JP2015526562A - モノマーの重合の制御及び阻害用キノンメチド及びアミンの組成物、並びにその製造及び使用する方法 - Google Patents

モノマーの重合の制御及び阻害用キノンメチド及びアミンの組成物、並びにその製造及び使用する方法 Download PDF

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Abstract

本発明は、当該組成物は、(a)1以上のキノンメチド誘導体からなる、スチレンを包含する芳香族ビニルモノマーの重合を制御し且つ阻害する添加剤組成物に関わる。且つ当該組成物は、(b)1以上の第3アミンをさらに含み、前記第3アミンは、(i)トリイソプロパノールアミン(TIPA)、(ii)N,N,N’,N’−テトラキス(2−ヒドロキシエチル)エチレンジアミン)(THEED)、及び(iii)これらの混合物からなるグループから選択されることを特徴とする。一実施形態において、本発明は、その製造方法、及びその使用、及びスチレンを包含するモノマーの重合を制御し且つ阻害する方法に関わる。

Description

本発明は、芳香族ビニルモノマー(「モノマー(monomerもしくはmonomers)」又は「モノマーストリーム(monomer streamもしくはmonomers stream)」とも呼ばれる)の、特にスチレンの重合を制御し且つ阻害するための、キノンメチド(QM)誘導体とアミンとを有する添加剤組成物に係る。
一実施形態において、本発明は、モノマーの、特にスチレンの重合を制御し且つ阻害するための、キノンメチド(QM)誘導体とアミンとを有する添加剤組成物の製造方法に係る。
別の実施形態において、本発明は、キノンメチド(QM)誘導体とアミンとを有する添加剤組成物を利用することにより、スチレンを包含する芳香族ビニルモノマーの重合を制御し且つ阻害する方法に係る。
さらに別の実施形態において、本発明は、モノマーの、特にスチレンの重合を制御し且つ阻害する、キノンメチド(QM)誘導体とアミンとを有する添加剤組成物の使用、もしくは使用する方法に係る。
モノマーの、特に処理中のスチレンの重合は懸案事項であるが、なぜならば望まないポリマーの形成を起こし、結果として最終生成物の収率の損失となり、プロセスを不経済なものにするからである。
従来技術においてスチレンの重合の問題を克服するための阻害剤及び遅延剤の使用、及びそれらの組み合わせが報告されていた。
阻害剤を単独で使用する問題は、阻害剤は継続的にもしくは一定間隔で添加しなければならないということである。なぜならばいったん阻害剤が消費されると、重合が再び開始するからである。
遅延剤を単独で使用する問題は、遅延剤はスチレンの重合を実質的な阻害のレベルまでもしくは商業的に許容可能な阻害のレベルまで減らすのにあまり有効でないことである。
先行技術は、重合阻害剤として、4−ベンジリデン、2,6−ジtert−ブチルシクロヘキサ−2,5−ジエノンを包含する、いくつかのキノンメチド(QM)誘導体の使用を開示する。しかしながら、本発明者が見出したのであるが(実施例、表1を参照)、キノンメチド(QM)を使用する主たる問題は、阻害について商業的に許容可能なレベルを達成するにはより大量のキノンメチドを使用しなければならないということ、及びそのような大量の使用はプロセスのコストの増加をもたらすだけでなく、キノンメチドの不安定な性質のため望まない生成物の形成をももたらすことである。
先行技術はまたスチレン重合阻害剤として、4−ベンジリデン、2,6−ジtert−ブチルシクロヘキサ−2,5−ジエノン及び4HT(4ヒドロキシtempo−2,2,6,6−テトラメチル−1−オキシドを包含するキノンメチド(QM)誘導体と、4HT(4ヒドロキシtempo−2,2,6,6−テトラメチル−1−オキシド)とを有するキノンメチド系組成物を提案している。しかしながら、本発明者が見出したところ、この周知のキノンメチドの組成物を使用する主たる問題は、大量に使用しても重合の問題は商業的に許容可能なレベルまで解消しないことである。
先行技術(US7,651,635)は阻害剤と遅延剤との組み合わせの使用を開示している。当該先行技術において阻害剤はアルキルヒドロキシルアミンからなる重合阻害剤であり、遅延剤は7−置換キノンメチド(置換QM)である。この組成物の主たる問題は、組成物が継続的に消費され且つ次第に使い果たされてしまう阻害剤を使用することである。よって阻害剤は継続的にもしくは断続的に添加されなければならない、もしくはシステム中に阻害剤の適切量が維持されることを少なくとも確実にしなければならない(US7,651,635の第4欄、7〜13行目)。
発明の必要性:
したがって、スチレンを包含するモノマーの重合を実質的に制御し且つ阻害するのに適しているだけでなく、きわめて低い投入量において要求される添加剤組成物の必要性が依然としてある。
特にきわめて低い投入量で、スチレンを包含するモノマーの重合を実質的に制御し且つ阻害するのに好適な添加剤組成物の製造方法を有することへの必要性もある。
これもまた低い投入量において要求される、キノンメチド(QM)誘導体とアミンとを有する添加剤組成物を利用することにより、スチレンを包含するモノマーの重合を制御し且つ阻害する方法を有することへの必要性もある。
特にきわめて低い投入量で、スチレンを包含するモノマーの重合を実質的に制御し且つ阻害するための添加剤組成物の使用もしくは使用する方法を有することへの必要性もさらにある。
したがって、本発明は、スチレンを包含するモノマーの重合を実質的に制御し且つ阻害するのに適しているだけでなく、きわめて低い投入量において要求される添加剤組成物を提供することにより、上述の目下の産業上の問題の解決策を提供することを目的とする。
本発明は、特にきわめて低い投入量で、スチレンを包含するモノマーの重合を実質的に制御し且つ阻害するのに適している添加剤組成物の製造方法を提供することにより上述の目下の産業上の問題の解決策を提供することをも目的とする。
本発明は、これもまた低い投入量において要求される、キノンメチド(QM)誘導体とアミンとを有する添加剤組成物を利用することにより、スチレンを包含するモノマーの重合を制御し且つ阻害する方法を提供することにより、上述の目下の産業上の問題の解決策を提供することをも目的とする。
本発明は、特にきわめて低い投入量で、スチレンを包含するモノマーの重合を実質的に制御し且つ阻害するための添加剤組成物の使用もしくは使用する方法を提供することにより、上述の目下の産業上の問題の解決策を提供することをも目的とする。
本発明の目的:
したがって本発明の主たる目的は、スチレンを包含するモノマーの重合の実質的な制御及び阻害に適しているだけでなく、スチレンを包含するモノマーの重合の阻害について同レベルもしくはより優れたレベルを達成するための先行技術の添加剤の投入量と比較して低い投入量をも要求される添加剤組成物を提供することである。
本発明の別の目的は、スチレンを包含するモノマーの重合の阻害について同レベルもしくはより優れたレベルを達成するための先行技術の添加剤の投入量と比較して特に低い投入量で、スチレンを包含するモノマーの重合の実質的な制御及び阻害に適している添加剤組成物の製造方法を提供することである。
さらに本発明の別の目的は、スチレンを包含するモノマーの重合の阻害について同レベルもしくはより優れたレベルを達成するための先行技術の添加剤の投入量と比較して低い投入量で利用されるべき、キノンメチド(QM)誘導体とアミンとを有する添加剤組成物を利用することにより、スチレンを包含するモノマーの重合を制御し且つ阻害する方法を提供することである。
さらに本発明の別の目的は、スチレンを包含するモノマーの重合の阻害について同レベルもしくはより優れたレベルを達成するための先行技術の添加剤の投入量と比較して特に低い投入量で、スチレンを包含するモノマーの重合を実質的に制御し且つ阻害するための添加剤組成物の使用もしくは使用する方法を提供することである。
本発明は、重合阻害の商業的に許容可能なレベルを提供できる、即ちスチレンを包含するモノマーの重合の阻害について同レベルもしくはより優れたレベルを達成するための先行技術の添加剤の投入量と比較して低い有効投入量においてさえもスチレンを包含するモノマーの重合を減らせる、添加剤組成物を提供することを目的とする。
本発明はまた、添加剤組成物内のキノンメチド(QM)誘導体の量が実質的に減らされている添加剤組成物を提供することをも目的とし、従って、本発明の組成物は、比較的経済的である。キノンメチド(QM)は高価であり、容易に入手可能ではない。
本発明の他の目的及び利点は、本発明の範囲を制限することを意図しない実施例と関連付けて読むならば、以下の説明からより明らかになるであろう。
本発明の説明及び好ましい実施形態:
先行技術の上述の問題を克服する及び本発明の上述の目的を達成するという意図により、本発明者は、本発明の
(a)1以上のキノンメチド(QM)誘導体と;
(b)1以上の好ましい重合非阻害性アミン(重合非阻害性アミン)と
を有する組成物を利用する場合、スチレンを包含するモノマーの重合が驚くべきこと且つ意外にも(本書で定義されるように)商業的に許容可能なレベルまで実質的に制御され且つ阻害されることを見出した。即ち、
(a)1以上のキノンメチド(QM)誘導体と;
(b)1以上の好ましい重合非阻害性アミンと
の組合せを有する組成物を使用する場合、もっぱらキノンメチド(QM)誘導体単独からなる、もしくはもっぱら好ましい重合非阻害性アミン単独からなる添加剤の性能は、実質的に改善される。このことは、本発明により提供された組成物の驚くべき、意外な且つ相乗的な効果を確認する。本発明者は、上で述べた驚くべき、意外な且つ相乗的な効果を有することが見出された重合非阻害性アミンは、第3アミンであることを見出した。また本発明者の所見によれば、第3アミンは、
(i)トリイソプロパノールアミン(TIPA)、
(ii)N,N,N’,N’−テトラキス(2−ヒドロキシエチル)エチレンジアミン)(THEED)、及び
(iii)これらの混合物
からなるグループから選択されてよい。
本発明者は、さらに驚くべき且つ意外なことに、キノンメチド(QM)と、重合非阻害性アミン、特に前記第3アミン(i),(ii)及び(iii)以外の第3アミンとを有する組成物が、スチレンを包含するモノマーの重合を制御し且つ阻害する効果を有するかもしれないことを、さらに見出した。当該組成物の性能は、もっぱら前記第3アミンからなる添加剤組成物の性能のそれよりも比較的改善されているかもしれないが、ただし当該組成物の性能は、もっぱらQM誘導体単独からなる添加剤組成物の性能のそれよりも比較的悪い。このことは、本発明により提供された組成物の驚くべき、意外な且つ相乗的な効果をも確認する。
従って一実施形態において本発明は、
(a)1以上のキノンメチド誘導体
からなる、スチレンを包含する芳香族ビニルモノマーの重合を制御し且つ阻害する添加剤組成物に係る。当該組成物は、
(b)第3アミンである、1以上の重合非阻害性アミン
をさらに含むことを特徴とする。
用語「重合非阻害剤アミン(polymerization non−inhibitor amine)」は、先行技術の開示及び教示に反して、アミンそれ自体はスチレンの重合を、上で述べたような(商業的に)許容可能なレベルまで阻害可能ではないことを意味する。本発明の「重合非阻害性アミン」及び比較アミンは、アミンなしで実行したブランク実施例のためのスチレンの19.66%重合と比較して、スチレンの約14.64%乃至17.80%重合という実質的に高重合をもたらすことが、わかった(表2を参照)。及び従って、本発明の「第3アミン」と比較アミンは、「重合非阻害剤アミン」と名付けられる。
本発明の好ましい実施形態の一つによると、本発明の脂肪族第3アミンは1以上のヒドロキシル基を含む。前記1以上のヒドロキシル基は、前記第3アミンのアルキル鎖内にある。
本発明によると、前記脂肪族第3アミンが3個のヒドロキシル基を含むとき、それは以下の構造式Iを有するトリイソプロパノールアミン(TIPA)であり、且つ前記脂肪族第3アミンが4個のヒドロキシル器を含むとき、それは以下の構造式IIを有するN,N,N’,N’−テトラキス(2−ヒドロキシエチル)エチレンジアミン(THEED)である。
[化1]
Figure 2015526562
式I
(トリイソプロパノールアミン[TIPA])
[化2]
Figure 2015526562
式II
(N,N,N’,N’−テトラキス(2−ヒドロキシエチル)エチレンジアミン)(THEED))
従って別の実施形態において、本発明は、
(a)1以上のキノンメチド誘導体
からなる、スチレンを包含する芳香族ビニルモノマーの重合を制御し且つ阻害する添加剤組成物であって、当該組成物は、
(b)1以上の第3アミン
をさらに含み、
前記第3アミンは、
(i)トリイソプロパノールアミン(TIPA)、
(ii)N,N,N’,N’−テトラキス(2−ヒドロキシエチル)エチレンジアミン(THEED)、及び
(iii)これらの混合物
からなるグループから選択されることを特徴とする、組成物に係る。
従ってさらなる実施形態において、本発明は、
(a)1以上のキノンメチド誘導体
からなる、スチレンの重合を制御し且つ阻害する添加剤組成物であって、当該組成物は、
(b)1以上の第3アミン
をさらに含み、
前記第3アミンは、トリイソプロパノールアミン(TIPA)であることを特徴とする、添加剤組成物に係る。
従ってさらに別の実施形態において、本発明は、
(a)1以上のキノンメチド誘導体
からなる、スチレンの重合を制御し且つ阻害する添加剤組成物であって、当該組成物は、
(b)1以上の第3アミン
をさらに含み、
前記第3アミンは、N,N,N’,N’−テトラキス(2−ヒドロキシエチル)エチレンジアミン(THEED)であることを特徴とする、添加剤組成物に係る。
従ってさらに別の実施形態において、本発明は、
(a)1以上のキノンメチド誘導体
からなる、スチレンの重合を制御し且つ阻害する添加剤組成物であって、当該組成物は、
(a)1以上のキノンメチド誘導体
からなる、及び当該組成物は、
(b)1以上の第3アミン
をさらに含み、
前記第3アミンは、
(i)トリイソプロパノールアミン(TIPA)、及び
(ii)N,N,N’,N’−テトラキス(2−ヒドロキシエチル)エチレンジアミン)(THEED)
の組合せであることを特徴とする、添加剤組成物に係る。
本発明の実施形態の一つによると、キノンメチド誘導体は、
i)キノンメチドのアルキル−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−オキソシクロヘキサン−2,5−ジエニリデン)シアノ誘導体;
ii)キノンメチドのアルキル−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−オキソシクロヘキサン−2,5−ジエニリデン)酸誘導体;
iii)キノンメチドのアルキル−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−オキソシクロヘキサン−2,5−ジエニリデン)エステル誘導体;及び
iv)これらの誘導体
を有するグループから選択される。
本発明の好ましい実施形態の一つによると、キノンメチド誘導体は、キノンメチドのアルキル−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−オキソシクロヘキサン−2,5−ジエニリデン)−エステル誘導体である。
本発明の好ましい実施形態の一つによると、アルキル基は、メチル基,エチル基及びプロピル基を有するグループから選択される。
本発明の好ましい実施形態の一つによると、キノンメチド誘導体は、7−アリールキノンメチド誘導体を包含しない。
本発明の実施形態の一つによると、キノンメチド誘導体及び第3アミンは、本発明組成物内に重量%比で存在し、前記重量%比は、
i.約99.99:0.01乃至約40:60,
ii.約99.9:0.1乃至約50:50,
iii.約99:1乃至約60:40,
iv.約95:5乃至約70:30,及び
v.約90:10乃至約85:15
であるキノンメチド誘導体:第3アミンの重量%比を有するグループから選択される。
本発明の好ましい実施形態の一つによると、スチレンを包含するモノマーの重合は、約100ppmのキノンメチドのエステル誘導体を単独で使用する場合の約5.90%から、約100ppmのキノンメチドのエステル誘導体と約1ppmのTIPAとからなる本発明の組成物を使用する場合の(即ち、QMエステル誘導体及び第3アミンを重量%比99.01:0.99で使用する場合の)約4.3%まで驚くべきことに且つ意外にも低下する。これは、約100ppmのキノンメチドのエステル誘導体と約100ppmのTIPAとを使用した場合の(即ち、QMエステル誘導体と第3アミンとを重量%比1:1で使用する場合の)1.46%に低下する。
本発明の好ましい実施形態の一つによると、スチレンを包含するモノマーの重合は、約150ppmのキノンメチドのエステル誘導体を単独で使用する場合の約1.99%から、約150ppmのキノンメチドのエステル誘導体と約0.75ppmのTIPAからなる本発明の組成物を使用する場合の(即ち、QMエステル誘導体と第3アミンとを重量%比99.05:0.50で使用する場合の)約0.89%まで、驚くべきことに且つ意外にも実質的に低下する。これは、約150ppmのキノンメチドのエステル誘導体と約150ppmのTIPAとを使用する場合の(即ち、QMエステル誘導体と第3アミンとを重量%比1:1で使用する場合の)0.08%までさらに低下する。
本発明の好ましい実施形態のさらに別の一つによると、スチレンを包含するモノマーの重合は、約200ppmのキノンメチドのエステル誘導体を単独で使用する場合の約0.90%から、約200ppmのキノンメチドのエステル誘導体と約0.10ppmのTIPAとからなる本発明の組成物を使用する場合の(即ち、QMエステル誘導体と第3アミンとを重量%比f99.95:0.05で使用する場合の)約0.78%まで驚くべきことに且つ意外にも低下する。これは、約200ppmのキノンメチドのエステル誘導体と約0.5ppmのfTIPAとを使用する場合の(即ち、QMエステル誘導体と第3アミンとを重量%比99.75:0.25で使用する場合の)0.55%までさらに低下する。これは、約200ppmのキノンメチドのエステル誘導体と約30ppmのTIPAとを使用する場合の(即ち、QMエステル誘導体と第3アミンとを重量%比86.96:13.04で使用する場合の)0.07%までさらに実質的に低下する。これは、約200ppmのキノンメチドのエステル誘導体と約40ppmのTIPAとを使用する場合の(即ち、QMエステル誘導体と第3アミンとを重量%比83.33:16.67で使用する場合の)0%までさらに実質的に低下する。
本発明の好ましい実施形態のさらに別の一つによると、スチレンを包含するモノマーの重合は、約300ppmのキノンメチドのエステル誘導体を単独で使用する場合の約0.23%から、約300ppmのキノンメチドのエステル誘導体と約0.10ppmのTIPAとからなる本発明の組成物を使用する場合の(即ち、QMエステル誘導体と第3アミンとを重量%比99.97:0.03で使用する場合の)約0.15%まで驚くべきことに且つ意外にも低下する。これは、約300ppmのキノンメチドのエステル誘導体と約0.5ppmのTIPAとを使用する場合の(即ち、QMエステル誘導体と第3アミンとを重量%比99.83:0.17で使用する場合の)0.07%まで実質的にさらに低下する。これは、約300ppmのキノンメチドのエステル誘導体と約1ppmのTIPAとを使用する場合の(即ち、QMエステル誘導体と第3アミンとを重量%比99.67:0.33で使用する場合の)0%までさらに実質的に低下する。
TIPAをTHEEDで置き換える場合、又はTIPAをTHEEDと組み合わせる場合に、同様な効果が見出された。
上記実施形態において、スチレンを包含するモノマーの重合は実質的に引き下げられたこと、好ましい実施形態において前記重合は、約2.0%未満まで引き下げられたこと、他の好ましい実施形態において約1.5%未満まで引き下げられたこと、及びさらに好ましい実施形態において約1.0%未満まで引き下げられたこと、及びさらに好ましい実施形態において約0%もしくは0%まで引き下げられたことに留意し得る。
本発明組成物の結果と、もっぱらアミン単独からなる組成物の結果とを比較する場合、本発明組成物のほうがはるかに優れている。即ち、本発明組成物は、もっぱらアミン単独からなる組成物よりもはるかにより実質的に改善されている。
従って上記の所見は、本発明により提供された組成物の驚くべき、意外な且つ相乗的な効果を確認する。
本発明者は、重合非阻害性アミンが以下の第3アミンの1以上から選択されるならば、驚くべきことに且つ意外にも QM誘導体の効率は改善しないこと、反対に、スチレンの重合が増加することを見出した。即ち、本発明者は、本発明の第3アミンが、
i)N,N,N’,N’−テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミン Quadrol(登録商標);
ii)テトラエチレンペンタミン(TEPA);
iii)トリエタノールアミン(TEA);及び
iv)トリス(N−ブチルアミン)(TBA).
からなるグループから選択される1以上のアミンで置換されるとき、スチレンの重合は、驚くべきことに且つ意外にも増加するということを見出した。
例えばスチレンの重合は、約100ppmのキノンメチドのエステル誘導体を単独で使用する場合の約5.90%から、約100ppmのキノンメチドのエステル誘導体と約1ppmの重合非阻害性アミン、特にQuadrol(登録商標)とからなる組成物を使用する場合の約6.10%まで、及び約100ppmのキノンメチドのエステル誘導体と約1ppmの重合非阻害性アミン、特にトリブチルアミン(TBA)とからなる組成物を使用する場合の約8.38%まで、及び約100ppmのキノンメチドのエステル誘導体と約1ppmの重合非阻害性アミン、特にトリエタノールアミン(TEA)とからなる組成物を使用する場合の約8.63%まで、驚くべきことに且つ意外にも増加する。
同様に例えばスチレンの重合は、約200ppmのキノンメチドのエステル誘導体を単独で使用する場合の約0.90%から、約200ppmのキノンメチドのエステル誘導体と約5ppmのQuadrol(登録商標)とからなる組成物を使用する場合の約1.10%まで、驚くべきことに且つ意外にも増加し、及び約200ppmのキノンメチドのエステル誘導体と約5ppmのTBAとからなる組成物を使用する場合の約1.25%まで増加し、及び約200ppmのキノンメチドのエステル誘導体と約5ppmのTEAとからなる組成物を使用する場合の約1.32%まで増加する。
本発明者は、本発明の第3アミンが、1−オキシル−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン−4−オール (もしくは4ヒドロキシTempoもしくは4−HT)を包含する1以上のニトロキシド化合物で置換されるとき、スチレンの重合は、驚くべきことに且つ意外にも増加することをさらに見出した。
例えばスチレンの重合は、約100ppmのキノンメチドのエステル誘導体を単独で使用する場合の約5.90%から、約100ppmのキノンメチドのエステル誘導体と約5ppmの4HTとからなる組成物を使用する場合の約6.11%まで驚くべきことに且つ意外にも増加し、及び約150ppmのキノンメチドのエステル誘導体を単独で使用する場合の約1.99%から、約150ppmのキノンメチドのエステル誘導体と約5ppmの4HTとからなる組成物を使用する場合の約2.70%まで増加し、及び約200ppmのキノンメチドのエステル誘導体を単独で使用する場合の約0.90%から、約200ppmのキノンメチドのエステル誘導体と約5ppmの4HTとからなる組成物を使用する場合の約1.21%まで増加する。
本発明者は、キノンメチド誘導体とTEPAとからなる組成物を使用する場合でさえ、スチレンの重合は、驚くべきことに且つ意外にも増加することをさらに見出した。
従って本発明の実施形態の一つによると、Quadrol(登録商標),TEPA,TBA,TEA,及び4HTは、本発明の範囲から除外される。
従って本発明の実施形態の一つによると、本発明の添加剤組成物は、1以上の以下のアミン:
i)N,N,N’,N’−テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミン Quadrol(登録商標);
ii)テトラエチレンペンタミン(TEPA);
iii)トリエタノールアミン(TEA);及び
iv)トリス(N−ブチルアミン)(TBA);及び
を有しない。
その上さらに本発明の実施形態の一つによると、本発明の添加剤組成物は、1−オキシル−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン−4−オール(もしくは4ヒドロキシTempoもしくは4−HT)を包含する、ニトロオキシド(即ちニトロキシル)化合物を有しない。
但し観察され得るように、本発明の第3アミンとの重合効率の比較は、本発明により提供された組成物の驚くべき、意外な且つ相乗的な効果を確認する。
本発明によると、QM誘導体はいずれの従来周知の方法により製造され得ることが留意され得る。例えばQM誘導体、特にQMエステル誘導体は、米国特許No.5,583,247に開示された方法により製造され得る。
本発明の一実施形態において、本発明の添加剤組成物は、
a.約0.01乃至約2000ppm,
b.約1乃至約1200ppm,
c.約5乃至約1000ppm,
d.約50乃至約500ppm,及び
e.約100乃至約300ppm
の量を有するグループから選択される量で使用され得、且つ芳香族ビニルモノマーストリームに、モノマーの重量に基づき添加される。
一実施形態において本発明は、スチレンを包含するモノマーの重合を制御し且つ阻害する本発明の上記の添加剤組成物の製造方法であって、1以上のキノンメチド誘導体と1以上の第3アミンとからなる混合物が、本発明の1以上のキノンメチド誘導体と1以上の第3アミンとを混合するステップにより製造される方法に係る。
従って 実施形態の1つにおいて本発明は、スチレンを包含する芳香族ビニルモノマーの重合を制御し且つ阻害する本発明の添加剤組成物の製造方法に係り、当該方法は、本発明の1以上のキノンメチド誘導体と1以上の第3アミンとを混合するステップを有する。
本発明の好ましい実施形態の一つによると、キノンメチド誘導体及び第3アミンは、キノンメチド誘導体:第3アミンの重量%比
i.約99.99:0.01乃至約40:60,
ii.約99.9:0.1乃至約50:50,
iii.約99:1乃至約60:40,
iv.約95:5乃至約70:30,及び
v.約90:10乃至約85:15
を有するグループから選択される重量%比で混合される。
本発明の好ましい実施形態の一つによると、 キノンメチド誘導体及び第3アミンは、直接、もしくは誘導体とアミンとを溶解可能である溶媒中に溶解後に混合され得る。
別の実施形態において本発明は、スチレンを包含するモノマーの重合を制御し且つ阻害する、本発明の上記の添加剤組成物の使用、もしくは使用する方法に係り、添加剤組成物は、本発明の1以上のキノンメチド誘導体と1以上の第3アミンとからなる。
本発明によると、その成分を混合するステップの後に、即ちブレンド済みの組成物として、本発明の添加剤組成物を使用してよく、又は組成物の各成分を別々にスチレンの処理ユニットに添加してよい。
従って実施形態の1つにおいて本発明は、スチレンを包含する芳香族ビニルモノマーの重合を制御し且つ阻害する本発明の添加剤組成物の使用、もしくは使用する方法に係る。当該方法は、本発明の添加剤組成物を、スチレン重合用処理もしくは製造ユニットに添加するステップを有し、添加剤組成物は、本発明の1以上のキノンメチド誘導体と1以上の第3アミンとの混合物からなる。
従って一実施形態において、本発明は、スチレンを包含する芳香族ビニルモノマーの重合を制御し且つ阻害する、本発明の上記添加剤組成物の使用、もしくは使用する方法にも係り、当該方法は、添加剤組成物の成分を、スチレン重合用処理もしくは製造ユニットに別々に添加するステップを有し、添加剤組成物は、本発明の成分a)1以上のキノンメチド誘導体と、成分b)1以上の前記第3アミンとからなる。
処理もしくは製造ユニット内のスチレンの連続フローの要件を満足するため、連続的に添加されてよい。処理もしくは製造ユニットに直接、又は芳香族溶媒もしくは希釈剤を包含してよい適当な溶媒もしくは希釈剤内に溶解した後に添加されてよい。プロセスの始まりにおいて、又は製造プロセスが開始したときのいずれかに添加されてよい。
本発明の好ましい実施形態の一つによると、キノンメチド誘導体及び第3アミンは、キノンメチド誘導体:第3アミンの重量%比
i.約99.99:0.01乃至約40:60,
ii.約99.9:0.1乃至約50:50,
iii.約99:1乃至約60:40,
iv.約95:5乃至約70:30,及び
v.約90:10乃至約85:15
を有するグループから選択される重量%比で、スチレン重合用処理もしくは製造ユニットに添加される。
本発明の実施形態の一つによると、本発明組成物は、
a.約0.01乃至約2000ppm,
b.約1乃至約1200ppm,
c.約5乃至約1000ppm,
d.約50乃至約500ppm,及び
e.約100乃至約300ppm
を有するグループから選択される量の1つにおいて、スチレン重合用処理もしくは製造ユニット内の芳香族ビニルモノマーストリームに、モノマーの重量に基づき添加されてよい。
本発明の好ましい実施形態の一つによると、キノンメチド誘導体及び第3アミンは、別々に添加されるか、もしくは相互に混合した後に添加されるかのいずれかである。
本発明の好ましい実施形態の一つによると、キノンメチド誘導体及び第3アミンは、当該誘導体及びアミンを溶解可能な溶媒と混合した後に添加されてもよい。
実施形態の1つにおいて本発明は、モノマーもしくはモノマーストリームに、又は複数のモノマーもしくはモノマーストリームに本発明の添加剤組成物を添加することにより、スチレンを包含する芳香族ビニルモノマーの重合を制御し且つ阻害する方法にも係る。当該組成物は、本書に定義された量で添加されてよい。
従って実施形態の1つにおいて本発明は、スチレンを包含する芳香族ビニルモノマーの重合を制御し且つ阻害する方法に係る。当該方法は、本発明の添加剤組成物を、スチレン重合用処理もしくは製造ユニットに添加するステップを有し、添加剤組成物は、本発明の1以上のキノンメチド誘導体と1以上の第3アミンとからなる。
本発明の好ましい実施形態の一つによると、キノンメチド誘導体及び第3アミンは、キノンメチド誘導体:第3アミンの重量%比
i.約99.99:0.01乃至約40:60,
ii.約99.9:0.1乃至約50:50,
iii.約99:1乃至約60:40,
iv.約95:5乃至約70:30,及び
v.約90:10乃至約85:15
を有するグループから選択される重量%比で添加される。
本発明の好ましい実施形態の一つによると、キノンメチド誘導体及び第3アミンは、別々に添加されるか、もしくは相互に混合した後に添加されるかのいずれかである。
本発明の好ましい実施形態の一つによると、キノンメチド誘導体及び第3アミンは、当該誘導体及びアミンを溶解可能な溶媒と混合した後に添加されてもよい。
本発明の好ましい実施形態の一つによると, 1以上のキノンメチド誘導体と1以上の第3アミンとからなる組成物は、スチレン重合用処理もしくは製造ユニット内の芳香族ビニルモノマーストリームに
a.約0.01乃至約2000ppm,
b.約1乃至約1200ppm,
c.約5乃至約1000ppm,
d.約50乃至約500ppm,及び
e.約100乃至約300ppm
を有するグループから選択される量でモノマーの重量に基づき添加される。
本発明の好ましい実施形態の一つによると,本発明のもしくは本発明の方法により製造された添加剤組成物は、約60℃乃至約180℃、及び約90℃乃至約140℃の温度を有するグループから選択される温度範囲において使用もしくは利用されてよい。
本発明の好ましい実施形態の一つによると、本書に記載の本発明の方法において、モノマーは処理段階にある。
本発明の好ましい実施形態の一つによると、本書に記載の本発明の方法において,モノマーは約60℃乃至約180℃の温度にある。
本発明の好ましい実施形態の一つによると、本書に記載の本発明の方法において、モノマーは製造段階にある。
表現「約99:1乃至約50:50の%比で使用する」等は、比率99:1及び50:50等を包含することを意図することを留意され得る。
特に別途規定されていない限り「%比で」とは、「重量%比で」(in percent ratioもしくはin percent ratio by weight)を意味することにも留意され得る。
ここで本発明を、本発明の範囲を限定することを意図しない以下の実施例の助けを借りて説明する。
実験:
蒸留したスチレン10g及び必要量のアミンを、温度計、窒素の入り口及び出口を備える反応装置(実験室内実験用には管でよい、スチレン重合の処理もしくは製造ユニットと同等)に取り入れる。約10乃至15ml/minの十分連続的なNフローを適当な撹拌を確実にするために維持する。反応装置の内容物を連続窒素フロー下2時間約120℃に加熱する。2時間後、反応装置を砕いた氷に浸すことにより10℃より下に冷却する。反応装置の内容物を次いでメタノールを収容するビーカーへ注ぐ。得られた沈殿物を濾過、メタノールを除去するため乾燥、及び秤量する。大凡1.5乃至2g冷却(chilled)重合のため、メタノール約80gをスチレン溶液中に形成されるポリマーを沈殿させるのに使用した。沈殿の重さを以下の表では形成された%ポリマーとして報告する。スチレンは使用前に安定剤を除去するように蒸留且つ精製した。
実施例―ブランク及び先行技術添加剤―キノンメチド:
ブランク・リーディング(reading)を得るため、添加剤なしで上記の実験を実施する。
比較目的で、100ppm及び150ppmの有効投入量について、先行技術添加剤、キノンメチド(4−ベンジリデン−2,6−ジ−tert−ブチルシクロヘキサ−2,5−ジエノン)(QM)により上記の実験を実施する。
Figure 2015526562
上の表1から見て取れるように、投入量約150ppmの前記先行技術添加剤キノンメチドにより、スチレンの重合は実質的に約7.24%の高さであり、そして投入量約100ppmの場合、スチレンの重合は実質的にさらに約9.6%の高さである。従って、キノンメチドは低投入量においては適当でないことが観察される。
本発明組成物のアミンそれ自体及び比較アミンによる実施例:
これらのアミンそれ自体はスチレンの重合を阻害可能であるかどうかを知るために、アミンそれ自体による上の実験を200ppmで実施する。データは表2にある。
Figure 2015526562
上記表2からわかるように、約200ppmの投入量における本発明組成物(TIPA及びTHEED)のアミン及び比較アミンを包含する全てのアミンそれ自体は、約14.64%乃至17.80%の程度までのスチレンの重合をもたらす。これはブランク実験のデータと比較して、アミンそれ自体はスチレンの重合を阻害可能ではないことを証明しており、及び従ってアミンは「重合非阻害剤アミン」と名付けられた。
ブランク及び先行技術添加剤、キノンメチドエステル誘導体による実施例:
ブランク・リーディングを得るため、添加剤なしで上記の実験を実施する。
比較目的で、100ppm及び150ppmの有効投入量について、先行技術添加剤、キノンメチドエステル誘導体により上記の実験を実施する。
Figure 2015526562
*値5.89を5.90に、1.59を1.99に訂正するため、上の表中の誤記を訂正したことに留意。
本発明組成物と先行技術即ち比較組成物とを対比させる実施例:
本発明の組成物の阻害能力を知るために、キノンメチドのエステル誘導体と第3アミン(TIPA及びTHEED)からなる本発明の組成物で、上の実験を実施した。データは、先行技術即ち比較添加剤と比較した。
Figure 2015526562
*値0.33を0.89に訂正するため、上の表中の誤記を訂正したことが留意され得る。
Figure 2015526562
Figure 2015526562
Figure 2015526562
Figure 2015526562
Figure 2015526562
Figure 2015526562
Figure 2015526562
Figure 2015526562
Figure 2015526562
Figure 2015526562
Figure 2015526562
Figure 2015526562
Figure 2015526562
Figure 2015526562
上の実験による所見は、本発明により提供された組成物の驚くべき、予期せぬ且つ相乗的な効果を確認している。
上の所見はまた、本発明の組成物が、先行技術及び比較添加剤及び組成物に比べて技術的利点及び驚くべき効果を有することを確認する。
用語「約」は、本書に定義された範囲の領域を拡大することを意図しないが、発明の分野において許容される実験誤差を包含することを意図する。
先行技術(US7,651,635)は阻害剤と遅延剤との組み合わせの使用を開示している。当該先行技術において阻害剤はアルキルヒドロキシルアミンからなる重合阻害剤であり、遅延剤は7−置換キノンメチド(置換QM)である。この組成物の主たる問題は、組成物が継続的に消費され且つ次第に使い果たされてしまう阻害剤を使用することである。よって阻害剤は継続的にもしくは断続的に添加されなければならない、もしくはシステム中に阻害剤の適切量が維持されることを少なくとも確実にしなければならない(US7,651,635の第4欄、7〜13行目)。
同時係属中国際特許出願(PCT)No.PCT/IN2012/000553は、キノンメチド(QM)と、アミンもしくはアミンの酸化物処理された誘導体とを有する添加剤組成物を開示する。
別の同時係属中国際特許出願(PCT)No.PCT/IN2012/000839は、
(A)キノンメチドもしくはその誘導体の1以上と、
(B)ニトロキシド(即ちニトロキシル)化合物の1以上と
を有する添加剤組成物であって、前記組成物が、
(C)脂肪族第3アミンもしくはそれらの混合物の1以上
をさらに有することを特徴とすることを開示する。

Claims (33)

  1. (a)1以上のキノンメチド誘導体
    からなる、スチレンを包含する芳香族ビニルモノマーの重合を制御し且つ阻害する添加剤組成物であって、当該組成物は、
    (b)1以上の第3アミン
    をさらに含み、
    前記第3アミンは、
    (i)トリイソプロパノールアミン(TIPA)、
    (ii)N,N,N’,N’−テトラキス(2−ヒドロキシエチル)エチレンジアミン)(THEED)、及び
    (iii)これらの混合物
    からなるグループから選択されることを特徴とする、組成物。
  2. 組成物は、
    (a)1以上のキノンメチド誘導体
    からなる、及び
    当該組成物は、
    (b)1以上の第3アミン
    をさらに含み、
    前記第3アミンは、トリイソプロパノールアミン(TIPA)であることを特徴とする、請求項1に記載の添加剤組成物。
  3. 組成物は、
    (a)1以上のキノンメチド誘導体
    からなる、及び
    当該組成物は、
    (b)1以上の第3アミン
    をさらに含み、
    前記第3アミンは、N,N,N’,N’−テトラキス(2−ヒドロキシエチル)エチレンジアミン)(THEED)であることを特徴とする、請求項1に記載の添加剤組成物。
  4. 組成物は、
    (a)1以上のキノンメチド誘導体
    からなる、及び当該組成物は、
    (b)1以上の第3アミン
    をさらに含み、
    前記第3アミンは、
    (i)トリイソプロパノールアミン(TIPA)、及び
    (ii)N,N,N’,N’−テトラキス(2−ヒドロキシエチル)エチレンジアミン)(THEED)
    の組合せであることを特徴とする、請求項1に記載の添加剤組成物。
  5. キノンメチド誘導体は、
    i)キノンメチドのアルキル−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−オキソシクロヘキサン−2,5−ジエニリデン)シアノ誘導体;
    ii)キノンメチドのアルキル−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−オキソシクロヘキサン−2,5−ジエニリデン)酸誘導体;
    iii)キノンメチドのアルキル−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−オキソシクロヘキサン−2,5−ジエニリデン)エステル誘導体;及び
    iv)これらの誘導体
    を有するグループから選択される、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の添加剤組成物。
  6. キノンメチド誘導体は、キノンメチドのアルキル−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−オキソシクロヘキサン−2,5−ジエニリデン)−エステル誘導体である、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の添加剤組成物。
  7. アルキル基は、メチル基,エチル基及びプロピル基を有するグループから選択される、請求項5又は請求項6に記載の添加剤組成物。
  8. キノンメチド誘導体は、7−アリールキノンメチド誘導体を包含しない、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の添加剤組成物。
  9. 組成物は、1以上の以下のアミン:
    i)N,N,N’,N’−テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミン Quadrol(登録商標);
    ii)テトラエチレンペンタミン(TEPA);
    iii)トリエタノールアミン(TEA);
    iv)トリス(N−ブチルアミン)(TBA);及び
    v)エチレンジアミン (EDA)
    を有しない、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の添加剤組成物。
  10. 組成物は、1−オキシル−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン−4−オール(もしくは4ヒドロキシTempoもしくは4−HT)を包含するニトロオキシド(即ちニトロキシル)化合物を有しない、請求項1乃至9のいずれか一項に記載の添加剤組成物。
  11. キノンメチド誘導体及び第3アミンは、重量%比で存在する、
    前記重量%比は、キノンメチド誘導体:第3アミンの重量%比
    i.約99.99:0.01乃至約40:60,
    ii.約99.9:0.1乃至約50:50,
    iii.約99:1乃至約60:40,
    iv.約95:5乃至約70:30,及び
    v.約90:10乃至約85:15
    を有するグループから選択される、請求項1乃至10のいずれか一項に記載の添加剤組成物。
  12. 組成物は、
    a.約0.01乃至約2000ppm,
    b.約1乃至約1200ppm,
    c.約5乃至約1000ppm,
    d.約50乃至約500ppm,及び
    e.約100乃至約300ppm
    の量を有するグループから選択される量で使用され、且つ芳香族ビニルモノマーストリームに、モノマーの重量に基づき添加される、請求項1乃至11のいずれか一項に記載の添加剤組成物。
  13. 請求項1乃至10のいずれか一項に記載のスチレンを包含する芳香族ビニルモノマーの重合を制御し且つ阻害する添加剤組成物の製造方法であって、1以上のキノンメチド誘導体と1以上の第3アミンとを混合するステップを有する、方法。
  14. キノンメチド誘導体及び第3アミンは、
    キノンメチド誘導体:第3アミンの重量%比
    i.約99.99:0.01乃至約40:60,
    ii.約99.9:0.1乃至約50:50,
    iii.約99:1乃至約60:40,
    iv.約95:5乃至約70:30,及び
    v.約90:10乃至約85:15
    を有するグループから選択される重量%比で混合される、
    請求項13に記載の方法。
  15. スチレンを包含する芳香族ビニルモノマーの重合を制御し且つ阻害する、請求項1乃至10のいずれか一項に記載の添加剤組成物を使用する方法であって、当該方法は、添加剤組成物を、スチレン重合用処理もしくは製造ユニットに添加するステップを有し、添加剤組成物は、1以上のキノンメチド誘導体と1以上の第3アミンとの混合物からなる、方法。
  16. スチレンを包含する芳香族ビニルモノマーの重合を制御し且つ阻害する、請求項1乃至10のいずれか一項に記載の添加剤組成物を使用する方法であって、当該方法は、添加剤組成物の成分を、スチレン重合用処理もしくは製造ユニットに別々に添加するステップを有し、添加剤組成物は、成分a)1以上のキノンメチド誘導体と、成分b)1以上の前記第3アミンとからなる、方法。
  17. キノンメチド誘導体及び第3アミンは、キノンメチド誘導体:第3アミンの重量%比
    i.約99.99:0.01乃至約40:60,
    ii.約99.9:0.1乃至約50:50,
    iii.約99:1乃至約60:40,
    iv.約95:5乃至約70:30,及び
    v.約90:10乃至約85:15
    を有するグループから選択される重量%比で、スチレン重合用処理もしくは製造ユニットに添加される、請求項15又は請求項16に記載の方法。
  18. 組成物は、
    a.約0.01乃至約2000ppm,
    b.約1乃至約1200ppm,
    c.約5乃至約1000ppm,
    d.約50乃至約500ppm,及び
    e.約100乃至約300ppm
    を有するグループから選択される量で、スチレン重合用処理もしくは製造ユニット内の芳香族ビニルモノマーストリームに、モノマーの重量に基づき添加される、請求項15乃至17のいずれか一項に記載の方法。
  19. キノンメチド誘導体及び第3アミンは、別々に添加されるか、もしくは相互に混合した後に添加されるかのいずれかである、請求項15乃至18のいずれか一項に記載の方法。
  20. キノンメチド誘導体及び第3アミンは、当該誘導体及びアミンを溶解する溶媒と混合した後に添加される、請求項15乃至18のいずれか一項に記載の方法。
  21. スチレンを包含する芳香族ビニルモノマーの重合を制御し且つ阻害する方法であって、
    当該方法は、請求項1乃至10のいずれか一項に記載の添加剤組成物を、スチレン重合用処理もしくは製造ユニットに添加するステップを有し、
    添加剤組成物は、1以上のキノンメチド誘導体と1以上の第3アミンとからなる、
    方法。
  22. キノンメチド誘導体及び第3アミンは、キノンメチド誘導体:第3アミンの重量%比
    i.約99.99:0.01乃至約40:60,
    ii.約99.9:0.1乃至約50:50,
    iii.約99:1乃至約60:40,
    iv.約95:5乃至約70:30,及び
    v.約90:10乃至約85:15
    を有するグループから選択される重量%比で添加される、請求項21に記載の方法。
  23. 添加剤組成物は、
    a.約0.01乃至約2000ppm,
    b.約1乃至約1200ppm,
    c.約5乃至約1000ppm,
    d.約50乃至約500ppm,及び
    e.約100乃至約300ppm
    を有するグループから選択される量で添加される、請求項21又は請求項22に記載の方法。
  24. キノンメチド誘導体及び第3アミンは、別々に添加されるか、もしくは相互に混合した後に添加されるかのいずれかである、請求項21乃至23のいずれか一項に記載の方法。
  25. キノンメチド誘導体及び第3アミンは、当該誘導体及びアミンを溶解する溶媒と混合した後に添加される、請求項21乃至23のいずれか一項に記載の方法。
  26. 前記組成物は、約60℃乃至約180℃、及び約90℃乃至約140℃の温度を有するグループから選択される温度範囲において使用される、請求項13乃至25のいずれか一項に記載の方法。
  27. 前記モノマーは、処理段階にある、請求項13乃至26のいずれか一項に記載の方法。
  28. 前記モノマーは、約60℃乃至約180℃の温度にある、請求項13乃至27のいずれか一項に記載の方法。
  29. 前記モノマーは、製造段階にある、請求項13乃至28のいずれか一項に記載の方法。
  30. スチレンを包含する芳香族ビニルモノマーの重合を制御し且つ阻害する添加剤組成物であって、実質的に本書に記載され、且つ前述の実施例の助けを借りて説明される、組成物。
  31. スチレンを包含する芳香族ビニルモノマーの重合を制御し且つ阻害する添加剤組成物の製造方法であって、実質的に本書に記載され、且つ前述の実施例の助けを借りて説明される、方法。
  32. スチレンを包含する芳香族ビニルモノマーの重合を制御し且つ阻害する添加剤組成物を使用する方法であって、実質的に本書に記載され、且つ前述の実施例の助けを借りて説明される、方法。
  33. スチレンを包含する芳香族ビニルモノマーの重合を制御し且つ阻害する方法であって、実質的に本書に記載され、且つ前述の実施例の助けを借りて説明される、方法。
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