JP2015200680A - 液晶表示装置および液晶表示装置の駆動方法 - Google Patents

Abstract

【課題】フリッカを抑制することができる駆動方法を実行する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、マトリクス状に配置された複数の画素を含む第１基板と、前記画素ごとに形成された第１電極および第２電極と、共通電極と、前記第１基板に対向して配置された第２基板と、前記第２基板に形成された対向電極と、誘電率異方性が正の液晶分子を含む液晶層と、前記第１電極、前記第２電極、ならびに前記共通電極および前記対向電極の少なくとも一方の電位を制御する駆動部とを備える。前記駆動部は、前記複数の画素について前記第１電極および前記第２電極の電位を順次書き込むとともに、前記共通電極の電位と前記対向電極の電位との高低関係を反転期間ごとに反転させる。前記複数の画素について前記第１電極および前記第２電極の電位を１回ずつ書き込むための走査期間Ｔｇｓの長さは、前記反転期間の長さの半分以下である。
【選択図】図７

Description

本発明は、液晶表示装置および液晶表示装置の駆動方法に関する。

従来、液晶表示装置の駆動方法として、様々な方式が知られている。

特開２００４−３５４４０７号公報には、一方の基板に形成した第１の電極および第２の電極と、他方の基板に形成した第３の電極とを備える液晶表示装置が開示されている。この液晶表示装置は、第３の電極の電位を１フレーム周期内で変化させ、画像表示期間では第１の電極と第２の電極との間で生じる横電界を利用し、画像非表示期間の初期段階では第１の電極と第３の電極との間で生じる縦電界で液晶分子を駆動する。上記特許文献には、この駆動方法によって特に立下り応答時間を短縮できると記載されている。

特開２００４−３５４４０７号公報

上記特許文献に開示された駆動方法は、１フレーム期間内に画像非表示期間を設ける、いわゆる黒挿入書込みによる駆動方法である。そのため、充分な明るさを得ることが困難である。また、上記特許文献に開示された液晶表示装置では、液晶分子が水平に配向した状態での黒表示と、液晶分子が垂直に配向した状態での黒表示とが混在している。そのため、黒表示の補償を行うことができないため、コントラストが低下する。

ところで、液晶に直流電圧が印加されると、電極表面で電荷の偏りが起こる。そのため、電界の向きを定期的に反転させる必要がある。一般的な液晶表示装置では、電荷の偏りを防ぐための駆動方法として、１水平期間毎に対向する電極の極性を反転させる対向ＡＣ反転駆動や、１フレーム期間毎に対向する電極の極性を反転させるフレーム反転駆動等が知られている。

しかし、大型パネルや高精細パネルに対向ＡＣ反転駆動を適用すると、駆動負荷が大きくなる。一方、フレーム反転駆動では、あるフレームにおいて、すべての画素の極性が同じになるため、フリッカ（Ｆｌｉｃｋｅｒ）が発生し易くなる。

また、上記特開２００４−３５４４０７号公報に記載されているような３種類以上の電極を備える液晶表示装置において、フリッカを抑制する駆動方法は明らかにされていない。

本発明の目的は、フリッカを抑制することができる駆動方法を提供することである。また、当該駆動方法を実行する液晶表示装置を提供することである。

ここに開示する液晶表示装置は、マトリクス状に配置された複数の画素を含む第１基板と、前記画素ごとに形成された第１電極および第２電極と、前記複数の画素にわたって形成された共通電極と、前記第１基板に対向して配置された第２基板と、前記第２基板に形成された対向電極と、前記第１基板と前記第２基板とに挟持され、誘電率異方性が正の液晶分子を含む液晶層と、前記第１電極、前記第２電極、ならびに前記共通電極および前記対向電極の少なくとも一方の電位を制御する駆動部とを備える。前記駆動部は、前記複数の画素について前記第１電極および前記第２電極の電位を順次書き込むとともに、前記共通電極の電位と前記対向電極の電位との高低関係を反転期間ごとに反転させる。前記複数の画素について前記第１電極および前記第２電極の電位を１回ずつ書き込むための走査期間の長さは、前記反転期間の長さの半分以下である。

ここに開示する駆動方法は、マトリクス状に配置された複数の画素を含む第１基板と、前記画素ごとに形成された第１電極および第２電極と、前記複数の画素にわたって形成された共通電極と、前記第１基板に対向して配置された第２基板と、前記第２基板に形成された対向電極と、前記第１基板と前記第２基板とに挟持され、誘電率異方性が正の液晶分子を含む液晶層とを備える液晶表示装置の駆動方法であって、前記複数の画素について前記第１電極および前記第２電極の電位を順次書き込むとともに、前記共通電極の電位と前記対向電極の電位との高低関係を所定の反転期間ごとに反転させる。前記複数の画素について前記第１電極および前記第２電極の電位を１回ずつ書き込むための走査期間の長さは、前記反転期間の長さの半分以下である。

本発明によれば、フリッカを抑制することができる駆動方法が得られる。また、当該駆動方法を実行する液晶表示装置が得られる。

図１は、本発明の一実施形態にかかる液晶表示装置の一部を抜き出して模式的に示す斜視図である。 図２は、液晶表示装置から一つの画素を抜き出して示す平面図である。 図３は、図２のＡ−Ａ線に沿った断面図である。 図４は、液晶表示装置の等価回路図である。 図５Ａは、液晶表示装置による表示動作を説明するための図である。 図５Ｂは、液晶表示装置による表示動作を説明するための図である。 図６は、液晶表示装置の機能的構成を示すブロック図である。 図７は、本発明の第１の実施形態にかかる駆動方法のタイミングチャートである。 図８は、本実施形態における各画素における電極の極性を模式的に示した図である。 図９は、本実施形態の他の例における各画素における電極の極性を模式的に示した図である。 図１０は、本実施形態の他の例における各画素における電極の極性を模式的に示した図である。 図１１は、本発明の第２の実施形態にかかる駆動方法のタイミングチャートである。 図１２は、本発明の第３の実施形態にかかる駆動方法のタイミングチャートである。 図１３は、本発明の変形例にかかる液晶表示装置の模式的断面図である。 図１４は、本発明の変形例にかかる液晶表示装置の等価回路図である。

本発明の一実施形態にかかる液晶表示装置は、マトリクス状に配置された複数の画素を含む第１基板と、前記画素ごとに形成された第１電極および第２電極と、前記複数の画素にわたって形成された共通電極と、前記第１基板に対向して配置された第２基板と、前記第２基板に形成された対向電極と、前記第１基板と前記第２基板とに挟持され、誘電率異方性が正の液晶分子を含む液晶層と、前記第１電極、前記第２電極、ならびに前記共通電極および前記対向電極の少なくとも一方の電位を制御する駆動部とを備える。前記駆動部は、前記複数の画素について前記第１電極および前記第２電極の電位を順次書き込むとともに、前記共通電極の電位と前記対向電極の電位との高低関係を反転期間ごとに反転させる。前記複数の画素について前記第１電極および前記第２電極の電位を１回ずつ書き込むための走査期間の長さは、前記反転期間の長さの半分以下である（第１の構成）。

上記の構成によれば、液晶表示装置は、画素ごとに形成された第１電極および第２電極を備える。駆動部は、第１電極および第２電極の電位を制御して、第１電極と第２電極との間に電界を形成する。これによって、液晶層の液晶分子の配向を画素ごとに制御することができる。

液晶表示装置は、さらに、共通電極と対向電極とを備える。駆動部は、共通電極および対向電極の少なくとも一方の電位を制御して、共通電極と対向電極との間に電界を形成する。ここで、共通電極は第１基板に形成されており、対向電極は第２基板に形成されている。一方、第１電極および第２電極は、いずれも第１基板に形成されている。したがって、共通電極と対向電極とが形成する電界（以下、縦電界という）の方向は、第１電極と第２電極とが形成する電界（以下、横電界という）の方向と交差する方向である。

この構成によれば、横電界が相対的に大きい画素では、横電界によって液晶分子の配向が制御される。一方、横電界が相対的に小さい画素では、縦電界によって液晶分子の配向が制御される。このように、いずれの画素においても、液晶分子の配向は電界によって制御される。そのため、縦電界のみ、または横電界のみによって配向を制御する場合と比較して、応答速度を速くすることができる。

駆動部は、共通電極の電位と対向電極の電位との高低関係を、反転期間ごとに反転させる。すなわち、駆動部は、縦電界を反転期間ごとに反転させる。これによって、液晶層の電荷に偏りが生じるのを防止することができる。

第１電極および第２電極の電位は、縦電界の反転の影響を受ける。そのため、縦電界が反転してから、駆動部によって第１電極および第２電極の電位が書き込まれるまでの間、液晶の配向が乱れ、輝度が低下する。しかし、上記の構成によれば、走査期間の長さは、反転期間の長さの半分以下である。そのため、縦電界の反転の影響によって輝度が低下する期間を短くすることができる。これによって、フリッカを抑制することができる。

上記第１の構成において、前記画素のそれぞれにおいて、前記第１電極の電位と前記第２電極の電位とは互いに反対極性であることが好ましい（第２の構成）。

上記第１または第２の構成において、前記駆動部は、前記第１電極および前記第２電極の電位の極性を、１フレーム期間の長さの整数倍の期間ごとに反転させることが好ましい（第３の構成）。

上記の構成によれば、液晶層の電荷に偏りが生じるのを防止することができる。

上記第１〜第３のいずれかの構成において、前記駆動部は、前記第１電極および前記第２電極の電位の極性を、前記画素の行ごとに反転させることが好ましい（第４の構成）。

上記の構成によれば、液晶層の電荷に偏りが生じるのを防止することができる。また、フリッカをより抑制することができる。

上記第１〜第３のいずれかの構成において、前記駆動部は、前記第１電極および前記第２電極の電位の極性を、前記画素の列ごとに反転させることが好ましい（第５の構成）。

上記の構成によれば、液晶層の電荷に偏りが生じるのを防止することができる。また、フリッカをより抑制することができる。

上記第１〜第３のいずれかの構成において、前記駆動部は、前記第１電極および前記第２電極の電位の極性を、前記画素ごとに反転させることが好ましい（第６の構成）。

上記の構成によれば、液晶層の電荷に偏りが生じるのを防止することができる。また、フリッカをより抑制することができる。

上記第１〜第６のいずれかの構成において、前記反転期間の長さは１フレーム期間の長さの２倍以上であっても良い（第７の構成）。

上記第１〜第７のいずれかの構成において、前記走査期間の長さは１フレーム期間の長さよりも短く、前記駆動部は、前記複数の画素について前記第１電極および前記第２電極の電位を１フレーム期間に１回書き込む構成としても良い（第８の構成）。

上記の構成によれば、１フレーム期間中に、第１電極および第２電極の充電を行わない休止期間が存在する。そのため、消費電力を低くすることができる。

上記第１〜第７のいずれかの構成において、前記走査期間の長さは１フレーム期間の長さよりも短く、前記複数の画素について前記第１電極および前記第２電極の電位を１フレーム期間に２回以上書き込む構成としても良い（第９の構成）。

上記の構成によれば、液晶層の液晶分子の配向をより安定させることができる。

上記第１〜第９のいずれかの構成において、前記対向電極を覆って形成されたオーバーコート層をさらに備えていても良い（第１０の構成）。

上記の構成によれば、オーバーコート層によって、縦電界の強さが小さくなる。そのため、相対的に横電界の影響が大きくなる。これによって、透過率を向上させることができる。

上記第１〜第１０のいずれかの構成において、前記画素の行ごとに形成されたゲートラインと、前記画素の列ごとに形成された第１および第２ソースラインと、前記画素ごとに形成され、前記ゲートラインおよび前記第１ソースラインに接続され、前記ゲートラインに供給される信号によって開閉する第１スイッチング素子と、前記画素ごとに形成され、前記ゲートラインおよび前記第２ソースラインに接続され、前記ゲートラインに供給される信号によって開閉する第２スイッチング素子とをさらに備え、前記第１電極は前記第１スイッチング素子に接続され、前記第２電極は前記第２スイッチング素子に接続される構成としても良い（第１１の構成）。

上記第１１の構成において、前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子は酸化物半導体を含むことが好ましい（第１２の構成）。

本発明の一実施の態様にかかる駆動方法は、マトリクス状に配置された複数の画素を含む第１基板と、前記画素ごとに形成された第１電極および第２電極と、前記複数の画素にわたって形成された共通電極と、前記第１基板に対向して配置された第２基板と、前記第２基板に形成された対向電極と、前記第１基板と前記第２基板とに挟持され、誘電率異方性が正の液晶分子を含む液晶層とを備える液晶表示装置の駆動方法であって、前記複数の画素について前記第１電極および前記第２電極の電位を順次書き込むとともに、前記共通電極の電位と前記対向電極の電位との高低関係を所定の反転期間ごとに反転させ、前記複数の画素について前記第１電極および前記第２電極の電位を１回ずつ書き込むための走査期間の長さは、前記反転期間の長さの半分以下である（駆動方法の第１の態様）。

上記駆動方法の第１の態様において、前記液晶層は誘電率異方性が正の液晶分子を含んでいても良い（駆動方法の第２の態様）。

［実施の形態］
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳しく説明する。図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。なお、説明を分かりやすくするために、以下で参照する図面においては、構成が簡略化または模式化して示されたり、一部の構成部材が省略されたりしている。また、各図に示された構成部材間の寸法比は、必ずしも実際の寸法比を示すものではない。

［液晶表示装置]
図１は、本発明の一実施形態にかかる液晶表示装置１の一部を抜き出して模式的に示す斜視図である。液晶表示装置１は、アレイ基板（第１基板）１０と、対向基板（第２基板）３０と、アレイ基板１０および対向基板３０に挟持された液晶層２０とを備えている。

アレイ基板１０は、基板１１を含んでいる。基板１１は、透光性を有している。基板１１は、例えばガラス基板である。基板１１は、表面にパシベーション膜等が形成されていても良い。基板１１の一方の面には偏光板１５が配置されている。基板１１の他方の面には、共通電極１２、絶縁層１３、およびアレイ層１４が、この順で形成されている。

共通電極１２は、基板１１の表示領域の概略全面を覆って、一様な面状に形成されている。共通電極１２は、透光性の導電膜であり、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）の膜である。共通電極１２は、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）またはスパッタリングによって成膜される。

絶縁層１３は、共通電極１２の概略全面を覆って形成されている。絶縁層１３は、透光性および絶縁性を有している。絶縁層１３は、例えば窒化ケイ素、酸化ケイ素、または酸窒化ケイ素の膜であり、例えばＣＶＤによって成膜される。絶縁層１３はまた、アクリル樹脂等の有機物であっても良く、この場合、例えばスピンコータまたはスリットコータによって成膜される。

アレイ層１４は、それぞれに画素電極が形成された複数の画素Ｐｘを含んでいる。アレイ層１４はさらに、画素電極に信号を供給するための配線（ソースライン１４１およびゲートライン１４２）と、スイッチング素子とを含んでいる。

ソースライン１４１は、互いに平行に所定の間隔で形成されている。ゲートライン１４２は、ソースライン１４１と交差する方向に、互いに平行に所定の間隔で形成されている。ソースライン１４１およびゲートライン１４２は、導電性が高いことが好ましい。ソースライン１４１およびゲートライン１４２は、例えば金属膜である。

以下では図１に示すように、ゲートライン１４２が延びる方向をｘ方向と呼び、ソースライン１４１が延びる方向をｙ方向と呼ぶ。さらに、基板１１の法線方向をｚ方向と呼ぶ。画素Ｐｘは、ｘ方向およびｙ方向に沿ってマトリクス状に配置されている。そのため、ｘ方向の位置が等しい複数の画素Ｐｘの一組を、画素Ｐｘの列と呼ぶ場合がある。さらに、ｙ方向の位置が等しい複数の画素Ｐｘの一組を、画素Ｐｘの行と呼ぶ場合がある。

図２は、液晶表示装置１から一つの画素Ｐｘを抜き出して示す平面図である。一つの画素Ｐｘを、２本のソースライン１４１Ａおよび１４１Ｂと、１本のゲートライン１４２とが通過している。画素Ｐｘにはさらに、スイッチング素子であるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）１４３Ａ（第１スイッチング素子）および１４３Ｂ（第２スイッチング素子）ならびに画素電極である電極１４４Ａ（第１電極）および１４４Ｂ（第２電極）が形成されている。

ＴＦＴ１４３Ａは、ソースライン１４１Ａとゲートライン１４２との交点近傍に形成されている。ＴＦＴ１４３Ａのソースはソースライン１４１Ａに接続され、ゲートはゲートライン１４２に接続され、ドレインは電極１４４Ａに接続されている。ＴＦＴ１４３Ｂは、ソースライン１４１Ｂとゲートライン１４２との交点近傍に形成されている。ＴＦＴ１４３Ｂのソースはソースライン１４１Ｂに接続され、ゲートはゲートライン１４２に接続され、ドレインは電極１４４Ｂに接続されている。すなわち、ＴＦＴ１４３Ａおよび１４３Ｂは、ゲートライン１４２を共有している。ＴＦＴ１４３Ａおよび１４３Ｂのそれぞれにゲートラインを形成する場合と比較して、配線を削減して開口率を高めることができる。また、ＴＦＴ１４３ＡおよびＴＦＴ１４４Ｂを動作させるタイミングを一致させることができる。

ＴＦＴ１４３Ａおよび１４３Ｂは、例えばアモルファスシリコン、ポリシリコン、または酸化物導電体を含む。ＴＦＴ１４３Ａおよび１４３Ｂは、電子移動度が高い酸化物導電体を含むことが好ましい。電子移動度が高い酸化物導電体は、例えばＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）である。

電極１４４Ａおよび１４４Ｂは、いわゆる櫛歯形状である。すなわち、複数に枝分かれした本体部分と、本体部分同士を接続する接続部分とから構成されている。図２に示す例では、電極１４４Ａは、ｙ方向に延びて互いに平行に配置された２つの本体部分と、ｙ方向の一方の端部で本体部分同士を接続する接続部分とから構成されている。同様に、電極１４４Ｂは、ｙ方向に延びて互いに平行に配置された２つの本体部分と、ｙ方向の一方の端部で本体部分同士を接続する接続部分とから構成されている。なお、この構成は例示であって、電極１４４Ａおよび電極１４４Ｂは任意の形状を取り得る。

電極１４４Ａの本体部分と電極１４４Ｂの本体部分とは、交互に並ぶように配置されている。この構成によって、電極１４４Ａと電極１４４Ｂとの間に電位差を形成して、ｘｙ面内方向に電界を形成することができる。図２に示す例では、電極１４４Ａの本体部分と電極１４４Ｂの本体部分とは、ｘ方向に交互に並ぶように配置されている。この構成によって、ｘ方向に電界を形成することができる。

電極１４４Ａおよび１４４Ｂは、導電膜であり、例えばＡｌまたはＣｕ等の金属膜である。電極１４４Ａおよび１４４Ｂは、ＩＴＯまたはＩＺＯ等の透明導電膜であっても良い。

図１および図２では、ソースライン１４１Ａおよび１４１Ｂ、ゲートライン１４２、ＴＦＴ１４３Ａおよび１４３Ｂ、ならびに電極１４４Ａおよび１４４Ｂは、同一の層上に形成されているように図示されている。しかしこれらは、絶縁膜等を介して複数の層に形成されていても良い。すなわちアレイ層１４は、ｚ方向の異なる位置に形成された複数の膜を含んでいていても良い。アレイ層１４は、公知の半導体プロセスによって製造することができる。

再び図１を参照して、説明を続ける。対向基板３０は、基板３１を含んでいる。基板３１は基板１１と同様に、透光性を有している。基板３１は、例えばガラス基板である。基板３１は、表面にパシベーション膜等が形成されていても良い。基板３１の一方の面には偏光板３３が配置されている。基板３１の他方の面には、対向電極３２が形成されている。

対向電極３２は、基板３１の表示領域の概略全面を覆って、一様な面状に形成されている。対向電極３２は、透光性の導電膜であり、例えばＩＴＯまたはＩＺＯの膜である。対向電極３２は、例えばＣＶＤまたはスパッタリングによって成膜される。

液晶表示装置１は、アレイ基板１０と対向基板３０とを、周縁部を封止して貼り合わせ、間に液晶層２０を形成することによって製造される。図１に示すように、アレイ基板１０と対向基板３０とは、アレイ層１４と対向電極３２とが向き合うように配置される。なお、図１には示していないが、アレイ層１４および対向電極３２を覆ってそれぞれに配向膜が形成されている。

液晶層２０を構成する液晶分子は、複屈折性を有している。すなわち、光学軸に平行に振動する光に対する屈折率ｎ_ｅと、光学軸に垂直に振動する光に対する屈折率ｎ_ｏとが異なっている。液晶表示装置１では、誘電率異方性Δｎ＝ｎ_ｅ−ｎ_ｏが正の液晶分子を使用する。液晶分子の誘電率異方性Δｎは、大きい方が好ましい。

図３は、図２のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図４は、液晶表示装置１の等価回路図である。図４に示すように、電極１４４Ａと電極１４４Ｂとは、液晶容量Ｃｌｃ３を介して容量性結合している。電極１４４Ａと対向電極３２とは液晶容量Ｃｌｃ１を介して容量性結合しており、電極１４４Ｂと対向電極３２とは液晶容量Ｃｌｃ２を介して容量性結合している。電極１４４Ａと共通電極１２とは蓄積容量Ｃｓ１を介して容量性結合しており、電極１４４Ｂと共通電極１２とは蓄積容量Ｃｓ２を介して容量性結合している。

図４に示すように、ソースライン１４１Ａには信号ＶｓＡが供給され、ソースライン１４１Ｂには信号ＶｓＢが供給される。ゲートライン１４２には信号Ｖｇが供給され、共通電極１２には信号Ｖｃｏｍが供給され、対向電極３２には信号Ｖｃが供給される。信号ＶｓＡ、ＶｓＢ、Ｖｇ、Ｖｃｏｍ、およびＶｃの詳細については後述する。

図５Ａおよび図５Ｂを参照して、液晶表示装置１による表示動作の概略を説明する。

液晶層２０の液晶分子２０ａは、誘電率異方性Δｎが正であり、分子長軸の方向と電界の方向とが平行になるように配向する。液晶表示装置１は、電極１４４Ａ、１４４Ｂ、対向電極３２、および共通電極１２の電位を制御して、液晶層２０に電界を印加し、液晶分子２０ａの配向方向を制御する。なお、液晶表示装置１には、垂直配向用の配向膜が用いられている。これによって、液晶層２０に電界が印加されていない場合、液晶分子２０ａは、分子長軸がｚ方向を向くように配向する。

以下では、電極１４４Ａと電極１４４Ｂとによって形成される電界を横電界と呼び、共通電極１２と対向電極３２とによって形成される電界を縦電界と呼ぶ。

図５Ａは、縦電界だけが形成され、横電界が形成されていない状態を模式的に示している。図５Ａに示す例では、対向電極３２の電位は７．５Ｖであり、電極１４４Ａ、１４４Ｂ、および共通電極１２の電位は０Ｖである。

図５Ａでは、液晶分子２０ａは、縦電界ならびに配向膜１５および３３の作用によって、分子長軸がｚ方向と平行になるように配向している。このとき、液晶層２０を通る光の偏光方向は、ほとんど変化しない。偏光板１５および３３は、透過軸が互いに直交するように配置されている。したがって、偏光板１５および液晶層２０を透過した光は、偏光板３３によって遮られる。そのため、図５Ａのように横電界が形成されていない画素Ｐｘでは、黒表示（暗表示）が行われる。

図５Ｂは、縦電界に加えて、横電界が形成されている状態を模式的に示している。図５Ｂに示す例では、対向電極３２の電位は７．５Ｖであり、電極１４４Ａの電位は５．０Ｖであり、電極１４４Ｂの電位は−５．０Ｖであり、共通電極１２の電位は０Ｖである。

図５Ｂでは、液晶分子２０ａは、横電界によって、分子長軸がｚ方向からｘｙ面内に傾いて配向している。このとき、液晶層２０を通る光の偏光方向は、液晶分子２０ａの複屈折性によって変化する。これによって、偏光板１５および液晶層２０を透過した光が、偏光板３３を透過できるようになる。そのため、図５Ｂのように横電界が形成されている画素Ｐｘでは、白表示（明表示）が行われる。

このように、液晶表示装置１は、横電界の強さによって画素Ｐｘの階調を制御することができる。液晶表示装置１では、黒表示を行う場合にも、白表示を行う場合にも、縦電界が形成されている。縦電界によって、白表示から黒表示に切り替わる際の応答速度を向上させることができる。すなわち、縦電界によって、ｘｙ面内に傾いた液晶分子２０ａがｚ方向に配向する速度を向上させることができる。

また、本実施形態によれば、黒表示は液晶分子２０ａの垂直配向を用いて行っている。すなわち、特開２００４−３５４４０７号公報の駆動方法のように、液晶分子２０ａが水平に配向した状態での黒表示と、液晶分子２０ａが垂直に配向した状態での黒表示とが混在しない。そのため、黒表示に対して補償を行うことができ、高いコントラストを得ることができる。

［駆動方法］
［第１の実施形態］
図６は、液晶表示装置１の機能的構成を示すブロック図である。液晶表示装置１は、制御部５１と駆動部５２とをさらに備えている。駆動部５２は、ソースドライバ５２１と、ゲートドライバ５２２と、縦電界ドライバ５２３とを含んでいる。

制御部５１および駆動部５２は例えば、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術またはＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）技術によって、アレイ基板１０または対向基板３０に実装されている。制御部５１および駆動部５２の一部または全部が、アレイ基板１０および対向基板３０以外の場所に配置されていても良い。

制御部５１は、外部から供給される映像信号Ｖｉｎに所定の処理を実行して、ソースドライバ５２１、ゲートドライバ５２２、および縦電界ドライバ５２３へ供給する。

ソースドライバ５２１は、制御部５１から供給された信号に基づいて信号ＶｓＡおよびＶｓＢを生成する。そして、ソースドライバ５２１は、信号ＶｓＡをソースライン１４１Ａに供給し、信号ＶｓＢをソースライン１４１Ｂに供給する。

ゲートドライバ５２２は、制御部５１から供給された信号に基づいて信号Ｖｇを生成し、ゲートライン１４２に供給する。ここで、ゲートライン１４２の数をｊ（ｊは自然数）とし、ｋ行目（１≦ｋ≦ｊ）のゲートライン１４２に供給される信号Ｖｇを、信号Ｖｇ＿ｋと表記する。

縦電界ドライバ５２３は、制御部５１から供給された信号に基づいて信号ＶｃｏｍおよびＶｃ生成する。縦電界ドライバ５２３は、信号Ｖｃｏｍを共通電極１２に供給し、信号Ｖｃを対向電極３２に供給する。なお、縦電界ドライバ５２３に代えて、信号Ｖｃｏｍを生成して共通電極１２に供給する回路と、信号Ｖｃを生成して対向電極３２に供給する回路とを別々に設けても良い。

また、縦電界ドライバ５２３は、信号ＶｃｏｍおよびＶｃのいずれか一方だけを生成し、共通電極１２および対向電極３２のいずれか一方にだけ信号を供給する構成としても良い。この場合、共通電極１２および対向電極３２の他方は、一定電位とすることができる。以下では、共通電極１２の電位を一定として、対向電極３２の電位を変化させて、縦電界を制御する例を示す。

図７は、本発明の第１の実施形態にかかる駆動方法のタイミングチャートである。図７中のＶｃは、駆動部５２から対向電極３２に供給される信号Ｖｃの信号波形であるとともに、対向電極３２の電位である。図７中のＶｓＡおよびＶｓＢは、ソースライン１４１Ａおよび１４１Ｂから、ある画素Ｐｘに供給される信号ＶｓＡおよびＶｓＢの信号波形である。図７中のＶｇ＿１は、１行目のゲートライン１４２に供給される信号Ｖｇ＿１の信号波形であり、その下のＶａおよびＶｂは、１行目のゲートライン１４２に接続された電極１４４Ａおよび１４４Ｂの電位である。図７中のＶｇ＿ｊは、ｊ行目のゲートライン１４２に供給される信号Ｖｇ＿ｊの信号波形であり、その下のＶａおよびＶｂは、ｊ行目のゲートライン１４２に接続された電極１４４Ａおよび１４４Ｂの電位である。なお、図７では、図を見易くするため、電極１４４Ａの電位Ｖａを二点鎖線で、電極１４４Ｂの電位Ｖｂを太い実線で、それぞれ示している。後述する図１１および図１２においても同様である。

図７に示すように、本実施形態では、駆動部５２は、１フレーム期間（Ｔｆ）の４倍の長さの期間ごとに、対向電極３２の電位Ｖｃを変化させている。より具体的には、駆動部５２は、４Ｔｆの長さの期間ごとに、縦電界の方向が反転するように、電位Ｖｃを変化させている。すなわち、駆動部５２は、４Ｔｆの長さの期間ごとに、共通電極１２の電位と対向電極３２の電位との高低関係を反転させている。本実施形態では共通電極１２の電位Ｖｃｏｍを一定としているので、駆動部５２は、４Ｔｆの長さの期間ごとに、電位Ｖｃｏｍの値を基準値として対向電極３２の電位Ｖｃの極性を反転させている。

ここで、極性反転に伴うフリッカの影響を低減させるため、共通電極１２と対向電極３２との間の電位差の絶対値は一定であることが好ましい。すなわち、対向電極３２のハイレベル電位をＶｃ＿Ｈ、ローレベル電位をＶｃ＿Ｌとしたとき、Ｖｃ＿Ｈ−Ｖｃｏｍ＝Ｖｃｏｍ−Ｖｃ＿Ｌとなるように、Ｖｃ＿ＨおよびＶｃ＿Ｌ、またはＶｃｏｍの値が調整されていることが好ましい。

信号Ｖｇ１〜Ｖｇ＿ｊは、時分割で一つずつハイレベルになる。すなわち、ある期間では、信号Ｖｇ＿１がハイレベルになり、信号Ｖｇ＿２〜Ｖｇ＿ｊはローレベルになっている。そして、信号Ｖｇ＿１がローレベルになるのと同期して、信号Ｖｇ＿２がハイレベルになる。信号Ｖｇ＿２がハイレベルの期間は、信号Ｖｇ＿１および信号Ｖｇ＿３〜Ｖｇ＿ｊはローレベルになっている。このように、信号Ｖｇ＿１〜Ｖｇ＿ｊの一つが順次ハイレベルになり、他の信号はローレベルになる。

図７中にＳｃａｎとして模式的に示すように、駆動部５２は、走査期間Ｔｇｓの間に、信号Ｖｇ＿１〜Ｖｇ＿ｊを１回ずつハイレベルにする。これによって、駆動部５２は、走査期間Ｔｇｓの間に、液晶表示装置１のすべての画素Ｐｘについて電極１４４Ａおよび電極１４４Ｂの電位を１回ずつ書き込む。本実施形態では、走査期間Ｔｇｓの長さは、１フレーム期間Ｔｆの長さと概略等しい。すなわち、本実施形態では、駆動部５２は、１フレーム期間Ｔｆに、液晶表示装置１のすべての画素Ｐｘについて電極１４４Ａおよび電極１４４Ｂの電位を１回ずつ書き込む。

このときの動作を、図４を参照して説明する。信号Ｖｇ＿ｋ（１≦ｋ≦ｊ）がハイレベルになると、ｋ行目のゲートライン１４２に接続されたＴＦＴ１４３Ａおよび１４３Ｂがオンになる。これによって、ソースライン１４１Ａから信号ＶｓＡが電極１４４Ａに供給され、ソースライン１４１Ｂから信号ＶｓＢが電極１４４Ｂに供給される。これによって、電極１４４Ａに電位ＶｓＡが書き込まれ、電極１４４Ｂに電位ＶｓＢが書き込まれる。電極１４４Ａおよび電極１４４Ｂの電位は、信号Ｖｇ＿ｋがローレベルになってＴＦＴ１４３Ａおよび１４３Ｂがオフになった後も、液晶容量Ｃｌｃ１、Ｃｌｃ２およびＣｌｃ３ならびに蓄積容量Ｃｓ１およびＣｓ２によって概略一定に維持される。

なお、各列への信号ＶｓＡおよびＶｓＢの供給は時分割で行っても良く（点順次駆動）、一斉に行っても良い（線順次駆動）。

電極１４４Ａおよび電極１４４Ｂは、液晶容量Ｃｌｃ１およびＣｌｃ２を介して対向電極３２と容量性結合している。そのため、対向電極３２の電位が変化すると、電極１４４Ａおよび電極１４４Ｂの電位も影響を受ける。そのため、図７に示すように、対向電極３２の電位Ｖｃが変化してから、電極１４４Ａおよび電極１４４Ｂに再び電位が書き込まれるまでの間の期間（図７中の期間Ａ１およびＡ２）では、液晶の配向が乱れ、輝度が低下する。さらに、走査期間Ｔｇｓの始め側（Ｖｇ＿１）の画素Ｐｘでは輝度低下期間が短い（図７中の期間Ａ１を参照）のに対し、走査期間Ｔｇｓの終わり側（Ｖｇ＿ｊ）の画素Ｐｘでは輝度低下期間が長い（図７中の期間Ａ２を参照）。このため、液晶表示装置１内の位置によって輝度が変化し、輝度傾斜が発生する。

本実施形態にかかる駆動方法によれば、走査期間Ｔｇｓの長さはＴｆであり、縦電界を反転させる反転期間の長さは４Ｔｆである。すなわち、走査期間Ｔｇｓの長さは、反転期間の長さの４分の１である。そのため、輝度低下期間（期間Ａ１およびＡ２）を、相対的に短くすることができる。これによって、フリッカを抑制することができる。

本実施形態では、反転期間を４Ｔｆにしている。しかし、反転期間の長さは、１フレーム期間Ｔｆのｎ倍（ｎは２以上の整数）であれば良い。液晶層２０に電荷の偏りを生じさせず、信頼性が維持できる範囲であれば、反転期間はさらに長くても良い。反転期間が長いほど、輝度低下期間は相対的に短くなり、輝度低下期間の影響を小さくすることができる。反転期間は、例えば、１フレーム期間の６０倍（６０Ｔｆ）であっても良い。好ましいフレーム反転期間の長さは、１フレーム期間Ｔｆの長さの６０倍以上である。反転期間長さの上限は、好ましくは１フレーム期間Ｔｆの長さの３６００倍である。なおここでは、１秒間に６０フレーム表示されるとしている。

本実施形態では、信号ＶｓＡおよびＶｓＢは、互いに反対極性である。本実施形態ではさらに、信号Ｖｇ＿１〜Ｖｇ＿ｊの一つがハイレベルになるタイミングと同期して、信号ＶｓＡおよびＶｓＢの極性が反転している。すなわち、本実施形態では、１水平期間ごとに、横電界の方向を反転させている。本実施形態ではさらに、１フレーム期間Ｔｆごとに、信号ＶｓＡおよびＶｓＢの極性が反転している。すなわち、本実施形態では、１フレーム期間Ｔｆごとに横電界の方向を反転させている。

図８は、本実施形態における各画素Ｐｘにおける電極１４４Ａの電位Ｖａおよび電極１４４Ｂの電位Ｖｂの極性を模式的に示した図である。図８中の「＋／−」は、電位Ｖａが正極性で電位Ｖｂが負極性であることを示している。「−／＋」は、電位Ｖａが負極性で電位Ｖｂが正極性であることを示している。後述する図９および図１０においても同様である。

本実施形態では、横電界に関しては、いわゆる１Ｈライン反転駆動およびフレーム反転駆動を行っている。これによって、あるフレームにおいて全ての画素Ｐｘが同一極性になることを避けることができる。したがって、フリッカをより抑制することができる。

本実施形態では、横電界を画素Ｐｘの行ごとに反転させる１Ｈライン反転駆動を行っている。しかし、図９に示すように、横電界を画素Ｐｘの列ごとに反転させるカラム反転駆動を行っても良い。また、図１０に示すように、横電界を画素ごとに反転させるドット反転駆動を行っても良い。さらに、図８〜図１０では、１フレームごとに横電界の極性を反転させているが、複数フレームごとに極性を反転させる駆動方法としても良い。

なお、本実施形態にかかる駆動方法では、画素Ｐｘの輝度を決定するのは主に横電界である。そのため、縦電界のみを用いる駆動方法と比較して、縦電界の電位変動による輝度変化は小さい。したがって、縦電界については極性反転をフレーム単位で行っても、フリッカは生じにくい。すなわち、縦電界についてはライン反転駆動やカラム反転駆動を行わなくても、フリッカは生じにくい。これによって、駆動負荷を小さくすることができる。

以上のように、本実施形態による駆動方法によれば、表示品位を保ったまま、縦電界および横電界の反転を行うことができる。

電極１４４Ａおよび１４４Ｂは、ＴＦＴ１４３Ａおよび１４３Ｂに接続されている。そのため、ＴＦＴ１４３Ａおよび１４３ＢのＯＮ、ＯＦＦによるゲート電圧の変化によって、電極１４４Ａおよび１４４Ｂの電位は変動する。電極１４４Ａおよび１４４Ｂの電位は、具体的には、ΔＶ＝（Ｖｇｈ−Ｖｇｌ）・Ｃｇｄ／Ｃｐｉｘ程度変動する。ここで、ＶｇｈはＴＦＴ１４３Ａ（１４３Ｂ）がＯＮ時のゲート電圧であり、ＶｇｌはＴＦＴ１４３Ａ（１４３Ｂ）がＯＦＦ時のゲート電圧である。また、ＣｇｄはＴＦＴ１４３Ａ（１４３Ｂ）のゲートドレイン間の容量であり、Ｃｐｉｘは電極１４４Ａおよび電極１４４Ｂの負荷容量である。電極１４４Ａおよび１４４Ｂには、この電位変動ΔＶを見込んだ電圧を印加することが好ましい。

電極１４４Ａの電位Ｖａと電極１４４Ｂの電位Ｖｂとは、本実施形態のように、画素Ｐｘのそれぞれにおいて互いに反対極性であることが好ましい。このとき、電位Ｖａと電位Ｖｂとは、共通電極１２の電位Ｖｃｏｍを中心として対称であることが好ましい。換言すれば、電極１４４Ａと共通電極１２との間の電位差の絶対値、および電極１４４Ｂと共通電極１２との間の電位差の絶対値が等しいことが好ましい。これによって、電界を対称にすることができる。この場合、上記の電位変動ΔＶを含めた実効電位において、電極１４４Ａと共通電極１２との間の電位差の絶対値、および電極１４４Ｂと共通電極１２との間の電位差の絶対値を等しくすることが好ましい。

［第２の実施形態］
図１１は、本発明の第２の実施形態にかかる駆動方法のタイミングチャートである。

本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、駆動部５２は、１フレーム期間Ｔｆの４倍の長さの期間ごとに、縦電界を反転させている。本実施形態においても共通電極１２の電位Ｖｃｏｍを一定としているので、駆動部５２は、４Ｔｆの長さの期間ごとに、電位Ｖｃｏｍの値を基準値として対向電極３２の電位Ｖｃの極性を反転させている。

本実施形態では、走査期間Ｔｇｓの長さは１フレーム期間Ｔｆの半分の長さである。すなわち、駆動部５２は、１フレーム期間Ｔｆの半分の長さの期間に、信号Ｖｇ＿１〜Ｖｇ＿ｊを１回ずつハイレベルにする、いわゆる２倍速駆動を行っている。

本実施形態においても、縦電界の反転に伴う輝度低下期間（期間Ａ３およびＡ４）が発生する。しかし、２倍速駆動を行うことによって、輝度低下期間を短くすることができる。さらに、２倍速駆動を行うことによって、走査期間Ｔｇｓの始め側（Ｖｇ＿１）の画素Ｐｘでの輝度低下期間（図１１中の期間Ａ３）の長さと、走査期間Ｔｇｓの終わり側（Ｖｇ＿ｊ）の画素Ｐｘでの輝度低下期間（図１１中の期間Ａ４）の長さとの差を小さくすることができる。すなわち、輝度傾斜を低減させることができる。

また、本実施形態では、走査が終了してから次のフレーム期間Ｔｆが開始するまでの間、電極１４４Ａおよび１４４Ｂの充電を行っていない。この間、信号ＶｓＡおよびＶｓＢは一定値（例えば、共通電極１２と同じ電位）に設定されている。これによって、ソースライン１４１Ａおよび１４１Ｂへの充放電を休止させ、液晶表示装置１の消費電力を低減させることができる。

本実施形態では、２倍速駆動を行っている。しかし、電極１４４Ａおよび電極１４４Ｂへの充電が可能な限り、より高速に駆動しても良い。高速に駆動するほど、輝度低下期間の長さが短くなる。なお、高速駆動を行うため、ＴＦＴ１４３Ａおよび１４３Ｂは、電子移動度の高い酸化物半導体をチャネルとして用いることが好ましい。

本実施形態では、反転期間を４Ｔｆにしている。しかし、反転期間の長さは、走査期間Ｔｇｓの２倍以上であれば良い。したがって、１回の走査を１フレーム期間Ｔｆの長さの１／ｍの期間で行うｍ倍速駆動（ｍ＞１の実数）を行う場合、反転期間の長さは１フレーム期間Ｔｆのｎ倍（ｎは１以上の整数）とすることができる。但し、ｎ×ｍ≧２の関係を満たす。より好ましくは、反転期間の長さは、１フレーム期間Ｔｆの６０倍以上である。なおここでは、１秒間に６０フレーム表示されるとしている。

本実施形態においても、信頼性が維持できる範囲であれば、反転期間はさらに長くても良い。反転期間は、例えば、１フレーム期間の６０倍（６０Ｔｆ）であっても良い。

本実施形態においても、横電界の駆動方法は、１Ｈライン反転駆動、カラム反転駆動、およびドット反転駆動、ならびにこれらとフレーム反転駆動との組み合わせを用いることができる。

［第３の実施形態］
図１２は、本発明の第３の実施形態にかかる駆動方法のタイミングチャートである。

本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、駆動部５２は、１フレーム期間（Ｔｆ）の４倍の長さの期間ごとに、縦電界を反転させている。本実施形態においても共通電極１２の電位Ｖｃｏｍを一定としているので、駆動部５２は、４Ｔｆの長さの期間ごとに、電位Ｖｃｏｍの値を基準値として対向電極３２の電位Ｖｃの極性を反転させている。

本実施形態においても、駆動部５２は、１フレーム期間Ｔｆの半分の長さの期間に、信号Ｖｇ＿１〜Ｖｇ＿ｊを１回ずつハイレベルにする、いわゆる２倍速駆動を行っている。第２の実施形態では、走査が終了してから次のフレーム期間Ｔｆが開始するまでの間、電極１４４Ａおよび１４４Ｂの充電を行わない。これに対し、本実施形態では、１回目の走査が終了した後、同じデータを同極性で再度充電する。これによって、液晶層２０の配向をより安定化させることができる。

本実施形態においても、縦電界の反転に伴う輝度低下期間（期間Ａ５およびＡ６）が発生する。第２の実施形態と同様に、２倍速駆動を行うことによって、輝度低下期間を短くすることができる。さらに、２倍速駆動を行うことによって、走査期間Ｔｇｓの始め側（Ｖｇ＿１）の画素Ｐｘでの輝度低下期間（図１２中の期間Ａ５）の長さと、走査期間Ｔｇｓの終わり側（Ｖｇ＿ｊ）の画素Ｐｘでの輝度低下期間（図１２中の期間Ａ５）の長さとの差を小さくすることができる。すなわち、輝度傾斜を低減させることができる。

本実施形態においても、電極１４４Ａおよび電極１４４Ｂへの充電が可能な限り、より高速に駆動しても良い。高速に駆動するほど、輝度低下期間の長さが短くなる。なお、高速駆動を行うため、ＴＦＴ１４３Ａおよび１４３Ｂは、電子移動度の高い酸化物半導体をチャネルとして用いることが好ましい。

本実施形態では、反転期間を４Ｔｆにしている。しかし、反転期間の長さは、走査期間Ｔｇｓの２倍以上であれば良い。したがって、ｍ倍速駆動（ｍは２以上の整数）で連続書込みを行う場合、反転期間はフレーム期間Ｔｆのｎ倍（ｎは１以上の整数）とすることができる。より好ましくは、反転期間の長さは、１フレーム期間Ｔｆの６０倍以上である。なおここでは、１秒間に６０フレーム表示されるとしている。

本実施形態においても、信頼性が維持できる範囲であれば、反転期間はさらに長くても良い。反転期間は、例えば、１フレーム期間の６０倍（６０Ｔｆ）であっても良い。

本実施形態においても、横電界の駆動方法は、１Ｈライン反転駆動、カラム反転駆動、およびドット反転駆動、ならびにこれらとフレーム反転駆動との組み合わせを用いることができる。

［液晶表示装置の構成の変形例１］
本発明の第１〜第３の実施形態にかかる駆動方法は、液晶表示装置１に加えて、以下に説明する液晶表示装置２に対しても好適に用いることができる。図１３は、本発明の変形例にかかる液晶表示装置２の模式的断面図である。図１４は、液晶表示装置２の等価回路図である。

液晶表示装置２は、液晶表示装置１の対向基板３０に代えて、対向基板４０を備えている。対向基板４０は、対向基板３０が備える構成に加えて、オーバーコート層４１をさらに含んでいる。

オーバーコート層４１は、対向電極３２を覆って形成されている。オーバーコート層４１は、透光性および絶縁性を有している。オーバーコート層４１は、例えば窒化ケイ素、酸化ケイ素、または酸窒化ケイ素の膜であり、例えばＣＶＤによって成膜される。オーバーコート層４１はまた、アクリル樹脂等の有機物であっても良く、この場合、例えばスピンコータまたはスリットコータによって成膜される。

図１４に示すように、電極１４４Ａと対向電極３２とは液晶容量Ｃｌｃ１およびオーバーコート層４１の容量Ｃｏｃ１を介して容量性結合している。電極１４４Ｂと対向電極３２とは、液晶容量Ｃｌｃ２およびオーバーコート層４１の容量Ｃｏｃ２を介して容量性結合している。

液晶表示装置２の構成によれば、オーバーコート層４１によって、縦電界の強さが小さくなる。縦電界の強さが小さくなることで、相対的に横電界の影響が大きくなり、液晶分子がｘ方向に配向し易くなる。これによって、白表示時の透過率を向上させることができる。

オーバーコート層４１の比誘電率は、１よりも大きいことが好ましい。オーバーコート層４１が厚すぎると、液晶分子の応答速度が低下する。そのため、オーバーコート層４１の厚さは、０μｍよりも大きく４μｍ未満であることが好ましい。また、このときのセルギャップ（液晶層２０の厚さ）は、２μｍよりも大きく７μｍ以下であることが好ましい。

液晶表示装置２に対しても、本発明の第１〜第３のいずれかの実施形態にかかる駆動方法を実行することで、フリッカを抑制することができる。

［その他の実施形態］
以上、本発明についての実施形態を説明したが、本発明は上述の各実施形態のみに限定されず、発明の範囲内で種々の変更が可能である。また、各実施形態は、適宜組み合わせて実施することが可能である。

本発明は、液晶表示装置およびその駆動方法として産業上の利用が可能である。

１，２ 液晶表示装置
１０ アレイ基板
１１ 基板
１２ 共通電極
１３ 絶縁層
１４ アレイ層
１４１Ａ，１４１Ｂ ソースライン
１４２ ゲートライン
１４３Ａ，１４３Ｂ ＴＦＴ
１４４Ａ，１４４Ｂ 電極
１５ 偏光板
２０ 液晶層
３０，４０ 対向基板
３１ 基板
３２ 対向電極
３３ 偏光板
４１ オーバーコート層

Claims (14)

1. マトリクス状に配置された複数の画素を含む第１基板と、
   前記画素ごとに形成された第１電極および第２電極と、
   前記複数の画素にわたって形成された共通電極と、
   前記第１基板に対向して配置された第２基板と、
   前記第２基板に形成された対向電極と、
   前記第１基板と前記第２基板とに挟持され、誘電率異方性が正の液晶分子を含む液晶層と、
   前記第１電極、前記第２電極、ならびに前記共通電極および前記対向電極の少なくとも一方の電位を制御する駆動部とを備え、
   前記駆動部は、前記複数の画素について前記第１電極および前記第２電極の電位を順次書き込むとともに、前記共通電極の電位と前記対向電極の電位との高低関係を反転期間ごとに反転させ、
   前記複数の画素について前記第１電極および前記第２電極の電位を１回ずつ書き込むための走査期間の長さは、前記反転期間の長さの半分以下である、液晶表示装置。
2. 前記画素のそれぞれにおいて、前記第１電極の電位と前記第２電極の電位とは互いに反対極性である、請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記駆動部は、前記第１電極および前記第２電極の電位の極性を、１フレーム期間の長さの整数倍の期間ごとに反転させる、請求項１または２に記載の液晶表示装置。
4. 前記駆動部は、前記第１電極および前記第２電極の電位の極性を、前記画素の行ごとに反転させる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
5. 前記駆動部は、前記第１電極および前記第２電極の電位の極性を、前記画素の列ごとに反転させる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
6. 前記駆動部は、前記第１電極および前記第２電極の電位の極性を、前記画素ごとに反転させる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
7. 前記反転期間の長さは１フレーム期間の長さの２倍以上である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
8. 前記走査期間の長さは１フレーム期間の長さよりも短く、
   前記駆動部は、前記複数の画素について前記第１電極および前記第２電極の電位を１フレーム期間に１回書き込む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
9. 前記走査期間の長さは１フレーム期間の長さよりも短く、
   前記複数の画素について前記第１電極および前記第２電極の電位を１フレーム期間に２回以上書き込む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
10. 前記対向電極を覆って形成されたオーバーコート層をさらに備える、請求項１〜９のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
11. 前記画素の行ごとに形成されたゲートラインと、
    前記画素の列ごとに形成された第１および第２ソースラインと、
    前記画素ごとに形成され、前記ゲートラインおよび前記第１ソースラインに接続され、前記ゲートラインに供給される信号によって開閉する第１スイッチング素子と、
    前記画素ごとに形成され、前記ゲートラインおよび前記第２ソースラインに接続され、前記ゲートラインに供給される信号によって開閉する第２スイッチング素子とをさらに備え、
    前記第１電極は前記第１スイッチング素子に接続され、
    前記第２電極は前記第２スイッチング素子に接続される、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
12. 前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子は酸化物半導体を含む、請求項１１に記載の液晶表示装置。
13. マトリクス状に配置された複数の画素を含む第１基板と、
    前記画素ごとに形成された第１電極および第２電極と、
    前記複数の画素にわたって形成された共通電極と、
    前記第１基板に対向して配置された第２基板と、
    前記第２基板に形成された対向電極と、
    前記第１基板と前記第２基板とに挟持され、誘電率異方性が正の液晶分子を含む液晶層とを備える液晶表示装置の駆動方法であって、
    前記複数の画素について前記第１電極および前記第２電極の電位を順次書き込むとともに、前記共通電極の電位と前記対向電極の電位との高低関係を所定の反転期間ごとに反転させ、
    前記複数の画素について前記第１電極および前記第２電極の電位を１回ずつ書き込むための走査期間の長さは、前記反転期間の長さの半分以下である、駆動方法。
14. 前記液晶層は誘電率異方性が正の液晶分子を含む、請求項１３に記載の駆動方法。

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