JP2015213129A - インプリント方法、インプリント装置及び物品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】モールドと基板とのアライメントに有利な技術を提供する。【解決手段】基板上のインプリント材を、パターン領域を有するモールドで成形するインプリント方法であって、前記パターン領域の実形状との設計形状との第１ずれ量を取得する第１工程Ｓ１０１と、前記基板に形成されている基板パターンの実形状との設計形状との第２ずれ量を取得する第２工程Ｓ１０２と、設計形状に対して実形状の拡大方向のずれ量を正とし、前記第１ずれ量と前記第２ずれ量との大小関係を判定する第３工程Ｓ１０３と、前記第３工程で前記第２ずれ量が前記第１ずれ量よりも大きいと判定した場合に、前記モールドと前記基板との熱膨張係数差によるの変形量差によって前記パターン領域の実形状と前記基板パターンの実形状との差が低減するように、前記モールド、前記基板及び前記モールドと前記基板との間の空間の少なくとも１つの温度を調整する第４工程と、を有する。【選択図】図３

Description

本発明は、インプリント方法、インプリント装置及び物品の製造方法に関する。

インプリント技術は、ナノスケールの微細なパターンの転写を可能にする技術であり、半導体デバイスや磁気記憶媒体などの量産用リソグラフィ技術の１つとして注目されている。インプリント技術を用いたインプリント装置は、パターンが形成されたモールド（原版）と基板上の樹脂（インプリント材）とを接触させた状態で樹脂を硬化させ、硬化させた樹脂からモールドを剥離（離型）することで基板上にパターンを転写する。

このようなインプリント装置では、モールドと基板とを適切に整列させること、所謂、モールドと基板とのアライメント（位置合わせ）が重要となる。従って、モールド及び基板のそれぞれには、アライメントマークが設けられている。基板に対するモールドの位置ずれ（不整列）は、基板に転写されるパターンに誤差（パターン誤差）を生じさせることになる。

そこで、インプリント装置では、例えば、モールドの製造誤差に起因するパターン誤差を低減するために、アクチュエータでモールドの側面を圧縮変形させて重ね合わせ精度を向上させる技術が提案されている（特許文献１参照）。また、インプリント装置に先行する露光装置では、モールドに相当するレチクルを温調してレチクルを積極的に伸縮させることで、工程内で生じる配列誤差を軽減させる技術も提案されている（特許文献２参照）。

特表２００８−５０４１４１号公報 特開昭６１−２８７２３０号公報

しかしながら、モールドの側面を圧縮変形させる技術では、モールドの変形量には制限（限界）があるため、それ以上にモールドを変形させる必要がある場合、基板に対してモールドの形状を補正しきれずに高精度な重ね合わせを実現することができない。更に、圧縮による変形は、モールドを縮小させることしかできないため、モールドを拡大させる補正が必要な場合に適用することができない。

また、インプリント装置では、モールドと基板とが樹脂を介して接触しているため、露光装置の技術を適用してレチクルに相当するモールドを温調した場合、基板側まで温調の影響を受けることになる。従って、露光装置の技術を単純にインプリント装置に転用することができない。

本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、モールドと基板とのアライメントに有利な技術を提供することを例示的目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント方法は、基板上のインプリント材を、パターンが形成されたパターン領域を有するモールドで成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント方法であって、前記パターン領域の実形状と前記パターン領域の設計形状との第１ずれ量を取得する第１工程と、前記基板に形成されている基板パターンの実形状と前記基板パターンの設計形状との第２ずれ量を取得する第２工程と、設計形状に対して実形状の拡大方向のずれ量を正とし、前記第１ずれ量と前記第２ずれ量との大小関係を判定する第３工程と、前記第３工程で前記第２ずれ量が前記第１ずれ量よりも大きいと判定した場合に、前記モールドと前記基板との熱膨張係数差による前記モールドと前記基板との変形量差によって前記パターン領域の実形状と前記基板パターンの実形状との差が低減するように、前記モールド、前記基板及び前記モールドと前記基板との間の空間の少なくとも１つの温度を調整する第４工程と、を有することを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、モールドと基板とのアライメントに有利な技術を提供することができる。

本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す図である。 図１に示すインプリント装置におけるモールド及び変形部の構成を示す図である。 図１に示すインプリント装置１の動作を説明するためのフローチャートである。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

図１は、本発明の一側面としてのインプリント装置１の構成を示す図である。インプリント装置１は、半導体デバイスなどの製造工程で使用されるリソグラフィ装置である。インプリント装置１は、基板上のインプリント材を、パターンが形成されたパターン領域を有するモールド（原版）で成形して基板上にパターンを形成する。本実施形態では、インプリント材として樹脂を使用し、樹脂硬化法として、光（紫外線）の照射によって樹脂（紫外線硬化型樹脂）を硬化させる光硬化法を採用する。

インプリント装置１は、モールド２を保持するモールド保持部３と、基板４を保持する基板保持部５と、マーク検出系６と、変形部７と、制御部８と、基板上に樹脂を供給するためのディスペンサを含む樹脂供給部９とを有する。また、インプリント装置１は、第１温調部１２と、第２温調部１３と、調整部１８とを有する。更に、インプリント装置１は、モールド保持部３を保持するためのブリッジ定盤（不図示）、基板保持部５を保持するためのベース定盤（不図示）なども有する。

モールド２は、基板４（の上の樹脂）に転写すべきパターンが３次元形状に形成されたパターン領域１６を含む。モールド２は、基板上の樹脂を硬化させるための光やマーク検出系６で使用する光を透過する材料（例えば、石英ガラスなど）で構成される。また、モールド２、詳細には、パターン領域１６には、モールド側マーク１０が設けられている。本実施形態では、モールド側マーク１０は、図２に示すように、パターン領域１６の周囲に設けられている。

モールド保持部３は、モールド２を保持する保持機構である。モールド保持部３は、モールド２を真空吸着又は静電吸着するモールドチャック、モールドチャックを載置するモールドステージ、モールドステージを駆動する（移動させる）駆動系などを含む。かかる駆動系は、モールドステージ（即ち、モールド２）を少なくともＺ軸方向（基板上の樹脂にモールド２を押印する際の押印方向）に駆動する。また、かかる駆動系は、Ｚ軸方向だけではなく、Ｚ軸と直交する平面内で互いに直交するＸ軸方向及びＹ軸方向やＺ軸周りの回転方向であるθ方向にモールドステージを駆動する機能を備えていてもよい。

基板４は、モールド２のパターンが転写される基板であって、例えば、単結晶シリコンウエハやＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハなどを含む。基板４には、樹脂供給部９によって樹脂が供給（塗布）される。また、基板上の複数のショット領域のそれぞれには、基板側マーク１１が設けられている。

基板保持部５は、基板４を保持する保持機構である。基板保持部５は、基板４を真空吸着又は静電吸着する基板チャック、基板チャックを載置する基板ステージ、基板ステージを駆動する（移動させる）駆動系などを含む。かかる駆動系は、基板ステージ（即ち、基板４）を少なくともＸ軸方向及びＹ軸方向（モールド２の押印方向に直交する方向）に駆動する。また、かかる駆動系は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向だけではなく、Ｚ軸方向及びθ（Ｚ軸周りの回転）方向に基板ステージを駆動する機能を備えていてもよい。

マーク検出系６は、モールド２に設けられたモールド側マーク１０と、基板上の複数のショット領域のそれぞれに形成された基板側マーク１１とを光学的に検出（観察）するスコープで構成される。また、マーク検出系６は、モールド側マーク１０と基板側マーク１１との相対位置を検出することができればよい。従って、マーク検出系６は、２つのマークを同時に撮像するための光学系を含むスコープで構成してもよいし、２つのマークの干渉信号やモアレなどの相乗効果による信号を検出するためのスコープで構成してもよい。また、マーク検出系６は、モールド側マーク１０と基板側マーク１１とを同時に検出できなくてもよい。例えば、マーク検出系６は、内部に配置された基準位置に対するモールド側マーク１０及び基板側マーク１１のそれぞれの位置を求めることで、モールド側マーク１０と基板側マーク１１との相対位置を検出してもよい。また、マーク検出系６は、後述するように、制御部８と協同して、モールド２のパターン領域１６の実形状と設計形状とのずれ量や基板４に形成されている基板パターンの実形状と設計形状とのずれ量を取得する取得部として機能する。

変形部７は、モールド２のパターン領域１６を変形させて補正する補正機構である。変形部７は、モールド２の側面に力を付与してモールド２を圧縮して、パターン領域１６を変形させる。本実施形態では、変形部７は、図２に示すように、モールド２の側面を把持する把持部７ａと、モールド２の側面に向かう方向に把持部７ａを駆動するアクチュエータ７ｂとで構成される。

第１温調部１２は、モールド保持部３に設けられ、モールド２の温度を調整（制御）する機能を有する。第１温調部１２は、制御部８の制御下において、モールド２の温度を調整してモールド２を膨張又は拡大させることで、パターン領域１６を変形させる。

第２温調部１３は、基板保持部５に設けられ、基板４の温度を調整（制御）する機能を有する。第２温調部１３は、制御部８の制御下において、基板４の温度を調整して基板４を膨張又は拡大させることで、基板上のショット領域に形成されている基板（下地）パターンを変形させる。

調整部１８は、モールド２と基板４との間の空間ＳＰの温度を調整（制御）する機能を有する。調整部１８は、制御部８の制御下において、空間ＳＰの温度を調整することでモールド２と基板４の両方の温度を変化させる。これにより、モールド２及び基板４を膨張又は拡大させ、モールド２のパターン領域１６及び基板上のショット領域に形成されている下地パターンを変形させる。調整部１８は、例えば、気体を温調する温調機構１４と、かかる温調機構１４で温調された気体を空間ＳＰに供給する（噴き出す）供給口１５とで構成される。

制御部８は、ＣＰＵやメモリなどを含み、インプリント装置１の全体（インプリント装置１の各部）を制御する。制御部８は、本実施形態では、インプリント処理及びそれに関連する処理を制御する。例えば、制御部８は、インプリント処理を行う際に、マーク検出系６の検出結果に基づいて、モールド２と基板４とのアライメント（位置合わせ）を行う。また、制御部８は、インプリント処理を行う際に、変形部７によるモールド２のパターン領域１６の変形（変形量）を制御する。また、制御部８は、インプリント処理を行う際に、第１温調部１２、第２温調部１３及び調整部１８による温度の調整を制御する。

図３を参照して、インプリント装置１の動作、即ち、本実施形態におけるインプリント方法について説明する。かかる動作は、上述したように、制御部８がインプリント装置１の各部を統括的に制御することで行われる。ここでは、モールド２と基板４とのアライメントとして、特に、モールド２の製造誤差や基板４に形成される下地パターンの誤差などに起因するモールド２と基板４との倍率差（形状差）の補正について説明する。

Ｓ１０１では、モールド２のパターンの設計値に対する誤差量、即ち、モールド２のパターン領域１６の実形状とパターン領域１６の設計形状との第１ずれ量を取得する。例えば、モールド側マーク１０をマーク検出系６で検出し、モールドステージのステージ座標でマーク検出系６の検出領域を換算することで、モールド２のパターン領域１６のずれ量、即ち、第１ずれ量を取得することが可能である。この際、ずれ量は拡大や縮小などのパターン全体の大きさ（倍率）のずれを表し、パターン領域１６の設計形状に対して実形状の拡大方向のずれ量を正とする。

Ｓ１０２では、基板４に形成されている下地パターンの設計値に対する誤差量、即ち、基板上の下地パターンの実形状と下地パターンの設計形状との第２ずれ量を取得する。例えば、基板側マーク１１をマーク検出系６で検出し、基板ステージのステージ座標でマーク検出系６の検出領域を換算することで、基板上の下地パターンのずれ量、即ち、第２ずれ量を取得することが可能である。この際、ずれ量は拡大や縮小などのパターン全体の大きさ（倍率）のずれを表し、基板上の下地パターンの設計形状に対して実形状の拡大方向のずれ量を正とする。

Ｓ１０３では、Ｓ１０１で取得した第１ずれ量がＳ１０２で取得した第２ずれ量よりも大きいかどうか（第１ずれ量＞第２ずれ量）、即ち、第１ずれ量と第２ずれ量との大小関係を判定する。第２ずれ量が第１ずれ量よりも大きい場合には、Ｓ１０４に移行し、第１ずれ量が第２ずれ量よりも大きい場合には、Ｓ１０５に移行する。

ここで、Ｓ１０２で取得した第２ずれ量（下地パターンの設計値に対する誤差量）がＳ１０１で取得した第１ずれ量（モールド２のパターンの設計値に対する誤差量）よりも大きい場合、基板側（下地パターン）が拡大された状態であることを意味する。従って、モールド２と基板４とを同じ倍率に補正して、モールド２と基板４とを正しくアライメントするためには、モールド２（パターン領域１６）を拡大させるか、基板４（下地パターン）を縮小させなければならない。但し、変形部７は、上述したように、モールド２を圧縮させているため、モールド２（パターン領域１６）を縮小させることはできるが、拡大させることはできない。

Ｓ１０４では、調整部１８によって、モールド２と基板４との間の空間ＳＰの温度を調整する（空間ＳＰの温度を下げる）。モールド２の材料として一般的に用いられる石英ガラスは、線膨張係数が０．５１ｐｐｍであるのに対して、基板４の材料として一般的に用いられるシリコンは、線膨張係数が２．６ｐｐｍである。従って、モールド２及び基板４の両方を同等に冷却すると、その温度降下に対して、基板４がモールド２の約５倍収縮する。換言すれば、基板４、即ち、基板上の下地パターンがモールド２のパターン領域１６よりも収縮し、Ｓ１０１で取得した第１ずれ量とＳ１０２で取得した第２ずれ量との差分を補正することができる。なお、第１ずれ量をａ、第２ずれ量をｂ、モールド２の熱膨張係数をｃ、基板４の熱膨張係数をｄとすると、調整部１８による調整温度Ｔは、Ｔ＝−（（ａ−ｂ）／（ｃ−ｄ））で規定される。このように、Ｓ１０４では、モールド２と基板４との熱膨張係数差によるモールド２と基板４との変形量差によってパターン領域１６の実形状と下地パターンの実形状との差が低減するように、モールド２と基板４との間の空間ＳＰの温度を調整する。また、Ｓ１０４では、モールド２と基板４との間の空間ＳＰの温度を調整する代わりに、第１温調部１２によってモールド２の温度を調整し、又は、第２温調部１３によって基板４の温度を調整してもよい。また、モールド２と基板４との間の空間ＳＰの温度を調整するとともに、モールド２や基板４の温度を調整してもよい。換言すれば、モールド２、基板４、及び、モールド２と基板４との間の空間ＳＰの少なくとも１つの温度を調整すればよい。また、モールド２や基板４の温度は、第１温調部１２や第２温調部１３に限らず、インプリント装置１の外部の調整部によって調整されてもよい。

一方、第１ずれ量が第２ずれ量よりも大きい場合には、モールド側（パターン領域１６）が拡大された状態であることを意味する。従って、モールド２と基板４とを同じ倍率に補正して、モールド２と基板４とを正しくアライメントするためには、モールド２（パターン領域１６）を縮小させる必要がある。この場合、変形部７によってモールド２を圧縮させてパターン領域１６を縮小させればよい。但し、モールド２の材料である石英ガラスは、ポアソン比が小さく、圧縮によって変形させることが難しい。従って、変形部７によってモールド２のパターン領域１６の変形可能な量には制限があり、その制限量よりも必要となるパターン領域１６の変形量が大きい場合には、変形部７によるパターン領域１６の変形だけでは足りないことがある。

Ｓ１０５では、変形部７によるパターン領域１６の変形の制限量がＳ１０１で取得した第１ずれ量とＳ１０２で取得した第２ずれ量との差よりも大きいかどうか（制限量＞第１ずれ量−第２ずれ量）を判定する。換言すれば、Ｓ１０５では、モールド２を圧縮することによるパターン領域１６の変形の制限量と、第１ずれ量と第２ずれ量との差との大小関係を判定する。ここで、第１ずれ量と第２ずれ量との差が補正に必要となるモールド２のパターン領域１６の変形量であるため、かかる変形量が制限量よりも大きい場合には、基板４を拡大させなければならない。

Ｓ１０６では、調整部１８によって、モールド２と基板４との間の空間ＳＰの温度を調整する（空間ＳＰの温度を上げる）。Ｓ１０６でも、モールド２と基板４との熱膨張係数差によって、モールド２及び基板４の両方を同等に加熱すると、その温度上昇に対して、基板４がモールド２の約５倍拡大する。従って、補正に必要となるモールド２のパターン領域１６の変形量が変形部７によるパターン領域１６の変形の制限量よりも大きい場合、その不足分を調整部１８による空間ＳＰの温度調整で補填することが可能となる。このように、Ｓ１０６では、モールド２と基板４との熱膨張係数差によるモールド２と基板４との変形量差によってパターン領域１６の実形状と下地パターンの実形状との差が低減するように、モールド２と基板４との間の空間ＳＰの温度を調整する。

Ｓ１０７では、変形部７によって、モールド２のパターン領域１６の実形状と下地パターンの実形状との差が低減するように、モールド２を圧縮してパターン領域１６を変形させる。

Ｓ１０８では、モールド２のパターン領域１６の形状と下地パターンの形状との差が許容範囲内であるかどうかを判定する。モールド２のパターン領域１６の形状と下地パターンの形状との差が許容範囲内でない場合には、Ｓ１０９に移行する。モールド２のパターン領域１６の形状と下地パターンの形状との差が許容範囲内である場合には、Ｓ１１０に移行する。

Ｓ１０９では、モールド２のパターン領域１６の形状と下地パターンの形状との差が許容範囲内でない、即ち、インプリント処理を行うことができない旨のエラーを通知する。

Ｓ１１０では、インプリント処理を行う。インプリント処理では、まず、樹脂供給部９によって供給された基板上の樹脂にモールド２を接触させる。そして、かかる状態で、モールド２を介して樹脂に光を照射し、かかる樹脂を硬化させる。次いで、基板上の硬化した樹脂からモールド２を剥離する。これにより、基板上のショット領域に、モールド２のパターンに対応する３次元形状の樹脂のパターンが形成される。これらの工程（インプリント処理）を、基板上のショット領域を変更しながら繰り返すことで、基板４の全面、即ち、基板４の全てのショット領域に樹脂のパターンを形成することができる。

インプリント装置１によれば、基板４が拡大した場合であっても、モールド２と基板４との間の空間ＳＰの温度を調整することで、モールド２のパターン領域１６の形状と基板４に形成されている下地パターンの形状との差を低減させることができる。また、変形部７によるモールド２のパターン領域１６の変形の制限量よりも必要となるパターン領域１６の変形量が大きい場合には、モールド２と基板４との間の空間ＳＰの温度を調整することで、変形部７で補正しきれない変形量を補填することができる。従って、インプリント装置１は、基板４（下地パターン）に対してモールド２（パターン領域１６）の形状を高い精度で補正することができ、高精度な重ね合わせを実現することができる。

また、本実施形態では、インプリント装置１において、マーク検出系６を用いてモールド２のパターンや基板４に形成されている下地パターンの設計値に対する誤差量を求めている。但し、インプリント装置１の外部の装置（計測装置など）によってモールド２のパターンや基板４に形成されている下地パターンの設計値に対する誤差量を求め、かかる誤差量をインプリント装置１（制御部８）が取得するようにしてもよい。更には、調整部１８によって調整すべきモールド２と基板４との間の空間ＳＰの温度もインプリント装置１の外部の装置（情報処理装置など）によって求めるようにしてもよい。

インプリント処理においては、モールド２と基板４との間にインプリント材である樹脂が存在するため、モールド２と基板４との間の空間ＳＰの温度を調整する際には、かかる樹脂の温度も空間ＳＰの温度と同じ温度に調整するとよい。この場合、樹脂供給部９に樹脂の温度を調整する温調機構を設け、制御部８の制御下において、樹脂供給部９から基板４に供給される樹脂の温度を調整する。樹脂供給部９から基板４に供給される樹脂の温度を調整することで、かかる樹脂がモールド２及び基板４に接触する際の温度変化を低減させることができるため、重ね合わせ精度を更に向上させることができる。

物品としてのデバイス（半導体デバイス、磁気記憶媒体、液晶表示素子等）の製造方法について説明する。かかる製造方法は、インプリント装置１を用いてパターンを基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）に形成する工程を含む。かかる製造方法は、パターンを形成された基板を処理する工程を更に含む。当該処理ステップは、当該パターンの残膜を除去するステップを含みうる。また、当該パターンをマスクとして基板をエッチングするステップなどの周知の他のステップを含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

１：インプリント装置 ６：マーク検出系 ７：変形部 ８：制御部 １８：調整部

Claims (10)

1. 基板上のインプリント材を、パターンが形成されたパターン領域を有するモールドで成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント方法であって、
   前記パターン領域の実形状と前記パターン領域の設計形状との第１ずれ量を取得する第１工程と、
   前記基板に形成されている基板パターンの実形状と前記基板パターンの設計形状との第２ずれ量を取得する第２工程と、
   設計形状に対して実形状の拡大方向のずれ量を正とし、前記第１ずれ量と前記第２ずれ量との大小関係を判定する第３工程と、
   前記第３工程で前記第２ずれ量が前記第１ずれ量よりも大きいと判定した場合に、前記モールドと前記基板との熱膨張係数差による前記モールドと前記基板との変形量差によって前記パターン領域の実形状と前記基板パターンの実形状との差が低減するように、前記モールド、前記基板及び前記モールドと前記基板との間の空間の少なくとも１つの温度を調整する第４工程と、
   を有することを特徴とするインプリント方法。
2. 前記第３工程で前記第１ずれ量が前記第２ずれ量よりも大きいと判定した場合に、前記モールドを圧縮することによる前記パターン領域の変形の制限量と前記第１ずれ量と前記第２ずれ量との差との大小関係を判定する第５工程と、
   前記第５工程で前記第１ずれ量と前記第２ずれ量との差が前記制限量よりも大きいと判定した場合に、前記熱膨張係数差による前記モールドと前記基板との変形量差によって前記パターン領域の実形状と前記基板パターンの実形状との差が低減するように、前記モールドと前記基板との間の空間の温度を調整する第６工程と、
   を更に有することを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
3. 前記第６工程の後、前記パターン領域の実形状と前記基板パターンの実形状との差が低減するように、前記モールドを圧縮して前記パターン領域を変形させる工程を更に有することを特徴とする請求項２に記載のインプリント方法。
4. 前記第５工程で前記制限量が前記第１ずれ量と前記第２ずれ量との差よりも大きいと判定した場合に、前記モールドを圧縮して前記パターン領域を変形させる工程を更に有することを特徴とする請求項２に記載のインプリント方法。
5. 前記モールドと前記基板との間の空間の温度に基づいて、前記インプリント材の温度を調整する工程を更に有することを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載のインプリント方法。
6. 基板上のインプリント材を、パターンが形成されたパターン領域を有するモールドで成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
   前記パターン領域の実形状と前記パターン領域の設計形状との第１ずれ量、及び、前記基板に形成されている基板パターンの実形状と前記基板パターンの設計形状との第２ずれ量を取得する取得部と、
   前記モールド、前記基板及び前記モールドと前記基板との間の空間の少なくとも１つの温度を調整する調整部と、
   設計形状に対する実形状の拡大方向のずれ量を正とし、前記第２ずれ量が前記第１ずれ量よりも大きい場合に、前記モールドと前記基板との熱膨張係数差による前記モールドと前記基板との変形量差によって前記パターン領域の実形状と前記基板パターンの実形状との差が低減するように、前記調整部による温度の調整を制御する制御部と、
   を有することを特徴とするインプリント装置。
7. 前記モールドを圧縮して前記パターン領域を変形させる変形部を更に有し、
   前記制御部は、前記第１ずれ量が前記第２ずれ量よりも大きく、且つ、前記第１ずれ量と前記第２ずれ量との差が前記変形部による前記パターン領域の変形の制限量よりも大きい場合に、前記パターン領域の実形状と前記基板パターンの実形状との差が低減するように、前記調整部による温度の調整、及び、前記変形部による前記パターン領域の変形を制御することを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。
8. 前記取得部は、前記モールドに設けられたマークを検出して前記パターン領域の実形状を計測し、前記基板に設けられたマークを検出して前記基板パターンの実形状を計測するマーク検出系を含むことを特徴とする請求項６又は７に記載のインプリント装置。
9. 前記取得部は、前記インプリント装置の外部の装置で求められた前記第１ずれ量及び前記第２ずれ量を取得することを特徴とする請求項６又は７に記載のインプリント装置。
10. 請求項６乃至９のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
    前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
    を含むことを特徴とする物品の製造方法。

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