JP2015213151A - 半導体パッケージおよびこれを備える半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】高調波の発生を抑えることができる半導体パッケージを提供する。【解決手段】半導体パッケージ101は、電極11が配置されたIC上面10bおよび電極が配置されていないIC下面10aを有する高出力用のスイッチIC10と、スイッチIC10の厚み方向への投影領域25から側方に外れた位置に形成された接続端子12と、電極11と接続端子12とを電気的に接続するワイヤ13と、IC上面10bおよびワイヤ13を覆い、接続端子12のワイヤ13が接続する側の面12bを覆うモールド樹脂部14とを備える。接続端子12のワイヤ13が接続する側の面12bとは反対側の面12aはモールド樹脂部14に覆われずに露出する。IC下面10aは金属に覆われていない。【選択図】図1
Description
本発明は、半導体パッケージおよびこれを備える半導体モジュールに関するものである。
特開2007−5477号公報(特許文献1)には、集積回路をインターポーザと呼ばれるBGA(Ball Grid Array)基板に取り付けたものをマザーボードに実装する構成において、機器のノイズ成分を除去することを目的とした発明が記載されている。特許文献1に記載された発明では、インターポーザとマザー基板との間に注入するアンダーフィル材料の比誘電率または比透磁率を調整することによってノイズ対策を図っている。
特開2012−104776号公報(特許文献2)には、一般的なQFN(Quad Flat Non-lead)パッケージにおいて、ワイヤボンディングに用いられるワイヤの寄生インダクタンスを小さくし、高周波特性を良好とすることを目的とした発明が記載されている。特許文献2に記載された発明によれば、半導体集積回路チップは、リードフレームのダイボンド領域の中央領域から一定の側に偏らせた位置に配置される。こうすることによって、特定の端子に対するワイヤ長を短くすることができ、寄生インダクタンスを小さくすることができるとされている。
特許文献1に記載された発明は、BGA基板をマザーボードに実装する際に特定種類のアンダーフィル材料が用いられることが前提であり、アンダーフィル材料を用いずに実装する場合やアンダーフィル材料の種類を変更できない場合については、何ら解決方法を示していない。
特許文献2に記載された発明は、半導体パッケージ自体の構成に特徴をもたせることによって問題を解決しようとするものであるので、この半導体パッケージをマザーボードに実装する際のアンダーフィル材料の使用有無および種類は問わないが、1つの半導体パッケージにおいて全ての端子のワイヤを同時に短くすることはできない。したがって、半導体集積回路チップを偏らせて配置したことによって、一部の端子に関してはワイヤの寄生インダクタンスを小さくすることができるとしても、他の一部の端子に関してはワイヤが却って長くなってしまい、これらの端子に関係する特性に関しては犠牲になってしまうという問題がある。
アンダーフィル材料を用いない場合であっても適用可能なノイズ対策が求められる。また、いずれの端子に関しても高周波特性を犠牲にせずにパッケージ全体にわたって高周波特性を改善する構造が求められる。特に、集積回路(Integrated Circuit:IC)を含む半導体パッケージにおいて高周波の信号を扱う際の高調波の発生が問題となる。
そこで、高調波の発生を抑えることができる半導体パッケージおよび半導体モジュールを提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明に基づく半導体パッケージは、電極が配置されたIC上面および電極が配置されていないIC下面を有する高出力用のスイッチICと、上記スイッチICの厚み方向への投影領域から側方に外れた位置に形成された接続端子と、上記電極と上記接続端子とを電気的に接続するワイヤと、上記IC上面および上記ワイヤを覆い、上記接続端子の上記ワイヤが接続する側の面を覆うモールド樹脂部とを備える。上記接続端子の上記ワイヤが接続する側の面とは反対側の面は上記モールド樹脂部に覆われずに露出している。上記IC下面は金属に覆われていない。
本発明によれば、IC下面が金属に覆われていないので、高調波の発生を抑えることができる。
(実施の形態1)
(構成)
図1を参照して、本発明に基づく実施の形態1における半導体パッケージ101について説明する。
(構成)
図1を参照して、本発明に基づく実施の形態1における半導体パッケージ101について説明する。
半導体パッケージ101は、電極11が配置されたIC上面10bおよび電極11が配置されていないIC下面10aを有する高出力用のスイッチIC(Integrated Circuit)10と、スイッチIC10の厚み方向への投影領域25から側方に外れた位置に形成された接続端子12と、電極11と接続端子12とを電気的に接続するワイヤ13と、IC上面10bおよびワイヤ13を覆い、接続端子12のワイヤ13が接続する側の面12bを覆うモールド樹脂部14とを備え、接続端子12のワイヤ13が接続する側の面12bとは反対側の面12aはモールド樹脂部14に覆われずに露出し、IC下面10aは金属に覆われていない。
ここでいう「高出力」とは、26dBm以上であることを意味するものとする。「高出力用」のスイッチICとは、26dBm以上の信号が入力されたとしても破損しないスイッチICを意味するものとする。
本実施の形態では、スイッチIC10の一例として、シリコン系のICを用いるものとする。また、本実施の形態では、スイッチIC10の一例としてMMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)を用いるものとする。
図1に示した半導体パッケージ101においては、スイッチIC10の下側に凹部16が形成されており、IC下面10aは凹部16内に露出している。IC下面10aは接続端子12の面12bとほぼ同じ高さにある。ただし、凹部16の構成は必須のものではなく、あくまで一例として示したものである。
(作用・効果)
本実施の形態では、IC下面10aが金属に覆われていないので、高調波の発生を抑えることができる。この効果を確認するために発明者は実験を行なった。その実験結果については、後述する。
本実施の形態では、IC下面10aが金属に覆われていないので、高調波の発生を抑えることができる。この効果を確認するために発明者は実験を行なった。その実験結果については、後述する。
(製造方法)
本実施の形態における半導体パッケージ101は、たとえば以下に示す製造方法によって作製することができる。
本実施の形態における半導体パッケージ101は、たとえば以下に示す製造方法によって作製することができる。
まず、図2に示すリードフレーム41を用意する。ここで例示するリードフレーム41は、正方形のIC載置部42と、IC載置部42の各辺に平行にIC載置部42から離隔して配列された複数の接続端子12とを備える。IC載置部42は、梁状のIC載置部支持部43によって4方向から支持されている。接続端子12は、接続端子支持部44によって支持されている。IC載置部支持部43と接続端子支持部44とはつながっている。リードフレーム41は、1つのIC載置部42とこれを取り囲む部材を1セットとして、複数セットがマトリックス状につながって配列された構造をしている。リードフレーム41は、全体が金属からなるものである。
以下、1つのIC載置部42およびその近傍の様子に注目して説明する。
図3に示すように、スイッチIC10をリードフレーム41のIC載置部42に設置する。スイッチIC10は、上面に電極11を備え、下面には電極を備えないものである。スイッチIC10の下面とIC載置部42の上面との間は、たとえば銀ペーストによって接合することができる。銀ペーストに代えて公知の接合材を用いてもよい。こうして、図4に示すように、IC載置部42にスイッチIC10が載った構造が得られる。図4では、スイッチIC10とIC載置部42との間に介在する接合材層は図示していない。ここでいう接合材層とは、たとえば銀ペースト層である。
図3に示すように、スイッチIC10をリードフレーム41のIC載置部42に設置する。スイッチIC10は、上面に電極11を備え、下面には電極を備えないものである。スイッチIC10の下面とIC載置部42の上面との間は、たとえば銀ペーストによって接合することができる。銀ペーストに代えて公知の接合材を用いてもよい。こうして、図4に示すように、IC載置部42にスイッチIC10が載った構造が得られる。図4では、スイッチIC10とIC載置部42との間に介在する接合材層は図示していない。ここでいう接合材層とは、たとえば銀ペースト層である。
次に、図5に示すように、ワイヤボンディングを行なう。すなわち、ワイヤ13によって電極11と接続端子12の上面とが電気的に接続される。ワイヤ13は公知の材料からなるものであってよい。
さらに、図6に示すようにスイッチIC10、ワイヤ13などを、樹脂によって封止する。こうして、モールド樹脂部14が形成される。モールド樹脂部14が形成された後においても接続端子12の下面は露出しており、上面はモールド樹脂部14によって覆われる。この時点では、スイッチIC10の下面は、IC載置部42によって覆われている。
次に、IC載置部42を除去する。この除去は、公知の加工方法で適宜行なうことができる。たとえば図6に示した構造体の下面のうち除去したい部分のみを露出させたマスクを形成し、エッチングすることによってIC載置部42を選択的に除去することが可能である。こうして、図7に示す構造を得ることができる。
図7に示した構造体を、各スイッチIC10に対応する個別のサイズに分断することによって、図1に示した半導体パッケージ101を得ることができる。この分断工程の際に、接続端子支持部44は除去される一方、接続端子支持部44によって支持されていた接続端子12は、半導体パッケージ101の下面外縁部に支持された導体部材として残る。
ただし、ここで示した製造方法は、あくまで製造方法の一例である。本実施の形態における半導体パッケージは、これ以外の製造方法で作製してもよい。
(変形例)
図1に示した半導体パッケージ101の構成は、あくまで一例であり、本実施の形態の考え方を適用して、さまざまな変形例が考えられる。
図1に示した半導体パッケージ101の構成は、あくまで一例であり、本実施の形態の考え方を適用して、さまざまな変形例が考えられる。
たとえば、図8に示す半導体パッケージ102のような構成であってもよい。半導体パッケージ102では、IC下面10aが、接続端子12の下面と同一平面内にある。IC下面10aは金属に覆われることなく露出している。この構成は、たとえばリードフレーム41においてIC載置部42を接続端子12に比べて低くしておくことによって、最終的に図8に示すような半導体パッケージ102を得ることも可能である。
たとえば図9に示す半導体パッケージ103のような構成であってもよい。半導体パッケージ103では、スイッチIC10の下面は、モールド樹脂部14によって覆われている。この構成は、たとえば図1に示したような構成を一旦作製した後に、凹部16にモールド樹脂を追加充填することによって得ることが可能である。
ここで、これまで説明した半導体パッケージに用いられているスイッチIC10の部分断面図を図10に示す。ただし、これは必須の構成ではなく、あくまで好ましい一例である。
図10に示すように、スイッチIC10においては、下から順に、高抵抗Si層31、高ドープダメージインプラント高抵抗Si層32、埋込み酸化膜33、Si層34、構造層35が積層された構造となっている。ここで、「高抵抗Si層」とは、抵抗率が500Ω・cm以上であるSi層をいうものとする。高抵抗Si層31は、このような抵抗率の条件を満たすSi基板によって形成することができる。埋込み酸化膜33はたとえばSiO2層である。構造層35は、配線や絶縁層が適宜形成された部分である。構造層35の内部にはさまざまな構造が形成されうるが、説明の便宜のため、図10では細かい構造は表示していない。
これまでに説明した半導体パッケージにおいては、IC下面10aは高抵抗Si層31によって構成されていることが好ましい。この構成を採用することにより、高調波の発生を抑えることができる。図10に示した例では、IC下面10aは高抵抗Si層31によって構成されている。
スイッチIC10は、SOI(Silicon On Insulator)を用いたものであることが好ましい。この構成を採用することにより、高調波の発生を抑えることができる。SOIとは、絶縁膜上にSi層を形成する技術である。SOI基板といえば、通常、Si基板の上面に形成された絶縁層の上にさらに単結晶シリコンを形成した基板である。ここでいう絶縁膜は、たとえばSiO2層である。
(実施の形態2)
(構成)
図11を参照して、本発明に基づく実施の形態2における半導体パッケージ104について説明する。半導体パッケージ104の基本的な構成は、実施の形態1で説明した半導体パッケージ101と同様であるが、以下の点で異なる。
(構成)
図11を参照して、本発明に基づく実施の形態2における半導体パッケージ104について説明する。半導体パッケージ104の基本的な構成は、実施の形態1で説明した半導体パッケージ101と同様であるが、以下の点で異なる。
本実施の形態における半導体パッケージ104においては、IC下面10aは樹脂によって覆われている。図11に示した例においては、樹脂層15がIC下面10aを覆っている。
(作用・効果)
本実施の形態では、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。効果を検証した実験結果については、実験1〜4として後述する。
本実施の形態では、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。効果を検証した実験結果については、実験1〜4として後述する。
本実施の形態における半導体パッケージ104においては、実施の形態1における半導体パッケージ101,102に比べて、IC下面10aが樹脂によって覆われていることによりスイッチIC10が保護されているので、スイッチIC10が破損しにくく、製品としての半導体パッケージの信頼性を高めることもできる。
なお、半導体パッケージ104は、図1に示した半導体パッケージ101の凹部16に適宜選択した樹脂を充填することによって得ることができる。また、製造方法はこれに限らず、他の方法によって作製してもよい。
(実験結果について)
図12〜図16を参照して、発明者が行なった実験の結果について説明する。
図12〜図16を参照して、発明者が行なった実験の結果について説明する。
(実験1)
発明者は、スイッチICの下面から絶縁基板にかけての構成の違いによって高調波の発生度合いにどのような影響があるかを調べるために、実験1を行なった。ここでは、スイッチIC10としてハイパワー用SPDT(Single Pole, Dual Throw)スイッチICを用いて、以下のような構成の試料1〜3を用意した。
発明者は、スイッチICの下面から絶縁基板にかけての構成の違いによって高調波の発生度合いにどのような影響があるかを調べるために、実験1を行なった。ここでは、スイッチIC10としてハイパワー用SPDT(Single Pole, Dual Throw)スイッチICを用いて、以下のような構成の試料1〜3を用意した。
試料1の断面図を図12に示す。試料1は、絶縁基板2の上面に支持金属層4が形成されたものを用意し、この支持金属層4の上面に対して、銀ペーストを接合材としてスイッチIC10を実装したものである。実装完了後に銀ペーストは、銀ペースト層5となる。支持金属層4は、接地されている。支持金属層4とスイッチIC10とは銀ペースト層5を介して接しているので、スイッチIC10の下面と支持金属層4との間は導通している。
試料2の断面図を図13に示す。試料2は、絶縁基板2の上面に支持金属層4が形成されたものを用意し、この支持金属層4の上面に対して、樹脂を接合材としてスイッチIC10を実装したものである。実装完了後に樹脂は、樹脂層3となる。支持金属層4は、接地されているが、支持金属層4とスイッチIC10とは樹脂層3を介して接しているので、スイッチIC10の下面と支持金属層4との間は絶縁されている。
試料3の断面図を図14に示す。試料3は、絶縁基板2の上面に対して、樹脂を接合材としてスイッチIC10を実装したものである。実装完了後に樹脂は、樹脂層3となる。この場合、スイッチIC10の下面は金属によって覆われていない。
試料1〜3において、入力パワーの各値に対する2次高調波の発生度合いを調べた。その結果を図15に示す。
実験1の結果、図15から明らかなように、いずれの入力パワー値においても試料1〜3のうち試料3が最も2次高調波の発生度合いが小さい結果となった。すなわち、SPDTスイッチICにおいては、スイッチIC10の下面が金属に覆われていない構成のときに、2次高調波の発生が最小となるといえる。
(実験2)
次に、発明者は実験2を行なった。ここでは、スイッチIC10としてハイパワー用SP4T(Single Pole, Quadruple Throw)スイッチICを用いて、以下のような構成の試料4〜6を用意した。
次に、発明者は実験2を行なった。ここでは、スイッチIC10としてハイパワー用SP4T(Single Pole, Quadruple Throw)スイッチICを用いて、以下のような構成の試料4〜6を用意した。
試料4は、スイッチIC10以外の部分については、試料1と同じ構成である。
試料5は、スイッチIC10以外の部分については、試料2と同じ構成である。
試料5は、スイッチIC10以外の部分については、試料2と同じ構成である。
試料6は、スイッチIC10以外の部分については、試料3と同じ構成である。
試料4〜6において、入力パワーの各値に対する2次高調波の発生度合いを調べた。その結果を図16に示す。
試料4〜6において、入力パワーの各値に対する2次高調波の発生度合いを調べた。その結果を図16に示す。
実験の結果、図16から明らかなように、ほとんどの入力パワー値において試料4〜6のうち試料6が最も2次高調波の発生度合いが小さい結果となった。すなわち、SP4TスイッチICにおいても、スイッチIC10の下面が金属に覆われていない構成のときに、2次高調波の発生が最小となるといえる。
(実験3)
実験1,2の結果を踏まえ、2次高調波が発生する要因を考えた場合、スイッチIC自体と、その下面を覆う金属部材との間で形成されるキャパシタンスが影響していると考えられる。そこで、発明者は、実験3のモデルとして、図17に示すような擬似的な回路を想定した。スイッチIC10のIC下面10aと、グランドとの間でキャパシタンス20が構成されている。このキャパシタンス20の値としていくつかの値を設定し、チップコンデンサを適宜利用してそれぞれ実現した。これらの各々のキャパシタンス値を有する試料に対して、入力パワー値を変化させたときの2次高調波の発生度合いを調べた。その結果を図18に示す。このグラフの右側において「pF」の単位で表わされているのは、キャパシタンス20の値である。「0Ω」とされているのは、スイッチIC10のIC下面10aとグランドとを電気的に直結した構成を意味する。キャパシタンスの値が「0.2pF」というのは、スイッチIC10の下面を覆う金属部材が全くなく、なおかつ、スイッチIC10のIC下面10aとグランドとの間が電気的に接続されていない構成を意味する。このように電気的に接続されていない場合であっても、スイッチIC10のIC下面10aとグランドとの間には寄生容量が0.2pFだけ存在するので、キャパシタンスの最小値はこのように0.2pFとなっている。他のキャパシタンスの値は、この寄生容量0.2pFと、チップコンデンサによって実現された容量値との合計値である。たとえば図18のグラフの右側において「0.7pF」と表示されているのは、チップコンデンサによって実現された容量0.5pFと寄生容量0.2pFとの合計値として0.7pFとなっている場合の実験結果を意味する。
実験1,2の結果を踏まえ、2次高調波が発生する要因を考えた場合、スイッチIC自体と、その下面を覆う金属部材との間で形成されるキャパシタンスが影響していると考えられる。そこで、発明者は、実験3のモデルとして、図17に示すような擬似的な回路を想定した。スイッチIC10のIC下面10aと、グランドとの間でキャパシタンス20が構成されている。このキャパシタンス20の値としていくつかの値を設定し、チップコンデンサを適宜利用してそれぞれ実現した。これらの各々のキャパシタンス値を有する試料に対して、入力パワー値を変化させたときの2次高調波の発生度合いを調べた。その結果を図18に示す。このグラフの右側において「pF」の単位で表わされているのは、キャパシタンス20の値である。「0Ω」とされているのは、スイッチIC10のIC下面10aとグランドとを電気的に直結した構成を意味する。キャパシタンスの値が「0.2pF」というのは、スイッチIC10の下面を覆う金属部材が全くなく、なおかつ、スイッチIC10のIC下面10aとグランドとの間が電気的に接続されていない構成を意味する。このように電気的に接続されていない場合であっても、スイッチIC10のIC下面10aとグランドとの間には寄生容量が0.2pFだけ存在するので、キャパシタンスの最小値はこのように0.2pFとなっている。他のキャパシタンスの値は、この寄生容量0.2pFと、チップコンデンサによって実現された容量値との合計値である。たとえば図18のグラフの右側において「0.7pF」と表示されているのは、チップコンデンサによって実現された容量0.5pFと寄生容量0.2pFとの合計値として0.7pFとなっている場合の実験結果を意味する。
この実験の結果、図18に示すように、キャパシタンス20の値が小さくなるにつれて2次高調波の発生は低減することができ、「0.2pF」の場合に、2次高調波の発生は最も抑えることができた。さらに、入力パワーを26dBmに固定し、キャパシタンス値を変化させたときの2次高調波の発生度合いをグラフ化したものを、図19に示す。このグラフからすると、入力パワーの値が一定である場合に、キャパシタンス値を小さくしていくことによって、2次高調波の発生を低減できることが明らかである。
これらの結果からすると、スイッチIC10とグランドとの間に金属部材が全くなく、その結果、スイッチIC10とグランドとの間に最小限の寄生容量しか構成されていない状態のときに、2次高調波の発生は最も抑制され、良好であるといえる。
(実験4)
従来の一般的な構成では、スイッチICの下面には金属板が張り付いており、この金属板は接地されていた。スイッチICは動作することによって発熱し続けるので、熱によるスイッチICの破壊を防ぐためには、この熱が十分迅速に除去される必要がある。スイッチICの下面に張られた金属板は、放熱を促進する役割を果たしていた。したがって、スイッチICの下面から金属板をなくした構成を採用した場合に、放熱の観点から問題がないかという点が懸念される。そこで、発明者は、実施の形態2において説明した半導体パッケージ104(図11参照)において、入力パワーを変えて、挿入損失がどのように変化するかを調べた。その結果を図20に示す。
従来の一般的な構成では、スイッチICの下面には金属板が張り付いており、この金属板は接地されていた。スイッチICは動作することによって発熱し続けるので、熱によるスイッチICの破壊を防ぐためには、この熱が十分迅速に除去される必要がある。スイッチICの下面に張られた金属板は、放熱を促進する役割を果たしていた。したがって、スイッチICの下面から金属板をなくした構成を採用した場合に、放熱の観点から問題がないかという点が懸念される。そこで、発明者は、実施の形態2において説明した半導体パッケージ104(図11参照)において、入力パワーを変えて、挿入損失がどのように変化するかを調べた。その結果を図20に示す。
図20に示すように、入力パワー値が上がるにつれて2次高調波、3次高調波とも増大したが、挿入損失自体はほとんど変化せず、入力パワー値を少なくとも39dBmまで上げても破壊が起こらないことが確かめられた。このことから、スイッチICの下面から金属板をなくした構成を採用しても、放熱状態の悪化によるスイッチICの破壊は起こらず、使用可能であることがわかった。
(実施の形態3)
(構成)
図21を参照して、本発明に基づく実施の形態3における半導体パッケージ105について説明する。半導体パッケージ105の基本的な構成は、実施の形態2で説明した半導体パッケージ104と同様であるが、以下の点で異なる。
(構成)
図21を参照して、本発明に基づく実施の形態3における半導体パッケージ105について説明する。半導体パッケージ105の基本的な構成は、実施の形態2で説明した半導体パッケージ104と同様であるが、以下の点で異なる。
半導体パッケージ105においては、IC下面10aを覆う樹脂層15の代わりに、IC下面10aに接するようにスペーサ17が配置されている。スペーサ17は絶縁体からなる。スペーサ17は、接続端子12より厚いことが好ましい。
(作用・効果)
本実施の形態では、実施の形態2と同様または実施の形態2より優れた効果を得ることができる。スペーサ17は厚ければ厚いほど好ましい。その理由については後述する。スペーサ17の材質は、たとえばガリウムヒ素(GaAs)であってもよい。スペーサ17の比誘電率は低ければ低いほどよい。
本実施の形態では、実施の形態2と同様または実施の形態2より優れた効果を得ることができる。スペーサ17は厚ければ厚いほど好ましい。その理由については後述する。スペーサ17の材質は、たとえばガリウムヒ素(GaAs)であってもよい。スペーサ17の比誘電率は低ければ低いほどよい。
(実施の形態4)
(構成)
図22を参照して、本発明に基づく実施の形態4における半導体パッケージ106について説明する。半導体パッケージ106の基本的な構成は、実施の形態3で説明した半導体パッケージ105と同様であるが、以下の点で異なる。
(構成)
図22を参照して、本発明に基づく実施の形態4における半導体パッケージ106について説明する。半導体パッケージ106の基本的な構成は、実施の形態3で説明した半導体パッケージ105と同様であるが、以下の点で異なる。
半導体パッケージ106においては、IC下面10aに接するスペーサ17の下側に、リードフレーム41の一部であるIC載置部42が配置されている。
(作用・効果)
本実施の形態では、実施の形態3と同様の効果を得ることができる。その理由については後述する。本実施の形態では、リードフレーム41の一部であるIC載置部42がスイッチIC10の下方に残っていたが、IC載置部42はなくてもよい。むしろ、IC載置部42はなくした方が好ましい。
本実施の形態では、実施の形態3と同様の効果を得ることができる。その理由については後述する。本実施の形態では、リードフレーム41の一部であるIC載置部42がスイッチIC10の下方に残っていたが、IC載置部42はなくてもよい。むしろ、IC載置部42はなくした方が好ましい。
すなわち、本実施の形態の変形例として図23に示す半導体パッケージ107のようにIC載置部42を除去した形とすれば、好ましい。半導体パッケージ107では、スペーサ17の下側には凹部16が存在する。凹部16の深さは、接続端子12の厚みと同じである。このような構成は、リードフレーム41を用いて半導体パッケージ106のような構造を得た後に、エッチングなどによりリードフレーム41の一部であるIC載置部42を除去することによって得ることができる。
実施の形態3,4の原理について説明する。
まず基本的な構成として、図24に示すように、スイッチIC10の下側でIC下面10aに接するように金属板18があり、なおかつ、金属板18は接地されているモデルを考える。図24のモデルは、金属半導体(MS)接合に相当する。
まず基本的な構成として、図24に示すように、スイッチIC10の下側でIC下面10aに接するように金属板18があり、なおかつ、金属板18は接地されているモデルを考える。図24のモデルは、金属半導体(MS)接合に相当する。
図24に示すように、スイッチIC10に含まれる高抵抗Si層31の下面近傍には空乏層31aが生じる。空乏層31aの厚みは、印加されている電圧の大きさによって変動する。空乏層31aの存在は、空乏層容量Cdepをもたらす。
高抵抗Si層31と金属板18との間の容量CMSは、空乏層容量Cdepと等しい。空乏層容量Cdepは電圧依存性があるので、高調波など歪みの原因となる。CMS=Cdepであるので、歪みが生じやすい。
次に、実施の形態2,3,4のいずれかに相当する構成として、図25に示すモデルを考える。図25では、金属板18と高抵抗Si層31との間に絶縁体層36が配置されている。空乏層31aの厚みが、印加されている電圧の大きさによって変動することは、図24に示したモデルと同様である。図25のモデルは、金属絶縁体半導体(MIS)接合に相当する。金属板18は、スイッチIC10の下方に位置する何らかの導電体の存在を、検討のために仮想的に1つの金属板とみなしたものである。
図25に示したモデルでは、空乏層31aの存在によって空乏層容量Cdepがもたらされ、さらに、絶縁体層36によって絶縁体容量Cinsがもたらされる。高抵抗Si層31と金属板18との間の容量CMSは、空乏層容量Cdepと絶縁体容量Cinsとの合成容量となる。2つの容量が直列で接続されているものとみなすことができるので、以下のようになる。
CMS=CdepCins/(Cdep+Cins)
ここで、Cdep≫Cinsと仮定すると、CMS≒Cinsとなり、空乏層容量の存在が無視できるようになるので、電圧依存性がほぼ無くなる。この結果、高調波歪が低減される。
ここで、Cdep≫Cinsと仮定すると、CMS≒Cinsとなり、空乏層容量の存在が無視できるようになるので、電圧依存性がほぼ無くなる。この結果、高調波歪が低減される。
図24および図25の2通りのモデルを比較してわかるように、高抵抗Si層31の空乏層31aと接地された仮想的な金属板18との間に絶縁体層36が介在することは、高調波歪を低減することに貢献する。Cdep≫Cinsをしていたが、Cinsを小さくするためには、絶縁体層36は厚ければ厚いほどよい。実施の形態3,4においては、スイッチIC10の下側に絶縁体からなるスペーサ17が配置されていたが、これは、絶縁体層36に相当するものである。このようなスペーサ17を配置することによって、CinsをCdepに比べてきわめて小さくして、高調波歪を低減することができる。特にスペーサ17が厚ければ厚いほどよいとされるのはこのためである。絶縁体層36ないしスペーサ17の材料は、何らかの樹脂であってもよく、たとえばガラスエポキシであってもよい。
(実施の形態5)
(構成)
図26を参照して、本発明に基づく実施の形態5における半導体モジュール201について説明する。
(構成)
図26を参照して、本発明に基づく実施の形態5における半導体モジュール201について説明する。
半導体モジュール201は、主表面2uを有し、主表面2uに平行な方向に延在する板状導体7を主表面2uから内部に向かって離隔した高さの位置に備える絶縁基板2と、絶縁基板2の主表面2uに、接続端子12を介して実装された半導体パッケージ104とを備える。板状導体7は、スイッチIC10の厚み方向への投影領域を避けるように配置されている。半導体パッケージ104の接続端子12は、絶縁基板2の主表面2uに予め設けられたパッド電極6に接続されている。
(作用・効果)
本実施の形態では、絶縁基板2の内部に配置されている板状導体7が、半導体パッケージ104に含まれているスイッチIC10の厚み方向への投影領域を避けるように配置されているので、高調波の発生を抑えることができる。この効果を確認するために発明者は実験5を行なった。実験5の内容について詳しくは、後述する。
本実施の形態では、絶縁基板2の内部に配置されている板状導体7が、半導体パッケージ104に含まれているスイッチIC10の厚み方向への投影領域を避けるように配置されているので、高調波の発生を抑えることができる。この効果を確認するために発明者は実験5を行なった。実験5の内容について詳しくは、後述する。
なお、本実施の形態では、半導体モジュール201が半導体パッケージ104を備える例を示したが、絶縁基板2に実装される半導体パッケージとしては、実施の形態1〜4で説明したいずれの半導体パッケージであってよい。
(実験5)
発明者は、スイッチIC10としてDP12T(Dual Pole, 12 Throw)スイッチICを用いて、以下のような構成の試料7〜9を用意した。
発明者は、スイッチIC10としてDP12T(Dual Pole, 12 Throw)スイッチICを用いて、以下のような構成の試料7〜9を用意した。
試料7の断面図を図27に示す。試料7においては、絶縁基板2の主表面2uにパッド電極6が形成されている。スイッチIC10は、樹脂層3を介して主表面2uに接合されている。パッド電極6は、スイッチIC10の下面のほとんどの部分を避けるように配置されている。ただし、図27に示すように、試料7では、パッド電極6は、ごく一部の領域においてスイッチIC10の下面に重なっている。
試料8の断面図を図28に示す。試料8においては、絶縁基板2の主表面2uに形成されているパッド電極6が、試料7におけるパッド電極6に比べて内側に向かって延びている。したがって、パッド電極6の面積が広くなっており、逆にスイッチIC10の下面がパッド電極6に重ならない領域は狭くなっている。スイッチIC10の下面のうち、パッド電極6に重なっていないのは、中央の限られた部分のみであり、面積でいえば、スイッチIC10の下面のうち半分程度である。
試料9の断面図を図29に示す。試料9においては、パッド電極6の配置は試料7と同じである。試料7,8においては、絶縁基板2の内部に板状導体7が配置され、板状導体7がスイッチIC10の下方にも連続して延在していた。これに対して、試料9においては、絶縁基板2の内部には板状導体7が存在しない。
試料7〜9において、入力パワーの各値に対する2次高調波の発生度合いを調べた。その結果を図30に示す。
実験の結果、図30から明らかなように、ほとんどの入力パワー値において試料7〜9のうち試料9が最も2次高調波の発生度合いが小さい結果となった。特に入力パワーが30dBmのときには、試料9と試料7,8との間の差が顕著となっている。図30に表れた結果から、絶縁基板2内部においてスイッチIC10に重なる位置に板状導体7がある構成よりない構成の場合の方が、2次高調波の発生が抑えられるといえる。
(実施の形態6)
実施の形態5で示した半導体モジュール201(図26参照)は、絶縁基板2の内部に板状導体7を1層のみ備えていたが、本発明としては、絶縁基板2の内部に板状導体7以外の板状導体が全く存在してはいけないというわけではない。絶縁基板2の内部には、複数の板状導体が配置されていてもよく、板状導体7以外の板状導体が配置されていてもよい。
実施の形態5で示した半導体モジュール201(図26参照)は、絶縁基板2の内部に板状導体7を1層のみ備えていたが、本発明としては、絶縁基板2の内部に板状導体7以外の板状導体が全く存在してはいけないというわけではない。絶縁基板2の内部には、複数の板状導体が配置されていてもよく、板状導体7以外の板状導体が配置されていてもよい。
(構成)
図31を参照して、本発明に基づく実施の形態6における半導体モジュール202について説明する。半導体モジュール202においては、1枚の絶縁基板2の内部に板状導体7と板状導体7eとが互いに平行かつ離隔するように配置されている。半導体モジュール202では、絶縁基板2の内部では、板状導体7が最も主表面2uに近い側に配置されている。板状導体7は、実施の形態5で説明したように、スイッチIC10の厚み方向への投影領域を避けるように配置されている。一方、板状導体7eは、スイッチIC10の厚み方向への投影領域を避けているとは限らない。図31に示した例では、板状導体7eは、スイッチIC10の厚み方向への投影領域にも連続して延在している。
図31を参照して、本発明に基づく実施の形態6における半導体モジュール202について説明する。半導体モジュール202においては、1枚の絶縁基板2の内部に板状導体7と板状導体7eとが互いに平行かつ離隔するように配置されている。半導体モジュール202では、絶縁基板2の内部では、板状導体7が最も主表面2uに近い側に配置されている。板状導体7は、実施の形態5で説明したように、スイッチIC10の厚み方向への投影領域を避けるように配置されている。一方、板状導体7eは、スイッチIC10の厚み方向への投影領域を避けているとは限らない。図31に示した例では、板状導体7eは、スイッチIC10の厚み方向への投影領域にも連続して延在している。
(作用・効果)
本実施の形態においても、実施の形態5と同様の効果をある程度得ることができる。
本実施の形態においても、実施の形態5と同様の効果をある程度得ることができる。
本実施の形態における半導体モジュール202としては、合計2層の板状導体が絶縁基板2の内部に備わっている例を示したが、板状導体の層数は2には限らず、より多い数であってもよい。最も主表面2uに近い側に配置された板状導体を板状導体7とみなして、実施の形態5で説明したような条件が満たされていればよい。
(実施の形態7)
(構成)
図32を参照して、本発明に基づく実施の形態7における半導体モジュール203について説明する。半導体モジュール203の基本的な構成は、実施の形態5,6で説明した半導体モジュール201,202と同様であるが、以下の点で異なる。
(構成)
図32を参照して、本発明に基づく実施の形態7における半導体モジュール203について説明する。半導体モジュール203の基本的な構成は、実施の形態5,6で説明した半導体モジュール201,202と同様であるが、以下の点で異なる。
半導体モジュール203においては、板状導体7は、複数の板状導体要素71,72の集合体であり、前記複数の板状導体要素71,72の各々は、前記絶縁基板の内部の異なる複数の高さの位置にそれぞれ分散して平行に重なり合うよう配置されており、前記複数の板状導体要素71,72は全てスイッチIC10の厚み方向への投影領域を避けるように配置されている。
(作用・効果)
本実施の形態では、絶縁基板2の内部に配置されている板状導体7が、複数の板状導体要素71,72の集合体であり、複数の板状導体要素71,72の各々はいずれもスイッチIC10の厚み方向への投影領域を避けるように配置されているので、高調波の発生を抑えることができる。
本実施の形態では、絶縁基板2の内部に配置されている板状導体7が、複数の板状導体要素71,72の集合体であり、複数の板状導体要素71,72の各々はいずれもスイッチIC10の厚み方向への投影領域を避けるように配置されているので、高調波の発生を抑えることができる。
板状導体7によって、スイッチIC10の投影領域以外の領域におけるシールドの役割を果たさせようとする場合、図32に示したように板状導体7が複数の板状導体要素71,72の集合体である構成とすれば、シールド効果をより確実に得ることができる。
なお、実施の形態5〜7では、半導体モジュールが半導体パッケージ104を備える例を示したが、絶縁基板2に実装される半導体パッケージとしては、半導体パッケージ104に限らず実施の形態1〜4で説明したいずれの半導体パッケージであってよい。
なお、実施の形態5〜7で示した半導体モジュールにおいて、板状導体7が接地されていることは必須ではないが、接地されていることが好ましい。すなわち、板状導体7がグランド電極であることが好ましい。
本実施の形態では、板状導体7に2つの板状導体要素71,72が含まれている例を示したが、板状導体7に含まれる板状導体要素の数は2に限らず、より大きい数であってもよい。
なお、上記実施の形態のうち複数を適宜組み合わせて採用してもよい。
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
2 絶縁基板、2u (絶縁基板の)主表面、3 樹脂層、4 支持金属層、5 銀ペースト層、6 パッド電極、7,7e 板状導体、10 スイッチIC、10a IC下面、10b IC上面、11 (スイッチICの)電極、12 接続端子、12a,12b (接続端子の)面、13 ワイヤ、14 モールド樹脂部、15 樹脂層、16 凹部、17 スペーサ、18 金属板、20 キャパシタンス、25 投影領域、31 高抵抗Si層、31a 空乏層、32 高ドープダメージインプラント高抵抗Si層、33 埋込み酸化膜、34 Si層、35 構造層、36 絶縁体層、41 リードフレーム、42 IC載置部、43 IC載置部支持部、44 接続端子支持部、71,72 板状導体要素、101,102,103,104,105,106,107 半導体パッケージ、201,202,203 半導体モジュール。
Claims (7)
- 電極が配置されたIC上面および電極が配置されていないIC下面を有する高出力用のスイッチICと、
前記スイッチICの厚み方向への投影領域から側方に外れた位置に形成された接続端子と、
前記電極と前記接続端子とを電気的に接続するワイヤと、
前記IC上面および前記ワイヤを覆い、前記接続端子の前記ワイヤが接続する側の面を覆うモールド樹脂部とを備え、
前記接続端子の前記ワイヤが接続する側の面とは反対側の面は前記モールド樹脂部に覆われずに露出し、
前記IC下面は金属に覆われていない、半導体パッケージ。 - 前記IC下面は高抵抗Si層によって構成されている、請求項1に記載の半導体パッケージ。
- 前記IC下面は樹脂によって覆われている、請求項1または2に記載の半導体パッケージ。
- 前記スイッチICは、SOIを用いたものである、請求項1から3のいずれかに記載の半導体パッケージ。
- 主表面を有し、前記主表面に平行な方向に延在する板状導体を前記主表面から内部に向かって離隔した高さの位置に備える絶縁基板と、
前記絶縁基板の前記主表面に、前記接続端子を介して実装された請求項1から4のいずれかに記載の半導体パッケージとを備え、
前記板状導体は、前記スイッチICの厚み方向への投影領域を避けるように配置されている、半導体モジュール。 - 前記板状導体は、複数の板状導体要素の集合体であり、前記複数の板状導体要素の各々は、前記絶縁基板の内部の異なる複数の高さの位置にそれぞれ分散して平行に重なり合うよう配置されており、前記複数の板状導体要素は全て前記スイッチICの厚み方向への投影領域を避けるように配置されている、請求項5に記載の半導体モジュール。
- 前記板状導体は接地されている、請求項5または6に記載の半導体モジュール。
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