JP2015521797A - ナノスケールのボイドの低減 - Google Patents

Abstract

レジストインプリントボイド低減法は、チャンバを封止することを含んでもよい。チャンバは周囲不活性ガスを充填されてもよく、不活性ガスは、基板上におけるレジスト層においてヘリウムより大きな可溶性を有する。この方法は、さらに、レジスト層による周囲不活性ガスの吸収を引き起こすのに十分であり、レジスト層の蒸発を抑制するのに十分である圧力を、チャンバ内において確立することを含む。

Description

分野
この発明に従う実施の形態は、一般的にパターンドメディアの加工に関する。

発明の背景
レジストインクの供給、インプリントおよびＵＶ露光は、パターンドメディアの加工におけるリソグラフィのステップである。レジスト液滴供給は、小量のレジスト材料を用い、それによって、異なる密度のフィーチャ上における一様な残存層制御を結果としてもたらす。さらに、レジスト膜形成のためのレジスト液滴供給は、より単純な工作機械類設計で相対的に高いスループットを与えることができる。

レジスト液滴供給の後のレジスト膜形成プロセスは、最初の液滴の濡れと、その後のテンプレート／ディスク係合中における液滴配列の合併を含む。合併された液滴配列は、テンプレートの凹凸パターン化された（topographically patterned）面に一致する。テンプレートはディスクから分離され、ディスク上に凹凸パターン化された面を残す。

図面の簡単な記載
この発明は、同様の参照番号は同様の要素を指す添付の図面の図において、限定ではなく、例として示される。

この発明の実施の形態に従う、チャンバ内におけるインプリントリソグラフィ動作の単純化された断面図である。 この発明の実施の形態に従う、テンプレートがレジスト滴と接触させられた後の、チャンバ内におけるインプリントリソグラフィ動作の単純化された断面図である。 この発明の実施の形態に従う、レジスト層が硬化され、テンプレートから分離された後の、チャンバ内におけるインプリントリソグラフィ動作の単純化された断面図である。 この発明の実施の形態に従う、除去プロセスの後のチャンバ内におけるインプリントリソグラフィ動作の単純化された断面図である。 環境ガスがＨｅまたはＮ_２であるインプリントリソグラフィ動作の後の、或るパターンのボイドを含む媒体ディスクの表面の、拡大された部分の単純化された図である。 この発明のいくつかの実施の形態に従う、媒体ディスクを形成する例示的なプロセスのフローチャートを示す。

この発明の詳細な記載
この発明の実施の形態が、ここで、詳細に言及され、それらの例が添付の図面において示される。この発明は以下の実施の形態との関連で論じられるが、それらはこの発明をこれらの実施の形態だけに限定するようには意図されないことが理解される。それどころか、この発明は、特許請求の範囲によって規定されるようなこの発明の精神および範囲と共に含まれてもよい代替物、修正物および等価物を包含するように意図される。さらに、この発明の以下の詳細な記載では、多数の具体的な詳細がこの発明の十分な理解を与えるために述べられる。しかしながら、この発明の実施の形態はこれらの具体的な詳細なしに実施されてもよい。他の事例では、この発明の局面を不必要に不明瞭にしないよう、公知の方法、手順、構成要素および回路は詳細には記載されていない。

この発明の実施の形態は、記録媒体の製造において実質的な局所的アンダーフィルボイド除去を伴うパターンドメディアレジストインプリントのための方法を提供する。しかしながら、この発明の実施の形態は、ナノインプリントがパターニングステップに必要な限り、任意のビットパターンドメディア（「ＢＰＭ」）、および関連する製造技術、およびいかなるナノインプリント関連の半導体装置製造方法にも適用することができる。

この発明の実施の形態はパターンドメディアの製造のためのレジストインプリント中において、ボイド、たとえば成形パターンの局所的なアンダーフィル、の実質的な除去を可能にする。チャンバ内における相対的により低い圧力の確立および維持によって、より少量のガスがチャンバ内に存在する。レジスト合併膜が基板上に形成されると、より少量のガスはガスのレジスト液滴への吸収を容易にする。その結果、レジストインプリントプロセスの後、より高速なスループットが得られ、ナノインプリントボイドは残らない。圧力が下げられたチャンバは、好適な揮発性のテンプレート剥離剤でパージされ、したがって、テンプレートは、離型剤を常に補充されて、各インプリントで一貫した分離性能を維持する。もし必要ならば、レジストモノマーおよび光重合開始剤を蒸気の形でチャンバ内に滲出させて、チャンバの真空レベルの柔軟性を増大させることもできる。

図１は、この発明の実施の形態に従う、チャンバ１０１内におけるインプリントリソグラフィ動作１００の単純化された断面図である。チャンバ１０１は基板１０２およびテンプレート１０４を含む。実施の形態では、基板は、たとえばアルミニウムもしくはガラスディスク（たとえば２０ｍｍの穴を伴う直径６５ｍｍ）、Ｓｉもしくは石英ウェハ、または他のウェハ材料であってもよい。テンプレート１０４は基板１０２上に位置決めされる。テンプレート１０４は予め定められるパターン１０６を含む。いくつかの実施の形態では、予め定められるパターン１０６は、さまざまなサイズの穴１０８の帯を含む。

さまざまな実施の形態では、チャンバ１０１はさらに１つ以上の入力、たとえばチャンバポンプ圧送ポート１０３および離型剤供給部１０５を含んでもよい。離型剤供給部１０５は、さらにレジストモノマー／光重合開始剤供給部として機能してもよい。たとえば、インプリントリソグラフィ動作１００に先立って、レジスト滴供給プロセスを介して、インプリントレジストはディスク基板１０２上に供給され、基板１０２は、チャンバ１０１内に移送される。離型剤供給部１０５は、インプリントリソグラフィ動作１００中において、チャンバ１０１内において、離型剤、レジストモノマーおよび／または光重合開始剤の蒸気を滲出するよう動作可能である。

レジスト滴１１０は、たとえば滴下供給方法によって基板１０２上に配置されてもよい。いくつかの実施の形態では、レジスト滴１１０はｐＬおよびサブｐＬの範囲の液滴体積および約１／１０〜１／１００μｍの液滴間間隔で配置されてもよい。基板１０２およびテンプレート１０４と共に、レジスト滴１１０は、たとえば滴下供給ＵＶ硬化ナノインプリントリソグラフィ（以下を参照）に基づいたパターニングステップにおいて用いられる。

レジスト滴供給の後のレジスト膜形成プロセスは、最初の液滴の濡れと、その後の成形型と基板との間の閉じ込められた空間における液滴配列の合併とからなる。成形型と基板との間の閉じ込められた空間におけるレジスト液滴の合併のため、チャンバ１０１におけるガスがレジスト液滴に捕捉されるようになり、したがって局所的なレジストアンダーフィル（以下を参照）に至り得る。この局所的なレジストアンダーフィルはパターン転写障害を引き起し得る。

インプリントリソグラフィプロセス中において、チャンバ１０１内における１つ以上の成分ガスがそれらのヘンリーの法則の平衡状態より下に留まるように、或る圧力（たとえば真空レベル）をチャンバ１０１内において或る範囲で設定してもよい。離型剤、レジストモノマー、光重合開始剤および選択された不活性ガスが、チャンバ１０１に注入されてもよく、真空レベルはレジスト蒸発を抑制するために維持される。たとえば、離型剤およびレジストモノマーを、光重合開始剤と共に、離型剤供給部１０５を介して、チャンバ１０１に注入してもよい。さまざまな実施の形態では、ガスを除去および追加する他の供給部ならびに／または方法が用いられてもよい。さらなる実施の形態において、不活性ガスは、Ｈｅおよび／またはＮ_２のヘンリーの法則の平衡状態より２桁大きなヘンリーの法則の平衡状態を有する。

チャンバ１０１内における１つ以上の成分ガスがそれらのヘンリーの法則の平衡状態より下に留まるように、真空レベルを確立する。その結果、チャンバ１０１内において存在する、より少量のガスは、レジスト滴１１０によってより容易に吸収される。これは、吸収されないガスから結果として生じるインプリント欠陥を最小限にし、スループットを最大限にする。実施の形態では、後のインプリントリソグラフィ動作中において、離型剤をチャンバ１０１に追加してもよい。

図２は、この発明の実施の形態に従う、テンプレート１０４がレジスト滴１１０（図１）と接触させられた後の、チャンバ１０１内におけるインプリントリソグラフィ動作１００の単純化された断面図である。テンプレート１０４はレジスト滴１１０（図１）を広げ、それにより、レジスト層２１２を形成する。インプリントを広げる時間（テンプレートがレジストと接触し始めるときとＵＶ照射がレジストを硬化させるために適用されるときとの間の時間として定義される）中において、レジスト層２１２はテンプレート１０４および基板１０２にわたって広がる。実施の形態では、レジストパターン２１４は予め定められるパターン１０６（図１）のネガ像であってもよい。

いくつかの実施の形態では、広げた後に、一連のボイド２１６、たとえばナノスケールのボイドが、レジスト層２１２におけるレジスト滴１１０（図１）間の境界、およびテンプレートに窪ませられたフィーチャにおいて形成される。たとえば、ボイド２１６はサイズにして約１０ｎｍ〜数μｍかもしれず、レジスト層２１２によるガス分子の不完全な吸収のために捕捉されるガス泡の結果として形成されるかもしれない。さらに、ボイド２１６は、予め定められるパターン１０６（図１）における穴１０８の帯における局所的なレジストアンダーフィルの結果、形成されるかもしれない。

図３は、この発明の実施の形態に従う、レジスト層２１２（図２）が硬化した後の、チャンバ１０１内におけるインプリントリソグラフィ動作１００の単純化された断面図である。レジスト層２１２（図２）は、たとえばＵＶ光照射によって架橋されており、硬化されて剛性のレジスト層３２２に固化されている。剛性のレジスト層３２２はボイド２１６およびレジストバンプ３２０を含み得る。テンプレート１０４（図２）は剛性のレジスト層３２２および基板１０２から分離されており、レジストパターン２１４を含む剛性のレジスト層３２２を基板１０２に取付けられたまま残している。

図４は、この発明の実施の形態に従って、ＣＯ_２が不活性ガスとして用いられるときの、チャンバ１０１内におけるインプリントリソグラフィ動作１００の単純化された断面図である。ＣＯ_２の不活性ガスとしての使用は、チャンバ１０１において低圧力環境下での迅速な吸収の形成を可能にする。チャンバ１０１内における低い圧力の確立および維持によって、より少量のガスがチャンバ内に存在し、基板１０２上におけるレジスト液滴に迅速に吸収され、結果として、レジストインプリントプロセスの後において、ナノインプリントボイド除去２１６（図２）をもたらす。したがって、所定の予測可能なパターンのレジストバンプ３２０は、ボイド２１６が実質的にない。

図５は、たとえば環境ガスがＨｅまたはＮ_２であるインプリントリソグラフィ動作１００（図１）の後の、パターン５２８のボイド線５３０を含む媒体ディスク５２６の表面の、拡大された部分５２４の単純化された図である。上に記載されるように、ボイド線５３０は、レジスト滴がインプリント中においてともに広がるとき、レジスト滴の境界で形成され得る。加えて、上に記載されるように、ボイド線５３０はレジストの局所的なアンダーフィル（図２）の結果である。ボイド線５３０は、したがって、媒体ディスク５２６の表面上に、時に「漁網」パターンと称される望まれないパターン５２８を形成する。Ｈｅ（またはレジストにおける可溶性がＨｅと類似するかまたはそれより低い他のガス）が、インプリント中において環境ガスとして用いられるとき、ボイド線５３０は、光学的および電子ビーム検査方法によって調査されると、レジストの局所的なアンダーフィルを示すものとして働く。レジストの局所的なアンダーフィルはパターン転写障害を引き起こす。

ＣＯ_２に基づいた非真空インプリント環境下では、ボイド線５３０の体積サイズは実質的に（たとえば５０％分）低減され得る。さまざまな実施の形態では、ボイド線５３０の体積サイズは実質的に除去され得る。したがって、Ｈｅと比較して、ＣＯ_２の高いヘンリー定数の振る舞いは、インプリントリソグラフィ中における著しい局所的なアンダーフィルの低減、およびより小さな「漁網」パターンを与える。

したがって、上に記載されるように、さまざまな実施の形態はナノスケールのボイドのサイズを低減するための１つ以上の手段を含んでもよい。たとえば、実施の形態において、チャンバ内における１つ以上の成分ガスがそれらのヘンリーの法則の平衡状態より下に留まるように、或る圧力をチャンバ内において或る範囲で設定してもよい。たとえば、実施の形態において、或る不活性ガスは、Ｈｅおよび／またはＮ_２のヘンリーの法則の平衡状態より２桁大きなヘンリーの法則の平衡状態を有する。たとえば、実施の形態では、ＣＯ_２の不活性ガスとしての使用は、チャンバにおける低い圧力環境下での迅速な吸収を可能にし得る。たとえば、実施の形態では、不活性ガスは、レジスト層において、Ｈｅより大きな可溶性を有してもよい。

図６は、この発明のいくつかの実施の形態に従う、磁気媒体ディスクにおける例示的なナノインプリント製造プロセスのフローチャート６００を示す。ブロック６０２では、レジスト層の準備のために、レジストがチャンバの外部で基板上に供給され、レジスト層はレジスト液滴を含む。いくつかの実施の形態では、レジスト層の供給は、レジスト層を滴下供給することを含む。たとえば、図１では、レジスト滴は、インクジェット滴供給方法によって基板上に噴射配置されてもよい。レジスト滴はｐＬおよびサブｐＬの範囲の液滴体積および約１／１０〜１／１００μｍの液滴間間隔で配置されてもよい。

図６のブロック６０４では、チャンバが封止される前に、不活性ガスがチャンバ内にポンプ圧送されて維持される。この不活性ガスは、レジスト層において、Ｈｅおよび／またはＮ_２よりはるかに大きな可溶性を有する。チャンバの封止は、周囲ガスのポンプ圧送を可能にする。いくつかの実施の形態では、チャンバは基板およびテンプレートを含んでもよい。チャンバは、インプリントリソグラフィを用いるパターンの製造に対して動作可能であってもよい。たとえば、図１では、基板およびテンプレートを含むチャンバは、インプリント動作の開始に先立って封止される。別の例において、図１では、不活性ガス（たとえばＣＯ_２）が、テンプレートをレジスト滴と接触させる前にチャンバに注入されてもよい。実施の形態において、チャンバに不活性ガスをポンプ圧送した後、不活性ガスはチャンバにおける実質的に唯一のガスであってもよい。

図６のブロック６０６では、テンプレートが存在するところで、チャンバは減圧され、不活性ガスでパージされる。たとえば、図１において、不活性ガスをチャンバにポンプ圧送し維持した後、次いで、チャンバは、部分的にポンプ動作により圧力を低減される。必要ならば、離型剤、モノマー、および／または光重合開始剤の蒸気をポートを通して供給して、テンプレート剥離品質およびレジスト滴蒸発の抑制を維持する。実施の形態では、チャンバは、チャンバ内における基板の配置の後に続いて、ポンプ動作により圧力を下げられる。

図６のブロック６０８では、或る圧力がチャンバ内において確立され、その圧力は、レジスト層による不活性ガスの吸収を引き起こすのに十分であり、レジスト層の蒸発を抑制するのに十分である。いくつかの実施の形態では、チャンバ内において圧力を確立することは、さらに、チャンバ内において真空を確立することを含んでもよく、真空レベルは、不活性ガスについて、ヘンリーの法則の平衡状態より下である。たとえば図１では、テンプレートをレジスト滴と接触させる前に、ＣＯ_２についてヘンリーの法則の平衡状態より下の真空レベルがチャンバ内において確立されてもよい。圧力は、ＣＯ_２ガスがレジスト層によって吸収され、レジスト層の蒸発が抑制されるように、十分であってもよい。

図６のブロック６１０では、基板の表面およびテンプレートの凹凸パターン化された面がともに配置され、この配置は、基板とテンプレートとの間のレジスト層を凹凸パターン化された面に一致させ、接触は、合併するレジスト滴間に最初のボイドを形成する。たとえば、図２では、テンプレートはレジスト滴と接触させられている。テンプレートは、レジスト滴を広げ、それにより、レジスト層を形成する。レジスト層はテンプレートおよび基板にわたって広がり、穴の帯を充填し、レジストパターンを形成する。捕捉されたガスが溶解するまで、テンプレート−レジスト膜−基板は短期間の間保持される。

図６のブロック６１２では、ナノスケールのボイドが実質的に除去されるように、不活性ガスがレジスト内に吸収されるまで、テンプレートおよび基板はチャンバに保持される。いくつかの実施の形態では、低減はナノスケールのボイドを実質的に除去することを含む。別の実施の形態では、低減はレジスト層に不活性ガスを吸収することを含む。別の例では、図１では、不活性ガス（たとえばＣＯ_２）がチャンバに注入されてもよい。チャンバ内におけるより低い圧力における不活性ガス（たとえばＣＯ_２）の使用は、チャンバ内における成分ガスの量を低減する。より少量の成分ガスはチャンバ内において基板上に位置するレジスト層内に吸収されてもよい。ガスがレジスト層内に吸収されるので、ナノスケールのボイドは実質的に低減される。

図６のブロック６１４では、ＵＶ露光が実行され、チャンバは常圧に戻され、基板およびテンプレートは次いで分離され、レジスト層は基板の表面に付着する。たとえば、図４では、テンプレートは、剛性のレジスト層および基板から分離されており、レジストパターンを含む剛性のレジスト層を、基板に取付けられたまま残している。

いくつかの実施の形態では、図６において示された媒体ディスクを形成するプロセスはチャンバ内において真空を確立することをさらに含んでもよく、真空は大気圧の０．１％〜５０％間にある。たとえば、図１において、テンプレートをレジスト滴と接触させる前に、大気圧の０．１％〜５０％間の真空レベルがチャンバ内において確立されてもよい。

いくつかの実施の形態では、図６に示された媒体ディスクを形成するプロセスは、チャンバ内においてレジストモノマーおよび光重合開始剤の蒸気を注入することをさらに含んでもよい。たとえば、図１では、テンプレートをレジスト滴と接触させる前に、レジストモノマーおよび光重合開始剤の蒸気がチャンバに注入されてもよい。

いくつかの実施の形態では、図６に示された媒体ディスクを形成するプロセスは、チャンバ内に離型剤蒸気を注入することをさらに含んでもよい。たとえば、図１では、テンプレートをレジスト滴と接触させる前に、離型剤蒸気が離型剤供給部を介してチャンバ内において注入されてもよい。実施の形態では、チャンバ１０１は、すべての各インプリントリソグラフィ動作の後、なんらかの離型剤蒸気と共に維持される。

図６において示された媒体ディスクを形成するプロセスは、プロセッサと該プロセッサに結合されたメモリとを含むシステムを用いて自動化することができ、メモリは、実行されるとシステムにプロセスを実行させる命令を含むことを十分に理解することができる。システムは、インプリントリソグラフィ動作を用いるスケールパターンの製造に対して動作可能であってもよい。

別の実施の形態では、チャンバ内において確立された圧力は、インプリントリソグラフィ動作の全体にわたって維持されてもよい。たとえば、図１では、チャンバ内における圧力は外部システム（図示せず）によって監視されてもよい。外部システムが圧力において予め規定されたしきい値を越える変化を検出する場合には、ＣＯ_２を注入またはポンプ圧送して、チャンバ内において所望の圧力設定を維持してもよい。

いくつかの実施の形態では、図６に示された媒体ディスクを形成するプロセスはインプリントリソグラフィ動作中においてチャンバ内において予め規定された圧力を維持することをさらに含んでもよい。たとえば、図１では、予め規定された圧力は、インプリントリソグラフィ動作の持続時間の間、チャンバ中において維持される。

前述の記載は、説明の目的のために、具体的な実施の形態を参照して記載された。しかしながら、上記の例示的議論は、網羅的であったり、または開示された形式そのものにこの発明を限定するようには意図されない。多くの修正物および変形物が上記の教示に鑑みて可能である。

Claims (20)

1. 基板上にレジスト層を供給することを含み、前記レジスト層は複数個のレジスト液滴を含み、さらに、
   チャンバ内で不活性ガスをパージすることを含み、前記不活性ガスは前記レジスト層においてＨｅより大きな可溶性を有し、さらに、
   前記チャンバ内において、前記基板の表面と、テンプレートの所定のオブジェクトの凹凸パターン化された面とを、ともに配置することを含み、前記配置することによって、前記基板と前記テンプレートとの間の前記レジスト層は前記凹凸パターン化された面に一致し、さらに、前記配置することによって、ナノスケールのボイドが形成され、さらに、
   前記ナノスケールのボイドのサイズを低減することと、
   前記基板と前記テンプレートとを分離することとを含み、前記レジスト層は前記基板の前記表面に付着する、方法。
2. 前記チャンバ内においてレジストモノマーまたは光重合開始剤の蒸気を注入することと、真空レベルを維持することとをさらに含み、前記チャンバ内における１つ以上の成分ガスはそれらのヘンリーの法則の平衡状態より下に留まる、請求項１に記載の方法。
3. 前記チャンバ内において離型剤蒸気を注入し補充することと、真空レベルを維持することとをさらに含み、前記チャンバ内における１つ以上の成分ガスはそれらのヘンリーの法則の平衡状態より下に留まる、請求項１に記載の方法。
4. 前記チャンバは真空環境下でインプリントリソグラフィを用いるパターンの製造に対して動作可能であり、前記チャンバ内における１つ以上の成分ガスはそれらのヘンリーの法則の平衡状態より下に留まる、請求項１に記載の方法。
5. 前記チャンバ内において真空を確立することをさらに含み、前記真空レベルは前記不活性ガスについてヘンリーの法則の平衡状態より下にある、請求項１に記載の方法。
6. 前記パージすることの後、前記不活性ガスは、前記チャンバにおける実質的に唯一のガスであり、さらに、前記不活性ガスは、Ｈｅのヘンリーの法則の平衡状態より２桁大きなヘンリーの法則の平衡状態を有する、請求項１〜５のいずれか１つに記載の方法。
7. 前記サイズを低減することは、前記レジスト層に前記不活性ガスを吸収することを含む、請求項１〜５のいずれか１つに記載の方法。
8. チャンバを封止することと、
   周囲不活性ガスで前記チャンバを充填することとを含み、前記不活性ガスは、基板上のレジスト層においてＨｅより大きな可溶性を有し、さらに、
   前記レジスト層による前記周囲不活性ガスの吸収を引き起こすのに十分である圧力を前記チャンバ内において確立することを含み、前記圧力は前記レジスト層の蒸発を抑制するのに十分である、方法。
9. 前記チャンバ内において基板上に前記レジスト層を供給することをさらに含み、前記レジスト層は複数個のレジスト液滴を含み；さらに、
   前記チャンバ内を不活性ガスでパージすることを含み、前記不活性ガスは前記レジスト層においてＨｅより大きな可溶性を有し、さらに、
   前記基板の表面と、テンプレートの所定のオブジェクトの凹凸パターン化された面とを、ともに配置することを含み、前記配置することによって、前記基板と前記テンプレートとの間の前記レジスト層は前記凹凸パターン化された面に一致し、さらに、前記配置することによって、ナノスケールのボイドが形成され、さらに、
   前記ナノスケールのボイドのサイズを低減することと、
   前記基板および前記テンプレートを分離することとを含み、前記レジスト層は前記基板の前記表面に付着する、請求項８に記載の方法。
10. 前記低減することは、前記ナノスケールのボイドを実質的に除去することをさらに含む、請求項９に記載の方法。
11. 前記不活性ガスは、Ｈｅのヘンリーの法則の平衡状態より２桁大きなヘンリーの法則の平衡状態を有する、請求項８〜１０のいずれか１つに記載の方法。
12. 前記チャンバは真空環境下でインプリントリソグラフィを用いるパターンの製造に対して動作可能であり、前記チャンバ内における１つ以上の成分ガスはそれらのヘンリーの法則の平衡状態より下に留まる、請求項９に記載の方法。
13. インプリントリソグラフィ動作中、前記チャンバ内において予め規定された圧力を維持することをさらに含む、請求項９に記載の方法。
14. 前記確立することは、前記不活性ガスについてヘンリーの法則の平衡状態より下にある、請求項８〜１０、１２および１３のいずれか１つに記載の方法。
15. 不活性ガスを充填された封止されたチャンバと、
    前記封止されたチャンバ内にあり、ナノスケールのボイドを間に形成する、基板の表面、およびテンプレートの所定のオブジェクトの凹凸パターン化された面と、
    前記ナノスケールのボイドのサイズを低減するための手段とを含む、装置。
16. 前記封止されたチャンバは前記不活性ガスをパージするように構成され、前記低減するための手段は前記不活性ガスをパージすることを含み、前記不活性ガスは、レジスト層においてＨｅの可溶性より大きな可溶性を有する、請求項１５に記載の装置。
17. 前記封止されたチャンバは圧力を確立するように構成され、前記低減するための手段は、レジスト層による前記不活性ガスの吸収を引き起こすのに十分な圧力を前記封止されたチャンバ内において確立することを含む、請求項１５または請求項１６のいずれかに記載の装置。
18. 前記低減するための手段は、さらに、前記封止されたチャンバ内において前記レジスト層の蒸発を抑制するのに十分な前記圧力を確立することを含む、請求項１７に記載の装置。
19. 前記基板の前記表面上にレジスト層をさらに含み、前記レジスト層は前記ナノスケールのボイドを含む、請求項１５または請求項１６のいずれかに記載の装置。
20. 前記チャンバ内において真空をさらに含み、前記真空レベルは大気圧の０．１％〜５０％の間にある、請求項１５または請求項１６のいずれかに記載の装置。

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