き起こすことがある。この損傷の結果、著しく線抵抗が増大し、信頼性が低下する。加えて、典型的なプロセスの好ましくない結果には、特徴を塞ぐことがあるオーバーハングの蓄積が含まれ、その影響は、特徴の形状寸法がより小さい場合(たとえば、アスペクト比が高い場合)により顕著になる。
さらに、本発明者らは、DC電力、RF電力、および電磁石の電流の制御を通じてイオン密度およびエネルギーを変動させることによって前述の問題を解決しようとする試みの結果、電力供給に対する信号処理の遅延のため、ウエハ全体にわたって、またウエハごとに、膜の厚さが変動することを観察した。
上記で簡単に要約し、以下でより詳細に論じる本発明の実施形態は、添付の図面に示す本発明の例示的な実施形態を参照することによって理解することができる。しかし、本発明は他の等しく有効な実施形態も許容しうるため、添付の図面は本発明の典型的な実施形態のみを示すものであり、したがって本発明の範囲を限定すると見なされるべきではないことに留意されたい。
イオン化物理的気相堆積(PVD)銅プロセスでは、ターゲットソース材料から金属イオンを加速させ、基板上に形成されたビアおよびトレンチ構造(すなわち、特徴)内へ堆積させる。本発明者らは、イオン密度およびエネルギーを変動させることによって、イオン/中性金属の比、軌道、およびスパッタ収率を調整することにより、特徴のステップカバレッジ(たとえば、水平面上に堆積させた材料の厚さと垂直面上に堆積させた材料の厚さとを比較した値)を調節することができることを発見した。典型的には、PVD銅堆積プロセスは、イオンエネルギーを変動させて、金属イオン比の高い状態で行われる。入ってくるイオンのエネルギーを変動させることによって、別個のプロセス状態が実現される。中間のイオンエネルギープロセス状態では、高い底部堆積プロセスが観察され、基板上の再スパッタリングは最小になる。より高いエネルギープロセス状態では、イオンは基板を物理的にエッチングすることができる。本発明者らは、複数のステップからなるプロセスにおいて、中間のエネルギープロセスと高いエネルギープロセスとを組み合わせることで、基板または特徴の損傷を最小にし、または防止しながら、銅イオンのリフローまたは電気化学堆積もしくはめっき(ECP)による間隙充填に対して好ましいステップカバレッジを実現することができることを発見した。
誘電体層202の上に形成されたバルク誘電体層206を有する基板200を示すが、基板200はまた、異なる材料層および/または追加の材料層を含むこともできる。加えて、異なる材料層および/または追加の材料層内に、トレンチ、ビアなどの他の特徴を形成することができる。
いくつかの実施形態では、バリア層208を堆積させることは、プロセスチャンバにプロセスガスを提供することと、プロセスガスからプラズマを形成してターゲットからのソース材料と反応させることとを含むことができる。この反応により、ターゲットはターゲット材料の原子を放出し、次いでこれらの原子は基板200の方へ誘導される。いくつかの実施形態では、プロセスガスは、アルゴン(Ar)、ヘリウム(He)、クリプトン(Kr)、ネオン(Ne)、キセノン(Xe)などの不活性ガスを含むことができる。プロセスガスは、約2〜約200sccmの流量で提供することができる。いくつかの実施形態では、約5〜約40kWのDC電力をターゲットに印加してプロセスガスを着火し、プラズマを維持することができる。
上記に加えて、追加のプロセスパラメータを利用して、バリア層208の堆積を容易にすることができる。たとえば、いくつかの実施形態では、プロセスチャンバは、約0.2〜約50ミリトルの圧力で維持することができる。加えて、いくつかの実施形態では、プロセスチャンバは、摂氏約−20度〜摂氏約+400度の温度で維持することができる。
いくつかの実施形態では、本発明者らは、ステップ108に関して上述した低い/中間のエネルギー堆積プロセスを介してシード層210を堆積させて、底部基板特徴230を蓄積させるとき、シード層材料は、図2Cに示すように、開口部212の上部コーナー218付近に積もることがあることを観察した。従来の処理では、シード層材料が積もることで、開口部212を部分的または完全に塞いでボイドを生じさせることがある。
次に、112で、図2Eに示すように、シード層210の上に導電性材料222を堆積させて、開口部212を充填することができる。シード層210が連続する層を形成しない実施形態(上述)では、導電性材料222の一部分をバリア層208の上に直接堆積させることができる。導電性材料222は、電気化学堆積または電気化学めっき(ECP)などの任意の方法で堆積させることができる。導電性材料222は、アルミニウム(Al)、銅(Cu)などの任意の適した導電性材料とすることができる。
導電性材料222を堆積させて開口部212を充填した後、この方法は、概して終了し、基板200は、堆積、エッチング、アニーリングなどのさらなる処理へ進むことができる。たとえば、いくつかの実施形態では、追加の層を堆積させることができ、たとえば、充填された開口部212の上に、追加の誘電体層および/または金属化構造を形成することができる。
いくつかの実施形態では、処理チャンバ300は、基板200を受け取るための基板支持ペデスタル352と、ターゲット342などのスパッタリングソースとを収容する。基板支持ペデスタル352は、接地囲壁350内に配置することができ、接地囲壁350は、チャンバ壁(図示せず)または接地シールド(図示せず)とすることができる。基板支持ペデスタル352は、たとえば抵抗性加熱要素、放射空胴および光源など、基板200に熱を提供する任意の適した手段(図示せず)を含むことができる。
ターゲット342は、誘電体アイソレータ346を介して、接地された導電性のアルミニウムアダプタ344上に支持することができる。ターゲット342は、本発明の実施形態による窒化チタン膜を堆積させるときのチタンなど、スパッタリング中に基板200上に堆積させるべき材料を含む。
基板支持ペデスタル352は、底部チャンバ壁360に連結されたベローズ358を通って垂直方向に可動であり、それによって、処理チャンバ300の下部部分内に位置するロードロックバルブ(図示せず)を通って基板200を基板支持ペデスタル352上へ移送し、その後、図3に示す堆積または処理位置へ持ち上げることが可能になる。ガス源362から質量流量コントローラ364を通ってチャンバ300の下部部分内へ、1つまたは複数の処理ガスを供給することができる。処理チャンバ300の内部を排気し、処理チャンバ300内で所望の圧力を維持するのを容易にするために、排気口368を設け、バルブ366を介してポンプ(図示せず)に結合することができる。
チャンバ300は、アダプタ344の突起384に連結された底部接地シールド380をさらに含む。底部シールド380上に暗黒部シールド386が支持され、ねじまたは他の適した方法によってシールド380に締め付けられる。底部シールド380と暗黒部シールド386との間の金属ねじ連結により、2つのシールド380、386をアダプタ344に接地させることが可能になる。アダプタ344は、アルミニウムのチャンバ側壁350に密閉および接地される。シールド380、386はどちらも、典型的には、硬質の非磁性ステンレス鋼から形成される。
コリメータ310が存在するときは、底部シールド380の突起部分上に載置することができ、それによってコリメータ310を接地することができる。コリメータ310は、金属のリングとすることができ、外側の管状区間と、少なくとも1つの内側の同心円状の管状区間、たとえばクロスストラット320、318によってつながれた3つの同心円状の管状区間312、314、316とを含むことができる。外側の管状区間316は、底部シールド380の突起部分306上に載置される。底部シールド380を使用してコリメータ310を支持することで、チャンバ300の設計および保守が簡略化される。少なくとも2つの内側の管状区間312、314は、スパッタリングされた粒子を部分的にコリメートする高アスペクト比の開孔を画定するのに十分な高さである。さらに、コリメータ310の上面は、バイアスされたターゲット342に対向する接地面として作用し、それによってプラズマ電子を基板200から離れて保つことを容易にする。
上記に加えて、追加のプロセスパラメータを利用して、バリア層208の堆積を容易にすることができる。たとえば、いくつかの実施形態では、プロセスチャンバは、約0.2〜約50ミリトルの圧力で維持することができる。加えて、いくつかの実施形態では、プロセスチャンバは、摂氏約−20度〜摂氏約+400度の温度で維持することができる。
いくつかの実施形態では、処理チャンバ300は、基板200を受け取るための基板支持ペデスタル352と、ターゲット342などのスパッタリングソースとを収容する。基板支持ペデスタル352は、接地チャンバ壁350内に配置することができ、接地チャンバ壁350は、チャンバ壁(図示せず)または接地シールド(図示せず)とすることができる。基板支持ペデスタル352は、たとえば抵抗性加熱要素、放射空胴および光源など、基板200に熱を提供する任意の適した手段(図示せず)を含むことができる。
ターゲット342は、誘電体アイソレータ346を介して、接地された導電性のアルミニウムアダプタ344上に支持することができる。ターゲット342は、本発明の実施形態による窒化チタン膜を堆積させるときのチタンなど、スパッタリング中に基板200上に堆積させるべき材料を含む。
チャンバ300は、アダプタ344の突起384に連結された底部接地シールド380をさらに含む。底部シールド380上に暗黒部シールド386が支持され、ねじまたは他の適した方法によってシールド380に締め付けられる。底部シールド380と暗黒部シールド386との間の金属ねじ連結により、2つのシールド380、386をアダプタ344に接地させることが可能になる。アダプタ344は、アルミニウムのチャンバ壁350に密閉および接地される。シールド380、386はどちらも、典型的には、硬質の非磁性ステンレス鋼から形成される。
Claims (15)
- プロセスチャンバ内で基板を処理する方法であって、
同期コントローラによって、第1のチャンバプロセスを実行するための1つまたは複数のデバイスに対するプロセス制御パラメータを、プロセスコントローラから受け取るステップと、
前記同期コントローラによって、前記プロセス制御パラメータのそれぞれを前記1つまたは複数のデバイスへ送る時間を決定するステップと、
前記1つまたは複数のデバイスのそれぞれに対して、前記同期コントローラによって、前記1つまたは複数のデバイスのそれぞれに関連する特有の信号プロセス遅延を使用して前記プロセス制御パラメータのそれぞれを送るように、前記決定した時間を調整するステップと、
前記同期コントローラによって、前記調整した時間に、前記第1のチャンバプロセスを実行するための前記プロセス制御パラメータを前記1つまたは複数のデバイスのそれぞれへ送るステップとを含み、前記同期コントローラが、1つまたは複数の出力チャネルを含み、各チャネルが、前記1つまたは複数のデバイスの1つに直接結合される、方法。 - 前記1つまたは複数のデバイスの各デバイスが、前記同期コントローラによって、前記デバイスの制御ポートに直接結合された前記出力チャネル上で送られるプロセス制御パラメータを使用して制御される、請求項1に記載の方法。
- 前記プロセス制御パラメータが、前記プロセスコントローラからデジタル形式で受け取られ、前記同期コントローラが、各デバイスに対する前記デジタルプロセス制御パラメータをアナログ信号に変換し、前記アナログ信号が、前記1つまたは複数のデバイスのそれぞれへ送られて、前記1つまたは複数のデバイスのそれぞれを制御する、請求項1に記載の方法。
- 前記調整した時間に前記プロセス制御パラメータを前記1つまたは複数のデバイスへ送る前記動作が、前記1つまたは複数のデバイスの1つに直接結合された各チャネルを介して、前記1つまたは複数のデバイスのそれぞれへ、前記プロセス制御パラメータに対応する前記アナログ信号を別個に送ることを含む、請求項3に記載の方法。
- 前記第1のチャンバプロセスが、前記基板上に形成された1つまたは複数の特徴の底部部分に第1の材料を蓄積させるために、第1のエネルギープロセス状態を使用して実行される堆積プロセスである、請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記同期コントローラによって、第2のチャンバプロセスを実行するための第2の組の1つまたは複数のデバイスに対する第2の組のプロセス制御パラメータを、前記プロセスコントローラから受け取るステップと、
前記同期コントローラによって、前記第2の組のプロセス制御パラメータのそれぞれを前記第2の組の1つまたは複数のデバイスへ送る時間を決定するステップと、
前記第2の組の1つまたは複数のデバイスのそれぞれに対して、前記同期コントローラによって、前記第2の組の1つまたは複数のデバイスのそれぞれに関連する特有の信号プロセス遅延を使用して前記第2の組のプロセス制御パラメータのそれぞれを送るように、前記決定した時間を調整するステップと、
前記同期コントローラによって、前記調整した時間に、前記第2のチャンバプロセスを実行するための前記第2の組のプロセス制御パラメータを前記第2の組の1つまたは複数のデバイスのそれぞれへ送るステップとをさらに含み、前記同期コントローラが、前記第2の組の1つまたは複数のデバイスのそれぞれに直接結合された出力チャネルを含む、
請求項5に記載の方法。 - 前記第2のチャンバプロセスが、前記1つまたは複数の特徴の前記底部部分から前記1つまたは複数の特徴の側壁へ前記第1の材料を再分布させるために、第2のエネルギープロセス状態を使用して実行される再スパッタリングプロセスであり、前記第2のエネルギープロセス状態が、前記第1のエネルギープロセス状態より高い、請求項6に記載の方法。
- 前記第1のチャンバプロセス後、前記1つまたは複数の特徴の前記側壁に沿って配置された前記第1の材料が第1の厚さを有し、前記第2のチャンバプロセス後、前記1つまたは複数の特徴の前記側壁に沿って配置された前記第1の材料が第2の厚さを有し、前記第2の厚さが、前記第1の厚さより大きい、請求項7に記載の方法。
- 前記第1のチャンバプロセスが堆積プロセスであり、前記第2のチャンバプロセスが再スパッタリングプロセスである、請求項7に記載の方法。
- 前記第1のチャンバプロセスの前記第1のエネルギープロセス状態が、直流+150ボルト〜直流−90ボルトであり、前記第2のチャンバプロセスの前記第2のエネルギープロセス状態が、直流−120ボルト〜直流−750ボルトである、請求項9に記載の方法。
- 前記1つまたは複数のデバイスの少なくとも1つが電力供給であり、前記同期コントローラによって受け取られる前記電力供給に対する前記プロセスパラメータが、(a)エネルギーレベルと、(b)前記エネルギーレベルを印加するときの時間パラメータとを含む、請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法。
- プロセス制御パラメータが、前記調整した時間に、前記第1のチャンバプロセスを実行するために前記1つまたは複数のデバイスのそれぞれへ送られ、したがって、前記1つまたは複数のデバイスのそれぞれが、前記プロセス制御パラメータを実質上同時に受け取る、請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法。
- プロセスコントローラから1つまたは複数のデバイスのプロセス制御パラメータを受け取るための1つまたは複数の入力と、1つまたは複数の出力チャネルとを有する同期コントローラを備え、各出力チャネルが、前記1つまたは複数のデバイスの1つに直接結合され、前記同期コントローラが、(a)前記プロセス制御パラメータを受け取り、(b)前記プロセス制御パラメータのそれぞれを前記1つまたは複数のデバイスへ送る時間を決定し、(c)前記1つまたは複数のデバイスのそれぞれに対して、前記1つまたは複数のデバイスのそれぞれに関連する特有の信号プロセス遅延を使用して前記プロセス制御パラメータのそれぞれを送るように、前記決定した時間を調整し、(d)前記調整した時間に、第1のチャンバプロセスを実行するための前記プロセス制御パラメータを前記1つまたは複数のデバイスのそれぞれへ送るように構成される、
基板処理システム。 - 前記1つまたは複数のデバイスの各デバイスが、前記同期コントローラによって、前記デバイスの制御ポートに直接結合された前記出力チャネル上で送られるプロセス制御パラメータを使用して制御される、請求項13に記載の基板処理システム。
- 1つまたは複数の特徴を有する基板上に層を形成する方法であって、
第1のエネルギープロセス状態を使用して第1の層を形成する第1の基板プロセスを実行し、前記1つまたは複数の特徴の底部部分に第1の材料を蓄積させるステップと、
第2のエネルギープロセス状態を使用して前記第1の層上で第2の基板プロセスを実行し、前記1つまたは複数の特徴の前記底部部分から前記1つまたは複数の特徴の側壁へ前記第1の材料を再分布させるステップとを含み、前記第2のエネルギープロセス状態が、前記第1のエネルギープロセス状態より高く、
前記第1の層が、前記第1の基板プロセス後、前記1つまたは複数の特徴の前記側壁に沿って配置された第1の厚さを含み、前記第1の層が、前記第2の基板プロセス後、前記1つまたは複数の特徴の側壁に沿って配置された第2の厚さを含み、前記第2の厚さが前記第1の厚さより大きい、方法。
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