JP2015191185A - 位相変調装置及びその制御方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 80
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 11
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- -1 for example Substances 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/025—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction in an optical waveguide structure
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/225—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure
- G02F1/2257—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure the optical waveguides being made of semiconducting material
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
- H04B10/501—Structural aspects
- H04B10/503—Laser transmitters
- H04B10/505—Laser transmitters using external modulation
- H04B10/5051—Laser transmitters using external modulation using a series, i.e. cascade, combination of modulators
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
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- Electromagnetism (AREA)
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Abstract
【解決手段】光導波路コア11の光軸に沿って、光導波路コア11の両側に連結された一対の側面端子12A,13Aを備えたダイオード型の位相変調器1と、位相変調器1に入力する電気信号を制御する制御部2とを備え、位相変調器1は、側面端子13Aが光導波路コア11の光軸に沿って複数に分断されており、分断された側面端子13Aごとに各々電気的に分離された電極15を有すると共に、制御部2は、側面端子13Aの電極15に接続されたスイッチ16及び定電流源を有しており、オンにするスイッチ16の個数により、光導波路コア11の伝搬光の位相の変化量を段階的に制御する。
【選択図】図1
Description
図7は、従来の側面格子導波路を備えた位相変調器における位相変化(図7(a))及び電流(図7(b))の電圧依存性を示す特性図である。250μm程度という短い作用長により、位相変調器に与える電圧をダイオードに対して順方向となる向きに0Vから1Vに変化させることで、0からπまでの位相変化が得られている。
先ず、第1の実施形態について説明する。図1は、第1の実施形態による位相変調装置の主要構成を説明するための概略平面図である。
この位相変調装置は、所定の基板上に形成された位相変調器1と、位相変調器1に入力する電気信号を制御する制御部2とを備えて構成される。
側面格子導波路12は、多数のフィン12aを有して光導波路コア11の一方の側面に沿って接続されており、当該側面に沿ってフィン12aに接続された電極形成部位である側面端子12Aが形成されている。フィン12aは、幅が例えば80nm程度、周期が例えば285nm程度とされている。側面格子導波路12には、p型不純物、例えばホウ素(B)がドープされたp型領域が形成されており、側面端子12Aがp+型ドーピング領域とされ、フィン12aの部位(の一部)がp-型ドーピング領域とされている。
各電極15は、Al等からなり、各側面端子13Aと接続されている。
本実施形態では、側面端子13A及び電極15ごとに、図1中において破線で囲む部位が微小位相変調器3とされ、pinダイオードが形成される。ダイオードに順方向バイアス電圧となるように定電流を流すことにより、ダイオードのPN接合部位に配された光導波路コア11におけるキャリア(電子及びホール)の濃度が変化する。これにより、プラズマ効果を利用して光導波路コア11を伝搬する光の位相が変調される。
図7で示したように、従来の側面格子導波路を備えた位相変調器(作用長250μm程度)では、0.95V程度までの電圧では、位相変化は電圧に対して指数関数的な非線形な増大を示しており、0.8V程度までは殆ど位相変化が得られない。0.95V程度以上の電圧では、位相変化は電圧に対して概ね線形の変化を示すが、その傾きは非常に大きい。位相変調器には最大でπの位相変化幅が求められるが、図7より、250μm程度の作用長で1V程度の順方向バイアス電圧を与えることにより、0から約πまでの位相変化を得ることができる。
図3〜図4は、第1の実施形態における位相変調装置の製造方法について工程順に示す概略図である。図3〜図4の(a)〜(c)において、下図が平面図、上図が下図の破線I−Iに沿った断面図である。
詳細には、SOI層22の表面上に、一方の側面部分を露出するレジストマスクを形成し、当該露出部分にn型不純物、例えばリン(P+)又は砒素(As+)をドーピングする。レジストマスクはウェット処理又はアッシング処理により除去される。
次に、上記のドーピング部分のうち、SOI層22の表面で中央寄りの部分を露出するレジストマスクを形成し、当該露出部分にn型不純物、例えばリン(P+)又は砒素(As+)を、上記のドーピングよりも高濃度にドーピングする。レジストマスクはウェット処理又はアッシング処理により除去される。
詳細には、SOI層22の表面上に、一方の側面部分を露出するレジストマスクを形成し、当該露出部分にp型不純物、例えばホウ素(B+)をドーピングする。レジストマスクはウェット処理又はアッシング処理により除去される。
次に、上記のドーピング部分のうち、SOI層22の表面で中央寄りの部分を露出するレジストマスクを形成し、当該露出部分にp型不純物、例えばホウ素(B+)を、上記のドーピングよりも高濃度にドーピングする。レジストマスクはウェット処理又はアッシング処理により除去される。
詳細には、リソグラフィー及びドライエッチングによりSOI層22を加工する。これにより、SOI層22のシリコン膜で光導波路コア11及び側面格子導波路12,13が一体形成される。側面格子導波路12は、p-型ドーピング領域24aでフィン12aの一部が、p+型ドーピング領域24bで側面端子12A及び各フィン12aの残部が形成される。側面格子導波路13は、n-型ドーピング領域23aで各フィン13aの一部が、n+型ドーピング領域23bで各側面端子13A及び各フィン13aの残部が形成される。
詳細には、光導波路コア11及び側面格子導波路12,13上にCVD法等により1μm程度の厚みにシリコン酸化膜を堆積し、シリコン酸化膜をリソグラフィー及びドライエッチングにより加工して一対の開口を形成する。以上により、光導波路コア11及び側面格子導波路12,13上に、側面端子12A及び各側面端子13Aの一部を露出する電極用開口25a,25bを有するクラッド25が形成される。
詳細には、電極用開口25a,25bを埋め込むようにクラッド25上に電極用金属、例えばアルミニウム(Al)をスパッタ法等に堆積し、Alをリソグラフィー及びドライエッチングにより加工する。以上により、電極用開口25a,25bを介して側面端子12A及び各側面端子13Aと電気的に接続されてなる電極14及び各電極15が形成される。
次いで、第2の実施形態について説明する。
図5は、第2の実施形態による位相変調装置の主要構成を説明するための概略平面図である。位相変調装置の構成部材について、第1の実施形態で説明したもの同様のものについては、同じ符号を付して詳しい説明を省略する。
位相変調器20は、光導波路コア11と、光導波路コア11の長手方向に沿った両側に設けられた一対の側面格子導波路12,31とを有し、これらが単一のシリコン層等により一体形成されて構成される。光導波路コア11及びの側面格子導波路12,31の上には、例えばシリコン酸化物からなる不図示のクラッドが配される。側面格子導波路12には電極14が、側面格子導波路31には電極32A〜32Dが配される。
本実施形態では、側面端子31A及び電極32A、側面端子31B及び電極32B、側面端子31C及び電極32C、側面端子31C及び電極32Cの夫々において微小位相変調器が構成され、pinダイオードが形成される。ダイオードに順方向バイアス電圧となるように定電流を流すことにより、ダイオードのPN接合部位に配された光導波路コア11におけるキャリア(電子及びホール)の濃度が変化する。これにより、プラズマ効果を利用して光導波路コア11を伝搬する光の位相が変調される。
第1及び第2の実施形態において、光導波路コア11の一対の側面格子導波路の双方について、側面格子導波路13(第1の実施形態)又は側面格子導波路31(第2の実施形態)のように、複数の側面端子に適宜分離することも考えられる。
位相変調器に接続された制御信号は、実質的に直流とされる低速信号でも良く、100Mb/s以上の高速信号としても良い。後者の場合には、第1及び第2の実施形態による位相変調装置を高速多値位相変調器として用いても良い。
次いで、第3の実施形態について説明する。本実施形態では、第1又は第2の実施形態、ここでは第2の実施形態による位相変調器を適用したマッハツェンダ型変調装置を開示する。
図6は、第3の実施形態によるマッハツェンダ型変調装置の主要構成を説明するための概略平面図である。位相変調器の構成部材について、第1及び第2の実施形態で説明したもの同様のものについては、同じ符号を付して詳しい説明を省略する。
前記位相変調器に入力する電気信号を制御する制御部と
を含み、
前記位相変調器は、少なくとも一方の前記側面端子が前記光導波路コアの光軸に沿って複数に分断されており、分断された前記側面端子ごとに各々電気的に分離された電極を有すると共に、
前記制御部は、前記電極に接続されたスイッチ及び定電流源を有しており、オンにする前記スイッチの個数により、前記光導波路コアの伝搬光の位相の変化量を段階的に制御することを特徴とする位相変調装置。
前記2本のアームの少なくとも一方を前記光導波路コアとして、前記位相変調器が設けられていることを特徴とする付記1〜4のいずれか1項に記載の位相変調装置。
前記位相変調器は、少なくとも一方の前記側面端子が前記光導波路コアの光軸に沿って複数に分断され、分断された前記側面端子ごとに各々電気的に分離された電極を有しており、
前記電極に接続されたスイッチ及び定電流源を有しており、オンにする前記スイッチの個数により、前記光導波路コアの伝搬光の位相の変化量を段階的に制御することを特徴とする位相変調装置の制御方法。
2,30 制御部
3 微小位相変調器
4,5a,5b,5c,5d 制御回路
11 光導波路コア
12,13,31,33 側面格子導波路
12A,13A,31A,31B,31C,31D 側面端子
12a,13a,31a フィン
14,15,18,32A,32B,32C,32D 電極
16 スイッチ
17 電源線
10 SOI基板
21 埋め込み酸化層
22 SOI層
23 n型領域
23a n-型ドーピング領域
23b n+型ドーピング領域
24 p型領域
24a p-型ドーピング領域
24b p+型ドーピング領域
25 クラッド層
25a,25b 開口
14,15, 電極
34 高速信号源
40a,40b アーム
50 位相変調器
60 高速位相変調器
Claims (7)
- 光導波路コアの光軸に沿って、前記光導波路コアの両側に連結された一対の側面端子を備えたダイオード型の位相変調器と、
前記位相変調器に入力する電気信号を制御する制御部と
を含み、
前記位相変調器は、少なくとも一方の前記側面端子が前記光導波路コアの光軸に沿って複数に分断されており、分断された前記側面端子ごとに各々電気的に分離された電極を有すると共に、
前記制御部は、前記電極に接続されたスイッチ及び定電流源を有しており、オンにする前記スイッチの個数により、前記光導波路コアの伝搬光の位相の変化量を段階的に制御することを特徴とする位相変調装置。 - 前記スイッチをオンにした際に、前記位相変調器の各ダイオードに印加される電圧が順方向で0.9V以上となるように、前記定電流源の電流値が設定されていることを特徴とする請求項1に記載の位相変調装置。
- 分断された前記各側面端子の作用長が同一であり、前記各定電流源の電流値が同一に設定されることを特徴とする請求項1又は2に記載の位相変調装置。
- 分断された前記各側面端子の個数をN個とした場合、そのうちのi番目の分断された前記各側面端子の長さ及び前記定電流源の電流値を、一定値L,Iを用いてそれぞれL×2i-1及びI×2i-1(i=1,・・・,N−1,N)に設定することを特徴とする請求項1又は2に記載の位相変調装置。
- 2本のアームを備えたマッハツェンダ型の光導波路を構成しており、
前記2本のアームの少なくとも一方を前記光導波路コアとして、前記位相変調器が設けられていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の位相変調装置。 - 光導波路コアの光軸に沿って、前記光導波路コアの両側に連結された一対の側面端子を備えたダイオード型の位相変調器を含む位相変調装置の制御方法であって、
前記位相変調器は、少なくとも一方の前記側面端子が前記光導波路コアの光軸に沿って複数に分断され、分断された前記側面端子ごとに各々電気的に分離された電極を有しており、
前記電極に接続されたスイッチ及び定電流源を有しており、オンにする前記スイッチの個数により、前記光導波路コアの伝搬光の位相の変化量を段階的に制御することを特徴とする位相変調装置の制御方法。 - 前記スイッチをオンにした際に、前記位相変調器の各ダイオードに印加される電圧が順方向で0.9V以上となるように、前記定電流源の電流値が設定されることを特徴とする請求項6に記載の位相変調装置の制御方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014069996A JP6299337B2 (ja) | 2014-03-28 | 2014-03-28 | 位相変調装置及びその制御方法 |
US14/635,308 US9709830B2 (en) | 2014-03-28 | 2015-03-02 | Phase modulation device and method of controlling the device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014069996A JP6299337B2 (ja) | 2014-03-28 | 2014-03-28 | 位相変調装置及びその制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015191185A true JP2015191185A (ja) | 2015-11-02 |
JP6299337B2 JP6299337B2 (ja) | 2018-03-28 |
Family
ID=54190099
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014069996A Expired - Fee Related JP6299337B2 (ja) | 2014-03-28 | 2014-03-28 | 位相変調装置及びその制御方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9709830B2 (ja) |
JP (1) | JP6299337B2 (ja) |
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JP6299337B2 (ja) | 2018-03-28 |
US9709830B2 (en) | 2017-07-18 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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