JP2015228408A - 放射線検出素子、放射線検出器と放射線検出素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 容易に製造可能な、リーク電流を軽減することができる放射線検出素子と、該放射線検出素子を備える放射線検出器と、該放射線検出器の製造方法を提供すること。
【解決手段】 放射線検出素子は、絶縁性の面(第1の面17)を有する基板11と、絶縁性の面に配置された複数の第1の電極(例えば、Au12)と、複数の第1の電極のそれぞれに選択的に配置されたBiI3膜13と、BiI3膜に配置された第2の電極14とを備える。複数の第1の電極のそれぞれは、絶縁性の面よりもBiI3の付着係数が高い。
【選択図】 図1
【解決手段】 放射線検出素子は、絶縁性の面(第1の面17)を有する基板11と、絶縁性の面に配置された複数の第1の電極(例えば、Au12)と、複数の第1の電極のそれぞれに選択的に配置されたBiI3膜13と、BiI3膜に配置された第2の電極14とを備える。複数の第1の電極のそれぞれは、絶縁性の面よりもBiI3の付着係数が高い。
【選択図】 図1
Description
本発明は放放射線検出素子、放射線検出器と放射線検出素子の製造方法に関する。
医療用や工業用の放射線検出器において、アモルファスセレン、CdTe、CdZnTe、HgI2、PbI2、BiI3などの半導体を検出層として用いた直接変換型の放射線検出器が知られている。直接変換型の放射線検出器においては、放射線によって検出層で生成された電荷(キャリアともいう)の面内方向への拡散によって、電荷が生成箇所直下の画素電極で検出されずに、隣接する画素電極で検出されることがある。このように、電荷が生成直下の画素以外の画素で検出されると、放射線検出器の解像度の低下につながる。
特許文献1には画素電極が配置された回路基板上に、PbI2からなる検出層の成膜と、検出層の空隙への絶縁体の成膜とを繰り返し行い、画素間に絶縁体が配置された放射線検出素子を製造する方法が記載されている。放射線検出素子をこのような構成とすることで、隣接画素間におけるキャリアのやり取り(リーク電流)を抑制することができる。
しかしながら、特許文献1に記載の放射線検出素子の製造方法は、検出層と絶縁体の成膜を少しずつ多数回行うため、容易な放射線検出素子の製造方法であるとは言えなかった。
そこで本発明は、特許文献1に記載されている放射線検出素子よりも容易に製造可能な、リーク電流を軽減することができる放射線検出素子と、該放射線検出素子を備える放射線検出器と、該放射線検出素子の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一側面としての放射線検出素子は、絶縁性の第1の面を有する基板と、前記第1の面に配置された複数の第1の電極と、前記複数の第1の電極のそれぞれに選択的に配置されたBiI3膜と、前記BiI3膜に配置された第2の電極とを備え、前記複数の第1の電極のそれぞれは、前記第1の面よりもBiI3の付着係数が高いことを特徴とする。
本発明の一側面としての放射線検出素子によれば、特許文献1よりも容易に製造可能な、リーク電流を軽減することができる放射線検出素子を提供することができる。
本発明のその他の側面については、以下で説明する実施の形態で述べる。
以下、図面に基づいて本発明の実施形態について説明をする。
本実施形態では、パターニングされた第1の電極の上に選択的にBiI3膜を配置する。
パターニングされた第1の電極同士が分離している場合、つまり、第1の電極が複数ある場合、このように選択的にBiI3膜を配置することで、複数の第1の電極のうち、隣り合う第1の電極に配置されたBiI3膜同士の少なくとも一部が分離する。一方、パターニングされた第1の電極は、連続していても良い。例えば、導電性の面に、複数の領域が露出するように絶縁性の材料を配置し、その露出した領域(以下、露出領域と呼ぶことがある)をパターニングされた第1の電極とする場合、第1の電極は連続する電極(つまり、1つの電極)である。このように、連続する電極をパターニングされた第1の電極とする場合、複数の露出領域のうち、隣り合う露出領域に配置されたBiI3膜同士の少なくとも一部が分離する。
第1の電極の上に選択的にBiI3膜を配置するためには、第1の電極の材料としてBiI3膜の付着係数が高い材料を用いればよい。これにより、検出層として機能するBiI3膜同士の少なくとも一部が分離するため、検出層面内へのキャリアの拡散を軽減でき、リーク電流を軽減することができる。リーク電流を軽減できるため、放射線検出器の解像度も向上すると考えられる。
以下、本実施形態にかかる放射線検出素子を製造する方法についてより詳細に説明をする。本実施形態にかかる放射線検出素子の製造方法は、以下(1)〜(3)の工程を有する。
(1)基板の第1の面に第1の電極を形成する工程(以下、第1の工程と呼ぶことがある)。
(2)第1の電極にBiI3を成膜してBiI3膜を形成する工程(以下、第2の工程と呼ぶことがある)。
(3)BiI3膜に第2の電極を電気的に接続する工程(以下、第3の工程と呼ぶことがある)。
(1)基板の第1の面に第1の電極を形成する工程(以下、第1の工程と呼ぶことがある)。
(2)第1の電極にBiI3を成膜してBiI3膜を形成する工程(以下、第2の工程と呼ぶことがある)。
(3)BiI3膜に第2の電極を電気的に接続する工程(以下、第3の工程と呼ぶことがある)。
図1及び図2は本実施形態の一例を示した図である。
(1)第1の工程について
第1の工程は、第1の電極を第1の面に形成する工程である。第1の電極の材料は、第1の面のうち、第1の電極が形成されていない領域よりもBiI3の付着係数が高い材料とする。材料については、第2の工程で詳細に説明をする。
第1の工程は、第1の電極を第1の面に形成する工程である。第1の電極の材料は、第1の面のうち、第1の電極が形成されていない領域よりもBiI3の付着係数が高い材料とする。材料については、第2の工程で詳細に説明をする。
図1(a)は、シリコン基板11に熱酸化膜(SiO2)10を形成し、SiO2が形成された面を第1の面17として、第1の電極となるAu12をパターン状に成膜したものである。リソグラフィーやメタルマスクを用いてスパッタリングや真空蒸着など行えば、Auを所望のパターンに成膜することができる。このように、絶縁性の第1の面17の複数の領域に導電性の材料(つまり、電極材料)を配置することで、複数の第1の電極(Au12)を形成した基板16を得ることができる。このとき、導電性の材料は、第1の面17よりもBiI3の付着係数が高い材料を用いる。尚、本発明及び本明細書では、第1の面に導電性の領域が1つまたは複数存在していても、その第1の面に配置された複数の第1の電極同士が電気的に接続されていない場合は、その第1の面は絶縁性の面であるとみなす。例えば、図1(a)の第1の面17には、スルーホール18が複数存在するが、スルーホール同士が絶縁されているため、第1の電極同士は電気的に接続されていない。よって、第1の面17は絶縁性の面である。
図2(a)は、シリコン基板11に、第1の電極となるAu20を成膜し、Au20が成膜された面を第1の面27として、絶縁性の材料であるSiO221を第1の面にパターニングして配置したものである。Auのパターニング同様に、リソグラフィーやメタルマスクを用いてスパッタリングやプラズマCVDなどを行えば、絶縁性の材料を所望のパターンに成膜することができ、第1の面に絶縁部(SiO221)を形成することができる。このように、第1の面17が導電性の場合、導電性の第1の面に絶縁性の材料(SiO221)を配置することで、第1の電極(Au20)を形成した基板を得ることができる。但し、この場合、第1の面17のうち、絶縁性の材料(SiO221)から露出した領域が第1の電極として機能するため、第1の面の複数の領域が露出するように、絶縁性の材料(SiO221)を第1の面に配置する必要がある。加えて、絶縁性の材料は、第1の面よりもBiI3の付着係数が低い材料を用いる。
(2)第2の工程について
第2の工程は、BiI3膜を第1の電極に選択的に成膜する工程である。
第2の工程は、BiI3膜を第1の電極に選択的に成膜する工程である。
図1(a)に示す、複数の第1の電極を形成した基板16にBiI3膜を成膜すると、BiI3のAu上への付着係数とSiO2上への付着係数の違いから、図1(b)のようにAu上に選択的にBiI3膜13が配置されることを本発明者らは見出した。ここでBiI3の付着係数とは、異なる材料の上に同一条件でBiI3を成膜した際、材料上へのBiI3の付着量の違いを比較するものであり、比較対象同士の付着量を任意の値で割った値と定義する。また、複数の材料から構成される面へのBiI3の付着係数も同様であり、ある材料とある面とに同一条件でBiI3を成膜した際のBiI3の付着量を任意の値で割れば、材料と面との付着係数を比較することもできる。ある材料上へのBiI3の付着量は、成膜中に材料上に飛来するBiI3と材料上から再離脱するBiI3との差分で与えられることから、材料とBiI3の結合力が弱く、再離脱するBiI3の割合が大きな材料はBiI3の付着係数が低いということになる。図1に示した例の場合、Au上へのBiI3の付着係数がSiO2上へのBiI3の付着係数よりも高いことから、例えば特許文献1のような特殊な成膜方法を用いなくても、Au(つまり、第1の電極)上に選択的にBiI3膜が配置できる。また、AuがBiI3膜で被覆された後も、BiI3は付着係数の低いSiO2上には形成されず、Au上のBiI3膜の上に選択的に形成され続け、図1(b)のような、BiI3膜が形成される。
尚、第1の面は単一の材料からなる必要はなく、第1の面のうち、第1の電極が設けられていない領域の少なくとも一部のBiI3の付着係数が第1の電極のBiI3の付着係数よりも低ければ良い。
このように形成された図1(b)のBiI3膜は、隣り合う第1の電極に配置されたBiI3膜同士が空隙19により分離された構造を有する。
図2(a)で示した、第1の電極を形成した基板26にBiI3膜を成膜しても、図1(a)の基板16にBiI3膜を成膜した時と同様に、第1の電極に選択的にBiI3膜が成膜される。そして、図2(b)のような、隣り合う露出領域に配置されたBiI3膜同士が空隙29により分離された構造を有するBiI3膜が取得できる。
このように、選択的にBiI3膜の成膜を行うために、第1の電極の材料は、第1の面のうち、第1の電極が形成されていない領域よりもBiI3の付着係数が高い材料とする必要がある。なお、第1の面のうち、第1の電極が形成されていない領域とは、図1のように、第1の面が絶縁性の場合は、第1の電極が配置されずに、第1の電極材料から露出した領域のことを指す。一方、図2のように、第1の面が導電性の場合は、絶縁性の材料が配置された領域のことを指す。つまり、第1の面が絶縁性の場合、第1の面の材料よりもBiI3の付着係数が高い導電性の材料を第1の面に配置して、複数の第1の電極を形成する。一方、第1の面が導電性の場合、第1の面の材料よりもBiI3の付着係数が低い絶縁性の材料を第1の面に配置して、第1の電極である複数の露出領域を形成する。加えて、第1の電極の表面がBiI3膜で被膜された後も、第1の電極の表面を被膜したBiI3膜に新たなBiI3膜が成膜されるために、第1の面が絶縁性の場合、第1の面の材料は、BiI3の付着係数が低い絶縁性の材料とする。一方、第1の面が導電性の場合、第1の面に配置する絶縁性の材料(SiO221)は、BiI3付着係数が低い材料とする。
BiI3膜へのBiI3の付着係数は高いため、このようにBiI3の付着係数が低い材料を用いれば、BiI3がBiI3上へ選択的に成膜される。BiI3の付着係数が低い、SiO2以外の絶縁性材料として、例えば、SiC、Si3N4、Si、プリント基板の基材(例えば、ポリイミド等)、レジスト等の有機物などを用いることができる。絶縁性材料として、これらの材料から1つの材料のみを用いてもよいし、混合したり、併用したりしてもよい。併用とは、例えば、絶縁性の第1の面の一部がSiCであり、ほかの領域がSiO2であるように、異なる領域で異なる材料を用いることを指す。
一方、BiI3の付着係数が高い、Au以外の導電性材料として、例えば、グラファイト、Pt、ITOのような導電性酸化物などを用いることができる。導電性材料として、これらの材料から1つの材料のみを用いてもよいし、混合したり、併用したりしてもよい。また、これらの材料は、SiC、Si3N4、Si、プリント基板の基材、レジスト等の有機物のいずれよりもBiI3の付着係数が高い。よって、これらの材料を適宜組み合わせれば、BiI3付着係数が高い導電性材料と、BiI3付着係数が低い絶縁性材料とを選択することができる。加えて、上述の導電性材料にBiI3膜を成膜すると、BiI3膜はBiI3の結晶のc軸が基板面と垂直な方向に揃った構造(c軸配向)を有する。この構造は、放射線の吸収に適した緻密な構造であるため、第1の電極に形成されるBiI3膜のBiI3の結晶はc軸配向していることが好ましい。本発明及び本明細書では、c軸配向しているBiI3の結晶で構成されるBiI3膜を、c軸配向のBiI3膜と呼ぶことがある。c軸配向のBiI3膜の結晶構造をX線回折で評価すると、(001)面の系列ピークである(003)、(006)、(009)、(0012)のピークが、他のピークである(113)と(300)よりも十分に大きい。本発明及び本明細書では、(009)のピークが(003)、(006)、(0012)以外の他のピークより、100倍以上大きいとき、そのBiI3膜はc軸配向であるとする。また、(009)のピークが(003)、(006)、(0012)以外の他のピークより、1000倍以上大きいことが更に好ましい。
(3)第3の工程について
第3の工程は、第2の電極をBiI3膜に配置する工程である。図1(c)は、互いに分離した複数のBiI3膜上に第2の電極を配置したものである。第2の電極の配置方法は、特に問わず、一般的な電極の配置方法を用いることができる。例えば一般的な真空蒸着のように、選択性を持たない成膜方法を用いる場合は、図1(c)のように、分離した複数のBiI3膜13同士の空隙19に絶縁材料15を配置して、BiI3膜間に絶縁材料部(絶縁材料15)を設けることが好ましい。BiI3膜間の絶縁部を設けると、第2の電極と第1の電極との短絡を比較的容易に避けながら、第2の電極を配置することができる。BiI3膜間の絶縁部の材料は、絶縁材料であれば特に問わないが、例えば、有機物から成る絶縁材料を用いることができる。このように、BiI3膜の空隙19に絶縁部を設ける際、防湿性のある材料を用いることでBiI3膜の酸化を防ぐこともできる。また、第2の電極を有する基板を、BiI3膜13と第2の電極とが接するように配置することで、BiI3膜に第2の電極を配置してもよい。パターニングされたAu12(第1の電極)を画素電極とし、第1の電極と第2の電極14との間に電圧を印加する手段を第1の電極と第2の電極と電気的に接続することで、検出層であるBiI3膜13が画素毎に分離された放射線検出器として機能する。この際、画素電極となる第1の電極(Au12)はSiO210に設けたスルーホール18上に配置されることで、SiO210下部に設けたTFTアレイ(不図示)から成る信号読み出し回路と電気的に接続がなされている。また、電極からのキャリア注入を抑制する目的で、BiI3膜13と第2の電極14の間にキャリア注入阻止層を設けても良い。本実施形態によると、検出層であるBiI3膜自体を加工することなく、また、ひとつの材料の成膜を複数回の成膜で行う必要がないため、多数回の成膜を行うよりも簡易な方法でBiI3膜がピクセル化された放射線検出素子を作製することが可能となる。
第3の工程は、第2の電極をBiI3膜に配置する工程である。図1(c)は、互いに分離した複数のBiI3膜上に第2の電極を配置したものである。第2の電極の配置方法は、特に問わず、一般的な電極の配置方法を用いることができる。例えば一般的な真空蒸着のように、選択性を持たない成膜方法を用いる場合は、図1(c)のように、分離した複数のBiI3膜13同士の空隙19に絶縁材料15を配置して、BiI3膜間に絶縁材料部(絶縁材料15)を設けることが好ましい。BiI3膜間の絶縁部を設けると、第2の電極と第1の電極との短絡を比較的容易に避けながら、第2の電極を配置することができる。BiI3膜間の絶縁部の材料は、絶縁材料であれば特に問わないが、例えば、有機物から成る絶縁材料を用いることができる。このように、BiI3膜の空隙19に絶縁部を設ける際、防湿性のある材料を用いることでBiI3膜の酸化を防ぐこともできる。また、第2の電極を有する基板を、BiI3膜13と第2の電極とが接するように配置することで、BiI3膜に第2の電極を配置してもよい。パターニングされたAu12(第1の電極)を画素電極とし、第1の電極と第2の電極14との間に電圧を印加する手段を第1の電極と第2の電極と電気的に接続することで、検出層であるBiI3膜13が画素毎に分離された放射線検出器として機能する。この際、画素電極となる第1の電極(Au12)はSiO210に設けたスルーホール18上に配置されることで、SiO210下部に設けたTFTアレイ(不図示)から成る信号読み出し回路と電気的に接続がなされている。また、電極からのキャリア注入を抑制する目的で、BiI3膜13と第2の電極14の間にキャリア注入阻止層を設けても良い。本実施形態によると、検出層であるBiI3膜自体を加工することなく、また、ひとつの材料の成膜を複数回の成膜で行う必要がないため、多数回の成膜を行うよりも簡易な方法でBiI3膜がピクセル化された放射線検出素子を作製することが可能となる。
また、第1の電極を共通電極として用いてもよい。図2において、第1の面27は導電性であるため、複数の露出領域同士は電気的に接続されている。よって、複数の露出領域が1つの第1の電極を構成している。このように、複数の露出領域が電気的に接続している場合は、第1の電極を共通電極として用いる。尚、図2において、複数の露出領域は全て電気的に接続されているが、一部のみが電気的に接続されていても良い。図2(c)は、第1の電極を共通電極とし、BiI3膜に、第2の画素電極と信号読み出し回路とを有する電極付き回路基板32を配置した放射線検出素子である。尚、図2(c)の電極付き回路基板32は、第2の電極として複数の画素電極を有する。図2(c)では、回路基板32とBiI3膜13表面を導電性のバンプ23を介して圧着している。これにより、BiI3膜のうち、第1の電極と接する面と対向する面と第2の電極とを電気的に接続することができる。図2(c)において、バンプ23は回路基板22側の全ての画素電極に1:1で対応するように設けてあり、パターニングされたBiI3膜13と1:1で対応するように接続されている。しかしながら、パターニングされたBiI3膜と第2の電極とが1:1で対応すれば、バンプの数は特に問わない。また、パターニングされたBiI3膜と第2の電極とが1:1で対応せず、例えば、2:1で対応しても良いが、この場合、1:1で対応するときと比較してピッチの小さなパターニングが必要になるため、1:1で対応する方が好ましい。また、パターニングされたBiI3膜と第2の電極とが例えば1:2で対応しても良いが、この場合、1:1で対応するときよりもリーク電流を軽減する効果が小さくなるため、1;1で対応する方が好ましい。第1と第2の電極の間に電圧を印加する手段を第1と第2の電極と電気的に接続し、BiI3膜13を配置したAu20と回路基板32の画素電極との間に電圧を印加することで、検出層であるBiI3膜13がピクセル化された放射線検出器となる。
また、図3(b)のように、第1の電極(Au12)と接続した貫通電極30が形成され、第1の電極(Au12)にBiI3膜13を成膜した場合、BiI3膜13が配置された基板裏面側と回路基板22とをバンプ23を介して圧着することも可能である。図3(b)のような、BiI3膜13が配置された基板の製造方法は、まず、図3(a)に示すように、シリコン基板11の第1の面37を熱酸化して第1の面37をSiO210からなる絶縁性の面とし、さらに複数の貫通電極30を形成する。そして、複数の貫通電極30のそれぞれに、第1の電極としてAu12をパターニングし、BiI3膜13を成膜すれば取得できる。
この場合、図3(c)のように、BiI3膜13のうち、第1の電極(Au12)と接する面と対向する面に、第2の電極14を配置する。そして、回路基板22と接続された第1の電極と、第2の電極14の間に電圧を印加する手段を第1と第2の電極と接続することで、放射線検出器として機能する。
また、図3(a)において、貫通電極がAuのようにBiI3の付着係数が高い材料で形成されている場合、第1の電極材料を貫通電極30に配置しなくても、BiI3膜を貫通電極30に選択的に成膜することもできる(図4)。この場合、貫通電極が第1の電極である。
貫通電極30の配置周期が短く、BiI3膜13の膜厚が厚い場合、図4のようにBiI3膜13が上部で結合して連続膜を形成する場合もある。この場合でも、BiI3膜13のうち、第1の電極(貫通電極30)と接する面と対向する面に第2の電極14を配置する。そして、回路基板22の画素電極と第2の電極14の間に電圧を印加する手段を画素電極と第2の電極と電気的に接続することで放射線検出器となる。また、図4のように、BiI3膜13の一部が接し、連続膜を形成する場合でも、BiI3膜13同士が完全な連続膜である場合よりもリーク電流を軽減することができる。これは、隣り合う第1の電極に配置されたBiI3膜13同士の少なくとも一部が分離されていれば、分離されている部分では絶縁されているため、キャリアの面内方向への拡散を軽減できるためである。尚、図4のように、隣り合う第1の電極に配置されたBiI3膜13同士の一部が接していても、リーク電流を軽減することができることは、貫通電極を設けない場合(例えば、図1及び2に示した放射線検出素子)であっても同様である。
上述の製造方法により製造される放射線検出素子について説明をする。
上述の製造方法により製造される放射線検出素子の第1の形態は、絶縁性の第1の面17を有する基板10、11と、第1の面17に配置された複数の第1の電極(Au12)と、複数の第1の電極のそれぞれに選択的に配置されたBiI3膜13と、を備える。加えて、BiI3膜に配置された第2の電極14も備える。複数の第1の電極のそれぞれは、第1の面よりもBiI3の付着係数が高い。複数の第1の電極に配置されたBiI3膜同士は、少なくとも一部が互いに分離しているため、第1の面のうち、複数の第1の電極同士の間に位置する領域が空隙19と接している。また、図4のように、隣り合う第1の画素に配置されたBiI3膜同士が接している場合、第1の電極のうち1つの電極に配置されたBiI3膜と、隣り合う電極に配置されたBiI3膜と、第1の面の一部とが空間40を形成する。空隙19と空間40は、BiI3膜が形成されていなければ良く、例えば、空隙19と空間40との一部または全部に絶縁材料が配置されることで、BiI3膜間に絶縁部を配置しても良い。
上述の製造方法により製造される放射線検出素子の第2の形態は、導電性の第1の面27を有する基板(Au20、シリコン基板11を備える基板)と、第1の面に配置された絶縁部(SiO210)を備える。そして、第1の面の絶縁部から第1の面の複数の領域が露出することで、第1の電極が形成されている。加えて、放射線検出素子は、第1の電極に選択的に配置されたBiI3膜と、BiI3膜に配置された第2の電極とを備える。第1の電極は、第1の面の絶縁部よりもBiI3の付着係数が高い。第1の形態と同様に、第1の面の絶縁部から露出した複数の領域に配置されたBiI3膜同士は、少なくとも一部が互いに分離しているため、第1の面の絶縁部のうち、第1の面と接する面と対向する面が、空隙29と接している。また、図4のように、露出領域のうち、隣り合う露出領域に配置されたBiI3膜同士が接している場合、ある露出領域に配置されたBiI3膜と、隣り合う露出領域に配置されたBiI3膜と、絶縁部とが空間を形成する。空隙29と空間は、BiI3膜が形成されていなければ良く、一部または全部に絶縁材料が配置されることで、BiI3膜間の絶縁部を構成してもよい。図2、図3、図4のように、BiI3膜が配置された基板と回路基板を接合する場合、BiI3膜が配置された基板に反りがあると、接合面が均一な高さとならない。これにより、中心部或いは周辺部において回路基板との電気的な接続が確保できずに欠陥画素が生じる可能性がある。本実施形態によると、基板上に配置されたBiI3膜がパターニングされており、基板の一部にBiI3膜が接していないことで、BiI3膜が少なくとも一部で分離している。よって、基板全体にBiI3膜が形成され、BiI3膜が一様な膜となっているよりも応力が緩和されることから基板の反りが抑制できる。このため、回路基板と接合する際に欠陥画素が発生する可能性を軽減できる。また、検出層であるBiI3膜自体を加工することなく、同一の材料の成膜を多数回繰り返さなくてもBiI3膜がピクセル化された放射線検出素子を製造することが可能となる。
本実施例は、本発明による放射線検出素子を備える放射線検出器の製造方法の具体例を図1を用いて説明する。
250μm四方の開口部が300μm周期で正方状に配列したメタルマスクを用いて、表面に熱酸化によるSiO210が形成されたシリコン基板11上に膜厚50nmのAuをスパッタリングにより成膜する。これにより、第1の電極であるAu12がパターン状に配置された図1(a)のような基板16を用意する(第1の工程)。次に、図5で示すBiI3の成膜装置を用いて基板16にBiI3膜を成膜する。チャンバー50を真空排気した後、原料51となるBiI3を配置した石英坩堝52を200℃に加熱することで原料を昇華させ、基板16の温度を150℃に保ちながら基板16にBiI3膜を成膜する(第2の工程)。90分間成膜を行った後、基板16を成膜装置から取り出して光学顕微鏡と電子顕微鏡で基板を観察したところ、図1(b)のようにAu12上にのみ選択的にBiI3膜13が約50μmの厚みで配置されていることを確認した。また、上記の条件で成膜したBiI3膜13はc軸配向であり、放射線の吸収に適した緻密な構造であることが確認できた。続いてBiI3膜の酸化を抑制するため、BiI3膜の空隙部に有機物から成る防湿コーティング用樹脂を絶縁材料15として充填した後、樹脂を硬化させ、BiI3膜の空隙19に絶縁部を配置する。更にBiI3膜13表面と空隙部に充填した絶縁材料15表面を均等な高さに研磨した後、真空蒸着で膜厚50nmのAuを成膜する。これにより、図1(c)のように、BiI3膜13のうち、パターニングされたAu12と接する面と対向する面に第2の電極14を配置する(第3の工程)。このように、絶縁材料をBiI3膜の空隙部に充填することで、第2の電極の配置に真空蒸着を用いても、第1の電極と第2の電極との短絡を容易に防ぐことができる。
使用するシリコン基板11がTFTアレイを有した回路基板である場合、パターニングされたAu12を画素電極とする。そして、画素電極(Au12)と第2の電極14との間に電圧を印加する手段を画素電極(Au12)と第2の電極と接続することで、検出層であるBiI3膜13がピクセル化された放射線検出器として機能する。使用するシリコン基板11が、図3(a)のような、貫通電極30を有する基板31である場合、図1(c)の工程の後に図3(c)のようにBiI3膜13が配置された基板裏面側と、TFTアレイを有した回路基板22をAuのバンプ23を介して接合する。パターニングされたAu12のそれぞれが貫通電極30のそれぞれと電気的に接続しており、回路基板22はパターニングされたAu12と等しい画素ピッチを有している。そのため、貫通電極30と回路基板22の画素電極を位置合わせした上で、貫通電極と回路基板を接合する。回路基板22の画素電極と第2の電極14の間に電圧を印加する手段を画素電極と第2の電極と接続することで、検出層であるBiI3膜13がピクセル化された放射線検出器として機能する。このように、電圧を印加する手段を回路基板の画素電極と接続した場合であっても、Au12は貫通電極30を介して画素電極と電気的に接続されているため、BiI3膜13を直接接する第1の電極として機能する。
本実施例は、本発明による放射線検出素子を備える放射線検出器の製造方法の具体例を図2を用いて説明する。実施例1では、基板の第1の面が絶縁性の面である具体例を説明したが、本実施例では、基板の第1の面が導電性の面である具体例を説明する。
シリコン基板11上に膜厚50nmのAu20をスパッタリングにより成膜し、基板の第1の面を導電性の面とする。その後、Au上にスピンコートでレジストを塗布した後に露光することで、Au上に250μm四方、300μm周期で正方状に配列したレジストパターンを形成する。レジストパターン上に膜厚50nmのSiO2スパッタリングで成膜した後、リフトオフによりSiO221が格子状に残り、Au20が250μm四方、300μm周期で正方状に露出した図2(a)のような基板を用意する(第1の工程)。実施例1と同様にBiI3膜を成膜し(第2の工程)、樹脂を充填して硬化させ、表面を研磨する。本実施例のように、第2の電極を有する基板をBiI3膜に配置することで第2の電極をBiI3膜と電気的に接続する場合、BiI3膜の高さを揃える必要がある。よって、成膜後のBiI3膜の高さが揃っていない場合は、BiI3膜を研磨して高さを揃える必要があるが、BiI3膜の空隙29に絶縁材料を充填してから研磨すると、BiI3膜の折れ又は曲がりなどの損傷を軽減しつつBiI3膜を研磨することができる。
次に、図2(c)のように電極付き回路基板32とBiI3膜13表面をバンプ23を介して接合する(第3の工程)。実施例1と同様に、電極付き回路基板32はパターニングされたAu12と等しい画素ピッチを有し、BiI3膜13と電極付き回路基板32の画素電極を位置合わせした上でバンプ23を介してBiI3膜13と電極付き回路基板32と接合する。第1の面のうち、SiO2から露出したAu(第1の電極)と電極付き回路基板の第2の電極が対向するように位置合わせを行えば、BiI3膜の一部が連続膜となった場合であっても、リーク電流が軽減できるように、BiI3膜13に第2の電極を配置できる。電極付き回路基板32の画素電極とAu20の間に電圧を印加する手段を画素電極と第1の電極と電気的に接続することで検出層であるBiI3膜13がピクセル化された放射線検出器として機能する。
10 SiO2
11 シリコン基板
12 Au
13 BiI3膜
14 第2の電極
15 絶縁材料
16 基板
17 第1の面
18 スルーホール
19 空隙
20 Au
21 SiO2
22 回路基板
23 バンプ
24 放射線検出素子
26 基板
27 第1の面
29 空隙
30 貫通電極
31 基板
32 電極付き回路基板
37 第1の面
40 空間
50 チャンバー
51 原料
52 石英坩堝
53 ヒーター
54 加熱冷却機構
11 シリコン基板
12 Au
13 BiI3膜
14 第2の電極
15 絶縁材料
16 基板
17 第1の面
18 スルーホール
19 空隙
20 Au
21 SiO2
22 回路基板
23 バンプ
24 放射線検出素子
26 基板
27 第1の面
29 空隙
30 貫通電極
31 基板
32 電極付き回路基板
37 第1の面
40 空間
50 チャンバー
51 原料
52 石英坩堝
53 ヒーター
54 加熱冷却機構
Claims (23)
- 絶縁性の面を有する基板と、
前記絶縁性の面に配置された複数の第1の電極と、
前記複数の第1の電極のそれぞれに選択的に配置されたBiI3膜と、
前記BiI3膜に配置された第2の電極とを備え、
前記複数の第1の電極のそれぞれは、前記絶縁性の面よりもBiI3の付着係数が高く、
前記絶縁性の面は、BiI3よりもBiI3の付着係数が低いことを特徴とする放射線検出素子。 - 前記絶縁性の面は、SiO2、SiC、Si3N4、Si、プリント基板の基材、レジストの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項1に記載の放射線検出素子。
- 前記絶縁性の面のうち、前記複数の第1の電極同士の間に位置する領域が空隙と接していることを特徴とする請求項1または2に記載の放射線検出素子。
- 前記複数の第1の電極のうちの1つの電極に配置されたBiI3膜と、
前記複数の第1の電極のうち、前記1つの電極と隣り合う電極に配置されたBiI3膜とが接し、
前記1つの電極に配置されたBiI3膜と、前記隣り合う電極に配置されたBiI3膜と、前記絶縁性の面の一部とが空間を形成していることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の放射線検出素子。 - 前記複数の第1の電極のうちの1つの電極に配置されたBiI3膜と、
前記複数の第1の電極のうち、前記1つの電極と隣り合う電極に配置されたBiI3膜とが絶縁部により電気的に分離されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の放射線検出素子。 - 導電性の面を有する基板と、
前記導電性の面に配置された絶縁性材料と、
前記絶縁性材料から前記導電性の面の複数の領域が露出して形成される第1の電極に選択的に配置されたBiI3膜と、
前記BiI3膜に配置された第2の電極とを備え、
前記第1の電極は、前記絶縁性材料よりもBiI3の付着係数が高く、
前記絶縁性材料は、BiI3よりもBiI3の付着係数が低いことを特徴とする放射線検出素子。 - 前記絶縁性材料は、SiO2、SiC、Si3N4、Si、プリント基板の基材、レジストの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項6に記載の放射線検出素子。
- 前記絶縁性材料のうち、前記導電性の面と接する面と対向する面が、空隙と接していることを特徴とする請求項6または7に記載の放射線検出素子。
- 前記複数の領域のうち1つの領域に配置されたBiI3膜と、
前記複数の領域のうち、前記1つの領域と隣り合う領域に配置されたBiI3膜とが接し、
前記1つの領域に配置されたBiI3と、前記隣り合う領域に配置されたBiI3膜と、前記絶縁性材料とが空間を形成していることを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1項に記載の放射線検出素子。 - 前記複数の領域のうちの1つの領域に配置されたBiI3膜と、
前記複数の領域のうち、前記1つの領域と隣り合う領域に配置されたBiI3膜とが絶縁部により電気的に分離されていることを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1項に記載の放射線検出素子。 - 前記第1の電極がAu、グラファイト、Ptの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の放射線検出素子。
- 前記BiI3膜は前記第1の電極にc軸配向で配置されていることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の放射線検出素子。
- 前記空間に絶縁材料が配置されていることを特徴とする請求項4または9に記載の放射線検出素子。
- 請求項1乃至13のいずれか1項に記載の放射線検出素子と、
前記第1の電極と前記第2の電極とに電圧を印加する手段とを備える放射線検出器。 - 基板の面に第1の電極を形成する工程と、
前記第1の電極にBiI3を成膜してBiI3膜を形成する工程と、
前記BiI3膜と第2の電極とを電気的に接続するする工程とを有し、
前記第1の電極を形成する工程において、
前記第1の電極は、前記の面のうち、前記第1の電極が形成されていない領域の少なくとも一部よりもBiI3の付着係数が高い材料で形成することを特徴とする放射線検出素子の製造方法。 - 前記面は絶縁性であり、
前記第1の電極を形成する工程は、
前記面に、前記面よりもBiI3の付着係数が高い導電性の材料を複数の領域に配置する工程であることを特徴とする請求項15に記載の放射線検出素子の製造方法。 - 前記面は導電性であり、
前記第1の電極を形成する工程は、
前記導電性の面の複数の領域が、前記導電性の面よりもBiI3の付着係数が低い絶縁性の材料から露出するように、前記絶縁性の材料を配置する工程であることを特徴とする請求項15に記載の放射線検出素子の製造方法。 - 前記第2の電極を電気的に接続する工程は、
前記BiI3膜のうち、前記第1の電極と接する面と対向する面に前記第2の電極を配置する工程であることを特徴とする請求項15乃至17のいずれか1項に記載の放射線検出素子の製造方法。 - 前記第2の電極を電気的に接続する工程は、
前記第2の電極を有する基板の前記第2の電極と、前記BiI3膜のうち、前記第1の電極と接する面と対向する面とを電気的に接続する工程であることを特徴とする請求項15乃至18のいずれか1項に記載の放射線検出素子の製造方法。 - 前記第2の電極を有する基板は、前記第2の電極と信号読み出し回路とを有する電極付き回路基板であることを特徴とする請求項18に記載の放射線検出素子の製造方法。
- 前記電極付き回路基板と前記BiI3膜とは、バンプを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項20に記載の放射線検出素子の製造方法。
- 前記基板と信号読み出し回路を有する回路基板とを電気的に接続する工程を有することを特徴とする請求項15乃至17のいずれか1項に記載の放射線検出素子の製造方法。
- 前記基板と前記信号読み出し回路とは、バンプを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項22に記載の放射線検出素子の製造方法。
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- 2014-05-30 JP JP2014113122A patent/JP2015228408A/ja active Pending
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2015
- 2015-05-25 WO PCT/JP2015/002606 patent/WO2015182099A1/en active Application Filing
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Publication number | Publication date |
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WO2015182099A1 (en) | 2015-12-03 |
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