JP2015530967A - ビスマスでドープされた半絶縁iii族窒化物ウエハおよびその生産方法 - Google Patents
ビスマスでドープされた半絶縁iii族窒化物ウエハおよびその生産方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015530967A JP2015530967A JP2015528453A JP2015528453A JP2015530967A JP 2015530967 A JP2015530967 A JP 2015530967A JP 2015528453 A JP2015528453 A JP 2015528453A JP 2015528453 A JP2015528453 A JP 2015528453A JP 2015530967 A JP2015530967 A JP 2015530967A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- bismuth
- semi
- group iii
- insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 42
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 31
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 3
- 235000015097 nutrients Nutrition 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 31
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 30
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000007716 flux method Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001534 heteroepitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- MYWUZJCMWCOHBA-VIFPVBQESA-N methamphetamine Chemical compound CN[C@@H](C)CC1=CC=CC=C1 MYWUZJCMWCOHBA-VIFPVBQESA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
- C30B7/10—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions by application of pressure, e.g. hydrothermal processes
- C30B7/105—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions by application of pressure, e.g. hydrothermal processes using ammonia as solvent, i.e. ammonothermal processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B28/00—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B28/04—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure from liquids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
- C30B7/10—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions by application of pressure, e.g. hydrothermal processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02013—Grinding, lapping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
- H01L21/02389—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/207—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds further characterised by the doping material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/22—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIBVI compounds
Abstract
Description
本出願は、2012年8月24日に出願された、Tadao Hashimoto,Edward Letts,およびSierra Hoffの「BISMUTH−DOPED SEMI−INSULATING GROUP III NITRIDE WAFER AND ITS PRODUCTION METHOD」とう題名の米国出願第61/693,122号(attorney docket number SIXPOI−013USPRV1)に対して優先権の利益を主張する。上記出願は、以下に全てを提示するようにその全体として参照することによって本明細書において援用される。
本出願は、以下の米国特許出願:
2005年7月8日に出願された、Kenji Fujito,Tadao Hashimoto,およびShuji Nakamuraの「METHOD FOR GROWING GROUP III−NITRIDE CRYSTALS IN SUPERCRITICAL AMMONIA USING AN AUTOCLAVE」という題名のPCT特許出願第US2005/024239号(attorneys’ docket number 30794.0129−WO−01 (2005−339−1))、
米国特許法Section 119(e)下で、2006年4月7日に出願された、Tadao Hashimoto,Makoto Saito,およびShuji Nakamuraの「METHOD FOR GROWING LARGE SURFACE AREA GALLIUM NITRIDE CRYSTALS IN SUPERCRITICAL AMMONIA AND LARGE SURFACE AREA GALLIUM NITRIDE CRYSTALS」という題名の米国仮特許出願第60/790,310号(attorneys docket number 30794.179−US−P1 (2006−204))の利益を主張する、2007年4月6日に出願された、Tadao Hashimoto,Makoto Saito,およびShuji Nakamuraの「METHOD FOR GROWING LARGE SURFACE AREA GALLIUM NITRIDE CRYSTALS IN SUPERCRITICAL AMMONIA AND LARGE SURFACE AREA GALLIUM NITRIDE CRYSTALS」という題名の米国特許出願第11/784,339号(attorneys docket number 30794.179−US−U1 (2006−204))、
2007年9月19日に出願された、Tadao HashimotoおよびShuji Nakamuraの「GALLIUM NITRIDE BULK CRYSTALS AND THEIR GROWTH METHOD」という題名の米国特許出願第60/973,662号(attorneys docket number 30794.244−US−P1 (2007−809−1))、
2007年10月25日に出願された、Tadao Hashimotoの「METHOD FOR GROWING GROUP III−NITRIDE CRYSTALS IN A MIXTURE OF SUPERCRITICAL AMMONIA AND NITROGEN, AND GROUP III−NITRIDE CRYSTALS GROWN THEREBY」という題名の米国特許出願第11/977,661号(attorneys docket number 30794.253−US−U1 (2007−774−2))、
2008年2月25日に出願された、Tadao Hashimoto,Edward Letts,Masanori Ikariの「METHOD FOR PRODUCING GROUP III−NITRIDE WAFERS AND GROUP III−NITRIDE WAFERS」という題名の米国特許出願第61/067,117号(attorneys docket number 62158−30002.00)、
2008年6月4日に出願された、Edward Letts,Tadao Hashimoto,Masanori Ikariの「METHODS FOR PRODUCING IMPROVED CRYSTALLINITY GROUP III−NITRIDE CRYSTALS FROM INITIAL GROUP III−NITRIDE SEED BY AMMONOTHERMAL GROWTH」という題名の米国特許出願第61/058,900号(attorneys docket number 62158−30004.00)、
2008年6月4日に出願された、Tadao Hashimoto,Edward Letts,Masanori Ikariの「HIGH−PRESSURE VESSEL FOR GROWING GROUP III NITRIDE CRYSTALS AND METHOD OF GROWING GROUP III NITRIDE CRYSTALS USING HIGH−PRESSURE VESSEL AND GROUP III NITRIDE CRYSTAL」という題名の米国特許出願第61/058,910号(attorneys docket number 62158−30005.00)、
2008年6月12日に出願された、Tadao Hashimoto, Masanori Ikari, Edward Lettsの「METHOD FOR TESTING III−NITRIDE WAFERS AND III−NITRIDE WAFERS WITH TEST DATA」という題名の米国特許出願第61/131,917号(attorneys docket number 62158−30006.00)
に関連する。上記出願は、以下に全てを提示するようにそれらの全体として参照することによって援用される。
発明分野
本発明は、トランジスタ等の電子素子を含む、種々の素子のために使用される半導体ウエハに関する。より具体的には、本発明は、III族窒化物から成る化合物半導体ウエハに関する。
(注:本特許出願は、括弧内の数字、例えば、[x]を用いて示されるように、いくつかの刊行物および特許を参照する。これらの刊行物および特許の一覧は、「参考文献」という表題の項に見出すことができる。)
本発明は、ビスマス(Bi)でドープされたGaxAlyIn1−x−yN(0≦x≦1、0≦x+y≦1)の半絶縁ウエハを開示する。半絶縁ウエハは、抵抗率104オーム・cm以上を有する。III族窒化物の単結晶インゴットを得ることは非常に困難であるが、アモノサーマル法は、105cm−2未満の転位/粒界の密度を有するIII族窒化物の高配向多結晶インゴットを成長させることができる。
概要
本発明の半絶縁基板は、高電子移動度トランジスタ(HEMT)等のGaN系高周波数トランジスタの加工に好適な特性を提供する。III族窒化物の単結晶基板の欠如のため、GaN系高周波数トランジスタが、いわゆる、サファイア、シリコン、および炭化ケイ素等のヘテロエピタキシャル基板上に加工されている。ヘテロエピタキシャル基板は、III族窒化物と化学的および物理的に異なるため、素子は、ヘテロエピタキシャル基板と素子層との間の界面に生成される高密度の転位(108〜1010cm−2)を含有する。そのような転位は、素子の性能および信頼性を劣化させ、したがって、GaNおよびAlN等の単結晶III族窒化物から成る基板が、開発されている。現在、市販のGaN基板の大部分は、ハイドライド気相エピタキシ(HVPE)を使用して生産されるが、そのプロセスは、転位密度を105cm−2未満まで低減させることが困難である。HVPE−GaN基板の転位密度は、ヘテロエピタキシャル基板上のGaN膜より数桁小さいが、転位密度は、依然として、電子機器内の典型的シリコン素子より数桁大きい。より高い素子性能を達成するために、より低い転位密度が、要求される。105cm−2未満の転位密度を達成するために、超臨界アンモニアを利用する、アモノサーマル成長が、現在までに開発されている。現在、アモノサーマル法は、105cm−2未満の転位密度を伴うGaNウエハを生産することができる。しかしながら、アモノサーマル成長は、典型的には、高レベルの電子を伴う結晶を生産し、したがって、基板は、n型またはn+型である。トランジスタ用途のための低欠陥アモノサーマルウエハを使用するために、抵抗率を増加させることが必要である。
半絶縁基板の本発明は、アモノサーマル成長によって、低転位III族基板の利点を最大限にすることが予想される。半絶縁GaN系基板を得るために、遷移金属のドープが、提案されている[7]。しかしながら、開示される方法は、HVPEに焦点を当て、105cm−2未満の転位密度を有する高品質バルク結晶には適用可能ではない。低転位III族窒化物バルク結晶を達成するために、アモノサーマル法等のバルク成長法が、使用されなければならない。しかしながら、遷移金属のドープ効率は、アモノサーマル成長では、効率的ではない。したがって、アモノサーマル法と互換性があり、III族窒化物基板内で半絶縁特性を実現するであろう、新しいドーパントを探した。研究を通して、Biがアモノサーマル成長におけるドープに好適であることを見出した。
GaNのバルク結晶が、栄養成分としての多結晶GaN、溶媒としての超臨界アンモニア、鉱化剤としてのナトリウム(アンモニア内に対して4.5mol%)、およびドーパントとしての元素Bi(栄養成分に対して6%)を使用して、アモノサーマル法を用いて成長された。元素Biは、鉱化剤とともに設置された。成長温度は、500〜600℃であり、成長は、4日に及んだ。200ミクロンを超える厚さのGaNが、c−平面GaNシード結晶上に成長された[図2]。結晶のサイズは、約10mm2であった。結晶品質は、X線回折を用いて特性評価された。002回折の半値全幅(FWHM)は、231秒角であり、201回折のFWHMは、485秒角であった。011、110、013、020、112、004、022、121、006等の他の平面からの回折は、測定されないが、同様の数のFWHMが、予想される。Biドープを用いても、結晶品質は、著しく劣化されなかった。GaN結晶の抵抗率が、2プローブ法を用いて測定された。プローブの分離は、2.5mmであり、印加された電圧は、10Vであった。回路を通る電流は、電流計の検出限界(10マイクロA)を下回った。本実験から、抵抗率104オーム・cm以上であると推定した。図2に示されるように、結晶色は、暗茶色または黒色であった。明らかに、光学吸収係数は、可視波長範囲全体を通して、10cm−1より高い。転位密度は、本特定の結晶上で測定されなかったが、X線FWHMに基づいて、転位密度が約105cm−2以下であると推定する。
本発明は、105cm−2を下回る転位密度を有する半絶縁III窒化物ウエハを提供する。Biは、アモノサーマル成長によって半絶縁III族窒化物バルク結晶を成長させるための効率的ドーパントである。Biの高濃度ドープを用いても、結晶品質は、著しく劣化しなかった。BiでドープされたIII族窒化物バルク結晶をスライスすることによって加工されたウエハは、HEMT等の電子素子に好適であることが予想される。
好ましい実施形態は、GaN基板を説明するが、基板は、AlN、AlGaN、InN、InGaN、またはGaAlInN等の種々の組成物のIII族窒化物合金であることができる。
以下の参考文献は、参照することによって本明細書に組み込まれる。
[1]R. Dwilinski, R. Doradzinski, J. Garczynski, L. Sierzputowski, Y. Kanbara(米国特許第6,656,615号)
[2]R. Dwilinski, R. Doradzinski, J. Garczynski, L. Sierzputowski, Y. Kanbara(米国特許第7,132,730号)
[3]R. Dwilinski, R. Doradzinski, J. Garczynski, L. Sierzputowski, Y. Kanbara(米国特許第7,160,388号)
[4]K. Fujito, T. Hashimoto, S. Nakamura(国際特許出願第PCT/US2005/024239号、第WO07008198号)
[5]T. Hashimoto, M. Saito, S. Nakamura(国際特許出願第PCT/US2007/008743号、第WO07117689号。また、第US20070234946号、2007年4月6日出願の米国出願第11/784,339号も参照。)
[6]D’ Eyelyn(米国特許第7,078,731号)
[7]Vaudo, et al.,(米国特許第7,170,095号)
前述の参考文献はそれぞれ、特に、アモノサーマル法を作製、使用し、これらの窒化ガリウム基板を使用する方法の説明に関して、本明細書に完全に記載される場合と同様に、参照することによって全体として組み込まれる。
Claims (19)
- 半絶縁ウエハであって、前記半絶縁ウエハは、10mm2を上回る表面積および200ミクロンを上回る厚さを有するGaxAlyIn1−x−yN(0≦x≦1、0≦x+y≦1)を備え、前記GaxAlyIn1−x−yNは、ビスマスでドープされる、半絶縁ウエハ。
- 前記ウエハの抵抗率は、104オーム・cmを上回る、請求項1に記載の半絶縁ウエハ。
- 前記結晶は、超臨界アンモニア中で成長されたGaxAlyIn1−x−yN(0≦x≦1、0≦x+y≦1)のバルクインゴットをスライスすることによって加工される、請求項1または請求項2に記載の半絶縁ウエハ。
- 前記ウエハは、105cm−2未満の線欠陥および粒界の密度を伴う、GaxAlyIn1−x−yN(0≦x≦1、0≦x+y≦1)の高配向多結晶または単結晶を備える、請求項1−3のいずれかに記載の半絶縁ウエハ。
- 前記ウエハは、GaNである、請求項1−4のいずれかに記載の半絶縁ウエハ。
- ビスマスでドープされた前記GaxAlyIn1−x−yNは、約104オーム・cmを上回る抵抗率を有する、請求項1−5のいずれかに記載の半絶縁ウエハ。
- ビスマスでドープされた前記GaxAlyIn1−x−yNは、105cm−2未満の転位および/または粒界の密度を有する、請求項1−6のいずれかに記載の半絶縁ウエハ。
- ビスマスでドープされた前記GaxAlyIn1−x−yNは、III族窒化物基板上の層である、請求項1−7のいずれかに記載の半絶縁ウエハ。
- 前記ウエハは、前記ウエハ全体を通して、ビスマスでドープされたGaxAlyIn1−x−yNを備える、請求項1−7のいずれかに記載の半絶縁ウエハ。
- 請求項1−9のいずれかのウエハ上に形成される、電子、光学、または光電子素子。
- 10mm2を上回る表面積および200ミクロンを上回る厚さを有する、ビスマスでドープされたIII族窒化物バルク結晶を成長させる方法であって、前記方法は、
(a)III族含有栄養成分を高圧反応器内に設置することと、
(b)鉱化剤を前記高圧反応器内に設置することと、
(c)少なくとも1つのシード結晶を前記高圧反応器内に設置することと、
(d)ビスマス含有ドーパントを前記高圧反応器内に設置することと、
(e)アンモニアを前記高圧反応器内に設置することと、
(f)前記高圧反応器を密閉することと、
(g)十分な熱を前記アンモニアに提供し、アンモニアの超臨界状態を生成することと、
(h)III族窒化物を前記シード結晶上に結晶化させることと
を含む、方法。 - 前記ビスマス含有ドーパントは、金属ビスマスおよびビスマスでドープされたIII族窒化物から選択される、請求項11に記載の方法。
- 前記シード結晶上に結晶化されるIII族窒化物は、GaNである、請求項11または請求項12に記載の方法。
- 前記シード結晶は、GaNである、請求項11−13のいずれかに記載の方法。
- 前記鉱化剤は、アルカリ金属を含有する、請求項11−14のいずれかに記載の方法。
- 前記鉱化剤は、ナトリウムを含有する、請求項11−15のいずれかに記載の方法。
- 前記結晶化されたIII族窒化物が半絶縁であるように、十分な量の前記ビスマス含有ドーパントが存在する、請求項11−16のいずれかに記載の方法。
- ビスマスでドープされたIII族窒化物半絶縁ウエハを加工する方法であって、前記方法は、請求項11−17のいずれかに記載のようにビスマスでドープされたIII族窒化物バルク結晶を成長させることと、前記バルク結晶をスライスし、前記ウエハを形成することとを含む、方法。
- 素子が加工されることになる前記ウエハの表面を研磨することをさらに含む、請求項18に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261693122P | 2012-08-24 | 2012-08-24 | |
US61/693,122 | 2012-08-24 | ||
PCT/US2013/028416 WO2014031152A1 (en) | 2012-08-24 | 2013-02-28 | A bismuth-doped semi-insulating group iii nitride wafer and its production method |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018154605A Division JP2019011245A (ja) | 2012-08-24 | 2018-08-21 | ビスマスでドープされた半絶縁iii族窒化物ウエハおよびその生産方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015530967A true JP2015530967A (ja) | 2015-10-29 |
JP2015530967A5 JP2015530967A5 (ja) | 2017-12-14 |
JP6457389B2 JP6457389B2 (ja) | 2019-01-23 |
Family
ID=47989353
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015528453A Active JP6457389B2 (ja) | 2012-08-24 | 2013-02-28 | ビスマスでドープされた半絶縁iii族窒化物ウエハおよびその生産方法 |
JP2018154605A Withdrawn JP2019011245A (ja) | 2012-08-24 | 2018-08-21 | ビスマスでドープされた半絶縁iii族窒化物ウエハおよびその生産方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018154605A Withdrawn JP2019011245A (ja) | 2012-08-24 | 2018-08-21 | ビスマスでドープされた半絶縁iii族窒化物ウエハおよびその生産方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9255342B2 (ja) |
EP (1) | EP2888390A1 (ja) |
JP (2) | JP6457389B2 (ja) |
KR (1) | KR102062901B1 (ja) |
CN (1) | CN104781456B (ja) |
TW (1) | TWI602222B (ja) |
WO (1) | WO2014031152A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2888390A1 (en) | 2012-08-24 | 2015-07-01 | Sixpoint Materials Inc. | A bismuth-doped semi-insulating group iii nitride wafer and its production method |
WO2018118220A1 (en) | 2016-12-23 | 2018-06-28 | Sixpoint Materials, Inc. | Electronic device using group iii nitride semiconductor and its fabrication method |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4929770A (ja) * | 1972-07-17 | 1974-03-16 | ||
JPH08222764A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード |
JP2003124128A (ja) * | 2001-10-12 | 2003-04-25 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体の製造方法 |
US6562124B1 (en) * | 1999-06-02 | 2003-05-13 | Technologies And Devices International, Inc. | Method of manufacturing GaN ingots |
JP2004002152A (ja) * | 2002-02-22 | 2004-01-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | 窒化物単結晶の製造方法 |
JP2007119276A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Ricoh Co Ltd | 窒化ガリウム結晶、窒化ガリウム結晶の結晶成長装置および窒化ガリウム結晶の製造方法 |
JP2009519202A (ja) * | 2005-12-12 | 2009-05-14 | キーマ テクノロジーズ, インク. | Iii族窒化物製品及び同製品の作製方法 |
JP2009164611A (ja) * | 2006-09-20 | 2009-07-23 | Tohoku Techno Arch Co Ltd | 半導体デバイスの製造方法 |
JP2011513180A (ja) * | 2008-06-04 | 2011-04-28 | シックスポイント マテリアルズ, インコーポレイテッド | Iii族窒化物結晶を成長させるための高圧ベッセル、ならびに高圧ベッセルおよびiii族窒化物結晶を用いてiii族窒化物結晶を成長させる方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6139629A (en) | 1997-04-03 | 2000-10-31 | The Regents Of The University Of California | Group III-nitride thin films grown using MBE and bismuth |
US7560296B2 (en) * | 2000-07-07 | 2009-07-14 | Lumilog | Process for producing an epitalixal layer of galium nitride |
US6596079B1 (en) * | 2000-03-13 | 2003-07-22 | Advanced Technology Materials, Inc. | III-V nitride substrate boule and method of making and using the same |
US6656615B2 (en) | 2001-06-06 | 2003-12-02 | Nichia Corporation | Bulk monocrystalline gallium nitride |
UA82180C2 (uk) | 2001-10-26 | 2008-03-25 | АММОНО Сп. с о. о | Об'ємний монокристал нітриду галію (варіанти) і основа для епітаксії |
US7098487B2 (en) | 2002-12-27 | 2006-08-29 | General Electric Company | Gallium nitride crystal and method of making same |
US7170095B2 (en) | 2003-07-11 | 2007-01-30 | Cree Inc. | Semi-insulating GaN and method of making the same |
KR100848380B1 (ko) * | 2004-06-11 | 2008-07-25 | 암모노 에스피. 제트오. 오. | 갈륨 함유 질화물의 벌크 단결정 및 그의 어플리케이션 |
PL368483A1 (en) * | 2004-06-11 | 2005-12-12 | Ammono Sp.Z O.O. | Monocrystals of nitride containing gallium and its application |
WO2006010075A1 (en) | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Cornell Research Foundation, Inc. | Method of making group iii nitrides |
US7316746B2 (en) * | 2005-03-18 | 2008-01-08 | General Electric Company | Crystals for a semiconductor radiation detector and method for making the crystals |
EP1917382A4 (en) | 2005-07-08 | 2009-09-02 | Univ California | METHOD OF PULLING GROUP III NITRIDE CRYSTALS IN SUPERCRITICAL AMMONIA, USING AN AUTOCLAVE |
EP2004882A2 (en) | 2006-04-07 | 2008-12-24 | The Regents of the University of California | Growing large surface area gallium nitride crystals |
TW200804635A (en) * | 2006-05-08 | 2008-01-16 | Univ California | Method and meterials for growing III-nitride semiconductor compounds containing aluminum |
JP4462330B2 (ja) * | 2007-11-02 | 2010-05-12 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物電子デバイス |
JP5377521B2 (ja) * | 2008-06-12 | 2013-12-25 | シックスポイント マテリアルズ, インコーポレイテッド | Iii族窒化物ウェハーを試験する方法および試験データを伴うiii族窒化物ウェハー |
EP2267197A1 (en) * | 2009-06-25 | 2010-12-29 | AMMONO Sp.z o.o. | Method of obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride, bulk mono-crystalline gallium-containing nitride, substrates manufactured thereof and devices manufactured on such substrates |
US20110217505A1 (en) * | 2010-02-05 | 2011-09-08 | Teleolux Inc. | Low-Defect nitride boules and associated methods |
EP2888390A1 (en) | 2012-08-24 | 2015-07-01 | Sixpoint Materials Inc. | A bismuth-doped semi-insulating group iii nitride wafer and its production method |
-
2013
- 2013-02-28 EP EP13711762.8A patent/EP2888390A1/en not_active Withdrawn
- 2013-02-28 KR KR1020157007313A patent/KR102062901B1/ko active IP Right Grant
- 2013-02-28 CN CN201380048113.2A patent/CN104781456B/zh active Active
- 2013-02-28 US US13/781,543 patent/US9255342B2/en active Active
- 2013-02-28 WO PCT/US2013/028416 patent/WO2014031152A1/en active Application Filing
- 2013-02-28 JP JP2015528453A patent/JP6457389B2/ja active Active
- 2013-08-23 TW TW102130324A patent/TWI602222B/zh active
-
2015
- 2015-12-28 US US14/981,292 patent/US9435051B2/en active Active
-
2018
- 2018-08-21 JP JP2018154605A patent/JP2019011245A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4929770A (ja) * | 1972-07-17 | 1974-03-16 | ||
JPH08222764A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード |
US6562124B1 (en) * | 1999-06-02 | 2003-05-13 | Technologies And Devices International, Inc. | Method of manufacturing GaN ingots |
JP2003124128A (ja) * | 2001-10-12 | 2003-04-25 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体の製造方法 |
JP2004002152A (ja) * | 2002-02-22 | 2004-01-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | 窒化物単結晶の製造方法 |
JP2007119276A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Ricoh Co Ltd | 窒化ガリウム結晶、窒化ガリウム結晶の結晶成長装置および窒化ガリウム結晶の製造方法 |
JP2009519202A (ja) * | 2005-12-12 | 2009-05-14 | キーマ テクノロジーズ, インク. | Iii族窒化物製品及び同製品の作製方法 |
JP2009164611A (ja) * | 2006-09-20 | 2009-07-23 | Tohoku Techno Arch Co Ltd | 半導体デバイスの製造方法 |
JP2011513180A (ja) * | 2008-06-04 | 2011-04-28 | シックスポイント マテリアルズ, インコーポレイテッド | Iii族窒化物結晶を成長させるための高圧ベッセル、ならびに高圧ベッセルおよびiii族窒化物結晶を用いてiii族窒化物結晶を成長させる方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160130720A1 (en) | 2016-05-12 |
CN104781456A (zh) | 2015-07-15 |
US20140054589A1 (en) | 2014-02-27 |
KR102062901B1 (ko) | 2020-01-06 |
US9435051B2 (en) | 2016-09-06 |
EP2888390A1 (en) | 2015-07-01 |
JP2019011245A (ja) | 2019-01-24 |
WO2014031152A1 (en) | 2014-02-27 |
KR20150092083A (ko) | 2015-08-12 |
TWI602222B (zh) | 2017-10-11 |
CN104781456B (zh) | 2018-01-12 |
JP6457389B2 (ja) | 2019-01-23 |
US9255342B2 (en) | 2016-02-09 |
TW201413792A (zh) | 2014-04-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9670594B2 (en) | Group III nitride crystals, their fabrication method, and method of fabricating bulk group III nitride crystals in supercritical ammonia | |
US9543393B2 (en) | Group III nitride wafer and its production method | |
US9202872B2 (en) | Method of growing group III nitride crystals | |
KR101812736B1 (ko) | Iii 족 질화물 웨이퍼 및 제작 방법과 시험 방법 | |
US9518340B2 (en) | Method of growing group III nitride crystals | |
JP6526811B2 (ja) | Iii族窒化物結晶を加工する方法 | |
EP3094766B1 (en) | Group iii nitride bulk crystals and fabrication method | |
KR20150092082A (ko) | 질화갈륨과 금속 산화물의 복합체 기판 | |
US9834863B2 (en) | Group III nitride bulk crystals and fabrication method | |
US20110217505A1 (en) | Low-Defect nitride boules and associated methods | |
JP2019011245A (ja) | ビスマスでドープされた半絶縁iii族窒化物ウエハおよびその生産方法 | |
JP2015530967A5 (ja) | ||
Hanser et al. | Growth and fabrication of 2 inch free-standing GaN substrates via the boule growth method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160226 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170317 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170814 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20171013 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20171031 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20171215 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180821 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181220 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6457389 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |