JP2015207017A - 基板転移単結晶ブラッグミラー - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ミラーアセンブリ1は、単に概略的に描かれている。湾曲基板3は、単結晶の複数層のスタックのためのキャリア基板として設けられる。層5及び7のスタックは、4層のみによって単純化して描かれている。しかしながら、スタックは典型的にはより多くの層を含むと理解されるべきである。最大反射率は、層の全数−100%の反射率値に漸近的に近づくことによって決定されうる。本例の層の数は、約40ペアの層、すなわち全80層としうるが、例えば全100〜120層のように他の数の層がそのような構造において使用されてもよい。層5及び7は、それぞれ高屈折率及び低屈折率を持つことに関して交互式の単結晶半導体層である。
【選択図】図1
Description
ことによって事前に湾曲されうる。結晶性半導体層のスタックは、所望の動作波長でのブラッグミラーを作る。湾曲した基板と結晶構造スタックとの組合せは、非モノリシックなミラーアセンブリを提供する。これは、ミラーアセンブリの吸収/透過特性を対象用途のニーズに対して正確に適合させることを可能にするROCの選択は、最終用途の詳細に依存し、我々は二つの典型的な範囲をここでは記載する。高精度分光法において用いられるキャビティに関し、0.1m〜10mの範囲のROCを有するミラーが一般的ではあるが、他の値も可能であると理解すべきである。重力波検出器などの大規模システムに関し、アーム長さ及び対応ROCは1kmから10kmの範囲にある。ここで再び、ROCに関して他の値も可能であると理解すべきであり、小規模テストシステムに関して最小値を0.1km以下とすることも可能である。低吸収という用語は、最大上限限界が50〜100ppmである吸収レベルを示すと理解すべきである。好ましくは、これは、10ppmよりも低く(<10ppm)てもよく、1ppmよりも低い範囲であってもよい。
しかしながら、いくつかの実施例では、層厚は、厚みtに対して変動してもよく、式1から逸脱してもよい。これは、広い作動域を持ちうるいわゆる‘チャープ’ミラーを製造
する例において有用となりうる。加えて、“デュアル−バンド”ミラー又はダイクロイックミラーなどの多重周期構造体が可能となりうる。そして、これらの構造体は、少なくとも2つの異なる光の波長で反射しうる。“チャープ”ミラーに関し、高反射の波長域は、層の厚みを変えることによって、例えばミラーの垂直方向における層厚を徐々に増加することによって、増大する可能性がある。しかしながら、そのような変動された層厚の使用は、最大反射率を犠牲にしうる。図1は、物理的厚みに関して上記式を維持する高精度光学ミラーを示す。式1を考察することによって、高指数層及び低指数層が相互に異なる厚みを有し、それぞれの屈折率値も異なることに留意すべきである。また、キャリア基板は、重力波干渉計などの大規模な適用例において吸収効果を低減するために透明であってもよい。これらの部材は、典型的には、SiO2、サファイア、Si又はULEを含んでもよい。部材の適切な選択は、ミラーアセンブリの光共振システムへの統合を可能にしうるものであり、ミラーを離間保持するスペーサーに関して類似の又は同じ部材を使用する余地があり、以下の図3の記載も参照可能である。
るべきである。誘電体ミラーを有する本実施形態において、構成要素のフィルムの損失角は支配的な因子であり、最新鋭の精密測定システムがミラーのブラウニアンノイズによって制限される多くのケースにおいて存在する。それに比べ、基板の損失角は典型的な材料よりも小さい桁数となりうる。
Claims (17)
- キャリア基板と、
複数の第1タイプ及び第2タイプの交互式単結晶性半導体層を含む結晶性スタックであって、第1タイプの層は第2タイプの層よりも高い屈折率を有し、それによりブラッグミラーを形成する結晶性スタックと、を備え、
キャリア基板は、0.1mと10mとの間又は1kmと10kmとの間の曲率半径ROCを持って湾曲し、
結晶性スタックは、湾曲したキャリア基板に取り付けられ、
キャリア基板は、SiO2、Si、サファイア、又は超低膨張ガラスULEを含み、
ミラーの単結晶性半導体層は、AlGaAs三元合金に基づく単結晶エピタキシャル層であり、前記第1タイプ及び第2タイプは、AlxGa1−xAs、ただし0<x<1、を含み、第1タイプの層に関するxは第2タイプの層に関するxよりも小さい低吸収結晶性ミラーアセンブリ。 - キャリア基板は透過的であり、とりわけ1064nm又は1550nmの波長において透過的であり、キャリア基板の表面は磨かれていて好ましくは1nm以下のRMS面粗さを持つ請求項1に記載のミラーアセンブリ。
- 結晶性スタックは、ファンデルワールス力結合及び共有結合のうちの少なくとも一方によって、キャリア基板に取り付けられる請求項1又は2に記載のミラーアセンブリ。
- 低吸収結晶性ミラーアセンブリの製造方法であって、ミラーは、キャリア基板と、複数の第1タイプ及び第2タイプの交互式単結晶性半導体層を含む結晶性スタックであって、第1タイプの層は第2タイプの層よりも高い屈折率を有する結晶性スタックと、を備え、キャリア基板は、0.1mと10mとの間又は1kmと10kmとの間の曲率半径ROCを持って湾曲する製造方法において、
第1の基板を準備するステップと、
キャリア基板を準備するステップと、
例えば分子線エピタキシー法MBEや有機金属気相エピタキシー法MOVPEによって、第1タイプ及び第2タイプの交互式単結晶性半導体層の結晶性スタックをエピタキシャルに形成し、それによりブラッグミラーを形成するステップと、
第1の基板からスタックを分離するステップと、
湾曲するキャリア基板にスタックに取り付けるステップと、を含み、
第1の基板はGaAs又はGeを含み、
キャリア基板は、SiO2、Si、サファイア、又は超低膨張ガラスULEを含み、
単結晶性半導体層は、AlGaAs三元合金に基づく単結晶エピタキシャル層であり、前記第1タイプ及び第2タイプは、AlxGa1−xAs、ただし0<x<1、を含み、第1タイプの層に関するxは第2タイプの層に関するxよりも小さい製造方法。 - キャリア基板は透過的であり、とりわけ1064nm又は1550nmの波長において透過的であり、キャリア基板の表面は磨かれている請求項4に記載の製造方法。
- 結晶性スタックは、化学−機械的基板除去プロセス又はエピタキシャルリフトオフプロセスを用いることで、第1の基板から分離される請求項4又は5に記載の製造方法。
- 化学−機械的基板除去プロセスは、ラッピング、研磨及びウェットエッチングのうちの少なくとも一つを含む請求項6に記載の製造方法。
- スタックは、ファンデルワールス力結合及び共有結合のうちの少なくとも一方によって、キャリア基板に取り付けられる請求項4〜7のいずれか一項に記載の製造方法。
- スタックはキャリア基板に結合され、当該結合はアニーリングによって強化される請求項8に記載の製造方法。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載の2つのミラーアセンブリを備える光学精密測定用の光共振器であって、ミラーの反射面は所定距離で相互に向かい合い、0.1mから10mのROCに関し、所定の厚みを有するスペーサーが2つのミラーアセンブリの間に存在し、そのスペーサーは2つのミラー間に所定の距離を与える光学精密測定用の光共振器。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載の2つのミラーアセンブリを備える光学精密測定用の光共振器であって、ミラーの反射面は所定距離で相互に向かい合い、1kmから10kmのROCに関し、各ミラーアセンブリは個別に支持される光学精密測定用の光共振器。
- ミラーの位置を固定する少なくとも一つの支持部を更に備える請求項10又は11に記載の光共振器。
- 600nmから3μmまでの動作波長を有する請求項10〜12のいずれか一項に記載の光共振器。
- 第1の基板の厚みが50μmと1mmとの間、好ましくは300μm〜500μmである請求項4に記載の製造方法。
- 1×10−5から10−6までの制限的損失角を有する請求項1〜3のいずれか一項に記載のミラーアセンブリ。
- 600nm〜3μmの中心波長において99.99%を超える反射率を有する請求項1〜3のいずれか一項に記載のミラーアセンブリ。
- 単結晶性半導体層は、総厚みが6〜10μmであり、側方寸法又は直径が10mmから200mm、好ましくは10mm〜25mmである請求項1〜3のいずれか一項に記載のミラーアセンブリ。
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