JP2015211166A - 半導体受光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】拡張型InGaAs受光素子のような格子定数を変化させるためのバッファ層を必要とせず、InP基板上に形成した2μm付近の波長領域で動作可能な半導体受光素子及び半導体受光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】InP基板1と、InP基板1の構成材料であるInPに対して圧縮歪み構造を有し、Sbの組成比xが0<x≦0.2を満たす、InGaAsSb光吸収層7と、InGaAsSb光吸収層7で発生した信号を増幅する、アンドープ半導体によって形成された、なだれ増倍層4とを備え、InGaAsSb光吸収層7のInPに対する圧縮歪みyは0%<y≦1.5%を満たし、膜厚が15nm以上である半導体受光素子。前記半導体受光素子を結晶成長させる工程において、InGaAsSb光吸収層7を結晶成長させる際に用いるSb原料としてトリスジメチルアミノアンチモンを用い、温度400℃から500℃の雰囲気で結晶成長させる。
【選択図】図2
【解決手段】InP基板1と、InP基板1の構成材料であるInPに対して圧縮歪み構造を有し、Sbの組成比xが0<x≦0.2を満たす、InGaAsSb光吸収層7と、InGaAsSb光吸収層7で発生した信号を増幅する、アンドープ半導体によって形成された、なだれ増倍層4とを備え、InGaAsSb光吸収層7のInPに対する圧縮歪みyは0%<y≦1.5%を満たし、膜厚が15nm以上である半導体受光素子。前記半導体受光素子を結晶成長させる工程において、InGaAsSb光吸収層7を結晶成長させる際に用いるSb原料としてトリスジメチルアミノアンチモンを用い、温度400℃から500℃の雰囲気で結晶成長させる。
【選択図】図2
Description
本発明は、半導体受光素子に関し、詳しくは、2μm付近の波長領域で動作する半導体受光素子に関するものである。
排出ガスによる環境汚染の防止のためにはガス濃度の正確な計測が必要である。このガス濃度計測方法として、ガスの吸収線による光吸収を用いた方法が注目を集めている。このガス吸収線による光吸収を用いたガス計測は、リアルタイムでの計測、遠隔での計測ができ、さらにガスの同位体までも特定できるという特徴があり、様々なガス計測システムへ応用されている。ガス吸収線は、ガス分子を構成する原子間の結合力に起因した振動や回転のエネルギーに対応した波長の光が吸収される現象によるものであり、ガス吸収線の波長はそれぞれのガスに固有のものとなる。2μm付近の波長領域には、環境汚染に関係するCO2、CH4、N2O、HCl、NH3、COなどのガスの強度の大きな吸収線が存在するため、吸収線を用いたガス計測で重要な波長領域である。
この2μm付近の波長領域で動作する光源に関しては、InP基板に用いた半導体レーザで単一波長光源が実用化されている。一方、受光素子に関しては、基板に格子整合する条件で2μm付近のバンドギャップに対応する波長を持つ材料がないため、バンドギャップに対応する波長が長く3μm付近にあるPbSを光吸収層とする光導電型受光素子を用いられていた。しかしながら、光導電型受光素子は応答速度が遅いため、近年は応答速度が速い拡張型InGaAs受光素子などの光起電力型受光素子が用いられることが多い。
図7は、拡張型InGaAs受光素子の層構成を模式的に示した図である。図7では、n型InP基板18の上にAs組成を段階的に増加させたInAsPバッファ層19、InGaAs光吸収層20、InAsP窓層21からなる拡張型InGaAs受光素子の層構造を模式的に示したものである。InGaAsは、InPと格子整合する条件でのIn組成比が約0.53であり、この場合のバンドギャップ波長は約1.67μmである。このため、InPに格子整合するInGaAsを光吸収層に用いた受光素子では、1.7μm以上の波長の光は検出することが困難である。拡張型InGaAs受光素子では、1.7μm以上の波長光の検出できるようにするためにAs組成を段階的に増加させたInAsPバッファ層19を用いることでInP基板から離れるに従ってInAsPバッファ層の格子定数が大きくなるように設計してある。InAsPバッファ層の最上層とほぼ格子整合する条件において、InGaAs光吸収層20はそのIn組成比を0.8近くまで増やすことが可能であり、これにより2.5μm近い波長の光が検出可能になっている。この拡張型InGaAs受光素子は、InAsPバッファ層15で格子緩和を起こさせることが前提となっており、このInAsPバッファ層19では格子緩和による結晶欠陥が発生する。この結晶欠陥がInGaAs光吸収層20に伝播した場合、受光感度の減少と暗電流の増大に直結するため、InAsPバッファ層19の層構成や作製方法により転位がInGaAs光吸収層20に伝播することを抑制する工夫がなされている。
K. Makita et al.,"Ga1-yInyAs/InAsxP1-x (y > 0.53, x >0) pin photodiodes for long wavelength regions (λ > 2 μm) grown by hydride vapour phase epiytaxy," Electronics Letters, Vol. 24, No. 7, 1988, 379-380.
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前述したように、2μm付近の波長領域のガス吸収線による光吸収を利用したガス計測では、その受光器として拡張型InGaAs受光素子が用いられることが一般的である。この拡張型InGaAs受光素子は、図7に示すように格子緩和によるInAsPバッファ層上に成長させ、InAsPバッファ層は上にいくほど格子定数を大きくすることを前提とした層構成となっている。しかしながら、このInAsPバッファ層で発生した転位などの結晶欠陥のInGaAs光吸収層への伝播を完全に抑制することは難しい。その結果として、InGaAs光吸収層にも結晶欠陥が発生することになる。図7には、この様子を模式的に示している。InGaAs光吸収層における結晶欠陥は、受光素子の暗電流を増加させる原因となる(例えば、非特許文献1を参照)。このため、拡張型InGaAs受光素子では、暗電流の低減が難しいという課題がある。
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、拡張型InGaAs受光素子のように格子定数を変化させるためのバッファ層を必要とせず、InP基板上に2μm付近の波長領域で動作可能な受光素子を作製することを目的とする。
上記の課題を解決するために、一実施形態に記載された発明は、InP基板と、前記InP基板の構成材料であるInPに対して圧縮歪み構造を有し、Sbの組成比xが0<x≦0.2を満たす、InGaAsSb光吸収層と、アンドープ半導体によって形成され、前記InGaAsSb光吸収層で発生した信号を増幅する、なだれ増倍層とを備えたことを特徴とする半導体受光素子である。
他の実施形態に記載された発明は、上記一実施形態に記載された半導体受光素子の製造方法であって、前記InP基板を用意する工程と、有機金属ガス原料を用いて、前記InP基板上に前記InGaAsSb光吸収層と前記なだれ増倍層とを結晶成長させる工程を含み、前記結晶成長させる工程において、前記InGaAsSb光吸収層を結晶成長させる際にSb原料としてトリスジメチルアミノアンチモンを用い、400℃から500℃の雰囲気で結晶成長することを特徴とする半導体受光素子の製造方法である。
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
本実施形態にかかる半導体受光素子は、InP基板と、前記InP基板の構成材料であるInPに対して圧縮歪み構造を有し、Sbの組成比xが0<x≦0.2を満たす、InGaAsSb光吸収層と、アンドープ半導体によって形成され、前記InGaAsSb光吸収層で発生した信号を増幅する、なだれ増倍層とを備えている。好ましくは、前記InGaAsSb光吸収層のInPに対する圧縮歪みyは0%<y≦1.5%を満たすことである。
上記の半導体受光素子によれば、InP基板上の半導体受光素子の光吸収層に、吸収端の波長をInGaAsに比べ長波長化できるInGaAsSbを用いることにより、従来のInPにほぼ格子整合するInGaAsを光吸収層とする受光素子よりも動作波長を長波長化させることができる。さらに、InGaAsSbに圧縮歪みを加えることにより、InPに格子整合する場合に比べて吸収端の波長をさらに長波長化することができる。InGaAsSb光吸収層の膜厚は、その圧縮歪みに起因した結晶欠陥の発生を抑制するためにInPに格子整合する場合に比べて小さくする必要があるが、この薄い光吸収層だけで大きな受光感度を得ることは困難である。この点、本実施形態の半導体受光素子では、光吸収層で発生したキャリアを増幅するためのなだれ増倍層を備えているので、受光感度を大きく低下させることなく受光素子が動作する。
本実施形態にかかる半導体受光素子の製造方法は、上記の半導体受光素子において、その製造に有機金属原料を用いる場合、Sb原料にはトリスジメチルアミノアンチモンを用いることである。
上記の半導体受光素子の製造方法によれば、InGaAsSb光吸収層とする受光素子の製造において、有機金属のガス原料を用いる有機金属気相エピタキシー法や有機金属分子線エピタキシー法などによりInGaAsSb光吸収層の結晶成長を行う際に、Sb原料にトリスジメチルアミノアンチモンを用いることにより従来の方法よりも低い成長温度での結晶成長が可能になり、さらにSb以外の他の有機金属ガス原料からInGaAsSb光吸収層に混入する炭素や水素を低減できる。その結果として、InGaAsSb光吸収層において意図しないキャリア濃度の増加を抑制することができ、光励起により発生したキャリアの非発光再結合中心による消滅を低減し、また、キャリアの輸送特性も向上できるため、大きな受光感度を得ることが可能になる。
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。なお、図面中、半導体の層構成で重複する一部の部分には同一の符号を用いている。
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1における半導体受光素子の層構造を模式的に示した図である。本実施形態の半導体受光素子は、光吸収層の他にキャリアを増幅するためのなだれ増倍層(アバランシェ層)を持ち、さらに光吸収層となだれ増倍層の間に電界制御層を挿入したSACM(Separated Absorption, Charge and Multiplication)構造になっている。具体的な層構造は、図1に示すように半絶縁性InP基板1と、半絶縁性InP基板1上に配置された高濃度にn型ドーピングされたn+−InPバッファ層2と、n+−InPバッファ層2上に構成された高濃度にn型ドーピングされたn+−InPコンタクト層3と、n+−InPコンタクト層3上に構成された意図的なドーピングを行っていないi−InPアバランシェ層4と、i−InPアバランシェ層4上に構成されたp型ドーピングされたp−InP電界制御層5と、p−InP電界制御層5上に構成された意図的なドーピングを行っていないi−InP電界緩和層6と、p−InP電界制御層6上に構成された意図的なドーピングを行っていないInGaAsSb光吸収層7と、InGaAsSb光吸収層7上に構成されたp型ドーピングされたp−InGaAsP拡散防止層8と、p−InGaAsP拡散防止層8上に構成された高濃度にp型ドーピングされたp+−InGaAsコンタクト層9とを備えて構成される。InGaAsSb光吸収層7は、例えば、Sb組成比0.04、In組成比0.6、InPに対する歪量が+0.75%であり、膜厚は40nmである。i−InPアバランシェ層4は、InGaAsSb光吸収層で発生した信号を増幅する、なだれ増倍層として機能する。
図1は、本発明の実施の形態1における半導体受光素子の層構造を模式的に示した図である。本実施形態の半導体受光素子は、光吸収層の他にキャリアを増幅するためのなだれ増倍層(アバランシェ層)を持ち、さらに光吸収層となだれ増倍層の間に電界制御層を挿入したSACM(Separated Absorption, Charge and Multiplication)構造になっている。具体的な層構造は、図1に示すように半絶縁性InP基板1と、半絶縁性InP基板1上に配置された高濃度にn型ドーピングされたn+−InPバッファ層2と、n+−InPバッファ層2上に構成された高濃度にn型ドーピングされたn+−InPコンタクト層3と、n+−InPコンタクト層3上に構成された意図的なドーピングを行っていないi−InPアバランシェ層4と、i−InPアバランシェ層4上に構成されたp型ドーピングされたp−InP電界制御層5と、p−InP電界制御層5上に構成された意図的なドーピングを行っていないi−InP電界緩和層6と、p−InP電界制御層6上に構成された意図的なドーピングを行っていないInGaAsSb光吸収層7と、InGaAsSb光吸収層7上に構成されたp型ドーピングされたp−InGaAsP拡散防止層8と、p−InGaAsP拡散防止層8上に構成された高濃度にp型ドーピングされたp+−InGaAsコンタクト層9とを備えて構成される。InGaAsSb光吸収層7は、例えば、Sb組成比0.04、In組成比0.6、InPに対する歪量が+0.75%であり、膜厚は40nmである。i−InPアバランシェ層4は、InGaAsSb光吸収層で発生した信号を増幅する、なだれ増倍層として機能する。
次に、本発明の実施の形態1に係る半導体受光素子の作製方法を説明する。まず、図1の層構造の成長には、III族原料として金属ガリウム、金属インジウム、V族原料としてアルシン(AsH3)、ホスフィン(PH3)、金属アンチモンを用い、ドーパント原料としてシリコンとベリリウムを用いたガスソース分子線エピタキシー法を用いる。結晶成長時の基板温度は、すべての層で480℃である。
次いで図1のエピタキシャルウェハを用いて、図2に示すような受光素子を作製する。具体的には、p+−InGaAsコンタクト層9からn+−InPコンタクト層3の途中まで層構造を掘り、直径10μmの円形メサを形成した後、パッシベーション膜10をウエハ全面に付けた後に必要な領域以外のパッシベーション膜を除去する。p+−InGaAsコンタクト層9の上に直径8μmの円形のp型電極11とパッシベーション膜10の外側にn型電極12を蒸着した後に、熱処理を行いn型電極12を形成する。最後に、半絶縁性InP基板1の裏面側に反射防止膜13を形成し、この反射防止膜13側から信号光を入射させる。
図2の半導体受光素子の降伏電圧は、約17Vである。図2の素子に波長1.8μmの光を入射させ、3Vの逆バイアス電圧を印加させて動作させた場合の受光感度は約0.05A/Wであるのに対し、逆バイアス電圧14Vで動作させた場合は約0.4A/Wである。逆バイアス電圧を上げることで受光感度が増大するのは、InGaAsSb光吸収層7で光励起されたキャリアがi−InPアバランシェ層4で増幅させることによるものである。この受光感度は、バイアス電圧だけでなく入射光の波長によっても変化するが、逆バイアス電圧が14Vで入射光の波長が1.75μm〜1.85μmの場合はほぼ一定にすることができる。
暗電流は、逆バイアス電圧13Vにおいて0.05μAであり、一般的な拡張型InGaAs受光素子の暗電流よりも低くすることができる。これは、InGaAsSb光吸収層7はInPとは格子整合していないがその膜厚が薄いために格子不整合に起因した結晶欠陥が少ないことによるものである。
図2の半導体受光素子では、光吸収層にSb組成比0.04、InPに対する歪量が+0.75%、膜厚が40nmを用いた例を示しているが、Sb組成比、InPに対する歪量、膜厚は、これに限定されず、それぞれ好ましい範囲が存在する。これらを以下に説明する。
まず、Sb組成比(InGaAsSb光吸収層のV族元素中に占めるSb組成比)について説明する。図3は、InGaAsSbのバンドギャップに対応する波長のSb組成による変化を計算により求めた図である。図3では、InPに格子整合する場合とInPに対する歪量が+1.5%の場合について計算してあり、Sb組成比が0になる場合がInGaAsに対応する。ここで、バンドギャップに対応する波長は、受光素子において受光可能な最も長い波長とほぼ一致する。図3より、InPに対する歪量が等しい場合、InGaAsよりもInGaAsSbの方がバンドギャップに対応する波長が長くできるため、Sb組成比を高くすることで長波長の光まで吸収可能なことが分かる。
InGaAsSbのバンドギャップに対応する波長は、図3のInPに格子整合する場合とInPに対する歪量が+1.5%の場合のいずれにおいても、Sb組成比が0から0.2まで増加することによってほぼ線形で長波長化する。Sb組成比が0.2を超えると長波長化しにくくなり、さらにSb組成比が0.3を超えると逆に短波長側へシフトし始める。InGaAsSbのSb組成比は、バンドギャップに対応する波長を長くできる組成領域であれば0.2以上でもよいが、実際にInP基板上にInGaAsSbを結晶成長する上ではSb組成比は0.2以下の方が望ましい。これは、Sbは結晶成長表面に残留しやすいためにSb組成の大きな半導体とInGaAsやInPなどのSbを含まない半導体では、III族原料に対するV族原料の比(V/III比)などの成長条件が大きく異なることに起因している。また、図2のように光吸収層以外の層にはほとんどSbが含まれていない場合、成長条件の大きな変化を避けるためには光吸収層であるInGaAsSbのSb組成は少ない方が望ましいからでもある。この結晶成長的な観点と図3で示したバンドギャップに対応する波長が大きく変化するSb組成比を考慮すると、本発明によるInGaAsSb光吸収層のSb組成xとしては0<x≦0.2を満たすことが望ましい。
次に、InGaAsSb光吸収層のInPに対する歪量について説明する。一般に圧縮歪みを有する半導体層を結晶成長する場合、歪量が小さい場合は2次元的に成長が進むが、歪量が大きくなると3次元的な成長に変化することが知られている(例えば、非特許文献2を参照)。結晶欠陥は、一般的には2次元的な成長を維持している場合に対して、3次元的な成長の場合の方が発生しやすくなる。3次元成長が起きてしまうと比較的小さな膜厚のInGaAsSb光吸収層でも多数の結晶欠陥が発生やすい状況になり、さらにInGaAsSb光吸収層以外の層にも結晶欠陥が発生しやすい状況になる。
2次元的な成長から3次元的な成長に変化する歪量は、ほぼ+1.5%である。例えば、非特許文献2において、図3の横軸をInの組成比から格子歪に直すと約1.5%の圧縮歪みで2次元成長から3次元成長に変化する。量子井戸レーザの井戸層などよりも大きな膜厚が必要な本発明のInGaAsSb光吸収層では、この3次元成長による結晶欠陥の発生を抑制することが重要であり、このためInGaAsSb光吸収層ではInPに対して1.5%よりも小さい圧縮歪みにすることが望ましい。
次に、InGaAsSb光吸収層の膜厚について説明する。本実施形態の受光素子では、光吸収層に圧縮歪みを含むため、一般的な受光素子に用いられるInPにほぼ格子整合する光吸収層に比べて膜厚を薄くする必要がある。しかしながら、半導体量子井戸レーザで用いられる井戸層のようにあまり薄くし過ぎると量子サイズ効果によりバンドギャップに対応する波長が短くなり、吸収できる光の波長が短くなる。
図4は、上下がInPに挟まれた圧縮歪みが0.8%のInGaAsSbについて、InGaAsSbの膜厚を変化させた際のバンドギャップに対応する波長の変化を計算により求めた図である。図4より、InGaAsSbの膜厚が15nmよりも薄くなるとバンドギャップに対応する波長が量子サイズ効果により急激に短波長化することが分かる。図4では、圧縮歪みが0.8%のInGaAsSbがInPに挟まれた場合の結果だが、InGaAsSbの組成や上下で挟む層が変わっても量子サイズ効果が顕著に見え始めるのは15nm以下の膜厚である。本発明の受光素子では、光吸収する波長を長くすることが求められるため、光吸収層で用いるInGaAsSbは量子サイズ効果の影響が小さい15nm以上の膜厚であることが望ましい。
以上説明したように本実施形態の半導体受光素子によれば、InP基板上の受光素子において光吸収層として圧縮歪みを有するInGaAsSbを用いることで従来のInGaAsを光吸収層とする受光素子よりも長波長の光が受光可能となり、さらにこのInGaAsSb光吸収層とは別になだれ増倍層を設けることにより光吸収層の膜厚が薄くても大きな受光感度を得ることができる。
本実施形態では、なだれ増倍層にInPを用いた層構成の場合について説明したが、なだれ増倍層はInAlAsなど、バンドギャップが高い他の材料を用いた層構成にしてもよい。圧縮歪みを有するInGaAsSb光吸収層以外の層は必要とする増倍率により構成材料を適宜変更すればよい。InGaAsSb光吸収層に関しても、本実施例では意図的なドーピングを行っていないが、光通信用の受光素子において広く用いられている1016〜1018 cm−3程度にp型ドーピングしても吸収できる光の波長を長波長化し、受光感度を増幅することに関して、本実施形態の場合と同様な効果が得られることは明らかである。
本実施形態では、なだれ増倍層であるi−InPアバランシェ層4を半絶縁性InP基板1とInGaAsSb光吸収層7との間に設けた構成を例に挙げて説明したがこれに限定されない。InGaAsSb光吸収層7を半絶縁性InP基板1となだれ増倍層であるi−InPアバランシェ層4との間に設けた構成としてもよい。
さらに本実施形態では、作製方法としてガスソース分子線エピタキシー法を用いた場合について説明したが、InGaAsSb層が作製可能な成長方法で有ればよく、分子線エピタキシー法、有機金属分子線エピタキシー法、有機金属気相エピタキシー法等の成長方法でも同様の効果が得られることは明らかである。
(実施の形態2)
本実施形態にかかる半導体受光素子の製造方法について説明する。本実施形態にかかる半導体受光素子では、光吸収層に圧縮歪みを有するInGaAsSb層を用いている。歪が加わった半導体結晶では、膜厚の増加に伴って結晶内の歪応力が増加するため臨界膜厚と呼ばれる膜厚を超えると結晶欠陥が発生することが知られている。この臨界膜厚は、結晶の作製時の成長温度によって変わり、結晶の成長が低いほど大きくなることが知られている(例えば、非特許文献3を参照)。しかし、成長温度が逆に低すぎると表面モフォロジーが悪くなったり、不純物の混入が増加したりするため、成長に適した温度範囲がある。一般的に圧縮歪みを含んだInGaAsやこれに近い組成の結晶成長では、400℃から500℃の範囲で成長することが望ましい。
本実施形態にかかる半導体受光素子の製造方法について説明する。本実施形態にかかる半導体受光素子では、光吸収層に圧縮歪みを有するInGaAsSb層を用いている。歪が加わった半導体結晶では、膜厚の増加に伴って結晶内の歪応力が増加するため臨界膜厚と呼ばれる膜厚を超えると結晶欠陥が発生することが知られている。この臨界膜厚は、結晶の作製時の成長温度によって変わり、結晶の成長が低いほど大きくなることが知られている(例えば、非特許文献3を参照)。しかし、成長温度が逆に低すぎると表面モフォロジーが悪くなったり、不純物の混入が増加したりするため、成長に適した温度範囲がある。一般的に圧縮歪みを含んだInGaAsやこれに近い組成の結晶成長では、400℃から500℃の範囲で成長することが望ましい。
一方、複数の異なる組成が必要なデバイスを作製する場合、必要となる原料供給量を容易に変えられることが望まれる。この場合、III族原料、V族原料ともにガス原料を用いることでガス供給量を変化させるだけで容易に組成を変化させることができ、さらにInPやInGaAsなど異なる材料系への切り換えも簡単に行うことができる。III族のガス原料としては有機金属を、V族のガス原料としては水素化物または有機金属を用いることが一般的であり、これらのガス原料を用いた結晶成長方法には、有機金属気相エピタキシー法と有機金属分子線エピタキシー法がよく知られている。この2つの成長方法は、成長時の圧力や原料供給方法が違うものの、同じような組成を持つ材料を成長することが可能である。
有機金属気相エピタキシー法と有機金属分子線エピタキシー法では、ともに原料ガスが結晶成長時を基板表面付近で分解する必要がある。Sbの原料ガスとしては、有機金属ガス原料であるトリメチルアンチモン(Trimethyl−antimony、TMSb)とトリエチルアンチモン(Triethyl−antimony、TESb)が一般的に用いられている。この2つのアンチモンの有機金属ガス原料は、500℃以下では分解しにくく結晶成長することが困難である。これらのアンチモン原料よりも分解温度が低い原料としては、トリスジメチルアミノアンチモン(Trisdimethyl−amino−antimony、TDMASb)がある。この原料は500℃以下でも分解するが、有機金属気相エピタキシー法で用いた場合、III族原料と中間反応による生成物ができることが知られており(例えば、非特許文献4を参照)、これまでほとんど検討されることがなかった。しかし、近年では、有機金属分子線エピタキシー法で用いた検討により、中間生成物がなく、良好な膜質のものが得られている(非特許文献5を参照)。
また、有機金属気相エピタキシー法においても原料ガスが基板の間近で供給される装置やガス流速が早い装置などが開発・市販されており、中間反応は回避可能になっている。このため、トリスジメチルアミノアンチモンをSb原料に用いれば、前述した圧縮歪みを含んだInGaAsやこれに近い組成の結晶に適した500℃以下の成長温度を実現することが可能になっている。
しかしながら、有機金属原料を用いる結晶成長法において成長温度が低い場合、III族およびV族の有機金属ガス原料の分解が不十分になるため、膜中に炭素や水素が混入しやすくなるという問題が起きる。その結果として、結晶の純度を下げ、受光素子において特性を上げるための重要な要素であるキャリア移動度を低下させたり、非発光再結合中心を増加させたりすることに繋がる。ところが、この問題に関してもトリスジメチルアミノアンチモンを用いることにより、成長温度が500℃以下であっても前述したようにアンチモン原料が分解可能であるため、結晶内にアンチモンが取り込まれるという効果の他に、III族有機金属ガス原料から混入する炭素や水素も低減できることが分かっている(非特許文献5を参照)。その結果、受光器の光吸収層を500℃以下の成長温度で成長した場合でも、トリスジメチルアミノアンチモンを原料として用いた場合は、膜中への炭素や水素の混入を抑え、結晶の純度を抑えることができる。
以上説明したように、本実施形態に係る光吸収層に圧縮歪みを有するInGaAsSb層を用いた半導体受光素子の製造では、光吸収層における結晶欠陥の発生を抑制するため低温での成長、具体的には400℃から500℃の雰囲気、すなわち500℃以下の成長温度で作製することが望まれる。この際、Sbの有機金属ガス原料としてトリスジメチルアミノアンチモンを用いることにより、500℃以下での成長温度が可能になり、さらに有機金属ガス原料から炭素や水素の混入も抑制することができ、結晶性を高めることができる。
次に、実際に圧縮歪みを有するInGaAsSb層を成長し、その結晶性をホトルミネセンススペクトルから確認した実施例を説明する。結晶成長には、Sbの有機金属ガス原料に前述のトリスジメチルアミノアンチモン、III族の有機金属ガス原料にトリメチルインジウム(TMIn)、トリエチルガリウム(TEGa)、Asのガス原料にアルシン(AsH3)を用いた有機金属分子線エピタキシー法を用いる。
図5は、作製した試料の構造を示した図である。試料は、n型InP基板14と、n型InP基板14上に配置された意図的なドーピングを行っていないi−InPバッファ層15と、i−InPバッファ層15上に配置された意図的なドーピングを行っていないInGaAsSb層16と、InGaAsSb層16上に配置された意図的なドーピングを行っていないi−InP層17とで構成される。InGaAsSb層16のV族に占めるSbの組成比は0.04であり、圧縮歪みは0.3%、膜厚は0.22μmである。比較のために、図5でInGaAsSb層16のみをほぼ同じ圧縮歪みと膜厚を持つInGaAs層に変えた試料も別に作製する。InGaAsSbとInGaAsの成長温度は、ともに500℃である。
図6は、このようにして作製したInGaAsSbとInGaAsの室温におけるホトルミネセンススペクトルを比較したものである。ホトルミネセンスの発光ピーク波長は、InGaAsが1.71μmであるのに対してInGaAsSbが1.79μmであり、同程度の圧縮歪みでもInGaAsSbの方がInGaAsよりもバンドギャップが小さく、その結果として長波長の光まで吸収できることが分かる。
次に、ホトルミネセンスの発光ピーク強度を比較した場合、InGaAsの強度を1とするとInGaAsSbは約3.8と大きな強度が得られた。この原因を調べるために、これらの試料とは別に、V族原料ガスの供給量を変えずにIII族原料ガスの供給量のみを変化させてInPにほぼ格子整合させた膜厚が1μm以上のInGaAsとInGaAsSbを成長し、それぞれキャリア濃度を測定したところ、InGaAsは4×1016cm−3のn型を示したのに対してInGaAsSbは2×1015cm−3のn型を示し、InGaAsSbは1/20もキャリア濃度の低減が確認された。このことから、図6でInGaAsSbがInGaAsよりもPL発光強度が大きな理由は、InGaAsSbはInGaAsに比べて意図しない不純物の混入が少なく、その結果として非発光再結合が少なくなっていることが分かった。このような非発光再結合が少ない結晶を受光素子の光吸収層に用いることで、光励起したキャリアが光吸収層で再結合することなくなだれ増倍層や他の層へ移動することが可能になるため、受光感度を上げることができる。
以上述べたように圧縮歪みを有するInGaAsSb光吸収層を用いる受光素子の製造で、その結晶成長に有機金属ガス原料を用いる際にSb原料としてトリスジメチルアミノアンチモンを用いることにより、歪による結晶欠陥を抑制するのに有効な成長温度が500℃以下での成長が可能になり、さらに膜中への不純物の混入も抑制することができるため、光励起されたキャリアの再結合を抑制することができるために受光感度の向上に適した光吸収層を持つ受光素子の製造が可能になる。
本実施形態の半導体受光素子の製造によれば、有機金属ガス原料を用いる場合、Sb原料にトリスジメチルアミノアンチモンを用いることにより歪による結晶欠陥の発生を抑制するのに有効な低い成長温度を用いることができ、さらに膜中への不純物の混入の小さく抑えることができる。これらにより、2μm付近の波長領域において、高感度で暗電流の小さい半導体受光素子を作製でき、ガスの吸収線を用いた高感度なガス計測システムに応用できる。
上記実施の形態では、有機金属分子線エピタキシー法を用いた例について示したが、トリスジメチルアミノアンチモンが使用できる成長方法であればよく、有機金属気相エピタキシー法でも同様の効果が得られることは明らかである。
1 半絶縁性InP基板
2 n+−InPバッファ層
3 n+−InPコンタクト層
4 i−InPアバランシェ層
5 p−InP電界制御層
6 i−InP電界緩和層
7 InGaAsSb光吸収層
8 p−InGaAsP拡散防止層
9 p+−InGaAsコンタクト層
10 パッシベーション膜
11 p型電極
12 n型電極
13 反射防止膜
14 n型InP基板
15 i−InPバッファ層
16 InGaAsSb層
17 i−InP層
18 n−InP基板
19 組成を段階的に変化させたInAsPバッファ層
20 InGaAs
21 InAsP
2 n+−InPバッファ層
3 n+−InPコンタクト層
4 i−InPアバランシェ層
5 p−InP電界制御層
6 i−InP電界緩和層
7 InGaAsSb光吸収層
8 p−InGaAsP拡散防止層
9 p+−InGaAsコンタクト層
10 パッシベーション膜
11 p型電極
12 n型電極
13 反射防止膜
14 n型InP基板
15 i−InPバッファ層
16 InGaAsSb層
17 i−InP層
18 n−InP基板
19 組成を段階的に変化させたInAsPバッファ層
20 InGaAs
21 InAsP
Claims (3)
- InP基板と、
前記InP基板の構成材料であるInPに対して圧縮歪み構造を有し、Sbの組成比xが0<x≦0.2を満たす、InGaAsSb光吸収層と、
アンドープ半導体によって形成され、前記InGaAsSb光吸収層で発生した信号を増幅する、なだれ増倍層とを備えたことを特徴とする半導体受光素子。 - 請求項1に記載の半導体受光素子において、前記InGaAsSb光吸収層のInPに対する圧縮歪みyは0%<y≦1.5%を満たし、膜厚が15nm以上であることを特徴とする半導体受光素子。
- 請求項1に記載の半導体受光素子の製造方法であって、
前記InP基板を用意する工程と、
有機金属ガス原料を用いて、前記InP基板上に前記InGaAsSb光吸収層を結晶成長させる工程を含み、
前記結晶成長させる工程において、前記InGaAsSb光吸収層を結晶成長させる際にSb原料としてトリスジメチルアミノアンチモンを用い、400℃から500℃の雰囲気で結晶成長することを特徴とする半導体受光素子の製造方法。
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- 2014-04-28 JP JP2014092961A patent/JP2015211166A/ja active Pending
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