JP2015507698A - 表面にメッキする方法及び得ることが可能な物品 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁基板の表面にメッキする方法が提供され、当該方法によって得ることが可能な物品も提供される。当該方法は、絶縁基板におけるメッキするための表面にインク組成物を塗布し、インク層を有する絶縁基板を得るステップと、非反応性雰囲気内で約５００〜１０００℃の温度で、インク層を有する絶縁基板に加熱処理を施すステップと、インク層上に少なくとも一つの金属層をメッキするステップとを備える。インク組成物は金属化合物及びインク媒剤を含み、金属化合物は、ナノ銅酸化物、ナノ酸化第一銅、式Iの化合物、及び式IIの化合物からなる群から選択される少なくとも一つである。ＴｉＯ2-σ(I)であり、Ｍ1Ｍ2pＯq（II）であり、０．０５≰σ＜１．８であり、Ｍ1は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の２族、９〜１２族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、Ｍ2は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の３〜８族、１０族及び１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、０＜ｐ≰２であり、０＜ｑ＜４である。
Description
本発明は、物質科学の分野に関し、特には絶縁基板の表面にメッキする方法、及び当該方法によって得ることが可能な物品に関する。
本節の記載は、本開示に関する背景の情報を単に提供するだけであり、先行技術を構成しえない。
金属層は、電磁信号の変換経路として絶縁基板の表面上に形成され、例えば、自動車、コンピュータ、及び通信等の分野に応用されている。例えばプラスチック等の絶縁基板の表面に金属層を形成するために、多くの手段が用いられ得る。
しかしながら、絶縁体基板の表面にメッキする手段は更に改善される必要がある。
この要約は、下記の詳細な説明に更に記載された概念の選択を単純な形式で導入するために提供される。この要約は、請求された主題における重要な特徴又は本質的な特徴を特定することを意図せず、請求された主題の範囲を決定する目的として用いられることも意図しない。
それについて見ると、本開示は先行技術が有する少なくとも一つの問題を解決することを目的とする。従って、絶縁基板の表面にメッキする手段が提供され得る。無機基板（セラミック基板、ガラス基板及びセメント基板等）の表面にメッキされた金属層の基板に対する接着力が向上し得る。
本開示の第１の態様によれば、絶縁基板の表面にメッキする方法を提供する。当該方法は、絶縁基板のメッキするための表面上にインク組成物を塗布し、インク層を有する絶縁基板を得るステップと、非反応性雰囲気（non- reactive atmosphere）内で約５００〜１０００℃の温度で、インク層を有する絶縁基板に加熱処理を施すステップと、インク層上に少なくとも一つの金属層をメッキするステップとを備える。インク組成物は、金属化合物及びインク媒剤を含み、金属化合物は、ナノ銅酸化物（nano- copper oxide）、ナノ酸化第一銅（nano- cuprous oxide）、下記式Iの化合物、及び下記式IIの化合物からなる群から少なくとも一つ選択される。
ＴｉＯ2-σ （I）
Ｍ1 Ｍ2 p Ｏq （II）
上記式Iにおいて０．０５≦σ＜１．８であり、
Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の２、９〜１２族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、
Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の３〜８、１０、及び１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、
０＜ｐ≦２であり、０＜ｑ＜４である。
ＴｉＯ2-σ （I）
Ｍ1 Ｍ2 p Ｏq （II）
上記式Iにおいて０．０５≦σ＜１．８であり、
Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の２、９〜１２族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、
Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の３〜８、１０、及び１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、
０＜ｐ≦２であり、０＜ｑ＜４である。
本開示の第２の態様によれば、本開示の方法により製造され得る、金属表面を有する物品を提供する。
本開示の方法により形成される金属層は、基板に対して強い接着力を有し得る。従って、頑丈で信頼性のある信号経路を獲得し得る。加えて、本開示の方法は、基板表面上の金属層を形成するためにより速いメッキ速度を提供し得、それ故、本開示の方法による生産効率は高い。更に、一般的な導電性の貴金属（例えば銀）と比べ、本開示のインク組成物における導電性の金属化合物の原料は海外で低価格であり、信号変換部品の製造コストを著しく低減することができる。
本開示の実施形態における更なる態様及び効果は、以下の記載において部分的に与えられ、以下の記載から部分的に明らかとなり、又は本開示の実施形態の応用から知られる。
本開示の第１の態様によれば、絶縁基板の表面にメッキする方法を提供する。当該方法は、絶縁基板のメッキするための表面上にインク組成物を塗布し、インク層を有する絶縁基板を得るステップと、非反応性雰囲気（non- reactive atmosphere）内で約５００〜１０００℃の温度で、インク層を有する絶縁基板に加熱処理を施すステップと、インク層上に少なくとも一つの金属層をメッキするステップとを備える。
本開示の方法によれば、インク組成物は、金属化合物及びインク媒剤を含んでもよい。
本開示において金属化合物は、ナノ銅酸化物、ナノ酸化第一銅、下記式Iの化合物、及び下記式IIの化合物からなる群から少なくとも一つ選択される。
ＴｉＯ2-σ （I）
Ｍ1 Ｍ2 p Ｏq （II）
上記式I又は式IIにおいて、０．０５≦σ＜１．８であり、σは約０．１〜１．５が好ましく、約０．２〜１．２がより好ましく、
Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の２、９〜１２族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、
Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の３〜８、１０、及び１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、０＜ｐ≦２であり、０＜ｑ＜４である（例えば本開示の一例として、ｑは、１〜３．９８となり得る）。
ＴｉＯ2-σ （I）
Ｍ1 Ｍ2 p Ｏq （II）
上記式I又は式IIにおいて、０．０５≦σ＜１．８であり、σは約０．１〜１．５が好ましく、約０．２〜１．２がより好ましく、
Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の２、９〜１２族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、
Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の３〜８、１０、及び１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、０＜ｐ≦２であり、０＜ｑ＜４である（例えば本開示の一例として、ｑは、１〜３．９８となり得る）。
本開示の一の実施形態において、Ｍ1 の具体例は、限定されないが、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、及びＺｎの内の少なくとも一つとなり得、Ｍ2 の具体例は、限定されないが、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎの内の少なくとも一つとなり得る。
式IIの化合物に関しては、本開示の一の実施形態において、Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり例えばＣｕであってもよい。Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素であり、例えば、Ｆｅ、Ｒｕであってもよい。
本開示の一の実施形態において、式IIの化合物は下記式IIIの化合物である。
ＣｕＦｅＯ4-δ （III）
上記式IIIにおいて、０＜δ≦３であり、好ましくは、δは約０．０１〜２となり得、より好ましくは、δは約０．０２〜１となり得る。
ＣｕＦｅＯ4-δ （III）
上記式IIIにおいて、０＜δ≦３であり、好ましくは、δは約０．０１〜２となり得、より好ましくは、δは約０．０２〜１となり得る。
式IIの化合物に関しては、本開示の一の実施形態において、Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、例えばＣｕである。Ｍ2 は、Ｍ21及びＭ22を有してもよく、Ｍ21は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素であり、例えば、Ｆｅ、Ｒｕであってもよく、Ｍ22は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３及び７族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、例えば、Ｍｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎから少なくとも一つ選択されてもよい。本開示の一の実施形態において、Ｍ1 及びＭ2 のモル比は約１：１となり得、Ｍ21及びＭ22のモル比は約１：０．１〜１０となり得る。Ｍ21及びＭ22のモル比は、好ましくは、１：０．５〜５となり得、より好ましくは、Ｍ21及びＭ22のモル比は１：０．５〜３となり得、更に好ましくは、Ｍ21及びＭ22のモル比は１：１〜３となり得る。
本開示の一の実施形態において、Ｍ22は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される一つの元素（例えば、Ｍ22は、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、又はＩｎであってもよい）であってもよい。同様に、Ｍ22は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の７族からなる群から選択される一つの元素であってもよい（例えば、Ｍ22は、Ｍｎであってもよい）。また同様に、Ｍ22は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される一つの元素及び７族からなる群から選択される一つの元素であってもよい（例えば、Ｍ22は、Ａｌ及びＭｎであってもよい）。本開示の一の実施形態において、Ｍ22は、Ｍ221 及びＭ222 を有し、Ｍ221 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ222 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の７族からなる群から選択される一つの元素である。また、Ｍ221 及びＭ222 のモル比は、約１：０．１〜１０となり得、好ましくは、１：０．５〜２となり得る。本開示の一の実施形態において、金属化合物によって製造されたインク組成物を用いて基板上にインク層を形成し、インク層の表面に更に金属をメッキする場合、Ｍ22は、好ましくはＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の７族からなる群から選択される一つの元素であってもよい（例えば、Ｍ22はＭｎであってもよい）。そうすることで、より速いメッキ速度となり得る。
本開示の一の実施形態において、式IIの化合物の例は、制限はされないが、ＣｕＦｅ0.5 Ｍｎ0.5 Ｏ2.5 、ＣｕＦｅ0.5 Ａｌ0.5 Ｏ2.5 、及びＣｕＦｅ0.5 Ａｌ0.25Ｍｎ0.5 Ｏ2.5 から選択される少なくとも一つであり、ＣｕＦｅ0.5 Ｍｎ0.5 Ｏ2.5 がより好ましい。
式IIの化合物に関しては、本開示の一の実施形態において、Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の２族からなる群から選択される一つの元素であり、例えば、Ｍ1 は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、又はＢａであってもよい。また、Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される一つの元素であり、例えば、Ｍ2 は、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、又はＩｎであってもよい。
本開示の一の実施形態において、化合物は下記式IVの化合物であることが好ましい。
ＭｇＧａ2 Ｏ4-λ （IV）
上記式IVにおいて、０＜λ≦３、λは、０．０１〜２であることが好ましく、０．１〜１であることがより好ましく、０．１〜０．５であることが更に好ましい。
ＭｇＧａ2 Ｏ4-λ （IV）
上記式IVにおいて、０＜λ≦３、λは、０．０１〜２であることが好ましく、０．１〜１であることがより好ましく、０．１〜０．５であることが更に好ましい。
式IIの化合物に関しては、本開示の一の実施形態において、Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１０族からなる群から選択される一つの元素であり、例えば、Ｍ1 はＮｉであってもよい。また、Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の６族からなる群から選択される一つの元素であり、例えば、Ｍ2 はＣｒ、Ｍｏ、又はＷであってもよい。
本開示の一の実施形態において、化合物は下記式Vの化合物が好ましい。
ＮｉＭｏＯ4-μ （V）
上記式Vは、０＜μ≦３、μは、０．０１〜２であることが好ましく、０．１〜１であることがより好ましく、０．２〜０．５であることが更に好ましい。
ＮｉＭｏＯ4-μ （V）
上記式Vは、０＜μ≦３、μは、０．０１〜２であることが好ましく、０．１〜１であることがより好ましく、０．２〜０．５であることが更に好ましい。
式IIの化合物に関しては、本開示の一の実施形態において、Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ1 は例えばＣｕであってもよい。また、Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つである。また、Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つと、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族及び１０族からなる群から選択される元素の少なくとも一つとを備える。この好ましい実施形態においては、Ｍ1 及びＭ2 のモル比は、好ましくは１：０．５〜１である。
本開示の一の実施形態において、Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つと、ＩＵＰＡＣの命名法に従う８族及び１０族からなる群から選択される元素の少なくとも一つとを備える。Ｍ2 は、Ｍ23及びＭ24を有する。Ｍ23は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族、１０族、及び１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、例えばＭ23は、Ｇａであるか、又はＧａとＦｅ及びＮｉから選択される少なくとも一つの元素とである。Ｍ24は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される一つの元素であり、好ましくは、Ｂである。好ましい実施形態において、Ｍ23及びＭ24の両方が、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される一つの元素である場合、Ｍ23及びＭ24は異なる元素である。Ｍ23及びＭ24のモル比は、１：０．１〜１０であってもよく、１：０．５〜２であることが好ましく、０．５〜１．５であることがより好ましく、１：１であることが更に好ましい。
本開示の一の実施形態において、式IIの化合物の例は、限定はされないが、ＣｕＦｅ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 、ＣｕＮｉ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 、ＣｕＧａ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 、及びＣｕＢ0.7 Ｏ2 から選択される少なくとも一つを含む。
式IIの化合物に関しては、本開示の一の実施形態において、化合物は下記式VIの化合物である。
ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β （VI）
上記式VIにおいて、０≦α＜１かつβが約０〜２である。αは０．０５〜０．５であることが好ましく、αは０．１〜０．２５であることがより好ましい。βは０．０１〜２であることが好ましく、βは０．０１〜０．５であることがより好ましく、βは０．０５〜０．４であることが更に好ましい。
ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β （VI）
上記式VIにおいて、０≦α＜１かつβが約０〜２である。αは０．０５〜０．５であることが好ましく、αは０．１〜０．２５であることがより好ましい。βは０．０１〜２であることが好ましく、βは０．０１〜０．５であることがより好ましく、βは０．０５〜０．４であることが更に好ましい。
本開示の一の実施形態において、ナノ酸化第一銅は１μｍ未満の粒子径を有する酸化第一銅に関し、ナノ銅酸化物は１μｍ未満の粒子径を有する銅酸化物に関する。
本開示の一の実施形態において、金属化合物は、ナノ酸化第一銅、ナノ銅酸化物、式Iの化合物、上記式IIIの化合物、ＣｕＦｅ0.5 Ｍｎ0.5 Ｏ2.5 、ＣｕＦｅ0.5 Ａｌ0.5 Ｏ2.5 、ＣｕＦｅ0.5 Ａｌ0.25Ｍｎ0.5 Ｏ2.5 、上記式IVの化合物、上記式Vの化合物、ＣｕＦｅ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 、ＣｕＮｉ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 、ＣｕＧａ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 、ＣｕＢ0.7 Ｏ2 、及び上記式VIの化合物から選択される少なくとも一つであることが好ましい。
上記の金属化合物を用いることによって本開示の目的は達成し得るが、金属化合物を含むインク組成物を用いることにより絶縁基板の表面にインク層が形成され、その後金属層が形成されるときに、金属化合物が以下の化合物から選択される少なくとも一つである場合、より高速のメッキ速度（特には電気メッキの方法を用いることによる）を得ることができることを、本開示の発明者は発見した。
（１）ナノ酸化第一銅及びナノ銅酸化物。
（２）式Iの化合物。
（３）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素である式IIの化合物。
（４）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＭ21及びＭ22を有し、Ｍ21がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ22がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族及び７族からなる群から選択される元素の少なくとも一つ（Ｍ22がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の７族からなる群から選択される一つの元素であることが好ましい）である式IIの化合物。
（５）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つと、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族及び１０族からなる群から選択される元素の少なくとも一つとを備える式IIの化合物。
また、（６）式VIの化合物（例えば、ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β）。
（１）ナノ酸化第一銅及びナノ銅酸化物。
（２）式Iの化合物。
（３）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素である式IIの化合物。
（４）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＭ21及びＭ22を有し、Ｍ21がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ22がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族及び７族からなる群から選択される元素の少なくとも一つ（Ｍ22がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の７族からなる群から選択される一つの元素であることが好ましい）である式IIの化合物。
（５）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つと、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族及び１０族からなる群から選択される元素の少なくとも一つとを備える式IIの化合物。
また、（６）式VIの化合物（例えば、ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β）。
メッキ速度を更に向上するために、金属化合物は、以下の化合物から少なくとも一つ選択される。
（１）ナノ酸化第一銅及びナノ銅酸化物。
（２）式Iの化合物（例えば、ＴｉＯ2-σ）。
（３）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素である式IIの化合物。
（４）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＭ21及びＭ22を有し、Ｍ21がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ22がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の７族からなる群から選択される元素の少なくとも一つである式IIの化合物。
また、（５）式VIの化合物（例えば、ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β）。
（１）ナノ酸化第一銅及びナノ銅酸化物。
（２）式Iの化合物（例えば、ＴｉＯ2-σ）。
（３）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素である式IIの化合物。
（４）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＭ21及びＭ22を有し、Ｍ21がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ22がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の７族からなる群から選択される元素の少なくとも一つである式IIの化合物。
また、（５）式VIの化合物（例えば、ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β）。
金属化合物は、以下の化合物から少なくとも一つ選択されることがより好ましい。
（１）ナノ酸化第一銅及びナノ銅酸化物。
（２）式Iの化合物（例えば、ＴｉＯ2-σ）。
（３）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素である式IIの化合物。
（４）式VIの化合物（例えば、ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β）。
（１）ナノ酸化第一銅及びナノ銅酸化物。
（２）式Iの化合物（例えば、ＴｉＯ2-σ）。
（３）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素である式IIの化合物。
（４）式VIの化合物（例えば、ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β）。
金属化合物は、ナノ酸化第一銅、ナノ銅酸化物、式Iの化合物（例えば、ＴｉＯ2-σ）、及び式IIIの化合物（例えば、ＣｕＦｅＯ4-δ）から少なくとも一つ選択されることが更に好ましく、向上したより速いメッキ速度を得ることができる。
加えて、インク組成物における金属化合物が次の化合物から少なくとも一つ選択された場合、当該インク組成物を用いることで基板表面上にインク層を形成することと、本開示の方法によって金属層をメッキすることとにより形成される信号経路が、高い信号感度を有し得ることを、本開示の発明者は発見した。（１）ナノ酸化第一銅及びナノ銅酸化物、（２）式Iの化合物（例えば、ＴｉＯ2-σ）、（３）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１０族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の６族からなる群から選択される一つの元素である式IIの化合物である。
信号感度を更に向上するために、金属化合物は、以下の化合物から少なくとも一つ選択される。（１）ナノ酸化第一銅及びナノ銅酸化物、（２）式Iの化合物（例えば、ＴｉＯ2-σ）、及び（３）式Vの化合物（例えば、ＮｉＭｏＯ4-μ）である。金属化合物は、ナノ酸化第一銅、ナノ銅酸化物、及び式Iの化合物（例えば、ＴｉＯ2-σ）から選択される少なくとも一つであることが更に好ましい。
本開示の一の実施形態において、金属化合物の平均粒子径は、特定の目的に従って適切に選択されてもよい。一般的には、金属化合物は１μｍ未満の平均粒子径を有する。金属化合物は、約１〜５００ｎｍの平均粒子径を有することが好ましい。金属化合物は、約１〜１００ｎｍの平均粒子径を有することがより好ましい。金属化合物の平均粒子径が約１〜１００ｎｍの範囲内である場合、本開示による方法は、基板表面上にインク組成物を塗布するためのインクジェット印刷の方法又はレーザー印刷の方法に特に適しており、高い生産効率を獲得し得る。また、金属層は基板に対して高い接着力を有し、微細なインクのパターンが得られる。従って、高い精度を有する線が更に得られる。本開示の一の実施形態において、金属化合物における上記範囲内の平均粒子径を作るために、先行技術において一般的に用いられている種々の方法が用いられ得る。例えば、金属化合物における上記範囲内の平均粒子径を作るために、切削法（grinding method）を適用することができる。切削法は、当技術分野で周知であるため、繰り返し言及する必要はない。
本開示の一の実施形態において、平均粒子径は、スタティックレーザーテスター（static laser tester）を用いて計測されてもよいし、体積平均粒子径であってもよい。
本開示の一の実施形態において、金属化合物は市販されていてもよく、例えばナノ銅酸化物、及びナノ酸化第一銅は、アラジンケミカルリージェントカンパニー（Aladdin Chemical Reagent Company）から市販されていてもよく、式の化合物は、大韓民国のボークワンケミカルカンパニー（Bo Kwang Chemical Company）から、Ｔｉｌｏｘという商標で市販されているチタンブラックであってもよい。
本開示の一の実施形態において、金属化合物はまた、先行技術における従来の方法によって製造されてもよい。
本開示の一の実施形態において、二酸化チタンがＮＨ3 雰囲気内でか焼が施されることで式Iの化合物が製造される。か焼の温度及び時間は、式Iのσの値に従って適切に温度が選択され得る。一般的に、か焼の温度は７３０〜８３０℃であってよく、か焼の時間は約２．５〜６時間であってもよい。ＮＨ3は、二酸化チタンを有するコンテナ内に継続的に投入されることが好ましく、アンモニアガスの流速は２〜６ｃｍ3 ／ｓであってもよい。
本開示の一の実施形態において、式IIの化合物に関しては、Ｍ1 の酸化物（M1 oxide）又はＭ1 の炭酸塩（M1 carbonate）（Ｍ1 の酸化物においては、Ｍ1 及びＯのモル比は（２／ｍ1 ）：１であり、ｍ1 はＭ1 の価数である）と、Ｍ2 の酸化物（M2 oxide）（Ｍ1 の酸化物においては、Ｍ1 及びＯのモル比は（２／ｍ2 ）：１であり、ｍ2 は、Ｍ2 の価数である）とを均一に混合し、混合物を形成する。混合物は、金属化合物（例えば、Ｍ1 Ｍ2 p Ｏq ）を得るために、非反応性雰囲気（non- reactive atmosphere）又は還元性雰囲気内でか焼される。Ｍ1 の酸化物（M1 oxide）の量又はＭ1 の炭酸塩（M1 carbonate）の量とＭ2 の酸化物（M2 oxide）の量とは、得られる金属化合物において、Ｍ1 及びＭ2 のモル比が１：ｐとなるように適切に選択される。
特には、式IIIの化合物に関しては、銅酸化物及び鉄酸化物を混合することで混合物を形成してもよい。また、混合物は、式IIIの化合物（例えば、ＣｕＦｅＯ4-δ）を得るために、非反応性雰囲気（non- reactive atmosphere）及び還元性雰囲気内でか焼されてもよい。式IVの化合物に関しては、当該化合物は、
マグネシウム酸化物及びガリウム酸化物を均一に混合し、混合物を形成するステップと、
式IVの化合物（例えば、ＭｇＧａ2 Ｏ4-λ）を得るために、非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）及び還元性雰囲気内で、当該混合物をか焼するステップと
によって得てもよい。
マグネシウム酸化物及びガリウム酸化物を均一に混合し、混合物を形成するステップと、
式IVの化合物（例えば、ＭｇＧａ2 Ｏ4-λ）を得るために、非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）及び還元性雰囲気内で、当該混合物をか焼するステップと
によって得てもよい。
式Vの化合物に関しては、当該化合物は、
ニッケル酸化物及びモリブデン酸化物を均一に混合し、混合物を形成するステップと、
式Vの化合物（例えば、ＮｉＭｏＯ4-μ）を得るために、非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）及び還元性雰囲気内で、当該混合物をか焼するステップと
によって得てもよい。
ニッケル酸化物及びモリブデン酸化物を均一に混合し、混合物を形成するステップと、
式Vの化合物（例えば、ＮｉＭｏＯ4-μ）を得るために、非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）及び還元性雰囲気内で、当該混合物をか焼するステップと
によって得てもよい。
式VIの化合物に関しては、当該化合物は、
炭酸カルシウム、銅酸化物、及びチタン酸化物を均一に混合し、混合物を形成するステップと、
式VIの化合物（例えば、ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β）を得るために、非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）及び還元性雰囲気内で、当該混合物をか焼するステップと
によって得てもよい。
炭酸カルシウム、銅酸化物、及びチタン酸化物を均一に混合し、混合物を形成するステップと、
式VIの化合物（例えば、ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β）を得るために、非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）及び還元性雰囲気内で、当該混合物をか焼するステップと
によって得てもよい。
本開示の一の実施形態において、か焼の温度は約５００〜１０００℃であってもよく、か焼の時間は約１〜１２時間であってもよい。
本開示の一の実施形態においては、非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）は、か焼の過程の間に反応物質及び反応生成物との化学的な相互作用を生じ得ない気体に関し、例えば、窒素とゼロ族の気体（アルゴン等）とである。本開示の一の実施形態においては、還元性雰囲気は、水素と非反応性気体とが混合されたものを有し、水素濃度は、先行技術において従来のように選択され得る。
本開示の一の実施形態において、インク組成物はまた、インク媒剤を含んでもよい。絶縁基板の表面上にインク組成物を塗布するとき、インク媒剤は、絶縁基板の表面上に金属化合物を均一に分散させ、いくらかの強度及び当該絶縁基板に対するいくらかの接着力を有する層を形成する役割を果たし得る。
インク媒剤が上記役割を果たし得るように選択される限りにおいては、当該インク媒剤の種類について、本開示は特別の制限を持たない。インク媒剤は、有機バインダであることが好ましい。インク媒剤は、アセチルセルロース、ポリアクリレート系樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルピロリドン、及びポリホスホン酸からなる群から選択される少なくとも一つであることがより好ましい。
本開示の一実施形態においては、インク媒剤は、アメリカ合衆国のイーストマンカンパニー（Eastman Company）からＣＡＢシリーズとして市販されているセルロースアセトブチレート（例えば、ＣＡＢ３８１−０．５、ＣＡＢ３８１−２０ ｏｆ ＣＡＢ５５１−０．２、及びＣＡＢ３８１−２の商標のセルロースアセトブチレート）であってもよい。また、インク媒剤は、日本の株式会社クラレからモビタール（Mowital）シリーズとして市販されているポリビニルブチラール（例えば、Ｍｏｗｉｔａｌ Ｂ ｏｆ ６０Ｔ、 Ｍｏｗｉｔａｌ Ｂ ７５Ｈ 、及びＭｏｗｉｔａｌ Ｂ ６０Ｈの商標のポリビニルブチラール）であってもよい。
本開示の一の実施形態において、インク媒剤及び金属化合物の相対比は、金属化合物を絶縁基板の表面上に均一に分散させ得、いくらかの強度及び絶縁基板に対するいくらかの接着力を有するインク層を形成し得、インク層上に金属層をメッキし得る。一般的に、本開示の一の実施形態において、金属化合物の１００重量部を基準として、インク媒剤の量は約１〜３０重量部であってもよい。式Iの化合物の１００重量部を基準として、インク媒剤の量は好ましくは約１．５〜１５重量部であってもよい。
本開示の一の実施形態においては、インク媒剤中に分散する金属化合物の均一性を更に改良するため、及び絶縁基板の表面上により均一な塗膜を形成するために、インク組成物はまた、溶媒を含むことが好ましい。本開示のインク組成物は、溶媒の種類に特別な制限を持たず、先行技術において従来から選択されている溶媒であってもよい。好ましくは、溶媒は、Ｈ2 Ｏ、Ｃ1 〜Ｃ12アルコール、Ｃ3 〜Ｃ12ケトン、Ｃ6 〜Ｃ12アレーン、Ｃ1 〜Ｃ12ハロゲン化アルキル、及びＣ2 〜Ｃ12ハロゲン化オレフィンからなる群から選択される少なくとも一つである。特には、溶媒は、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、ｎ−ヘキサノール、ｎ−ヘプタノール、ｎ−オクタノール、アセトン、２−ｎ−アミルケトン、２−ｎ−ブタノン、３−メチル−２−ペンタノン、２，３−ブタンジオン、２，３−ペンタンジオン、２，５−ヘキサンジオン、１，３−シクロヘキサンジオン、トルエン、キシレン、及びトリクロロエチレンからなる群から選択される少なくとも一つであってもよい。
本開示の実施形態によれば、溶媒の量に特別な制限はなく、先行技術において従来から使用されている量の何れであってもよい。金属化合物がインク媒剤中に均一に分散され、絶縁基板上に塗膜層を形成可能となることを確保するために、溶媒の含有量は、金属化合物の１００重量部を基準として、約２０〜２００重量部であり、約３０〜１００重量部であることが好ましい。
本開示の一の実施形態において、インク組成物はまた、本開示のインク組成物に特定の性能又は機能性を与えるための特定の目的に従う各種の一般的な助剤を含んでいてもよい。助剤は、分散剤、消泡剤、つや消し剤、及び粘度調整剤からなる群から選択される少なくとも一つであることが好ましい。
助剤の使用量は、先行技術において従来選択されている量であってもよい。助剤の総量は、金属化合物の１００重量部を基準として、約０．１〜２０重量部であることが好ましく、約０．５〜１０重量部であることが好ましい。
本開示の一の実施形態においては、分散剤は、インク媒剤及び任意の溶媒中の金属化合物を分散させるための時間を短縮するためと、インク媒剤及び任意の溶媒中の金属化合物の分散安定性を高めるためとに用いられる。分散剤は、先行技術において上記機能を達成することができる各種の一般的な物質であってもよい。例えば当該分散剤は、脂肪族アミンの分散剤、アルコールアミンの分散剤、環状不飽和アミン（cyclic unsaturated amine）の分散剤、脂肪酸の分散剤、脂肪族アミドの分散剤、エステルの分散剤、パラフィンの分散剤、リン酸塩（phosphate）の分散剤、ポリマーの分散剤（例えば、アクリレートの分散剤及びポリエステルの分散剤）、並びに有機ホスホン酸の分散剤（organic phosphonic dispersant）のような、先行技術において一般的に使用されている有機分散剤であってもよい。
本開示の一の実施形態においては、分散剤は、先行技術における各種の一般的な市販の分散剤であってもよい。具体的には、当該分散剤は、以下の分散剤からなる群から少なくとも一つ選択されてもよい。ＡＮＴＩ−ＴＥＲＲＡ−Ｕ、ＡＮＴＩ−ＴＥＲＲＡ−Ｕ ８０、ＡＮＴＩ−ＴＥＲＲＡ−Ｕ １００、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１０１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１３０、ＢＹＫ−２２０ Ｓ、ＬＡＣＴＩＭＯＮ、ＬＡＣＴＩＭＯＮ−ＷＳ、ＢＹＫ−Ｗ ９６６、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ、ＢＹＫ−１５４、ＢＹＫ−９０７６、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１０８、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１０９、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１１０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１０２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１１１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１８０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１０６、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１８７、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１８１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１４０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１４２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１４５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１１５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６３、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６４、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６６、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６７、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１８２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１８３、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１８４、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１８５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６８、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６９、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１７０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１７１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１７４、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１９０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２１５０、ＢＹＫ−９０７７、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１１２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１１６、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１９１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１９２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０００、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２００１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０１０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０２０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０２５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０５０、及びＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０７０の商標で、ドイツのビーワイケイカンパニー（BYK Company）から市販されている分散剤。ＰＨＯＳＰＨＬＡＮ ＰＳ−２６の商標でオランダのアクゾノーベルカンパニー（Akzo Nobel Company）から市販されている分散剤。ＰＳ−２１Ａの商標でアメリカ合衆国のウィトコケミカルカンパニー（Witco Chemical Company）から市販されている分散剤。イギリスのコロダカンパニー（Croda Company）から市販されている、ハイペルマー・ケイディー（Hypermer KD）シリーズ及びゼフリム・ピーディー（Zephrym PD）シリーズの分散剤。
本開示の一の実施形態において、分散剤の使用量は、先行技術における従来の使用量であってもよい。一般的には、分散剤の量は、金属化合物１００重量部を基準として、約０．１〜４重量部であってもよい。
本開示の一の実施形態において、消泡剤は、先行技術において泡の形成を抑えることができる各種の一般的な物質であってもよく、形成された泡を破壊又は系から遊離することができる各種の一般的な物質であってもよい。例えば、当該消泡剤は、有機シリコーンの消泡剤、ポリエーテルの消泡剤、高級アルコールの消泡剤であってもよい。当該消泡剤は、有機シリコーンの消泡剤が好ましい。
本開示の一の実施形態において、消泡剤は、先行技術における各種の一般的な市販の消泡剤であってもよい。具体的には、当該消泡剤は、ＢＹＫ−０５１、ＢＹＫ−０５２、ＢＹＫ−０５３、ＢＹＫ−０５５、ＢＹＫ−０５７、ＢＹＫ−０２０、ＢＹＫ−０６５、ＢＹＫ−０６６Ｎ、ＢＹＫ−０６７Ａ、ＢＹＫ−０７０、ＢＹＫ−０８０Ａ、ＢＹＫ−０８８、ＢＹＫ−１４１、ＢＹＫ−０１９、ＢＹＫ−０２１、ＢＹＫ−０２２、ＢＹＫ−０２３、ＢＹＫ−０２４、ＢＹＫ−０２５、ＢＹＫ−０２８、ＢＹＫ−０１１、ＢＹＫ−０３１、ＢＹＫ−０３２、ＢＹＫ−０３３、ＢＹＫ−０３４、ＢＹＫ−０３５、ＢＹＫ−０３６、ＢＹＫ−０３７、ＢＹＫ−０３８、ＢＹＫ−０４５、ＢＹＫ−Ａ５３０、ＢＹＫ−Ａ５５５、ＢＹＫ−０７１、ＢＹＫ−０６０、ＢＹＫ−０１８、ＢＹＫ−０４４、及びＢＹＫ−０９４の商標で、ドイツのビーワイケイカンパニー（BYK Company）から市販されている消泡剤からなる群から少なくとも一つ選択されてもよい。
本開示の一の実施形態において、消泡剤の使用量は、先行技術における従来からの使用量であってもよい。好ましくは、消泡剤の使用量は、金属化合物の１００重量部を基準として、約０．１〜３重量部であってもよい。
本開示の一の実施形態において、つや消し剤は、インク組成物がより平坦で、滑らかで、均一な塗膜層を、乾燥及び塗膜形成の工程中に形成することを促進するために用いられる。本開示は、つや消し剤の種類に特別な制限を持たず、先行技術において上記機能を達成することができる各種の一般的な物質であってもよい。例えば、当該つや消し剤は、ポリアクリレートのつや消し剤、ポリジメチルシロキサンのつや消し剤、ポリメチルフェニルシロキサンのつや消し剤、及び含フッ素界面活性剤からなる群から少なくとも一つ選択されてもよい。
本開示の一の実施形態において、つや消し剤は、先行技術における各種の一般的な市販のつや消し剤であってもよい。例えば、当該つや消し剤は、ＢＹＫ−３３３、ＢＹＫ−３０６、ＢＹＫ−３５８Ｎ、ＢＹＫ−３１０、ＢＹＫ−３５４、及びＢＹＫ−３５６の商標で、ドイツのビーワイケイカンパニー（BYK Company）から市販されているつや消し剤からなる群から少なくとも一つ選択されてもよい。
本開示の一の実施形態において、つや消し剤の使用量は、従来の使用量であってもよく、特別な制限はない。つや消し剤の量は、金属化合物の１００重量部を基準として、約０．３〜４重量部であることが好ましい。
本開示の一の実施形態において、粘度調整剤は、インク組成物の粘度を調整するために用いられる。本開示は、粘度調整剤の種類に特別の制限を持たず、先行技術において従来から選択されるものであってもよい。例えば、粘度調整剤は、ガスシリカ（gas silica）、ポリアミドのろう、有機ベントナイト、水素化ヒマシ油（hydrogenated castor oil）、金属せっけん、ヒドロキシアルキルセルロース及びその誘導体、ポリビニルアルコール、並びにポリアクリレートからなる群から少なくとも一つ選択されてもよい。
本開示の一の実施形態において、粘度調整剤の使用量は、先行技術において従来から選択される程度であってもよい。粘度調整剤の量は、金属化合物の１００重量部を基準として、約０．３〜３重量部であることが好ましい。
本開示の一の実施形態において、インク組成物は、上記のように定義された、金属化合物、インク媒剤、溶媒、消泡剤、つや消し剤、及び粘度調整剤を含む。金属化合物の１００重量部を基準として、インク媒剤の量は約１〜３０重量部であり、溶媒の量は約２０〜２００重量部であり、分散剤の量は約０．４〜４重量部であり、消泡剤の量は約０．１〜３重量部であり、つや消し剤の量は約０．３〜４重量部であり、粘度調整剤の量は約０．３〜３重量部である。
本開示によるインク組成物の製造方法は、金属化合物及びインク媒剤と任意の溶媒及び助剤とを均一に混合し得る限りにおいては特別に制限されない。例えば、金属化合物及びインク媒剤と任意の溶媒及び助剤とを混合器（遊星型ボールミル等）内で混合し、本開示のインク組成物を得てもよい。混合器内で均一に混合する方法及び条件は当技術分野で知られているため、繰り返し言及する必要はない。
本開示の一の実施形態においては、絶縁基板の表面上にインク組成物を塗布するために、先行技術における各種の一般的な方法を適用し得る。例えば、スクリーン印刷、吹き付け、レーザー印刷、インクジェット印刷、転写印刷、グラビア印刷、活版印刷、及びリトグラフからなる群から選択される少なくとも一つの方法を用いることにより、絶縁基板におけるメッキするための表面上に、インク組成物が塗布されてもよい。本開示による方法は、特には、インクジェット印刷又はレーザー印刷の手段によって絶縁基板のメッキするための表面上にインク組成物を塗布することに適している。上記のスクリーン印刷、吹き付け、レーザー印刷、インクジェット印刷、転写印刷、グラビア、活版印刷、及びリトグラフにおける具体的な操作方法及び条件は、当技術分野において周知であり、繰り返し言及する必要はない。
本開示の一の実施形態において、当該方法はまた、絶縁基板の表面上にインク組成物を塗布し、インク組成物を有する基板に乾燥を施すことを備えていてもよい。本開示の乾燥方法は特別な制限を持たず、インク組成物中のインク媒剤及び任意の溶媒の種類によって適切に選択され得る。例えば、乾燥温度は、約８０〜１５０℃であってもよく、乾燥時間は約０．５〜５時間であってもよい。
本開示の一の実施形態において、絶縁基板の表面上に電気メッキ又は化学メッキが実行され、その後絶縁基板における表面のメッキが得られる限り、インク層の厚さは、インク組成物の構成物質によって適切に選択され得る。好ましくは、インク層は約８〜５０ミクロンの厚さを有し得る。より好ましくは、インク層は、約１２〜４０ミクロンの厚さを有し得る。更に好ましくは、インク層は、約１２〜２５ミクロンの厚さを有し得る。
本開示の一の実施形態において、当該方法は更に、メッキするステップの前に、インク層を有する絶縁基板に非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）内において約５００〜１０００℃の温度で加熱処理を施すことを備えていてもよい。これは、本開示の方法によって形成される金属層の基板に対する接着力（例えば、結合力）を更に向上し得る。基板に対する金属層の接着力を更に向上するためには、加熱処理の温度を約７００〜９００℃とする。最終的に形成される金属層の基板に対する接着力の向上を確保する限りにおいては、本開示は加熱処理の時間に対して特別の制限を持たない。加熱処理の時間は、約１〜５時間が好ましい。本開示の一の実施形態においては、加熱処理は非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）で実行され、非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）は、化学的に不活性の気体によって形成されている雰囲気に関し、例えば、窒素雰囲気、ゼロ族ガス（Ａｒ等）によって形成される雰囲気である。
本開示の一の実施形態においては、最終的に形成される金属層の基板に対する接着力を更に向上するために、絶縁基板におけるメッキするための表面上にインク組成物を塗布する手段は、インク組成物及び無機バインダを混合し、混合物を形成することと、メッキするための表面に混合物を塗布することとを備える。無機バインダの量は、インク組成物の１００重量部を基準として、約１〜１５重量部である。無機バインダの量は、インク組成物の１００重量部を基準として、約５〜１０重量部であることが好ましい。
本開示の方法は、無機バインダの種類に特別の制限を持たず、先行技術における各種の一般的な無機バインダであってもよい。無機バインダは、ＳｉＯ2 、ＣａＯ、Ｎａ2 Ｏ、ＺｎＯ、及びＮｉ2 Ｏ3 からなる群から少なくとも一つ選択されることが好ましい。
本開示の一の実施形態において、当該方法は更に、電気メッキ又は化学メッキを用いることによりインク層を有する絶縁基板上に少なくとも一つの金属層をメッキすることを備えていてもよい。本開示による方法は、絶縁基板の表面に直接化学メッキ又は電気メッキを行いうる。また、化学メッキ又は電気メッキの工程中、インク層を有さない絶縁基板の表面にはメッキされない。本開示による方法は、高い生産効率を有するだけでなく微細なメッキパターンを形成し得る。
本開示の一の実施形態において、基板表面のインク層上への化学メッキ又は電気メッキの方法は、特別の制限を持たず、先行技術において従来から選択されるものであってもよく、繰り返し言及する必要はない。
本開示の一の実施形態において、特定の動作要件に従って、インク層を有する基板表面上に化学メッキ又は電気メッキが少なくとも１回実行され、基板表面上に少なくとも一つの金属層を形成してもよい。本開示の一の実施形態においては、基板上に少なくとも１回化学メッキ又は金属メッキを行い、基板表面上に多層化した金属層を形成する場合、各金属層の構成物質及び厚さは、特定の動作要件によって適切に選択され得、各金属層は同じであってもよいし異なっていてもよい。
好ましくは、金属層は少なくとも２層を備え得る。一の実施形態において、基板表面上にＣｕの層が形成され、当該Ｃｕの層の外面にＮｉの層が形成される。一の実施形態において、基板表面上にＣｕの層が形成され、当該Ｃｕの層の外面にＮｉの層が形成される。一の実施形態において、基板表面上に第１のＮｉの層が形成され、当該第１のＮｉの層の外面にＣｕの層が形成され、当該Ｃｕの層の外面に第２のＮｉの層が形成される。一の実施形態において、基板表面上に第１のＮｉの層が形成され、当該第１のＮｉの層の外面にＣｕの層が形成され、当該Ｃｕの層の外面に第２のＮｉの層が形成され、当該第２のＮｉの層の外面にＡｕの層が形成される。一の実施形態において、基板表面上にＣｕの層が形成され、当該Ｃｕの層の外面にＮｉの層が形成され、当該Ｎｉの層の外面にＡｇの層が形成される。当該特定の動作要件を満たし得る限りにおいては、各金属層の厚さに対して、本開示の方法は特別の制限を持たない。一般的には、Ｎｉの層の厚さは約３〜４ミクロンとなり得、Ｃｕの層の厚さは約１０〜６０ミクロンとなり得、Ａｕの層の厚さは約０．０２〜０．０８ミクロンとなり得る。
本開示の一の実施形態において、絶縁基板は、セラミック基板、ガラス基板、又はセメント基板であってもよい。絶縁基板は、セラミック基板であることが好ましい。
本開示はまた、本開示の方法によって製造されたメッキされている表面を有している物品を提供する。上述のインク組成物又は方法の特徴及び効果はまた、当該物品に適用できることに留意されたい。本開示の物品は、基板に対して金属層表面の高い接着力を有する。また、本開示の物品は、信号変換部品として用いられた場合に、非常に高い信号感度を有する。
本発明は更に、以下に実験例として記載される。実験例及び比較例での原料は、全て市販されているものである。
以下の実験例においては、金属化合物の組成は、光電子分光法（ＸＰＳ）によって計測される。
以下の実験例においては、金属化合物の平均粒子径は、チョントゥーファインニューパウダーテスティングイクイップメント（Chengdu fine new Powder Testing Equipment）株式会社から市販されているレーザー粒子径テスター（laser particle size tester）を用いて計測される。平均粒子径は、体積平均粒子径である。
以下の実験例においては、インク層の厚さは、走査電子顕微鏡法（ＳＥＭ）を用いて計測される。
以下の実験例においては、基板表面に形成される金属層の接着力は、クロスカットテープ試験（Cross-Cut Tape Test）の手段によって計測される。特には、クロスカットテープ試験は、１０×１０の正方形からなり、各正方形が１ｍｍ×１ｍｍである格子模様の切れ目を試験試料の表面に入れることを備え、各切れ目は金属層の底層まで達している。またクロスカットテープ試験は、ブラシを用いて試験試料を清掃し、試験領域から屑を取り除くことと、格子模様を覆ってテープ（３Ｍ Ｎｏ．６００のテープ）を接着することと、自由端をつかみ、垂直方向に素早く引張り取ることによってテープを取り除くこととを備えている。同じ部分に同じ試験が２回繰り返され、以下の基準に従って、接着力の等級が決定される。
５Ｂ：切れ目の縁が滑らかであり、格子の正方形が何れも剥離していない。
４Ｂ：格子の交差点で小さな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が５％未満である。
３Ｂ：格子の交差点及び縁に小さな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が５〜１５％である。
３Ｂ：格子の交差点及び縁に大きな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が５〜１５％である。
２Ｂ：格子の交差点及び縁に大きな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が１５〜３５％である。
１Ｂ：格子の交差点及び縁に大きな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が３５〜６５％である。
０Ｂ：格子の交差点及び縁に大きな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が６５％よりも大きい。
５Ｂ：切れ目の縁が滑らかであり、格子の正方形が何れも剥離していない。
４Ｂ：格子の交差点で小さな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が５％未満である。
３Ｂ：格子の交差点及び縁に小さな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が５〜１５％である。
３Ｂ：格子の交差点及び縁に大きな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が５〜１５％である。
２Ｂ：格子の交差点及び縁に大きな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が１５〜３５％である。
１Ｂ：格子の交差点及び縁に大きな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が３５〜６５％である。
０Ｂ：格子の交差点及び縁に大きな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が６５％よりも大きい。
以下の実験例においては、全等方感度（Total Isotropic Sensitivity: TIS）は、ＹＤ／Ｔ １４８４−２００６に規定する方式を用いて計測され、ＧＭＳ１８００のシステムが適用される。また、基板の表面がメッキされ、受信機のアンテナとしてのパターンを形成する。計測は、自由空間中においてアンテナが機能しないモードの下で行われ、計測の周波数は２１１２ＭＨｚである。計測結果は、ｄＢｍの単位で示され、その絶対値が大きくなるにつれ、信号の感度が高くなる。
実験例１〜３１は、基板表面にメッキする方法を説明するために用いられる。
実験例１
（１）８０ｇのＣｕＯ粉末及び８０ｇのＦｅ2 Ｏ3 粉末を均一に混合することで混合物を形成し、その後混合物をエタノールの媒体下において１２時間ボールミル内で砕いた。ボールミル生成物が乾燥した後、乾燥した混合物には、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で７５０℃の温度で５時間か焼が施され、か焼された生成物が形成された。その後、か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径になるまで砕かれた。製造された生成物はＣｕＦｅＯ3.98であった。
（１）８０ｇのＣｕＯ粉末及び８０ｇのＦｅ2 Ｏ3 粉末を均一に混合することで混合物を形成し、その後混合物をエタノールの媒体下において１２時間ボールミル内で砕いた。ボールミル生成物が乾燥した後、乾燥した混合物には、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で７５０℃の温度で５時間か焼が施され、か焼された生成物が形成された。その後、か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径になるまで砕かれた。製造された生成物はＣｕＦｅＯ3.98であった。
（２）ステップ（１）で製造された１００ｇの生成物と、１５ｇのポリビニルブチラール（Ｍｏｗｉｔａｌの商標で日本の株式会社クラレから市販されている）と、２０ｇのトルエンとが均一に混合されることで、本実験例のインク組成物が得られた。
（３）ステップ（２）で製造されたインク組成物は、インクジェット印刷の方法によりＡｌ2 Ｏ3 セラミック基板の表面上に塗布され、約１２０℃の温度で３時間乾燥され、その後、窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理が施された。そうすることで、インク層が基板表面に形成され、当該インク層は約１２μｍの厚さを有した。
（４）インク層を有する基板表面に電気メッキが施され、銅板層を形成した。また、電流の強さは３Ａ／ｃｍ2 であった。
比較例１
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で５時間加熱処理を施す処理は省略された。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で５時間加熱処理を施す処理は省略された。
実験例２
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。
ステップ（１）において、８０ｇのＣｕＯ粉末及び８０ｇのＦｅ2 Ｏ3 粉末を均一に混合することで混合物を形成し、混合物をエタノールの媒体下において１２時間ボールミル内で砕いた。ボールミル生成物が乾燥した後、乾燥した混合物には、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で１０００℃の温度で１２時間か焼が施され、か焼された生成物を形成した。その後、か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径になるまで砕かれた。製造された生成物はＣｕＦｅＯ3.2 であった。
ステップ（３）において、ステップ（２）で製造されたインク組成物が、Ｎｉ2 Ｏ3 と均一に混合され（１００ｇのインク組成物を基準として、Ｎｉ2 Ｏ3 の使用量は１０ｇであった）、混合物を形成した。得られた混合物は、インクジェット印刷の方法によってＺｒＯ2 セラミック基板の表面に塗布され、約１２０℃の温度で３時間乾燥された。その後、乾燥した混合物は、窒素雰囲気内において約９００℃の温度で１時間加熱処理が施された。そうすることで、基板層上にインク層が形成され、当該インク層は約１５μｍの厚さを有した。
ステップ（４）において、インク層を有する表面を持つ基板がメッキ溶液内に配され、化学メッキを施した。メッキ溶液の組成は、０．１２ｍｏｌ／ＬのＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ、０．１４ｍｏｌ／ＬのＮａ2 ＥＤＴＡ・２Ｈ2Ｏ、１０ｍｇ／Ｌのフェロシアン化カリウム、１０ｍｇ／Ｌの２，２’−ビピリジン、０．１０ｍｏｌ／Ｌのグリオキシル酸であった。メッキ溶液は、ＮａＯＨ及びＨ2 ＳＯ4 の溶液を用いることによりｐＨ１２．５〜１３に調整された。また、メッキ溶液の温度は５０度であった。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。
ステップ（１）において、８０ｇのＣｕＯ粉末及び８０ｇのＦｅ2 Ｏ3 粉末を均一に混合することで混合物を形成し、混合物をエタノールの媒体下において１２時間ボールミル内で砕いた。ボールミル生成物が乾燥した後、乾燥した混合物には、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で１０００℃の温度で１２時間か焼が施され、か焼された生成物を形成した。その後、か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径になるまで砕かれた。製造された生成物はＣｕＦｅＯ3.2 であった。
ステップ（３）において、ステップ（２）で製造されたインク組成物が、Ｎｉ2 Ｏ3 と均一に混合され（１００ｇのインク組成物を基準として、Ｎｉ2 Ｏ3 の使用量は１０ｇであった）、混合物を形成した。得られた混合物は、インクジェット印刷の方法によってＺｒＯ2 セラミック基板の表面に塗布され、約１２０℃の温度で３時間乾燥された。その後、乾燥した混合物は、窒素雰囲気内において約９００℃の温度で１時間加熱処理が施された。そうすることで、基板層上にインク層が形成され、当該インク層は約１５μｍの厚さを有した。
ステップ（４）において、インク層を有する表面を持つ基板がメッキ溶液内に配され、化学メッキを施した。メッキ溶液の組成は、０．１２ｍｏｌ／ＬのＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ、０．１４ｍｏｌ／ＬのＮａ2 ＥＤＴＡ・２Ｈ2Ｏ、１０ｍｇ／Ｌのフェロシアン化カリウム、１０ｍｇ／Ｌの２，２’−ビピリジン、０．１０ｍｏｌ／Ｌのグリオキシル酸であった。メッキ溶液は、ＮａＯＨ及びＨ2 ＳＯ4 の溶液を用いることによりｐＨ１２．５〜１３に調整された。また、メッキ溶液の温度は５０度であった。
実験例３
基板表面は、以下を除いて実験例２と略同じ方法によってメッキされた。Ｎｉ2 Ｏ3は使用されない。
基板表面は、以下を除いて実験例２と略同じ方法によってメッキされた。Ｎｉ2 Ｏ3は使用されない。
実験例４
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。ＣａＣｕ3 Ｔｉ4 Ｏ12（フゥ チアーン（Fu Qiang）等著，ＣａＣｕ3 Ｔｉ4 Ｏ12セラミックの製造方法及びその特質(Preparation method of CaCu3 Ti4 O12ceramics and property thereof)，ウーハン大学アカデミックジャーニー（自然科学版）（Wuhan University Academic Journey (Natural Science Version)），２００８年，５４（４）巻３８１〜３８４ページ、その後の同様のもの)は、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で約８００℃の温度で５時間か焼が施され、か焼された生成物を形成した。その後、か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径になるまでボールミル内で砕かれた。製造された生成物はＣａ0.1 Ｃｕ0.9 ＴｉＯ2.95であった。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。ＣａＣｕ3 Ｔｉ4 Ｏ12（フゥ チアーン（Fu Qiang）等著，ＣａＣｕ3 Ｔｉ4 Ｏ12セラミックの製造方法及びその特質(Preparation method of CaCu3 Ti4 O12ceramics and property thereof)，ウーハン大学アカデミックジャーニー（自然科学版）（Wuhan University Academic Journey (Natural Science Version)），２００８年，５４（４）巻３８１〜３８４ページ、その後の同様のもの)は、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で約８００℃の温度で５時間か焼が施され、か焼された生成物を形成した。その後、か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径になるまでボールミル内で砕かれた。製造された生成物はＣａ0.1 Ｃｕ0.9 ＴｉＯ2.95であった。
比較例２
基板表面は、以下を除いて実験例５と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理を施す処理が省略された。
基板表面は、以下を除いて実験例５と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理を施す処理が省略された。
実験例５
基板表面は、以下を除いて実験例４と略同じ方法によってメッキされた。ステップ（２）で製造されたインク組成物がＳｉＯ2 と均一に混合され（１００ｇのインク組成物と比較すると、ＳｉＯ2 の使用量は１０ｇであった）、混合物を形成した。その後、混合物は、インクジェット印刷の方法によってＡｌ2 Ｏ3 セラミック基板の表面上に塗布された。そうすることで、基板表面上にインク層が形成された。
基板表面は、以下を除いて実験例４と略同じ方法によってメッキされた。ステップ（２）で製造されたインク組成物がＳｉＯ2 と均一に混合され（１００ｇのインク組成物と比較すると、ＳｉＯ2 の使用量は１０ｇであった）、混合物を形成した。その後、混合物は、インクジェット印刷の方法によってＡｌ2 Ｏ3 セラミック基板の表面上に塗布された。そうすることで、基板表面上にインク層が形成された。
実験例６
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。４ｇのＭｇＯ粉末及び１８．７ｇのＧａ2 Ｏ3 粉末が均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物はボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物は乾燥された後、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）内で約１０００℃の温度で約１２時間か焼が施され、か焼された生成物を形成した。その後、か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。最終的に製造された生成物は、ＭｇＧａ2 Ｏ3.8 であった。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。４ｇのＭｇＯ粉末及び１８．７ｇのＧａ2 Ｏ3 粉末が均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物はボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物は乾燥された後、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）内で約１０００℃の温度で約１２時間か焼が施され、か焼された生成物を形成した。その後、か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。最終的に製造された生成物は、ＭｇＧａ2 Ｏ3.8 であった。
実験例７
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。５４．１ｇのＣｕＯ（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約４０ｎｍの平均粒子径を有する）と、２７．１ｇのＦｅ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）と、２９．６ｇのＭｎ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約２００ｎｍの平均粒子径を有する）とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、約１０００℃の温度で１０時間か焼され、か焼された生成物を得た。得られたか焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。最終的に製造された生成物は、ＣｕＦｅ0.5 Ｍｎ0.5 Ｏ2.5 であった。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。５４．１ｇのＣｕＯ（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約４０ｎｍの平均粒子径を有する）と、２７．１ｇのＦｅ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）と、２９．６ｇのＭｎ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約２００ｎｍの平均粒子径を有する）とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、約１０００℃の温度で１０時間か焼され、か焼された生成物を得た。得られたか焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。最終的に製造された生成物は、ＣｕＦｅ0.5 Ｍｎ0.5 Ｏ2.5 であった。
比較例３
基板表面は、以下を除いて実験例７と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理を施す処理が省略された。
基板表面は、以下を除いて実験例７と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理を施す処理が省略された。
実験例８
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。５４．１ｇのＣｕＯ（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約４０ｎｍの平均粒子径を有する）と、２７．１ｇのＦｅ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）と、１７．３ｇのＡｌ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がＮ2 雰囲気内で１０００℃の温度で１０時間か焼され、か焼された生成物を得た。その後、か焼された生成物は、ボールミル内で約８０ｎｍの平均粒子径を有する粉末となるまで砕かれた。最終的に製造された生成物は、ＣｕＦｅ0.5 Ａｌ0.5 Ｏ2.5 であった。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。５４．１ｇのＣｕＯ（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約４０ｎｍの平均粒子径を有する）と、２７．１ｇのＦｅ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）と、１７．３ｇのＡｌ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がＮ2 雰囲気内で１０００℃の温度で１０時間か焼され、か焼された生成物を得た。その後、か焼された生成物は、ボールミル内で約８０ｎｍの平均粒子径を有する粉末となるまで砕かれた。最終的に製造された生成物は、ＣｕＦｅ0.5 Ａｌ0.5 Ｏ2.5 であった。
実験例９
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。５４．１ｇのＣｕＯ（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約４０ｎｍの平均粒子径を有する）と、１３．６ｇのＦｅ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）と、８．７ｇのＡｌ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）と、２６．９ｇのＭｎ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約２００ｎｍの平均粒子径を有する）とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がＮＨ3 雰囲気内で１０００℃の温度で２０時間か焼され、か焼された生成物を得た。その後、か焼された生成物は、ボールミル内で約８０ｎｍの平均粒子径を有する粉末となるまで砕かれた。最終的に製造された生成物は、ＣｕＦｅ0.25Ａｌ0.25Ｍｎ0.5 Ｏ2.5 であった。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。５４．１ｇのＣｕＯ（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約４０ｎｍの平均粒子径を有する）と、１３．６ｇのＦｅ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）と、８．７ｇのＡｌ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）と、２６．９ｇのＭｎ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約２００ｎｍの平均粒子径を有する）とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がＮＨ3 雰囲気内で１０００℃の温度で２０時間か焼され、か焼された生成物を得た。その後、か焼された生成物は、ボールミル内で約８０ｎｍの平均粒子径を有する粉末となるまで砕かれた。最終的に製造された生成物は、ＣｕＦｅ0.25Ａｌ0.25Ｍｎ0.5 Ｏ2.5 であった。
実験例１０
基板表面は、以下を除いて実験例９と略同じ方法によってメッキされた。ステップ（２）で製造されたインク組成物がＳｉＯ2 と均一に混合され（１００ｇのインク組成物と比較すると、ＳｉＯ2 の使用量は５ｇであった）、混合物を形成した。得られた混合物は、インクジェット印刷の方法によってＡｌ2 Ｏ3 セラミック基板の表面上に塗布された。
基板表面は、以下を除いて実験例９と略同じ方法によってメッキされた。ステップ（２）で製造されたインク組成物がＳｉＯ2 と均一に混合され（１００ｇのインク組成物と比較すると、ＳｉＯ2 の使用量は５ｇであった）、混合物を形成した。得られた混合物は、インクジェット印刷の方法によってＡｌ2 Ｏ3 セラミック基板の表面上に塗布された。
実験例１１
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。５８ｇのＣｕＯと、３４ｇのＧａ2 Ｏ3 と、１４ｇのＢ2 Ｏ3 とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物が、乾燥された後、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で約１０００℃の温度で約１２時間か焼され、か焼された生成物を得た。その後、か焼された生成物は約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＣｕＧａ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 であった。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。５８ｇのＣｕＯと、３４ｇのＧａ2 Ｏ3 と、１４ｇのＢ2 Ｏ3 とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物が、乾燥された後、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で約１０００℃の温度で約１２時間か焼され、か焼された生成物を得た。その後、か焼された生成物は約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＣｕＧａ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 であった。
比較例４
基板表面は、以下を除いて実験例１１と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理が施される処理は省略された。
基板表面は、以下を除いて実験例１１と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理が施される処理は省略された。
実験例１２
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。８０ｇのＣｕＯと４０ｇのＦｅ2 Ｏ3 と１７ｇのＢ2 Ｏ3 とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物が、乾燥された後、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で約１０００℃の温度で約１２時間か焼され、か焼された生成物を得た。その後、か焼された生成物は約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＣｕＦｅ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 であった。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。８０ｇのＣｕＯと４０ｇのＦｅ2 Ｏ3 と１７ｇのＢ2 Ｏ3 とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物が、乾燥された後、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で約１０００℃の温度で約１２時間か焼され、か焼された生成物を得た。その後、か焼された生成物は約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＣｕＦｅ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 であった。
比較例５
基板表面は、以下を除いて実験例１２と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理が施される処理は省略された。
基板表面は、以下を除いて実験例１２と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理が施される処理は省略された。
実験例１３
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。４５ｇのＮｉ2 Ｏ3 と、８０ｇのＣｕＯと、１８ｇのＢ2 Ｏ3 とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物が、乾燥された後、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で約１０００℃の温度で約１２時間か焼され、か焼された生成物を得た。その後、か焼された生成物は約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＣｕＮｉ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 であった。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。４５ｇのＮｉ2 Ｏ3 と、８０ｇのＣｕＯと、１８ｇのＢ2 Ｏ3 とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物が、乾燥された後、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で約１０００℃の温度で約１２時間か焼され、か焼された生成物を得た。その後、か焼された生成物は約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＣｕＮｉ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 であった。
実験例１４
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。８０ｇのＣｕＯ及び２５ｇのＢ2 Ｏ3 が均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物は、乾燥された後、空気雰囲気下で約９００℃の温度で約６時間か焼された。か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＣｕＢ0.7 Ｏ2 であった。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。８０ｇのＣｕＯ及び２５ｇのＢ2 Ｏ3 が均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物は、乾燥された後、空気雰囲気下で約９００℃の温度で約６時間か焼された。か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＣｕＢ0.7 Ｏ2 であった。
実験例１５
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。７５ｇのＮｉ2 Ｏ3 及び１２８ｇのＭｏＯ3 が均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物は、乾燥された後、Ｎ2 雰囲気下で約９００℃の温度で約６時間か焼された。か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＮｉＭｏＯ3.8 であった。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。７５ｇのＮｉ2 Ｏ3 及び１２８ｇのＭｏＯ3 が均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物は、乾燥された後、Ｎ2 雰囲気下で約９００℃の温度で約６時間か焼された。か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＮｉＭｏＯ3.8 であった。
比較例６
基板表面は、以下を除いて実験例１５と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理が施される処理は省略された。
基板表面は、以下を除いて実験例１５と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理が施される処理は省略された。
実験例１６
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。インク組成物がＮｉ2 Ｏ3と均一に混合され（１００ｇのインク組成物と比較すると、Ｎｉ2 Ｏ3の使用量は１５ｇであった）、混合物を形成した。得られた混合物は、インクジェット印刷の方法によってＡｌ2 Ｏ3 セラミック基板の表面上に塗布された。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。インク組成物がＮｉ2 Ｏ3と均一に混合され（１００ｇのインク組成物と比較すると、Ｎｉ2 Ｏ3の使用量は１５ｇであった）、混合物を形成した。得られた混合物は、インクジェット印刷の方法によってＡｌ2 Ｏ3 セラミック基板の表面上に塗布された。
実験例１７
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。ナノ二酸化チタン（nano- titanium dioxide）（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約６０ｎｍの平均粒子径を有する）が磁器製の舟形皿の中央に載置され、当該舟形皿は、反応管内に配置され、その後マッフル炉の高温部に配置された。反応管の両端は、ゴム栓で密閉され、滴下している水によって冷やされた。また、アンモニアガスの雰囲気は、反応管内の空気を置き換えるように当該反応管内に充満された。加えて、反応装置の密閉状態を検査するためにｐＨ試験紙が用いられた。アンモニアの漏れがない場合、電源が投入され、アンモニアの流速は２．４ｃｍ3 ／ｓに制御された。マッフル炉の温度は８００℃に上げられ、５時間維持された。その後、舟形皿はアンモニアガス雰囲気の下で８０℃まで冷却された。アンモニアガスが止まった後、舟形皿が取り出され、デシケーター内に配置され、室温まで冷却し、その後、式Iの化合物が得られた。製造されたチタン酸化物は、高速のボールミルによって約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれ、得られたチタン酸化物はＴｉＯ0.9 であった。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。ナノ二酸化チタン（nano- titanium dioxide）（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約６０ｎｍの平均粒子径を有する）が磁器製の舟形皿の中央に載置され、当該舟形皿は、反応管内に配置され、その後マッフル炉の高温部に配置された。反応管の両端は、ゴム栓で密閉され、滴下している水によって冷やされた。また、アンモニアガスの雰囲気は、反応管内の空気を置き換えるように当該反応管内に充満された。加えて、反応装置の密閉状態を検査するためにｐＨ試験紙が用いられた。アンモニアの漏れがない場合、電源が投入され、アンモニアの流速は２．４ｃｍ3 ／ｓに制御された。マッフル炉の温度は８００℃に上げられ、５時間維持された。その後、舟形皿はアンモニアガス雰囲気の下で８０℃まで冷却された。アンモニアガスが止まった後、舟形皿が取り出され、デシケーター内に配置され、室温まで冷却し、その後、式Iの化合物が得られた。製造されたチタン酸化物は、高速のボールミルによって約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれ、得られたチタン酸化物はＴｉＯ0.9 であった。
比較例７
基板表面は、以下を除いて実験例１７と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理が施される処理は省略された。
基板表面は、以下を除いて実験例１７と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理が施される処理は省略された。
実験例１８
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。インク組成物がＮｉ2 Ｏ3 と均一に混合され（１００ｇのインク組成物と比較すると、Ｎｉ2 Ｏ3 の使用量は１０ｇであった）、混合物を形成した。得られた混合物は、インクジェット印刷の方法によってＡｌ2 Ｏ3 セラミック基板の表面上に塗布された。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。インク組成物がＮｉ2 Ｏ3 と均一に混合され（１００ｇのインク組成物と比較すると、Ｎｉ2 Ｏ3 の使用量は１０ｇであった）、混合物を形成した。得られた混合物は、インクジェット印刷の方法によってＡｌ2 Ｏ3 セラミック基板の表面上に塗布された。
実験例１９
（１）基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。ナノ二酸化チタン（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約６０ｎｍの平均粒子径を有する）が磁器製の舟形皿の中央に載置され、当該舟形皿は、反応管内に配置され、その後マッフル炉の高温部に配置された。反応管の両端は、ゴム栓で密閉され、滴下している水によって冷やされた。また、アンモニアガスの雰囲気は、反応管内の空気を置き換えるように当該反応管内に充満された。加えて、反応装置の密閉状態を検査するためにｐＨ試験紙が用いられた。アンモニアの漏れがない場合、電源が投入され、アンモニアの流速は４ｃｍ3 ／ｓに制御された。マッフル炉の温度は７８０℃に上げられ、４時間維持された。その後、舟形皿はアンモニアガス雰囲気の下で１００℃まで冷却された。アンモニアガスが止まった後、舟形皿が取り出され、デシケーター内に配置され、室温まで冷却した。製造されたチタン酸化物は、高速のボールミルによって約４０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。得られたチタン酸化物はＴｉＯ1.67であった。
（１）基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。ナノ二酸化チタン（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約６０ｎｍの平均粒子径を有する）が磁器製の舟形皿の中央に載置され、当該舟形皿は、反応管内に配置され、その後マッフル炉の高温部に配置された。反応管の両端は、ゴム栓で密閉され、滴下している水によって冷やされた。また、アンモニアガスの雰囲気は、反応管内の空気を置き換えるように当該反応管内に充満された。加えて、反応装置の密閉状態を検査するためにｐＨ試験紙が用いられた。アンモニアの漏れがない場合、電源が投入され、アンモニアの流速は４ｃｍ3 ／ｓに制御された。マッフル炉の温度は７８０℃に上げられ、４時間維持された。その後、舟形皿はアンモニアガス雰囲気の下で１００℃まで冷却された。アンモニアガスが止まった後、舟形皿が取り出され、デシケーター内に配置され、室温まで冷却した。製造されたチタン酸化物は、高速のボールミルによって約４０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。得られたチタン酸化物はＴｉＯ1.67であった。
（２）ステップ（１）で製造された５０ｇのチタン酸化物と、１ｇのインク媒剤（ＣＡＢ３８１−２の商標でイーストマンケミカルカンパニー（Eastman chemical Company）から市販されている）と、２０ｇのｎ−ヘプタノールと、０．２ｇの分散剤（ＰＳ−２１Ａの商標でアメリカ合衆国のウィトコ（Witco）社から市販されている）と、０．２ｇの消泡剤（ＢＹＫ−０５１の商標でドイツのビーワイケイカンパニー（BYK Company）から市販されている）と、０．３ｇのつや消し剤（ＢＹＫ−３３３の商標でドイツのビーワイケイカンパニーから市販されている）と、０．３ｇのポリアミドのろう（ＦＡ１の商標でドイツのクラインカンパニー（Klein Company）から市販されている）とが、均一に混合されることで、本実験例のインク組成物を得た。
（３）ステップ（２）で得られたインク組成物が、１０ｇのＮａ2 Ｏと均一に混合され、混合物を形成した。その後、得られた混合物は、リトグラフの方法によってセメント基板の表面に塗布された。インク組成物が、９０℃の温度で５時間乾燥された後、約１０００℃の温度で２時間加熱処理が施され、基板表面上にインク層を形成し、当該インク層は約１５μｍの厚さを有した。
（４）金属層は、実験例１と略同じ方法によって、ステップ（３）で得られた基板表面上に形成された。
実験例２０
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、ナノ銅酸化物（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約８０ｎｍの平均粒子径を有する）とする。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、ナノ銅酸化物（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約８０ｎｍの平均粒子径を有する）とする。
比較例８
基板表面は、以下を除いて実験例２０と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理が施される処理は省略された。
基板表面は、以下を除いて実験例２０と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理が施される処理は省略された。
実験例２１
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、ナノ酸化第一銅（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約８０ｎｍの平均粒子径を有する）とする。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、ナノ酸化第一銅（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約８０ｎｍの平均粒子径を有する）とする。
比較例９
基板表面は、以下を除いて実験例２１と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理が施される処理は省略された。
基板表面は、以下を除いて実験例２１と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理が施される処理は省略された。
実験例２２
（１）１００ｇのナノ銅酸化物（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）と、１２ｇのインク媒剤（ＣＡＢ３８１−２０の商標でアメリカ合衆国のイーストマンケミカルカンパニー（Eastman chemical Company）から市販されている）と、１００ｇのエタノールと、０．６ｇの分散剤（ＢＹＫ−２２０ Ｓの商標でドイツのビーワイケイカンパニー（BYK Company）から市販されている）と、０．４ｇの消泡剤（ＢＹＫ−０６５の商標で、ドイツのビーワイケイカンパニーから市販されている）と、０．５ｇのつや消し剤（ＢＹＫ−３０６の商標で、ドイツのビーワイケイカンパニーから市販されている）と、０．３ｇのポリアクリル酸ナトリウム（アラジンリージェントカンパニーから市販されている）とが均一に混合され、本実験例のインク組成物を得た。
（１）１００ｇのナノ銅酸化物（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）と、１２ｇのインク媒剤（ＣＡＢ３８１−２０の商標でアメリカ合衆国のイーストマンケミカルカンパニー（Eastman chemical Company）から市販されている）と、１００ｇのエタノールと、０．６ｇの分散剤（ＢＹＫ−２２０ Ｓの商標でドイツのビーワイケイカンパニー（BYK Company）から市販されている）と、０．４ｇの消泡剤（ＢＹＫ−０６５の商標で、ドイツのビーワイケイカンパニーから市販されている）と、０．５ｇのつや消し剤（ＢＹＫ−３０６の商標で、ドイツのビーワイケイカンパニーから市販されている）と、０．３ｇのポリアクリル酸ナトリウム（アラジンリージェントカンパニーから市販されている）とが均一に混合され、本実験例のインク組成物を得た。
（２）ステップ（１）で得られたインク組成物は、インクジェット印刷の方法によってＺｒＯ2 基板の表面に塗布された。インク組成物が、１７０℃の温度で５時間乾燥された後、次いでＮ2 雰囲気内で約７００℃の温度で５時間加熱処理が施され、基板表面上にインク層を形成し、当該インク層は約２０μｍの厚さを有した。
（３）金属層は、実験例１と略同じ方法によって、ステップ（３）で得られた基板表面上に形成された。
実験例２３
基板表面は、以下を除いて実験例２２と略同じ方法によってメッキされた。インク組成物は、約５００℃の温度で５時間加熱処理が施された。
基板表面は、以下を除いて実験例２２と略同じ方法によってメッキされた。インク組成物は、約５００℃の温度で５時間加熱処理が施された。
実験例２４
基板表面は、以下を除いて実験例２２と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、ナノ酸化第一銅（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約４０ｎｍの平均粒子径を有する）とする。インク組成物が１０ｇのＮａ2 Ｏと均一に混合され、混合物を形成した。その後、得られた混合物は、レーザー印刷の方法によってガラス基板の表面に塗布された。基板のインク層を有する表面に乾燥が施された後、次いでインク組成物は、Ｎ2 雰囲気内で約９００℃の温度で１時間加熱処理が施された。
基板表面は、以下を除いて実験例２２と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、ナノ酸化第一銅（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約４０ｎｍの平均粒子径を有する）とする。インク組成物が１０ｇのＮａ2 Ｏと均一に混合され、混合物を形成した。その後、得られた混合物は、レーザー印刷の方法によってガラス基板の表面に塗布された。基板のインク層を有する表面に乾燥が施された後、次いでインク組成物は、Ｎ2 雰囲気内で約９００℃の温度で１時間加熱処理が施された。
実験例２５
基板表面は、以下を除いて実験例２４の方法と略同じ方法によってメッキされた。インク組成物は、Ｎ2 雰囲気内で約１０００℃の温度で１時間加熱処理が施された。
基板表面は、以下を除いて実験例２４の方法と略同じ方法によってメッキされた。インク組成物は、Ｎ2 雰囲気内で約１０００℃の温度で１時間加熱処理が施された。
比較例１０
基板表面は、以下を除いて実験例２４の方法と略同じ方法によってメッキされた。インク組成物は、Ｎ2 雰囲気内で約１２００℃の温度で１時間加熱処理が施された。
基板表面は、以下を除いて実験例２４の方法と略同じ方法によってメッキされた。インク組成物は、Ｎ2 雰囲気内で約１２００℃の温度で１時間加熱処理が施された。
比較例１１
基板表面は、以下を除いて実験例２３の方法と略同じ方法でメッキされた。インク組成物は、Ｎ2 雰囲気内で約４００℃の温度で５時間加熱処理が施された。
基板表面は、以下を除いて実験例２３の方法と略同じ方法でメッキされた。インク組成物は、Ｎ2 雰囲気内で約４００℃の温度で５時間加熱処理が施された。
実験例２６
基板表面は、以下を除いて実験例２２の方法と略同じ方法によってメッキされた。ナノ銅酸化物は、約１５０ｎｍの平均粒子径を有する。
基板表面は、以下を除いて実験例２２の方法と略同じ方法によってメッキされた。ナノ銅酸化物は、約１５０ｎｍの平均粒子径を有する。
実験例２７
基板表面は、以下を除いて実験例２２の方法と略同じ方法によってメッキされた。ナノ銅酸化物は、約５００ｎｍの平均粒子径を有する。
基板表面は、以下を除いて実験例２２の方法と略同じ方法によってメッキされた。ナノ銅酸化物は、約５００ｎｍの平均粒子径を有する。
比較例１２
基板表面は、以下を除いて実験例１の方法と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、約８０ｎｍの平均粒子径を有する銀の粉末に置き換えられた。
基板表面は、以下を除いて実験例１の方法と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、約８０ｎｍの平均粒子径を有する銀の粉末に置き換えられた。
実験例２８
基板表面は、以下を除いて実験例２と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。ＣａＣｕ3 Ｔｉ4 Ｏ12は、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で約１０００℃の温度で２時間か焼が施され、か焼された生成物を形成した。その後、か焼された生成物は、約１００ｎｍの平均粒子径になるまでボールミル内で砕かれた。製造された生成物はＣａ0.25Ｃｕ0.75ＴｉＯ2.65であった。
基板表面は、以下を除いて実験例２と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。ＣａＣｕ3 Ｔｉ4 Ｏ12は、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で約１０００℃の温度で２時間か焼が施され、か焼された生成物を形成した。その後、か焼された生成物は、約１００ｎｍの平均粒子径になるまでボールミル内で砕かれた。製造された生成物はＣａ0.25Ｃｕ0.75ＴｉＯ2.65であった。
実験例２９
基板表面は、以下を除いて実験例２と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。７５ｇのＮｉ2 Ｏ3 及び１２８ｇのＭｏＯ3 が均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物は、乾燥された後、Ｎ2 雰囲気下で約９００℃の温度で約８時間か焼された。か焼された生成物は、約１００ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＮｉＭｏＯ3.5 であった。
基板表面は、以下を除いて実験例２と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。７５ｇのＮｉ2 Ｏ3 及び１２８ｇのＭｏＯ3 が均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物は、乾燥された後、Ｎ2 雰囲気下で約９００℃の温度で約８時間か焼された。か焼された生成物は、約１００ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＮｉＭｏＯ3.5 であった。
実験例３０
基板表面は、以下を除いて実験例２と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、ナノ酸化第一銅（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約４０ｎｍの平均粒子径を有する）とした。
基板表面は、以下を除いて実験例２と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、ナノ酸化第一銅（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約４０ｎｍの平均粒子径を有する）とした。
実験例３１
基板表面は、以下を除いて実験例２と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、ナノ酸化第一銅（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約６０ｎｍの平均粒子径を有する）とした。
基板表面は、以下を除いて実験例２と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、ナノ酸化第一銅（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約６０ｎｍの平均粒子径を有する）とした。
実験例１〜３１及び比較例１〜１２におけるメッキ速度、形成された金属層の厚さ、接着力、及び信号受信感度は、表１に示された。
説明的な実施形態が示され、かつ記載されたが、上の実施形態が本開示を制限するものではなく、変更、代替、及び修正は、本開示の趣旨、原理、及び範囲から外れることなく実施形態中で行うことができるということを、当業者によって理解されたい。
関連出願の相互参照
本出願は、出願番号２０１１１０４４２４８４．１として、２０１１年１２月２７日に中国特許庁に出願された中国特許出願を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てが参照によってここに組み込まれる。
本出願は、出願番号２０１１１０４４２４８４．１として、２０１１年１２月２７日に中国特許庁に出願された中国特許出願を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てが参照によってここに組み込まれる。
本発明は、物質科学の分野に関し、特には絶縁基板の表面にメッキする方法、及び当該方法によって得ることが可能な物品に関する。
本節の記載は、本開示に関する背景の情報を単に提供するだけであり、先行技術を構成しえない。
金属層は、電磁信号の変換経路として絶縁基板の表面上に形成され、例えば、自動車、コンピュータ、及び通信等の分野に応用されている。例えばプラスチック等の絶縁基板の表面に金属層を形成するために、多くの手段が用いられ得る。
しかしながら、絶縁体基板の表面にメッキする手段は更に改善される必要がある。
この要約は、下記の詳細な説明に更に記載された概念の選択を単純な形式で導入するために提供される。この要約は、請求された主題における重要な特徴又は本質的な特徴を特定することを意図せず、請求された主題の範囲を決定する目的として用いられることも意図しない。
それについて見ると、本開示は先行技術が有する少なくとも一つの問題を解決することを目的とする。従って、絶縁基板の表面にメッキする手段が提供され得る。無機基板（セラミック基板、ガラス基板及びセメント基板等）の表面にメッキされた金属層の基板に対する接着力が向上し得る。
本開示の第１の態様によれば、絶縁基板の表面にメッキする方法を提供する。当該方法は、絶縁基板のメッキするための表面上にインク組成物を塗布し、インク層を有する絶縁基板を得るステップと、非反応性雰囲気（non- reactive atmosphere）内で約５００〜１０００℃の温度で、インク層を有する絶縁基板に加熱処理を施すステップと、インク層上に少なくとも一つの金属層をメッキするステップとを備える。インク組成物は、金属化合物及びインク媒剤を含み、金属化合物は、ナノ銅酸化物（nano- copper oxide）、ナノ酸化第一銅（nano- cuprous oxide）、下記式Iの化合物、及び下記式IIの化合物からなる群から少なくとも一つ選択される。
ＴｉＯ2-σ （I）
Ｍ1 Ｍ2 p Ｏq （II）
上記式Iにおいて０．０５≦σ＜１．８であり、
Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の２、９〜１２族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、
Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の３〜８、１０、及び１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、
０＜ｐ≦２であり、０＜ｑ＜４である。
ＴｉＯ2-σ （I）
Ｍ1 Ｍ2 p Ｏq （II）
上記式Iにおいて０．０５≦σ＜１．８であり、
Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の２、９〜１２族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、
Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の３〜８、１０、及び１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、
０＜ｐ≦２であり、０＜ｑ＜４である。
本開示の第２の態様によれば、本開示の方法により製造され得る、金属表面を有する物品を提供する。
本開示の方法により形成される金属層は、基板に対して強い接着力を有し得る。従って、頑丈で信頼性のある信号経路を獲得し得る。加えて、本開示の方法は、基板表面上の金属層を形成するためにより速いメッキ速度を提供し得、それ故、本開示の方法による生産効率は高い。更に、一般的な導電性の貴金属（例えば銀）と比べ、本開示のインク組成物における導電性の金属化合物の原料は海外で低価格であり、信号変換部品の製造コストを著しく低減することができる。
本開示の実施形態における更なる態様及び効果は、以下の記載において部分的に与えられ、以下の記載から部分的に明らかとなり、又は本開示の実施形態の応用から知られる。
本開示の第１の態様によれば、絶縁基板の表面にメッキする方法を提供する。当該方法は、絶縁基板のメッキするための表面上にインク組成物を塗布し、インク層を有する絶縁基板を得るステップと、非反応性雰囲気（non- reactive atmosphere）内で約５００〜１０００℃の温度で、インク層を有する絶縁基板に加熱処理を施すステップと、インク層上に少なくとも一つの金属層をメッキするステップとを備える。
本開示の方法によれば、インク組成物は、金属化合物及びインク媒剤を含んでもよい。
本開示において金属化合物は、ナノ銅酸化物、ナノ酸化第一銅、下記式Iの化合物、及び下記式IIの化合物からなる群から少なくとも一つ選択される。
ＴｉＯ2-σ （I）
Ｍ1 Ｍ2 p Ｏq （II）
上記式I又は式IIにおいて、０．０５≦σ＜１．８であり、σは約０．１〜１．５が好ましく、約０．２〜１．２がより好ましく、
Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の２、９〜１２族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、
Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の３〜８、１０、及び１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、０＜ｐ≦２であり、０＜ｑ＜４である（例えば本開示の一例として、ｑは、１〜３．９８となり得る）。
ＴｉＯ2-σ （I）
Ｍ1 Ｍ2 p Ｏq （II）
上記式I又は式IIにおいて、０．０５≦σ＜１．８であり、σは約０．１〜１．５が好ましく、約０．２〜１．２がより好ましく、
Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の２、９〜１２族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、
Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の３〜８、１０、及び１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、０＜ｐ≦２であり、０＜ｑ＜４である（例えば本開示の一例として、ｑは、１〜３．９８となり得る）。
本開示の一の実施形態において、Ｍ1 の具体例は、限定されないが、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、及びＺｎの内の少なくとも一つとなり得、Ｍ2 の具体例は、限定されないが、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎの内の少なくとも一つとなり得る。
式IIの化合物に関しては、本開示の一の実施形態において、Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり例えばＣｕであってもよい。Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素であり、例えば、Ｆｅ、Ｒｕであってもよい。
本開示の一の実施形態において、式IIの化合物は下記式IIIの化合物である。
ＣｕＦｅＯ4-δ （III）
上記式IIIにおいて、０＜δ≦３であり、好ましくは、δは約０．０１〜２となり得、より好ましくは、δは約０．０２〜１となり得る。
ＣｕＦｅＯ4-δ （III）
上記式IIIにおいて、０＜δ≦３であり、好ましくは、δは約０．０１〜２となり得、より好ましくは、δは約０．０２〜１となり得る。
式IIの化合物に関しては、本開示の一の実施形態において、Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、例えばＣｕである。Ｍ2 は、Ｍ21及びＭ22を有してもよく、Ｍ21は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素であり、例えば、Ｆｅ、Ｒｕであってもよく、Ｍ22は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３及び７族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、例えば、Ｍｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎから少なくとも一つ選択されてもよい。本開示の一の実施形態において、Ｍ1 及びＭ2 のモル比は約１：１となり得、Ｍ21及びＭ22のモル比は約１：０．１〜１０となり得る。Ｍ21及びＭ22のモル比は、好ましくは、１：０．５〜５となり得、より好ましくは、Ｍ21及びＭ22のモル比は１：０．５〜３となり得、更に好ましくは、Ｍ21及びＭ22のモル比は１：１〜３となり得る。
本開示の一の実施形態において、Ｍ22は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される一つの元素（例えば、Ｍ22は、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、又はＩｎであってもよい）であってもよい。同様に、Ｍ22は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の７族からなる群から選択される一つの元素であってもよい（例えば、Ｍ22は、Ｍｎであってもよい）。また同様に、Ｍ22は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される一つの元素及び７族からなる群から選択される一つの元素であってもよい（例えば、Ｍ22は、Ａｌ及びＭｎであってもよい）。本開示の一の実施形態において、Ｍ22は、Ｍ221 及びＭ222 を有し、Ｍ221 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ222 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の７族からなる群から選択される一つの元素である。また、Ｍ221 及びＭ222 のモル比は、約１：０．１〜１０となり得、好ましくは、１：０．５〜２となり得る。本開示の一の実施形態において、金属化合物によって製造されたインク組成物を用いて基板上にインク層を形成し、インク層の表面に更に金属をメッキする場合、Ｍ22は、好ましくはＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の７族からなる群から選択される一つの元素であってもよい（例えば、Ｍ22はＭｎであってもよい）。そうすることで、より速いメッキ速度となり得る。
本開示の一の実施形態において、式IIの化合物の例は、制限はされないが、ＣｕＦｅ0.5 Ｍｎ0.5 Ｏ2.5 、ＣｕＦｅ0.5 Ａｌ0.5 Ｏ2.5 、及びＣｕＦｅ0.5 Ａｌ0.25Ｍｎ0.5 Ｏ2.5 から選択される少なくとも一つであり、ＣｕＦｅ0.5 Ｍｎ0.5 Ｏ2.5 がより好ましい。
式IIの化合物に関しては、本開示の一の実施形態において、Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の２族からなる群から選択される一つの元素であり、例えば、Ｍ1 は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、又はＢａであってもよい。また、Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される一つの元素であり、例えば、Ｍ2 は、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、又はＩｎであってもよい。
本開示の一の実施形態において、化合物は下記式IVの化合物であることが好ましい。
ＭｇＧａ2 Ｏ4-λ （IV）
上記式IVにおいて、０＜λ≦３、λは、０．０１〜２であることが好ましく、０．１〜１であることがより好ましく、０．１〜０．５であることが更に好ましい。
ＭｇＧａ2 Ｏ4-λ （IV）
上記式IVにおいて、０＜λ≦３、λは、０．０１〜２であることが好ましく、０．１〜１であることがより好ましく、０．１〜０．５であることが更に好ましい。
式IIの化合物に関しては、本開示の一の実施形態において、Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１０族からなる群から選択される一つの元素であり、例えば、Ｍ1 はＮｉであってもよい。また、Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の６族からなる群から選択される一つの元素であり、例えば、Ｍ2 はＣｒ、Ｍｏ、又はＷであってもよい。
本開示の一の実施形態において、化合物は下記式Vの化合物が好ましい。
ＮｉＭｏＯ4-μ （V）
上記式Vは、０＜μ≦３、μは、０．０１〜２であることが好ましく、０．１〜１であることがより好ましく、０．２〜０．５であることが更に好ましい。
ＮｉＭｏＯ4-μ （V）
上記式Vは、０＜μ≦３、μは、０．０１〜２であることが好ましく、０．１〜１であることがより好ましく、０．２〜０．５であることが更に好ましい。
式IIの化合物に関しては、本開示の一の実施形態において、Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ1 は例えばＣｕであってもよい。また、Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つである。また、Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つと、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族及び１０族からなる群から選択される元素の少なくとも一つとを備える。この好ましい実施形態においては、Ｍ1 及びＭ2 のモル比は、好ましくは１：０．５〜１である。
本開示の一の実施形態において、Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つと、ＩＵＰＡＣの命名法に従う８族及び１０族からなる群から選択される元素の少なくとも一つとを備える。Ｍ2 は、Ｍ23及びＭ24を有する。Ｍ23は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族、１０族、及び１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、例えばＭ23は、Ｇａであるか、又はＧａとＦｅ及びＮｉから選択される少なくとも一つの元素とである。Ｍ24は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される一つの元素であり、好ましくは、Ｂである。好ましい実施形態において、Ｍ23及びＭ24の両方が、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される一つの元素である場合、Ｍ23及びＭ24は異なる元素である。Ｍ23及びＭ24のモル比は、１：０．１〜１０であってもよく、１：０．５〜２であることが好ましく、１：０．５〜１．５であることがより好ましく、１：１であることが更に好ましい。
本開示の一の実施形態において、式IIの化合物の例は、限定はされないが、ＣｕＦｅ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 、ＣｕＮｉ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 、ＣｕＧａ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 、及びＣｕＢ0.7 Ｏ2 から選択される少なくとも一つを含む。
式IIの化合物に関しては、本開示の一の実施形態において、化合物は下記式VIの化合物である。
ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β （VI）
上記式VIにおいて、０≦α＜１かつβが約０〜２である。αは０．０５〜０．５であることが好ましく、αは０．１〜０．２５であることがより好ましい。βは０．０１〜２であることが好ましく、βは０．０１〜０．５であることがより好ましく、βは０．０５〜０．４であることが更に好ましい。
ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β （VI）
上記式VIにおいて、０≦α＜１かつβが約０〜２である。αは０．０５〜０．５であることが好ましく、αは０．１〜０．２５であることがより好ましい。βは０．０１〜２であることが好ましく、βは０．０１〜０．５であることがより好ましく、βは０．０５〜０．４であることが更に好ましい。
本開示の一の実施形態において、ナノ酸化第一銅は１μｍ未満の粒子径を有する酸化第一銅に関し、ナノ銅酸化物は１μｍ未満の粒子径を有する銅酸化物に関する。
本開示の一の実施形態において、金属化合物は、ナノ酸化第一銅、ナノ銅酸化物、式Iの化合物、上記式IIIの化合物、ＣｕＦｅ0.5 Ｍｎ0.5 Ｏ2.5 、ＣｕＦｅ0.5 Ａｌ0.5 Ｏ2.5 、ＣｕＦｅ0.5 Ａｌ0.25Ｍｎ0.5 Ｏ2.5 、上記式IVの化合物、上記式Vの化合物、ＣｕＦｅ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 、ＣｕＮｉ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 、ＣｕＧａ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 、ＣｕＢ0.7 Ｏ2 、及び上記式VIの化合物から選択される少なくとも一つであることが好ましい。
上記の金属化合物を用いることによって本開示の目的は達成し得るが、金属化合物を含むインク組成物を用いることにより絶縁基板の表面にインク層が形成され、その後金属層が形成されるときに、金属化合物が以下の化合物から選択される少なくとも一つである場合、より高速のメッキ速度（特には電気メッキの方法を用いることによる）を得ることができることを、本開示の発明者は発見した。
（１）ナノ酸化第一銅及びナノ銅酸化物。
（２）式Iの化合物。
（３）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素である式IIの化合物。
（４）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＭ21及びＭ22を有し、Ｍ21がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ22がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族及び７族からなる群から選択される元素の少なくとも一つ（Ｍ22がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の７族からなる群から選択される一つの元素であることが好ましい）である式IIの化合物。
（５）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つと、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族及び１０族からなる群から選択される元素の少なくとも一つとを備える式IIの化合物。
また、（６）式VIの化合物（例えば、ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β）。
（１）ナノ酸化第一銅及びナノ銅酸化物。
（２）式Iの化合物。
（３）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素である式IIの化合物。
（４）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＭ21及びＭ22を有し、Ｍ21がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ22がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族及び７族からなる群から選択される元素の少なくとも一つ（Ｍ22がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の７族からなる群から選択される一つの元素であることが好ましい）である式IIの化合物。
（５）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つと、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族及び１０族からなる群から選択される元素の少なくとも一つとを備える式IIの化合物。
また、（６）式VIの化合物（例えば、ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β）。
メッキ速度を更に向上するために、金属化合物は、以下の化合物から少なくとも一つ選択される。
（１）ナノ酸化第一銅及びナノ銅酸化物。
（２）式Iの化合物（例えば、ＴｉＯ2-σ）。
（３）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素である式IIの化合物。
（４）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＭ21及びＭ22を有し、Ｍ21がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ22がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の７族からなる群から選択される元素の少なくとも一つである式IIの化合物。
また、（５）式VIの化合物（例えば、ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β）。
（１）ナノ酸化第一銅及びナノ銅酸化物。
（２）式Iの化合物（例えば、ＴｉＯ2-σ）。
（３）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素である式IIの化合物。
（４）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＭ21及びＭ22を有し、Ｍ21がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ22がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の７族からなる群から選択される元素の少なくとも一つである式IIの化合物。
また、（５）式VIの化合物（例えば、ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β）。
金属化合物は、以下の化合物から少なくとも一つ選択されることがより好ましい。
（１）ナノ酸化第一銅及びナノ銅酸化物。
（２）式Iの化合物（例えば、ＴｉＯ2-σ）。
（３）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素である式IIの化合物。
（４）式VIの化合物（例えば、ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β）。
（１）ナノ酸化第一銅及びナノ銅酸化物。
（２）式Iの化合物（例えば、ＴｉＯ2-σ）。
（３）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素である式IIの化合物。
（４）式VIの化合物（例えば、ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β）。
金属化合物は、ナノ酸化第一銅、ナノ銅酸化物、式Iの化合物（例えば、ＴｉＯ2-σ）、及び式IIIの化合物（例えば、ＣｕＦｅＯ4-δ）から少なくとも一つ選択されることが更に好ましく、向上したより速いメッキ速度を得ることができる。
加えて、インク組成物における金属化合物が次の化合物から少なくとも一つ選択された場合、当該インク組成物を用いることで基板表面上にインク層を形成することと、本開示の方法によって金属層をメッキすることとにより形成される信号経路が、高い信号感度を有し得ることを、本開示の発明者は発見した。（１）ナノ酸化第一銅及びナノ銅酸化物、（２）式Iの化合物（例えば、ＴｉＯ2-σ）、（３）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１０族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の６族からなる群から選択される一つの元素である式IIの化合物である。
信号感度を更に向上するために、金属化合物は、以下の化合物から少なくとも一つ選択される。（１）ナノ酸化第一銅及びナノ銅酸化物、（２）式Iの化合物（例えば、ＴｉＯ2-σ）、及び（３）式Vの化合物（例えば、ＮｉＭｏＯ4-μ）である。金属化合物は、ナノ酸化第一銅、ナノ銅酸化物、及び式Iの化合物（例えば、ＴｉＯ2-σ）から選択される少なくとも一つであることが更に好ましい。
本開示の一の実施形態において、金属化合物の平均粒子径は、特定の目的に従って適切に選択されてもよい。一般的には、金属化合物は１μｍ未満の平均粒子径を有する。金属化合物は、約１〜５００ｎｍの平均粒子径を有することが好ましい。金属化合物は、約１〜１００ｎｍの平均粒子径を有することがより好ましい。金属化合物の平均粒子径が約１〜１００ｎｍの範囲内である場合、本開示による方法は、基板表面上にインク組成物を塗布するためのインクジェット印刷の方法又はレーザー印刷の方法に特に適しており、高い生産効率を獲得し得る。また、金属層は基板に対して高い接着力を有し、微細なインクのパターンが得られる。従って、高い精度を有する線が更に得られる。本開示の一の実施形態において、金属化合物における上記範囲内の平均粒子径を作るために、先行技術において一般的に用いられている種々の方法が用いられ得る。例えば、金属化合物における上記範囲内の平均粒子径を作るために、切削法（grinding method）を適用することができる。切削法は、当技術分野で周知であるため、繰り返し言及する必要はない。
本開示の一の実施形態において、平均粒子径は、スタティックレーザーテスター（static laser tester）を用いて計測されてもよいし、体積平均粒子径であってもよい。
本開示の一の実施形態において、金属化合物は市販されていてもよく、例えばナノ銅酸化物、及びナノ酸化第一銅は、アラジンケミカルリージェントカンパニー（Aladdin Chemical Reagent Company）から市販されていてもよく、式Iの化合物は、大韓民国のボークワンケミカルカンパニー（Bo Kwang Chemical Company）から、Ｔｉｌｏｘという商標で市販されているチタンブラックであってもよい。
本開示の一の実施形態において、金属化合物はまた、先行技術における従来の方法によって製造されてもよい。
本開示の一の実施形態において、二酸化チタンがＮＨ3 雰囲気内でか焼が施されることで式Iの化合物が製造される。か焼の温度及び時間は、式Iのσの値に従って適切に温度が選択され得る。一般的に、か焼の温度は７３０〜８３０℃であってよく、か焼の時間は約２．５〜６時間であってもよい。ＮＨ3は、二酸化チタンを有するコンテナ内に継続的に投入されることが好ましく、アンモニアガスの流速は２〜６ｃｍ3 ／ｓであってもよい。
本開示の一の実施形態において、式IIの化合物に関しては、Ｍ1 の酸化物（M1 oxide）又はＭ1 の炭酸塩（M1 carbonate）（Ｍ1 の酸化物においては、Ｍ1 及びＯのモル比は（２／ｍ1 ）：１であり、ｍ1 はＭ1 の価数である）と、Ｍ2 の酸化物（M2 oxide）（Ｍ2 の酸化物においては、Ｍ2 及びＯのモル比は（２／ｍ2 ）：１であり、ｍ2 は、Ｍ2 の価数である）とを均一に混合し、混合物を形成する。混合物は、金属化合物（例えば、Ｍ1 Ｍ2 p Ｏq ）を得るために、非反応性雰囲気（non- reactive atmosphere）又は還元性雰囲気内でか焼される。Ｍ1 の酸化物（M1 oxide）の量又はＭ1 の炭酸塩（M1 carbonate）の量とＭ2 の酸化物（M2 oxide）の量とは、得られる金属化合物において、Ｍ1 及びＭ2 のモル比が１：ｐとなるように適切に選択される。
特には、式IIIの化合物に関しては、銅酸化物及び鉄酸化物を混合することで混合物を形成してもよい。また、混合物は、式IIIの化合物（例えば、ＣｕＦｅＯ4-δ）を得るために、非反応性雰囲気（non- reactive atmosphere）及び還元性雰囲気内でか焼されてもよい。式IVの化合物に関しては、当該化合物は、
マグネシウム酸化物及びガリウム酸化物を均一に混合し、混合物を形成するステップと、
式IVの化合物（例えば、ＭｇＧａ2 Ｏ4-λ）を得るために、非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）及び還元性雰囲気内で、当該混合物をか焼するステップと
によって得てもよい。
マグネシウム酸化物及びガリウム酸化物を均一に混合し、混合物を形成するステップと、
式IVの化合物（例えば、ＭｇＧａ2 Ｏ4-λ）を得るために、非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）及び還元性雰囲気内で、当該混合物をか焼するステップと
によって得てもよい。
式Vの化合物に関しては、当該化合物は、
ニッケル酸化物及びモリブデン酸化物を均一に混合し、混合物を形成するステップと、
式Vの化合物（例えば、ＮｉＭｏＯ4-μ）を得るために、非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）及び還元性雰囲気内で、当該混合物をか焼するステップと
によって得てもよい。
ニッケル酸化物及びモリブデン酸化物を均一に混合し、混合物を形成するステップと、
式Vの化合物（例えば、ＮｉＭｏＯ4-μ）を得るために、非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）及び還元性雰囲気内で、当該混合物をか焼するステップと
によって得てもよい。
式VIの化合物に関しては、当該化合物は、
炭酸カルシウム、銅酸化物、及びチタン酸化物を均一に混合し、混合物を形成するステップと、
式VIの化合物（例えば、ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β）を得るために、非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）及び還元性雰囲気内で、当該混合物をか焼するステップと
によって得てもよい。
炭酸カルシウム、銅酸化物、及びチタン酸化物を均一に混合し、混合物を形成するステップと、
式VIの化合物（例えば、ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β）を得るために、非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）及び還元性雰囲気内で、当該混合物をか焼するステップと
によって得てもよい。
本開示の一の実施形態において、か焼の温度は約５００〜１０００℃であってもよく、か焼の時間は約１〜１２時間であってもよい。
本開示の一の実施形態においては、非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）は、か焼の過程の間に反応物質及び反応生成物との化学的な相互作用を生じ得ない気体に関し、例えば、窒素とゼロ族の気体（アルゴン等）とである。本開示の一の実施形態においては、還元性雰囲気は、水素と非反応性気体とが混合されたものを有し、水素濃度は、先行技術において従来のように選択され得る。
本開示の一の実施形態において、インク組成物はまた、インク媒剤を含んでもよい。絶縁基板の表面上にインク組成物を塗布するとき、インク媒剤は、絶縁基板の表面上に金属化合物を均一に分散させ、いくらかの強度及び当該絶縁基板に対するいくらかの接着力を有する層を形成する役割を果たし得る。
インク媒剤が上記役割を果たし得るように選択される限りにおいては、当該インク媒剤の種類について、本開示は特別の制限を持たない。インク媒剤は、有機バインダであることが好ましい。インク媒剤は、アセチルセルロース、ポリアクリレート系樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルピロリドン、及びポリホスホン酸からなる群から選択される少なくとも一つであることがより好ましい。
本開示の一実施形態においては、インク媒剤は、アメリカ合衆国のイーストマンカンパニー（Eastman Company）からＣＡＢシリーズとして市販されているセルロースアセトブチレート（例えば、ＣＡＢ３８１−０．５、ＣＡＢ３８１−２０ ｏｆ ＣＡＢ５５１−０．２、及びＣＡＢ３８１−２の商標のセルロースアセトブチレート）であってもよい。また、インク媒剤は、日本の株式会社クラレからモビタール（Mowital）シリーズとして市販されているポリビニルブチラール（例えば、Ｍｏｗｉｔａｌ Ｂ ｏｆ ６０Ｔ、 Ｍｏｗｉｔａｌ Ｂ ７５Ｈ 、及びＭｏｗｉｔａｌ Ｂ ６０Ｈの商標のポリビニルブチラール）であってもよい。
本開示の一の実施形態において、インク媒剤及び金属化合物の相対比は、金属化合物を絶縁基板の表面上に均一に分散させ得、いくらかの強度及び絶縁基板に対するいくらかの接着力を有するインク層を形成し得、インク層上に金属層をメッキし得る。一般的に、本開示の一の実施形態において、金属化合物の１００重量部を基準として、インク媒剤の量は約１〜３０重量部であってもよい。式Iの化合物の１００重量部を基準として、インク媒剤の量は好ましくは約１．５〜１５重量部であってもよい。
本開示の一の実施形態においては、インク媒剤中に分散する金属化合物の均一性を更に改良するため、及び絶縁基板の表面上により均一な塗膜を形成するために、インク組成物はまた、溶媒を含むことが好ましい。本開示のインク組成物は、溶媒の種類に特別な制限を持たず、先行技術において従来から選択されている溶媒であってもよい。好ましくは、溶媒は、Ｈ2 Ｏ、Ｃ1 〜Ｃ12アルコール、Ｃ3 〜Ｃ12ケトン、Ｃ6 〜Ｃ12アレーン、Ｃ1 〜Ｃ12ハロゲン化アルキル、及びＣ2 〜Ｃ12ハロゲン化オレフィンからなる群から選択される少なくとも一つである。特には、溶媒は、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、ｎ−ヘキサノール、ｎ−ヘプタノール、ｎ−オクタノール、アセトン、２−ｎ−アミルケトン、２−ｎ−ブタノン、３−メチル−２−ペンタノン、２，３−ブタンジオン、２，３−ペンタンジオン、２，５−ヘキサンジオン、１，３−シクロヘキサンジオン、トルエン、キシレン、及びトリクロロエチレンからなる群から選択される少なくとも一つであってもよい。
本開示の実施形態によれば、溶媒の量に特別な制限はなく、先行技術において従来から使用されている量の何れであってもよい。金属化合物がインク媒剤中に均一に分散され、絶縁基板上に塗膜層を形成可能となることを確保するために、溶媒の含有量は、金属化合物の１００重量部を基準として、約２０〜２００重量部であり、約３０〜１００重量部であることが好ましい。
本開示の一の実施形態において、インク組成物はまた、本開示のインク組成物に特定の性能又は機能性を与えるための特定の目的に従う各種の一般的な助剤を含んでいてもよい。助剤は、分散剤、消泡剤、つや消し剤、及び粘度調整剤からなる群から選択される少なくとも一つであることが好ましい。
助剤の使用量は、先行技術において従来選択されている量であってもよい。助剤の総量は、金属化合物の１００重量部を基準として、約０．１〜２０重量部であることが好ましく、約０．５〜１０重量部であることが好ましい。
本開示の一の実施形態においては、分散剤は、インク媒剤及び任意の溶媒中の金属化合物を分散させるための時間を短縮するためと、インク媒剤及び任意の溶媒中の金属化合物の分散安定性を高めるためとに用いられる。分散剤は、先行技術において上記機能を達成することができる各種の一般的な物質であってもよい。例えば当該分散剤は、脂肪族アミンの分散剤、アルコールアミンの分散剤、環状不飽和アミン（cyclic unsaturated amine）の分散剤、脂肪酸の分散剤、脂肪族アミドの分散剤、エステルの分散剤、パラフィンの分散剤、リン酸塩（phosphate）の分散剤、ポリマーの分散剤（例えば、アクリレートの分散剤及びポリエステルの分散剤）、並びに有機ホスホン酸の分散剤（organic phosphonic dispersant）のような、先行技術において一般的に使用されている有機分散剤であってもよい。
本開示の一の実施形態においては、分散剤は、先行技術における各種の一般的な市販の分散剤であってもよい。具体的には、当該分散剤は、以下の分散剤からなる群から少なくとも一つ選択されてもよい。ＡＮＴＩ−ＴＥＲＲＡ−Ｕ、ＡＮＴＩ−ＴＥＲＲＡ−Ｕ ８０、ＡＮＴＩ−ＴＥＲＲＡ−Ｕ １００、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１０１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１３０、ＢＹＫ−２２０ Ｓ、ＬＡＣＴＩＭＯＮ、ＬＡＣＴＩＭＯＮ−ＷＳ、ＢＹＫ−Ｗ ９６６、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ、ＢＹＫ−１５４、ＢＹＫ−９０７６、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１０８、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１０９、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１１０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１０２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１１１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１８０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１０６、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１８７、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１８１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１４０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１４２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１４５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１１５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６３、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６４、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６６、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６７、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１８２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１８３、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１８４、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１８５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６８、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６９、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１７０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１７１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１７４、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１９０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２１５０、ＢＹＫ−９０７７、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１１２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１１６、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１９１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１９２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０００、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２００１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０１０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０２０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０２５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０５０、及びＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０７０の商標で、ドイツのビーワイケイカンパニー（BYK Company）から市販されている分散剤。ＰＨＯＳＰＨＬＡＮ ＰＳ−２６の商標でオランダのアクゾノーベルカンパニー（Akzo Nobel Company）から市販されている分散剤。ＰＳ−２１Ａの商標でアメリカ合衆国のウィトコケミカルカンパニー（Witco Chemical Company）から市販されている分散剤。イギリスのコロダカンパニー（Croda Company）から市販されている、ハイペルマー・ケイディー（Hypermer KD）シリーズ及びゼフリム・ピーディー（Zephrym PD）シリーズの分散剤。
本開示の一の実施形態において、分散剤の使用量は、先行技術における従来の使用量であってもよい。一般的には、分散剤の量は、金属化合物１００重量部を基準として、約０．１〜４重量部であってもよい。
本開示の一の実施形態において、消泡剤は、先行技術において泡の形成を抑えることができる各種の一般的な物質であってもよく、形成された泡を破壊又は系から遊離することができる各種の一般的な物質であってもよい。例えば、当該消泡剤は、有機シリコーンの消泡剤、ポリエーテルの消泡剤、高級アルコールの消泡剤であってもよい。当該消泡剤は、有機シリコーンの消泡剤が好ましい。
本開示の一の実施形態において、消泡剤は、先行技術における各種の一般的な市販の消泡剤であってもよい。具体的には、当該消泡剤は、ＢＹＫ−０５１、ＢＹＫ−０５２、ＢＹＫ−０５３、ＢＹＫ−０５５、ＢＹＫ−０５７、ＢＹＫ−０２０、ＢＹＫ−０６５、ＢＹＫ−０６６Ｎ、ＢＹＫ−０６７Ａ、ＢＹＫ−０７０、ＢＹＫ−０８０Ａ、ＢＹＫ−０８８、ＢＹＫ−１４１、ＢＹＫ−０１９、ＢＹＫ−０２１、ＢＹＫ−０２２、ＢＹＫ−０２３、ＢＹＫ−０２４、ＢＹＫ−０２５、ＢＹＫ−０２８、ＢＹＫ−０１１、ＢＹＫ−０３１、ＢＹＫ−０３２、ＢＹＫ−０３３、ＢＹＫ−０３４、ＢＹＫ−０３５、ＢＹＫ−０３６、ＢＹＫ−０３７、ＢＹＫ−０３８、ＢＹＫ−０４５、ＢＹＫ−Ａ５３０、ＢＹＫ−Ａ５５５、ＢＹＫ−０７１、ＢＹＫ−０６０、ＢＹＫ−０１８、ＢＹＫ−０４４、及びＢＹＫ−０９４の商標で、ドイツのビーワイケイカンパニー（BYK Company）から市販されている消泡剤からなる群から少なくとも一つ選択されてもよい。
本開示の一の実施形態において、消泡剤の使用量は、先行技術における従来からの使用量であってもよい。好ましくは、消泡剤の使用量は、金属化合物の１００重量部を基準として、約０．１〜３重量部であってもよい。
本開示の一の実施形態において、つや消し剤は、インク組成物がより平坦で、滑らかで、均一な塗膜層を、乾燥及び塗膜形成の工程中に形成することを促進するために用いられる。本開示は、つや消し剤の種類に特別な制限を持たず、先行技術において上記機能を達成することができる各種の一般的な物質であってもよい。例えば、当該つや消し剤は、ポリアクリレートのつや消し剤、ポリジメチルシロキサンのつや消し剤、ポリメチルフェニルシロキサンのつや消し剤、及び含フッ素界面活性剤からなる群から少なくとも一つ選択されてもよい。
本開示の一の実施形態において、つや消し剤は、先行技術における各種の一般的な市販のつや消し剤であってもよい。例えば、当該つや消し剤は、ＢＹＫ−３３３、ＢＹＫ−３０６、ＢＹＫ−３５８Ｎ、ＢＹＫ−３１０、ＢＹＫ−３５４、及びＢＹＫ−３５６の商標で、ドイツのビーワイケイカンパニー（BYK Company）から市販されているつや消し剤からなる群から少なくとも一つ選択されてもよい。
本開示の一の実施形態において、つや消し剤の使用量は、従来の使用量であってもよく、特別な制限はない。つや消し剤の量は、金属化合物の１００重量部を基準として、約０．３〜４重量部であることが好ましい。
本開示の一の実施形態において、粘度調整剤は、インク組成物の粘度を調整するために用いられる。本開示は、粘度調整剤の種類に特別の制限を持たず、先行技術において従来から選択されるものであってもよい。例えば、粘度調整剤は、ガスシリカ（gas silica）、ポリアミドのろう、有機ベントナイト、水素化ヒマシ油（hydrogenated castor oil）、金属せっけん、ヒドロキシアルキルセルロース及びその誘導体、ポリビニルアルコール、並びにポリアクリレートからなる群から少なくとも一つ選択されてもよい。
本開示の一の実施形態において、粘度調整剤の使用量は、先行技術において従来から選択される程度であってもよい。粘度調整剤の量は、金属化合物の１００重量部を基準として、約０．３〜３重量部であることが好ましい。
本開示の一の実施形態において、インク組成物は、上記のように定義された、金属化合物、インク媒剤、溶媒、消泡剤、つや消し剤、及び粘度調整剤を含む。金属化合物の１００重量部を基準として、インク媒剤の量は約１〜３０重量部であり、溶媒の量は約２０〜２００重量部であり、分散剤の量は約０．４〜４重量部であり、消泡剤の量は約０．１〜３重量部であり、つや消し剤の量は約０．３〜４重量部であり、粘度調整剤の量は約０．３〜３重量部である。
本開示によるインク組成物の製造方法は、金属化合物及びインク媒剤と任意の溶媒及び助剤とを均一に混合し得る限りにおいては特別に制限されない。例えば、金属化合物及びインク媒剤と任意の溶媒及び助剤とを混合器（遊星型ボールミル等）内で混合し、本開示のインク組成物を得てもよい。混合器内で均一に混合する方法及び条件は当技術分野で知られているため、繰り返し言及する必要はない。
本開示の一の実施形態においては、絶縁基板の表面上にインク組成物を塗布するために、先行技術における各種の一般的な方法を適用し得る。例えば、スクリーン印刷、吹き付け、レーザー印刷、インクジェット印刷、転写印刷、グラビア印刷、活版印刷、及びリトグラフからなる群から選択される少なくとも一つの方法を用いることにより、絶縁基板におけるメッキするための表面上に、インク組成物が塗布されてもよい。本開示による方法は、特には、インクジェット印刷又はレーザー印刷の手段によって絶縁基板のメッキするための表面上にインク組成物を塗布することに適している。上記のスクリーン印刷、吹き付け、レーザー印刷、インクジェット印刷、転写印刷、グラビア、活版印刷、及びリトグラフにおける具体的な操作方法及び条件は、当技術分野において周知であり、繰り返し言及する必要はない。
本開示の一の実施形態において、当該方法はまた、絶縁基板の表面上にインク組成物を塗布し、インク組成物を有する基板に乾燥を施すことを備えていてもよい。本開示の乾燥方法は特別な制限を持たず、インク組成物中のインク媒剤及び任意の溶媒の種類によって適切に選択され得る。例えば、乾燥温度は、約８０〜１５０℃であってもよく、乾燥時間は約０．５〜５時間であってもよい。
本開示の一の実施形態において、絶縁基板の表面上に電気メッキ又は化学メッキが実行され、その後絶縁基板における表面のメッキが得られる限り、インク層の厚さは、インク組成物の構成物質によって適切に選択され得る。好ましくは、インク層は約８〜５０ミクロンの厚さを有し得る。より好ましくは、インク層は、約１２〜４０ミクロンの厚さを有し得る。更に好ましくは、インク層は、約１２〜２５ミクロンの厚さを有し得る。
本開示の一の実施形態において、当該方法は更に、メッキするステップの前に、インク層を有する絶縁基板に非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）内において約５００〜１０００℃の温度で加熱処理を施すことを備えていてもよい。これは、本開示の方法によって形成される金属層の基板に対する接着力（例えば、結合力）を更に向上し得る。基板に対する金属層の接着力を更に向上するためには、加熱処理の温度を約７００〜９００℃とする。最終的に形成される金属層の基板に対する接着力の向上を確保する限りにおいては、本開示は加熱処理の時間に対して特別の制限を持たない。加熱処理の時間は、約１〜５時間が好ましい。本開示の一の実施形態においては、加熱処理は非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）で実行され、非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）は、化学的に不活性の気体によって形成されている雰囲気に関し、例えば、窒素雰囲気、ゼロ族ガス（Ａｒ等）によって形成される雰囲気である。
本開示の一の実施形態においては、最終的に形成される金属層の基板に対する接着力を更に向上するために、絶縁基板におけるメッキするための表面上にインク組成物を塗布する手段は、インク組成物及び無機バインダを混合し、混合物を形成することと、メッキするための表面に混合物を塗布することとを備える。無機バインダの量は、インク組成物の１００重量部を基準として、約１〜１５重量部である。無機バインダの量は、インク組成物の１００重量部を基準として、約５〜１０重量部であることが好ましい。
本開示の方法は、無機バインダの種類に特別の制限を持たず、先行技術における各種の一般的な無機バインダであってもよい。無機バインダは、ＳｉＯ2 、ＣａＯ、Ｎａ2 Ｏ、ＺｎＯ、及びＮｉ2 Ｏ3 からなる群から少なくとも一つ選択されることが好ましい。
本開示の一の実施形態において、当該方法は更に、電気メッキ又は化学メッキを用いることによりインク層を有する絶縁基板上に少なくとも一つの金属層をメッキすることを備えていてもよい。本開示による方法は、絶縁基板の表面に直接化学メッキ又は電気メッキを行いうる。また、化学メッキ又は電気メッキの工程中、インク層を有さない絶縁基板の表面にはメッキされない。本開示による方法は、高い生産効率を有するだけでなく微細なメッキパターンを形成し得る。
本開示の一の実施形態において、基板表面のインク層上への化学メッキ又は電気メッキの方法は、特別の制限を持たず、先行技術において従来から選択されるものであってもよく、繰り返し言及する必要はない。
本開示の一の実施形態において、特定の動作要件に従って、インク層を有する基板表面上に化学メッキ又は電気メッキが少なくとも１回実行され、基板表面上に少なくとも一つの金属層を形成してもよい。本開示の一の実施形態においては、基板上に少なくとも１回化学メッキ又は金属メッキを行い、基板表面上に多層化した金属層を形成する場合、各金属層の構成物質及び厚さは、特定の動作要件によって適切に選択され得、各金属層は同じであってもよいし異なっていてもよい。
好ましくは、金属層は少なくとも２層を備え得る。一の実施形態において、基板表面上にＣｕの層が形成され、当該Ｃｕの層の外面にＮｉの層が形成される。一の実施形態において、基板表面上に第１のＮｉの層が形成され、当該第１のＮｉの層の外面にＣｕの層が形成され、当該Ｃｕの層の外面に第２のＮｉの層が形成される。一の実施形態において、基板表面上に第１のＮｉの層が形成され、当該第１のＮｉの層の外面にＣｕの層が形成され、当該Ｃｕの層の外面に第２のＮｉの層が形成され、当該第２のＮｉの層の外面にＡｕの層が形成される。一の実施形態において、基板表面上にＣｕの層が形成され、当該Ｃｕの層の外面にＮｉの層が形成され、当該Ｎｉの層の外面にＡｇの層が形成される。当該特定の動作要件を満たし得る限りにおいては、各金属層の厚さに対して、本開示の方法は特別の制限を持たない。一般的には、Ｎｉの層の厚さは約３〜４ミクロンとなり得、Ｃｕの層の厚さは約１０〜６０ミクロンとなり得、Ａｕの層の厚さは約０．０２〜０．０８ミクロンとなり得る。
本開示の一の実施形態において、絶縁基板は、セラミック基板、ガラス基板、又はセメント基板であってもよい。絶縁基板は、セラミック基板であることが好ましい。
本開示はまた、本開示の方法によって製造されたメッキされている表面を有している物品を提供する。上述のインク組成物又は方法の特徴及び効果はまた、当該物品に適用できることに留意されたい。本開示の物品は、基板に対して金属層表面の高い接着力を有する。また、本開示の物品は、信号変換部品として用いられた場合に、非常に高い信号感度を有する。
本発明は更に、以下に実験例として記載される。実験例及び比較例での原料は、全て市販されているものである。
以下の実験例においては、金属化合物の組成は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって計測される。
以下の実験例においては、金属化合物の平均粒子径は、チョントゥーファインニューパウダーテスティングイクイップメント（Chengdu fine new Powder Testing Equipment）株式会社から市販されているレーザー粒子径テスター（laser particle size tester）を用いて計測される。平均粒子径は、体積平均粒子径である。
以下の実験例においては、インク層の厚さは、走査電子顕微鏡法（ＳＥＭ）を用いて計測される。
以下の実験例においては、基板表面に形成される金属層の接着力は、クロスカットテープ試験（Cross-Cut Tape Test）の手段によって計測される。特には、クロスカットテープ試験は、１０×１０の正方形からなり、各正方形が１ｍｍ×１ｍｍである格子模様の切れ目を試験試料の表面に入れることを備え、各切れ目は金属層の底層まで達している。またクロスカットテープ試験は、ブラシを用いて試験試料を清掃し、試験領域から屑を取り除くことと、格子模様を覆ってテープ（３Ｍ Ｎｏ．６００のテープ）を接着することと、自由端をつかみ、垂直方向に素早く引張り取ることによってテープを取り除くこととを備えている。同じ部分に同じ試験が２回繰り返され、以下の基準に従って、接着力の等級が決定される。
５Ｂ：切れ目の縁が滑らかであり、格子の正方形が何れも剥離していない。
４Ｂ：格子の交差点で小さな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が５％未満である。
３Ｂ：格子の交差点及び縁に小さな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が５〜１５％である。
２Ｂ：格子の交差点及び縁に大きな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が１５〜３５％である。
１Ｂ：格子の交差点及び縁に大きな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が３５〜６５％である。
０Ｂ：格子の交差点及び縁に大きな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が６５％よりも大きい。
５Ｂ：切れ目の縁が滑らかであり、格子の正方形が何れも剥離していない。
４Ｂ：格子の交差点で小さな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が５％未満である。
３Ｂ：格子の交差点及び縁に小さな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が５〜１５％である。
２Ｂ：格子の交差点及び縁に大きな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が１５〜３５％である。
１Ｂ：格子の交差点及び縁に大きな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が３５〜６５％である。
０Ｂ：格子の交差点及び縁に大きな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が６５％よりも大きい。
以下の実験例においては、全等方感度（Total Isotropic Sensitivity: TIS）は、ＹＤ／Ｔ １４８４−２００６に規定する方式を用いて計測され、ＧＭＳ１８００のシステムが適用される。また、基板の表面がメッキされ、受信機のアンテナとしてのパターンを形成する。計測は、自由空間中においてアンテナが機能しないモードの下で行われ、計測の周波数は２１１２ＭＨｚである。計測結果は、ｄＢｍの単位で示され、その絶対値が大きくなるにつれ、信号の感度が高くなる。
実験例１〜３１は、基板表面にメッキする方法を説明するために用いられる。
実験例１
（１）８０ｇのＣｕＯ粉末及び８０ｇのＦｅ2 Ｏ3 粉末を均一に混合することで混合物を形成し、その後混合物をエタノールの媒体下において１２時間ボールミル内で砕いた。ボールミル生成物が乾燥した後、乾燥した混合物には、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で７５０℃の温度で５時間か焼が施され、か焼された生成物が形成された。その後、か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径になるまで砕かれた。製造された生成物はＣｕＦｅＯ3.98であった。
（１）８０ｇのＣｕＯ粉末及び８０ｇのＦｅ2 Ｏ3 粉末を均一に混合することで混合物を形成し、その後混合物をエタノールの媒体下において１２時間ボールミル内で砕いた。ボールミル生成物が乾燥した後、乾燥した混合物には、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で７５０℃の温度で５時間か焼が施され、か焼された生成物が形成された。その後、か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径になるまで砕かれた。製造された生成物はＣｕＦｅＯ3.98であった。
（２）ステップ（１）で製造された１００ｇの生成物と、１５ｇのポリビニルブチラール（Ｍｏｗｉｔａｌの商標で日本の株式会社クラレから市販されている）と、２０ｇのトルエンとが均一に混合されることで、本実験例のインク組成物が得られた。
（３）ステップ（２）で製造されたインク組成物は、インクジェット印刷の方法によりＡｌ2 Ｏ3 セラミック基板の表面上に塗布され、約１２０℃の温度で３時間乾燥され、その後、窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理が施された。そうすることで、インク層が基板表面に形成され、当該インク層は約１２μｍの厚さを有した。
（４）インク層を有する基板表面に電気メッキが施され、銅板層を形成した。また、電流の強さは３Ａ／ｃｍ2 であった。
比較例１
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理を施す処理は省略された。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理を施す処理は省略された。
実験例２
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。
ステップ（１）において、８０ｇのＣｕＯ粉末及び８０ｇのＦｅ2 Ｏ3 粉末を均一に混合することで混合物を形成し、混合物をエタノールの媒体下において１２時間ボールミル内で砕いた。ボールミル生成物が乾燥した後、乾燥した混合物には、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で１０００℃の温度で１２時間か焼が施され、か焼された生成物を形成した。その後、か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径になるまで砕かれた。製造された生成物はＣｕＦｅＯ3.2 であった。
ステップ（３）において、ステップ（２）で製造されたインク組成物が、Ｎｉ2 Ｏ3 と均一に混合され（１００ｇのインク組成物を基準として、Ｎｉ2 Ｏ3 の使用量は１０ｇであった）、混合物を形成した。得られた混合物は、インクジェット印刷の方法によってＺｒＯ2 セラミック基板の表面に塗布され、約１２０℃の温度で３時間乾燥された。その後、乾燥した混合物は、窒素雰囲気内において約９００℃の温度で１時間加熱処理が施された。そうすることで、基板表面上にインク層が形成され、当該インク層は約１５μｍの厚さを有した。
ステップ（４）において、インク層を有する表面を持つ基板がメッキ溶液内に配され、化学メッキを施した。メッキ溶液の組成は、０．１２ｍｏｌ／ＬのＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ、０．１４ｍｏｌ／ＬのＮａ2 ＥＤＴＡ・２Ｈ2Ｏ、１０ｍｇ／Ｌのフェロシアン化カリウム、１０ｍｇ／Ｌの２，２’−ビピリジン、０．１０ｍｏｌ／Ｌのグリオキシル酸であった。メッキ溶液は、ＮａＯＨ及びＨ2 ＳＯ4 の溶液を用いることによりｐＨ１２．５〜１３に調整された。また、メッキ溶液の温度は５０度であった。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。
ステップ（１）において、８０ｇのＣｕＯ粉末及び８０ｇのＦｅ2 Ｏ3 粉末を均一に混合することで混合物を形成し、混合物をエタノールの媒体下において１２時間ボールミル内で砕いた。ボールミル生成物が乾燥した後、乾燥した混合物には、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で１０００℃の温度で１２時間か焼が施され、か焼された生成物を形成した。その後、か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径になるまで砕かれた。製造された生成物はＣｕＦｅＯ3.2 であった。
ステップ（３）において、ステップ（２）で製造されたインク組成物が、Ｎｉ2 Ｏ3 と均一に混合され（１００ｇのインク組成物を基準として、Ｎｉ2 Ｏ3 の使用量は１０ｇであった）、混合物を形成した。得られた混合物は、インクジェット印刷の方法によってＺｒＯ2 セラミック基板の表面に塗布され、約１２０℃の温度で３時間乾燥された。その後、乾燥した混合物は、窒素雰囲気内において約９００℃の温度で１時間加熱処理が施された。そうすることで、基板表面上にインク層が形成され、当該インク層は約１５μｍの厚さを有した。
ステップ（４）において、インク層を有する表面を持つ基板がメッキ溶液内に配され、化学メッキを施した。メッキ溶液の組成は、０．１２ｍｏｌ／ＬのＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ、０．１４ｍｏｌ／ＬのＮａ2 ＥＤＴＡ・２Ｈ2Ｏ、１０ｍｇ／Ｌのフェロシアン化カリウム、１０ｍｇ／Ｌの２，２’−ビピリジン、０．１０ｍｏｌ／Ｌのグリオキシル酸であった。メッキ溶液は、ＮａＯＨ及びＨ2 ＳＯ4 の溶液を用いることによりｐＨ１２．５〜１３に調整された。また、メッキ溶液の温度は５０度であった。
実験例３
基板表面は、以下を除いて実験例２と略同じ方法によってメッキされた。Ｎｉ2 Ｏ3は使用されない。
基板表面は、以下を除いて実験例２と略同じ方法によってメッキされた。Ｎｉ2 Ｏ3は使用されない。
実験例４
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。ＣａＣｕ3 Ｔｉ4 Ｏ12（フゥ チアーン（Fu Qiang）等著，ＣａＣｕ3 Ｔｉ4 Ｏ12セラミックの製造方法及びその特質(Preparation method of CaCu3 Ti4 O12ceramics and property thereof)，ウーハン大学アカデミックジャーニー（自然科学版）（Wuhan University Academic Journey (Natural Science Version)），２００８年，５４（４）巻３８１〜３８４ページ、その後の同様のもの)は、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で約８００℃の温度で５時間か焼が施され、か焼された生成物を形成した。その後、か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径になるまでボールミル内で砕かれた。製造された生成物はＣａ0.1 Ｃｕ0.9 ＴｉＯ2.95であった。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。ＣａＣｕ3 Ｔｉ4 Ｏ12（フゥ チアーン（Fu Qiang）等著，ＣａＣｕ3 Ｔｉ4 Ｏ12セラミックの製造方法及びその特質(Preparation method of CaCu3 Ti4 O12ceramics and property thereof)，ウーハン大学アカデミックジャーニー（自然科学版）（Wuhan University Academic Journey (Natural Science Version)），２００８年，５４（４）巻３８１〜３８４ページ、その後の同様のもの)は、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で約８００℃の温度で５時間か焼が施され、か焼された生成物を形成した。その後、か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径になるまでボールミル内で砕かれた。製造された生成物はＣａ0.1 Ｃｕ0.9 ＴｉＯ2.95であった。
比較例２
基板表面は、以下を除いて実験例４と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理を施す処理が省略された。
基板表面は、以下を除いて実験例４と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理を施す処理が省略された。
実験例５
基板表面は、以下を除いて実験例４と略同じ方法によってメッキされた。ステップ（２）で製造されたインク組成物がＳｉＯ2 と均一に混合され（１００ｇのインク組成物と比較すると、ＳｉＯ2 の使用量は１０ｇであった）、混合物を形成した。その後、混合物は、インクジェット印刷の方法によってＡｌ2 Ｏ3 セラミック基板の表面上に塗布された。そうすることで、基板表面上にインク層が形成された。
基板表面は、以下を除いて実験例４と略同じ方法によってメッキされた。ステップ（２）で製造されたインク組成物がＳｉＯ2 と均一に混合され（１００ｇのインク組成物と比較すると、ＳｉＯ2 の使用量は１０ｇであった）、混合物を形成した。その後、混合物は、インクジェット印刷の方法によってＡｌ2 Ｏ3 セラミック基板の表面上に塗布された。そうすることで、基板表面上にインク層が形成された。
実験例６
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。４ｇのＭｇＯ粉末及び１８．７ｇのＧａ2 Ｏ3 粉末が均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物はボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物は乾燥された後、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）内で約１０００℃の温度で約１２時間か焼が施され、か焼された生成物を形成した。その後、か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。最終的に製造された生成物は、ＭｇＧａ2 Ｏ3.8 であった。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。４ｇのＭｇＯ粉末及び１８．７ｇのＧａ2 Ｏ3 粉末が均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物はボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物は乾燥された後、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）内で約１０００℃の温度で約１２時間か焼が施され、か焼された生成物を形成した。その後、か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。最終的に製造された生成物は、ＭｇＧａ2 Ｏ3.8 であった。
実験例７
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。５４．１ｇのＣｕＯ（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約４０ｎｍの平均粒子径を有する）と、２７．１ｇのＦｅ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）と、２９．６ｇのＭｎ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約２００ｎｍの平均粒子径を有する）とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、約１０００℃の温度で１０時間か焼され、か焼された生成物を得た。得られたか焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。最終的に製造された生成物は、ＣｕＦｅ0.5 Ｍｎ0.5 Ｏ2.5 であった。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。５４．１ｇのＣｕＯ（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約４０ｎｍの平均粒子径を有する）と、２７．１ｇのＦｅ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）と、２９．６ｇのＭｎ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約２００ｎｍの平均粒子径を有する）とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、約１０００℃の温度で１０時間か焼され、か焼された生成物を得た。得られたか焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。最終的に製造された生成物は、ＣｕＦｅ0.5 Ｍｎ0.5 Ｏ2.5 であった。
比較例３
基板表面は、以下を除いて実験例７と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理を施す処理が省略された。
基板表面は、以下を除いて実験例７と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理を施す処理が省略された。
実験例８
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。５４．１ｇのＣｕＯ（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約４０ｎｍの平均粒子径を有する）と、２７．１ｇのＦｅ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）と、１７．３ｇのＡｌ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がＮ2 雰囲気内で１０００℃の温度で１０時間か焼され、か焼された生成物を得た。その後、か焼された生成物は、ボールミル内で約８０ｎｍの平均粒子径を有する粉末となるまで砕かれた。最終的に製造された生成物は、ＣｕＦｅ0.5 Ａｌ0.5 Ｏ2.5 であった。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。５４．１ｇのＣｕＯ（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約４０ｎｍの平均粒子径を有する）と、２７．１ｇのＦｅ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）と、１７．３ｇのＡｌ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がＮ2 雰囲気内で１０００℃の温度で１０時間か焼され、か焼された生成物を得た。その後、か焼された生成物は、ボールミル内で約８０ｎｍの平均粒子径を有する粉末となるまで砕かれた。最終的に製造された生成物は、ＣｕＦｅ0.5 Ａｌ0.5 Ｏ2.5 であった。
実験例９
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。５４．１ｇのＣｕＯ（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約４０ｎｍの平均粒子径を有する）と、１３．６ｇのＦｅ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）と、８．７ｇのＡｌ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）と、２６．９ｇのＭｎ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約２００ｎｍの平均粒子径を有する）とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がＮＨ3 雰囲気内で１０００℃の温度で２０時間か焼され、か焼された生成物を得た。その後、か焼された生成物は、ボールミル内で約８０ｎｍの平均粒子径を有する粉末となるまで砕かれた。最終的に製造された生成物は、ＣｕＦｅ0.25Ａｌ0.25Ｍｎ0.5 Ｏ2.5 であった。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。５４．１ｇのＣｕＯ（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約４０ｎｍの平均粒子径を有する）と、１３．６ｇのＦｅ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）と、８．７ｇのＡｌ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）と、２６．９ｇのＭｎ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約２００ｎｍの平均粒子径を有する）とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がＮＨ3 雰囲気内で１０００℃の温度で２０時間か焼され、か焼された生成物を得た。その後、か焼された生成物は、ボールミル内で約８０ｎｍの平均粒子径を有する粉末となるまで砕かれた。最終的に製造された生成物は、ＣｕＦｅ0.25Ａｌ0.25Ｍｎ0.5 Ｏ2.5 であった。
実験例１０
基板表面は、以下を除いて実験例９と略同じ方法によってメッキされた。ステップ（２）で製造されたインク組成物がＳｉＯ2 と均一に混合され（１００ｇのインク組成物と比較すると、ＳｉＯ2 の使用量は５ｇであった）、混合物を形成した。得られた混合物は、インクジェット印刷の方法によってＡｌ2 Ｏ3 セラミック基板の表面上に塗布された。
基板表面は、以下を除いて実験例９と略同じ方法によってメッキされた。ステップ（２）で製造されたインク組成物がＳｉＯ2 と均一に混合され（１００ｇのインク組成物と比較すると、ＳｉＯ2 の使用量は５ｇであった）、混合物を形成した。得られた混合物は、インクジェット印刷の方法によってＡｌ2 Ｏ3 セラミック基板の表面上に塗布された。
実験例１１
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。５８ｇのＣｕＯと、３４ｇのＧａ2 Ｏ3 と、１４ｇのＢ2 Ｏ3 とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物が、乾燥された後、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で約１０００℃の温度で約１２時間か焼され、か焼された生成物を得た。その後、か焼された生成物は約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＣｕＧａ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 であった。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。５８ｇのＣｕＯと、３４ｇのＧａ2 Ｏ3 と、１４ｇのＢ2 Ｏ3 とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物が、乾燥された後、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で約１０００℃の温度で約１２時間か焼され、か焼された生成物を得た。その後、か焼された生成物は約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＣｕＧａ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 であった。
比較例４
基板表面は、以下を除いて実験例１１と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理が施される処理は省略された。
基板表面は、以下を除いて実験例１１と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理が施される処理は省略された。
実験例１２
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。８０ｇのＣｕＯと４０ｇのＦｅ2 Ｏ3 と１７ｇのＢ2 Ｏ3 とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物が、乾燥された後、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で約１０００℃の温度で約１２時間か焼され、か焼された生成物を得た。その後、か焼された生成物は約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＣｕＦｅ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 であった。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。８０ｇのＣｕＯと４０ｇのＦｅ2 Ｏ3 と１７ｇのＢ2 Ｏ3 とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物が、乾燥された後、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で約１０００℃の温度で約１２時間か焼され、か焼された生成物を得た。その後、か焼された生成物は約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＣｕＦｅ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 であった。
比較例５
基板表面は、以下を除いて実験例１２と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理が施される処理は省略された。
基板表面は、以下を除いて実験例１２と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理が施される処理は省略された。
実験例１３
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。４５ｇのＮｉ2 Ｏ3 と、８０ｇのＣｕＯと、１８ｇのＢ2 Ｏ3 とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物が、乾燥された後、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で約１０００℃の温度で約１２時間か焼され、か焼された生成物を得た。その後、か焼された生成物は約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＣｕＮｉ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 であった。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。４５ｇのＮｉ2 Ｏ3 と、８０ｇのＣｕＯと、１８ｇのＢ2 Ｏ3 とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物が、乾燥された後、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で約１０００℃の温度で約１２時間か焼され、か焼された生成物を得た。その後、か焼された生成物は約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＣｕＮｉ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 であった。
実験例１４
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。８０ｇのＣｕＯ及び２５ｇのＢ2 Ｏ3 が均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物は、乾燥された後、空気雰囲気下で約９００℃の温度で約６時間か焼された。か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＣｕＢ0.7 Ｏ2 であった。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。８０ｇのＣｕＯ及び２５ｇのＢ2 Ｏ3 が均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物は、乾燥された後、空気雰囲気下で約９００℃の温度で約６時間か焼された。か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＣｕＢ0.7 Ｏ2 であった。
実験例１５
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。７５ｇのＮｉ2 Ｏ3 及び１２８ｇのＭｏＯ3 が均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物は、乾燥された後、Ｎ2 雰囲気下で約９００℃の温度で約６時間か焼された。か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＮｉＭｏＯ3.8 であった。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。７５ｇのＮｉ2 Ｏ3 及び１２８ｇのＭｏＯ3 が均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物は、乾燥された後、Ｎ2 雰囲気下で約９００℃の温度で約６時間か焼された。か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＮｉＭｏＯ3.8 であった。
比較例６
基板表面は、以下を除いて実験例１５と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理が施される処理は省略された。
基板表面は、以下を除いて実験例１５と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理が施される処理は省略された。
実験例１６
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。インク組成物がＮｉ2 Ｏ3と均一に混合され（１００ｇのインク組成物と比較すると、Ｎｉ2 Ｏ3の使用量は１５ｇであった）、混合物を形成した。得られた混合物は、インクジェット印刷の方法によってＡｌ2 Ｏ3 セラミック基板の表面上に塗布された。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。インク組成物がＮｉ2 Ｏ3と均一に混合され（１００ｇのインク組成物と比較すると、Ｎｉ2 Ｏ3の使用量は１５ｇであった）、混合物を形成した。得られた混合物は、インクジェット印刷の方法によってＡｌ2 Ｏ3 セラミック基板の表面上に塗布された。
実験例１７
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。ナノ二酸化チタン（nano- titanium dioxide）（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約６０ｎｍの平均粒子径を有する）が磁器製の舟形皿の中央に載置され、当該舟形皿は、反応管内に配置され、その後マッフル炉の高温部に配置された。反応管の両端は、ゴム栓で密閉され、滴下している水によって冷やされた。また、アンモニアガスの雰囲気は、反応管内の空気を置き換えるように当該反応管内に充満された。加えて、反応装置の密閉状態を検査するためにｐＨ試験紙が用いられた。アンモニアの漏れがない場合、電源が投入され、アンモニアの流速は２．４ｃｍ3 ／ｓに制御された。マッフル炉の温度は８００℃に上げられ、５時間維持された。その後、舟形皿はアンモニアガス雰囲気の下で８０℃まで冷却された。アンモニアガスが止まった後、舟形皿が取り出され、デシケーター内に配置され、室温まで冷却し、その後、式Iの化合物が得られた。製造されたチタン酸化物は、高速のボールミルによって約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれ、得られたチタン酸化物はＴｉＯ0.9 であった。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。ナノ二酸化チタン（nano- titanium dioxide）（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約６０ｎｍの平均粒子径を有する）が磁器製の舟形皿の中央に載置され、当該舟形皿は、反応管内に配置され、その後マッフル炉の高温部に配置された。反応管の両端は、ゴム栓で密閉され、滴下している水によって冷やされた。また、アンモニアガスの雰囲気は、反応管内の空気を置き換えるように当該反応管内に充満された。加えて、反応装置の密閉状態を検査するためにｐＨ試験紙が用いられた。アンモニアの漏れがない場合、電源が投入され、アンモニアの流速は２．４ｃｍ3 ／ｓに制御された。マッフル炉の温度は８００℃に上げられ、５時間維持された。その後、舟形皿はアンモニアガス雰囲気の下で８０℃まで冷却された。アンモニアガスが止まった後、舟形皿が取り出され、デシケーター内に配置され、室温まで冷却し、その後、式Iの化合物が得られた。製造されたチタン酸化物は、高速のボールミルによって約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれ、得られたチタン酸化物はＴｉＯ0.9 であった。
比較例７
基板表面は、以下を除いて実験例１７と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理が施される処理は省略された。
基板表面は、以下を除いて実験例１７と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理が施される処理は省略された。
実験例１８
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。インク組成物がＮｉ2 Ｏ3 と均一に混合され（１００ｇのインク組成物と比較すると、Ｎｉ2 Ｏ3 の使用量は１０ｇであった）、混合物を形成した。得られた混合物は、インクジェット印刷の方法によってＡｌ2 Ｏ3 セラミック基板の表面上に塗布された。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。インク組成物がＮｉ2 Ｏ3 と均一に混合され（１００ｇのインク組成物と比較すると、Ｎｉ2 Ｏ3 の使用量は１０ｇであった）、混合物を形成した。得られた混合物は、インクジェット印刷の方法によってＡｌ2 Ｏ3 セラミック基板の表面上に塗布された。
実験例１９
（１）基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。ナノ二酸化チタン（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約６０ｎｍの平均粒子径を有する）が磁器製の舟形皿の中央に載置され、当該舟形皿は、反応管内に配置され、その後マッフル炉の高温部に配置された。反応管の両端は、ゴム栓で密閉され、滴下している水によって冷やされた。また、アンモニアガスの雰囲気は、反応管内の空気を置き換えるように当該反応管内に充満された。加えて、反応装置の密閉状態を検査するためにｐＨ試験紙が用いられた。アンモニアの漏れがない場合、電源が投入され、アンモニアの流速は４ｃｍ3 ／ｓに制御された。マッフル炉の温度は７８０℃に上げられ、４時間維持された。その後、舟形皿はアンモニアガス雰囲気の下で１００℃まで冷却された。アンモニアガスが止まった後、舟形皿が取り出され、デシケーター内に配置され、室温まで冷却した。製造されたチタン酸化物は、高速のボールミルによって約４０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。得られたチタン酸化物はＴｉＯ1.67であった。
（１）基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は以下の方法によって製造された。ナノ二酸化チタン（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約６０ｎｍの平均粒子径を有する）が磁器製の舟形皿の中央に載置され、当該舟形皿は、反応管内に配置され、その後マッフル炉の高温部に配置された。反応管の両端は、ゴム栓で密閉され、滴下している水によって冷やされた。また、アンモニアガスの雰囲気は、反応管内の空気を置き換えるように当該反応管内に充満された。加えて、反応装置の密閉状態を検査するためにｐＨ試験紙が用いられた。アンモニアの漏れがない場合、電源が投入され、アンモニアの流速は４ｃｍ3 ／ｓに制御された。マッフル炉の温度は７８０℃に上げられ、４時間維持された。その後、舟形皿はアンモニアガス雰囲気の下で１００℃まで冷却された。アンモニアガスが止まった後、舟形皿が取り出され、デシケーター内に配置され、室温まで冷却した。製造されたチタン酸化物は、高速のボールミルによって約４０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。得られたチタン酸化物はＴｉＯ1.67であった。
（２）ステップ（１）で製造された５０ｇのチタン酸化物と、１ｇのインク媒剤（ＣＡＢ３８１−２の商標でイーストマンケミカルカンパニー（Eastman chemical Company）から市販されている）と、２０ｇのｎ−ヘプタノールと、０．２ｇの分散剤（ＰＳ−２１Ａの商標でアメリカ合衆国のウィトコ（Witco）社から市販されている）と、０．２ｇの消泡剤（ＢＹＫ−０５１の商標でドイツのビーワイケイカンパニー（BYK Company）から市販されている）と、０．３ｇのつや消し剤（ＢＹＫ−３３３の商標でドイツのビーワイケイカンパニーから市販されている）と、０．３ｇのポリアミドのろう（ＦＡ１の商標でドイツのクラインカンパニー（Klein Company）から市販されている）とが、均一に混合されることで、本実験例のインク組成物を得た。
（３）ステップ（２）で得られたインク組成物が、１０ｇのＮａ2 Ｏと均一に混合され、混合物を形成した。その後、得られた混合物は、リトグラフの方法によってセメント基板の表面に塗布された。インク組成物が、９０℃の温度で５時間乾燥された後、約１０００℃の温度で２時間加熱処理が施され、基板表面上にインク層を形成し、当該インク層は約１５μｍの厚さを有した。
（４）金属層は、実験例１と略同じ方法によって、ステップ（３）で得られた基板表面上に形成された。
実験例２０
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、ナノ銅酸化物（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約８０ｎｍの平均粒子径を有する）とする。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、ナノ銅酸化物（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約８０ｎｍの平均粒子径を有する）とする。
比較例８
基板表面は、以下を除いて実験例２０と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理が施される処理は省略された。
基板表面は、以下を除いて実験例２０と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理が施される処理は省略された。
実験例２１
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、ナノ酸化第一銅（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約８０ｎｍの平均粒子径を有する）とする。
基板表面は、以下を除いて実験例１と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、ナノ酸化第一銅（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約８０ｎｍの平均粒子径を有する）とする。
比較例９
基板表面は、以下を除いて実験例２１と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理が施される処理は省略された。
基板表面は、以下を除いて実験例２１と略同じ方法によってメッキされた。窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理が施される処理は省略された。
実験例２２
（１）１００ｇのナノ銅酸化物（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）と、１２ｇのインク媒剤（ＣＡＢ３８１−２０の商標でアメリカ合衆国のイーストマンケミカルカンパニー（Eastman chemical Company）から市販されている）と、１００ｇのエタノールと、０．６ｇの分散剤（ＢＹＫ−２２０ Ｓの商標でドイツのビーワイケイカンパニー（BYK Company）から市販されている）と、０．４ｇの消泡剤（ＢＹＫ−０６５の商標で、ドイツのビーワイケイカンパニーから市販されている）と、０．５ｇのつや消し剤（ＢＹＫ−３０６の商標で、ドイツのビーワイケイカンパニーから市販されている）と、０．３ｇのポリアクリル酸ナトリウム（アラジンリージェントカンパニーから市販されている）とが均一に混合され、本実験例のインク組成物を得た。
（１）１００ｇのナノ銅酸化物（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）と、１２ｇのインク媒剤（ＣＡＢ３８１−２０の商標でアメリカ合衆国のイーストマンケミカルカンパニー（Eastman chemical Company）から市販されている）と、１００ｇのエタノールと、０．６ｇの分散剤（ＢＹＫ−２２０ Ｓの商標でドイツのビーワイケイカンパニー（BYK Company）から市販されている）と、０．４ｇの消泡剤（ＢＹＫ−０６５の商標で、ドイツのビーワイケイカンパニーから市販されている）と、０．５ｇのつや消し剤（ＢＹＫ−３０６の商標で、ドイツのビーワイケイカンパニーから市販されている）と、０．３ｇのポリアクリル酸ナトリウム（アラジンリージェントカンパニーから市販されている）とが均一に混合され、本実験例のインク組成物を得た。
（２）ステップ（１）で得られたインク組成物は、インクジェット印刷の方法によってＺｒＯ2 基板の表面に塗布された。インク組成物が、１７０℃の温度で５時間乾燥された後、次いでＮ2 雰囲気内で約７００℃の温度で５時間加熱処理が施され、基板表面上にインク層を形成し、当該インク層は約２０μｍの厚さを有した。
（３）金属層は、実験例１と略同じ方法によって、ステップ（３）で得られた基板表面上に形成された。
実験例２３
基板表面は、以下を除いて実験例２２と略同じ方法によってメッキされた。インク組成物は、約５００℃の温度で５時間加熱処理が施された。
基板表面は、以下を除いて実験例２２と略同じ方法によってメッキされた。インク組成物は、約５００℃の温度で５時間加熱処理が施された。
実験例２４
基板表面は、以下を除いて実験例２２と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、ナノ酸化第一銅（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約４０ｎｍの平均粒子径を有する）とする。インク組成物が１０ｇのＮａ2 Ｏと均一に混合され、混合物を形成した。その後、得られた混合物は、レーザー印刷の方法によってガラス基板の表面に塗布された。基板のインク層を有する表面に乾燥が施された後、次いでインク組成物は、Ｎ2 雰囲気内で約９００℃の温度で１時間加熱処理が施された。
基板表面は、以下を除いて実験例２２と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、ナノ酸化第一銅（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約４０ｎｍの平均粒子径を有する）とする。インク組成物が１０ｇのＮａ2 Ｏと均一に混合され、混合物を形成した。その後、得られた混合物は、レーザー印刷の方法によってガラス基板の表面に塗布された。基板のインク層を有する表面に乾燥が施された後、次いでインク組成物は、Ｎ2 雰囲気内で約９００℃の温度で１時間加熱処理が施された。
実験例２５
基板表面は、以下を除いて実験例２４の方法と略同じ方法によってメッキされた。インク組成物は、Ｎ2 雰囲気内で約１０００℃の温度で１時間加熱処理が施された。
基板表面は、以下を除いて実験例２４の方法と略同じ方法によってメッキされた。インク組成物は、Ｎ2 雰囲気内で約１０００℃の温度で１時間加熱処理が施された。
比較例１０
基板表面は、以下を除いて実験例２４の方法と略同じ方法によってメッキされた。インク組成物は、Ｎ2 雰囲気内で約１２００℃の温度で１時間加熱処理が施された。
基板表面は、以下を除いて実験例２４の方法と略同じ方法によってメッキされた。インク組成物は、Ｎ2 雰囲気内で約１２００℃の温度で１時間加熱処理が施された。
比較例１１
基板表面は、以下を除いて実験例２３の方法と略同じ方法でメッキされた。インク組成物は、Ｎ2 雰囲気内で約４００℃の温度で５時間加熱処理が施された。
基板表面は、以下を除いて実験例２３の方法と略同じ方法でメッキされた。インク組成物は、Ｎ2 雰囲気内で約４００℃の温度で５時間加熱処理が施された。
実験例２６
基板表面は、以下を除いて実験例２２の方法と略同じ方法によってメッキされた。ナノ銅酸化物は、約１５０ｎｍの平均粒子径を有する。
基板表面は、以下を除いて実験例２２の方法と略同じ方法によってメッキされた。ナノ銅酸化物は、約１５０ｎｍの平均粒子径を有する。
実験例２７
基板表面は、以下を除いて実験例２２の方法と略同じ方法によってメッキされた。ナノ銅酸化物は、約５００ｎｍの平均粒子径を有する。
基板表面は、以下を除いて実験例２２の方法と略同じ方法によってメッキされた。ナノ銅酸化物は、約５００ｎｍの平均粒子径を有する。
比較例１２
基板表面は、以下を除いて実験例１の方法と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、約８０ｎｍの平均粒子径を有する銀の粉末に置き換えられた。
基板表面は、以下を除いて実験例１の方法と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、約８０ｎｍの平均粒子径を有する銀の粉末に置き換えられた。
実験例２８
基板表面は、以下を除いて実験例２と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。ＣａＣｕ3 Ｔｉ4 Ｏ12は、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で約１０００℃の温度で２時間か焼が施され、か焼された生成物を形成した。その後、か焼された生成物は、約１００ｎｍの平均粒子径になるまでボールミル内で砕かれた。製造された生成物はＣａ0.25Ｃｕ0.75ＴｉＯ2.65であった。
基板表面は、以下を除いて実験例２と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。ＣａＣｕ3 Ｔｉ4 Ｏ12は、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で約１０００℃の温度で２時間か焼が施され、か焼された生成物を形成した。その後、か焼された生成物は、約１００ｎｍの平均粒子径になるまでボールミル内で砕かれた。製造された生成物はＣａ0.25Ｃｕ0.75ＴｉＯ2.65であった。
実験例２９
基板表面は、以下を除いて実験例２と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。７５ｇのＮｉ2 Ｏ3 及び１２８ｇのＭｏＯ3 が均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物は、乾燥された後、Ｎ2 雰囲気下で約９００℃の温度で約８時間か焼された。か焼された生成物は、約１００ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＮｉＭｏＯ3.5 であった。
基板表面は、以下を除いて実験例２と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。７５ｇのＮｉ2 Ｏ3 及び１２８ｇのＭｏＯ3 が均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物は、乾燥された後、Ｎ2 雰囲気下で約９００℃の温度で約８時間か焼された。か焼された生成物は、約１００ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＮｉＭｏＯ3.5 であった。
実験例３０
基板表面は、以下を除いて実験例２と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、ナノ酸化第一銅（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約４０ｎｍの平均粒子径を有する）とした。
基板表面は、以下を除いて実験例２と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、ナノ酸化第一銅（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約４０ｎｍの平均粒子径を有する）とした。
実験例３１
基板表面は、以下を除いて実験例２と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、ナノ酸化第一銅（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約６０ｎｍの平均粒子径を有する）とした。
基板表面は、以下を除いて実験例２と略同じ方法によってメッキされた。金属化合物は、ナノ酸化第一銅（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約６０ｎｍの平均粒子径を有する）とした。
実験例１〜３１及び比較例１〜１２におけるメッキ速度、形成された金属層の厚さ、接着力、及び信号受信感度は、表１に示された。
説明的な実施形態が示され、かつ記載されたが、上の実施形態が本開示を制限するものではなく、変更、代替、及び修正は、本開示の趣旨、原理、及び範囲から外れることなく実施形態中で行うことができるということを、当業者によって理解されたい。
関連出願の相互参照
本出願は、出願番号２０１１１０４４２４８４．１として、２０１１年１２月２７日に中国特許庁に出願された中国特許出願を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てが参照によってここに組み込まれる。
本出願は、出願番号２０１１１０４４２４８４．１として、２０１１年１２月２７日に中国特許庁に出願された中国特許出願を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てが参照によってここに組み込まれる。
Claims (22)
- 絶縁基板の表面にメッキする方法において、
絶縁基板におけるメッキするための表面にインク組成物を塗布し、インク層を有する絶縁基板を得るステップと、
非反応性雰囲気内で約５００〜１０００℃の温度で、インク層を有する絶縁基板に加熱処理を施すステップと、
前記インク層上に少なくとも一つの金属層をメッキするステップと
を備え、
前記インク組成物は、金属化合物及びインク媒剤を含み、
前記金属化合物は、ナノ銅酸化物、ナノ酸化第一銅、式Iの化合物、及び式IIの化合物からなる群から選択される少なくとも一つであること
を特徴とする方法。
ＴｉＯ2-σ (I)
Ｍ1 Ｍ2 p Ｏq （II）
但し、
０．０５≦σ＜１．８であり、
Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の２族、９〜１２族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、
Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の３〜８族、１０族及び１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、
０＜ｐ≦２であり、
０＜ｑ＜４である。 - 前記メッキするステップは、化学メッキ又は電気メッキの手段によって行われること
を特徴とする請求項１に記載の方法。 - 前記絶縁基板は、ガラス基板、セラミック基板、及びセメント基板からなる群から選択される少なくとも一つであること
を特徴とする請求項１に記載の方法。 - 前記インク媒剤の含有量は、前記金属化合物の１００重量部を基準として、約１〜３０重量部であること
を特徴とする請求項１に記載の方法。 - 前記金属化合物は、１〜５００ｎｍの平均粒子径を有していること
を特徴とする請求項１に記載の方法。 - 前記インク媒剤は、アセチルセルロース、ポリアクリレート系樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルピロリドン、及びポリホスホン酸からなる群から選択される少なくとも一つであること
を特徴とする請求項１に記載の方法。 - 前記インク組成物は、溶媒を更に含み、
前記溶媒の含有量は、前記金属化合物の１００重量部を基準として、約２０〜２００重量部であること
を特徴とする請求項１に記載の方法。 - Ｍ1 は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎからなる群から選択される少なくとも一つであり、
Ｍ2 は、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎからなる群から選択される少なくとも一つであること
を特徴とする請求項１に記載の方法。 - Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、
Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素であること
を特徴とする請求項１に記載の方法。 - Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、
Ｍ2 は、Ｍ21及びＭ22を備え、
Ｍ21は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素であり、
Ｍ22は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族及び７族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、
Ｍ21及びＭ22のモル比は、約１：０．１〜１０であること
を特徴とする請求項１に記載の方法。 - Ｍ22は、Ｍ221 及びＭ222 を有し、
Ｍ221 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される一つの元素であり、
Ｍ22 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の７族からなる群から選択される一つの元素であり、
Ｍ221 及びＭ222 のモル比は、約１：０．１〜１０であること
を特徴とする請求項１０に記載の方法。 - Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の２族からなる群から選択される一つの元素であり、
Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される一つの元素であること
を特徴とする請求項１に記載の方法。 - Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１０族からなる群から選択される一つの元素であり、
Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の６族からなる群から選択される一つの元素であること
を特徴とする請求項１に記載の方法。 - Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、
Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される一つの元素であるか、又はＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される一つの元素、並びにＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族及び１０族からなる群から選択される元素の少なくとも一つを備えること
を特徴とする請求項１に記載の方法。 - Ｍ2 は、Ｍ23及びＭ24を備え、
Ｍ23は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族、１０族、及び１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、
Ｍ24はＢであり、
Ｍ23及びＭ24は異なっており、
Ｍ23及びＭ24のモル比は、約１：０．１〜１０であること
を特徴とする請求項１４に記載の方法。 - 前記金属化合物は、
ナノ銅酸化物、ナノ酸化第一銅、式Iの化合物、式IIIの化合物、ＣｕＦｅ0.5 Ｍｎ0.5 Ｏ2.5 、ＣｕＦｅ0.5 Ａｌ0.5 Ｏ2.5 、ＣｕＦｅ0.5 Ａｌ0.25Ｍｎ0.5 Ｏ2.5 、式IVの化合物、式Vの化合物、ＣｕＦｅ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 、ＣｕＮｉ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 、ＣｕＧａ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 、ＣｕＢ0.7 Ｏ2 、及び式VIの化合物から選択される少なくとも一つであること
を特徴とする請求項１に記載の方法。
ＣｕＦｅＯ4-δ （III）
ＭｇＧａ2 Ｏ4-λ （IV）
ＮｉＭｏＯ4-μ （V）
ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β （VI）
但し、０＜δ≦３であり、０＜λ≦３であり、０＜μ≦３であり、０≦α＜１であり、βは約０〜２である。 - 前記インク層を有する絶縁基板は、約７００〜９００℃で加熱処理が施されること
を特徴とする請求項１に記載の方法。 - 前記インク層を有する絶縁基板は、約１〜５時間に亘って加熱処理が施されること
を特徴とする請求項１又は１７に記載の方法。 - 前記インク層は、約８〜５０ミクロンの厚さを有すること
を特徴とする請求項１に記載の方法。 - メッキするための表面に前記インク組成物を塗布するステップは更に、
前記インク組成物及び無機バインダを混合し、混合物を形成するステップと、
前記メッキするための表面に前記混合物を塗布するステップと
を備え、
前記無機バインダの量は、前記インク組成物の１００重量部を基準として、約１〜１５重量部であること
を特徴とする請求項１又は１７に記載の方法。 - 前記無機バインダは、ＳｉＯ2 、ＣａＯ、Ｎａ2 Ｏ、ＺｎＯ、及びＮｉ2 Ｏ3 からなる群から選択される少なくとも一つであること
を特徴とする請求項２０に記載の方法。 - 請求項１〜２１までの何れか一つに記載の方法によって、得ることが可能であること
を特徴とする物品。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017519056A (ja) * | 2014-04-08 | 2017-07-13 | ルブリゾル アドバンスド マテリアルズ， インコーポレイテッド | インクジェットインク組成物 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103184440B (zh) | 2011-12-27 | 2015-12-02 | 比亚迪股份有限公司 | 一种表面选择性金属化的制品及其制备方法 |
| CN105579621B (zh) * | 2013-09-26 | 2018-07-13 | 德国艾托特克公司 | 用于衬底表面金属化的新颖粘着促进剂 |
| KR101795480B1 (ko) * | 2015-04-06 | 2017-11-10 | 코닝정밀소재 주식회사 | 집적회로 패키지용 기판 |
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| CN111517764A (zh) * | 2019-06-19 | 2020-08-11 | 贝国平 | 一种氧化物陶瓷复合材料选择性金属化的方法 |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5254625A (en) * | 1975-10-30 | 1977-05-04 | Matsushita Electric Works Ltd | Production method of substrate for surface coating |
| JPH10340629A (ja) * | 1997-06-06 | 1998-12-22 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 透明導電膜付き基板およびその製造方法 |
| JPH11344804A (ja) * | 1997-08-08 | 1999-12-14 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成体およびパターン形成方法 |
| JP2000264761A (ja) * | 1999-03-16 | 2000-09-26 | Mitsuboshi Belting Ltd | セラミックス基材メッキ用表面処理剤および該処理剤を用いたメッキ方法 |
| JP2004204265A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Ebara Corp | めっき方法およびめっき装置 |
| JP2006052101A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Mitsuboshi Belting Ltd | セラミックス基材表面への金属皮膜形成方法及び金属化処理セラミックス基材 |
| JP2008047874A (ja) * | 2006-08-17 | 2008-02-28 | Samsung Electronics Co Ltd | 新規の金属パターンの製造方法及びこれを用いた平板表示素子 |
| US20090246357A1 (en) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | Fukui Precision Component (Shenzhen) Co., Ltd. | Method of forming circuits on circuit board |
| JP2011503348A (ja) * | 2007-10-23 | 2011-01-27 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 組成物および高い伝導性を有するパターニングされた金属層の提供方法 |
| CN102071411A (zh) * | 2010-08-19 | 2011-05-25 | 比亚迪股份有限公司 | 一种塑料制品的制备方法及一种塑料制品 |
| WO2011072506A1 (en) * | 2009-12-17 | 2011-06-23 | Byd Company Limited | Surface metallizing method, method for preparing plastic article and plastic article made therefrom |
| WO2011103755A1 (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Byd Company Limited | Method for preparing plastic article and plastic article made using the same |
| CN102206817A (zh) * | 2011-03-17 | 2011-10-05 | 比亚迪股份有限公司 | 一种塑料制品的制备方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3615731A (en) * | 1970-02-16 | 1971-10-26 | Du Pont | Metalizing composition |
| NL1008460C2 (nl) * | 1998-03-03 | 1999-09-06 | Acheson Colloiden B V | Geleidende inkt of verf. |
| FR2822167B1 (fr) * | 2001-03-15 | 2004-07-16 | Nexans | Procede de metallisation d'une piece substrat |
| DE10132092A1 (de) * | 2001-07-05 | 2003-01-23 | Lpkf Laser & Electronics Ag | Leiterbahnstrukturen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| CN1199795C (zh) * | 2001-08-03 | 2005-05-04 | 中国科学院金属研究所 | 喷墨打印制备金属氧化物功能薄膜的方法 |
| US7442408B2 (en) * | 2002-03-26 | 2008-10-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Methods for ink-jet printing circuitry |
| CN103184440B (zh) | 2011-12-27 | 2015-12-02 | 比亚迪股份有限公司 | 一种表面选择性金属化的制品及其制备方法 |
-
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-
2014
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Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5254625A (en) * | 1975-10-30 | 1977-05-04 | Matsushita Electric Works Ltd | Production method of substrate for surface coating |
| JPH10340629A (ja) * | 1997-06-06 | 1998-12-22 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 透明導電膜付き基板およびその製造方法 |
| JPH11344804A (ja) * | 1997-08-08 | 1999-12-14 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成体およびパターン形成方法 |
| JP2000264761A (ja) * | 1999-03-16 | 2000-09-26 | Mitsuboshi Belting Ltd | セラミックス基材メッキ用表面処理剤および該処理剤を用いたメッキ方法 |
| JP2004204265A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Ebara Corp | めっき方法およびめっき装置 |
| JP2006052101A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Mitsuboshi Belting Ltd | セラミックス基材表面への金属皮膜形成方法及び金属化処理セラミックス基材 |
| JP2008047874A (ja) * | 2006-08-17 | 2008-02-28 | Samsung Electronics Co Ltd | 新規の金属パターンの製造方法及びこれを用いた平板表示素子 |
| JP2011503348A (ja) * | 2007-10-23 | 2011-01-27 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 組成物および高い伝導性を有するパターニングされた金属層の提供方法 |
| US20090246357A1 (en) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | Fukui Precision Component (Shenzhen) Co., Ltd. | Method of forming circuits on circuit board |
| WO2011072506A1 (en) * | 2009-12-17 | 2011-06-23 | Byd Company Limited | Surface metallizing method, method for preparing plastic article and plastic article made therefrom |
| WO2011103755A1 (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Byd Company Limited | Method for preparing plastic article and plastic article made using the same |
| CN102071411A (zh) * | 2010-08-19 | 2011-05-25 | 比亚迪股份有限公司 | 一种塑料制品的制备方法及一种塑料制品 |
| CN102206817A (zh) * | 2011-03-17 | 2011-10-05 | 比亚迪股份有限公司 | 一种塑料制品的制备方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9758682B2 (en) | 2011-12-27 | 2017-09-12 | Shenzhen Byd Auto R&D Company Limited | Ink composition, method of metalizing surface and article obtainable |
| JP2017519056A (ja) * | 2014-04-08 | 2017-07-13 | ルブリゾル アドバンスド マテリアルズ， インコーポレイテッド | インクジェットインク組成物 |
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