KR20190137951A - 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20190137951A
KR20190137951A KR1020197035717A KR20197035717A KR20190137951A KR 20190137951 A KR20190137951 A KR 20190137951A KR 1020197035717 A KR1020197035717 A KR 1020197035717A KR 20197035717 A KR20197035717 A KR 20197035717A KR 20190137951 A KR20190137951 A KR 20190137951A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
gas
opening
cooling
temperature
Prior art date
Application number
KR1020197035717A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102136825B1 (ko
Inventor
마니쉬 란잔
카를로 라위텐
프랑크 얀센
맥심 체르니쇼프
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20190137951A publication Critical patent/KR20190137951A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102136825B1 publication Critical patent/KR102136825B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

리소그래피 장치(100)는 기판(W)을 유지하도록 구성된 기판 테이블(WT), 개구부(301)를 통해 기판의 타겟부 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템(PS), 및 상기 개구부에 유출구(306)를 갖는 도관(305, 306)을 포함한다. 상기 도관은 개구부로 가스를 전달하도록 구성된다. 리소그래피 장치는, 제어 시스템에 의해 제어되고, 가스의 온도를 제어하도록 구성되며, 특히 투영 시스템과 기판 사이의 공간에서 가스를 냉각시키도록 구성된, 온도 제어 장치(330)를 포함한다.

Description

리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법{LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 출원은 2011년 11월 17일에 출원된 미국 가출원 61/561,117의 이익을 주장하며, 이는 본 명세서에서 전문이 인용 참조된다.
본 발명은 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상으로, 통상적으로는 기판의 타겟부 상으로 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 그 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼)의 (예를 들어, 다이의 일부분, 한 개 또는 수 개의 다이를 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다.
리소그래피는 IC 및 다른 디바이스들 및/또는 구조체들을 제조하는데 있어서 핵심 단계들 중 하나로서 널리 인식되어 있다. 하지만, 리소그래피를 이용하여 만들어지는 피처들의 치수가 더 작아짐에 따라, 리소그래피는 소형 IC 또는 다른 디바이스들 및/또는 구조체들이 제조될 수 있게 하는 더 결정적인 인자가 되고 있다.
패턴 프린팅의 한계들의 이론적 추정은 수학식 (1)로 나타낸 바와 같은 분해능(resolution)에 대한 레일리 기준(Rayleigh criterion)에 의해 설명될 수 있다:
Figure pat00001
(1)
여기서, λ는 사용되는 방사선의 파장이고, NA는 패턴을 프린트하는데 사용되는 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)이며, k 1은 레일리 상수라고도 칭하는 공정 의존성 조정 인자이고, CD는 프린트된 피처의 피처 크기(또는 임계 치수)이다. 수학식 (1)에 따르면, 피처들의 프린트가능한 최소 크기의 감소는 세 가지 방식으로, 즉 노광 파장 λ를 단축시키거나, 개구수 NA를 증가시키거나, k 1의 값을 감소시킴으로써 얻어질 수 있다.
노광 파장을 단축시키고, 이에 따라 프린트가능한 최소 크기를 감소시키기 위해, 극자외(EUV) 방사선 소스를 사용하는 것이 제안되었다. EUV 방사선은 5 내지 20 nm의 범위, 예를 들어 13 내지 14 nm의 범위, 예를 들어 5 내지 10 nm의 범위, 예컨대 6.7 nm 또는 6.8 nm의 파장을 갖는 전자기 방사선이다. 가능한 소스들로는, 예를 들어 레이저-생성 플라즈마 소스들(laser-produced plasma sources), 방전 플라즈마 소스들(discharge plasma sources), 또는 전자 저장 링(electron storage ring)에 의해 제공된 싱크로트론 방사선(synchrotron radiation)에 기초한 소스들을 포함한다.
EUV 방사선은 플라즈마를 이용하여 생성될 수 있다. EUV 방사선을 생성하는 방사선 시스템은 플라즈마를 제공하기 위한 연료를 여기(excite)시키기 위한 레이저, 및 플라즈마를 수용하기 위한 소스 컬렉터 모듈을 포함할 수 있다. 플라즈마는, 예를 들어 적합한 재료(예를 들어, 주석)의 입자와 같은 연료, 또는 Xe 가스 또는 Li 증기와 같은 적합한 가스 또는 증기의 스트림에 레이저 빔을 지향시킴으로써 생성될 수 있다. 이로 인해 생성된 플라즈마는 출력 방사선, 예를 들어 EUV 방사선을 방출하며, 이는 방사선 컬렉터를 이용하여 수집된다. 방사선 컬렉터는 방사선을 수용하고 상기 방사선을 빔으로 포커스하는 거울 수직 입사 방사선 컬렉터(mirrored normal incidence radiation collector)일 수 있다. 소스 컬렉터 모듈은 플라즈마를 지지하기 위한 진공 환경을 제공하도록 배치된 인클로징 구조체(enclosing structure) 또는 챔버를 포함할 수 있다. 이러한 방사선 시스템은 통상적으로 레이저 생성 플라즈마(LPP) 소스라 칭해진다.
EUV 리소그래피 장치를 이용하여 원하는 정확성으로 기판 상에 패턴을 투영하기 위해, 기판의 온도를 제어하는 것이 바람직하다. 이는, 기판 온도의 제어되지 않은 변화가 기판을 팽창 또는 수축시킬 수 있어, 투영된 패턴이 원하는 정확성으로 기판에 위치되지 않기 때문이다(예를 들어, 기판에 이미 존재하는 패턴에 원하는 정확성으로 오버레이되지 않음). 이와 관련하여 알려진 문제점은, 노광된 레지스트 및/또는 웨이퍼 스테이지 격실(wafer stage compartment)에서 생긴 오염물들을 방지하는데 사용되는 퍼지 가스(purge gas)가 웨이퍼 표면에 순 양의 열부하(net positive heat load)를 유도한다는 점이다. 따라서, 이 열부하는 웨이퍼의 바람직하지 않은 큰 열 변형(thermal deformations)을 유발할 수 있다.
본 발명의 목적은 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 리소그래피 장치가 제공되며, 상기 장치는 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블, 개구부를 통해 기판의 타겟부 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템, 및 상기 개구부로 가스를 전달하고, 상기 개구부로부터 상기 투영 시스템과 기판 테이블 사이의 공간으로 가스의 유동을 제공하도록 구성된 도관을 포함하고, 상기 리소그래피 장치에는, 상기 가스가 상기 개구부를 통과한 후 상기 공간에서 상기 가스의 온도를 제어하도록 구성된 온도 제어 디바이스가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에서, 온도 제어 디바이스는 온도 제어 수단 또는 온도 제어기를 포함하고, 이는 가열 수단 또는 가열기 및 냉각 수단 또는 냉각기 둘 모두를 포함한다. 가열 및 냉각 수단들은 가스에 순 냉각 효과(net cooling effect)를 제공하도록 구성된다.
바람직하게, 가열 수단 및 냉각 수단은 투영 시스템과 기판 테이블 사이의 공간에 배치된다. 가열 수단 및 냉각 수단은 상기 공간에 위치된 지지 부재에 장착될 수 있다. 지지 부재는 상기 표면과 열적으로 연통(thermal communication)하거나 상기 표면으로부터 열적으로 단열되어(thermally insulated) 기판 테이블을 향하는 투영시스템의 표면에 장착될 수 있다.
가열 수단은 적어도 하나의 저항성 가열 요소를 포함할 수 있다. 바람직하게, 적어도 하나의 저항성 가열 요소는 독립적으로 제어가능한 복수의 세그먼트(segments)를 포함한다. 다른 실시예들에서는, 독립적으로 제어가능한 복수의 저항성 가열 요소가 존재할 수 있다.
바람직하게, 냉각 수단은 적어도 하나의 냉각 요소를 포함하며, 상기 냉각 요소는 바람직하게 원격 소스에서 냉각된 냉각 유체를 수송하도록 배치된 적어도 하나의 열-파이프일 수 있다.
본 발명의 실시예들에서, 온도 제어 수단은 가열 수단을 제어함으로써 냉각 양(amount of cooling)을 제어하도록 구성된다.
본 발명의 몇몇 실시예들은 리소그래피 장치에 의해 기판 상으로 투영된 패턴의 오버레이를 측정하도록 구성된 메트롤로지 장치를 더 포함할 수 있으며, 제어 시스템은 메트롤로지 장치로부터의 출력값에 기초하여 온도 제어 디바이스의 작동의 조정을 결정하도록 구성된다. 리소그래피 장치는 기판의 적외선 반사율(infrared reflectivity)을 측정하도록 구성된 측정 장치를 더 포함할 수 있다. 제어 시스템은 기판의 측정된 반사율에 기초하여 온도 제어 디바이스의 작동의 제어를 결정하도록 구성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 디바이스 제조 방법이 제공되며, 상기 방법은 투영 시스템의 개구부를 통해 기판 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영시키는 단계, 및 도관을 통해 투영 시스템의 개구부로 가스를 전달하는 단계를 포함하고, 또한 상기 방법은 가스가 개구부를 통과한 후 투영 시스템과 기판 사이의 공간에서 가스의 온도가 제어되도록 가스의 온도를 제어하는 단계를 더 포함한다.
바람직하게, 온도 제어는 냉각 수단을 이용하는 과냉각(over-cooling)에 의해 달성된 냉각, 및 가열 수단을 이용하는 가열을 포함한다.
이하, 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한 도면;
도 2는 방전 생성 플라즈마 소스 컬렉터 모듈을 포함하는 도 1의 장치의 더 자세한 도면의 개략도;
도 3은 레이저 생성 플라즈마 소스 컬렉터 모듈인, 도 1의 장치의 대안적인 소스 컬렉터 모듈의 개략도;
도 4는 기판 테이블에 의해 유지되는 기판 및 리소그래피 장치의 투영 시스템의 일부분의 개략도; 및
도 5는 가열 및 냉각 수단을 나타내는 도 4의 일부분의 상세도이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치(100)를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는, 방사선 빔(B)(예를 들어, EUV 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL); 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)(MA)를 지지하도록 구성되고 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결되는 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT); 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결되는 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 반사 투영 시스템)(PS)을 포함한다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 타입의 광학 구성요소들, 또는 이의 여하한의 조합과 같은 다양한 타입의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 그리고 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스(MA)를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다.
"패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는 데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스의 특정 기능 층에 대응할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스들의 예시로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이, 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들뿐만 아니라 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 이용하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
조명 시스템과 같이 투영 시스템은 사용되는 노광 방사선에 대하여 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 타입의 광학 구성요소들, 또는 이의 여하한의 조합과 같은 다양한 타입의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다. 가스들이 너무 많은 방사선을 흡수할 수 있기 때문에 EUV 방사선에 대해 진공을 이용하는 것이 바람직할 수 있다. 그러므로, 진공 벽 및 진공 펌프들의 도움으로 전체 빔 경로에 진공 환경이 제공될 수 있다. 예를 들어, 오염물이 리소그래피 장치의 광학 구성요소들에 도달할 가능성을 감소시키기 위해 가스 유동이 사용될 수 있도록, 리소그래피 장치의 몇몇 부분들에 일부 가스가 제공될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 반사 마스크를 이용하는) 반사형으로 구성된다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 마스크 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 소스 컬렉터 모듈(SO)로부터 극자외(EUV) 방사선 빔을 수용한다. EUV 광을 생성하기 위한 방법들은 EUV 범위에서 1 이상의 방출 라인들을 갖는 적어도 하나의 원소, 예를 들어 크세논, 리튬 또는 주석을 갖는 플라즈마 상태로 재료를 전환시키는 단계를 포함한다(단, 이로 제한되지 않음). 흔히 레이저 생성 플라즈마("LPP")로 칭해지는 이러한 방법에서, 요구되는 플라즈마는 요구되는 라인-방출 요소를 갖는 재료의 액적, 스트림 또는 클러스터와 같은 연료를 레이저 빔으로 조사함으로써 생성될 수 있다. 소스 컬렉터 모듈(SO)은 연료를 여기시키는 레이저 빔을 제공하기 위해 도 1에는 도시되지 않은 레이저를 포함하는 EUV 방사선 시스템의 일부일 수 있다. 이로 인해 생성된 플라즈마는 출력 방사선, 예를 들어 EUV 방사선을 방출하며, 이는 소스 컬렉터 모듈에 배치된 방사선 컬렉터를 이용하여 수집된다. 예를 들어, 연료 여기를 위해 레이저 빔을 제공하는 데 CO2 레이저가 사용되는 경우, 레이저 및 소스 컬렉터 모듈은 별도의 개체들일 수 있다.
이러한 경우, 레이저는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템의 도움으로 레이저로부터 소스 컬렉터 모듈로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 방전 생성 플라즈마 EUV 생성기(흔히, DPP 소스라고도 함)인 경우, 상기 소스는 소스 컬렉터 모듈의 통합부일 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 패싯 필드(facetted field) 및 퓨필 거울 디바이스(pupil mirror device)들과 같은 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는 데 사용될 수 있다.
방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)로부터 반사된 후, 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상으로 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(PS2)[예를 들어, 간섭계 디바이스(interferometric device), 리니어 인코더(linear encoder) 또는 용량성 센서(capacitive sensor)]의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(PS1)는 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 정확히 위치시키는 데 사용될 수 있다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 적어도 하나에 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 및 기판 테이블(WT)은 본질적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다.
2. 스캔 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상으로 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다.
3. 또 다른 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 본질적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
도 2는 소스 컬렉터 모듈(SO), 조명 시스템(IL) 및 투영 시스템(PS)을 포함하는 장치(100)를 더 자세하게 도시한다. 소스 컬렉터 모듈(SO)은 소스 컬렉터 모듈(SO)의 인클로징 구조체(enclosing structure; 220)에 진공 환경이 유지될 수 있도록 구성되고 배치된다. EUV 방사선 방출 플라즈마(210)는 방전 생성 플라즈마 소스에 의해 형성될 수 있다. EUV 방사선은 전자기 스펙트럼의 EUV 범위의 방사선을 방출하기 위해 초고온 플라즈마(very hot plasma: 210)가 생성되는 가스 또는 증기, 예를 들어 Xe 가스, Li 증기, 또는 Sn 증기에 의해 생성될 수 있다. 초고온 플라즈마(210)는, 예를 들어 적어도 부분적으로 이온화된 플라즈마를 유도하는 전기 방전에 의해 생성된다. 방사선의 효율적인 생성을 위해서는 Xe, Li, Sn 증기 또는 여타 적합한 가스 또는 증기의, 예를 들어 10 Pa의 분압이 요구될 수 있다. 일 실시예에서는, EUV 방사선을 생성하기 위해 여기된 주석(Sn)의 플라즈마가 제공된다.
초고온 플라즈마(210)에 의해 방출되는 방사선은 소스 챔버(211)의 개구부 안이나 뒤에 위치되는 선택적 가스 방벽 또는 오염물 트랩(optional gas barrier or contaminant trap: 230)[몇몇 경우에는, 오염물 방벽 또는 포일 트랩(foil trap)이라 지칭되기도 함]을 통해 소스 챔버(211)로부터 컬렉터 챔버(212) 내로 전달된다. 오염물 트랩(230)은 채널 구조체를 포함할 수 있다. 또한, 오염물 트랩(230)은 가스 방벽, 또는 가스 방벽과 채널 구조체의 조합을 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에 개시된 오염물 트랩 또는 오염물 방벽(230)은 적어도 당업계에서 알려진 바와 같은 채널 구조체를 포함한다.
컬렉터 챔버(212)는 방사선 컬렉터(CO)를 포함할 수 있으며, 이는 소위 스침 입사 컬렉터(grazing incidence collector)일 수 있다. 방사선 컬렉터(CO)는 상류 방사선 컬렉터 측(251) 및 하류 방사선 컬렉터 측(252)을 갖는다. 컬렉터(CO)를 가로지르는(traverse) 방사선은 격자 스펙트럼 필터(240)에 의해 반사되어 가상 소스 지점(IF)에 포커스될 수 있다. 가상 소스 지점(IF)은 중간 포커스라고도 칭해지며, 소스 컬렉터 모듈은 중간 포커스(IF)가 인클로징 구조체(220)의 개구부(221)에 또는 그 부근에 배치되도록 구성된다. 가상 소스 지점(IF)은 방사선 방출 플라즈마(210)의 이미지이다.
후속하여, 방사선은 조명 시스템(IL)을 가로지르며, 상기 조명 시스템은 패터닝 디바이스(MA)에서 방사선 세기의 원하는 균일성뿐만 아니라, 패터닝 디바이스(MA)에서 방사선 빔(21)의 원하는 각도 분포를 제공하도록 배치된 패싯 퓨필 거울 디바이스(facetted pupil mirror device: 24) 및 패싯 필드 거울 디바이스(facetted field mirror device: 22)를 포함할 수 있다. 지지 구조체(MT)에 의해 유지된 패터닝 디바이스(MA)에서 방사선 빔(21)이 반사될 때, 패터닝된 빔(26)이 형성되며, 패터닝된 빔(26)은 투영 시스템(PS)에 의해 반사 요소들(28, 30)을 거쳐 웨이퍼 스테이지 또는 기판 테이블(WT)에 의해 유지된 기판(W) 상으로 이미징된다.
일반적으로, 조명 광학 유닛(IL) 및 투영 시스템(PS)에는 도시된 것보다 많은 요소들이 존재할 수 있다. 리소그래피 장치의 타입에 따라, 선택적으로 격자 스펙트럼 필터(240)가 존재할 수 있다. 또한, 도면들에 도시된 것보다 많은 거울들이 더 많이 존재할 수 있으며, 예를 들어 투영 시스템(PS)에는 추가 반사 요소들이 도 2에 도시된 것보다 1 내지 6 개 더 많이 존재할 수 있다.
도 2에 예시된 바와 같은 컬렉터 광학기(CO)는 컬렉터(또는 컬렉터 거울)의 일 예시로서 스침 입사 반사기들(253, 254 및 255)을 갖는 네스티드 컬렉터(nested collector)로서 도시된다. 스침 입사 반사기들(253, 254 및 255)은 광축(O)을 중심으로 축방향 대칭으로 배치되며, 이 타입의 컬렉터 광학기(CO)는 흔히 DPP 소스라 칭해지는 방전 생성 플라즈마 소스와 조합하여 사용되는 것이 바람직하다.
대안적으로, 소스 컬렉터 모듈(SO)은 도 3에 도시된 바와 같은 레이저 생성 플라즈마(LPP) 방사선 시스템의 일부분일 수 있다. 레이저(LA)는 크세논(Xe), 주석(Sn) 또는 리튬(Li)과 같은 연료 내로 레이저 에너지를 축적(deposit)하도록 배치되어, 수십 eV의 전자 온도(electron temperatures of several 10's of eV)를 갖는 고도로 이온화된 플라즈마(210)를 생성한다. 이러한 이온들의 탈-여기(de-excitation) 및 재조합(recombination) 동안 생성된 활성 방사선(energetic radiation)이 플라즈마로부터 방출되고, 근 수직 입사 컬렉터 광학기(near normal incidence collector optic: CO)에 의해 수집되며, 인클로징 구조체(220)의 개구부(221) 상으로 포커스된다.
도 4는 투영 시스템(PS)의 하부, 즉 기판 홀더(WT)와 마주하는 부분의 개략적인 단면도이다. 투영 시스템(PS)은 개구부(301)를 포함하며, 이 개구부를 통해 사용 시 패터닝된 방사선 빔이 기판의 타겟부 상으로 투영된다. 개구부는 개구부 정의 벽(opening defining wall: 302)의 경사진 내표면(304)에 의해 형성될 수 있다. 벽(302)은 중공(hollow)이고, 환형 챔버(annular chamber: 305)를 정의하며, 상기 환형 챔버는 (예를 들어, 도시되지 않은 전달 파이프를 통해) 가스 공급부로부터 가스를 수용하고, 경사진 내표면(304)에 형성된 환형 슬릿(306)을 통해 개구부(301)로 가스를 전달한다. 전달 파이프, 챔버(305) 및 슬릿(306)은 함께 개구부(301)에 가스를 전달하는 도관을 형성하는 것으로 간주될 수 있다. 상기 도관은 개구부(301)에 가스를 공급하도록 역할하는 여타의 적합한 형태를 가질 수 있다.
환형 슬릿(306)은 유출구의 일 예시이다. 유출구는 여하한의 적합한 형태를 가질 수 있다. 유출구는, 예를 들어 복수의 구멍들을 포함할 수 있다. 상기 복수의 구멍들은 유출구 주위에 분포될 수 있다. 상기 구멍들은 직사각형, 정사각형, 원형일 수 있거나, 여타의 적합한 형상을 가질 수 있다. 도 4의 도면번호 306은 이러한 여하한의 유출구를 지칭할 수 있으며; 이후, 유출구는 유출구(306)라고도 언급될 것이다.
오염물[예를 들어, 기판(W)의 레지스트로부터 나온 기체-상 유기 화합물(gas-phase organic compounds)]이 기판(W)으로부터 투영 시스템(PS)의 내부로 이동할 가능성을 감소시키는 것이 바람직하다. 이는 오염물이 거울들(28, 30)과 같은 광학 표면들에 쌓일 수 있어, 이러한 표면들의 반사율이 감소되게 하기 때문이다. 따라서, 이는 기판(W) 상으로의 투영에 이용가능한 EUV 방사선의 세기를 감소시킬 수 있어, 리소그래피 장치의 스루풋(throughput)(즉, 리소그래피 장치에 의해 시간당 패터닝될 수 있는 기판들의 개수)을 감소시킬 수 있다.
환형 슬릿(306)을 통해 개구부(301)로 공급되는 가스는 오염물이 기판(W)으로부터 개구부(301)를 통해 투영 시스템(PS) 내로 지나갈 가능성을 감소시키는 퍼지 가스(purge gas)로서 역할한다. 가스의 유동은 도 4에 화살표로 개략적으로 도시되어 있다. 가스는 환형 챔버(305) 내로 그리고 환형 챔버(305) 내에서 이동하여, 환형 슬릿(306)의 입구에서의 가스의 압력이 환형 챔버(305)의 원주 주변에서 거의 같다[substantially equal around the circumference of the annular chamber 305]. 환형 챔버(305) 주위에 약간의 압력 변동이 존재할 수 있으며, 이를 보정하기 위해 상기 챔버는 환형 챔버 내에서 가스의 이동을 촉진(encourage)하도록 작용하는 배플(baffle: 도시되지 않음)을 포함할 수 있어, 환형 챔버 내의 가스의 압력의 평형을 돕는다. 가스는 환형 슬릿(306)을 통과하여 개구부(301) 내로 지나간다. 가스의 일부는 투영 시스템(PS) 내로 상향 이동한다. 가스의 나머지는 아래로 이동하여, 개구부(301)를 지난 후, 개구부로부터 멀어지는 방향으로 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이의 갭 또는 공간으로 이동한다. 개구부(301)로부터의 가스의 유동은 기판(W)으로부터 투영 시스템(PS) 내로 오염물의 통행을 방지 또는 억제한다.
기판(W)의 온도를 제어하는 것이 바람직하다. 이는 기판 온도의 제어되지 않은 변화가 기판을 팽창 또는 수축시킬 수 있어, 투영된 패턴이 기판 상에 원하는 정확성으로 위치되지 않기 때문이다(예를 들어, 기판에 이미 존재하는 패턴에 원하는 정확성으로 오버레이되지 않음). 개구부(301)로부터 기판(W) 상으로 가스의 유동은 아래에 자세히 설명될 바람직하지 않은 방식으로 기판을 가열시킬 수 있다. 가스의 유동이 바람직하지 않은 방식으로 기판을 가열시키는 것을 방지하는 것이 바람직할 수 있다. 추가적으로, 적어도 기판의 일부분들은 기판의 일부분들에 입사하는 EUV 및 적외 방사선에 의해 야기되는 가열로 인해 더 높은 온도를 겪을 수 있다. 적외 방사선은, 예를 들어 EUV 방출 플라즈마(210) 또는 EUV 방출 플라즈마의 생성에 사용되는 레이저(LA)에서 발생할 수 있다(도 3 참조).
일 실시예에서, 가스가 개구부(301)로부터 기판(W)의 에지로 유동함에 따라 가스가 냉각된다. 가스가 개구부(301)로부터 기판(W)의 에지로 유동함에 따른 가스의 냉각을 제공하기 위해, 리소그래피 장치는 아래에 자세히 설명되는 온도 제어 디바이스(330)를 포함한다. 온도 제어 디바이스(330)는, 가스가 개구부(301)를 통과한 후 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이의 공간의 가스의 온도를 제어하도록 구성된다. 허용가능하지 않은 오버레이 오차들이 리소그래피 장치에 생길 정도로 기판(W)의 온도가 가스에 의해 변동되지 않도록 가스의 온도가 제어될 수 있다. 상기 장치가 사용되지 않을 때 상기 실시예의 기술적 특징부들을 설명하기 위해 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이의 공간이 투영 시스템과 기판 테이블(WT) 사이의 공간과 동일함을 이해할 것이다. 이러한 동일성의 견지에서, 이후 본 발명의 설명에서는 이 공간의 두 가지 정의를 구별하지 않을 것이다.
리소그래피 장치는 기준 온도를 가질 수 있으며, 이는 예를 들어 약 295 K(Kelvin)(예를 들어, 약 20 ℃와 23 ℃ 사이일 수 있는 실온)일 수 있거나, 이와 다른 온도일 수 있다. 기준 온도는 리소그래피 장치의 1 이상의 구성요소들이 리소그래피 장치의 작동 중에 유지되는 온도일 수 있다. 리소그래피 장치는 기준 온도에서 기판(W), 기판 테이블(WT), 투영 시스템 벽들, 및 개구부 정의 벽(302) 중 1 이상을 유지(또는 유지하도록 노력)할 수 있다. 리소그래피 장치가 가스의 유동 없이 작동한다면, 기판(W), 기판 테이블(WT), 투영 시스템 벽들, 및 개구부 정의 벽(302)은 기준 온도에(또는 실질적으로 기준 온도에) 있을 수 있다. 이에 대한 예외는 노광되고 있는 기판의 일부분일 수 있으며; 이는 기판의 그 부분에 입사하는 EUV 및 적외 방사선에 의해 야기되는 가열로 인해 더 높은 온도를 가질 수 있다. 적외 방사선은, 예를 들어 EUV 방출 플라즈마(210) 또는 EUV 방출 플라즈마의 생성에 사용되는 레이저(LA)에서 발생할 수 있다(도 3 참조).
챔버(305) 내로 도입되는 가스가 초기에 리소그래피 장치의 다른 구성요소들과 동일한 온도를 갖더라도, 가스가 상기 장치를 통해 유동할 때 이는 기판(W)의 가열을 유도할 수 있다. 이는, 가스가 기판(W)으로 이동함에 따라 열을 얻고, 이후 이 열이 가스로부터 기판으로 전달되기 때문이다. 이러한 기판의 가열은 기판의 노광 중에 생기는 허용가능하지 않은 오버레이 오차들을 유도할 수 있다.
가스가 기판(W)으로 이동함에 따라 가스가 열을 얻는 메커니즘은 가스가 이동하는 속도의 결과이다. 전달 파이프를 통해 환형 챔버(305)로 이동하는 가스는 비교적 높은 속도(예를 들어, 100 m/s 이상)를 가질 것이다. 가스의 이러한 비교적 높은 속도는 가스가 챔버로 유동함에 따라 가스의 온도의 감소를 가져올 것이다. 이는 가스가 단열적인(adiabatic)(즉, 전달 파이프와 가스 사이에 열 전달이 일어나지 않음) 예시를 고려함으로써 이해될 수 있다. 가스가 단열적인 경우, 가스의 총 에너지는 일정하게 유지되어야 한다. 가스가 전달 파이프에 들어갈 때 가스가 정지해 있거나 느리게 이동하는 경우(예를 들어, 10 m/s 이하), 가스의 모든 에너지는 열 에너지이며, 이는 가스의 온도로서 명백해진다. 하지만, 가스가 전달 파이프에서 비교적 높은 속도로 이동할 때, 가스는 그 속도로 인해 상당한 운동 에너지를 갖는다. 가스의 총 에너지가 동일하게 유지되기 때문에, 가스의 열 에너지(및 이에 따른 그 온도)가 감소된다. 따라서, 단열적 경우에서, 가스가 비교적 높은 속도로 유동할 때, 가스의 온도가 감소될 것이다.
본 발명의 일 실시예에서 가스는 전달 파이프를 통해 비교적 높은 속도로 유동할 수 있으며, 이 비교적 높은 속도의 결과로 가스의 정적 온도가 감소된다. 가스 및 투영 시스템 벽 둘 모두가 동일한 초기 온도를 갖는 경우(초기 가스 온도는 가스가 전달 파이프를 통해 유동하기 전의 가스의 온도임), 가스가 전달 파이프를 통해 유동할 때 이는 투영 시스템 벽의 온도보다 낮은 정적 온도를 가질 것이다. 가스가 투영 시스템 벽보다 낮은 정적 온도를 갖기 때문에, 가스가 전달 파이프를 통해 이동함에 따라 열은 투영 시스템 벽으로부터 가스로 유동할 것이다. 대안적인 실시예에서는, 가스가 비교적 낮은 속도로 전달 파이프를 통해 유동할 수 있으며, 이 경우 가스의 온도는 감소되지 않을 것이다. 하지만, 가스가 환형 슬릿(306)을 통해 유동할 때 가스의 온도는 감소될 것이다.
환형 슬릿(306)을 통해 가스가 개구부(301) 내로 통과하는데, 그 환형 슬릿(306)은 비교적 협소하다(constricted). 결과적으로, 가스는 비교적 높은 속도로 환형 슬릿(306)을 통해 이동할 것이며, 이는 가스의 온도가 (예를 들어, 수 K 또는 심지어 수십 K 만큼) 감소되게 할 것이다. 가스가 환형 슬릿(306)을 통해 이동함에 따라 가스가 개구부 정의 벽(304)보다 낮은 온도를 갖는 경우, 개구부 정의 벽으로부터 가스로 열이 전달될 것이다.
가스가 개구부(301)에 들어갈 때, 가스는 비교적 높은 속도를 가질 수 있다. 하지만, 기판이 가스가 아래로 진행하는 것을 막아 가스의 방향이 바뀌게 하기 때문에, 가스가 기판(W)의 표면에 입사할 때 가스가 감속된다. 이 감속의 결과로, 가스의 운동 에너지는 열 에너지로 변환된다. 열이 전달 파이프 및 개구부 정의 벽(304)으로부터 가스로 전달되었기 때문에, 가스는 전달 파이프에 들어가기 전의 그 전체 온도보다 높은 전체 온도를 갖는다. 가스의 전체 온도는, 예를 들어 리소그래피 장치의 기준 온도보다 높을 수 있다. 이러한 가스의 더 높은 전체 온도는 기판(W)의 바람직하지 않은 가열을 유도할 수 있다.
일 실시예에서, 개구부 정의 벽(302)은 투영 시스템 벽들(또는 리소그래피 장치의 다른 부분들)로부터 개구부 정의 벽으로 유동할 수 있는 열의 양을 감소시키도록 단열될 수 있다. 이는 가스가 환형 슬릿(306)을 통과함에 따라 가스로 전달될 수 있는 열의 양을 감소시킨다. 이러한 단열은, 예를 들어 개구부 정의 벽(302)과 투영 시스템 벽들(후자의 벽들은 도 4에 도시되지 않음) 사이에 단열 재료 및/또는 갭을 제공하는 것을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 개구부 정의 벽(302)은 단열 재료로 구성될 수 있다. 예를 들어, 개구부 정의 벽(302)은 세라믹, 예를 들어 Corning(USA)의 Corning 사로부터 이용가능한 마코 세라믹(Macor ceramic)(또는 다른 적합한 세라믹)으로 구성될 수 있다. 개구부 정의 벽(302)은 유리로 형성될 수 있다. 개구부 정의 벽(302)은 다른 금속들보다 낮은 열 전도도를 갖는 금속으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 개구부 정의 벽(302)은 스테인리스 스틸로 만들어질 수 있으며, 스테인리스 스틸은 구조적 강도를 제공할 수 있고, 알루미늄보다 훨씬 더 낮은 열 전도도를 갖는다.
도 4의 실시예에서, 챔버(305)는 환형 하부 벽(303)을 가지며, 상기 환형 하부 벽은 기판(W)과 평행하고, 기판(W)과 함께 갭(이 갭을 통해 가스가 유동함)을 정의한다. 하부 벽(303)에 고정된 것은, 환형 디스크 형태의 지지 부재(320)이며, 이는 아래에 설명될 온도 제어 수단(또는 온도 제어기)을 갖고, 온도 제어 수단과 함께 앞서 언급된 온도 제어 디바이스(330)의 일부분이다. 지지 부재(320)에는, 가스의 유동을 방해하거나 노광 방사선 빔을 차단하지 않도록 개구부(301)와 인접해 있는 개구부(321)가 제공된다. 지지 부재(320)는 아래에 설명되는 바와 같이 온도 제어 수단을 지지하는 역할을 하며, 환형 디스크는 지지 부재에 대해 편리한 특정 형태로 되어 있지만, 이는 여타의 적합한 형태를 취할 수 있다.
도 5는 개구부(321)의 에지로부터 지지 부재(320)의 외주로 연장되는 지지 부재(320)의 구간을 더 자세히 나타낸다. 지지 부재(320)에 의해 지지된 것은, 적어도 하나의 가열 수단(322)(또는 가열기) 및 적어도 하나의 냉각 수단(323)(또는 냉각기)이다. 냉각 수단(323)은, 예를 들어 원형 또는 직사각형 단면을 갖는 여하한의 적합한 형태를 취할 수 있으나, 원격 냉각 유닛[예를 들어, 열-파이프를 통해 연결된 펠티에 냉각기(Peltier cooler)]로부터 공급되는 냉각 유체를 수송하는 튜브를 포함하는 것이 바람직하다. 냉각은, 예를 들어 물 또는 글리콜과 같은 단일-상 냉각 유체(single-phase cooling fluid) 또는 열 파이프의 사용에 의해 전달될 수 있다(단, 이로 제한되지 않음). 가열 수단(322)은 적어도 하나의 저항성 가열 요소를 포함할 수 있다. 지지 부재(320)는 열 전도 재료로 형성되는 것이 바람직하며, 지지 부재(320) 밑에 놓이는 기판(W)에 오염물들이 쌓일 위험이 없도록 낮은 가스배출(outgassing)을 갖는 재료인 것이 바람직하다. 적합한 재료들로는 알루미늄, 강철, 및 질화알루미늄 또는 탄화규소와 같은 세라믹을 포함한다.
도 5에는 가열 및 냉각 수단 둘 모두가 지지 부재(320) 아래에 도시되어 있는 반면, 도 4에는 지지 부재(320) 위에 도시되어 있음을 유의해야 한다. 두 가지 선택이 가능하다.
지지 부재(320)는 벽(303)과 반드시 접촉할 필요는 없는 다른 수단에 의해 제자리에 유지될 수 있지만, 지지 부재(320)는 챔버(305)의 하부 벽(303)에 고정되는 것이 바람직하다. 선택적으로, 본 발명의 몇몇 실시예들에서, 이 시스템은 챔버(305) 내의 가스를 사전-냉각시키도록 배치될 수 있다. 이는 지지 부재(320)가 하부 벽(303)과 양호하게 열 접촉하는 것을 보장함으로써 달성될 수 있다. 반대로, 챔버(305)의 가스를 사전-냉각하는 것은 이 냉각이 이웃하는 서브-모듈 또는 이의 일부분들을 바람직하지 않게 냉각시킬 수 있다는 점에서 몇 가지 단점을 가질 수도 있다. 이 경우, 지지 부재(320)가 별도로 장착될 수 있어, 지지 부재(320)가 하부 벽(303)과 접촉하지 않고 인접해 있거나, 그 사이에 열적으로 단열 재료를 갖는 하부 벽(303)에 고정될 수 있다.
가열 및 냉각 수단 둘 모두가 제공되지만, 일차적인 목적은 가스가 개구부(301)로부터 기판(W)의 에지로 유동함에 따라 가스에 변동가능한 냉각 효과를 제공하는 것에 있다. 가열 및 냉각 수단 둘 모두를 제공하는 잠재적인 장점은 시스템의 반응 시간이 개선될 수 있다는 점이다. 냉각 수단의 반응 시간은 일반적으로 가열 수단의 반응 시간보다 훨씬 더 느리다. 본 발명의 실시예들은, 가스를 과냉각한 후[즉, 자체적으로 요구되는 것보다 낮은 온도로 가스를 냉각시킬 냉각도(degree of cooling)를 제공한 후], 가열 수단(322)을 이용하여 가스를 가열시켜 순 냉각 효과(net cooling effect)가 존재하게 함으로써, 신속한 반응 시간을 갖는 냉각을 제공한다. 과냉각을 실질적으로 일정하게 지속시킴으로써, 가열 수단(322)은 순 냉각을 제어하며, 가열 수단이 비교적 빠른 반응 시간을 가짐에 따라, 시스템의 반응 시간이 비교적 빠르다. 선택적으로, 냉각 또는 가열만이 제공될 수 있지만, 정확히 제어될 수 있는 변동가능한 냉각을 생성하기 위해 가열과 조합된 과냉각으로 최적의 결과가 달성될 수 있다.
설명된 바와 같이, 상기 시스템은 가열과 조합하여 가스의 과냉각을 제공할 수 있다. 이는 신속한 반응 시간을 갖는 냉각의 폭넓은 제어를 제공한다. 과냉각은 변화되지 않게 두는 것이 바람직하며, 가열을 조정함으로써 제어가 제공된다. 온도 제어 디바이스의 작동을 제어하도록 구성되고 배치된 제어 시스템(도면 어디에도 도시되지 않음)으로 온도 피드백 또는 피드-포워드 신호를 제공함으로써 제어가 가능해진다. 특히, 제어 시스템은 가열 수단(322) 및 냉각 수단(323)의 각각의 온도를 설정 또는 조정하도록 구성되고 배치될 수 있다. 이 신호는 디스크(320)에 위치되거나 인접해 있는 1 이상의 온도 센서(들)로부터 얻어질 수 있다. 본 발명의 몇몇 실시예들에서, 저항성 가열 요소(들)는 가열 요소(들)의 저항률(resistivity)을 모니터링함으로써 자체적으로 1 이상의 온도 센서들로서 기능할 수 있다.
본 발명의 실시예들에서, 제어 신호들은 리소그래피 장치의 다른 영향 모듈들(influencing modules)로부터 제어 시스템으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼 노광을 위한 방사선 에너지 및 웨이퍼 척 온도(wafer chuck temperature)를 나타내는 신호들은 피드백 제어의 일부분으로서 사용될 수 있다.
가열 및 냉각 수단들(322, 323)은 광범위하고 다양한 구성들로 디스크(320)에 구성될 수 있다. 특히 단순한 구성에서는, 단일 가열 요소 및 단일 냉각 요소만이 존재할 수도 있지만, 바람직하게는 최대 제어도를 제공하기 위해, 독립적으로 제어가능한 복수의 가열 요소들 또는 독립적으로 제어가능한 세그먼트들로 하위-분할된 단일 가열 요소가 존재할 수 있다. 독립적으로 제어가능한 가열 요소들 또는 하위-분할된 독립적으로 제어가능한 세그먼트들을 제공하면, 지지 부재의 상이한 부분들에 걸쳐 순 냉각도가 제어될 수 있다. 통상적으로, 예를 들어 개구부(301)에 인접한 지점에서 가스가 가장 고온임에 따라 개구부(301)에 인접해서 더 큰 냉각도가 존재할 것이다. 이와 유사하게, 최대 제어도를 제공하기 위해 다수의 냉각 요소들이 존재할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 지지 부재(320)의 가열 및 냉각 수단(322, 323)은 다수의 상이한 독립적으로 제어가능한 섹터들로 제공될 수 있으며, 그 각각은 적어도 하나의 가열 요소 또는 독립적으로 제어가능한 가열 요소 세그먼트 및 적어도 하나의 냉각 요소 또는 이의 일부분을 포함한다.
일 실시예에서, 온도 제어 디바이스(330)가 가스를 냉각시키는 온도는 리소그래피 장치에 의해 달성되는 오버레이를 (적어도 부분적으로) 조정하기 위해 사용될 수 있다. 오버레이는 정확성의 측정치인 것으로 고려될 수 있으며, 이 정확성으로 리소그래피 장치는 기판에 이미 존재하는 패턴의 상부에 패턴을 투영한다. 리소그래피 장치에 의해 달성되는 오버레이는, 메트롤로지 장치(이는 리소그래피 장치의 일부분을 형성할 수 있음)를 이용하여 기판에 이미 존재하는 패턴들에 대한 투영된 패턴들의 위치를 측정함으로써, 기판의 노광에 후속하여 측정될 수 있다. 오버레이의 패턴이 너무 높은 온도를 갖는 기판을 나타내는 하위-최적의 오버레이(sub-optimal overlay)가 발견된 경우, 온도 제어 디바이스(330)에 의해 제공된 냉각이 증가될 수 있다. 반대로, 오버레이의 패턴이 너무 낮은 온도를 갖는 기판을 나타내는 하위-최적의 오버레이가 발견된 경우, 온도 제어 디바이스(330)에 의해 제공되는 냉각이 감소될 수 있거나, 보상 열의 양이 증가될 수 있다. 온도 제어 디바이스(330)에 의해 제공되는 냉각은 원하는 오버레이 정확성을 유지하기 위해 주기적으로 조정될 수 있다.
기판에 의한 EUV 방사선의 흡수도는 비교적 일정하고 예측가능할 수 있다. 하지만, 기판에 의한 IR의 흡수도는 기판의 표면의 형태에 따라 상당히 상이할 수 있다. 예를 들어, 구조체가 기판에 이미 노광되고 처리된 경우, 기판에 의한 IR 방사선의 흡수도는 그 구조체의 형태에 따라 달라질 것이다. 구조체가 금속으로 형성된 경우, IR 방사선의 흡수도는 그 구조체가 반도체 재료로 형성된 경우에 갖게 될 흡수도보다 낮을 것이다. 온도 제어 디바이스(330)로부터 전달된 가스의 온도의 조정은 리소그래피 장치에 의해 노광되는(또는 노광될) 기판들의 적외 방사선의 흡수율 및 반사율을 고려할 수 있다. 일 실시예에서, 기판(이는 복수의 기판들을 나타낼 수 있음)의 적외 방사선의 흡수율 및 반사율은 리소그래피 장치에 의해 기판(또는 복수의 기판들)의 노광 이전에 측정 장치에서 수행될 수 있다. 측정 장치는 리소그래피 장치의 일부분을 형성할 수 있다. 예를 들어, 일 장치는 기판에서 적외 방사선 빔을 지향시키고 상기 기판으로부터 반사된 방사선을 검출하여, 적외 방사선에 대한 기판의 반사율이 결정되게 한다. 또한, 흡수율도 측정될 수 있다. 적외 방사선은, 예를 들어 10.6 ㎛일 수 있거나, 예를 들어 레이저에 의해 제공될 수 있다. 상기 장치는, 예를 들어 기판의 다른 특성들의 측정을 수행하기 위해 사용되는 장치일 수 있다(이러한 장치는 메트롤로지 장치라고도 칭해질 수 있음). 제어 시스템은 (예를 들어, IR 방사선에 의해 유도된 기판의 가열을 적어도 부분적으로 보상하는 냉각을 제공하기 위해 가스가 사용되는 경우) 리소그래피 장치에 의해 노광될(또는 노광되는) 기판들의 IR 반사율 및 흡수율을 고려하기 위해 가열 수단(322, 333)의 온도를 조정할 수 있다.
가열 수단(322) 및 냉각 수단(323)은 회전 대칭으로 지지 부재(320)에 배치될 수 있다. 이는 가스가 개구부(301)로부터 모든 방향으로 동일하게 반경방향 바깥쪽으로 유동하는 경우에 특히 유용하다. 하지만, 가열 요소들 또는 가열 요소들의 세그먼트들의 독립적인 제어에 의해 또는 가열 및 냉각 요소들을 선택된 특정 구성들로 위치시킴에 의해, 어떤 이유로 특정 냉각 패턴을 제공할 필요가 있는 특정 적용들에 적합할 수 있는 특정 냉각 패턴들이 얻어질 수 있다.
본 발명의 실시예들은 유출구(301)와 바로 마주하는 위치들에서 국부적이고 상대적인 상승된 웨이퍼 온도가 존재할 수 있는 가능성을 허용한다. 이는, 국부적으로 더 높은 온도의 중심 영역이 중심 영역 주위에 배치된 더 낮은 온도의 환형 영역에 의해 보상될 수 있고, 이에 의해 통상적인 실리콘 웨이퍼의 비교적 높은 열 전도성을 이용하기 때문에 허용가능할 수 있다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.
"EUV 방사선"이라는 용어는 5 내지 20 nm 범위 내, 예를 들어 13 내지 14 nm 범위 내, 또는 예를 들어 5 내지 10 nm 범위 내, 예컨대 6.7 nm 또는 6.8 nm의 파장을 갖는 전자기 방사선을 포괄하는 것으로 고려될 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다. 상기 서술내용은 예시를 위한 것으로, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 바와 같은 본 발명에 대한 변형이 행해질 수 있다는 것을 이해할 것이다.

Claims (15)

  1. 리소그래피 장치에 있어서,
    기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블;
    개구부를 통해 상기 기판의 타겟부 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템; 및
    상기 개구부로 가스를 전달하고, 상기 개구부로부터 상기 투영 시스템과 상기 기판 테이블 사이의 공간으로 상기 가스의 유동을 제공하도록 구성된 도관을 포함하고,
    상기 리소그래피 장치에는 상기 투영 시스템과 상기 기판 테이블 사이의 공간에 배치된 온도 제어 디바이스가 제공되고, 상기 온도 제어 디바이스는 상기 가스가 상기 개구부를 통과한 후 상기 공간에서 상기 가스의 온도를 제어하도록 구성되며,
    상기 개구부는 개구부 정의 벽(opening defining wall)의 경사진 내표면(sloped inner surface)에 의해 형성되는, 리소그래피 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 온도 제어 디바이스는 가열 수단 및 냉각 수단 둘 모두를 포함하는 온도 제어 수단을 포함하는 리소그래피 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 가열 수단 및 상기 냉각 수단은 상기 공간에 위치된 지지 부재에 장착되는 리소그래피 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 지지 부재는 상기 기판 테이블을 향하는 상기 투영 시스템의 표면에 장착되는 리소그래피 장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 가열 수단은 적어도 하나의 저항성 가열 요소를 포함하는 리소그래피 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 저항성 가열 요소는 독립적으로 제어가능한 복수의 세그먼트들을 포함하는 리소그래피 장치.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 가열 수단은 독립적으로 제어가능한 복수의 가열 요소들을 포함하는 리소그래피 장치.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 냉각 수단은 적어도 하나의 냉각 요소를 포함하는 리소그래피 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 냉각 요소는 원격 소스에서 냉각된 냉각 유체를 수송하도록 배치된 열-파이프를 포함하는 리소그래피 장치.
  10. 제 2 항에 있어서,
    상기 온도 제어 수단은 상기 가열 수단을 제어함으로써 냉각의 양을 제어하도록 구성되는 리소그래피 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 리소그래피 장치에 의해 상기 기판 상으로 투영된 패턴의 오버레이를 측정하도록 구성된 메트롤로지 장치를 더 포함하고, 상기 메트롤로지 장치로부터의 출력값은 상기 온도 제어 디바이스의 작동을 제어하도록 구성되고 배치된 제어 시스템에 대한 제어 입력값으로서 사용되는 리소그래피 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    기판의 적외선 반사율(infrared reflectivity)을 측정하도록 구성된 측정 장치를 더 포함하고, 상기 기판의 측정된 반사율은 상기 온도 제어 디바이스의 작동을 제어하도록 구성되고 배치된 제어 시스템에 대한 제어 입력값으로서 사용되는 리소그래피 장치.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도관은 상기 경사진 내표면에 형성된 환형 슬릿을 통해 상기 가스를 상기 개구부로 전달하는 리소그래피 장치.
  14. 디바이스 제조 방법에 있어서,
    투영 시스템의 개구부를 통해 기판 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영시키는 단계;
    도관을 통해 상기 투영 시스템의 개구부로 가스를 전달하는 단계; 및
    상기 투영 시스템과 상기 기판 사이의 공간에서 상기 가스의 온도가 제어되도록, 상기 가스가 상기 개구부를 통과한 후 상기 가스의 온도를 제어하는 단계를 포함하고,
    상기 개구부는 개구부 정의 벽의 경사진 내표면에 의해 형성되도록 하는 디바이스 제조 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 온도 제어는 냉각 수단을 이용하는 과냉각(over-cooling)에 의해 달성된 냉각, 및 가열 수단을 이용하는 가열을 포함하는 디바이스 제조 방법.
KR1020197035717A 2011-11-17 2012-10-12 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 KR102136825B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161561117P 2011-11-17 2011-11-17
US61/561,117 2011-11-17
PCT/EP2012/070247 WO2013072144A1 (en) 2011-11-17 2012-10-12 Lithographic apparatus and device manufacturing method

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147016303A Division KR102054328B1 (ko) 2011-11-17 2012-10-12 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190137951A true KR20190137951A (ko) 2019-12-11
KR102136825B1 KR102136825B1 (ko) 2020-07-24

Family

ID=47115820

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197035717A KR102136825B1 (ko) 2011-11-17 2012-10-12 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
KR1020147016303A KR102054328B1 (ko) 2011-11-17 2012-10-12 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147016303A KR102054328B1 (ko) 2011-11-17 2012-10-12 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9625835B2 (ko)
JP (2) JP6193870B2 (ko)
KR (2) KR102136825B1 (ko)
CN (2) CN103959171B (ko)
TW (2) TWI647543B (ko)
WO (1) WO2013072144A1 (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI715039B (zh) * 2014-06-03 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於補償一曝光誤差的方法、元件製造方法、基板台、微影裝置、控制系統、用於量測反射率的方法、及用於量測一極紫外線輻射劑量的方法
US10416574B2 (en) * 2015-04-21 2019-09-17 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus
JP6797627B2 (ja) * 2015-11-24 2020-12-09 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
CN105842997B (zh) * 2016-06-03 2018-03-06 中国科学院光电研究院 一种动态气体锁的试验装置和试验方法
WO2018041599A1 (en) * 2016-09-02 2018-03-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
NL2020850A (en) * 2017-05-29 2018-12-04 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus
US11320751B2 (en) 2018-02-16 2022-05-03 Asml Netherlands B.V. Apparatus incorporating a gas lock
JP7148268B2 (ja) * 2018-05-01 2022-10-05 キヤノン株式会社 制御装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法
CN110966916B (zh) * 2018-09-30 2021-10-15 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种气浴装置及光刻机
EP4163721A1 (en) * 2021-10-06 2023-04-12 ASML Netherlands B.V. Chamber for a projection system of a lithographic apparatus, projection system and lithographic apparatus

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1326139A2 (en) * 2002-01-07 2003-07-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2003531402A (ja) * 2000-04-18 2003-10-21 エーエスエムエル ユーエス，インコーポレイテッド 真空リソグラフィにおけるフォトレジスト気体放出の軽減
US20060060140A1 (en) * 2004-09-23 2006-03-23 Lg Philips Lcd Co., Ltd. Apparatus for treating thin film and method of treating thin film
US20060215137A1 (en) * 2005-03-25 2006-09-28 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10284382A (ja) * 1997-04-07 1998-10-23 Komatsu Ltd 温度制御装置
JP3792986B2 (ja) * 2000-04-11 2006-07-05 東京エレクトロン株式会社 膜形成方法及び膜形成装置
JP2003234281A (ja) * 2002-02-08 2003-08-22 Canon Inc 露光装置、デバイス製造方法
TWI300953B (en) * 2002-03-15 2008-09-11 Nikon Corp Exposure system and device manufacturing process
AU2003235124A1 (en) * 2002-04-24 2003-11-10 Nikon Corporation Exposure system and device manufacturing method
DE60335595D1 (de) * 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261742A3 (en) * 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP2005129898A (ja) * 2003-09-29 2005-05-19 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
US7304715B2 (en) * 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070085984A1 (en) 2005-10-18 2007-04-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7897110B2 (en) * 2005-12-20 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. System and method for detecting at least one contamination species in a lithographic apparatus
US7924408B2 (en) * 2007-02-23 2011-04-12 Kla-Tencor Technologies Corporation Temperature effects on overlay accuracy
JP2009004647A (ja) * 2007-06-22 2009-01-08 Nikon Corp 真空容器と真空排気方法及びｅｕｖ露光装置
JP5195022B2 (ja) * 2008-05-23 2013-05-08 株式会社ニコン 位置計測装置及び位置計測方法、パターン形成装置及びパターン形成方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
NL2005741A (en) * 2009-12-23 2011-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method.
NL2008250A (en) * 2011-03-08 2012-09-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003531402A (ja) * 2000-04-18 2003-10-21 エーエスエムエル ユーエス，インコーポレイテッド 真空リソグラフィにおけるフォトレジスト気体放出の軽減
EP1326139A2 (en) * 2002-01-07 2003-07-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method
US20060060140A1 (en) * 2004-09-23 2006-03-23 Lg Philips Lcd Co., Ltd. Apparatus for treating thin film and method of treating thin film
US20060215137A1 (en) * 2005-03-25 2006-09-28 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2006269942A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201321905A (zh) 2013-06-01
TWI647543B (zh) 2019-01-11
CN107885044B (zh) 2020-07-03
US20150015856A1 (en) 2015-01-15
TWI626512B (zh) 2018-06-11
JP2017223980A (ja) 2017-12-21
KR102136825B1 (ko) 2020-07-24
US9625835B2 (en) 2017-04-18
CN107885044A (zh) 2018-04-06
KR102054328B1 (ko) 2019-12-10
JP6193870B2 (ja) 2017-09-06
CN103959171A (zh) 2014-07-30
JP2015502036A (ja) 2015-01-19
JP6434582B2 (ja) 2018-12-05
WO2013072144A1 (en) 2013-05-23
US9823590B2 (en) 2017-11-21
TW201716885A (zh) 2017-05-16
CN103959171B (zh) 2017-11-28
US20170176877A1 (en) 2017-06-22
KR20140102225A (ko) 2014-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102054328B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
US9298104B2 (en) Substrate holder, lithographic apparatus, and device manufacturing method
JP6487519B2 (ja) リソグラフィ装置用の汚染トラップ
JP5989360B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US20160035605A1 (en) Support Structure, Method of Controlling the Temperature Of The Same, and Apparatuses Including the Same
US8537330B2 (en) Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer readable medium
KR20150097715A (ko) 리소그래피 장치를 위한 기판 지지체 및 리소그래피 장치
US9778574B2 (en) Apparatus, a device and a device manufacturing method
NL2009618A (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method.
WO2013068197A1 (en) Particle trap for euv source
NL2009622A (en) Particle trap for euv source.
NL2004635A (en) Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer readable medium.

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right