JP2015216298A - ウェーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記ウェーハが前記基板の表面側に該基板と材質の異なる積層体を備える場合は、前記位置付けステップを実施した後、前記ウェーハ切断ステップを実施する前に、該ワイヤと該ウェーハとにスラリーを供給しつつ該ワイヤをウェーハに対して切断送りすることにより該積層体を分断する積層体分断ステップを備えることが好ましい。
前記位置付けステップでは、複数の前記ワイヤを複数の前記ストリートに位置付け、前記ウェーハ切断ステップでは、複数の該ワイヤとウェーハ間に電圧を印加して複数の該ストリートに沿ってウェーハを切断することが好ましい。
前記ウェーハ切断ステップで切断したウェーハの切断面にデバイスの金属汚染を防止する防御層を形成する防御層形成ステップを備えることが好ましい。
電気化学反応では切断できない積層体がウェーハの表面に設けられている場合は、スラリーによる機械的な加工によって積層体を分断し、基板は電気化学反応によって分断することで、一台の加工装置で積層体と基板とを切断することができる。
複数のストリートに複数のワイヤを位置付けて切断すれば、複数のストリートを一度に分断可能であるため、特に、大径のウェーハやストリートの数が多いウェーハの加工において加工時間を短縮することができる。
切断面に防御層を形成すれば、デバイスが金属汚染されるのを防ぐことができる。
保持ステップでは、図1に示すように、ウェーハ20の裏面側に導電性テープ30を貼着し、導電性テープ30が貼着された裏面側を下にして、ウェーハ20を保持手段13に載置する。保持手段13は、例えば金属などの導体で形成されており、載置されたウェーハ20を導電性テープ30を介して吸引などにより保持する。これにより、ウェーハ20は、デバイスや積層体22が形成された表面側が露出した状態で、保持手段13に保持される。
次に、位置付けステップでは、図2に示すように、保持手段13に保持されたウェーハ20のストリートにワイヤ15を位置付ける。ウェーハ20のストリートは、例えば互いに平行な複数の第1のストリートと、第1のストリートと直交する複数の第2のストリートとからなる。複数の第1のストリートの間隔は等間隔であり、複数の第2のストリートの間隔も等間隔である。これに対応し、ワイヤ15も、ストリートの間隔と同じ間隔で±Y方向に平行な平行線を形成している。移動手段14が保持手段13を回動させて、複数の第1のストリート(あるいは第2のストリート)の向きを±Y方向に平行にすることにより、複数のワイヤ15を複数のストリートに位置付ける。
位置付けステップを実施した後、積層体分断ステップでは、図2に示すように、移動手段14が保持手段13を+Z方向に上昇させて、ウェーハ20のストリートにワイヤ15を接触させる。ウェーハ20の上方には、スラリーを吐出するスラリー供給手段17が配置され、排出弁123を開放し、例えば炭化珪素(SiC)などの砥材を含むスラリー41をスラリー供給手段17がワイヤ15及びウェーハ20に供給しながら、転動ローラ161が従動ローラ162を回転させて、ワイヤ15をウェーハ20に対して切断送りする。そうすると、ワイヤ15とウェーハ20との間にスラリー41が入り込み、ウェーハ20の上側に露出した積層体22が削り取られる。これにより、ストリートに沿って積層体22が分断されてその部分から基板21が露出する。使用済みのスラリー41は、排出口112から電解液槽11の外へ排出される。
次に、洗浄ステップでは、図3に示すように、移動手段14が保持手段13を−Z方向へ下降させて、ウェーハ20のストリートからワイヤ15を離間させる。そして、ウェーハ20の上方に、洗浄水を噴出する洗浄水供給手段18を配置し、洗浄水供給手段18が洗浄水42をワイヤ15及びウェーハ20に供給して、削り取られた積層体22などの加工屑を洗い流す。使用済の洗浄水42は、排出口112から電解液槽11の外へ排出される。
次に、ウェーハ切断ステップでは、図4に示すように、移動手段14が保持手段13を+Z方向へ上昇させて、ウェーハ20のストリートにワイヤ15を接近させる。そして、排出弁123を閉じ、電磁弁122を開放することにより、電解液供給源121から供給される電解液43を電解液槽11の中に貯め、ウェーハ20を電解液43に浸漬させる。
次に、防御層形成ステップでは、直流電圧源164が印加する電圧や転動ローラ161がワイヤ15を移動させる速度などの加工条件を防御層の形成に適したものに変更する。移動手段14が保持手段13をゆっくりと−Z方向へ下降させ、ウェーハ20に対してワイヤ15を相対的に上昇させる。これにより、ワイヤ15に沿ってタンタルメッキ層などのバリア層(防御層)が電解によって形成される。バリア層をウェーハ20の切断面に形成することにより、金属不純物が切断面から侵入してデバイスに到達するのを防ぎ、デバイスの金属汚染を防止することができる。その後、電磁弁122を閉じ、排出弁123を開放して、電解液槽11のなかの電解液43を排出する。
ウェーハ切断ステップや防御層形成ステップ以外のステップでは、直流電圧源164のスイッチを切るなどして、ワイヤ15と保持手段13との間に電圧を印加するのを停止する構成であってもよい。
11:電解液槽 111:供給口 112:排出口
121:電解液供給源 122:電磁弁 123:排出弁
13:保持手段 14:移動手段 15:ワイヤ
161:転動ローラ 162,163:従動ローラ 164:直流電圧源
17:スラリー供給手段 18:洗浄水供給手段 19:加圧ローラ
20:ウェーハ 21:基板 22:積層体
30:導電性テープ
41:スラリー 42:洗浄水 43:電解液
Claims (5)
- 導体または半導体からなる基板の表面の複数のストリートで区画され各領域にそれぞれデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、
該ウェーハを保持手段で保持する保持ステップと、
該保持手段で保持されたウェーハの該ストリートにワイヤを位置付ける位置付けステップと、
該位置付けステップを実施した後、ウェーハと該ワイヤとの間に電圧を印加するとともに、少なくとも該ウェーハと該ワイヤとに電解液を供給することにより、該ストリートに沿って電気化学反応で該ウェーハを切断するウェーハ切断ステップと、
を備えた、加工方法。 - 前記ウェーハ切断ステップにおいて、前記保持手段を介して前記ウェーハに正電圧を帯電させ、前記ワイヤに負電圧を印加する、請求項1に記載の加工方法。
- 前記ウェーハは、前記基板の表面側に、該基板と材質の異なる積層体を備え、
前記位置付けステップを実施した後、前記ウェーハ切断ステップを実施する前に、該ワイヤと該ウェーハとにスラリーを供給しつつ該ワイヤをウェーハに対して切断送りすることにより該積層体を分断する積層体分断ステップを備えた、
請求項1又は2に記載の加工方法。 - 前記位置付けステップでは、複数の前記ワイヤを複数の前記ストリートに位置付け、
前記ウェーハ切断ステップでは、複数の該ワイヤとウェーハ間に電圧を印加して複数の該ストリートに沿ってウェーハを切断する、
請求項1〜3のいずれかに記載の加工方法。 - 前記ウェーハ切断ステップで切断したウェーハの切断面にデバイスの金属汚染を防止する防御層を形成する防御層形成ステップを備えた、
請求項1〜4のいずれかに記載の加工方法。
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