JP2015502036A - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015502036A JP2015502036A JP2014541587A JP2014541587A JP2015502036A JP 2015502036 A JP2015502036 A JP 2015502036A JP 2014541587 A JP2014541587 A JP 2014541587A JP 2014541587 A JP2014541587 A JP 2014541587A JP 2015502036 A JP2015502036 A JP 2015502036A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- lithographic apparatus
- gas
- cooling
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
[0001] 本出願は、2011年11月17日に出願された米国仮出願第61/561,117号の利益を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
ここで、λは、使用される放射の波長であり、NAは、パターンを印刷するために使用される投影システムの開口数である。k1は、レイリー定数とも呼ばれるプロセス依存調整係数であり、CDは、印刷されたフィーチャのフィーチャサイズ(又はクリティカルディメンション)である。式(1)から、フィーチャの最小印刷可能サイズの縮小は、3つの方法、すなわち、露光波長λを短くすること、開口数NAを大きくすること、又はk1の値を小さくすること、によって達成可能であるということになる。
1.ステップモードにおいては、サポート構造(例えば、マスクテーブル)MT及び基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一静的露光)。その後、基板テーブルWTは、X方向及び/又はY方向に移動させられ、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。
2.スキャンモードにおいては、サポート構造(例えば、マスクテーブル)MT及び基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一動的露光)。サポート構造(例えば、マスクテーブル)MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの(縮小)拡大率及び像反転特性によって決定されてよい。
3.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造(例えば、マスクテーブル)MTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、又はスキャンする一方で、放射ビームに付与されているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、又はスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
Claims (18)
- リソグラフィ装置であって、
基板を保持する基板テーブルと、
パターン付き放射ビームを、開口を通って前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、
ガスを前記開口に送出し、前記開口からの前記ガスの流れを前記投影システムと前記基板テーブルとの間の空間に供給する導管と、
前記ガスが前記開口を通過した後に前記空間の前記ガスの温度を制御する温度制御デバイスと、を備える、リソグラフィ装置。 - 前記温度制御デバイスは、加熱手段及び冷却手段の両方を含む温度制御手段を備える、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記加熱手段及び前記冷却手段は前記投影システムと前記基板テーブルとの間の前記空間に配置される、請求項2に記載のリソグラフィ装置。
- 前記加熱手段及び前記冷却手段は、前記空間に配置されたサポート部材上に取り付けられる、請求項3に記載のリソグラフィ装置。
- 前記サポート部材は、前記基板テーブルに対向する前記投影システムの表面上に取り付けられる、請求項4に記載のリソグラフィ装置。
- 前記サポート部材は、前記表面に熱連通して取り付けられる、請求項5に記載のリソグラフィ装置。
- 前記サポート部材は前記表面から断熱される、請求項5に記載のリソグラフィ装置。
- 前記加熱手段は少なくとも1つの抵抗加熱素子を備える、請求項2乃至7のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記少なくとも1つの抵抗加熱素子は、独立して制御可能な複数のセグメントを備える、請求項8に記載のリソグラフィ装置。
- 前記加熱手段は、独立して制御可能な複数の加熱素子を備える、請求項2乃至7のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記冷却手段は少なくとも1つの冷却素子を備える、請求項2乃至10のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記少なくとも1つの冷却素子は、遠隔源で冷却された冷却流体を搬送するヒートパイプを備える、請求項11に記載のリソグラフィ装置。
- 前記温度制御手段は、前記加熱手段を制御することによって冷却量を制御する、請求項2乃至12のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記リソグラフィ装置によって前記基板上に投影されたパターンのオーバーレイを測定するメトロロジ装置をさらに備え、前記メトロロジ装置からの出力は、前記温度制御デバイスの動作を制御する制御システムへの制御入力として用いられる、請求項1乃至13のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記基板の赤外線反射率を測定する測定装置をさらに備え、測定された前記基板の反射率は、前記温度制御デバイスの動作を制御する制御システムへの制御入力として用いられる、請求項1乃至13のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記基板の赤外線反射率を測定する測定装置をさらに備え、測定された前記基板の反射率は、前記制御システムへの制御入力として用いられる、請求項14に記載のリソグラフィ装置。
- デバイス製造方法であって、
パターン付き放射ビームを、投影システムの開口を通って基板上に投影することと、
導管を介してガスを前記投影システムの前記開口に送出することと、
前記ガスが前記出口を通過した後に、前記投影システムと前記基板との間の空間で前記ガスの温度が制御されるように前記ガスの温度を制御することと、を含む、デバイス製造方法。 - 前記温度制御は、冷却手段を用いる過冷却と、加熱手段を用いる加熱と、によって得られる冷却を含む、請求項17に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161561117P | 2011-11-17 | 2011-11-17 | |
US61/561,117 | 2011-11-17 | ||
PCT/EP2012/070247 WO2013072144A1 (en) | 2011-11-17 | 2012-10-12 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017155899A Division JP6434582B2 (ja) | 2011-11-17 | 2017-08-10 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015502036A true JP2015502036A (ja) | 2015-01-19 |
JP2015502036A5 JP2015502036A5 (ja) | 2015-11-26 |
JP6193870B2 JP6193870B2 (ja) | 2017-09-06 |
Family
ID=47115820
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014541587A Active JP6193870B2 (ja) | 2011-11-17 | 2012-10-12 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2017155899A Active JP6434582B2 (ja) | 2011-11-17 | 2017-08-10 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017155899A Active JP6434582B2 (ja) | 2011-11-17 | 2017-08-10 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9625835B2 (ja) |
JP (2) | JP6193870B2 (ja) |
KR (2) | KR102136825B1 (ja) |
CN (2) | CN103959171B (ja) |
TW (2) | TWI647543B (ja) |
WO (1) | WO2013072144A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017103451A (ja) * | 2015-11-24 | 2017-06-08 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 |
JP2019529982A (ja) * | 2016-09-02 | 2019-10-17 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
JP2021176018A (ja) * | 2015-04-21 | 2021-11-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 冷却装置及びその使用方法並びにリソグラフィ装置 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI715039B (zh) * | 2014-06-03 | 2021-01-01 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 用於補償一曝光誤差的方法、元件製造方法、基板台、微影裝置、控制系統、用於量測反射率的方法、及用於量測一極紫外線輻射劑量的方法 |
CN105842997B (zh) * | 2016-06-03 | 2018-03-06 | 中国科学院光电研究院 | 一种动态气体锁的试验装置和试验方法 |
NL2020850A (en) * | 2017-05-29 | 2018-12-04 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus |
US11320751B2 (en) | 2018-02-16 | 2022-05-03 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus incorporating a gas lock |
JP7148268B2 (ja) * | 2018-05-01 | 2022-10-05 | キヤノン株式会社 | 制御装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
CN110966916B (zh) * | 2018-09-30 | 2021-10-15 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种气浴装置及光刻机 |
EP4163721A1 (en) * | 2021-10-06 | 2023-04-12 | ASML Netherlands B.V. | Chamber for a projection system of a lithographic apparatus, projection system and lithographic apparatus |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003234281A (ja) * | 2002-02-08 | 2003-08-22 | Canon Inc | 露光装置、デバイス製造方法 |
JP2006269942A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10284382A (ja) * | 1997-04-07 | 1998-10-23 | Komatsu Ltd | 温度制御装置 |
JP3792986B2 (ja) * | 2000-04-11 | 2006-07-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 膜形成方法及び膜形成装置 |
US6369874B1 (en) * | 2000-04-18 | 2002-04-09 | Silicon Valley Group, Inc. | Photoresist outgassing mitigation system method and apparatus for in-vacuum lithography |
US6934003B2 (en) | 2002-01-07 | 2005-08-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method |
TWI300953B (en) * | 2002-03-15 | 2008-09-11 | Nikon Corp | Exposure system and device manufacturing process |
AU2003235124A1 (en) * | 2002-04-24 | 2003-11-10 | Nikon Corporation | Exposure system and device manufacturing method |
DE60335595D1 (de) * | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
TWI295414B (en) | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2261742A3 (en) * | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
JP2005129898A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-05-19 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
US7304715B2 (en) * | 2004-08-13 | 2007-12-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101069195B1 (ko) | 2004-09-23 | 2011-09-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판표시장치의 제조를 위한 대기개방형 박막처리장치 및이를 이용한 박막처리방법 |
US20070085984A1 (en) | 2005-10-18 | 2007-04-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7897110B2 (en) * | 2005-12-20 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | System and method for detecting at least one contamination species in a lithographic apparatus |
US7924408B2 (en) * | 2007-02-23 | 2011-04-12 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Temperature effects on overlay accuracy |
JP2009004647A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Nikon Corp | 真空容器と真空排気方法及びeuv露光装置 |
JP5195022B2 (ja) * | 2008-05-23 | 2013-05-08 | 株式会社ニコン | 位置計測装置及び位置計測方法、パターン形成装置及びパターン形成方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
NL2005741A (en) * | 2009-12-23 | 2011-06-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method. |
NL2008250A (en) * | 2011-03-08 | 2012-09-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
-
2012
- 2012-10-12 KR KR1020197035717A patent/KR102136825B1/ko active IP Right Grant
- 2012-10-12 CN CN201280056174.9A patent/CN103959171B/zh active Active
- 2012-10-12 KR KR1020147016303A patent/KR102054328B1/ko active IP Right Grant
- 2012-10-12 WO PCT/EP2012/070247 patent/WO2013072144A1/en active Application Filing
- 2012-10-12 US US14/356,358 patent/US9625835B2/en active Active
- 2012-10-12 JP JP2014541587A patent/JP6193870B2/ja active Active
- 2012-10-12 CN CN201711051798.2A patent/CN107885044B/zh active Active
- 2012-10-25 TW TW106105984A patent/TWI647543B/zh active
- 2012-10-25 TW TW101139544A patent/TWI626512B/zh active
-
2017
- 2017-03-06 US US15/451,358 patent/US9823590B2/en active Active
- 2017-08-10 JP JP2017155899A patent/JP6434582B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003234281A (ja) * | 2002-02-08 | 2003-08-22 | Canon Inc | 露光装置、デバイス製造方法 |
JP2006269942A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021176018A (ja) * | 2015-04-21 | 2021-11-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 冷却装置及びその使用方法並びにリソグラフィ装置 |
JP2017103451A (ja) * | 2015-11-24 | 2017-06-08 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 |
JP2019529982A (ja) * | 2016-09-02 | 2019-10-17 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
JP7060584B2 (ja) | 2016-09-02 | 2022-04-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 冷却装置およびリソグラフィ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201321905A (zh) | 2013-06-01 |
TWI647543B (zh) | 2019-01-11 |
CN107885044B (zh) | 2020-07-03 |
US20150015856A1 (en) | 2015-01-15 |
TWI626512B (zh) | 2018-06-11 |
JP2017223980A (ja) | 2017-12-21 |
KR102136825B1 (ko) | 2020-07-24 |
US9625835B2 (en) | 2017-04-18 |
CN107885044A (zh) | 2018-04-06 |
KR102054328B1 (ko) | 2019-12-10 |
JP6193870B2 (ja) | 2017-09-06 |
CN103959171A (zh) | 2014-07-30 |
JP6434582B2 (ja) | 2018-12-05 |
KR20190137951A (ko) | 2019-12-11 |
WO2013072144A1 (en) | 2013-05-23 |
US9823590B2 (en) | 2017-11-21 |
TW201716885A (zh) | 2017-05-16 |
CN103959171B (zh) | 2017-11-28 |
US20170176877A1 (en) | 2017-06-22 |
KR20140102225A (ko) | 2014-08-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6434582B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP5989360B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP6487519B2 (ja) | リソグラフィ装置用の汚染トラップ | |
JP5732257B2 (ja) | リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびコンピュータ読取可能媒体 | |
JP6871740B2 (ja) | 露光プロセスにおける露光誤差を補償するための方法 | |
US20160035605A1 (en) | Support Structure, Method of Controlling the Temperature Of The Same, and Apparatuses Including the Same | |
JP5885418B2 (ja) | リソグラフィ装置、収差ディテクタ、およびデバイス製造方法 | |
JP2016507763A (ja) | リソグラフィ装置のための基板サポート及びリソグラフィ装置 | |
US20120300187A1 (en) | Lithographic apparatus and component | |
US9778574B2 (en) | Apparatus, a device and a device manufacturing method | |
NL2009618A (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151006 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151006 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160826 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160913 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170501 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170519 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170802 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170810 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6193870 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |