CN110484884A - 磁控溅射控制系统及其控制方法 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供了一种磁控溅射控制系统及其控制方法。该控制方法包括：接收下位机发送的工艺配方，所述工艺配方包括磁控溅射工艺的电源功率参数；接收所述下位机发送的工艺开始指令，开始计时；在达到预设时间后，根据所述电源功率参数控制直流电源和/或射频电源输出设定功率。本申请实施例的磁控溅射控制方法采用电源控制器直接对直流电源及射频电源进行控制，由于电源控制器内执行的任务较少，并且程序执行周期较短，因此采用电源控制器对直流电源及射频电源进行控制，可以有效降低通讯延迟的影响，从而强化了控制系统的实时性，进而增强了晶圆性能的一致性，提高了晶圆的质量。

Description

磁控溅射控制系统及其控制方法

技术领域

本申请涉及半导体处理技术领域，具体而言，本申请涉及一种磁控溅射控制系统及其控制方法。

背景技术

目前,集成电路芯片制备的后道工序中，物理气相沉积中的磁控溅射是使用最广泛的技术之一。典型的磁控溅射设备如图1所示，该设备具有圆环型工艺腔室1、承载晶圆的支撑基座8、被密封在真空的工艺腔室1上方的靶材4以及绝缘材料2(例如G10材料，G10材料为一种玻璃纤维与树脂碾压复合材料)，该绝缘材料和靶材4中间充满了去离子水3。对晶圆进行溅射工艺时直流电源会施加偏压至靶材4，使其相对于接地的工艺腔室1成为负压，以致氩气放电而产生等离子体，由磁控管驱动器6带动磁控管5将带正电的氩离子吸引至负偏压的靶材4，当氩离子的能量足够高时，会使金属原子逸出靶材表面并沉积在晶圆10上，同时为提高深孔填充的薄膜覆盖率，射频电源11会在支撑基座8上施加射频功率。

由于磁控溅射控制系统中各部件的多种通讯方式之间存在不确定性的时间差。随着芯片特征尺寸的不断减小，工艺时间越来越短，一片晶圆(Wafer)的工艺时间只有几秒，而不同通讯方式所带来的工艺步骤延迟可能有几十甚至上百毫秒，这就使得单片晶圆(Wafer)的镀膜质量不好管控，且不同晶圆(Wafer)之间的工艺差异性较大；另外现有的磁控溅射控制系统对于磁控管驱动器的控制方式为：下位机通过以太网发送指令给运动控制器(Motion PLC)，运动控制器(Motion PLC)控制驱动运行。由于以太网通讯方式为非实时方式，无法建立工艺时间长短与运行轨迹之间的联系，因此也就失去了研究相关问题的基础。

发明内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种磁控溅射控制系统及其控制方法，用以解决现有技术存在的控制系统的实时性较差以及晶圆工艺差异性较大的技术问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种磁控溅射控制方法，包括：接收下位机发送的工艺配方，所述工艺配方包括磁控溅射工艺的电源功率参数；接收所述下位机发送的工艺开始指令，开始计时；在达到预设时间后，根据所述电源功率参数控制直流电源和/或射频电源输出设定功率。

于本申请的一实施例中，所述在达到预设时间后，根据所述电源功率参数控制直流电源和/或射频电源输出设定功率，包括：在达到第一预设时间时，控制所述直流电源输出第一设定功率；在达到第二预设时间时，判断工艺腔室内是否启辉；若是，则控制所述直流电源输出第二设定功率，同时控制所述射频电源输出第三设定功率，所述第二设定功率大于所述第一设定功率；若否，则控制所述直流电源停止输出功率，等待所述下位机再次发送所述工艺开始指令。

于本申请的一实施例中，所述在达到预设时间后，根据所述电源功率参数控制直流电源和/或射频电源输出设定功率之后，还包括：在达到第三预设时间时，控制所述直流电源及所述射频电源停止输出功率。

于本申请的一实施例中，所述工艺配方还包括磁控管的运动参数；在所述接收所述下位机发送的工艺开始指令后，所述方法还包括：根据所述运动参数，向所述磁控管的控制器发送控制指令，以控制所述磁控管的启停和/或运动轨迹。

于本申请的一实施例中，所述接收所述下位机发送的工艺开始指令，开始计时之前，还包括：确定磁控管是否位于预定位置；若是，则发送所述工艺开始指令；若否，则对所述磁控管的位置进行校准。

于本申请的一实施例中，所述确定磁控管是否位于预定位置，包括：读取所述磁控管的驱动器的位置信息，并且根据所述位置信息判断所述磁控管是否位于所述预定位置。

于本申请的一实施例中，在达到所述第二预设时间，且判断所述工艺腔室内没有启辉时，返回所述确定磁控管是否位于预定位置的步骤。

第二个方面，本申请实施例提供一种磁控溅射控制系统，包括：下位机，用于向电源控制器发送工艺配方，以及向所述电源控制器发送工艺开始指令，所述工艺配方包括磁控溅射工艺的电源功率参数；所述电源控制器，用于接收所述工艺配方及所述工艺开始指令，并基于所述工艺开始指令，根据所述电源功率参数控制直流电源和/或射频电源输出设定功率。

于本申请的一实施例中，所述磁控溅射控制系统还包括：磁控管的控制器；所述工艺配方还包括：磁控管的运动参数；所述电源控制器，还用于根据所述运动参数向所述磁控管的控制器发送控制指令；所述磁控管的控制器，用于接收所述控制指令，并根据所述控制指令控制所述磁控管的启停和/或运动轨迹。

于本申请的一实施例中，所述下位机，还用于读取所述磁控管的驱动器的位置信息，并且根据所述位置信息判断所述磁控管是否位于预定位置。

本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：

本申请实施例的磁控溅射控制方法基于电源控制器直接对直流电源及射频电源进行控制，由于电源控制器内执行的任务较少，并且程序执行周期较短，因此采用电源控制器对直流电源及射频电源进行控制，可以有效降低通讯延迟的影响，从而强化了控制系统的实时性，进而增强了晶圆性能的一致性，提高了晶圆的质量。

进一步的，本申请实施例的磁控溅射控制系统通过电源控制器控制具体步骤的执行，并且数量较小的控制指令均可以快速进行发送及接收，有效的提高了本申请实施例的实时性。另一方面，由电源控制器同步控制直流电源及射频电源，可以有效提高本申请实施的同步控制的效率，强化了实时性。因此本申请实施例不仅降低了通讯延迟对磁控溅射的不利影响，强化了控制系统的实时性，进而还可以有效提高晶圆镀膜质量，进而增强了晶圆性能的一致性。

本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为一种典型的磁控溅射设备的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的一种磁控溅射控制方法的流程示意图；

图3为本申请实施例提供的另一种磁控溅射控制方法的流程示意图；

图4为本申请实施例提供的再一种磁控溅射控制方法的流程示意图；

图5为本申请实施例提供的一种磁控溅射控制系统的框架示意图。

具体实施方式

下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。

下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。

第一个方面，本申请实施例提供一种磁控溅射控制系统，该磁控溅射的结构示意图可以参照如图5所示，包括：下位机51、电源控制器52、磁控管的控制器53、直流电源54及射频电源55。下位机51可以通过交换机57与电源控制器52及磁控管的控制器53连接，并且下位机51还可以通过现场总线(例如DeviceNet)的方式与电源控制器52及直流电源54连接。下位机51具体可以采用单片机或者可编程控制器，其可以用于向电源控制器52及磁控管的控制器53发送工艺配方，以及向电源控制器52发送工艺开始指令，工艺配方包括磁控溅射工艺的电源功率参数及运动参数。

电源控制器52可以是对电源进行控制的可编程控制器。电源控制器52还可以采用数字信号的方式与磁控管的控制器53连接，并且电源控制器52可以通过模拟量的方式对直流电源54及射频电源55进行同步控制，直流电源54可以通过现场总线(例如DeviceNet)的方式与下位机51连接，下位机51可以通过现场总线(例如DeviceNet)的方式采集直流电源54的状态数据。电源控制器52具体可以用于接收工艺配方及工艺开始指令，并基于工艺开始指令,根据电源功率参数控制直流电源54和/或射频电源55输出设定功率。电源控制器52可以根据运动参数向磁控管的控制器53发送控制指令。

磁控管的控制器53可以是对磁控管的运动进行控制的可编程控制器。磁控管的控制器53可以通过现场总线方式(例如DeviceNet)对磁控管56的驱动器进行控制，磁控管的控制器53可以通过磁控管56的驱动器读取磁控管的位置信息，并且可以对磁控管位置的进行校准。磁控管的控制器53还可以用于接收工艺配方及控制指令，并根据控制指令控制磁控管的启停和/运动轨迹。

于本申请的一实施中，下位机51还用于接收上位机58发送的工艺配方。上位机58具体来说可以台式电脑、笔记本电脑或者服务器等设备，操作人员可以通过上位机58设置工艺配方的各项参数，并且上位机58可以将设置好参数的工艺配方发送至下位机51。应该理解，图5中的各部件均为示意性的。根据实现需要，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

本申请实施例的磁控溅射控制系统通过电源控制器直接控制直流电源及射频电源的具体步骤的执行，并且数量较小的控制指令均以现场总线的方式快速进行发送接收，有效地提高了实时性。另一方面，由电源控制器同步控制直流电源及射频电源，可以有效提高同步控制的效率，强化了实时性。因此本申请实施例不仅降低了通讯延迟对磁控溅射的不利影响，强化了控制系统的实时性，进而还可以有效提高晶圆镀膜质量，进而增强了晶圆性能的一致性。

基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种磁控溅射控制方法，该方法的流程示意图如图2所示，该方法包括：

S201：接收下位机发送的工艺配方，工艺配方包括磁控溅射工艺的电源功率参数。

S202：接收下位机发送的工艺开始指令，开始计时；在达到预设时间后，根据电源功率参数控制直流电源和/或射频电源输出设定功率。

本申请的实施例提供了一种应用于磁控溅射控制系统的控制方法。具体来说，当需要执行磁控溅射工艺时，电源控制器可以通过交换机接收下位机发送的工艺配方，由于工艺配方较大所以可以设置网络交换机以便接收。但是本申请实施并不限定电源控制器接收工艺配方的方式，例如可以通过无线网络或者有线网络进行接收。电源控制器可以通过现场总线的方式接收到下位机发送的工艺开始指令，由于工艺开始指令数据量较小，而且对实时性比较高，因此采用现场总线的方式可以满足系统实时性的需求，但是本申请实施例对此并不进行限定，其也采用其它实时通讯方式。电源控制器在接收到下位机的工艺开始指令后，可以根据工艺配方内的电源功率参数控制直流电源和/或射频电源输出设定功率。电源控制器可以采用模拟量的方式对直流电源及射频电源进行控制，从而可以有效降低通讯延迟的影响。

本申请实施例的磁控溅射控制方法采用电源控制器直接对直流电源及射频电源进行控制，由于电源控制器内执行的任务较少，并且程序执行周期较短，因此采用电源控制器对直流电源及射频电源进行控制，可以有效降低通讯延迟的影响，从而强化了控制系统的实时性，进而增强了晶圆性能的一致性，提高了晶圆的质量。

本申请实施例还提供了一种可能的实现方式，如图3所示，包括：

S301：接收到下位机发送的工艺开始指令后，开始计时。

可选地，工艺配方还包括磁控管的运动参数。根据运动参数，电源控制器向磁控管的控制器发送控制指令，以使得磁控管的控制器控制所述磁控管的启停和/或运动轨迹。

例如，当电源控制器接收到下位机的工艺开始指令后，电源控制器的内部计时器可以开始计时。可选地，当电源控制器接收到下位机的工艺开始指令后，电源控制器还可以向磁控管的控制器发送一控制指令，以使得磁控管的控制器可以控制磁控管的启停和/或运动轨迹。采用上述设计，由于电源控制器及磁控管的控制器可以同步开始运行，磁控管的控制器可以动态调整磁控管驱动器的运行状态，从而可以进一步提高协调性。

S302：在达到第一预设时间时，控制直流电源输出第一设定功率。

当磁控管的控制器开始运行后达到第一预设时间后，电源控制器可以通过模拟量的方式控制直流电源输出第一设定功率。该步骤主要是通过直流电源对靶材施加直流电压，以使得工艺腔室起辉，因此需要电源控制器控制直流电源输出第一设定功率。采用上述设计，因为无需采用下位机进行控制，电源控制器直接通过模拟量的方式对直流电源进行控制，可以有效提高控制效率，从而增强了实时性。需要说明的是，对于该第一设定功率及第一预设时间的具体数值本申请实施例并不进行限定，其可以由操作人员计算得出，并且该第一设定功率可以作为工艺配方的一部分由电源控制器接收。

S303：在达到第二预设时间时，判断工艺腔室内是否启辉。若是，则执行步骤S304；若否，则执行步骤305。

例如，当电源控制器的内部计时器达到第二预设时间时，即当直流电源以第一设定功率运行一定时间后，此时可以判断工艺腔室是否已经满足起辉条件，由于电源控制器内部执行任务较小，程序执行一轮的周期仅几毫秒，最短可将电源控制器内部计时器调整至1毫秒，因此采用电源控制器控制，可以进一步提高实时性。需要说明的是，对于第二预设时间的具体数值本申请实施例并不进行限定，其同样可以由操作人员计算得出，并且该第一设定功率可以作为工艺配方的一部分由电源控制器接收。

S304：将直流电源输出第二设定功率，同时控制射频电源输出第三设定功率。可选地，第二设定功率大于第一设定功率。

如果工艺腔室起辉成功后，电源控制器可以将直流电源输出第二设定功率运行，同进还可以控制射频电源输出第三设定功率。具体来说，当工艺腔室起辉后电源控制器可以将直流电源的运行功率调大并且持续运行，以及当射频电源输出第三设定功率后，可以开始执行磁控溅射工艺。由于磁控溅射工艺所需的功率较大，因此当工艺腔室起辉后可以将直流电源输出第二设定功率。需要说明的是，本申请实施例并不限定第二设定功率及第三设定功率的具体数值，其同样可以由操作人员计算得出，并且该第二设定功率及第三设定功率均可以作为工艺配方的一部分由电源控制器接收。

S305：控制直流电源停止输出功率，等待下位机再次发送工艺开始指令。

如果工艺腔室起辉失败，电源控制器可以控制直流电源停止输出功率，等待下位机再次发送工艺开始指令，直到工艺腔室起辉成功再执行步骤S304。

S306：在达到第三预设时间时，控制直流电源及射频电源停止输出功率。

直流电源及射频电源持续运行至第三预设时间时，即当磁控溅射工艺执行完成后，电源控制器可以控制直流电源及射频电源停止输出功率。由于直流电源及射频电源均是由电源控制器进行控制，因此可以有效降低通讯延迟对磁控溅射工艺的不利影响。

本申请实施例还提供了一种可能的实现方式，如图4所示，包括：

S401：接收上位机发送的工艺配方。

下位机可以接收上位机发送的工艺配方，该工艺配方可以是由操作人员在上位机设置好各项参数后，上位机可以通过交换机发送至下位机。但是需要说明的是，工艺配方并非必须由上位机发送，其也可以提前预置于下位机内，或者工艺配方也可以是由操作人员在下位机上进行设置。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。采用上述设计，可以使得本申请实施的控制方法更加灵活，从而可以有效提高用户体验。

S402：向电源控制器及磁控管的控制器发送工艺配方，工艺配方包括磁控溅射工艺的电源功率参数及磁控管的运动参数。

下位机可以通过交换机向电源控制器及磁控管的控制器发送工艺配方，该工艺配方可以包括磁控溅射工艺的电源功率参数及磁控管的运动参数。具体来说，下位机可以将电源功率参数发送至电源控制器，以及将运动参数发送至磁控管的控制器。或者下位机可以将电源功率参数及运动参数均发送给电源控制器以及磁控管的控制器。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以自行调整设置。

S403：确定磁控管是否位于预定位置；若是，则执行步骤S404；否则，执行步骤S405。

可选地，下位机可以通过磁控管的控制器读取磁控管驱动器的位置信息，并且根据位置信息判断磁控管是否位于预定位置。

下位机可以通过磁控管的控制器读取磁控管驱动器的位置信息，以判断磁控管是否位于预定位置上，从而根据磁控管的所在位置对磁控溅射工艺的进行调整。进一步的，该步骤可以在上述实施例的步骤S202之前进行，即在接收下位机发送的工艺开始指令并开始计时之前，就对磁控管是否位于预定位置进行判断，但是本申请实施例并不以此为限。采用上述设计，可以有效提高磁控溅射工艺的镀膜质量，从而可以进一步提高晶圆的一致性。但是需要说明的是，并非本申请所有实施例都必须包括该步骤，在一些其它实施例中，也可以不包括确定磁控管的位置。

S404：向电源控制器发送工艺开始指令。

当确定磁控管位于预定位置时，下位机可以向电源控制器发送工艺开始指令。

S405：对磁控管的位置进行校准。

当确定磁控管的未处于预定位置时，下位机可以通过磁控管的控制器对磁控管的位置进行校准。具体地，下位机可以通过向磁控管的控制器发送工艺开始指令，磁控管的控制器可以控制磁控管驱动器对磁控管的位置进行调整。需要说明的是，本申请实施并不限定磁控管位置的调整方法，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。采用上述设计，可以使得磁控管始终位于固定位置上，以使得磁控管与靶材的配合更佳，从而进一步提高晶圆的一致性。

S406：向电源控制器发送工艺开始指令后，使电源控制器开始根据电源功率参数控制直流电源和/或射频电源输出设定功率。

可选地，在达到第二预设时间，且判断工艺腔室内没有启辉时，返回步骤S403，即确定磁控管是否位于预定位置的步骤。

应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：

本申请实施例的磁控溅射控制方法采用电源控制器直接对直流电源及射频电源进行控制，由于电源控制器内执行的任务较少，并且程序执行周期较短，因此采用电源控制器对直流电源及射频电源进行控制，可以有效降低通讯延迟的影响，从而强化了控制系统的实时性，进而增强了晶圆性能的一致性，提高了晶圆的质量。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

本技术领域技术人员可以理解，本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本申请中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种磁控溅射控制方法，其特征在于，包括：

接收下位机发送的工艺配方，所述工艺配方包括磁控溅射工艺的电源功率参数；

接收所述下位机发送的工艺开始指令，开始计时；

在达到预设时间后，根据所述电源功率参数控制直流电源和/或射频电源输出设定功率。

2.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述在达到预设时间后，根据所述电源功率参数控制直流电源和/或射频电源输出设定功率，包括：

在达到第一预设时间时，控制所述直流电源输出第一设定功率；

在达到第二预设时间时，判断工艺腔室内是否启辉；若是，则控制所述直流电源输出第二设定功率，同时控制所述射频电源输出第三设定功率，所述第二设定功率大于所述第一设定功率；若否，则控制所述直流电源停止输出功率，等待所述下位机再次发送所述工艺开始指令。

3.如权利要求2所述的控制方法，其特征在于，所述在达到预设时间后，根据所述电源功率参数控制直流电源和/或射频电源输出设定功率之后，还包括：

在达到第三预设时间时，控制所述直流电源及所述射频电源停止输出功率。

4.如权利要求2或3所述的控制方法，其特征在于，所述工艺配方还包括磁控管的运动参数；

在所述接收所述下位机发送的工艺开始指令后，所述方法还包括：

根据所述运动参数，向所述磁控管的控制器发送控制指令，以控制所述磁控管的启停和/或运动轨迹。

5.如权利要求4所述的控制方法，其特征在于，所述接收所述下位机发送的工艺开始指令，开始计时之前，还包括：

确定磁控管是否位于预定位置；若是，则发送所述工艺开始指令；若否，则对所述磁控管的位置进行校准。

6.如权利要求5所述的控制方法，其特征在于，所述确定磁控管是否位于预定位置，包括：

读取所述磁控管的驱动器的位置信息，并且根据所述位置信息判断所述磁控管是否位于所述预定位置。

7.如权利要求5所述的控制方法，其特征在于，

在达到所述第二预设时间，且判断所述工艺腔室内没有启辉时，返回所述确定磁控管是否位于预定位置的步骤。

8.一种磁控溅射控制系统，其特征在于，包括：

下位机，用于向电源控制器发送工艺配方，以及向所述电源控制器发送工艺开始指令，所述工艺配方包括磁控溅射工艺的电源功率参数；

所述电源控制器，用于接收所述工艺配方及所述工艺开始指令，并基于所述工艺开始指令，根据所述电源功率参数控制直流电源和/或射频电源输出设定功率。

9.如权利要求8所述的系统，其特征在于，还包括：磁控管的控制器；

所述工艺配方还包括：磁控管的运动参数；

所述电源控制器，还用于根据所述运动参数向所述磁控管的控制器发送控制指令；

所述磁控管的控制器，用于接收所述控制指令，并根据所述控制指令控制所述磁控管的启停和/或运动轨迹。

10.如权利要求9所述的系统，其特征在于，

所述下位机，还用于读取所述磁控管的驱动器的位置信息，并且根据所述位置信息判断所述磁控管是否位于预定位置。