JP2015225889A - プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】プラズマ処理による搬送キャリアの保持シートが受ける熱ダメージを防止する。
【解決手段】処理室５内に設けられる冷却したステージ１１に、基板２を保持した搬送キャリア４を載置する第１の工程と、ステージ１１上に設けたカバー２４とステージ１１を相対的に移動させ、カバー２４に形成した窓部２５から基板２を露出させた状態で、搬送キャリア４の保持シート６とフレーム７とを覆う第２の工程と、搬送キャリア４に保持された基板２に対してプラズマ処理を行う第３の工程と、カバー２４を冷却する第４の工程と、処理室５から基板２を保持した搬送キャリア４を搬出する第５の工程とを実行する。
【選択図】図１

Description

本発明は、プラズマ処理方法及び装置に関するものである。
プラズマ処理装置として、特許文献１及び２に開示されたものが知られている。これらプラズマ処理装置では、環状フレームと保持シートからなる搬送キャリアに基板を保持した状態で、基板に対して、プラズマダイシングやプラズマアッシングなどのプラズマ処理を行う。そして、プラズマ処理する際、カバーで環状フレーム及び保持シートを覆うことにより、環状フレーム及び保持シートがプラズマに晒されないようにしている。
特許第４８５８３９５号公報 米国出願公開第２０１２／０２３８０７３号公報
しかしながら、前記従来のプラズマ処理装置では、プラズマによってカバーが加熱され、搬送キャリアを排出する前に、樹脂材料からなる保持シートや保持シートを環状フレームに固定するための接着剤がカバーからの輻射熱を受けて保持シートの延び（変形）や接着材料の接着性低下による保持シートの環状フレームからの剥がれ等の熱ダメージを受ける恐れがある。
特に、排出前にステージへの搬送キャリアの静電吸着を停止すると、ステージによる搬送キャリアの冷却が十分に行われず、保持シートが熱ダメージを受けやすい。
そこで、本発明は、プラズマ処理による搬送キャリアの保持シートが受ける熱ダメージを防止することを課題とする。
本発明は、前記課題を解決するための手段として、
環状のフレームと保持シートからなる搬送キャリアに保持された基板に対して、処理室内でプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
前記処理室内に設けられる冷却したステージに、基板を保持した搬送キャリアを載置する第１の工程と、
前記ステージ上に設けたカバーと前記ステージを相対的に移動させ、前記カバーに形成した窓部から基板を露出させた状態で、搬送キャリアの保持シートとフレームとを覆う第２の工程と、
前記搬送キャリアに保持された基板に対してプラズマ処理を行う第３の工程と、
前記カバーを冷却する第４の工程と、
前記処理室から基板を保持した搬送キャリアを搬出する第５の工程と、
を有するものである。
本発明によれば、プラズマ処理を行う第３の工程と、搬送キャリアを搬出する第５の工程の間に、カバーを冷却する第４の工程を実行するようにしたので、保持シートがカバーからの輻射熱により熱ダメージを受けることを防止することができる。
本実施形態に係るプラズマ処理装置の概略正面断面図である。 図１のプラズマ処理装置による処理工程を示す概略説明図である。 本実施形態に係るプラズマ処理を示すフローチャートである。 他の実施形態に係るプラズマ処理を示すフローチャートである。 他の実施形態に係るプラズマ処理を示すフローチャートである。
以下、本発明に係る実施形態を添付図面に従って説明する。なお、以下の説明は、本質的に例示に過ぎず、本発明、その適用物、あるいは、その用途を制限することを意図するものではない。また、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは相違している。
図１は本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置１を示す。このプラズマ処理装置１は、ウェハ２（基板）にプラズマ処理を施すためのもので、減圧可能な内部空間を有するチャンバ３を備える。このチャンバ３では、図示しない出入口を介して搬送キャリア４を内部空間である処理室５に搬入及び搬出することができるようになっている。
搬送キャリア４は、ウェハ２を着脱可能に保持する保持シート６を備える。保持シート６としては、例えば、弾性的に伸展可能であって粘着力によりウェハ２を保持するが、紫外線の照射によって化学的特性が変化して粘着力が大幅に減少するいわゆるＵＶテープを使用できる。保持シート６は、一方の面が粘着性を有する面（粘着面）で構成され、他方が粘着性を有しない面（非粘着面）で構成されている。また保持シート６は柔軟でそれ自身では容易に撓んで一定形状を維持できない。このため、保持シート６の外周縁付近の粘着面には、概ねリング状で厚みの薄いフレーム７（環状フレーム）が貼着されている。フレーム７は、例えば金属製で、その形状を保持できるような剛性を有する。
搬送キャリア４の保持シート６には、粘着面に裏面を貼着することでウェハ２が保持されている。保持シート６の粘着面のうちフレーム７で囲まれた円形領域の中央にウェハ２が配置されている。具体的には、円形領域の中心とウェハ２の中心とが概ね一致するように、保持シート６に対するウェハ２の位置が設定されている。ウェハ２を円形領域の中央に配置したことにより、保持シート６のウェハ２とフレーム７との間には一定幅で幅広の環状領域が形成される。
プラズマ処理装置１のチャンバ３（真空容器）の頂部を閉鎖する誘電体壁８の上方には、上部電極としてのアンテナ９（プラズマ源）が配置されている。アンテナ９は第１の高周波（RF: Radio Frequency）電源部１０Ａに電気的に接続されている。一方、チャンバ３内の底部側には、前述のようにウェハ２を保持した搬送キャリア４が載置されるステージ１１が配置されている。チャンバ３のガス導入口３ａにはプロセスガス源１２、及び、アッシングガス源１３がそれぞれ接続されている。一方、排気口３ｂにはチャンバ３内を真空排気するための真空ポンプ及びチャンバ３内の圧力を調整するための圧力調整弁を含む減圧機構１４が接続されている。
ステージ１１は、電極部１５と、その下方側に配置される基台部１６と、これらの外周を取り囲む外装部１７とを備える。
電極部１５は、静電チャック１５ｂ、及び、その下方側に配置される電極部本体１５ｃからなる。
静電チャック１５ｂは、セラミックス等の誘電材料で構成されている。静電チャック１５ｂには、双極型である静電吸着用電極２２ａ（ESC: Electric Static Chuck）が上方側に内蔵され、高周波電極２２ｂが下方側に内蔵されている。静電吸着用電極２２ａには直流電源２３が電気的に接続されている。静電吸着用電極２２ａは、搬送キャリア４が載置される領域の全体に亘って配置されている。これにより、搬送キャリア４を静電吸着することができる。高周波電極２２ｂには第２の高周波電源部１０Ｂが電気的に接続されている。高周波電極２２ｂの外周縁部は、平面視で、搬送キャリア４上に載置したウェハ２よりも外側に位置している。これにより、発生させたプラズマでウェハ２の全体をエッチングすることができる。
電極部本体１５ｃは、金属（例えば、アルミニウム合金）で構成されている。電極部本体１５ｃには冷媒流路１５ａが形成されている。
電極部１５の上面と外装部１７の上面は、ウェハ２を保持した搬送キャリア４が載置される一つの水平面である載置面１８を構成する。電極部１５には、下面を連通する複数の第１貫通孔が周方向に均等に形成されている。各第１貫通孔には突出ピン１９がそれぞれ昇降可能に配置されている。突出ピン１９は、その上端面が載置面１８と面一となって搬送キャリア４が載置され、上方に突出することにより載置面１８から搬送キャリア４を離間させる。
外装部１７はアースシールド材（導電性および耐エッチング性を有する金属）からなり、そこには上下面を連通する複数の第２貫通孔が周方向に均等に形成されている。各第２貫通孔には駆動ロッド２６がそれぞれ昇降可能に配置されている。外装部１７により、電極部１５及び基台部１６がプラズマから保護される。
搬送キャリア４は、保持シート６のウェハ２を保持している面（粘着面６ａ）が上向きの姿勢でステージ１１に載置され、保持シート６の非粘着面６ｂがステージ１１の載置面１８上に載置される。搬送キャリア４は、図示しない搬送機構によってステージ１１の載置面１８に対して予め定められた位置および姿勢（保持シート６の円形領域の中心６ｃの回りの回転角度位置を含む）で載置される。以下、この予め定められた位置および姿勢を正規位置と記載する。
プラズマ処理装置１は、ステージ１１を冷却するための冷却装置２０を備える。この冷却装置２０は、電極部１５内に形成された冷媒流路１５ａと、温調された冷媒を冷媒流路中で循環させる冷媒循環装置２１とを備える。
チャンバ３内にはステージ１１の載置面１８の上方に昇降可能なカバー２４を備える。カバー２４は外形輪郭が円形であって一定の薄い厚みを有し、中央部には窓部２５が形成されている。そして、カバー２４は、プラズマ処理中に搬送キャリア４の保持シート６とフレーム７を覆ってプラズマから保護する。このため、カバー２４は搬送キャリア４の外形輪郭よりも十分に大きく形成されている。
カバー２４は、その下面が駆動ロッド２６の上端面に載置されている。駆動ロッド２６は図１にのみ概念的に示す駆動機構２７により昇降駆動される。駆動ロッド２６の昇降によりカバー２４が昇降する。具体的には、カバー２４は、ステージ１１の載置面１８に載置される降下位置と、上方の第１上昇位置と、さらに上方の第２上昇位置（最上位）とに位置決め可能となっている。降下位置のカバー２４は、ステージ１１の載置面１８に載置される搬送キャリア４の保持シート６に対して、保持シート６とフレーム７をプラズマ処理中にプラズマから保護するが、接触はしない距離に位置している。降下位置においてカバー２４と保持シート６を接触させないことにより、プラズマ処理によって加熱したカバー２４の熱が、直接、保持シート６に伝わるのを防ぐと共に、保持シート６の粘着面がカバー２４に接触してカバー２４に張り付くことを防ぐことができる。
第１上昇位置のカバー２４は、ステージ１１の載置面１８に載置される搬送キャリア４の保持シート６に対して十分に大きな距離を確保してカバー２４からの輻射熱による熱ダメージが保持シート６に及ぶことを抑制する。
第２上昇位置のカバー２４は、ステージ１１の載置面１８の上方に十分な間隔を有して位置している。従って、カバー２４が上昇位置にあれば、載置面１８に搬送キャリア４（ウェハ２を保持している。）を搬入する作業と、その逆に載置面１８から搬送キャリア４を搬出する作業とを行うことが可能となっている。
図１にのみ模式的に示す制御装置２８は、第１及び第２の高周波電源部１０Ａ，１０Ｂ、プロセスガス源１２、アッシングガス源１３、減圧機構１４、冷却装置２０、直流電源２３、及び駆動機構２７を含むプラズマ処理装置１を構成する要素の動作を制御する。
次に、本実施形態に係るプラズマ処理装置１の動作を、図２及び図３を参照しつつ説明する。
図２（ａ）に示すように、カバー２４を第２上昇位置まで上昇させ（ステップＳ１）、図２（ｂ）に示すように、保持シート６の円形領域６ｃの中央にウェハ２を貼着した搬送キャリア４を図示しない搬送機構によってチャンバ３内に搬入し、ステージ１１の載置面１８上の正規位置に配置する（ステップＳ２：搬入処理）。
図２（ｃ）に示すように、駆動機構２７により駆動ロッド２６を駆動し、カバー２４を第２上昇位置から降下位置に降下させる（ステップＳ３）。カバー２４が降下位置となると、搬送キャリア４の保持シート６とフレーム７はカバー２４で覆われ、その窓部２５からウェハ２が露出する。但し、降下位置において、カバー２４は、保持シート６及びフレーム７とは接触しない。
直流電源２３から静電吸着用電極２２ａに直流電圧を印加し、搬送キャリア４をステージ１１の載置面１８（電極部１５の上端面）に静電吸着により保持する（ステップＳ４）。この状態では、ステージ１１は１５〜２０℃に温調され、搬送キャリア４はステージ１１の載置面１８に密着しているため２０℃前後に維持される。
図２（ｄ）に示すように、以下のプラズマ処理（ステップＳ５：プラズマダイシング処理及びプラズマアッシング処理）を実行する。
プラズマダイシング処理では、プロセスガス源１２からチャンバ３内にプロセスガス（例えば、ＳＦ６）を導入しつつ、減圧機構１４により排気し、処理室５を所定圧力（例えば、１０Ｐａ）に維持する。その後、アンテナ９に対して高周波電源部１０Ａから高周波電力（例えば、２０００Ｗ）を供給してチャンバ３内にプラズマＰを発生させ、カバー２４の窓部２５から露出しているウェハ２に照射する。このとき、ステージ１１の電極部１５には高周波電源部１０Ｂからバイアス電圧（例えば、５０Ｗ）を印加する。また、冷却装置２０によりステージ１１を冷却する（例えば、２０℃）。ウェハ２の表面には、チップ領域を規定するレジストマスクが前工程において既に形成されている。レジストマスクが形成されたウェハ２に対して、プラズマ処理を行うと、ウェハ２の表面の、レジストマスクで保護されていない部分（ストリート）では、プラズマＰ中のラジカルとイオンの物理化学的作用によって、ウェハ２がエッチングされる。そして、ウェハ２の裏面に到達するまでエッチングを続けることにより、ウェハ２は個別のチップに分割される。
プラズマアッシング処理では、アッシングガス源１３からチャンバ３内にアッシング用のプロセスガス（例えば、酸素ガス）を導入しつつ、減圧機構１４により排気し、処理室５を所定圧力（例えば、１０Ｐａ）に維持する。その後、アンテナ９に対して高周波電源部１０Ａから高周波電力（例えば、２０００Ｗ）を供給し、チャンバ３内に酸素プラズマＰを発生させてカバー２４の窓部２５から露出しているウェハ２に照射する。酸素プラズマＰの照射によりウェハ２の表面からレジストマスクが完全に除去される。
プラズマ処理では、搬送キャリア４は静電吸着によりステージ１１の載置面１８に吸着されているため、ステージ１１に設けた冷却装置２０により効果的に冷却される。この状態では、カバー２４が２３０℃前後まで温度上昇するのに対し、搬送キャリア４は前述のようにステージ１１に静電吸着された状態を維持しているので３０〜４０℃に温調される。
プラズマ処理が終了すれば、図２（ｅ）に示すように、駆動機構２７により駆動ロッド２６を駆動してカバー２４を降下位置から第１上昇位置へ移動させる（ステップＳ６）。これにより、プラズマ処理等で加熱されたカバー２４から搬送キャリア４の保持シート６への輻射熱が緩和される。ここで、図２（ｆ）に示すように、プロセスガス源１２からチャンバ３内に冷却用ガスを導入しつつ、減圧機構１４により排気し、処理室５を所定圧力に維持する（ステップＳ７）。この場合、処理室５内の圧力は、プロセス処理中にプロセスガスを供給する際の圧力（例えば、１〜２０Ｐａ程度）に比べて高圧（例えば、３０〜１００Ｐａ）とするのが好ましい。また、冷却用ガスには、Ｈｅ，Ａｒ等の不活性ガスを使用することができる。チャンバ３内への冷却用ガスの供給によりカバー２４が冷却され、保持シート６への輻射熱が殆ど及ばない状態とすることができる。この状態では、カバー２４は１８０℃前後まで冷却され、搬送キャリア４は前述のようにステージ１１に静電吸着された状態を維持しているので３０〜４０℃に温調されたままの状態となる。
冷却用ガスによる冷却処理が終了すれば、直流電源２３から静電吸着用電極２２ａへの直流電圧の印加を停止し、静電吸着を解除する（ステップＳ８）。この状態では、プラズマ処理中に帯電したウェハ２に残留する電荷による残留吸着により、突出ピン１９を上動させただけでは搬送キャリア４をうまく持ち上げられない恐れがある。そこで、図２（ｇ）に示すように、プロセスガス源１２からチャンバ３内に除電用ガスを導入して除電処理を実行する（ステップＳ９）。除電用ガスには、Ｈｅ，Ａｒ等の不活性ガスを使用することができ、アンテナ９に対して高周波電源部１０Ａから高周波電力（ここでは、１００Ｗ程度）を供給してプラズマとする。このとき、減圧機構１４により排気し、処理室５を所定圧力に維持する。導入された除電用ガスによりウェハ２の残留電荷が除去される。この状態では、ステージ１１への搬送キャリア４の密着状態が解除され、搬送キャリア４からステージ１１への放熱が不十分となる。しかしながら、前述のように、カバー２４は、第１上昇位置に位置し、冷却用ガスによって冷却されている。したがって、搬送キャリア４がカバー２４からの輻射熱により加熱されて温度上昇し、保持シート６が熱ダメージを受けることはない。ここでは、保持シート６の温度は７０〜８０℃程度に抑制されている。
除電処理が終了すれば、図２（ｈ）に示すように、突出ピン１９を上動させて搬送キャリア４を押し上げる。搬送キャリア４は除電されているため、ステージ１１に残留電荷により吸着されることはなく、その押し上げをスムーズに行うことができる。押し上げられた搬送キャリア４は、図示しない搬送機構によってチャンバ３から搬出する（ステップＳ１０：搬出処理）。
なお、本発明は、前記実施形態に記載された構成に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。
前記実施形態では、プラズマ処理の直後にカバー２４を上昇させるようにしたが、図４に示すように、先に冷却用ガスを供給して冷却を行ってからカバー２４を上昇させるようにしてもよい。この場合、冷却用ガスを供給する際のチャンバ３内の圧力をプロセス処理中にプロセスガスを供給する際の圧力（例えば、１〜２０Ｐａ程度）に比べて高圧（例えば、３０〜１００Ｐａ）とする。これにより、カバー２４等の冷却を効果的に行うことができる。カバー２４を上昇させた後、静電吸着を解除し、除電処理を行う。除電処理を行うと、ステージ１１への搬送キャリア４の密着状態が解除され、搬送キャリア４からステージ１１への放熱が不十分となる。しかしながら、カバー２４は冷却用ガスによってすでに冷却されている。したがって、保持シート６が熱ダメージを受けることはない。
また、図５に示すように、先に冷却用ガスを供給して冷却を行い、さらに除電処理を実行してからカバー２４を上昇させるようにしてもよい。除電処理を行うと、ステージ１１への搬送キャリア４の密着状態が解除され、搬送キャリア４からステージ１１への放熱が不十分となる。しかしながら、カバー２４は冷却用ガスによってすでに冷却されている。したがって、保持シート６が熱ダメージを受けることはない。
前記実施形態では、冷却工程におけるカバー２４の冷却が冷却ガスを供給することにより行われる場合について説明したが、この場合に限らず、プラズマ処理終了後に所定の待ち時間を設け、その時間の間待機することでカバー２４の冷却を行ってもよい。待ち時間としては、例えば、１〜５分程度に設定することができるが、カバーの冷却が不足する場合には、待ち時間をさらに延ばしたり、冷却ガスによる冷却を併用したりしてもよい。
本実施形態に係るカバー２４は、全体を単一の材料で構成しているが、例えば、耐熱性に優れた材料と熱伝導に優れた材料を組み合わせた複合体としてもよい。
また、本実施の形態の駆動機構２７は駆動ロッド２６を介してカバー２４をステージ１１に対して昇降させているが、チャンバ３内に固定されたカバー２４に対してステージ１１を昇降させるものであってもよい。
また、静電吸着用電極は実施形態のような双極型に限定されず、単極型であってもよい。
さらに、プラズマ処理装置１で実行されるのはプラズマダイシング処理とプラズマアッシング処理に限定されず、例えば通常のドライエッチングであってもよい。また、プラズマ処理装置１は実施形態のようなＩＣＰ型に限定されず平行平板型であってもよい。さらに、本発明はプラズマＣＶＤ装置等の他のプラズマ処理装置にも適用できる。
１…プラズマ処理装置
２…ウェハ（基板）
３…チャンバ
４…搬送キャリア
５…処理室
６…保持シート
７…フレーム
８…誘電体壁
９…アンテナ
１０Ａ，１０Ｂ…高周波電源部
１１…ステージ
１２…プロセスガス源
１３…アッシングガス源
１４…減圧機構
１５…電極部
１５ａ…冷媒流路
１５ｂ…静電チャック
１５ｃ…電極部本体
１６…基台部
１７…外装部
１８…載置面
１９…突出ピン
２０…冷却装置
２１…冷媒循環装置
２２ａ…静電吸着用電極
２２ｂ…高周波電極
２３…直流電源
２４…カバー
２５…窓部
２６…駆動ロッド
２７…駆動機構
２８…制御装置

Claims (10)

  1. 環状のフレームと保持シートからなる搬送キャリアに保持された基板に対して、処理室内でプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
    前記処理室内に設けられる冷却したステージに、基板を保持した搬送キャリアを載置する第１の工程と、
    前記ステージ上に設けたカバーと前記ステージを相対的に移動させ、前記カバーに形成した窓部から基板を露出させた状態で、搬送キャリアの保持シートとフレームとを覆う第２の工程と、
    前記搬送キャリアに保持された基板に対してプラズマ処理を行う第３の工程と、
    前記カバーを冷却する第４の工程と、
    前記処理室から基板を保持した搬送キャリアを搬出する第５の工程と、
    を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
  2. 前記第３の工程では、ステージに搬送キャリアを静電吸着し、
    前記第３の工程と、前記第５の工程の間で、ステージへの搬送キャリアの静電吸着を停止した後、搬送キャリアの帯電を除去するための除電処理を行うことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方法。
  3. 前記第４の工程は、前記第３の工程の終了後、所定時間待機するものであることを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマ処理方法。
  4. 前記第４の工程は、カバーに対して熱伝達ガスを供給するものであることを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマ処理方法。
  5. 前記第４の工程は、カバーとステージを前記第２の工程よりも離した状態で行うことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のプラズマ処理方法。
  6. 環状のフレームと保持シートからなる搬送キャリアに保持された基板に対して、処理室内でプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
    前記処理室内に設けられ、搬送キャリアが載置される冷却したステージと、
    窓部を有し、前記ステージ上に設けられることにより、前記窓部から基板を露出させた状態で、搬送キャリアの保持シートとフレームとを覆うカバーと、
    前記ステージと前記カバーとを相対的に接近及び離間可能とする駆動手段と、
    前記搬送キャリアに保持した基板にプラズマ処理を施すプラズマ発生手段と、
    前記搬送キャリアを搬入してステージ上に載置する搬入処理、前記駆動手段を駆動することによりステージ上に載置した搬送キャリアをカバーで覆い、前記プラズマ発生手段を駆動することによりプラズマを発生させるプラズマ処理、カバーを冷却するカバー冷却処理、及び、搬送キャリアを搬出させる搬出処理を実行する制御手段と、
    を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
  7. 除電プラズマを発生する除電手段を備え、
    前記制御手段は、プラズマ処理と搬出処理の間に、ステージへの搬送キャリアの静電吸着を停止した後、搬送キャリアの帯電を除去するための除電処理を実行することを特徴とする請求項６に記載のプラズマ処理装置。
  8. 前記制御手段は、カバー冷却処理を、プラズマ処理後、所定時間待機させることにより行うことを特徴とする請求項６又は７に記載のプラズマ処理装置。
  9. 前記カバーに対して熱伝達ガスを供給するガス供給手段を備え、
    前記制御手段は、カバー冷却処理を、前記ガス供給手段によりカバーに熱伝達ガスを供給することにより行うことを特徴とする請求項６又は７に記載のプラズマ処理装置。
  10. 前記制御手段は、プラズマ処理と搬出処理の間に、前記駆動手段を駆動してカバーとステージの距離を基板にプラズマ処理を施す際よりも離間させることを特徴とする請求項６から９のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017220549A (ja) * 2016-06-07 2017-12-14 株式会社ディスコ チャックテーブル

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9570272B2 (en) * 2015-03-31 2017-02-14 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR102435888B1 (ko) 2017-07-04 2022-08-25 삼성전자주식회사 정전 척, 기판 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법
CN108682636B (zh) * 2018-05-16 2020-10-30 江苏爱矽半导体科技有限公司 一种晶圆刻蚀装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007294812A (ja) * 2006-04-27 2007-11-08 Fujikura Ltd 冷却装置およびプラズマ処理装置
JP2012234991A (ja) * 2011-05-02 2012-11-29 Panasonic Corp 基板のプラズマ処理方法
JP2012248741A (ja) * 2011-05-30 2012-12-13 Panasonic Corp プラズマ処理装置、搬送キャリア、及びプラズマ処理方法
JP2014513868A (ja) * 2011-03-14 2014-06-05 プラズマ − サーム、エルエルシー 半導体ウェーハをプラズマ・ダイシングする方法及び装置
JP2015532782A (ja) * 2012-11-30 2015-11-12 ローツェ システムズ コーポレーション ウェハーエッチングシステム及びそれを用いたウェハーエッチング工程

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4858395B2 (ja) 2007-10-12 2012-01-18 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置
KR101252681B1 (ko) * 2011-06-14 2013-04-08 주식회사 에너솔 알루미늄 고분자 커패시터 및 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007294812A (ja) * 2006-04-27 2007-11-08 Fujikura Ltd 冷却装置およびプラズマ処理装置
JP2014513868A (ja) * 2011-03-14 2014-06-05 プラズマ − サーム、エルエルシー 半導体ウェーハをプラズマ・ダイシングする方法及び装置
JP2012234991A (ja) * 2011-05-02 2012-11-29 Panasonic Corp 基板のプラズマ処理方法
JP2012248741A (ja) * 2011-05-30 2012-12-13 Panasonic Corp プラズマ処理装置、搬送キャリア、及びプラズマ処理方法
JP2015532782A (ja) * 2012-11-30 2015-11-12 ローツェ システムズ コーポレーション ウェハーエッチングシステム及びそれを用いたウェハーエッチング工程

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017220549A (ja) * 2016-06-07 2017-12-14 株式会社ディスコ チャックテーブル

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