JP2003531402A

JP2003531402A - 真空リソグラフィにおけるフォトレジスト気体放出の軽減

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Publication number: JP2003531402A
Application number: JP2001576542A
Authority: JP
Inventors: プエルト，サンティアゴイー．デル
Original assignee: エーエスエムエルユーエス，インコーポレイテッド
Priority date: 2000-04-18
Filing date: 2000-10-27
Publication date: 2003-10-21
Anticipated expiration: 2020-10-27
Also published as: EP1275032A1; WO2001079936A1; KR100790500B1; AU2001236374A1; KR20020070393A; WO2001079936A9; JP4288031B2; US6369874B1

Abstract

(57)【要約】放出気体が真空中リソグラフィシステム（１００）の投影光学部品を汚染することを防ぐ窓なしシステムおよび装置が提供される。気体放出軽減装置（１２４）は、実質的に１端部が閉ざされた煙突（３０４）と、煙突に流体的に結合されたダクトと、煙突内に配置されたバッフル（６０２）とを備える。気体放出軽減装置の煙突は、実質的に閉ざされた端部において漏斗型（４０２）である。煙突の本端部は、光のビームまたは束が煙突を通過することを可能にする開口部を有する。光を通過させる少なくとも１つのアパーチャを有する回転バリア（９０２）が、煙突の近傍に設けられ得、この結果回転バリアのアパーチャのうちの１つが煙突の近傍を通過するときを除き、回転バリアが煙突の開いた端部を実質的に閉ざす。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】（発明の分野）本発明は、真空中（ｉｎ−ｖａｃｕｕｍ）リソグラフィに関する。具体的には
、真空中リソグラフィシステムにおけるフォトレジスト気体放出に関する。

【０００２】（関連技術）半導体ウェハ上にマイクロエレクトロニクス回路を製造する多くの加工工程の
うちの１つは、ウェハをフォトレジストの薄い層でコーティングすること、およ
びパターン化されたマスクを介してコーティングされたウェハを光源に露光する
ことを含む。このプロセスは、リソグラフィとして知られる。リソグラフィを用
いて生成され得るマイクロエレクトロニクス回路の形状構成のサイズは、コーテ
ィングされたウェハを露光するために使用される光波長に反比例する。

【０００３】非常に精密なマイクロエレクトロニクス回路の形状構成を再現するためには、
レーザによって生成されるプラズマ（ＬＰＰ）またはシンクロトロンなどの極紫
外線（ＥＵＶ）光の光源が使用される必要がある。ＥＵＶ光を使用すると、０．
０３ミクロンまで小さいマイクロエレクトロニクス回路の形状構成を再現するこ
とが可能である。ＥＵＶ光は物質によって容易に吸収されるため、ＥＵＶ光リソ
グラフィは真空において実行される。

【０００４】リソグラフィを実行する１つの手段が、Ｇｒｏｂｍａｎの米国特許第４、４０
８、３３８号（以下Ｇｒｏｂｍａｎ）に記載される。Ｇｒｏｂｍａｎは、接触型
焼付または近接型焼付として知られるＸ線リソグラフィの形態を記載する。接触
型焼付において、露光されるウェハは、マスクに非常に近接して配置され、マス
クとウェハとの間に使用される光が減少しない。マスクの特徴は、損なわれるこ
となくウェハに再現される。しかし、接触型焼付の本局面は、接触型焼付システ
ムにおいて使用されるマスクの設計を困難にし、マスクの製造を高価にしている
。さらに、例えば特定用途集積回路および非常に小さな回路形状構成を有するチ
ップ上のシステムなど、多くの用途における接触型焼付を非実用的にしている。

【０００５】ＥＵＶリソグラフィシステムで使用するためのマスクの設計および生成に関連
する難しさおよびコストを軽減するためには、マスクと露光されるウェハとの間
のＥＵＶリソグラフィシステムに投影光学部品を含むことが非常に望ましい。投
影光学部品は、ウェハ上で再現される形状構成のサイズを減少させるために使用
され得、これによってより大きなパターンを備えたマスクを使用することが可能
になる。

【０００６】特に高エネルギー光に露光される場合、気体放出または副産物を生成すること
がフォトレジストの特性である。これらの気体放出されたレジスト製品は、本明
細書において概して「レジスト気体」、「レジスト放出気体」または「放出気体
」として示される。フォトレジストによって生成される放出気体の中に、ＥＵＶ
リソグラフィシステムの投影光学部品上で凝縮され得る炭化水素分子がある。凝
縮された放出気体は、ＥＵＶ光を吸収し、時間が経過するにしたがい、ＥＵＶリ
ソグラフィシステムの投影光学部品の全反射を著しく減少する。したがって、フ
ォトレジスト気体放出を軽減させることが、マスクと露光されるウェハとの間に
投影光学部品を備えた真空中ＥＵＶリソグラフィシステムにおいて極めて重要で
ある。フォトレジスト気体放出が、このようなＥＵＶリソグラフィシステムにお
いて制御または軽減されない場合、放出気体は、非常に短期間（すなわち、約１
００秒）で、ＥＵＶリソグラフィシステムを役に立たないものにしてしまう。

【０００７】フォトレジストで気体放出された副産物をＥＵＶリソグラフィシステムの投影
光学部品上で凝縮しないようにするために、ＥＵＶリソグラフィシステムのウェ
ハステージが、投影光学部品とは異なるチャンバで格納される必要がある。理論
的には、ＥＵＶリソグラフィシステムのウェハステージチャンバは、Ｇｒｏｂｍ
ａｎの窓に類似した窓によって投影光学部品チャンバに接続され得る。窓によっ
て、所定の光が投影光学部品チャンバからウェハステージチャンバへ伝わること
が可能になり、コーティングされたウェハを露光させ、一方フォトレジスト放出
気体が投影光学部品チャンバに入り投影光学部品上で凝縮することを防ぐ。しか
し、窓を使用することは、半導体ウェハ上のマイクロエレクトロニクス回路を再
現するのにかかる最低限の時間を著しく延ばす。これは、凝縮された放出気体と
同様に、窓がＥＵＶ光のかなりの量を吸収し、それ故に露光時間を延ばすという
事実に起因する。極端に薄い窓でさえも、あまりに多くの光を吸収するため、Ｅ
ＵＶ光とは機能し得ない（すなわち、汚染を気体放出することのない窓が、入射
ＥＵＶ光の５０％より多い量を吸収する）。ここで、Ｇｒｏｂｍａｎが窓を使用
することが可能であるのは、たんにＧｒｏｂｍａｎが、ＥＵＶ光ではなく、著し
い損失なしに窓を貫通し得るＸ線を使用し、ウェハを露光するからであることに
留意されたい。

【０００８】放出気体がＥＵＶ光リソグラフィシステムの投影光学部品チャンバに入ること
を防ぐために窓を使用することはまた、さらなる不利益を有する。例えば、放出
気体は、短時間に凝縮し、窓上に蓄積する。凝縮された放出気体のこの生成は、
さらに窓を通過しウェハに達し得るＥＵＶ光量をさらに減少させる。短時間（す
なわち、１時間より少ない時間）で、窓上に凝縮された放出気体の生成は、任意
のＥＵＶリソグラフィシステムが（ＧｒｏｂｍａｎのＸ線システムに対比して）
役に立たなくなるまでＥＵＶ光のスループットを減少させる。

【０００９】ＥＵＶリソグラフィシステムにおける気体放出を制御する窓を有さない１つの
手段は、ＳＯＬＩＤＳＴＡＴＥＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹの１９９９年９月号の
「ＥＵＣＬＩＤＥＳ：ＥｕｒｏｐｅａｎＥＵＶｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙｍ
ｉｌｅｓｔｏｎｅｓ」と題されるＪｏｓＰ．Ｈ．Ｂｅｎｓｃｈｏｐらによる論
文に記載され、その全体は本明細書中に参考として援用される。本論文において
、著者らは、投影光学部品チャンバとＥＵＶリソグラフィシステムのウェハステ
ージチャンバをチューブで接続し、気体を接続チューブに注入することによって
、気体のフローがチューブからウェハステージチャンバ内へと確立され、フォト
レジスト放出気体が明らかに投影光学部品チャンバに入らないようにし得ること
を提案する。明らかに、本デバイスは、放出気体が、著者らが提案する、接続チ
ューブからウェハステージチャンバ内へと確立され得る気体のフローに逆行して
は伝播しないという概念に基づく。

【００１０】ＪｏｓＰ．Ｈ．Ｂｅｎｓｃｈｏｐらによって提案されるフォトレジスト気体
放出制御手段はあるシステムにおいては機能し得るが、位置モニタリングデバイ
スを使用し、露光中にウェハのピントを合わせた状態を保持するＥＵＶリソグラ
フィシステムにおいては機能しない。例えば、デバイスの静電容量における変化
を使用し、デバイス近傍の表面位置における小さな変化を検出する非常に精度の
高い静電容量フォーカシングデバイスまたはゲージなど関連技術の当業者に公知
であるタイプの位置モニタリングデバイスは、ウェハに近接する安定した表面に
装着される必要がある（すなわち、これらのデバイスは、ウェハに近接する安定
した表面に装着される必要があり、それ故にデバイスの端部がウェハの約１ミリ
メートル以内にしっかりと固定される）。位置モニタリングデバイスを装着する
際に利用可能である最も安定した表面は、投影光学部品チャンバとウェハステー
ジチャンバとの間に位置する仕切りであり、それ故に仕切りが位置モニタリング
デバイスを装着するに最も適した場所である。この結果、ウェハが仕切りに近接
して設けられる必要があり、ウェハはＢｅｎｓｃｈｏｐらによって記載される接
続チューブからウェハステージチャンバ内への気体のフローをブロックする。Ｂ
ｅｎｓｃｈｏｐらによって記載される接続チューブ内へ注入された気体は、すべ
てではなくともそのほとんどが、ウェハステージチャンバではなく投影光学部品
チャンバ内に流れる。これはこのフローパスが抵抗の最も低いフローパスだから
である。

【００１１】したがって、露光中にウェハのピントを合わせた状態を保持する位置モニタリ
ングデバイスを使用するものを含め、任意のＥＵＶリソグラフィシステムで機能
する窓を有さないフォトレジスト気体放出軽減デバイスが必要である。

【００１２】（発明の要旨）本発明は、フォトレジスト気体放出軽減システム、方法および装置に関する。
気体放出軽減システムおよび装置は、実質的に１端が閉ざされた煙突と、煙突に
流体的に結合されたダクトと、煙突内に配置されたバッフルとを備える。気体放
出軽減装置の煙突は、実質的に閉ざされた端部において漏斗型である。煙突の本
端部は、光のビームまたは束が煙突を通過することを可能にする開口部を有する
。

【００１３】本発明の１実施形態において、光を通過させる少なくとも１つのアパーチャを
有する回転機械バリアが、煙突の近傍に設けられ、この結果回転バリアのアパー
チャのうちの１つが煙突の近傍を通過するときを除き、回転バリアが煙突の開い
た端部を実質的に閉ざす。本回転バリアは、冷却装置ユニットによって冷却され
、冷却装置ユニットは回転バリアの一部に放射状に結合される。磁気ベアリング
を備えたモータが、バリアを回転させるために使用される。磁気ベアリングは、
ディスクをモータから断熱する。

【００１４】本発明の１実施形態において、光源同期化モジュールは、パルス型光源をトリ
ガーするために使用され、一方回転バリアのアパーチャは、気体放出軽減装置の
煙突と一直線になる。

【００１５】本発明の別の実施形態において、煙突内に配置されたバッフルが、冷却ユニッ
トによって冷却される。

【００１６】本発明の別の実施形態において、バリアガスシステムが、バリアガスを煙突内
に注入するために使用される。

【００１７】本明細書において組み込まれ、そして本明細書の１部を形成する添付の図面は
、その説明とともに本発明の実施形態を示し、本発明の原理を説明する役割を果
たす。

【００１８】（好適な実施形態の詳細な説明）本発明のシステム、方法および装置は、縮尺比の一定でない添付の図面を参照
して記載される。図面において、同様の参照符号は、同一または機能的に類似す
る要素を示す。さらに、参照符号の最も左に来る桁は、参照符号が最初に現れる
図面番号と同一である。

【００１９】以下の実施形態を詳細に参照するこれらの例は、添付の図面において示される
。本発明が実施形態に関連して記載され、本発明をこれらの実施形態にのみ限定
しないことが理解されるべきである。逆に、本発明は、上掲の特許請求の範囲に
よって定義される本発明の精神および範囲内に含まれ得る、変更、改変および均
等物を網羅する。さらに、以下の記載において、説明のために、多数の特定の詳
細を記載して、本発明の完全な理解を提供する。しかし、本発明がこれらの特定
の詳細なしに実施され得ることが、本開示を読めば当業者に理解される。例えば
、本発明のあいまいな局面を避けるために、周知の構造およびデバイスは詳細に
は記載されない。

【００２０】（発明の環境）図１は、本発明が使用され得る極紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィシステム１０
０の概略的表示である。リソグラフィシステム１００は、仕切り１０９によって
分割される圧力ゾーン１０４、１０６および１０８を有した真空チャンバ１０２
を含む。圧力ゾーン１０４は、リソグラフィシステム１００の光学系を格納する
。圧力ゾーン１０６は、リソグラフィシステム１００のウェハステージを格納す
る。圧力ゾーン１０８は、リソグラフィシステム１００の光源を格納する。圧力
ゾーン１０４および１０６は、ポンプダウンバイパスバルブ１１０Ａによって接
続され、圧力ゾーン１０４および１０８は、ポンプダウンバイパスバルブ１１０
Ｂによって接続される。ターボポンプ１１２Ａおよび１１２Ｂは、圧力チャンバ
１０２の排気するために使用され、圧力ゾーン１０６および１０８を圧力ゾーン
１０４より低い圧力で維持する。

【００２１】圧力ゾーン１０８は、ＥＵＶ光源１１４を格納する。ＥＵＶ光は、極紫外線放
射を意味する。ある実施形態において、１０〜１４ナノメートル（ｎｍ）の範囲
の波長が使用される。ＥＵＶ光は、物質によって容易に吸収されるため、圧力ゾ
ーン１０４、１０６および１０８は、ツールの動作前および／または動作中に排
気される。圧力ゾーン１０８は、リソグラフィ技術の当業者に明らかであるよう
に、約１ｍＴｏｒｒで維持される。圧力ゾーン１０８の空気は、約７０パーセン
トのヘリウム、および約３０パーセントのキセノンを含む。

【００２２】ＥＵＶ光源１１４は、好適にはパルス型化学線の光源である。しかし、ＥＵＶ
光の他の光源が使用され得る。パルス型化学線の光は、スペクトルフィルタ１１
６を介して圧力ゾーン１０８を出る。スペクトルフィルタ１１６の目的は、リソ
グラフィ技術における当業者に明らかであるように、圧力ゾーン１０４に入る光
のバンド幅を限定することである。入射ＥＵＶ光の約５０％が、実質的にその他
のすべての光と同様、スペクトルフィルタ１１６によって吸収される。

【００２３】圧力ゾーン１０４に入る際に、化学線の光が、ミラー１１８Ａ〜１１８Ｄによ
って焦点板１２０にフォーカスされる。レンズではなくミラーが化学線の光をフ
ォーカスするために使用され、化学線の光の吸収を防ぐ。焦点板１２０を離れる
化学線の光が、圧力ゾーン１０６においてミラー１２２Ａ〜１２２Ｆによってウ
ェハ１２６にフォーカスされる。化学線の光は、本発明によって気体放出軽減デ
バイス１２４を介して圧力ゾーン１０４を出る。気体放出軽減デバイス１２４の
構造は、図２〜８を参照しながら以下にさらに記載する。

【００２４】圧力ゾーン１０４は、ミラー１２２Ｆとウェハ１２６との間の圧力ゾーン１０
４における気体の粘性フローを維持するに十分な圧力で維持される。この条件は
、圧力ゾーン１０４における気体の平均自由行程が、ミラー１２２Ｆとウェハ１
２６との間の距離の多くて約１００分の１である場合に満たされる。この条件が
満たされる場合、気体分子が流体（すなわち、連続体であり、ここで気体分子は
お互いに押し合う傾向があり、気体分子間の衝突が気体の行動を左右する）のよ
うにふるまう。リソグラフィシステム１００の好適な実施形態において、約２４
ｍＴｏｒｒの圧力が、圧力ゾーン１０４において維持され、気体の粘性フローを
保証する。より高い圧力が圧力ゾーン１０４において維持される場合、圧力ゾー
ン１０４における気体の平均自由行程が小さくなり、粘性も増加するが、より多
くの光が圧力ゾーン１０４において吸収される（散乱される）。

【００２５】圧力ゾーン１０４の空気は、フォトレジスト気体放出によって供給される水素
気体を含む。低温ポンプ１１３は、圧力ゾーン１０４において水素気体より重い
気体を選択的に凝縮するために使用される。圧力ゾーン１０４と１０６との間の
圧力差を維持するために必要なメーキャップ気体が、気体ポート（図示せず）を
介して圧力ゾーン１０４内に導入される。圧力ゾーン１０４から圧力ゾーン１０
６内への気体のフローは、図２を参照しながらさらに以下に記載する。

【００２６】圧力ゾーン１０６は、リソグラフィシステム１００のウェハステージを格納す
る。ウェハ１２６は、ステップ・アンド・スキャンデバイス１３０に接続される
堅いウェハプレートまたはチャック１２８で支えられる。ウェハ１２６は、関連
技術の当業者に公知のタイプの静電容量フォーカシングデバイスなどの位置モニ
タリングデバイス（図示せず）を用いて、スキャン中にリソグラフィシステム１
００の焦平面で保持される。

【００２７】リソグラフィシステム１００の好適な実施形態において、約１０ｍＴｏｒｒの
圧力が、圧力ゾーン１０６において維持される。圧力ゾーン１０６の空気は、フ
ォトレジスト気体放出によって供給される水素気体、二酸化炭素およびその他の
炭化水素分子を含む。

【００２８】（フォトレジスト気体放出軽減装置の好適な実施形態）図２は、ＥＵＶリソグラフィシステム１００の投影光学部品の詳細な図である
。図２は、焦点板１２０から気体放出軽減デバイス１２４内へのＥＵＶ光の伝播
路を示す。ミラー１２２Ａ〜Ｆは、真空チャンバ１０２（図示せず）の圧力ゾー
ン１０４に設けられる。仕切り１０９は、圧力ゾーン１０６から圧力ゾーン１０
４を分割する。

【００２９】図２に示され得るように、気体放出軽減デバイス１２４は、仕切り１０９に結
合する。例示の実施形態において、気体放出軽減デバイス１２４は、好適には２
本のダクト２０４を有しており、このダクトを介して圧力ゾーン１０４からの気
体が圧力ゾーン１０６に達するまで伝わり得る。しかし、その他の実施形態にお
いて、気体放出軽減デバイス１２４は、１本のダクト２０４のみを有し得る。（
例示される本実施形態において、気体が圧力ゾーン１０６に達することを可能に
するには、１本のダクトで十分であるが、ミラー１１８Ｄの支持構造（図示せず
）を避けるために２本のダクトが本実施形態において使用される）。圧力ゾーン
１０６は、圧力ゾーン１０４より低い圧力で維持されるため、圧力ゾーン１０４
における気体は、圧力ゾーン１０４から気体放出軽減デバイス１２４を介して圧
力ゾーン１０６に自然に流れる。ダクト２０４の長さは、圧力ゾーン１０６に設
けられるステップ・アンド・スキャンデバイス１３０などのウェハステージ機器
から気体のフローを排出するに十分長い。気体放出軽減デバイス１２４の詳細は
、図３〜７にさらに示される。

【００３０】図３に示されるように、気体放出軽減デバイス１２４の２本のダクト２０４は
、ダクト３０２の１セクションによって接続され、単一のダクトワークを形成す
る。煙突３０４もまた、ダクト３０２のセクションに接続される。煙突３０４は
、開口部３０６を有しており、この開口部を介してＥＵＶ光が通過し得る。開口
部３０６の形状は、好適にはＥＵＶ光の断面の形状または煙突３０４上を通過す
る束の断面の形状に合致する。ダクト３０２のセクションはまた、煙突３０４内
の気体がダクトワークに入ることを可能にする開口部３０８を有しており、それ
故に煙突３０４が、気体放出軽減デバイス１２４用の注入開口部として機能する
ことを可能にする。

【００３１】図４Ａは、気体放出軽減デバイス１２４の底面側を示す。図４Ａに見られ得る
ように、煙突３０４は、漏斗型セクション４０２を有する。漏斗型セクション４
０２は、好適には図４Ｂに示されるように仕切り１０９の開口部を通過し、仕切
り１０９の終わりまで延びる。この結果開口部３０６は、露光中にウェハ１２６
に近接する。開口部３０６のサイズは、圧力ゾーン１０６から煙突３０４を介し
て圧力ゾーン１０４内へ移動し得るレジスト放出気体分子の数を限定する。

【００３２】図５は、気体放出軽減デバイス１２４を介した気体のフローを示す。図５に示
されるように、気体は、圧力ゾーン１０４または圧力ゾーン１０６の一方から気
体放出軽減デバイス１２４に入り得る。気体は、圧力ゾーン１０６から開口部３
０６を介して気体放出軽減デバイス１２４に入る。

【００３３】上述のように、圧力ゾーン１０４は、圧力ゾーン１０６よりも高い圧力で維持
される。それ故、圧力ゾーン１０４から煙突３０４を介した圧力ゾーン１０６へ
の自然な気体のフローがある。開口部３０６はサイズが小さく、ウェハ１２６に
近接するため、圧力ゾーン１０４から開口部３０６を介した圧力ゾーン１０６へ
の気体フローが制限される。圧力ゾーン１０４から圧力ゾーン１０６に流れる気
体の抵抗が最も低いフローパスは、気体放出軽減デバイス１２４の２本のダクト
２０４である。ダクト２０４を流れる気体は、ダクト２０４の端部の開口部５０
２を介して圧力ゾーン１０６内に排出される。開口部５０２は、気体放出軽減デ
バイス１２４用の排出開口部として機能する。

【００３４】圧力ゾーン１０４から開口部３０６を介した圧力ゾーン１０６内への気体フロ
ーは制限されるが、ウェハの露光中に生成されるレジスト放出気体は、開口部３
０６を介して気体放出軽減デバイス１２４の煙突３０４内に流れる。これらの放
出気体の運動量に依存して、放出気体は、煙突３０４に入る気体ストリームによ
って、圧力ゾーン１０４から気体放出軽減デバイス１２４のダクト２０４内に運
搬され得るか（この場合上述のように放出気体は圧力ゾーン１０６内に排出され
る）、または煙突３０４を介して進み続け、圧力ゾーン１０４に入り得る。開口
部３０６を介して煙突３０４に入るレジスト気体の運動量を軽減するために、バ
ッフル６０２（図示せず）が煙突３０４内に挿入される。

【００３５】図６Ａは、バッフル６０２の好適な実施形態を示す。バッフル６０２は、複数
のバッフルプレート６０４を含み、このバッフルプレート６０４は、ＥＵＶ光が
バッフルを通過することを可能にする開口部６０６を有する。開口部６０６のサ
イズおよび形状は、好適にはウェハ１２６を露光するために使用されるＥＵＶ光
または束の断面に合致する。バッフル６０２は、開口部３０６を介して煙突３０
４に入る炭化水素レジスト気体のかなりの部分が圧力ゾーン１０４に入らないよ
うにする。

【００３６】ウェハ１２６の表面において生成される放出気体は、図７Ａにおける本発明の
１実施形態７００に示されるように、全ての方向に向けてウェハ１２６の表面を
離れる。これらの放出気体の中にはウェハの表面に対し実質的に垂直の角度でウ
ェハ表面を離れるものもあるが、多くの放出気体はそうではない。垂直とは著し
く異なる角度でウェハ１２６の表面を離れる放出気体は、仕切り１０９によって
圧力ゾーン１０４に入ることを妨げられる。実質的に垂直ではない角度で、ウェ
ハ１２６の表面を離れ、開口部３０６を介して煙突３０４に入る放出気体は、バ
ッフル６０２によって遮断される。ウェハ１２６の表面をウェハに対し垂直の角
度で離れる放出気体でさえ、圧力ゾーン１０４内への道を得ることは難しい。こ
れは、図７Ａに示されるように、放出気体が煙突３０４内の他の気体分子と衝突
し、運動量を交換するからである。図７Ａにおける衝突７０１は、２つの気体分
子が運動量を交換する場所の例である。

【００３７】図６Ｂに示されるように、バッフル６０２は、気体放出軽減デバイス１２４の
煙突３０４から気体放出軽減デバイス１２４のダクト２０４内に気体が流れるこ
とを可能にする少なくとも１つの開口部６０８を有する。開口部６０８は、開口
部３０８と一直線になり、これは図７Ａにベストに見られる。

【００３８】本発明の１実施形態において、ダクト２０４の直径は、図７Ｃに示されるよう
に、ダクト３０２のセクション近傍の約１０ミリメートルからダクト２０４の両
端の開口部５０２近傍の約１００ミリメートルまで増加する。ダクト２０４の広
がる直径は、ダクト２０４の壁が、気体分子が開口部５０２に向かい、そして圧
力ゾーン１０６内に移動することを助けることを保証する。気体の平均自由行程
がダクト２０４の壁間の距離に比べもはや小さくないため、ダクト２０４内の気
体のフローは粘性ではない。ダクト２０４内の気体分子は、ダクト２０４内の気
体分子が他の気体分子と衝突するのとほぼ同じ程度の確率で、ダクト２０４の壁
と衝突する。それ故、壁衝突は、ダクト２０４内の気体の動きにおける重要な要
因である。関連技術の当業者に公知であるように、壁と拡散衝突する分子は、元
々の伝播路から独立した方向で散乱され、この運動量は壁が冷却されない限り衝
突前および衝突後で統計的に同じである。壁と拡散衝突する分子は、壁の法線か
ら角度θのコサインに相当する確率で、壁から角度θで射出される。射出の最も
可能性のある角度は、壁の法線から０度である。広がる直径を有するダクトを用
いることによって、ダクトの壁の法線が常に開口部５０２に向かうことになり、
壁と衝突する気体分子が開口部５０２の方向に射出される可能性が高い。図５に
示されるように、開口部５０２は圧力ゾーン１０６内に排出する。

【００３９】本発明の好適な実施形態において、バッフル６０２は冷却される。バッフル６
０２を冷却することにより、放出気体分子がバッフル６０２に当たり跳ね返る可
能性が減少する。関連技術の当業者に公知であるように、冷却された表面と衝突
する分子は、凝縮または表面に吸着する傾向にある。冷えたバッフル６０２は、
放出気体分子がバッフル６０２に当たる場合、分子の運動量またはエネルギーの
かなりの部分がバッフルに転移され、この結果、分子が圧力ゾーン１０４内にさ
らに進むことを防ぐことを保証する。上述のように、変化した運動量放出気体分
子は、煙突３０４から気体放出軽減デバイス１２４のダクト２０４に運ばれ、圧
力ゾーン１０６内に排出される。

【００４０】本発明の好適な実施形態７０５において、図７Ｂに示されるように、熱が、バ
ッフル６０２から熱伝導ロッドまたは熱パイプ７０２、そして冷却ユニット７１
０を用いて除去される。バッフル６０２は、好適には熱パイプ７０２によって支
持され、この結果、断熱スペーサの必要なしに、バッフル６０２は煙突３０４か
ら断熱される。あるいは、バッフル６０２は、例えばゴムスペーサを用いて、煙
突３０４から断熱され得る。熱パイプ７０２は、ダクト３０２のセクションで穴
７０４を通り、バッフル６０２に結合される。同中心回路フランジ７０６は、ダ
クト３０２のセクションから穴７０４を介して圧力ゾーン１０４内に移動する気
体分子の数を限定するラビリンスシールを形成する。バッフル６０２を冷却する
その他の方法は、本明細書において記載される関連技術の当業者に明らかである
。

【００４１】図７Ｂに示されるように、本発明の実施形態７５０はまた、ヒーター７２０と
、気体放出軽減デバイス１２４（バッフル６０２ではない）の温度を調節する温
度センサー７３０とを含む。実施形態７５０において、ヒーター７２０は、気体
放出軽減デバイス１２４のダクト３０２のセクションに結合される。温度センサ
ー７３０は、気体放出軽減デバイス１２４の煙突３０４に結合される。温度セン
サー７３０は、気体放出軽減デバイス１２４の温度をモニタリングし、インプッ
トを制御モジュール（図示せず）に提供する。ヒーター７２０は、気体放出軽減
デバイス１２４の温度を所定の値で維持するために、必要に応じて制御モジュー
ルによって電源の入切が行われる。

【００４２】気体放出軽減デバイス１２４の温度を所定の値で維持することは、いくつかの
実施形態における本発明の重要な特徴である。例えば、本発明のいくつかの実施
形態において、気体放出軽減デバイス１２４をミラーに近接して設ける必要があ
り得る。このような実施形態において、気体放出軽減デバイス１２４（バッフル
６０２ではない）は、好適には近接するミラーが製造されて、テストされた温度
と実質的に同じ温度で維持される。例えば、図８は、煙突３０４が、ミラー１２
２Ｅの切り抜き部分に設けられる実施形態を示す。本実施形態において、ミラー
１２２Ｅが２０℃で製造されて、テストされた場合、放出気体軽減デイバス１２
４は、約２０℃で維持されるべきである。気体放出軽減デバイス１２４の温度を
約２０℃で維持することによって、煙突３０４は、ミラー１２２Ｅと冷却された
バッフル６０２との間で熱シールドとして作用し、これによって冷却されたバッ
フル６０２による、温度によって誘発されるミラー１２２Ｅの任意の歪みを防ぐ
。この歪みは、投影光学部品の性能に不利に影響を与え得る。図８にまた示され
るのは、熱パイプ７０２が通る穴７０４である。冷却されたバッフル６０２を有
さない本発明の実施形態は、穴７０４を有さない。

【００４３】（フォトレジスト放出気体軽減システムの好適な実施形態）気体放出軽減デバイス１２４は、有意な数の放出気体分子が圧力ゾーン１０４
に入り、潜在的にＥＵＶリソグラフィシステム１００の投影光学部品を汚染する
ことを防ぐ。しかし、気体放出軽減デバイス１２４は、すべての放出気体分子が
圧力ゾーン１０４に入らないようにするわけではない。上述のように、ウェハ１
２６をウェハ１２６の表面に対し実質的に垂直の角度で離れるいくつかの放出気
体分子は、開口部３０６、そしてバッフル６０２の開口部６０６を介し伝播し、
圧力ゾーン１０４に入り得る。したがって、本発明の好適な実施形態において、
２つの追加の要素が含まれ、これらの分子が圧力ゾーン１０４に入ることを防ぐ
。これらの要素は、図９において示される。

【００４４】図９は、本発明による放出気体軽減システム９００を示す。放出気体軽減シス
テム９００は、上述の気体放出軽減デバイス１２４に加え、機械バリア９０２お
よび選択的バリアガスシステム９１１を含む。

【００４５】バリア９０２は、煙突３０４をカバーし、実質的に閉ざすように構成される。
本明細書において、実質的に閉ざすということは、バリア９０２が、放出気体分
子が煙突３０４を出て圧力ゾーン１０４に向かうことをブロックするために、煙
突３０４の外側数ミリメートル内に設けられることを意味する。本発明の好適な
実施形態において、バリア９０２は、煙突３０４から約１ミリメートルの距離に
設けられる。煙突３０４内の放出気体分子、例えば煙突３０４から圧力ゾーン１
０４に向かって伝播する炭化水素分子は、圧力ゾーン１０４内にさらに進むこと
を止められる。これは炭化水素分子が、分子の伝播路に設けられているバリア９
０２に当たるからである。

【００４６】本発明の好適な実施形態において、バリア９０２は、冷却装置ユニット９０６
によって放射状に冷却される回転ディスクである。回転ディスクは、ディスクと
モータの固定子（図示せず）との間の熱転移を排除する磁気ベアリング（図示せ
ず）によって支持される。放出気体分子が、バッフル６０２を通過してバリア９
０２に当たる場合、その運動量が減少される。バリア９０２が冷却されるため、
バリア９０２に当たる放出気体分子はバリア９０２上で凝縮する傾向がある。バ
リア９０２上で凝縮する分子は、圧力ゾーン１０４内をさらに進みＥＵＶリソグ
ラフィシステム１００の投影光学部品上で凝縮することを妨げられる。

【００４７】図１０に示されるように、バリア９０２は、回転しながら、ＥＵＶ光がバリア
９０２を通過し、それ故にウェハ１２６を露光することを可能にする、少なくと
も１つのアパーチャ１００２を有する。図９に示されるように、モータ９０４は
、アパーチャ１００２が定期的に煙突３０４上を通過するように、バリア９０２
を回転させるために使用される。モータ９０４は、好適にはオイルフリーの磁気
ベアリングを備えたモータであり、それにより投影光学部品を汚染する可能性を
減少させ、ディスクを非常に冷たい状態に維持し易くさせる。これは、磁気ベア
リングを介して伝導される熱がないからである。アパーチャ１００２が煙突３０
４上を通過し、センサー９０７が、アパーチャ位置表示器９０８を感知し、（例
えば、電磁気）信号を通信リンク９０９を介してＥＵＶ光源同期化モジュール９
１０に送信する。位置表示器９０８は、センサー９０７によって感知されるもの
であれば何であってもよい。例えば、位置表示器９０８は、金属ピックアップデ
バイス、反射テープまたはセンサー９０７によって検出される電磁気放射の通過
を可能にする穴であり得る。機械装置のような、使用され得るその他の位置表示
手段は、本明細書において記載される関連技術の当業者に明らかである。

【００４８】本発明の好適な実施形態において、ＥＵＶ光源同期化モジュール９１０が信号
をセンサー９０７から受信するときはいつでも、ＥＵＶ光源１１４がトリガーさ
れる。ＥＵＶ光源１１４は、アパーチャ１００２が煙突３０４上にある場合にの
みトリガーされるため、バリア９０２は、ＥＵＶ光に対するバリアとして作用し
ない。

【００４９】ウェハ１２６がＥＵＶ光に露光されるときはいつでも、放出気体が生じる。Ｅ
ＵＶ光露光によって生成される炭化水素の放出気体分子が、気体放出軽減デバイ
ス１２４の開口部３０６に入り、バッフル６０２を通過し得る前に、バリア９０
２が、アパーチャ１００２が煙突３０４の開口部を越えて移動するように回転す
る。このように、バッフル６０２を通過することが可能な任意の炭化水素の放出
気体分子が、バリア９０２によって止められ、圧力ゾーン１０４内にさらに進ま
ないようにされる。圧力ゾーン１０４では、炭化水素の放出気体分子は、ＥＵＶ
リソグラフィシステム１００の投影光学部品を汚染する可能性がある。

【００５０】炭化水素の放出気体分子が圧力ゾーン１０４に達することを防ぐ気体放出軽減
システム９００の別の要素は、選択的バリアガスシステム９１１である。バリア
ガスシステム９１１は、例えばアルゴンなどの重い気体を、煙突３０４の漏斗型
セクション４０２内に注入する。重い気体は、次いで開口部３０６を介して煙突
３０４に入る炭化水素の放出気体分子に対するバリアとして作用する。炭化水素
の放出気体分子が重いバリアガス分子と衝突すると、放出気体分子は、その運動
量を重いバリアガス分子と交換する。これは、炭化水素の放出気体分子の伝播の
方向をランダムにするが、速度は弱めない。（気体において、運動エネルギーお
よび温度は同等である。それ故に、平均的な分子の速度を弱める唯一の方法は、
気体を冷却することである。分子の速度を弱めることは、他の気体とランダムに
衝突することによってはなされ得ない。）次いで、ランダムにされた放出気体分
子は、煙突３０４から気体放出軽減デバイス１２４のダクト２０４を介して圧力
ゾーン１０６内に移動する気体の自然なフローによって、煙突３０４から運び去
られる。

【００５１】図９に見られ得るように、気体放出軽減デバイス１２４の漏斗型セクション４
０２の形状により、１つ以上の容量性のフォーカシングデバイス９１６がウェハ
１２６の露光エリアに近接して装着されることが可能になる。ウェハ１２６が気
体放出軽減デバイス１２４の開口部３０６に近接していることで、開口部３０６
を介して煙突３０４を出ようとする気体のフローが制限され、これによって気体
がダクト２０４を介して流れ、圧力ゾーン１０６に達することを保証する。ダク
ト２０４の長さは、ダクト２０４の排出開口部５０２が、例えばチャック１２８
またはステップ・アンド・スキャンデバイス１３０などのウェハステージ機器に
よってブロックされることが決してないようにする長さである。

【００５２】（真空中フォトリソグラフィシステムにおけるフォトレジスト気体放出を軽減
する好適な方法）図１１は、本発明による真空中リソグラフィシステムにおけるフォトレジスト
気体放出を軽減する好適な方法を示すフローチャートである。方法１１００は、
上述の気体放出軽減デバイスおよびシステムの実施形態を用いて実施され得る。
方法１１００をより明確に記載するために、方法１１００は、例示のＥＵＶリソ
グラフィシステム１００を用いて記載される。しかし、関連技術の当業者に理解
されるように、方法１１００は、例示のＥＵＶリソグラフィシステム１００に加
え、その他のリソグラフィシステムにおいても実施され得る。

【００５３】方法１１００は、工程１１０２に始まる。工程１１０２において、リソグラフ
ィシステム１００の真空チャンバ１０２は、仕切り１０９を用いて、２つの圧力
ゾーン１０４および１０６に分割される。圧力ゾーン１０４および１０６は、双
方とも真空を確立するために排気され得る。

【００５４】工程１１０４において、リソグラフィシステム１００の投影光学部品は、圧力
ゾーン１０４内に設けられ、リソグラフィシステム１００のウェハステージは、
圧力ゾーン１０６に設けられる。投影光学部品は、投影光学部品と接触し得るフ
ォトレジスト放出気体の数を限定するために、ウェハステージとは異なる圧力ゾ
ーンに配置される。

【００５５】工程１１０６において、気体放出軽減デバイス１２４は、仕切り１０９に結合
される。気体放出軽減デバイス１２４は、煙突３０４およびバッフル６０２を有
する。気体放出軽減デバイス１２４の目的は、圧力ゾーン１０４と１０６との間
の気体のフローを制御し、一方で化学線の光を通すことである。気体放出軽減デ
バイス１２４がいかに気体のフローを制御するかは上述されている。

【００５６】工程１１０８において、圧力差は、圧力ゾーン１０４と１０６との間の気体の
粘性フローを確立するために、圧力ゾーン１０４と１０６との間に造り出される
。圧力差を造り出すために、圧力ゾーン１０４および１０６は排気され、ここで
圧力ゾーン１０６における圧力は、圧力ゾーン１０４の圧力より低い圧力になる
まで排気される。圧力ゾーン１０４は、ミラー１２２Ｆとウェハ１２６との間の
圧力ゾーン１０４における気体の粘性フローを維持するに十分な圧力で維持され
る。本発明の１実施形態において、約２４ｍＴｏｒｒの圧力が、気体の粘性フロ
ーを保証するために、リソグラフィプロセス中に圧力ゾーン１０４において維持
される。約１０ｍＴｏｒｒの圧力が、圧力ゾーン１０６において維持される。

【００５７】工程１１００において、回転バリアが使用され、放出気体分子が煙突３０４か
ら圧力ゾーン１０４に向かって伝播することをブロックする。ウェハ１２６がＥ
ＵＶ光に露光されるときはいつでも、放出気体が生じる。例えば炭化水素放出気
体分子などのＥＵＶ光露光によって生成される放出気体分子は、気体放出軽減デ
バイス１２４の開口部３０６に入り、バッフル６０２を通過し得る前に、バリア
９０２は回転され、この結果アパーチャ１００２が、煙突３０４の開口部を越え
て移動される。このように、バッフル６０２を通過することが可能な任意の炭化
水素の放出気体分子が、バリア９０２によって止められ、圧力ゾーン１０４に入
らないようにされる。圧力ゾーン１０４では、炭化水素の放出気体分子はリソグ
ラフィシステム１００の投影光学部品を汚染する可能性がある。

【００５８】方法１１００の選択的な工程１１１２において、バリア９０２は、冷却装置ユ
ニット９０６によって放射状に冷却される。放出気体分子が、バッフル６０２を
通過しバリア９０２に当たる場合、その運動量は減少される。バリア９０２が冷
却されるため、バリア９０２に当たる放出気体分子はバリア９０２上で凝縮する
傾向がある。バリア９０２上で凝縮する分子は、圧力ゾーン１０４内にさらに進
み、ＥＵＶリソグラフィシステム１００の投影光学部品上で凝縮しないようにさ
れる。

【００５９】方法１１００の選択的な工程１１１４において、バッフル６０２は冷却される
。バッフル６０２を冷却することで、バッフル６０２への運動量のかなりの量を
移させることなしに、放出気体分子がバッフル６０２に当たり跳ね返る可能性が
減少する。

【００６０】方法１１００の選択的な工程１１１４において、バリアガスは、煙突３０４の
漏斗型セクション内に注入される。本工程において、バリアガスシステム９１１
は、例えばアルゴンなどの重い気体を、煙突３０４の漏斗型セクション４０２内
に注入する。重い気体は、次いで開口部３０６を介して煙突３０４に入る放出気
体分子に対するバリアとして作用する。放出気体分子が重いバリアガス分子と衝
突するため、放出気体分子は、その運動量を重いバリアガス分子と交換する。こ
れは、放出気体分子の伝播方向をランダムにし、放出気体分子が、煙突３０４か
ら気体放出軽減デバイス１２４のダクト２０４を介して圧力ゾーン１０６内に伝
わる気体の自然なフローによって、煙突３０４から運び去られることを可能にす
る。

【００６１】方法１１００の工程のそれぞれを実施する方法は、上記の図１〜１０を参照し
ながらさらに説明される。本明細書の記載の関連技術の当業者に明らかであるよ
うに、工程１１０２〜１１１６の実施方法を記載するために使用された以外の本
発明の実施形態もまた、本発明の精神および範囲から逸脱せず、方法１１００を
実施するために使用され得る。

【００６２】（結論）本発明の種々の実施形態が上述されてきており、ＥＵＶ光真空中リソグラフィ
システムにおける気体放出を軽減するために使用され得る。これらの実施形態は
、例示のためのみに提示されてきており、本発明を限定しないことが理解される
べきである。上述の実施形態の形態および詳細における種々の変更が、特許請求
の範囲において定義される本発明の精神および範囲から逸脱することなく行われ
得ることが関連技術の当業者によって理解される。それ故、本発明の範囲は、上
述の例示的な実施形態のいずれによっても限定されるべきではなく、上掲の特許
請求の範囲および均等物によってのみ定義されるべきである。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明が使用され得る極紫外線リソグラフィシステムの図である。

【図２】図２は、図１のシステムの投影光学部品の図である。

【図３】図３は、本発明によるフォトレジスト気体放出軽減デバイスの１部の平面図で
ある。

【図４Ａ】図４Ａは、本発明によるフォトレジスト気体放出軽減デバイスの１部の底面図
である。

【図４Ｂ】図４Ｂは、本発明によるフォトレジスト気体放出軽減デバイスの１部の側面図
である。

【図５】図５は、本発明によるフォトレジスト気体放出軽減デバイスの１部の側面図で
ある。

【図６Ａ】図６Ａは、本発明によるフォトレジスト気体放出軽減デバイス用バッフルの平
面図である。

【図６Ｂ】図６Ｂは、本発明によるフォトレジスト気体放出軽減デバイス用バッフルの背
面図である。

【図７Ａ】図７Ａは、本発明によるフォトレジスト気体放出軽減デバイスの１実施形態の
側面図である。

【図７Ｂ】図７Ｂは、本発明によるフォトレジスト気体放出軽減デバイスの１実施形態の
側面図である。

【図７Ｃ】図７Ｃは、本発明によるフォトレジスト気体放出軽減デバイスの１実施形態の
平面図である。

【図８】図８は、図１のシステムの１部の詳細図である。

【図９】図９は、本発明によるフォトレジスト放出気体軽減システムの図である。

【図１０】図１０は、本発明によるフォトレジスト放出気体軽減システムの回転バリアの
図である。

【図１１】図１１は、本発明によるフォトレジスト放出気体を軽減する１方法を示すフロ
ーチャートである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＢＺ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】煙突と、該煙突に流体的に結合されたダクトと、該煙突内に配置されたバッフルと、を備えるフォトレジスト気体放出軽減装置。
【請求項２】前記ダクトが、注入開口部と、少なくとも１つの排出開口部と、を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】前記バッフルが、光を通過させる切り抜き部を有する複数の
バッフルプレートを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項４】前記煙突が、断面を有する光の束を通過させる開口部を第１
の端部に有し、該開口部の形状が該断面の形状に実質的に一致する、請求項１に
記載の装置。
【請求項５】光の束を通過させる少なくとも１つのアパーチャを有する回
転バリアであって、該回転バリアが、前記煙突の近傍に位置付けられ、この結果
該回転バリアの該アパーチャのうちの１つが該煙突の第２の端部の近傍を通過す
るときを除き、該回転バリアが該煙突の該第２の端部を実質的に閉ざす、回転バ
リアをさらに備える、請求項４に記載の装置。
【請求項６】前記回転バリアに放射状に結合された冷却装置ユニットをさ
らに備える、請求項５に記載の装置。
【請求項７】前記回転バリアに結合されたモータをさらに備える、請求項
６に記載の装置。
【請求項８】前記モータが磁気ベアリングを備える、請求項７に記載の装
置。
【請求項９】パルス型光源をトリガーすることと、前記回転バリアの前記
アパーチャが前記煙突の前記第２の端部の近傍を通過することとを同期化する光
源同期化モジュールをさらに備える、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】前記煙突の前記第２の端部に対する、前記アパーチャの位
置を判定するセンサーモジュールをさらに備える、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】前記バッフルが前記煙突から断熱される、請求項４に記載
の装置。
【請求項１２】前記バッフルが冷却される、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】前記ダクトが、前記バッフルおよび前記回転バリアの温度
より高い温度に維持されるように加熱される、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】前記煙突に結合されたバリアガスシステムであって、該バ
リアガスシステムが、バリアガスを該煙突内に注入する、バリアガスシステムを
さらに備える、請求項４に記載の装置。
【請求項１５】前記バリアガスがアルゴンを含む、請求項１４に記載の装
置。
【請求項１６】煙突を有する気体放出軽減デバイスと、該煙突内に配置されたバッフルと、光を通過させる少なくとも１つのアパーチャを有する回転バリアであって、該
回転バリアが、該煙突の近傍に位置付けられ、この結果該回転バリアの該アパー
チャのうちの１つが該煙突の端部の近傍を通過するときを除き、該回転バリアが
該煙突の該端部を実質的に閉ざす、回転バリアと、該回転バリアに放射状に結合し、該回転バリアを冷却する冷却装置ユニットと
、を備えるフォトレジスト気体放出軽減システム。
【請求項１７】前記回転バリアの前記アパーチャのうちの１つが、前記煙
突の前記端部の近傍を通過するときを判定するセンサーと、該センサーから信号を受信し、パルス型光源をトリガーする光源同期化モジュ
ールと、をさらに備える、請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】前記回転バリアに結合されたモータをさらに備える、請求
項１７に記載のシステム。
【請求項１９】前記煙突に結合されたバリアガスシステムであって、該バ
リアガスシステムが、バリアガスを該煙突内に注入する、バリアガスシステムを
さらに備える、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】前記バリアガスがアルゴンを含む、請求項１９に記載のシ
ステム。
【請求項２１】真空中リソグラフィシステムにおけるフォトレジスト気体
放出を軽減する方法であって、（１）仕切りを用いて、真空チャンバを第１および第２の圧力ゾーンに分割す
る工程と、（２）該リソグラフィシステムの投影光学部品を該第１の圧力ゾーン内に設け
、該リソグラフィシステムのウェハステージを該第２の圧力ゾーン内に設ける工
程と、（３）該第１の圧力ゾーンと該第２の圧力ゾーンとの間の圧力差を造り出す工
程と、（４）煙突およびバッフルを有する気体放出軽減デバイスを該仕切りに結合さ
せる工程と、（５）該第１の圧力ゾーンから該第２の圧力ゾーンへの気体のフローを確立し
、該気体が該気体放出軽減デバイスを介して該第１の圧力ゾーンから該第２の圧
力ゾーンに流れるようにする工程と、を包含する方法。
【請求項２２】（６）回転バリアを用いて、前記煙突から前記第１の圧力
ゾーンに向かって伝播する放出気体分子をブロックする工程をさらに包含する、
請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】（７）前記回転バリアを冷却する工程をさらに包含する、
請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】（８）前記バッフルを冷却する工程をさらに包含する、請
求項２３に記載の方法。
【請求項２５】（９）バリアガスを前記煙突の漏斗型セクション内に注入
する工程をさらに包含する、請求項２４に記載の方法。