JP2015198219A5 - - Google Patents
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Description
図３９および図４０に示すように、所定の写真製版処理を施すことにより、ＳＯＩ領域ＣＳＬＲにおける、素子形成領域ＣＳＳＲを覆うフォトレジストＣＰＲ３が形成される。なお、フォトレジストＣＰＲ３は、ｐチャネル型のバルク用トランジスタ（図示せず）が形成される領域も覆っている。
ここで、ＳＯＩ領域ＳＬＲでは、ＳＯＩ領域ＳＬＲのうち、素子形成領域ＳＳＲとその近傍の領域を覆うフォトレジストＰＲ８が形成される。このため、ダミー素子形成領域ＳＤＳＲのうち、ダミーゲート電極ＳＤＧＥによって覆われていない、ダミー素子形成領域ＳＤＳＲの外周に沿って位置する部分（領域Ａ）には、エクステンション注入の不純物が注入されることになるが、後述するように、この領域Ａは、側壁絶縁膜によって覆われることになるため、エピタキシャル層の異常成長を阻止することができる。なお、フォトレジストＰＲ８は、この他に、ｐチャネル型のバルク用トランジスタ（図示せず）が形成される領域も覆うように形成されている。
次に、図７４に示すように、所定の写真製版処理を施すことにより、ＳＯＩ領域ＳＬＲにおける素子形成領域ＳＳＲを露出し、バルク領域ＢＵＲを含む他の領域を覆うフォトレジストＰＲ９が形成される。次に、フォトレジストＰＲ９を注入マスクとして、ｎ型の不純物を注入することにより、素子形成領域ＳＳＲに、エクステンション領域ＳＥＴが形成される。その後、フォトレジストＰＲ９が除去される。
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