JP2015533253A - 苛酷環境光学要素保護 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 64
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 92
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 76
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 19
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 10
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 6
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 claims description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 5
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 12
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- -1 i.e. Substances 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 1lambda4,2lambda4-dimolybdacyclopropa-1,2,3-triene Chemical compound [Mo]=C=[Mo] QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910039444 MoC Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003682 SiB6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021343 molybdenum disilicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002822 niobium compounds Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001432 tin ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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Abstract
Description
真空、
ZrN(保護層)、
Si/Mo(スタック)、
基板。
真空、
Y2O3(保護層)、
Si/Mo(スタック)、
基板。
真空、
Al2O3(保護層)、
Si/Mo(スタック)、
基板。
真空、
SiO2(コーティング)、
Si(副層)、
Al2O3(副層)、
Si/Mo(スタック)、
基板。
真空、
Mo(副層)、
SiN(副層)、
Si/Mo(スタック)、
基板。
真空、
SiO2(コーティング)、
Si(副層)、
Mo(副層)、
Si/Mo(スタック)、
基板。
MoSi2(保護層)、
Si/Mo(スタック)、
基板。
SiO2(コーティング)、
MoSi2(保護層)、
Si/Mo(スタック)、
基板。
Mo(層)、
Si3N4(保護層)、
Si(層)、
Si3N4(保護層)。
Mo(層)、
MoSi2(保護層)、
Si(層)、
MoSi2(保護層)。
24 ターゲット送出システム
28 照射領域
30 コレクター
52 シリコンウェーハ加工物
Claims (20)
- 極紫外放射線を反射するための光学要素であって、
少なくとも2つの誘電材料の交替層のスタックと、
前記スタックの最外層上に配置され、ZrNを含む保護層と、
を含むことを特徴とする光学要素。 - 極紫外放射線を反射するための光学要素であって、
少なくとも2つの誘電材料の交替層のスタックと、
前記スタックの最外層上に配置され、Y2O3を含む保護層と、
を含むことを特徴とする光学要素。 - 極紫外放射線を反射するための光学要素であって、
少なくとも2つの誘電材料の交替層のスタックと、
前記スタックの最外層上に配置され、Al2O3を含む保護層と、
を含むことを特徴とする光学要素。 - 前記保護層は、主としてAl2O3の第1の層とSiO2のコーティングを有する主としてSiの第2の層とを含むことを特徴とする請求項3に記載の装置。
- 極紫外放射線を反射するための光学要素であって、
少なくとも2つの誘電材料の交替層のスタックと、
前記スタックの最外層上に配置され、MoSi2を含む保護層と、
を含むことを特徴とする光学要素。 - 前記保護層は、主としてMoSi2の第1の層と主としてSiO2の第2の層とを含むことを特徴とする請求項5に記載の装置。
- 極紫外放射線を反射するための光学要素であって、
少なくとも2つの誘電材料の交替層のスタックと、
前記スタックの最外層上に配置され、主としてSiNの第1の層と主としてMoの第2の層とを含む保護層と、
を含むことを特徴とする光学要素。 - 極紫外放射線を反射するための光学要素であって、
少なくとも2つの誘電材料の交替層のスタックと、
前記スタックの最外層上に配置され、主としてMoの第1の層とSiO2の外側コーティングを有する主としてSiの第2の層とを含む保護層と、
を含むことを特徴とする光学要素。 - 極紫外放射線を反射するための光学要素であって、
基板と、
少なくとも2つの誘電材料の交替層の反復ユニットの前記基板上に位置付けられたスタックであって、該反復ユニットの少なくとも部分集合が、Si3N4を含む内部保護層を有する前記スタックと、
を含むことを特徴とする光学要素。 - 前記部分集合は、前記基板よりも前記スタックの外面に近い反復ユニットを含むことを特徴とする請求項9に記載の光学要素。
- 前記スタックの外面上に配置された外側保護層を更に含むことを特徴とする請求項9に記載の装置。
- 外側保護層が、ZrNを含むことを特徴とする請求項11に記載の装置。
- 外側保護層が、Y2O3を含むことを特徴とする請求項11に記載の装置。
- 極紫外放射線を反射するための光学要素であって、
基板と、
少なくとも2つの誘電材料の交替層の反復ユニットの前記基板上に位置付けられたスタックであって、該反復ユニットの少なくとも部分集合が、MoSi2を含む内部保護層を有する前記スタックと、
を含むことを特徴とする光学要素。 - 前記部分集合は、前記基板よりも前記スタックの外面に近い反復ユニットを含むことを特徴とする請求項14に記載の光学要素。
- 前記スタックの外面上に配置された外側保護層を更に含むことを特徴とする請求項14に記載の装置。
- 外側保護層が、ZrNを含むことを特徴とする請求項14に記載の装置。
- 外側保護層が、Y2O3を含むことを特徴とする請求項14に記載の装置。
- 装置であって、
材料のターゲットを液体状態で生成するようになった供給源と、
EUV光を照射領域に生成するために前記ターゲットを照射して前記材料の状態を前記液体状態からプラズマ状態に変えるようになったレーザと、
前記EUV光を前記照射領域から加工物に伝えるようになった光学システムと、
を含み、
前記光学システムは、
極紫外放射線を反射するための光学要素、
を含み、
前記光学要素は、
少なくとも2つの誘電材料の交替層と、
前記光学要素交替材料の最外層上に配置され、保護コーティングがZrNを含む保護層と、
を含む、
ことを特徴とする装置。 - 装置を使用して製造された製品であって、
材料のターゲットを液体状態で生成するようになった供給源と、
EUV光を照射領域に生成するために前記ターゲットを照射して前記材料の状態を前記液体状態からプラズマ状態に変えるようになったレーザと、
前記EUV光を前記照射領域から加工物に伝えるようになった光学システムと、
を含み、
前記光学システムは、
極紫外放射線を反射するための光学要素、
を含み、
前記光学要素は、
少なくとも2つの誘電材料の交替層と、
前記光学要素交替材料の最外層上に配置され、保護コーティングがZrNを含む保護層と、
を含む、
ことを特徴とする製品。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/645,253 US10185234B2 (en) | 2012-10-04 | 2012-10-04 | Harsh environment optical element protection |
US13/645,253 | 2012-10-04 | ||
PCT/US2013/061765 WO2014055308A1 (en) | 2012-10-04 | 2013-09-25 | Harsh environment optical element protection |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015533253A true JP2015533253A (ja) | 2015-11-19 |
JP6251751B2 JP6251751B2 (ja) | 2017-12-20 |
Family
ID=50432471
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015535696A Active JP6251751B2 (ja) | 2012-10-04 | 2013-09-25 | 苛酷環境光学要素保護 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10185234B2 (ja) |
JP (1) | JP6251751B2 (ja) |
KR (1) | KR102129384B1 (ja) |
CN (1) | CN104838729B (ja) |
TW (1) | TWI609605B (ja) |
WO (1) | WO2014055308A1 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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TW201429319A (zh) | 2014-07-16 |
KR20150064087A (ko) | 2015-06-10 |
TWI609605B (zh) | 2017-12-21 |
JP6251751B2 (ja) | 2017-12-20 |
US10185234B2 (en) | 2019-01-22 |
CN104838729A (zh) | 2015-08-12 |
CN104838729B (zh) | 2018-01-16 |
KR102129384B1 (ko) | 2020-07-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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