JP2015197833A - 不揮発性メモリ監視装置 - Google Patents

Abstract

【課題】不揮発性メモリの使用状態をユーザに通知できるようにする。【解決手段】不揮発性メモリ監視装置（２００）は、不揮発性メモリ（１４）に対する書き込み回数を計測する計測部（１０２）と、互いに長さの異なる複数の計測単位時間内に計測された書き込み回数を計測単位時間毎に保持する書き込み履歴保持部（１０５）と、不揮発性メモリに対する総書き込み回数を保持する総書き込み回数保持部（１０６）と、不揮発性メモリの書き込みの限度回数を保持する書き込み限度回数保持部（１０３）と、推定寿命算出部（１０１）とを備える。推定寿命算出部は、書き込み履歴保持部に保持された計測単位時間毎の書き込み回数と、総書き込み回数保持部に保持された総書き込み回数と、書き込み限度回数保持部に保持された限度回数とに基づいて計測単位時間毎の書き込み頻度で書き込みを続けた場合の不揮発性メモリの推定寿命を計測単位時間毎に算出する。【選択図】図１

Description

本発明は、書き換え回数に限界がある不揮発性メモリを監視する不揮発性メモリ監視装置に関する。

近年、産業機器や車載システム等では、システムの動作を制御するためのプログラム等を保存する記憶媒体として、ＥＥＰＲＯＭやフラッシュメモリ等の不揮発性メモリが多く用いられている。しかしながら、これらの不揮発性メモリは、書き換え回数に限界があり、例えば数十万回程度の書き換えで製品寿命に達し、故障に至る。したがって、不揮発性メモリは、その寿命を超えない範囲で使用する必要がある。

従来から、不揮発性メモリの寿命を予測する技術が知られている。
例えば、特許文献１には、不揮発性メモリ内のメモリ領域に書き込みエラーが発生した場合に、エラーが発生した不良ブロックを代替する不良ブロック代替領域にデータを書き込む半導体記憶装置管理システムにおいて、不良ブロック代替領域の消費ブロック数に基づいて、上記不揮発性メモリの製品寿命を算出し、算出した寿命（年や日数）を報知する技術が開示されている。

また、特許文献２には、不揮発性メモリの書き込み回数に基づいて、不揮発性メモリの書き換え寿命を予測し、不揮発性メモリの交換を促すメッセージを報知する技術が開示されている。

特開２００８−９５９４号公報 特開２００７−１９３６３６号公報

ところで、産業機器等のシステムによっては、ユーザ自身がデータの書き込み先をＲＡＭや不揮発性メモリ、ＨＤＤ等の中から選択できるものがある。このようなシステムにおいて、例えば、更新の頻度の高いデータの書き込み先としてＲＡＭを選択すべきところ、ユーザが間違ってデータの書き込み先を不揮発性メモリに設定してしまう場合がある。このような設定ミスが起こると、不揮発性メモリに対する書き込み頻度が高くなり、不揮発性メモリは短期間で寿命を迎えてしまうため、不揮発性メモリの使用状態をユーザに通知することが望ましい。

しかしながら、上記特許文献に記載の技術のように、不揮発性メモリの予測寿命を単純に通知する従来の方法では、上記のような不揮発性メモリの使用状態をユーザに認識させるのに十分とは言えない。

本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、不揮発性メモリの使用状態をユーザに通知できるようにすることを目的とする。

本発明に係る不揮発性メモリ監視装置は、不揮発性メモリに対する書き込みを監視し書き込み回数を計測する計測部と、互いに長さの異なる複数の計測単位時間内に前記計測部によって計測された書き込み回数を、計測単位時間毎に保持する書き込み履歴保持部と、前記不揮発性メモリに対する書き込み回数の総数を保持する総書き込み回数保持部と、前記不揮発性メモリに対する書き込みの限度回数を保持する書き込み限度回数保持部と、前記書き込み履歴保持部に保持された前記計測単位時間毎の書き込み回数と、前記総書き込み回数保持部に保持された書き込み回数の総数と、前記書き込み限度回数保持部に保持された前記限度回数とに基づいて、前記計測単位時間内において夫々計測された書き込み頻度で書き込みを続けた場合の前記不揮発性メモリの推定寿命を前記計測単位時間毎に算出する推定寿命算出部とを備えることを特徴とする。

上記不揮発性メモリ監視装置において、前記推定寿命算出部によって算出された前記単位時間毎の前記推定寿命の情報を表示する表示部を更に有してもよい。

上記不揮発性メモリ監視装置において、前記表示部は、前記書き込み履歴保持部に保持された計測単位時間毎の書き込み回数を更に表示してもよい。

上記不揮発性メモリ監視装置において、前記推定寿命算出部によって算出された前記計測単位時間毎の前記推定寿命の情報を、当該計測時毎に、固有のデータアドレスと対応させて保持する推定寿命算出結果保持部を更に有してもよい。

上記不揮発性メモリ監視装置において、前記書き込み履歴保持部は、前記不揮発性メモリに対する第１計測単位時間（例えば過去１分）内の書き込み回数と書き込み時刻とを記憶する第１記憶領域と、前記不揮発性メモリに対する前記第１計測単位時間よりも長い第２計測単位時間（例えば過去１時間）内の書き込み回数と書き込み時刻とを記憶する第２記憶領域と、前記不揮発性メモリに対する前記第２計測単位時間よりも長い第３計測単位時間（例えば過去１日）内の書き込み回数と書き込み時刻とを記憶する第３記憶領域と有してもよい。

上記不揮発性メモリ監視装置において、前記書き込み履歴保持部は、前記不揮発性メモリに対する第１計測単位時間（例えば過去１分）内の書き込み回数を記憶する第１記憶領域と、前記不揮発性メモリに対する前記第１計測単位時間毎の書き込み回数を前記第１計測単位時間よりも長い第２計測単位時間（例えば過去１時間）分記憶する第２記憶領域と、前記不揮発性メモリに対する前記第２計測単位時間毎の書き込み回数を前記第２計測単位時間よりも長い第３計測単位時間（例えば過去１日）分記憶する第３記憶領域とを有してもよい。

上記不揮発性メモリ監視装置において、前記第１記憶領域は、前記不揮発性メモリに対する書き込み動作に応じて、記憶した書き込み回数が更新されるとともに、記憶した書き込み回数が前記第１計測単位時間毎にリセットされ、前記第２記憶領域は、前記リセットされる直前に前記第１記憶領域に記憶されていた書き込み回数を前記第１計測単位時間毎に記憶するとともに、前記第１計測単位時間毎に記憶した書き込み回数が前記第２計測単位時間分記憶されたら、最も古い前記第１計測単位時間分の書き込み回数の代わりに最新の前記第１計測単位時間分の書き込み回数を記憶し、前記第３記憶領域は、前記第２記憶領域に記憶された前記第１計測単位時間毎の書き込み回数の合計値を前記第２計測単位時間毎に記憶するとともに、前記第２計測単位時間毎に記憶した書き込み回数が前記第３計測単位時間分記憶されたら、最初に記憶した前記第２計測単位時間分の書き込み回数の代わりに最新の前記第２計測単位時間分の書き込み回数を記憶してもよい。

以上説明したことにより、本発明によれば、不揮発性メモリに対する書き込み回数を長さの異なる複数の計測単位時間毎に計測し、計測した複数の計測単位時間毎の書き込み回数に基づいて、上記単位時間毎の書き込み頻度で書き込みを続けた場合の不揮発性メモリの推定寿命を上記単位時間毎に算出するので、不揮発性メモリの使用状態をユーザに通知することが可能となる。

図１は、本発明の一実施の形態に係る不揮発性メモリ監視装置を内蔵した制御システムの構成を示す図である。 図２は、不揮発性メモリ１４の推定寿命の算出結果の表示例を示す図である。 図３は、不揮発性メモリ１４の推定寿命の算出結果の別の表示例を示す図である。 図４は、算出された単位時間毎の推定寿命と項目コードとの対応関係の一例を示す図である。 図５は、単位時間毎の書き込み回数と項目コードとの対応関係の一例を示す図である。 図６は、単位時間毎の書き込み回数および推定寿命の夫々に付与されたデータコードの一例を示す図である。 図７は、単位時間毎の書き込み履歴を記憶するための第１の記憶方法を説明するための図である。 図８は、単位時間毎の書き込み履歴を記憶するための第２の記憶方法を説明するための図である。 図９は、不揮発性メモリの推定寿命を算出するための処理手順を示す図である。 図１０は、不揮発性メモリ１４の推定寿命の算出結果の更に別の表示例を示す図である。

以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。

図１は、本発明の一実施の形態に係る不揮発性メモリ監視装置を内蔵した制御システムの構成を示す図である。
同図に示される制御システム１００は、制御装置１と、制御装置１の制御対象とされる複数の装置２＿１〜２＿ｎ（ｎは２以上の整数）とを含んで構成される。制御システム１００は、例えば、産業機器や車載システム、空調システム等である。

なお、図１には、制御装置１によって複数の装置２＿１〜２＿ｎが制御される構成が例示されているが、制御対象の装置の数に特に制限はなく、例えば制御対象の装置が一つであってもよい。

制御装置１は、プログラム処理によって装置２＿１〜２＿ｎの動作を制御する機能に加え、プログラム等の各種データを記憶する不揮発性メモリの推定寿命を予測する機能を備える。
具体的に、制御装置１は、データ処理制御部１０と、表示部１１と、操作部１２と、通信部１３と、不揮発性メモリ１４とを含んで構成される。

操作部１２は、ユーザからの指示を入力するための外部インターフェース装置であり、例えばキーボードや操作ボタン等である。操作部１２から入力された指示は電気信号となって後述するデータ処理制御部１０に入力される。

表示部１１は、後述するデータ処理制御部１０による制御に基づいて各種の情報を表示する。表示部１１は、例えば液晶ディスプレイ等である。なお、表示部１１はタッチパネルで実現されてもよく、この場合、操作部１２の一部または全部の機能を表示部１１によって実現することも可能である。

通信部１３は、例えばサーバ等の外部装置との間でデータの送受信を行う。通信部１３によるデータの送受信は、有線通信であっても無線通信であってもよく、特に制限はない。

不揮発性メモリ１４は、書き換え可能な不揮発性の記憶領域を有する記憶装置であり、例えばＥＥＰＲＯＭやフラッシュメモリ等である。不揮発性メモリ１４には、例えば、各種の制御プログラムやデータ処理制御部１０による演算結果等が格納される。不揮発性メモリ１４に対するデータの書き込みや読み出しは、データ処理制御部１０によって制御される。例えば、データ処理制御部１０によって、データ処理制御部１０による演算結果や通信部１３を介して外部から入力されたデータ等が不揮発性メモリ１４に書き込まれる一方、データ処理制御部１０によって、不揮発性メモリ１４に記憶されたデータが読み出され、例えば通信部１３を介して外部装置に送信される。

制御装置１は、所望のデータの書き込み先を、複数の記憶装置（例えば、不揮発性メモリ１４や後述するデータ処理制御部１０内のＲＡＭ、図示されないその他の記憶装置）の中から選択することが可能となっている。例えば、ユーザが操作部１２を介してデータの書き込み先を選択することにより、ＲＡＭまたは不揮発性メモリ１４のいずれか一方に、所望のデータを保存することができる。

データ処理制御部１０は、制御システム１００全体の統括的な制御を行うとともに、不揮発性メモリ１４の推定寿命を算出する。具体的に、データ処理制御部１０は、推定寿命算出部１０１、計測部１０２、書き込み限度回数保持部１０３、推定寿命算出結果保持部１０４、書き込み履歴保持部１０５、総書き込み回数保持部１０６、および制御部１０７等を含んで構成される。

例えば、データ処理制御部１０は、プログラムが格納されたＲＯＭやＲＡＭ等のメモリとプロセッサとを含むマイクロコントローラ（ＭＣＵ）によって構成され、上述した推定寿命算出部１０１や計測部１０２等の各機能部は、上記プロセッサが上記メモリに保存されたプログラムにしたがって各種の演算処理を実行することにより実現される。
制御部１０７は、例えば装置２＿１〜２＿ｎを制御するための制御プログラムにしたがって、装置２＿１〜２＿ｎの動作を制御する。なお、上記制御プログラムはデータ処理制御部１０の構成要素の一つであるＲＯＭに格納されてもよいし、不揮発性メモリ１４に格納されてもよい。

データ処理制御部１０における推定寿命算出部１０１、計測部１０２、書き込み限度回数保持部１０３、推定寿命算出結果保持部１０４、書き込み履歴保持部１０５、および総書き込み回数保持部１０６と表示部１１とは、不揮発性メモリ１４の使用状態を監視する不揮発性メモリ監視装置２００を構成する。

計測部１０２は、不揮発性メモリ１４に対する書き込み動作を監視し、書き込み回数をカウントする。計測部１０２は、カウントした書き込み回数を総書き込み回数保持部１０６および書き込み履歴保持部１０５に記憶させる。例えば、計測部１０２は、不揮発性メモリ１４に対する書き込み回数の合計値（例えば不揮発性メモリ１４が新設または交換されてからの総書き込み回数）を総書き込み回数保持部１０６に記憶するとともに、複数の長さの異なる計測単位時間毎の書き込み履歴を書き込み履歴保持部１０５に記憶する。

ここで、計測単位時間とは、計測の起点となる時点（現時点）から過去の任意の時点までの期間を言う。また、複数の長さの異なる計測単位時間毎の書き込み履歴とは、複数の期間内に行われた不揮発性メモリ１４に対する書き込みの回数を表し、例えば、１秒間の書き込み回数、１分間の書き込み回数、１時間の書き込み回数、１日の書き込み回数、および１週間の書き込み回数等である。なお、書き込み履歴保持部１０５への書き込み履歴の記憶方法の詳細については後述する。

総書き込み回数保持部１０６は、例えば不揮発性メモリ１４の一部の記憶領域や、不揮発性メモリ１４とは別に設けたその他の不揮発性の記憶装置によって実現される。一方、書き込み履歴保持部１０５は、例えばデータ処理制御部１０を構成するＲＡＭ（揮発性メモリ）の一部の記憶領域によって実現される。

書き込み限度回数保持部１０３には、不揮発性メモリ１４に対する書き込み回数の限界を示す書き込み限度回数が格納される。書き込み限度回数保持部１０３は、例えばデータ処理制御部１０を構成するＲＯＭや不揮発性メモリ１４等の一部の記憶領域によって実現され、例えば不揮発性メモリ１４の新設時または交換時に、書き込み限度回数の情報が格納される。

推定寿命算出部１０１は、不揮発性メモリ１４の推定寿命を算出し、算出結果を推定寿命算出結果保持部１０４に格納する。推定寿命算出結果保持部１０４は、例えばデータ処理制御部１０を構成するＲＡＭ（揮発性メモリ）の一部の記憶領域によって実現される。

具体的に、推定寿命算出部１０１は、上記単位時間毎の書き込み頻度で書き込みを続けた場合の不揮発性メモリ１４の推定寿命を上記単位時間毎に算出する。以下、推定寿命算出部１０１による不揮発性メモリ１４の推定寿命の算出方法について、詳細に説明する。

例えば、書き込み限度回数をＬ、総書き込み回数をＷ、計測単位時間内の書き込み回数をＣ、Ｃの時間単位を年単位に変換するための係数をＫとしたとき、不揮発性メモリ１４の推定寿命Ｅは、下記（式１）で表すことができる。

ここで、書き込み限度回数Ｌは、書き込み限度回数保持部１０３に格納された値であり、総書き込み回数Ｗは、総書き込み回数保持部１０６に格納された値であり、計測単位時間内の書き込み回数Ｃは、書き込み履歴保持部１０５に格納された計測単位時間毎の書き込み回数である。推定寿命算出部１０１は、書き込み限度回数保持部１０３、総書き込み回数保持部１０６、および書き込み履歴保持部１０５の夫々に格納されたデータを用いて、上記（式１）にしたがって揮発性メモリ１４の推定寿命Ｅを算出する。

例えば、計測単位時間を１分間とした場合、過去１分間の書き込み頻度に基づく不揮発性メモリ１４の推定寿命Ｅ＿ｍｉｎは、下記のように求められる。例えば、書き込み限度回数Ｌ＝１００万回、総書き込み回数Ｗ＝２０万回、１分間の書き込み回数Ｃ＝７回、係数Ｋ＝５２５６００（＝６０×２４×３６５）とした場合、過去１分間の書き込み頻度に基づく不揮発性メモリ１４の推定寿命Ｅ＿ｍｉｎは、（式２）に示されるように、約０．２年と算出される。

また、例えば計測単位時間を１日とした場合、過去１日の書き込み頻度に基づく不揮発性メモリ１４の推定寿命Ｅ＿ｄａｙは、下記のように求められる。例えば、書き込み限度回数Ｌ＝１００万回、総書き込み回数Ｗ＝２０万回、１時間の書き込み回数Ｃ＝８０回、係数Ｋ＝８７６０（＝２４×３６５）とした場合、過去１日間の書き込み頻度に基づく不揮発性メモリ１４の推定寿命Ｅ＿ｍｉｎは、（式３）に示されるように、約１．１年と算出される。

上記のように推定寿命算出部１０１によって算出された不揮発性メモリ１４の推定寿命の算出結果は、推定寿命算出結果保持部１０４に格納されるとともに、表示部１１に表示される。

図２に、不揮発性メモリ１４の推定寿命の算出結果の表示例を示す。
図２に示されるように、表示部１１の表示エリアに、推定寿命と書き込み回数とが計測単位時間毎に表示される。表示部１１に対する表示の制御は、例えば制御部１０７によって行われる。

また、表示部１１が簡易な液晶ディスプレイ等によって構成され、表示エリアや表示内容が制限されている場合には、不揮発性メモリ１４の使用状態を示すために必要な情報を限定して表示すればよい。

具体的には、図３に示されるように、表示部１１が例えばアルファベットと数値等の簡単な情報しか表示できない２つの表示領域１１０Ａ、１１０Ｂから構成されている場合には、一方の表示部１１０Ａに項目コードを表示させ、他方の表示部１１０Ｂに、表示部１１０Ａに表示された項目コードに対応するデータ値を表示させてもよい。ここで、データ項目とは、データの種別を表すものであり、例えば、計測単位時間毎の推定寿命や書き込み回数等である。項目コードとは、データ項目毎に付与された固有のコードであり、例えば“過去１分間の書き込み履歴に基づく推定寿命”や“過去１分間の書き込み回数”等の夫々に付与される。具体的には、例えば図４、５のように、データ項目と項目コードとを対応付けることができる。

例えば、図４に示されるように、過去１分間の書き込み回数（書き込み履歴）に基づく推定寿命を表す項目コードを“Ｃ０１−Ｙ”、過去１時間の書き込み履歴に基づく推定寿命を表す項目コードを“Ｃ０２−Ｙ”、というように、単位時間毎の書き込み履歴に基づく推定寿命のデータに項目コードを予め対応付けておく。

また、図５に示されるように、過去１分間の書き込み回数を表す項目コードを“Ｃ０１−Ｎ”、過去１時間の書き込み回数を表す項目コードを“Ｃ０２−Ｎ”、というように、単位時間毎の書き込み回数のデータに項目コードを予め対応付けておく。

これにより、前述した図３のように、２つの表示領域１１０Ａ、１１０Ｂに、項目コードとその項目コードに対応付けられたデータとを表示させることができる。なお、図３には、一例として、“過去１分間の書き込み履歴に基づく推定寿命”が“０．８年”である場合が示されている。

２つの表示領域１１０Ａ、１１０Ｂに表示させるデータ項目の切り替えは、例えば操作部１２を操作することにより実現されるようにしてもよい。例えば、図５に示される操作部１２の選択ボタン１２０を１回押す毎に、表示させる項目コードとデータとが図４および図５の並び順にしたがって切り替わるようにしてもよい。

不揮発性メモリ１４の推定寿命の算出結果は、上記のように表示部１１に表示されるだけでなく、通信部１３を介して制御装置１の外部に設けられた別の装置から読み出せるようにしてもよい。具体的には、図６に示されるように、データ項目毎に固有のデータアドレスと対応させて情報を保存しておく。例えば、過去１分間分の書き込み頻度に基づく推定寿命のデータにデータアドレス“２００１”を対応付けて推定寿命算出結果保持部１０４に格納し、過去１分間分の書き込み回数のデータにデータアドレス“２００２”を対応付けて書き込み履歴保持部１０５に格納する。

例えば外部装置が読み出したいデータ項目がある場合、そのデータ項目に対応したデータアドレスを制御装置１に対して指定することにより、指定されたデータアドレスに対応付けられたデータ（推定寿命の算出値や書き込み回数等）が推定寿命算出結果保持部１０４から読み出され、通信部１３を介して外部装置に送信される。

次に、単位時間毎の書き込み回数の記憶方法について説明する。
前述したように、単位時間毎の書き込み回数（書き込み履歴）は、書き込み履歴保持部１０５に格納される。書き込み履歴の記憶方法として、以下に示す２つの方法を例示することができる。

先ず、第１の記憶方法について説明する。
図７は、単位時間毎の書き込み履歴を記憶するための第１の記憶方法を説明するための図である。図７に示されるように、履歴保持部１０５内に４つの記憶領域１０５１〜１０５４を設け、夫々の記憶領域１０５１〜１０５４に、単位時間毎の書き込み回数と書き込み時刻とを記憶させる。

具体的には、記憶領域１０５１は、不揮発性メモリ１４に対する過去１分間の書き込み回数および書き込み時刻を記憶する。記憶領域１０５２は、不揮発性メモリ１４に対する過去１時間の書き込み回数および書き込み時刻を記憶する。記憶領域１０５３は、不揮発性メモリ１４に対する過去１日の書き込み回数および書き込み時刻を記憶する。記憶領域１０５４は、不揮発性メモリ１４に対する過去１週間の書き込み回数および書き込み時刻を記憶する。

例えば、記憶領域１０５１は、書き込みがあった時刻とその時刻における書き込み回数が１秒単位で記憶され、時刻が１分経過する毎に１分以上前の履歴が削除されるとともに、削除後の記憶領域１０５１に記憶された書き込み回数の合計値が、記憶領域１０５２に記憶される。なお、図７の記憶領域１０５１には、２０１３年１月８日１０時１１分０秒になったときに、２０１３年１月８日１０時１０分より古い履歴を削除された場合が示されている。

また、記憶領域１０５２は、記憶領域１０５１に記憶された書き込み回数の合計値と書き込み時刻が１分単位で記憶され、時刻が１時間経過する毎に１時間以上前の履歴が削除されるとともに、削除後の記憶領域１０５２に記憶された書き込み回数の合計値が、記憶領域１０５３に記憶される。なお、図７の記憶領域１０５２には、２０１３年１月８日１１時００分００秒になったときに、２０１３年１月８日１０時００分００秒より古い履歴が削除された場合が示されている。

また、記憶領域１０５３は、記憶領域１０５２に記憶された書き込み回数の合計値と書き込み時刻が１時間単位で記憶され、時刻が１日経過する毎に１日以上前の履歴が削除されるとともに、削除後の記憶領域１０５３に記憶された書き込み回数の合計値が、記憶領域１０５４に記憶される。なお、図７の記憶領域１０５３には、２０１３年１月９日００時００分００秒になったときに、２０１３年１月８日００時００分００秒より古い履歴が削除された場合が示されている。

更に、記憶領域１０５４は、記憶領域１０５３に記憶された書き込み回数の合計値と書き込み時刻が１日単位で記憶され、時刻が７日経過する毎に７日以上前の履歴が削除される。なお、図７の記憶領域１０５４には、２０１３年１月１４日００時００分００秒になったときに、２０１３年１月７日より古い履歴が削除された場合が示されている。

上記第１の記憶方法によれば、書き込み履歴保持部１０５内の夫々の記憶領域１０５１〜１０５４に単位時間毎の書き込み回数および書き込み時刻を記憶させることにより、例えば１週間分の書き込み履歴を記憶するために必要なメモリ容量を小さくすることが可能となる。

次に、第２の記憶方法について説明する。
図８は、単位時間毎の書き込み履歴を記憶するための第２の記憶方法を説明するための図である。図８に示されるように、書き込み履歴保持部１０５内に４つの記憶領域２０５１〜２０５４を設け、夫々の記憶領域２０５１〜２０５４に、単位時間毎の書き込み回数を記憶させる。

具体的には、記憶領域２０５１は、不揮発性メモリ１４に対する１分間の書き込み回数を記憶する。記憶領域２０５２は、不揮発性メモリ１４に対する過去１時間の書き込み回数を記憶する。記憶領域２０５３は、不揮発性メモリ１４に対する過去１日の書き込み回数を記憶する。記憶領域２０５４は、不揮発性メモリ１４に対する過去１週間の書き込み回数を記憶する。

夫々の記憶領域２０５１〜２０５４には、以下に示すように書き込み回数が記憶される。
例えば、記憶領域２０５１は、不揮発性メモリ１４に対する書き込み動作に応じて書き込み回数が逐次更新されるともに、１分毎に、記憶された書き込み回数の値がリセットされる。これにより、記憶領域２０５１には、最新の１分間の書き込み回数が記憶される。

また、記憶領域２０５２は、記憶領域２０５１がリセットされる直前に記憶領域２０５１に記憶されていた書き込み回数が１分毎に記憶されるとともに、１分毎に記憶した書き込み回数が１時間分記憶されたら、最も古い１分間分の書き込み回数が削除され、最新の１分間分の書き込み回数が記憶される。例えば、図８の場合、０〜５９分までの書き込み回数の合計値が過去１時間の書き込み回数（書き込み履歴）となる。

また、記憶領域２０５３は、記憶領域２０５２に記憶された１時間毎の書き込み回数の合計値が１日毎に記憶されるとともに、１時間毎に記憶した書き込み回数が１日分記憶されたら、最も古い１時間分の書き込み回数が削除され、最新の１時間分の書き込み回数が記憶される。図８の場合、０〜２３時までの書き込み回数の合計値が過去１日の書き込み回数（書き込み履歴）となる。

記憶領域２０５４は、記憶領域２０５３に記憶された１日毎の書き込み回数の合計値が１週間毎に記憶されるとともに、１日毎に記憶された書き込み回数が１週間分記憶されたら、最も古い１日分の書き込み回数が削除され、最新の１日分の書き込み回数が記憶される。図８の場合、０〜６日までの書き込み回数の合計値が過去１週間の書き込み回数（書き込み履歴）となる。

上記第２の記憶方法によれば、書き込み履歴保持部１０５内の夫々の記憶領域２０５１〜２０５４に単位時間毎の書き込み回数を上記のように記憶させることにより、例えば１週間分の書き込み履歴を記憶するために必要なメモリ容量を、上記第１の記憶方法よりも更に小さくすることが可能となる。

次に、推定寿命算出部１０１による不揮発性メモリ１４の推定寿命の算出手順について説明する。
図９は、データ処理制御部１０による不揮発性メモリ１４の推定寿命を算出する処理手順を示す図である。図９に示されるように、例えば制御装置１が起動すると、計測部１０２が不揮発性メモリ１４に対する書き込み回数の記憶を開始する（Ｓ１０１）。具体的には、不揮発性メモリ１４に対する総書き込み回数が総書き込み回数保持部１０６に記憶され、不揮発性メモリに対する単位時間毎の書き込み回数が書き込み履歴保持部１０５に記憶される。

推定寿命算出部１０１は、不揮発性メモリ１４の推定寿命の算出指示の有無を判別する（Ｓ１０２）。推定寿命の算出の指示がない場合には、引き続き、計測部１０２によって不揮発性メモリ１４に対する書き込みの有無が監視される。一方、推定寿命の算出の指示あった場合、推定寿命算出部１０１は、推定寿命の算出処理を開始する（Ｓ１０３）。なお、推定寿命の算出の指示は、例えばユーザから操作部１２を介して推定寿命算出部１０１に入力される場合や、指定された時刻または一定周期毎にデータ処理制御部１０内に設けられたタイマ等から推定寿命算出部１０１に入力される場合等が考えられる。

推定寿命の算出の指示を受けた推定寿命算出部１０１は、書き込み限度回数保持部１０３、総書き込み回数保持部１０６、および書き込み履歴保持部１０５に格納された値を読出し、上記（式１）にしたがって、単位時間毎の書き込み頻度に応じた揮発性メモリ１４の推定寿命を算出する。単位時間毎の書き込み頻度に応じた推定寿命の算出結果は、推定寿命算出結果保持部１０４に格納される（Ｓ１０４）。

次に、制御部１０７は、推定寿命算出結果保持部１０４に格納された推定寿命の算出値を、前述した図３や図５に示される方法で、表示部１１に表示させる（Ｓ１０５）。その後は、例えば制御装置１に対する終了処理の実行や停電等の電源遮断によって制御装置１の動作が停止するまで、上述したステップＳ１０１〜Ｓ１０５の処理が繰り返し実行される。

以上のように、不揮発性メモリ１４に対する書き込み回数を単位時間毎に計測し、計測した複数の単位時間毎の書き込み回数に基づいて、上記単位時間毎の書き込み頻度で書き込みを続けた場合の不揮発性メモリ１４の推定寿命を上記単位時間毎に算出して表示することで、不揮発性メモリの使用状態を適切にユーザに通知することが可能となる。

例えば、ユーザが毎分２回のデータの書き込み先をＲＡＭに設定するつもりが、誤って不揮発性メモリ１４に設定してしまい、約１時間経過したという状況を仮定する。この状況における単位時間毎の書き込み回数と推定寿命が図２に示される内容であったとすると、ユーザは、図２の表示内容を見ることにより、過去１分間および過去１時間の書き込み頻度（書き込み回数）に基づく推定寿命が、過去１日および過去１週間の書き込み頻度に基づく推定寿命よりも短くなっていると判断し、データの書き込み先の設定が間違っていることに気付くことができる。

また、別の事例として、毎日行っている制御プログラムの全パラメータの更新が完了した直後の状況を仮定する。この状況における単位時間毎の書き込み回数と推定寿命が図１０に示される内容であったとすると、ユーザは、図１０の表示内容を見ることにより、制御プログラムの全パラメータの更新を引き続き毎日行うとすれば、不揮発性メモリ１４は約３年で寿命を迎え、週１回のペースで更新を行うとすれば、不揮発性メモリ１４は約２０年で寿命を迎えると理解することができる。この場合に、例えば５年後に制御システム１を全体的に見直す計画があるとすれば、ユーザは、毎日行っていた制御プラグラムの全パラメータの更新を週１回に改めることで、５年後の制御システム１の見直しまでに不揮発性メモリ１４を交換する必要がないと判断することができる。

以上のように、不揮発性メモリ１４に対する単位時間毎の書き込み頻度に基づく推定寿命を算出し、算出した単位時間毎の推定寿命や単位時間毎の書き込み回数等の情報を例えば表示部１１に表示させることで、不揮発性メモリ１４の現在の使用状態を適切にユーザに知らせることができる。

また、上記のように、算出した単位時間毎の推定寿命や単位時間毎の書き込み回数等のデータに固有のデータアドレスを付与することで、表示部１１に不揮発性メモリ１４の使用状態の情報を表示させるだけでなく、その情報を外部に送信することが容易となる。

更に、上記のように、単位時間毎の書き込み履歴を記憶領域１０５１〜１０５４、２０５１〜２０５４に記憶することにより、書き込み履歴を記憶するために必要なメモリ容量を小さくすることが可能となる。これにより、上述した不揮発性メモリ監視装置を小規模なハードウェア構成から成る組み込みソフトウェアの制御システムにも適用することが可能となる。特に、上記第２の記憶方法のように、単位時間毎の書き込み回数のみを記憶領域２０５１〜２０５４に記憶すれば、必要なメモリ容量を更に小さくすることができる。

以上、本発明者らによってなされた発明を実施の形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。

例えば、図８に示した第２の記憶方法において、１分間の書き込み回数を記憶する記憶領域２０５４を別途設ける場合を例示したが、これに限られず、１時間の書き込み回数を記憶する記憶領域２０５５の一つの記憶ブロックを１分間の書き込み回数を記憶する記憶領域２０５４として兼用することも可能である。この場合、記憶領域２０５５における最新の書き込み回数が記憶された記憶ブロックが、１分間の書き込み回数を記憶する記憶領域２０５４として機能する。

また、推定寿命算出結果保持部１０４に対する書き込み履歴の記憶方法として、図７および図８に示される第１および第２の記憶方法を例示したが、これに限られない。例えば、推定寿命算出結果保持部１０４の大容量化が許容される場合には、不揮発性メモリ１４に対する１回の書き込み毎に、履歴番号と書き込み時刻とを推定寿命算出結果保持部１０４に記憶する方法であってもよい。

また、計測時間毎の書き込み回数および推定寿命を表示部１１に表示させる場合を例示したが、これに限られない。例えば、表示部１１に表示させずに通信部１３を介して外部装置に送信し、必要に応じて外部装置側のモニタ等に表示させることも可能である。

１００…制御システム、２００…不揮発性メモリ監視装置、１…制御装置、２＿１〜２＿ｎ…制御対象の装置、１０…データ処理制御部、１１…表示部、１２…操作部、１３…通信部、１４…不揮発性メモリ、１０１…推定寿命算出部、１０２…計測部、１０３…書き込み限度回数保持部、１０４…推定寿命算出結果保持部、１０５…書き込み履歴保持部、１０７…制御部、１１０Ａ、１１０Ｂ…表示領域、１０５１〜１０５４、２０５１〜２０５４…記憶領域。

Claims (7)

1. 不揮発性メモリに対する書き込みを監視し、書き込み回数を計測する計測部と、
   互いに長さの異なる複数の計測単位時間内に前記計測部によって計測された書き込み回数を、計測単位時間毎に保持する書き込み履歴保持部と、
   前記不揮発性メモリに対する書き込み回数の総数を保持する総書き込み回数保持部と、
   前記不揮発性メモリに対する書き込みの限度回数を保持する書き込み限度回数保持部と、
   前記書き込み履歴保持部に保持された前記計測単位時間毎の書き込み回数と、前記総書き込み回数保持部に保持された書き込み回数の総数と、前記書き込み限度回数保持部に保持された前記限度回数とに基づいて、前記計測単位時間内において夫々計測された書き込み頻度で書き込みを続けた場合の前記不揮発性メモリの推定寿命を前記計測単位時間毎に算出する推定寿命算出部とを備える
   ことを特徴とする不揮発性メモリ監視装置。
2. 請求項１に記載の不揮発性メモリ監視装置において、
   前記推定寿命算出部によって算出された前記単位時間毎の前記推定寿命の情報を表示する表示部を更に有する
   ことを特徴とする不揮発性メモリ監視装置。
3. 請求項２に記載の不揮発性メモリ監視装置において、
   前記表示部は、前記書き込み履歴保持部に保持された計測単位時間毎の書き込み回数を表示する
   ことを特徴とする不揮発性メモリ監視装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項に記載の不揮発性メモリ監視装置において、
   前記推定寿命算出部によって算出された前記計測単位時間毎の前記推定寿命の情報を、当該計測時毎に、固有のデータアドレスと対応させて保持する推定寿命算出結果保持部を更に有する
   ことを特徴とする不揮発性メモリ監視装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項に記載の不揮発性メモリ監視装置において、
   前記書き込み履歴保持部は、
   前記不揮発性メモリに対する第１計測単位時間内の書き込み回数と書き込み時刻とを記憶する第１記憶領域と、
   前記不揮発性メモリに対する前記第１計測単位時間よりも長い第２計測単位時間内の書き込み回数と書き込み時刻とを記憶する第２記憶領域と、
   前記不揮発性メモリに対する前記第２計測単位時間よりも長い第３計測単位時間内の書き込み回数と書き込み時刻とを記憶する第３記憶領域と有する
   ことを特徴とする不揮発性メモリ監視装置。
6. 請求項１乃至４のいずれか一項に記載の不揮発性メモリ監視装置において、
   前記書き込み履歴保持部は、
   前記不揮発性メモリに対する第１計測単位時間内の書き込み回数を記憶する第１記憶領域と、
   前記不揮発性メモリに対する前記第１計測単位時間毎の書き込み回数を前記第１計測単位時間よりも長い第２計測単位時間分記憶する第２記憶領域と、
   前記不揮発性メモリに対する前記第２計測単位時間毎の書き込み回数を前記第２計測単位時間よりも長い第３計測単位時間分記憶する第３記憶領域とを有する
   ことを特徴とする不揮発性メモリ監視装置。
7. 請求項６に記載の不揮発性メモリ監視装置において、
   前記第１記憶領域は、前記不揮発性メモリに対する書き込み動作に応じて、記憶した書き込み回数が更新されるとともに、記憶した書き込み回数が前記第１計測単位時間毎にリセットされ、
   前記第２記憶領域は、前記リセットされる直前に前記第１記憶領域に記憶されていた書き込み回数を前記第１計測単位時間毎に記憶するとともに、前記第１計測単位時間毎に記憶した書き込み回数が前記第２計測単位時間分記憶されたら、最も古い前記第１計測単位時間分の書き込み回数の代わりに最新の前記第１計測単位時間分の書き込み回数を記憶し、
   前記第３記憶領域は、前記第２記憶領域に記憶された前記第１計測単位時間毎の書き込み回数の合計値を前記第２計測単位時間毎に記憶するとともに、前記第２計測単位時間毎に記憶した書き込み回数が前記第３計測単位時間分記憶されたら、最初に記憶した前記第２計測単位時間分の書き込み回数の代わりに最新の前記第２計測単位時間分の書き込み回数を記憶する
   ことを特徴とする不揮発性メモリ監視装置。

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