JP2015202031A - 直流電源装置 - Google Patents

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シンホイ 戴
Shing Hoi Dai
シンホイ 戴
吉田 泉
Izumi Yoshida
泉 吉田
京極 章弘
Akihiro Kyogoku
章弘 京極
吉朗 土山
Yoshiro Tsuchiyama
吉朗 土山
川崎 智広
Tomohiro Kawasaki
智広 川崎
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Abstract

【課題】電流検出手段の最適化を図ることで、低コスト化を実現した直流電源装置を提供する。
【解決手段】ブリッジ整流回路を構成するダイオードのうち直列接続される2個のダイオード104a、104bのそれぞれに逆並列接続されるスイッチング素子105aと105bの接続点とダイオード104aと104bの接続点の間に挿入された電流検出器103aは、カレントトランス110の二次巻線の両端間にリセット抵抗を並列に接続し、さらに2つのMOS型FETで構成された電流経路切替回路と検出抵抗113の直列回路が並列に接続され、位相推定部108にて交流電源101の瞬時電圧の正を判断したときは電流検出回路の順方向に電流が流れ、負を判断したときは逆方向に電流が流れるように電流経路切替回路を制御することで、安価なカレントトランスを用いた電流検出回路の検出値に基づいて電流フィードバック制御することができる。
【選択図】図1

Description

本発明は、交流電力を直流電力に変換する回路を用い、装置、システム等に高力率、低ひずみで電力を供給する直流電源装置に関するものである。
従来、数kW出力程度までの直流電源装置の回路方式としては、入力力率改善と高調波電流低減のため2石の高周波スイッチング方式が主に採用されてきた(例えば、特許文献1参照)。
図15は特許文献1に記載された従来の高周波スイッチング方式を示すものである。図15に示す直流電源装置は、交流電源101、リアクタ102、ダイオード104a、104b、104c、104d、スイッチング素子105a、105b、平滑コンデンサ106および負荷107により構成されている。
この直流電源装置は、スイッチング素子を2石とし、電流が通過する半導体の数を2個とした回路構成である。この2石の高周波スイッチング方式の直流電源装置は交流入力電源の極性に応じて、それぞれのスイッチが半周期ずつ交互に昇圧チョッパ動作をする。さらに、電流検出器103eによりリアクタ102に流れる電流を検出した結果を元に電流フィードバック制御を行なうことで、損失低減を図りつつ、入力電流を正弦波状とすると共に入力力率の改善を実現したものである。
図15に示すような高周波スイッチング方式にて、リアクトル(リアクタ)102に流れる電流を検出するための電流検出器103cとして、ホール素子とアンプ回路を組み合わせたDCCTなどを用いるが一般的であるが、高価である。
そこで、比較的安価な電流検出器として、カレントトランスを用いた電流検出回路が考えられる(例えば、特許文献2参照)。図16に示すように、カレントトランス110の二次巻線から一方向導通素子111cを介して検出抵抗113で電流−電圧変換を行なうように構成し、一方向導通素子111cと検出抵抗113の直列回路と並列に磁束リセット抵抗112を接続してある。
特開平1−117658号公報 特開2003−219641号公報
しかしながら、リアクタ102に流れる電流は双方向に流れるため、図16に示すような電流検出回路の逆方向から流れ込んでくる場合では、一方向導通素子111cが遮断されているため、二次電流I2が検出抵抗113に流れ込まない。さらに、一次電流I1が順方向から流れ込んでいる場合においても、連続的に流れる場合では、一方向導通素子111cが遮断されて磁束リセット抵抗112でエネルギーを消費するモードが無いため、二次電流I2は何れ飽和するので、検出抵抗113から正しい検出値を得ることができない課題を有していた。
本発明の直流電源装置は、上記従来の課題を解決するものであり、一次電流I1からの
検出電流I2が遮断されるモードがあること、つまり、オフデューティーが一定以上の電流波形が得られる経路として、スイッチング素子105a、105bに流れる電流を検出するものであり、安価なカレントトランスを用いた電流検出回路の検出値に基づいて電流フィードバック制御することができ、実装スペース確保、及び、低コスト化を実現する直流電源装置の提供を目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の直流電源装置は、交流電源からの交流電圧を整流する4個のダイオードから構成される整流回路と、整流回路の入力側に直列接続されるリアクトルと、4個のダイオードのうちの直列接続される2個のダイオードの各々にそれぞれ逆並列接続される2個のスイッチング素子と、2個のスイッチング素子の接続点と2個のスイッチング素子がそれぞれ並列接続されている2個のダイオードの接続点の間に挿入されているカレントトランスからなる電流検出回路と、交流電源の瞬時電圧の正負を判断する位相推定部と、整流回路の出力側に設けられた平滑コンデンサと、スイッチング素子を駆動して交流電源からの入力電流波形を制御する制御装置を備えた直流電源装置において、電流検出回路は、カレントトランスの二次巻線の両端間にリセット抵抗を並列に接続し、さらに2つのMOS型FETで構成された電流経路切替回路と検出抵抗の直列回路が並列に接続され、位相推定部にて交流電源の瞬時電圧の正を判断したときは電流検出回路の順方向に電流が流れ、負を判断したときは逆方向に電流が流れるように電流経路切替回路を制御することを特徴とするものである。
これによって、安価なカレントトランスを用いた電流検出回路の検出値に基づいて電流フィードバック制御することができるので、実装スペース確保、及び、低コスト化を実現することができる。
本発明の直流電源装置は、安価なカレントトランスを用いた電流検出回路で検出して電流フィードバック制御することができるので、直流電源装置の実装スペース確保、及び、抵コスト化を実現することができる。
本発明の実施の形態1における直流電源装置の回路ブロック図 本発明の実施の形態1における電流検出回路のブロック図 本発明の実施の形態1における電流検出回路の各部波形図 本発明の実施の形態1におけるトランジスタにて構成された電流経路切替回路の回路ブロック図 本発明の実施の形態1における複数個の電流検出回路にて構成された直流電源装置の回路ブロック図 本発明の実施の形態1における複数個の電流検出回路にて構成された別の直流電源装置の回路ブロック図 本発明の実施の形態1における複数個の電流検出回路にて構成された別の直流電源装置の回路ブロック図 本発明の実施の形態2における直流電源装置の回路ブロック図 本発明の実施の形態2における電流検出回路の各部波形図 本発明の実施の形態3における直流電源装置の回路ブロック図 本発明の実施の形態3における電流検出回路のブロック図 本発明の実施の形態3における電流検出回路の各部波形図 本発明の実施の形態4における直流電源装置の回路ブロック図 本発明の実施の形態4におけるその他の直流電源装置の回路ブロック図 従来の直流電源装置(2石式)の回路ブロック図 従来の電流検出回路のブロック図
第1の発明は、交流電源からの交流電圧を整流する4個のダイオードから構成される整流回路と、整流回路の入力側に直列接続されるリアクトルと、4個のダイオードのうちの直列接続される2個のダイオードの各々にそれぞれ逆並列接続される2個のスイッチング素子と、2個のスイッチング素子の接続点と2個のスイッチング素子がそれぞれ並列接続されている2個のダイオードの接続点の間に挿入されているカレントトランスからなる電流検出回路と、交流電源の瞬時電圧の正負を判断する位相推定部と、整流回路の出力側に設けられた平滑コンデンサと、スイッチング素子を駆動して交流電源からの入力電流波形を制御する制御装置を備えた直流電源装置において、電流検出回路は、カレントトランスの二次巻線の両端間にリセット抵抗を並列に接続し、さらに2つのMOS型FETで構成された電流経路切替回路と検出抵抗の直列回路が並列に接続され、位相推定部にて交流電源の瞬時電圧の正を判断したときは電流検出回路の順方向に電流が流れ、負を判断したときは逆方向に電流が流れるように電流経路切替回路を制御することを特徴とするものである。
第2の発明は、交流電源からの交流電圧を整流する4個のダイオードから構成される整流回路と、整流回路の入力側に直列接続されるリアクトルと、4個のダイオードのうちの直列接続される2個のダイオードの各々にそれぞれ逆並列接続される2個のスイッチング素子と、2個のスイッチング素子の各々にそれぞれ直列に挿入されているカレントトランスからなる電流検出回路と、交流電源の瞬時電圧の正負を判断する位相推定部と、整流回路の出力側に設けられた平滑コンデンサと、スイッチング素子を駆動して交流電源からの入力電流波形を制御する制御装置を備えた直流電源装置において、電流検出回路は、カレントトランスの二次巻線の両端間にリセット抵抗を並列に接続し、さらに一方向導通素子と検出抵抗の直列回路が並列に接続され、位相推定部にて判断された結果に応じて、2個のスイッチング素子のいずれかを駆動するもので、駆動中のスイッチング素子に直列接続されている電流検出回路の検出値に基づいてスイッチング素子を制御するものである。
第3の発明は、交流電源からの交流電圧を整流する4個のダイオードから構成される整流回路と、整流回路の入力側に直列接続されるリアクトルと、4個のダイオードのうちの直列接続される2個のダイオードの各々にそれぞれ逆並列接続される2個のスイッチング素子と、2個のスイッチング素子の各々にそれぞれ直列に挿入されている複数の一次巻線で構成されたカレントトランスからなる電流検出回路と、交流電源の瞬時電圧の正負を判断する位相推定部と、整流回路の出力側に設けられた平滑コンデンサと、スイッチング素子を駆動して交流電源からの入力電流波形を制御する制御装置を備えた直流電源装置において、電流検出回路は、カレントトランスの二次巻線の両端間にリセット抵抗を並列に接続し、さらに一方向導通素子と検出抵抗の直列回路が並列に接続され、位相推定部にて判断された結果に応じて、2個のスイッチング素子のいずれかを駆動するものである。
第4の発明は、交流電源からの交流電圧を整流する4個のダイオードから構成される整流回路と、整流回路の入力側に直列接続されるリアクトルと、4個のダイオードのうち、アノードが共通に接続された2個のダイオードの各々にそれぞれ逆並列接続される2個のスイッチング素子と、2個のスイッチング素子の各々にそれぞれ直列に挿入されている複数の一次巻線で構成されたカレントトランスからなる電流検出回路と、交流電源の瞬時電圧の正負を判断する位相推定部と、整流回路の出力側に設けられた平滑コンデンサと、スイッチング素子を駆動して交流電源からの入力電流波形を制御する制御装置を備えた直流電源装置において、電流検出回路は、カレントトランスの二次巻線の両端間にリセット抵抗を並列に接続し、さらに一方向導通素子と検出抵抗の直列回路が並列に接続され、位相推定部にて判断された結果に応じて、2個のスイッチング素子のいずれかを駆動するもの
である。
これによって、安価なカレントトランスを用いた電流検出回路の検出値に基づいて電流フィードバック制御することができるので、実装スペース確保、及び、低コスト化を実現することができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、この実施の形態によって本発明が限定されるものではない。
(実施の形態1)
図1は、本発明にかかる第1の実施の形態の直流電源装置を示す回路ブロック図である。図1において、交流電源101の出力端から出力される信号は、リアクトル(リアクタ)102を経由して、スイッチング素子105a、105bとダイオード104a、104bとの逆並列接続回路からなる直列接続回路と、ダイオード104c、104dからなる直列接続回路より構成されるブリッジ整流回路に入力される。また、ブリッジ整流回路の出力には平滑コンデンサ106、負荷107が接続されている。
位相推定部108は、例えば、電源電圧がある基準値以上になるとON信号を出力し、基準値以下になるとOFFになるような回路をフォトカプラ等で組まれているものである。この2値信号の立上り時刻と立下り時刻を検出することで、2値信号の中点の時刻、つまり交流電源101の90度の時刻が検出できるので、交流電源101の周期と組み合わせれば、交流電源101の正の半周期と負の半周期の切り替わるタイミングが検知できる。それによって、交流電源101の正の半周期ではスイッチング素子105bを動作させ、負の半周期ではスイッチング素子105aを動作させるというように、半周期毎に交互にスイッチング動作する素子を切り替えることができる。
電流検出回路(電流検出器)103aは、スイッチング素子105aと105bの接続点と、ダイオード104aと104bの接続点の間に挿入されている。スイッチング素子105bがオンの時は電流検出器103aの順方向に電流が流れ、スイッチング素子105aがオンの時は電流検出器103aの逆方向に電流が流れるものである。
図2に電流検出器103aの詳細の回路構成を示す。カレントトランス110の二次巻線から電流経路切換回路である双方向スイッチ114を介して検出用抵抗(検出抵抗)113で電流−電圧変換を行なうように構成し、双方向スイッチ114と検出抵抗113の直列回路と並列に磁束リセット抵抗(リセット抵抗)112を接続してある。本実施の形態1では、双方向スイッチ114は、MOS型FET115aと115bで構成した回路にて説明するが、トランジスタ、フォトカプラ、ダイオードなどを利用した回路構成でもよい。
図3は、図2に示すような電流検出回路における各部の波形図を示し、各図において、上段より一次電流I1、二次巻線に発生する電圧Vr、励磁電流IL、検出電流I2を表している。
交流電源101の正の半周期にてスイッチング素子105bをオンした場合、一次電流I1が順方向から流れ込んでいることを示している。この場合、一巻巻線のドット端子側から電流が流れ込んでいる間は、二次巻線のドット側端子に正の電圧が発生することになる。そこで、MOS型FET115bをオンすることで、二次巻線からMOS型FET115b、MOS型FET115aの寄生ダイオードを通じて検出電流I2が検出抵抗113に流れる。一方、スイッチング素子105bがオフした場合、一次電流I1が遮断され零になると、それまで励磁インダクタンス111に流れていた一部の励磁電流ILにより
、今度は逆に二次巻線のドット側端子に負の電圧が発生し、MOS型FETの115aの寄生ダイオードに流れないため、磁束リセット抵抗112でそのエネルギーが消費される。そして、励磁インダクタンスに蓄えられていたエネルギーが磁束リセット抵抗112で全て消費されると、電圧Vr及び励磁電流ILは零となり、再びスイッチング素子105bをオンして一次巻線に電流が流れ込むまでその状態を維持する。
交流電源101の負の半周期にてスイッチング素子105aをオンした場合、一次電流I1が逆方向から流れ込んでいることを示している。この場合、一巻巻線のドット端子側と逆方向から電流が流れ込んでいる間は、二次巻線のドット側端子に負の電圧が発生することになる。そこで、MOS型FET115aをオンすることで、二次巻線からMOS型FET115a、MOS型FET115bの寄生ダイオードを通じて検出電流I2が検出抵抗113に流れる。一方、スイッチング素子105aがオフした場合、一次電流I1が遮断され零になると、それまで励磁インダクタンスに流れていた一部の励磁電流ILにより、今度は逆に二次巻線のドット側端子に正の電圧が発生し、MOS型FETの115bの寄生ダイオードに流れないため、磁束リセット抵抗112でそのエネルギーが消費される。そして、励磁インダクタンスに蓄えられていたエネルギーが磁束リセット抵抗112で全て消費されると、電圧Vr及び励磁電流ILは零となり、再びスイッチング素子105aをオンして一次巻線に電流が流れ込むまでその状態を維持する。
以上、交流電源101の正の半周期ではスイッチング素子105bを、負の半周期ではスイッチング素子105aと、半周期毎に交互にスイッチング動作する素子を切り替えるタイミングに応じて、双方向スイッチ114を構成しているMOS型FET115a、115bを切り替えることで、図3に示すように、交流電源101の電圧位相に応じて、VDD/2を基準にした正負の検出電流I2を得ることが出来る。制御装置109はマイコン制御を示した場合に、VDDをマイコン駆動電圧とすると、マイコンで検知できるようにVDD/2を基準としているが、GNDなどを基準にした信号でもよい。
さらに、本実施の形態1では、ダイオード104aと104bの接続点側を電流検出器103aのドット端子側としたが、スイッチング素子105aと105bの接続点側にしてもよい。その場合、MOS型FET115a、115bの切り替えるタイミングを反対すれば、得られる検出電流I2は、交流電源101の正の半周期では負、負は半周期では正と、図3に示す事例とは逆の検出値を得ることができる。
また、各図の各部波形では省略しているが、実際には、一次電流I1はスイッチング素子105a、105bのオン電流が流れているので、本来はターンオン時にダイオード104a、105bのリカバリー電流分が加算されるため、ピーク電流が瞬時的に流れることになり、検出電流I2にも同様の波形が検出されることとなる。そのため、ターンオン及びターンオフ付近の検出値を利用するのではなく、オン電流波形の真ん中当りの検出値を利用するのが望ましい。
さらに、図4はトランジスタ116a、116bにて構成された電流経路切替回路を示したものである。交流電源101の正の半周期にてスイッチング素子105bをオンした場合、トランジスタ116bをオンすることで、二次巻線からトランジスタ116b、一方向導通素子111bを通じて検出電流I2が検出抵抗113に流れる。さらに、交流電源101の負の半周期にてスイッチング素子105aをオンした場合、トランジスタ116aをオンすることで、二次巻線からトランジスタ116a、一方向導通素子111aを通じて検出電流I2が検出抵抗113に流れる。このようにトランジスタ116a、116bを制御することで、同様の効果を得ることができる。
さらに、図5にスイッチング素子105a、105bに直列に電流検出器103bを追
加した2石の高周波スイッチング方式の回路を示す。スイッチング素子105aと105bが同時短絡した場合、スイッチング素子105a、105bの接続点とダイオード104a、104bの接続点の間に挿入した電流検出器103aでは、短絡電流を検出できない。そこで、スイッチング素子105a、105bに直列に電流検出器103bを挿入すれば、短絡電流を保護することができる。なお、図6〜8に示すように、電流検出器103をスイッチング素子105a、105bの両方、あるいは、どちらかのみに追加した場合でも、同様の保護機能を得ることができる。
(実施の形態2)
図8は、本発明にかかる第2の実施の形態の直流電源装置を示す回路ブロック図である。図8において、交流電源101の出力端から出力される信号は、リアクタ102を経由して、スイッチング素子105a、105bとダイオード104a、104bとの逆並列接続回路からなる直列接続回路と、ダイオード104c、104dからなる直列接続回路より構成されるブリッジ整流回路に入力される。また、ブリッジ整流回路の出力には平滑コンデンサ106、負荷107が接続されている。
位相推定部108は、例えば、電源電圧がある基準値以上になるとON信号を出力し、基準値以下になるとOFFになるような回路をフォトカプラ等で組まれているものである。
この2値信号の立上り時刻と立下り時刻を検出することで、2値信号の中点の時刻、つまり交流電源101の90度の時刻が検出できるので、交流電源101の周期と組み合わせれば、交流電源101の正の半周期と負の半周期の切り替わるタイミングが検知できる。
それによって、交流電源101の正の半周期ではスイッチング素子105bを動作させ、負の半周期ではスイッチング素子105aを動作させるというように、半周期毎に交互にスイッチング動作する素子を切り替えることができる。
電流検出回路(電流検出器)103aは、スイッチング素子105aと105bそれぞれに挿入されている。先ほど説明した位相推定部108の検出値に応じて、複数ある電流検出器103aの検出値のいずれかを選定して制御に利用するものである。つまり、交流電源101の正の半周期ではスイッチング素子105bに直列に接続されている電流検出器103a、負の半周期ではスイッチング素子105aに直列に接続されている電流検出器103aの検出値を適用するようにする。
図16に電流検出器103aの詳細の回路構成を示す。カレントトランス110の二次巻線から一方向導通素子111を介して検出抵抗113で電流−電圧変換を行なうように構成し、一方向導通素子111と検出抵抗113の直列回路と並列に磁束リセット抵抗(リセット抵抗)112を接続してある。一方向導通素子111はダイオードなどを示しているが、特に限定されるものではない。
図9は、図16に示すような電流検出回路における各部の波形図を示し、各図において、上段より一次電流I1、二次巻線に発生する電圧Vr、励磁電流IL、検出電流I2を表している。
一次電流I1が順方向から流れ込んでいる間は、二次巻線のドット側端子に正の電圧が発生して一方向導通素子111が導通し、二次巻線から一方向導通素子111を通じて検出電流I2が検出抵抗113に流れる。一方、一次電流I1が遮断され零になると、それまで励磁インダクタンスに流れていた一部の励磁電流ILにより、今度は逆に二次巻線の
ドット側端子に負の電圧が発生する。そのため、一方向導通素子111は遮断されるので、磁束リセット抵抗112でそのエネルギーが消費される。そして、励磁インダクタンスに蓄えられていたエネルギーが磁束リセット抵抗112で全て消費されると、電圧Vr及び励磁電流ILは零となり、再び一次巻線に電流が流れ込むまでその状態を維持する。
また、各図の各部波形では省略しているが、実際には、一次電流I1はスイッチング素子105a、105bのオン電流が流れているので、本来はターンオン時にダイオード104a、105bのリカバリー電流分が加算されるため、ピーク電流が瞬時的に流れることになり、検出電流I2にも同様の波形が検出されることとなる。そのため、ターンオン及びターンオフ付近の検出値を利用するのではなく、オン電流波形の真ん中当りの検出値を利用するのが望ましい。
(実施の形態3)
図10は、本発明にかかる第3の実施の形態の直流電源装置を示す回路ブロック図である。図10において、交流電源101の出力端から出力される信号は、リアクタ102を経由して、スイッチング素子105a、105bとダイオード104a、104bとの逆並列接続回路からなる直列接続回路と、ダイオード104c、104dからなる直列接続回路より構成されるブリッジ整流回路に入力される。また、ブリッジ整流回路の出力には平滑コンデンサ106、負荷107が接続されている。
また、位相推定部108ついては、スイッチング素子105a、105bのスイッチングするタイミングも含めて実施の形態1と同様なので、説明は省略する。
図4に電流検出器103bの詳細の回路構成を示す。カレントトランス110の一次巻線は巻数N1に中点を設け、複数巻線を構成している。図10と図11において、n点をリアクタ側に接続し、両反対側をスイッチング素子105a、105bに接続する。スイッチング素子105aがオンのときは、一次電流I1_aが、スイッチング素子105bがオンのときは、一次電流I1_bが流れ込むことを示している。
図12は、図11に示すような電流検出回路における各部の波形図を示す。先ほど説明したように、交流電源101の正の半周期では、一次巻線には一次電流I1_aが、負の半周期では、一次電流I1_bが流れ込んでいる。二次巻線側の回路原理については、実施の形態1と同様なので省略するが、結果として図12に示すように、交流電源101の一周期間にて、一次電流I1_a、I1_bに応じた検出電流I2を得ることができる。
また、一次電流I1_aとI1_bが同時に流れる場合は正確な検出電流I2が得られないので、通常は含まないようにスイッチング素子105a、105bを制御する。しかし、同時絡時した際に流れる電流を検知して保護停止する場合、保護が係る設定値を予め高めに設定しておけば、短絡電流を保護することができる。
(実施の形態4)
図13は、本発明に係る第4の実施の形態の直流電源装置を示す回路ブロック図である。図13において、交流電源101の出力端から出力される信号は、リアクタ102を経由して、ダイオード104a〜104dにより構成されるブリッジ整流回路に入力される。なお、スイッチング素子105a、105bはダイオード104b、104dとそれぞれ逆並列に接続される。ブリッジ整流回路の出力には平滑コンデンサ106、負荷107が接続されている。
前記の電流検出器103bの二つの一次巻線の接続点(n点)を平滑コンデンサのマイナス側に接続し、n点の両側をスイッチング素子105a、105bに接続することで、
スイッチング素子105aがオンの時は、一次電流I1_aを、スイッチング素子105bがオンの時は、一次電流I1_bを検出することができる。
なお、位相推定部108、スイッチング素子105a、105bのスイッチングするタイミングを含めて実施の形態1と同様なので、説明は省略する。
さらに、図14に示した回路構成に、前記電流検出器103bと同じ回路構成の電流検出器103c、103dを設ける。
電流検出器103cの二つの一次巻線の接続点(n点)をリアクタ側に接続し、n点の両側をスイッチング素子105a、105bに接続し、電流検出器103dの二つの一次巻線の接続点(n点)をリアクタ側に接続し、n点の両側をダイオード104aのカソード側、ダイオード104bのアノード側に接続する。
交流電源101の正の半周期では、電流検出器103cにより、スイッチング素子105bがオンの時の電流を検出し、電流検出器103dにより、スイッチング素子105bがオフの時の電流を検出する。また、交流電源101の負の半周期では、電流検出器103cにより、スイッチング素子105aがオンの時の電流を検出し、電流検出器103dにより、スイッチング素子105aがオフの時の電流を検出する。
これにより、スイッチング素子105a、105bがオン/オフ時の電流を両方検出することができるため、より高精度で電流を制御することができる。
なお、電流検出器103c、103dの回路構成、検出波形を含めて実施の形態2に記載の電流検出器103bと同様のため、説明を省略する。
以上のように、本発明にかかる直流電源装置は、安価なカレントトランスを用いた電流検出回路で検出して電流フィードバック制御することができる。よって、直流電源装置の実装スペース確保、及び、低コスト化を可能とし、空気調和器や冷蔵庫をはじめ、洗濯機などの電化製品の直流電源装置として適用できる。
101 交流電源
102 リアクタ
103a、103b、103c、103d、103e 電流検出器
104a、104b、104c、104d ダイオード
105a、105b スイッチング素子
106 平滑コンデンサ
107 負荷
108 位相推定部
109 制御装置
110 カレントトランス
111a、111b、111c 一方向導通素子
112 磁束リセット抵抗
113 検出抵抗
114 双方向スイッチ
115a、115b MOS型FET
116a、116b トランジスタ

Claims (4)

  1. 交流電源からの交流電圧を整流する4個のダイオードから構成される整流回路と、前記整流回路の入力側に直列接続されるリアクトルと、前記4個のダイオードのうちの直列接続される2個のダイオードの各々にそれぞれ逆並列接続される2個のスイッチング素子と、前記2個のスイッチング素子の接続点と前記2個のスイッチング素子がそれぞれ並列接続されている前記2個のダイオードの接続点の間に挿入されているカレントトランスからなる電流検出回路と、前記交流電源の瞬時電圧の正負を判断する位相推定部と、前記整流回路の出力側に設けられた平滑コンデンサと、前記スイッチング素子を駆動して前記交流電源からの入力電流波形を制御する制御装置を備えた直流電源装置において、前記電流検出回路は、前記カレントトランスの二次巻線の両端間にリセット抵抗を並列に接続し、さらに2つのMOS型FETで構成された電流経路切替回路と検出抵抗の直列回路が並列に接続され、前記位相推定部にて前記交流電源の瞬時電圧の正を判断したときは前記電流検出回路の順方向に電流が流れ、負を判断したときは逆方向に電流が流れるように前記電流経路切替回路を制御することを特徴とする直流電源装置。
  2. 交流電源からの交流電圧を整流する4個のダイオードから構成される整流回路と、前記整流回路の入力側に直列接続されるリアクトルと、前記4個のダイオードのうちの直列接続される2個のダイオードの各々にそれぞれ逆並列接続される2個のスイッチング素子と、前記2個のスイッチング素子の各々にそれぞれ直列に挿入されているカレントトランスからなる電流検出回路と、前記交流電源の瞬時電圧の正負を判断する位相推定部と、前記整流回路の出力側に設けられた平滑コンデンサと、前記スイッチング素子を駆動して前記交流電源からの入力電流波形を制御する制御装置を備えた直流電源装置において、前記電流検出回路は、前記カレントトランスの二次巻線の両端間にリセット抵抗を並列に接続し、さらに一方向導通素子と検出抵抗の直列回路が並列に接続され、前記位相推定部にて判断された結果に応じて、前記2個のスイッチング素子のいずれかを駆動するもので、駆動中の前記スイッチング素子に直列接続されている前記電流検出回路の検出値に基づいて前記スイッチング素子を制御することを特徴とする直流電源装置。
  3. 交流電源からの交流電圧を整流する4個のダイオードから構成される整流回路と、前記整流回路の入力側に直列接続されるリアクトルと、前記4個のダイオードのうちの直列接続される2個のダイオードの各々にそれぞれ逆並列接続される2個のスイッチング素子と、前記2個のスイッチング素子の各々にそれぞれ直列に挿入されている複数の一次巻線で構成されたカレントトランスからなる電流検出回路と、前記交流電源の瞬時電圧の正負を判断する位相推定部と、前記整流回路の出力側に設けられた平滑コンデンサと、前記スイッチング素子を駆動して前記交流電源からの入力電流波形を制御する制御装置を備えた直流電源装置において、前記電流検出回路は、前記カレントトランスの二次巻線の両端間にリセット抵抗を並列に接続し、さらに一方向導通素子と検出抵抗の直列回路が並列に接続され、前記位相推定部にて判断された結果に応じて、前記2個のスイッチング素子のいずれかを駆動することを特徴とする直流電源装置。
  4. 交流電源からの交流電圧を整流する4個のダイオードから構成される整流回路と、前記整流回路の入力側に直列接続されるリアクトルと、前記4個のダイオードのうち、アノードが共通に接続された2個のダイオードの各々にそれぞれ逆並列接続される2個のスイッチング素子と、前記2個のスイッチング素子の各々にそれぞれ直列に挿入されている複数の一次巻線で構成されたカレントトランスからなる電流検出回路と、前記交流電源の瞬時電圧の正負を判断する位相推定部と、前記整流回路の出力側に設けられた平滑コンデンサと、前記スイッチング素子を駆動して前記交流電源からの入力電流波形を制御する制御装置を備えた直流電源装置において、前記電流検出回路は、前記カレントトランスの二次巻線の両端間にリセット抵抗を並列に接続し、さらに一方向導通素子と検出抵抗の直列回路が
    並列に接続され、前記位相推定部にて判断された結果に応じて、前記2個のスイッチング素子のいずれかを駆動することを特徴とする直流電源装置。
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