JP2015527544A - 無肩トレランスリング - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (33)
- 頂部および底部を画成する側壁を有する概ね円筒状の本体を備えるトレランスリングであって、前記側壁は、
上側未定形帯部と、
前記上側未定形帯部に対向する下側未定形帯部と、
前記上側未定形帯部と前記下側未定形帯部との間の前記側壁から半径方向に突出する複数の無肩波形構造体であって、各無肩波形構造体は前記上側未定形帯部と前記下側未定形帯部とへのみ接続される、複数の無肩波形構造体と、
複数の未定形区分であって、各未定形区分は一対の隣接する無肩波形構造体同士の間に位置付けられる、複数の未定形区分と、
前記本体の軸方向全長に沿って延びる隙間であって、前記本体内に割れ目を確立する、隙間と、
を含む、
トレランスリング。 - 頂部および底部を画成する側壁を有する概ね円筒状の本体を備えるトレランスリングであって、前記側壁は、
上側未定形帯部と、
前記上側未定形帯部に対向する下側未定形帯部と、
前記上側未定形帯部と前記下側未定形帯部との間に延びる複数の未定形区分と、
隣接する未定形区分間の前記側壁から半径方向に突出する複数の波形構造体であって、各波形構造体は前記波形構造体の第1の辺に沿って延びる第1の切欠きにより確立される第1の側縁と、前記第1の辺と対向する前記波形構造体の第2の辺に沿って延びる第2の切欠きにより確立される第2の側縁とを含み、各縁は高さ、HEを有し、各未定形区分は高さ、HUSを有し、かつHEは≧60%HUSである、複数の波形構造体と、
前記本体の軸方向全長に沿って延びる隙間であって、前記本体内に割れ目を確立する、隙間と、
を含む、
トレランスリング。 - 外側構成部品であって、該外側構成部品内に内孔を含む、外側構成部品と、
前記内孔内に配設される内側構成部品と、
前記内側構成部品と前記外側構成部品との間に装着されるトレランスリングと、を備える組立体であって、前記トレランスリングは、
頂部および底部を画成する側壁を有する概ね円筒状の本体を備え、前記側壁は、
上側未定形帯部と、
前記上側未定形帯部に対向する下側未定形帯部と、
前記上側未定形帯部と前記下側未定形帯部との間の前記側壁から半径方向に突出する複数の無肩波形構造体であって、各無肩波形構造体は前記上側未定形帯部と前記下側未定形帯部とへのみ接続される、複数の無肩波形構造体と、
複数の未定形区分であって、各未定形区分は一対の隣接する無肩波形構造体同士の間に、かつ前記上側未定形帯部と前記下側未定形帯部との間に位置付けられる、複数の未定形区分と、
前記本体の軸方向全長に沿って延びる隙間であって、前記本体内に割れ目を確立する、隙間と、を含む、組立体。 - 内孔が形成された筐体と、
前記筐体の前記内孔内に設置されたラック軸受と、
前記ラック軸受と前記筐体の前記内孔との間に装着されるトレランスリングと、を備えるステアリング組立体であって、該トレランスリングは、
頂部および底部を画成する側壁を有する概ね円筒状の本体を備え、前記側壁は、
上側未定形帯部と
前記上側未定形帯部に対向する下側未定形帯部と、
前記上側未定形帯部と前記下側未定形帯部との間の前記側壁から半径方向に突出する複数の無肩波形構造体であって、各無肩波形構造体は前記上側未定形帯部と下前記側未定形帯部とへのみ接続される、複数の無肩波形構造体と、
複数の未定形区分であって、各未定形区分は一対の隣接する無肩波形構造体同士の間に、かつ前記上側未定形帯部と前記下側未定形帯部との間に位置付けられる、複数の未定形区分と、
前記本体の軸方向全長に沿って延びる隙間であって、前記本体内に割れ目を確立する、隙間と、を含む、ステアリング組立体。 - HEは、≧65%HUSであり、例えば、≧70%HUS、≧75%HUS、≧80%HUS、≧85%HUS、≧90%HUS、≧95%HUS、≧96%HUS、≧97%HUS、≧98%HUS、≧99%HUS、または≧100%である、請求項2に記載のトレランスリング。
- HEは、≦125%HUSであり、例えば、≦120%HUS、≦115%HUS、≦110%HUS、≦105%HUS、≦104%HUS、≦103%HUS、≦102%HUS、または≦101%HUSである、請求項5に記載のトレランスリング。
- 各波形構造体は、前記側壁から半径方向外方へ延びる、請求項1、2、3、または4のいずれかに記載のトレランスリング。
- 各波形構造体は、前記側壁から半径方向内方へ延びる、請求項1、2、3、または4のいずれかに記載のトレランスリング。
- 各波形構造体は、前記上側未定形帯部から前記下側未定形帯部へ延びるアーチ構造部を含む、請求項1、2、3、または4のいずれかに記載のトレランスリング。
- 各波形構造体は、波形本体と、前記波形本体の第1の側の第1の波形切欠きと、第1の波形切欠きと対向する前記波形本体の第2の側の第2の波形切欠きとを備える、請求項1、2、3、または4のいずれかに記載のトレランスリング。
- 各波形本体は、前記上側未定形帯部と前記下側未定形帯部との間に延びるアーチ構造部を含む、請求項10に記載のトレランスリング。
- 各切欠きは、前記上側未定形帯部から前記下側未定形帯部へ延びる、請求項11に記載のトレランスリング。
- 各切欠きは、少なくとも部分的に前記上側未定形帯部へおよび少なくとも部分的に前記下側未定形帯部へ延びる、請求項11に記載のトレランスリング。
- 前記上側未定形帯部および前記下側未定形帯部は、波形本体との第1の境界および前記側壁の最近端の間で測定される第1の高さ、HUB1と、切欠きとの第2の境界および前記側壁の最近端の間で測定される第2の高さ、HUB2とを含み、HUB2≦HUB1であり、例えば、≦99%HUB1、≦98%HUB1、≦97%HUB1、≦96%HUB1、または≦95%HUB1である、請求項13に記載のトレランスリング。
- HUB2≧75%HUB1、HUB2≧80%HUB1、HUB2≧85%HUB1、またはHUB2≧90%HUB1である、請求項14に記載のトレランスリング。
- 各波形本体は高さ、HWBFを有するフットプリントを含み、各切欠きは高さ、HCOを含み、HCOは、≧HWBFであり、例えば、≧101%HWBF、≧102%HWBF、≧103%HWBF、≧104%HWBF、または≧105%HWBFである、請求項10に記載のトレランスリング。
- HCOは、≦125%HWBFであり、例えば、≦120%HWBF、≦115%HWBF、または≦110%HWBFである、請求項16に記載のトレランスリング。
- 各波形本体は、フットプリント幅、WWBFを含み、前記第1の切欠きおよび前記第2の切欠きは、前記第1の切欠きの最外側垂直縁と前記第2の切欠きの最外側垂直縁との間で測定される切欠全幅、WOCOを含み、WOCOは、≧WWBFであり、例えば、≧101WWBF、≧102WWBF、≧103WWBF、≧104WWBF、または≧105WWBFである、請求項10に記載のトレランスリング。
- WOCOは、≦150%WWBFであり、例えば、≦145%WWBF、≦140%WWBF、≦135%WWBF、≦130%WWBF、または≦125%WWBFである、請求項18に記載のトレランスリング。
- 各波形本体は、各波形本体と前記上側未定形帯部または前記下側未定形帯部との境界で測定される基部幅、WWBB、と、各波形本体の頂部で測定される頂部幅、WWBPとを含み、WWBP≦WWBBであり、例えば、≦75%WWBB、≦70%WWBB、≦65%WWBB、≦60%WWBB、≦55%WWBB、または≦50%WWBBである、請求項10に記載のトレランスリング。
- WWBP≧25%WWBBであり、例えば、≧30%WWBB、≧35%WWBB、または≧40%WWBBである、請求項20に記載のトレランスリング。
- 前記波形本体は、面積、AFPを有するフットプリントを含み、前記第1の切欠きおよび前記第2の切欠きは切欠総面積、ATCOを含み、ATCO≦AFPであり、例えば、≦80%AFP、≦75%AFP、≦70%AFP、≦65%AFP、または≦60%AFPである、請求項10に記載のトレランスリング。
- ATCO≧25%AFP、≧30%AFP、≧35%AFP、≧40%AFP、≧45%AFP、または≧50%AFPである、請求項22に記載のトレランスリング。
- ATCOは、前記波形本体フットプリントと重複する面積、AOFP、と、1個以上の未定形区分、前記上側未定形帯部、前記下側未定形帯部、またはそれらの組み合わせと重複する面積、AOU、とを含み、AOU≦AOFPであり、例えば、≦45%AOFP、≦40%AOFP、≦35%AOFP、≦30%AOFP、または≦25%AOFPである、請求項22に記載のトレランスリング。
- AOU≧1%AOFPであり、例えば、≧2%AOFP、≧3%AOFP、≧4%AOFP、または≧5%AOFPである、請求項24に記載のトレランスリング。
- AOU≦ATCOであり、例えば、≦30%ATCO、≦25%ATCO、≦20%ATCO、または≦15%ATCOである、請求項24に記載のトレランスリング。
- AOU≧1%ATCOであり、例えば、≧2%ATCO、≧3%ATCO、≧4%ATCO、または≧5%ATCOである、請求項26に記載のトレランスリング。
- AOFP≧70%ATCOであり、例えば、≧75%ATCO、≧80%ATCO、または≧85%ATCOである、請求項24に記載のトレランスリング。
- AOFP≦ATCOであり、例えば、≦99%ATCO、≦98%ATCO、≦97%ATCO、≦96%ATCO、または≦95%ATCOである、請求項28に記載のトレランスリング。
- 各切欠きは、前記波形本体に隣接する内側弧状縁を含み、各弧状縁は弧長、LAEを含み、各波形本体は高さ、HWBFを有するフットプリントを含み、LAEは、≧HWBFであり、例えば、≧101%HWBF、≧102%HWBF、≧103%HWBF、≧104%HWBF、または≧105%HWBFである、請求項10に記載のトレランスリング。
- LAEは、≦200%HWBFであり、例えば、≦175%HWBF、≦150%HWBF、≦145%HWBF、≦140%HWBF、≦135%HWBF、≦130%HWBF、または≦125%HWBFである、請求項30に記載のトレランスリング。
- 各波形構造体は、剛度、SSWSを含み、SSWSは、肩部が形成された同一波形構造体の剛度、SWS以下であり、例えば、SSWS≦25%SWS、≦20%SWS、≦15%SWS、または≦10%SWSである、請求項1、2、3、または4のいずれかに記載のトレランスリング。
- SSWS≧1%SWS、≧2%SWS、≧3%SWS、≧4%SWS、または≧5%SWSである、請求項32に記載のトレランスリング。
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