JP2015507365A - 太陽電池の製造用の多重レーザパルスによるレーザシステム - Google Patents

太陽電池の製造用の多重レーザパルスによるレーザシステム Download PDF

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Abstract

製造中の太陽電池(105)から材料を除去するための多重レーザパルスによるレーザシステム(100)。レーザシステム(100)は、単一パルスレーザ光源(102)及び多重パルス発生器(106)を含む。多重パルス発生器(106)は、単一パルスレーザ光源(102)から単一パルスレーザ光線(103)を受光し、この単一パルスレーザ光線(103)を多重パルスレーザ光線(107)に変換する。レーザスキャナ(104)が多重パルスレーザ光線(107)を太陽電池(105)上に走査することにより、太陽電池(105)から材料が除去される。

Description

本明細書に述べられる主題の実施形態は、概して太陽電池の製造に関する。より詳細には、主題の実施形態は、太陽電池を製造するための装置及びプロセスに関する。
太陽電池は、太陽放射光を電気エネルギーに変換するための周知の装置である。こうした電池は、半導体処理技術を用いて半導体ウェハー上に作製することができる。太陽電池は、P型及びN型拡散領域を有する。太陽電池に当たる太陽放射光によって電子及び正孔が生成され、これらの電子及び正孔が拡散領域に移動することにより、拡散領域間に電位差が生じる。バックコンタクト方式の太陽電池においては、拡散領域、及び拡散領域と結合した金属製のコンタクトフィンガーが両方とも太陽電池の裏面に設けられる。コンタクトフィンガーは、外部電気回路を太陽電池に結合し、太陽電池により電力供給することを可能にするものである。
太陽電池のコンタクトフィンガーは、拡散領域が露出したコンタクトホールを通って形成される。本発明の実施形態は、例えば材料を貫通したコンタクトホールを形成するように、太陽電池上の材料を除去するための多重パルスレーザ光線を発生させる設定可能なレーザシステムを提供する。
一実施形態では、製造中の太陽電池から材料を除去する方法は、単一パルスレーザ光源から単一パルスレーザ光線を発射する段階を含む。単一パルスレーザ光線は、第1のレーザ光線と第2のレーザ光線とに分割される。第1のレーザ光線は第1の光路に沿って方向付けられ、第2のレーザ光線は、第1の光路よりも長い第2の光路に沿って方向付けられる。第1のレーザ光線と前記第2のレーザ光線とは、あるレーザパルス遅延時間隔たりのある第1のレーザパルスと第2のレーザパルスとを含む多重パルスレーザ光線に再合成される。多重パルスレーザ光線は、太陽電池の材料に当てられることによって材料の複数の部分を除去する。
一実施形態では、製造中の太陽電池から材料を除去するためのレーザシステムは、単一パルスレーザ光線を発生させる単一パルスレーザ光源と、単一パルスレーザ光源の単一パルスレーザ光線を多重パルスレーザ光線に変換する、単一パルスレーザ光源のハウジングの外部の多重パルス発生器と、多重パルスレーザ光線を太陽電池基板全体にわたって走査するレーザスキャナと、太陽電池基板を支持するステージと、を備える。
一実施形態では、製造中の太陽電池から材料を除去する方法は、単一パルスレーザ光源から、あるパルス繰り返し率で発射される単一レーザパルスを含む単一パルスレーザ光線を発射する段階を含む。単一パルスレーザ光線は、複数のレーザパルスのバーストのそれぞれが複数のレーザパルスを含む、複数のレーザパルスの複数のバーストを、あるバースト繰り返し率で含む多重パルスレーザ光線に変換される。多重パルスレーザ光線は太陽電池上に走査される。多重パルスレーザ光線は、太陽電池上の材料上に当てられて材料の複数の部分が除去される。
本発明のこれらの特徴及びその他の特徴は、添付の図面及び特許請求の範囲を含む本開示の全体を読むことで、当業者には容易に明らかとなるであろう。
発明を実施するための形態、及び特許請求の範囲を、同様の参照番号がその全体を通じて同様の要素を指し示す以下の図面と併せて考察し、参照することによって、本主題のより完全な理解を得ることができる。図の縮尺は正確ではない。
本発明の一実施形態による、製造中の太陽電池から材料を除去するための太陽電池レーザシステムを示す概略図である。
本発明の一実施形態による図1のレーザシステムを使用する製造中の太陽電池の断面図を示す。 本発明の一実施形態による図1のレーザシステムを使用する製造中の太陽電池の断面図を示す。 本発明の一実施形態による図1のレーザシステムを使用する製造中の太陽電池の断面図を示す。
本発明の一実施形態による多重パルス発生器の概略図である。
単一パルスレーザ光線の概略図を示す。
図6の単一パルスレーザ光線のレーザパルスの概略図を示す。
本発明の一実施形態による多重パルスレーザ光線の複数のレーザパルスの概略図を示す。
本発明の一実施形態による図8の多重パルスレーザ光線を示す。
本発明の別の実施形態による多重パルスレーザ光線を示す。
本発明の別の実施形態による多重パルス発生器の概略図である。
本発明の一実施形態による、出力計を有する図11の多重パルス発生器の概略図である。
本開示では、本発明の実施形態が充分理解されるために、装置、構成要素及び方法の例など、多くの具体的な詳細を提供している。しかしながら、当業者であれば、本発明がこれらの具体的な詳細のうちの1つ以上を欠いても実施し得る点が理解されるであろう。その他の場合では、本発明の態様を不明瞭にすることを避けるため、周知の詳細については図示又は説明していない。
図1は、本発明の一実施形態による、製造中の太陽電池から材料を除去するための太陽電池レーザシステム100を示す概略図である。図1の例では、レーザシステム100は、単一パルスレーザ光源102、多重パルス発生器106、レーザスキャナ104、及びステージ108を有する。レーザ光源102は、市販の単一パルスレーザ光源とすることができる。レーザ光源102は、バーストモードで多重レーザパルス(すなわち、あるバースト繰り返し率で互いに対して比較的接近して発射される多重レーザパルス)を発射することができないという点で単一パルスレーザ光源である。レーザ光源102は、パルス繰り返し率当たり単一のレーザパルスを有する、高度に直線偏光された(例えば非偏光光に対する偏光光の比が100:1よりも大きい)単一パルスレーザ光線103を発生させる。
一部の太陽電池は、コンタクトホールが貫通して形成されている複数の層を有する。これらの層を貫通するコンタクトホールは、多重パルスレーザ光源を使用して形成されることが好ましい。その名が示すように、多重パルスレーザ光源は、あるバースト繰り返し率で複数のレーザパルスの複数のバーストを発射することが可能である。各バーストは、2つ以上のレーザパルスを含む。各バーストの複数のパルスは、バースト繰り返し周期と比較して極めて短い時間間隔を有する。残念なことに、多重パルスレーザ光源は、単一パルスレーザ光源と比較して一般的により高価であり、入手が困難である。多重パルス発生器106は、単一パルスレーザ光源102からの単一パルスレーザ光線103を多重パルスレーザ光線107に変換することによってこの問題に対処する。多重パルスレーザ光線107は、あくまで説明の目的で、1バースト当たり2つのレーザパルスを有するものとして示されている。多重パルス発生器106は、単一パルスレーザ光線103を1バースト当たり2つよりも多いレーザパルスを有する多重パルスレーザ光線107に変換するように構成することができる。
一実施形態では、多重パルス発生器106はレーザ光源102のハウジングの外部にある。これにより、レーザ光源102のアーキテクチャによって制限されることなく多重パルス発生器106を構成することが可能であり、有利である。更に、多重パルス発生器106をレーザ光源102の外部でかつレーザ光源102とは別個に有することにより、多重パルス発生器106を、特定の太陽電池製造プロセスの要求を満たすよう多重パルスレーザ光線107を調整するように容易に構成することが可能である。
レーザスキャナ104は、ドイツのScanLab及びCambridge Technologiesより市販されるもののようなガルバノメータレーザスキャナを備え得る。ステージ108は、製造中の太陽電池105を支持するものである。ステージ108は、台座、チャック、又はその他の基板支持体を備えることができる。
動作時に、レーザ光源102は、多重パルス発生器106上に単一パルスレーザ光線103を発射する。多重パルス発生器106は、レーザスキャナ104による走査を行うために、単一パルスレーザ光線103を多重パルスレーザ光線107に変換する。レーザスキャナ104は、製造中の太陽電池105に当たるように多重パルスレーザ光線107を走査することによって、例えばコンタクトホールを形成するように太陽電池105から材料を除去する。レーザ光線107の複数のレーザパルスは、レーザアブレーション又はレーザアニーリングによって太陽電池105の材料を貫通するコンタクトホールを形成することができる。
図2は、本発明の一実施形態による、製造中の太陽電池105の断面図を示している。図2の例では、太陽電池105は、N型シリコンウェハを備える太陽電池基板201を備える。誘電体フィルム積層体210が層202上に形成されている。フィルム積層体210は多層の材料を備え、図2の例では、フィルム211、フィルム212、及びフィルム213などである。図2に示されるように、フィルム211をフィルム212上に形成し、それをフィルム213上に形成することができる。一実施形態では、フィルム211は窒化ケイ素の層を備え、フィルム212はアモルファスシリコンの層を備え、フィルム213は二酸化ケイ素を含む。
一実施形態では、層202は、ポリシリコンを含む。P型拡散領域203及びN型拡散領域204が層202に形成される。太陽電池には複数の拡散領域があるが、説明を分かりやすくするため、図2には各導電性のタイプの1つのみを示している。太陽電池105は、拡散領域203及び204が、これらの領域と電気的に結合した金属コンタクト221(図4参照)を含めて、太陽電池の裏面に基板201の裏面を覆って形成されている点で、バックコンタクト方式の太陽電池の1つの例である。通常の動作時に太陽放射光を集めるために太陽に面する太陽電池105の前面は、裏面の反対側にある。図2の例では、基板201の前面の表面は、ランダムな角錐体230によって非平滑化されている。この前面の非平滑化面上には、窒化ケイ素を含む反射防止層231が形成されている。
図3に示されるように、レーザシステム100を使用することによって、誘電体フィルム積層体210を貫通するコンタクトホール220を形成して拡散領域203及び204を露出させることができる。例えば、多重パルスレーザ光線107の複数のレーザパルスのバースト内の第1のレーザパルスがフィルム211及び212の複数の部分を除去し、複数のレーザパルスの同じバースト内の第2のレーザパルスがフィルム213の複数の部分を除去することで、これらのフィルムを貫通したコンタクトホール220を形成することができる。図4に示されるように、金属コンタクト221は、コンタクトホール220内に形成されることによって、拡散領域203及び204に電気的に接続される。
図5は、本発明の一実施形態による多重パルス発生器106の概略図である。図5の例では、多重パルス発生器106は、複数の1/2波長板511(すなわち511−1、511−2、及び511−3)、複数の偏光ビームスプリッタ512(すなわち512−1及び512−2)、及び複数の回転ミラー513(すなわち513−1及び513−2)を備える。多重パルス発生器106の上記に述べた構成要素は、市販の光学要素であってよい。例えば、偏光ビームスプリッタ512は、市販の偏光ビームスプリッターキューブを備え得る。
多重パルス発生器106は、単一パルスレーザ光源102からの高度に直線偏光された単一パルスレーザ光線103を受光する。単一パルスレーザ光線103は、その非偏光成分に対する直線偏光成分の比が100:1より大きいという点で、高度に直線偏光されている。
図6は、単一パルスレーザ光線103の概略図を示している。レーザ光線103は、1/t0に等しいパルス繰り返し率でレーザ光源102により発射される複数のレーザパルス601を含む。すなわち、レーザ光源102は、t0秒(例えば5マイクロ秒)ごとに1つのレーザパルス601を発射する。レーザ光源102のパルス繰り返し周期は、通常は可変ではないか、又は多重パルスレーザ光線の複数のレーザパルスのバースト内の複数のレーザパルス間の時間間隔と比較して少なくとも相対的に長い。図7は、レーザパルス601の概略図を示している。レーザパルス601は、ピーク強度I0及びパルス幅W0(例えば10ps又は15ps未満)を有する。
1/2波長板511は、波長の半分だけ入射レーザ光線の偏光を回転させる。1/2波長板511は、回転ステージ上に取り付けて、1/2波長板511の結晶光学軸の回転を可能とし、これにより偏光角度を調節することができる。これにより、下流の偏光ビームスプリッタ512によって透過される(すなわち入射レーザ光線と平行に通す)光の量に対する反射される光の量を制御することが可能となる。
図5の例では、偏光ビームスプリッタ512−1は、レーザ光線103をレーザ光線121とレーザ光線122とに分割する。レーザ光線121が、ビームスプリッタ512−1によって反射されるレーザ光線103の第1の偏光成分(例えばs偏光成分)を含み得るのに対して、レーザ光線122は、ビームスプリッタ512−1によって透過される、第1の偏光成分と直交するレーザビーム103の第2の偏光成分(例えばp偏光成分)を含み得る。実際には、ビームスプリッタ512−1は、距離L1、L2及びL3を有する延長光路に沿ってレーザ光線121を方向付け、距離L2を有する正規光路に沿ってレーザ光線122を透過する。透過されるレーザ光線103の量に対する反射されるレーザ光線の量の割合は、1/2波長板511−1を回転させることによって調節することができる。詳細には、1/2波長板511−1の結晶光学軸を回転させることにより、正規光路に沿ってビームスプリッタ512−1により透過されるレーザ光線122に対する延長光路に沿ってビームスプリッタ512−1により反射されるレーザ光線121の量、したがって強度を調整することが可能となる。
ビームスプリッタ512−1は回転ミラー513−1に向けてレーザ光線121を方向付け、回転ミラー513−1は、レーザ光線121を回転ミラー513−2に向け、1/2波長板511−3を通し、ビームスプリッタ512−2上へと反射する。ビームスプリッタ512−2に入射するスループットが最適となるような適正な偏光をレーザ光線121が確実に有するように、1/2波長板511−3の結晶光学軸を回転させることができる。このようにして、1/2波長板511−3は、延長光路から入射するレーザ光線121の大部分がビームスプリッタ512−2により反射されて、正規光路からビームスプリッタ512−2に入射するレーザ光線122と再合成されるように、微調整を行うことを可能にする。
レーザ光線122は、ビームスプリッタ512−1をまっすぐ通り、1/2波長板511−2を通ってビームスプリッタ512−2へと伝播する。ビームスプリッタ512−2は、ビームスプリッタ512−1と同様に、入射レーザ光線の第1の偏光成分を透過し、第1の偏光成分と直交する入射レーザ光線の第2の偏光成分を反射する。図5の例では、ビームスプリッタ512−2は、延長光路から入射するレーザ光線121を反射し、正規光路から入射するレーザ光線122を透過する。実際には、ビームスプリッタ512−2は、レーザ光線121と122とを多重パルスレーザ光線107に再合成し、多重パルスレーザ光線107は、ビームスプリッタ512−2の前方の走査光路に沿って方向付けられる。ビームスプリッタ512−2を通るスループットが最適となるような適正な偏光をレーザ光線122が確実に有するように、1/2波長板511−2の結晶光学軸を回転させることができる。このようにして、1/2波長板511−2は、正規光路から入射するレーザ光線122の大部分がビームスプリッタ512−2によって透過されるように微調整を行うことを可能にする。1/2波長板511−2及び511−3は、微調整を必要としないシステムでは省略することができる。
レーザ光線121及び122のそれぞれはレーザパルスを含む。図5の例では、レーザ光線121は、ビームスプリッタ512−1から回転ミラー513−1までの距離L1、回転ミラー513−1から回転ミラー513−2までの距離L2、及び回転ミラー513−2からビームスプリッタ512−2までの距離L3を有する延長光路に沿って伝播する。これに対して、レーザ光線122は、ビームスプリッタ512−1からビームスプリッタ512−2までの距離L2を有する正規光路に沿って伝播する。レーザ光線121はより長い光路に沿って伝播するため、レーザ光線121のレーザパルスは、レーザ光線122のレーザパルスと比べて遅れる。したがって、レーザ光線121と122とをともに再合成することにより、式1により定義されるレーザパルス遅延Δtだけ遅れた2つのレーザパルスを含む多重パルスレーザ光線107が生じる。
Figure 2015507365
式中、
Δd=延長光路の距離と正規光路の距離との間の差であり、
3.3ns/m=光の速度である。
図5の例において、
Figure 2015507365
したがって、式1は、以下の式3のように書き換えることができる。
Figure 2015507365
式中、
L1=ビームスプリッタ512−1と回転ミラー513−1との間の距離であり、
L2=回転ミラー513−2とビームスプリッタ512−2との間の距離であり、
3.3ns/m=光の速度である。 第1のパルスが正規光路に沿って伝播するレーザ光線のものであり、第2及びこれに続く複数のパルスが正規光路よりも長い延長光路に沿って伝播するレーザ光線のものである場合、一般的に、複数のレーザパルス間の時間間隔、すなわちレーザパルス遅延Δtは、第2の(又は第3の)パルスが進む距離と第1のパルスが進む距離との差によって決まる。距離の差1mにつき、第2又はこれに続く複数のパルスは第1のパルスに対して3.33nsだけ遅れる。
表1は、異なるレーザパルス遅延Δt及び対応する光路距離差Δdについて式1を用いた計算例を示す。
Figure 2015507365
表1の例では、多重パルスレーザ光線107の第1のパルスと第2のパルスとの間の1nsの遅延は、正規光路よりも0.3mだけ長い延長光路を必要とし、多重パルスレーザ光線107の第1のパルスと第2のパルスとの間の5nsの遅延は、正規光路よりも1.5mだけ長い延長光路を必要とする、といった具合である。
認識されるように、多重パルス発生器106は、正規光路の距離に対する延長光路の距離を変えることにより、異なるレーザパルス遅延を有することができる。有利な点として、レーザ光源102のハウジングの外部に多重パルス発生器106を有することで、設計者は、特定のプロセス条件を満たすように延長光路及び正規光路の距離を自由に変えることができる。
図8は、本発明の一実施形態による多重パルスレーザ光線107の複数のレーザパルス621(すなわち621−1及び621−2)の概略図を示している。図8の例では、多重パルスレーザ光線107は、ピーク強度I1及びパルス幅W1を有するレーザパルス621−1、並びにピーク強度I2及びパルス幅W2を有するレーザパルス621−2を含む複数のレーザパルスのバーストを有する。一般的に、パルス幅W1及びW2のそれぞれは、単一パルスレーザ光線103の入力レーザパルス601のパルス幅W0に等しい。レーザパルス621−1はレーザ光線122からであり得、レーザパルス621−2(遅れたレーザパルス)はレーザ光線121からであり得る。上で述べたように、複数のレーザパルス621は、変更することができる、あるレーザパルス遅延Δtだけ隔たりがある。
レーザ光線103のレーザパルス601の強度I0(図6を参照)によって、多重パルスレーザ光線107の複数のレーザパルス全体の強度が制限される。一般的に、
=(I+I+....I) (式4)
式中、
=単一パルスレーザ光線103のレーザパルス601のピーク強度であり、
=多重パルスレーザ光線107のレーザパルス621−1のピーク強度であり、
=多重パルスレーザ光線107のレーザパルス621−2のピーク強度であり、
=多重パルスレーザ光線107のn番目のレーザパルス621のピーク強度である。
式4は、理想条件についてのものであり、光学損失は考慮していない。多重パルスレーザ光線107が1バースト当たり2個のレーザパルス621を有する一実施形態では、
Figure 2015507365
すなわち、生じる複数のレーザパルス621−1及び621−2のピーク強度のそれぞれは、単一パルスレーザ光線103のレーザパルス601のピーク強度の半分に等しくなり得る。レーザパルス621−2の強度に対するレーザパルス621−1の強度は、1/2波長板511−1の結晶光学軸を回転させることによって変えることができる点に留意されたい。例えば、1/2波長板511−1の結晶光学軸を回転させることによって、レーザパルス621−2の強度I2をレーザパルス621−1の強度I1よりも小さくするか、又はレーザパルス621−2の強度I2をレーザパルス621−1の強度I1よりも大きくすることができる。すなわち、1/2波長板511−1は、以下を満たすように調整することができる。
>I (式6)
又は
<I (式7)
図9は、本発明の一実施形態による多重パルスレーザ光線107を示す。図9の例では、複数のレーザパルス621−1及び621−2は、レーザパルスバースト620の一部である。各バースト620において、レーザパルス621−1と621−2との時間間隔は、上記に述べたようなレーザパルス遅延Δtに対応する。バースト620は、1/t3に等しいバースト繰り返し率で繰り返され得る。すなわち、複数のバースト620は、t3秒ごとに多重パルス発生器106により生成される。一実施形態では、バースト繰り返し周期t3は、単一パルスレーザ光線103のパルス周期t0に等しい。レーザパルス遅延Δtは、バースト繰り返し周期t3よりも大幅に小さい。例えば、レーザパルス遅延Δtが2、2.5又は5マイクロ秒であり得るのに対して、バースト繰り返し周期t3は、10nsであり得る。
上記を考慮することで、多重パルス発生器106は、更なる1/2波長板511、回転ミラー513、及びビームスプリッタ512などの更なる構成要素を組み込むことによって、単一レーザパルスから1バースト当たり2つを超えるレーザパルスを出力することが可能である点が、当業者であれば認識されるところであろう。例えば、図10に示されるように、多重パルスレーザ光線107は、それぞれがレーザパルス631−1、631−2、631−3などを含むバースト630をt3秒ごとに発生することができる。複数のレーザパルス631間のレーザパルス遅延Δtは、複数のレーザパルス631が進む光路距離を変えることによって変化させることができる。
図11は、本発明の別の実施形態による多重パルス発生器106Aの概略図である。多重パルス発生器106Aは、図5の多重パルス発生器106の特定の一実施形態である。図11の例では、多重パルス発生器106Aは、複数の1/2波長板511、複数のビームスプリッタ512、及び複数の回転ミラー513を備える。加えて、多重パルス発生器106Aは、光学レール640及びスライダ641を備える搬送アセンブリを更に含む。回転ミラー513は、光学レール640上に可動載置されたスライダ641上に取り付けられ得る。スライダ641が光学レール640上を摺動することで各回転ミラー513を動かし、距離L1及びL3を変化させることによって、レーザ光線121が進む延長光路距離を変えることができる。上で説明したように、レーザ光線121が進む光路距離は、多重パルスレーザ光線107の複数のレーザパルス間のレーザパルス遅延Δtに影響する。したがって、スライダ641を容易に調節して、太陽電池基板105から特定の材料を除去するようにレーザパルス遅延Δtが調整された多重パルスレーザ光線107を発生させることができる。それ以外の点では、多重パルス発生器106Aは多重パルス発生器106と同様に動作する。
上で説明したように、レーザ光線122に対するレーザ光線121の強度の割合は、1/2波長板511−1の結晶光学軸を回転させることによって調整することができる。更に、正規経路の距離に対する延長光路の距離を変えることによって、多重パルスレーザ光線107の複数のパルス間のレーザパルス遅延を調整することもできる。図12は、出力計130及び131を備えた多重パルス発生器106Aの概略図を示したものであり、本発明の一実施形態に基づいて、多重パルスレーザ光線107の複数のレーザパルスの強度及び複数のレーザパルス間の遅延がどのように調整されるかを示す。
図12の例では、出力計130はレーザ光線103と同一線上に配置され、出力計131はレーザ光線121と同一線上に配置されている。出力計130及び131は、入射レーザ光線の出力の読み取り値を提供する。多重パルスレーザ光線107の複数のレーザパルス間のレーザパルス遅延が10nsで、50/50の強度の分割比を得るには、出力計130及び131が同じ出力読み取り値を提供するように1/2波長板511−1を調整する。次いで、スライダ641を、距離L1+距離L3=3mとなるように動かす。式3より、複数のレーザパルス間のレーザパルス遅延時間は10nsとなる。
別の例として、多重パルスレーザ光線107の第1のレーザパルスと第2のレーザパルスとの間のレーザパルス遅延が15nsで、80/20の強度の分割比を得るためには、出力計131が、出力計130によって提供される出力読み取り値の20%の出力読み取り値を提供するように、1/2波長板511−1を調整する。次いで、スライダ641を、距離L1+距離L3=4.5mとなるように動かす。式3より、第1のレーザパルスと第2のレーザパルスとの間のレーザパルス遅延時間は15nsとなる。
以上、太陽電池の製造用の多重レーザパルスを有するレーザシステムについて開示してきた。以上、本発明の具体的な実施形態を示したが、これらの実施形態は説明を目的としたものであって、限定的なものでないことが理解されるべきである。多くの更なる実施形態が、本開示を読む当業者には明らかとなろう。
以上、太陽電池の製造用の多重レーザパルスを有するレーザシステムについて開示してきた。以上、本発明の具体的な実施形態を示したが、これらの実施形態は説明を目的としたものであって、限定的なものでないことが理解されるべきである。多くの更なる実施形態が、本開示を読む当業者には明らかとなろう。
(項目1)
製造中の太陽電池から材料を除去する方法であって、
単一パルスレーザ光源から単一パルスレーザ光線を発射する段階と、
上記単一パルスレーザ光線を第1のレーザ光線と第2のレーザ光線とに分割する段階と、
上記第1のレーザ光線を第1の光路に沿って方向付ける段階と、
上記第2のレーザ光線を、上記第1の光路よりも長い第2の光路に沿って方向付ける段階と、
上記第1のレーザ光線と上記第2のレーザ光線とを、あるレーザパルス遅延時間隔たりのある第1のレーザパルスと第2のレーザパルスとを含む多重パルスレーザ光線に再合成する段階と、
上記多重パルスレーザ光線を太陽電池の材料に当てることによって上記材料の複数の部分を除去する段階と、
を含む、方法。
(項目2)
第1の波長板を通して上記単一パルスレーザ光線を方向づける段階と、
上記第1の波長板を通して上記単一パルスレーザ光線を方向付けた後、上記単一パルスレーザ光線を、第1のビームスプリッタを使用して上記第1のレーザ光線と上記第2のレーザ光線とに分割する段階と、
を更に含む、請求項1に記載の方法。
(項目3)
上記第2のレーザ光線を、上記第1のビームスプリッタから上記第2の光路上の第1の回転ミラーへと反射する段階を更に含む、請求項2に記載の方法。
(項目4)
上記第2のレーザ光線を、上記第1の回転ミラーから、上記第2の光路上の第2の回転ミラーに反射する段階と、
上記第2のレーザ光線を、上記第2の回転ミラーから、第2の波長板を通して、第2のビームスプリッタへと方向付ける段階と、
を更に含む、請求項3に記載の方法。
(項目5)
上記第1のレーザ光線を、上記第1のビームスプリッタを通し、第2の波長板を通し、上記第2のビームスプリッタへと透過させる段階を、更に含む、請求項4に記載の方法。
(項目6)
上記第2のビームスプリッタは、上記第1のレーザ光線と上記第2のレーザ光線とを上記多重パルスレーザ光線に再合成する、請求項5に記載の方法。
(項目7)
上記第1の波長板を回転させて上記第2のレーザ光線の強度を調整する段階を更に含む、請求項2に記載の方法。
(項目8)
上記第1の光路の距離に対する上記第2の光路の距離を調整することによって上記第1のレーザパルスと上記第2のレーザパルスとの間の上記レーザパルス遅延時間を調整する段階を更に含む、請求項1に記載の方法。
(項目9)
製造中の太陽電池から材料を除去するためのレーザシステムであって、
単一パルスレーザ光線を発生させる単一パルスレーザ光源と、
上記単一パルスレーザ光線を多重パルスレーザ光線に変換する、上記単一パルスレーザ光源のハウジングの外部の多重パルス発生器と、
上記多重パルスレーザ光線を太陽電池基板全体にわたって走査するレーザスキャナと、
上記太陽電池基板を支持するステージと、
を有する、レーザシステム。
(項目10)
上記多重パルス発生器は、
上記単一パルスレーザ光線と同一線上の第1の1/2波長板と、
上記第1の1/2波長板からの上記単一パルスレーザ光線を受光する第1の偏光ビームスプリッタと、を更に備え、上記第1の偏光ビームスプリッタは、上記単一パルスレーザ光線を、第1の光路上に方向付けられる第1のレーザ光線と第2の光路上に方向付けられる第2のレーザ光線とに分割する、
請求項9に記載のレーザシステム。
(項目11)
上記多重パルス発生器は、上記第2の光路の距離を調整する搬送アセンブリを更に備える、請求項10に記載のレーザシステム。
(項目12)
上記多重パルス発生器は、
上記第1のレーザ光線と上記第2のレーザ光線とを上記多重パルスレーザ光線に再合成する第2の偏光ビームスプリッタを更に備える、請求項10に記載のレーザシステム。
(項目13)
上記多重パルス発生器は、
上記第1の偏光ビームスプリッタからの上記第1のレーザ光線を受光する第2の1/2波長板であって、上記第1のレーザ光線と同一線上でかつ上記第1の偏光ビームスプリッタと上記第2の偏光ビームスプリッタとの間に位置する第2の1/2波長板を更に備える、請求項12に記載のレーザシステム。
(項目14)
上記多重パルス発生器は、
上記第2のレーザ光線を受光し、上記第2のレーザ光線及び上記第2の偏光ビームスプリッタと同一線上に位置する第3の1/2波長板を更に備える、請求項13に記載のレーザシステム。
(項目15)
上記第2のレーザ光線を第2の回転ミラーへと反射する第1の回転ミラーと、
上記第2の回転ミラーと、
を更に備える、請求項14に記載のレーザシステム。
(項目16)
上記第1の回転ミラー及び上記第2の回転ミラーがレール上に可動支持された、請求項15に記載のレーザシステム。
(項目17)
製造中の太陽電池から材料を除去する方法であって、
単一パルスレーザ光源から、あるパルス繰り返し率で発射される単一レーザパルスを含む単一パルスレーザ光線を発射する段階と、
上記単一パルスレーザ光線を、複数のレーザパルスのバーストのそれぞれが複数のレーザパルスを含む、複数のレーザパルスの複数のバーストを、あるバースト繰り返し率で含む多重パルスレーザ光線に変換する段階と、
上記多重パルスレーザ光線を太陽電池上に走査する段階と、
上記多重パルスレーザ光線を上記太陽電池上の材料上に当て、上記材料の複数の部分を除去する段階と、
を含む方法。
(項目18)
上記単一パルスレーザ光線を上記多重パルスレーザ光線に変換する段階は、
上記単一パルスレーザ光線を第1のレーザ光線と第2のレーザ光線とに分割する段階と、
上記第1のレーザ光線を第1の光路に沿って方向付ける段階と、
上記第2のレーザ光線を、上記第1の光路よりも長い第2の光路に沿って方向付ける段階と、
上記第1のレーザ光線と上記第2のレーザ光線とを上記多重パルスレーザ光線に再合成する段階と、
を含む、請求項17に記載の方法。
(項目19)
第1のビームスプリッタは、上記単一パルスレーザ光線を上記第1のレーザ光線と上記第2のレーザ光線とに分割する、請求項18に記載の方法。
(項目20)
第2のビームスプリッタは、上記第1のレーザ光線と上記第2のレーザ光線とを上記多重パルスレーザ光線に再合成する、請求項19に記載の方法。

Claims (20)

  1. 製造中の太陽電池から材料を除去する方法であって、
    単一パルスレーザ光源から単一パルスレーザ光線を発射する段階と、
    前記単一パルスレーザ光線を第1のレーザ光線と第2のレーザ光線とに分割する段階と、
    前記第1のレーザ光線を第1の光路に沿って方向付ける段階と、
    前記第2のレーザ光線を、前記第1の光路よりも長い第2の光路に沿って方向付ける段階と、
    前記第1のレーザ光線と前記第2のレーザ光線とを、あるレーザパルス遅延時間隔たりのある第1のレーザパルスと第2のレーザパルスとを含む多重パルスレーザ光線に再合成する段階と、
    前記多重パルスレーザ光線を太陽電池の材料に当てることによって前記材料の複数の部分を除去する段階と、
    を含む、方法。
  2. 第1の波長板を通して前記単一パルスレーザ光線を方向づける段階と、
    前記第1の波長板を通して前記単一パルスレーザ光線を方向付けた後、前記単一パルスレーザ光線を、第1のビームスプリッタを使用して前記第1のレーザ光線と前記第2のレーザ光線とに分割する段階と、
    を更に含む、請求項1に記載の方法。
  3. 前記第2のレーザ光線を、前記第1のビームスプリッタから前記第2の光路上の第1の回転ミラーへと反射する段階を更に含む、請求項2に記載の方法。
  4. 前記第2のレーザ光線を、前記第1の回転ミラーから、前記第2の光路上の第2の回転ミラーに反射する段階と、
    前記第2のレーザ光線を、前記第2の回転ミラーから、第2の波長板を通して、第2のビームスプリッタへと方向付ける段階と、
    を更に含む、請求項3に記載の方法。
  5. 前記第1のレーザ光線を、前記第1のビームスプリッタを通し、第2の波長板を通し、前記第2のビームスプリッタへと透過させる段階を、更に含む、請求項4に記載の方法。
  6. 前記第2のビームスプリッタは、前記第1のレーザ光線と前記第2のレーザ光線とを前記多重パルスレーザ光線に再合成する、請求項5に記載の方法。
  7. 前記第1の波長板を回転させて前記第2のレーザ光線の強度を調整する段階を更に含む、請求項2に記載の方法。
  8. 前記第1の光路の距離に対する前記第2の光路の距離を調整することによって前記第1のレーザパルスと前記第2のレーザパルスとの間の前記レーザパルス遅延時間を調整する段階を更に含む、請求項1に記載の方法。
  9. 製造中の太陽電池から材料を除去するためのレーザシステムであって、
    単一パルスレーザ光線を発生させる単一パルスレーザ光源と、
    前記単一パルスレーザ光線を多重パルスレーザ光線に変換する、前記単一パルスレーザ光源のハウジングの外部の多重パルス発生器と、
    前記多重パルスレーザ光線を太陽電池基板全体にわたって走査するレーザスキャナと、
    前記太陽電池基板を支持するステージと、
    を有する、レーザシステム。
  10. 前記多重パルス発生器は、
    前記単一パルスレーザ光線と同一線上の第1の1/2波長板と、
    前記第1の1/2波長板からの前記単一パルスレーザ光線を受光する第1の偏光ビームスプリッタと、を更に備え、前記第1の偏光ビームスプリッタは、前記単一パルスレーザ光線を、第1の光路上に方向付けられる第1のレーザ光線と第2の光路上に方向付けられる第2のレーザ光線とに分割する、
    請求項9に記載のレーザシステム。
  11. 前記多重パルス発生器は、前記第2の光路の距離を調整する搬送アセンブリを更に備える、請求項10に記載のレーザシステム。
  12. 前記多重パルス発生器は、
    前記第1のレーザ光線と前記第2のレーザ光線とを前記多重パルスレーザ光線に再合成する第2の偏光ビームスプリッタを更に備える、請求項10に記載のレーザシステム。
  13. 前記多重パルス発生器は、
    前記第1の偏光ビームスプリッタからの前記第1のレーザ光線を受光する第2の1/2波長板であって、前記第1のレーザ光線と同一線上でかつ前記第1の偏光ビームスプリッタと前記第2の偏光ビームスプリッタとの間に位置する第2の1/2波長板を更に備える、請求項12に記載のレーザシステム。
  14. 前記多重パルス発生器は、
    前記第2のレーザ光線を受光し、前記第2のレーザ光線及び前記第2の偏光ビームスプリッタと同一線上に位置する第3の1/2波長板を更に備える、請求項13に記載のレーザシステム。
  15. 前記第2のレーザ光線を第2の回転ミラーへと反射する第1の回転ミラーと、
    前記第2の回転ミラーと、
    を更に備える、請求項14に記載のレーザシステム。
  16. 前記第1の回転ミラー及び前記第2の回転ミラーがレール上に可動支持された、請求項15に記載のレーザシステム。
  17. 製造中の太陽電池から材料を除去する方法であって、
    単一パルスレーザ光源から、あるパルス繰り返し率で発射される単一レーザパルスを含む単一パルスレーザ光線を発射する段階と、
    前記単一パルスレーザ光線を、複数のレーザパルスのバーストのそれぞれが複数のレーザパルスを含む、複数のレーザパルスの複数のバーストを、あるバースト繰り返し率で含む多重パルスレーザ光線に変換する段階と、
    前記多重パルスレーザ光線を太陽電池上に走査する段階と、
    前記多重パルスレーザ光線を前記太陽電池上の材料上に当て、前記材料の複数の部分を除去する段階と、
    を含む方法。
  18. 前記単一パルスレーザ光線を前記多重パルスレーザ光線に変換する段階は、
    前記単一パルスレーザ光線を第1のレーザ光線と第2のレーザ光線とに分割する段階と、
    前記第1のレーザ光線を第1の光路に沿って方向付ける段階と、
    前記第2のレーザ光線を、前記第1の光路よりも長い第2の光路に沿って方向付ける段階と、
    前記第1のレーザ光線と前記第2のレーザ光線とを前記多重パルスレーザ光線に再合成する段階と、
    を含む、請求項17に記載の方法。
  19. 第1のビームスプリッタは、前記単一パルスレーザ光線を前記第1のレーザ光線と前記第2のレーザ光線とに分割する、請求項18に記載の方法。
  20. 第2のビームスプリッタは、前記第1のレーザ光線と前記第2のレーザ光線とを前記多重パルスレーザ光線に再合成する、請求項19に記載の方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013252526A (ja) * 2012-06-05 2013-12-19 Disco Corp レーザー加工装置
JP2017143267A (ja) * 2016-02-12 2017-08-17 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池及びその製造方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10014425B2 (en) * 2012-09-28 2018-07-03 Sunpower Corporation Spacer formation in a solar cell using oxygen ion implantation
US9437756B2 (en) * 2013-09-27 2016-09-06 Sunpower Corporation Metallization of solar cells using metal foils
CN104308368B (zh) * 2014-09-03 2015-12-30 大连理工大学 多脉冲激光烧蚀金属覆层定量去除方法
CN106169518B (zh) * 2016-08-17 2018-02-16 晋能清洁能源科技有限公司 一种背钝化太阳能电池的激光脉冲方法
JP7123652B2 (ja) * 2018-06-20 2022-08-23 株式会社ディスコ レーザー加工装置
US10615044B1 (en) * 2018-10-18 2020-04-07 Asm Technology Singapore Pte Ltd Material cutting using laser pulses
DE102020118019A1 (de) 2020-07-08 2022-01-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein Verfahren und Vorrichtung zur Strukturierung einer Strukturschicht mittels Laserstrahlung
CN113394651A (zh) * 2021-06-08 2021-09-14 中国科学院精密测量科学与技术创新研究院 多脉冲激光延时可调的组合发射装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11221684A (ja) * 1998-02-06 1999-08-17 Hamamatsu Photonics Kk パルスレーザ加工装置
JP2004532520A (ja) * 2001-03-29 2004-10-21 ジーエスアイ ルモニックス コーポレイション デバイスを処理する方法及びシステム、デバイスをモデリングする方法及びシステム、並びにデバイス
JP2005014059A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Ricoh Co Ltd 超短パルスレーザ加工法及び加工装置並びに構造体
JP2006071855A (ja) * 2004-09-01 2006-03-16 Sumitomo Heavy Ind Ltd 光学装置
JP2010284669A (ja) * 2009-06-10 2010-12-24 Disco Abrasive Syst Ltd レーザ加工装置
JP2011517299A (ja) * 2008-03-07 2011-06-02 イムラ アメリカ インコーポレイテッド 超短パルスレーザによる透明材料処理
WO2011156043A1 (en) * 2010-06-07 2011-12-15 Sunpower Corporation Ablation of film stacks in solar cell fabrication processes

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4322571A (en) 1980-07-17 1982-03-30 The Boeing Company Solar cells and methods for manufacture thereof
JPS63157776A (ja) * 1986-12-22 1988-06-30 Mitsubishi Electric Corp レ−ザ加工装置
US5432015A (en) 1992-05-08 1995-07-11 Westaim Technologies, Inc. Electroluminescent laminate with thick film dielectric
US5738731A (en) 1993-11-19 1998-04-14 Mega Chips Corporation Photovoltaic device
KR0165423B1 (ko) 1995-07-24 1998-12-15 김광호 반도체 장치의 접속구조 및 그 제조방법
US7838794B2 (en) 1999-12-28 2010-11-23 Gsi Group Corporation Laser-based method and system for removing one or more target link structures
US7671295B2 (en) * 2000-01-10 2010-03-02 Electro Scientific Industries, Inc. Processing a memory link with a set of at least two laser pulses
JP4363029B2 (ja) 2002-11-06 2009-11-11 ソニー株式会社 分割波長板フィルターの製造方法
US20060060238A1 (en) 2004-02-05 2006-03-23 Advent Solar, Inc. Process and fabrication methods for emitter wrap through back contact solar cells
DE102004050269A1 (de) 2004-10-14 2006-04-20 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Verfahren zur Kontakttrennung elektrisch leitfähiger Schichten auf rückkontaktierten Solarzellen und Solarzelle
US20090107545A1 (en) 2006-10-09 2009-04-30 Soltaix, Inc. Template for pyramidal three-dimensional thin-film solar cell manufacturing and methods of use
US8399331B2 (en) 2007-10-06 2013-03-19 Solexel Laser processing for high-efficiency thin crystalline silicon solar cell fabrication
US8420435B2 (en) 2009-05-05 2013-04-16 Solexel, Inc. Ion implantation fabrication process for thin-film crystalline silicon solar cells
US8129822B2 (en) 2006-10-09 2012-03-06 Solexel, Inc. Template for three-dimensional thin-film solar cell manufacturing and methods of use
US7554031B2 (en) 2005-03-03 2009-06-30 Sunpower Corporation Preventing harmful polarization of solar cells
US20070169806A1 (en) 2006-01-20 2007-07-26 Palo Alto Research Center Incorporated Solar cell production using non-contact patterning and direct-write metallization
FI20060177L (fi) * 2006-02-23 2007-08-24 Picodeon Ltd Oy Menetelmä tuottaa hyvälaatuisia pintoja ja hyvälaatuisen pinnan omaava tuote
WO2007149460A2 (en) 2006-06-20 2007-12-27 Chism William W Method of direct coulomb explosion in laser ablation of semiconductor structures
DE102006028718B4 (de) 2006-06-20 2008-11-13 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Vereinzelung von Halbleiterwafern zu Halbleiterchips
TWI328877B (en) 2006-07-20 2010-08-11 Au Optronics Corp Array substrate
US7732104B2 (en) 2007-01-18 2010-06-08 International Business Machines Corporation System and method for eliminating the structure and edge roughness produced during laser ablation of a material
TWI328861B (en) 2007-03-13 2010-08-11 Au Optronics Corp Fabrication methods of thin film transistor substrate
US7838062B2 (en) 2007-05-29 2010-11-23 Sunpower Corporation Array of small contacts for solar cell fabrication
US8198528B2 (en) 2007-12-14 2012-06-12 Sunpower Corporation Anti-reflective coating with high optical absorption layer for backside contact solar cells
US20090188553A1 (en) 2008-01-25 2009-07-30 Emat Technology, Llc Methods of fabricating solar-cell structures and resulting solar-cell structures
US20110182306A1 (en) 2008-02-19 2011-07-28 Bergmann Messgerate Entwicklung Kg Generation of burst of laser pulses
US7833808B2 (en) 2008-03-24 2010-11-16 Palo Alto Research Center Incorporated Methods for forming multiple-layer electrode structures for silicon photovoltaic cells
US8178818B2 (en) 2008-03-31 2012-05-15 Electro Scientific Industries, Inc. Photonic milling using dynamic beam arrays
WO2009137243A2 (en) 2008-04-14 2009-11-12 The Trustees Of Dartmouth College Rotary frog systems and methods
US7851698B2 (en) 2008-06-12 2010-12-14 Sunpower Corporation Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions
US7855089B2 (en) 2008-09-10 2010-12-21 Stion Corporation Application specific solar cell and method for manufacture using thin film photovoltaic materials
CN101777605A (zh) * 2010-03-15 2010-07-14 山东力诺太阳能电力股份有限公司 一种晶体硅太阳能电池边缘刻蚀工艺

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11221684A (ja) * 1998-02-06 1999-08-17 Hamamatsu Photonics Kk パルスレーザ加工装置
JP2004532520A (ja) * 2001-03-29 2004-10-21 ジーエスアイ ルモニックス コーポレイション デバイスを処理する方法及びシステム、デバイスをモデリングする方法及びシステム、並びにデバイス
JP2005014059A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Ricoh Co Ltd 超短パルスレーザ加工法及び加工装置並びに構造体
JP2006071855A (ja) * 2004-09-01 2006-03-16 Sumitomo Heavy Ind Ltd 光学装置
JP2011517299A (ja) * 2008-03-07 2011-06-02 イムラ アメリカ インコーポレイテッド 超短パルスレーザによる透明材料処理
JP2010284669A (ja) * 2009-06-10 2010-12-24 Disco Abrasive Syst Ltd レーザ加工装置
WO2011156043A1 (en) * 2010-06-07 2011-12-15 Sunpower Corporation Ablation of film stacks in solar cell fabrication processes
JP2013528326A (ja) * 2010-06-07 2013-07-08 サンパワー コーポレイション 太陽電池の製造プロセスにおける誘電積層体のアブレーション

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013252526A (ja) * 2012-06-05 2013-12-19 Disco Corp レーザー加工装置
JP2017143267A (ja) * 2016-02-12 2017-08-17 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池及びその製造方法

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