JP2015211550A - 半導体装置及びこれを用いた電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体素子1と、半導体素子1と接続される高電位側電極2と、半導体素子1と接続される低電位側電極3とを備える半導体装置であって、高電位側電極2の一部である高電位側端子部22と、低電位側電極3の一部である低電位側端子部33とが、半導体装置の互いに対向する側面S1,S2から延出され、半導体装置の平面視において、高電位側端子部の中心と低電位側端子部の中心を結んだ直線が、半導体装置の中心から半導体装置の側面に伸ばした中心線と交わる。
【選択図】図1
Description
本発明の第1実施形態では、1つ半導体素子が1パッケージ化された1in1タイプ半導体装置及びこれを用いた電力変換装置を説明する。本発明の第1実施形態に係る半導体装置は、図1〜図4に示すように、電力変換用半導体素子(半導体チップ)1と、電力変換用半導体素子1と電気的に接続された高電位側電極(ドレイン電極)2と、電力変換用半導体素子1と電気的に接続された低電位側電極(ソース電極)3とを備える。
本発明の第2実施形態に係る電力変換装置は、図5に示すように、1in1タイプの半導体装置100a,100bを2個配置して構成される。なお、本発明の第2実施形態に係る電力変換装置は、更に複数個(3個以上)の半導体装置で構成してもよい。
本発明の第3実施形態に係る電力変換装置は、図7に示すように、1in1タイプの半導体装置100a,100bを2個配置して構成される。なお、本発明の第2実施形態に係る電力変換装置は、更に複数個(3個以上)の半導体装置で構成してもよい。
上記のように、本発明は第1〜第3実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
2:高電位側電極
3:低電位側電極
8:スイッチング制御用信号端子
9:低電位測定用信号端子
10:電流測定用信号端子
11:高電位測定用信号端子
12:電子材料
13:電子材料用信号端子
14,15:延出部
16,17:ねじ穴
18:樹脂
21:搭載部
22:高電位側端子
31:接続部
32:低電位側端子部
41〜44,41a,41b,42a,42b,44a,44b:ワイヤ
100,100a,100b:半導体装置
102a,102b:ねじ
103:電力変換装置
104:制御回路
105:モータ
Claims (13)
- 半導体素子と、
前記半導体素子と接続される高電位側電極と、
前記半導体素子と接続される低電位側電極とを備える半導体装置であって、
前記高電位側電極の一部である高電位側端子部と、前記低電位側電極の一部である低電位側端子部とが、前記半導体装置の互いに対向する側面から延出され、
前記半導体装置の平面視において、前記高電位側端子部の中心と前記低電位側端子部の中心を結んだ直線が、前記半導体装置の中心から前記半導体装置の前記側面に伸ばした中心線と交わることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体素子はスイッチング動作を制御するスイッチング制御用信号端子を有し、
前記スイッチング制御用信号端子は前記低電位側端子部と並列に、前記半導体装置の前記中心線に近い側に配置される
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記半導体素子は前記低電位側電極の電位を測定する低電位測定用信号端子を有し、
前記低電位測定用信号端子は前記低電位側端子部と並列に、前記半導体装置の前記中心線に近い側に配置される
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 前記半導体素子は前記低電位側電極に流れる電流を測定する電流測定用信号端子を有し、
前記電流測定用信号端子は前記低電位側端子部と並列に、前記半導体装置の前記中心線に近い側に配置される
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記半導体素子は前記高電位側電極の電位を測定する高電位測定用信号端子を有し、
前記高電位測定用信号端子は前記高電位側端子部と並列に、前記半導体装置の前記中心線に近い側に配置される
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記半導体素子とは別個の電子材料を更に備え、
前記電子材料は電子材料用信号端子を有し、
前記電子材料用信号端子は前記半導体装置の前記低電位側端子部又は前記高電位側端子部と並列に、前記半導体装置の前記中心線に近い側に配置される
ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記高電位側端子部と前記低電位側端子部は延出部をそれぞれ有し、
前記高電位側端子部の前記延出部は前記高電位側端子部の中心から前記半導体装置の前記中心線のない側に延出され、
前記低電位側端子部の前記延出部は前記低電位側端子部の中心から前記半導体装置の前記中心線のない側に延出される
ことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記高電位側端子部と前記低電位側端子部はねじ穴をそれぞれ有し、
前記高電位側端子部の前記ねじ穴の中心は前記高電位側端子部の中心から前記半導体装置の前記中心線のない側に配置され、
前記低電位側端子部の前記ねじ穴の中心は前記低電位側端子部の中心から前記半導体装置の前記中心線のない側に配置される
ことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記高電位側電極及び前記低電位側電極の少なくとも一部が前記半導体素子を挟むように互いに対面し、
前記半導体素子、前記高電位側電極の一部、及び前記低電位側電極の一部が樹脂封止されている
ことを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記低電位側端子部と並列に、前記半導体装置の前記中心線に近い側に配置され、スイッチング動作を制御するスイッチング制御用信号端子と、
前記低電位側端子部と並列に、前記半導体装置の前記中心線に近い側に配置され、前記低電位側電極の電位を測定する低電位測定用信号端子と、
前記低電位側端子部と並列に、前記半導体装置の前記中心線に近い側に配置され、前記低電位側電極に流れる電流を測定する電流測定用信号端子と、
前記高電位側端子部と並列に、前記半導体装置の前記中心線に近い側に配置され、前記高電位側電極の電位を測定する高電位測定用信号端子と、
前記半導体装置の前記低電位側端子部又は前記高電位側端子部と並列に、前記半導体装置の前記中心線に近い側に配置され、前記半導体素子とは別個の電子材料に接続される電子材料用信号端子とを更に有し、
前記スイッチング制御用信号端子、前記低電位測定用信号端子、前記電流測定用信号端子、前記高電位測定用信号端子及び前記電子材料用信号端子のそれぞれの少なくとも一部が、前記半導体装置の平面視に対して垂直方向に折れ曲がっていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記スイッチング制御用信号端子、前記低電位測定用信号端子、前記電流測定用信号端子、前記高電位測定用信号端子及び前記電子材料用信号端子のそれぞれの少なくとも一部が、前記低電位側端子部又は前記高電位側端子部のうち並列している一方に近い位置で、前記半導体装置の平面視に対して垂直方向に折れ曲がっていることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。
- 請求項1〜11のいずれか1項に記載の半導体装置を複数有し、
前記複数の半導体装置が、前記低電位側端子部同士を隣接し、且つ前記高電位側端子部同士を隣接して配置されることを特徴とする電力変換装置。 - 請求項1〜11のいずれか1項に記載の半導体装置を複数有し、
前記複数の半導体装置が、前記低電位側端子部と前記高電位側端子部を互いと並列にて配置されることを特徴とする電力変換装置。
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