JP2015190791A - 半導体圧力センサの製造方法 - Google Patents
半導体圧力センサの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015190791A JP2015190791A JP2014066483A JP2014066483A JP2015190791A JP 2015190791 A JP2015190791 A JP 2015190791A JP 2014066483 A JP2014066483 A JP 2014066483A JP 2014066483 A JP2014066483 A JP 2014066483A JP 2015190791 A JP2015190791 A JP 2015190791A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- blade
- end surface
- pedestal
- pressure sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
【課題】隣接する台座の上端面間に中空部が生じていても、半導体基板および台座を支障なく切り離して、複数の半導体圧力センサを得ることができるようにする。【解決手段】センサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体50に対して、センサチップウエハ30上の隣接する半導体基板1の境界部をブレード7−1を用いてダイシングして切り離す。次に、ガラス台座ウエハ20上の隣接するガラス台座2の境界部を、ブレード7−1よりも刃厚の薄い(ダイシングに際する溝幅の小さい)ブレード7−2を用いてダイシングして切り離す。次に、シリコンチューブウエハ10上の隣接するシリコンチューブ3の境界部を、ブレード7−2よりも刃厚の薄いブレードを用いてダイシングして切り離す。【選択図】 図1
Description
この発明は、半導体基板と台座と支持部材とを接合した3層構造の半導体圧力センサの製造方法に関するものである。
図11は、従来の半導体圧力センサの要部を示す構成図であり、図11(a)は断面図、図11(b)は平面図である。同図において、1はシリコンよりなる半導体基板であり、その上面中央部にセンサダイアフラム1aが形成されている。2は半導体基板1のセンサダイアフラム1aを取り囲む部分を厚肉の接合部1bとし、この厚肉の接合部1bにその上端面2aが接合されたガラス台座である。3はガラス台座2の下端面2bにその上端面3aが接合されたシリコンチューブ(支持部材)である。この半導体基板1とガラス台座2とシリコンチューブ3とで3層構造の半導体圧力センサ100が構成されている。
この半導体圧力センサ100において、ガラス台座2およびシリコンチューブ3の軸方向には、センサダイアフラム1aの下面側の厚肉の接合部1bで囲まれた空間1cに連通する貫通孔2cおよび3cが形成されており、この貫通孔2cおよび3cを通してセンサダイアフラム1aの下面側に圧力が加えられる。センサダイアフラム1aの上面には、図示してはいないが、圧力検出素子として歪みゲージが設けられている。
この半導体圧力センサ100では、半導体基板1、ガラス台座2およびシリコンチューブ3の平面形状は角形とされており、ガラス台座2の半導体基板1との接合面を円形とすることにより、すなわちガラス台座2の上端面2aを小径(円形)とすることにより、発生する応力を分散させ、応力集中を低減し、センサダイアフラム1aに加わる応力を緩和させるようにしている(例えば、特許文献1参照)。
また、この半導体圧力センサ100において、半導体基板1とガラス台座2とシリコンチューブ3とは陽極接合によって接合されている。陽極接合は、接合部材間に第3の材料を介在させない直接的な接合方法であって、可動イオンを含むガラスとシリコンとを重ね合わせた状態で高温、高電圧を印加すると、界面に静電引力が働き、共有結合が起きて両者が接合される技術である。この技術を用いて、半導体基板1とガラス台座2とシリコンチューブ3とを接合し、3層構造の半導体圧力センサ100を得ている。
〔1度目の陽極接合〕
先ず、図12(a)に示すように、ガラス台座2とシリコンチューブ3とを重ね合わせ、ガラス台座2の上面をマイナス電極側、シリコンチューブ3の下面をプラス電極側とし、高電圧を印加すると同時に加熱して、ガラス台座2とシリコンチューブ3とを陽極接合する。これにより、ガラス台座2とシリコンチューブ3との接合体(ガラス台座・シリコンチューブ接合体)4が形成される。
先ず、図12(a)に示すように、ガラス台座2とシリコンチューブ3とを重ね合わせ、ガラス台座2の上面をマイナス電極側、シリコンチューブ3の下面をプラス電極側とし、高電圧を印加すると同時に加熱して、ガラス台座2とシリコンチューブ3とを陽極接合する。これにより、ガラス台座2とシリコンチューブ3との接合体(ガラス台座・シリコンチューブ接合体)4が形成される。
〔2度目の陽極接合〕
次に、図12(b)に示すように、半導体基板1とガラス台座・シリコンチューブ接合体4とを重ね合わせ、半導体基板1の上面をプラス電極側、ガラス台座・シリコンチューブ接合体4の下面(シリコンチューブ3の下面)をマイナス電極側とし、高電圧を印加すると同時に加熱して、半導体基板1とガラス台座・シリコンチューブ接合体4とを陽極接合する。これにより、半導体基板1とガラス台座・シリコンチューブ接合体4との接合体(半導体基板・ガラス台座・シリコンチューブ接合体)5が形成され、3層構造の半導体圧力センサ100が得られる。
次に、図12(b)に示すように、半導体基板1とガラス台座・シリコンチューブ接合体4とを重ね合わせ、半導体基板1の上面をプラス電極側、ガラス台座・シリコンチューブ接合体4の下面(シリコンチューブ3の下面)をマイナス電極側とし、高電圧を印加すると同時に加熱して、半導体基板1とガラス台座・シリコンチューブ接合体4とを陽極接合する。これにより、半導体基板1とガラス台座・シリコンチューブ接合体4との接合体(半導体基板・ガラス台座・シリコンチューブ接合体)5が形成され、3層構造の半導体圧力センサ100が得られる。
ところが、この様に1度目と2度目の陽極接合を同軸方向から電圧を反対方向に印加すると、1度目の陽極接合で可動イオン(Na+,K+)が移動した後、ガラス台座2とシリコンチューブ3との接合面付近に可動イオン欠乏層が発生し、2度目の陽極接合で今度は欠乏層に可動イオンが集まる事により、ナトリウムなどがガラス台座2中で偏析して、ガラス台座2内にクラックが生じ、ガラス台座2の強度低下を招く。
これを防ぐために、通常は、図12(c)に示すように、2度目の陽極接合に際しては、半導体基板1の上面をプラス電極側とし、ガラス台座2の側面をマイナス電極側とし、高電圧を印加すると同時に加熱して、半導体基板1とガラス台座・シリコンチューブ接合体4とを陽極接合するようにしている。このガラス台座2の側面を利用しての陽極接合を側面陽極接合方式と呼ぶ。これにより、ガラス台座2中の可動イオン(Na+,K+)が1度目の陽極接合の接合面に移動する事を防止し、ガラス台座2の強度の低下が防がれる(例えば、特許文献2参照)。
一方、半導体圧力センサ100の製造方法としては、半導体圧力センサ100を効率良く大量に生産するために、半導体基板1を複数作成したウエハと、ガラス台座2を複数作成したウエハと、シリコンチューブ3を複数作成したウエハとを接合して3層のウエハの接合体とし、この3層のウエハの接合体をダイシングで切断して複数の半導体圧力センサ100を得るという方法が採用される。
しかしながら、この半導体圧力センサ100はガラス台座2の上端面2aが小径とされており、このような半導体圧力センサ100を3層のウエハの接合体から製造する場合、3層のウエハの接合体において隣接するガラス台座2の上端面2a間に中空部が生じるために、この中空部がネックとなってダイシングで切断することが非常に困難となる。以下、この問題について、具体的に説明する。
図13に半導体圧力センサ100の製造工程の概略を示す。同図において、10はシリコンチューブ3が複数作成されたシリコンチューブウエハ、20はガラス台座2が複数作成されたガラス台座ウエハ、30は半導体基板1が複数作成されたセンサチップウエハである。
先ず、図13(a)に示すように、シリコンチューブウエハ10とガラス台座ウエハ20とを重ね合わせて、シリコンチューブウエハ10の下面をプラス電極側、ガラス台座ウエハ20の上面をマイナス電極側として電圧を印加すると同時に加熱する。これにより、シリコンチューブウエハ10とガラス台座ウエハ20とが陽極接合され、2層のウエハの接合体(ガラス台座・シリコンチューブ接合体)40が得られる。
次に、図13(b)に示すように、図13(a)で得られたガラス台座・シリコンチューブ接合体40とセンサチップウエハ30とを重ね合わせて、ガラス台座ウエハ20の側面をマイナス電極側、センサチップウエハ30の上面をプラス電極側として電圧を印加すると同時に加熱する。これにより、ガラス台座ウエハ20とセンサチップウエハ30とが陽極接合され、3層のウエハ接合体(センサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体)50が得られる。
そして、図13(c)に示すように、図13(b)で得られたセンサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体50をダイシングで網目状に切断して、複数の半導体圧力センサ100を得る。
ここで、図13(b)に示された状態において、センサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体50には、隣接するガラス台座2の上端面2a間に中空部6が生じている。センサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体50において、隣接するガラス台座2の上端面2a間に中空部6が生じていなければ、図14(a)に示すように、ブレード7がぶれずに真っ直ぐにガラス台座2に入るため、ガラス台座2の切断が滑らかに行われる。しかし、センサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体50には、隣接するガラス台座2の上端面2a間に中空部6が生じていることから、ブレード7が半導体基板1からガラス台座2に入る際にぶれてしまい、半導体基板1やガラス台座2が傷ついたり、ブレード7を傷めたりしてしまう。
本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、隣接する台座の上端面間に中空部が生じていても、半導体基板および台座を支障なく切り離して、複数の半導体圧力センサを得ることが可能な半導体圧力センサの製造方法を提供することにある。
このような目的を達成するために本発明は、上面中央部にセンサダイアフラムが形成された半導体基板と、この半導体基板のセンサダイアフラムを取り囲む部分を厚肉の接合部とし、この厚肉の接合部に小径とされた上端面が接合される台座と、この台座の下端面にその上端面が接合される支持部材とを備え、台座および支持部材の軸方向にセンサダイアフラムの下面側の厚肉の接合部で囲まれた空間に連通する貫通孔を備える半導体圧力センサを、支持部材が複数作成された第1のウエハと、台座が複数作成された第2のウエハと、半導体基板が複数作成された第3のウエハとの3層のウエハ接合体から分割して複数製造する半導体圧力センサの製造方法において、第1のウエハと第2のウエハと第3のウエハとを、支持部材の上端面と台座の下端面とを対向させて、台座の上端面と半導体基板の厚肉の接合部とを対向させて、陽極接合する第1工程と、第1工程によって接合された第1のウエハと第2のウエハと第3のウエハとの接合体に対して、第3のウエハ上の隣接する半導体基板の境界部を第1のブレードでダイシングして切り離す第2工程と、第2工程によって第3のウエハ上の隣接する半導体基板の境界部が切り離された第1のウエハと第2のウエハと第3のウエハとの接合体に対して、第2のウエハ上の隣接する台座の境界部を第1のブレードよりも刃厚の薄い第2のブレードでダイシングして切り離す第3工程と、第3工程によって第2のウエハ上の隣接する台座の境界部が切り離された第1のウエハと第2のウエハと第3のウエハとの接合体に対して、第1のウエハ上の隣接する支持部材の境界部を第2のブレードよりも刃厚の薄い第3のブレードでダイシングして切り離す第4工程とを備えることを特徴とする。
この発明によれば、第1工程において、支持部材が複数作成された第1のウエハと台座が複数作成された第2のウエハと半導体基板が複数作成された第3のウエハとが、支持部材の上端面と台座の下端面とを対向させて、台座の上端面と半導体基板の厚肉の接合部とを対向させて、陽極接合される。そして、第2工程において、第1のウエハと第2のウエハとの接合体と第3のウエハとの接合体(3層のウエハの接合体)に対して、第3のウエハ上の隣接する半導体基板の境界部が第1のブレードでダイシングして切り離される。そして、第3工程において、第3のウエハ上の隣接する半導体基板の境界部が切り離された第1のウエハと第2のウエハとの接合体と第3のウエハとの接合体(3層のウエハの接合体)に対して、 第2のウエハ上の隣接する台座の境界部が第1のブレードよりも刃厚の薄い第2のブレードでダイシングして切り離され、第4工程において、第2のウエハ上の隣接する台座の境界部が切り離された第1のウエハと第2のウエハとの接合体と第3のウエハとの接合体(3層のウエハの接合体)に対して、第1のウエハ上の隣接する支持部材の境界部が第2のブレードよりも刃厚の薄い第3のブレードでダイシングして切り離される。これにより、ブレードの刃厚を徐々に薄くしながら、第3のウエハ、第2のウエハ、第1のウエハの順で次々にダイシングが行われ、半導体基板と台座と支持部材とを接合した3層構造の半導体圧力センサが得られる。
本発明では、ダイシングした溝の間をそれよりも刃厚の薄いブレードが通されるので、ダイシングされたウエハにブレードが触れることがなく、次のウエハにスムーズにブレードが入り込む。このため、隣接する台座の上端面間に中空部が生じていても、半導体基板や台座が傷ついたり、ブレードを傷めたりしてしまうことがない。
なお、本発明において、第1のウエハ上の隣接する支持部材の境界部に第1のウエハの厚み方向へ垂直に途中まで溝を形成する溝入工程を設け、第1工程において、溝入工程によって溝が形成された第1のウエハと第2のウエハと第3のウエハとを第1のウエハに形成された溝を外側にして重ね、この重ねられた第1のウエハと第2のウエハと第3のウエハとを、支持部材の上端面と台座の下端面とを対向させて、台座の上端面と半導体基板の厚肉の接合部とを対向させて、陽極接合するようにしてもよい。このような方法を採用すると、ブレードの突き出し長さよりも第1のウエハの厚みが厚くても、第1工程に入る前の溝入工程で第1のウエハ上の隣接する支持部材の境界部に第1のウエハの厚み方向へ垂直に途中まで溝を形成しておくことにより、第3工程で第1のウエハ上の隣接する支持部材の境界部をダイシングして切り離すことが可能となる。
また、本発明において、半導体圧力センサの台座は、半導体基板の厚肉の接合部に接合される上端面だけではなく、支持部材の上端面に接合される下端面も小径とされていてもよい。
本発明によれば、ブレードの刃厚を徐々に薄くしながら、すなわちダイシングの溝幅を徐々に小さくしながら、第3のウエハ、第2のウエハ、第1のウエハの順で次々にダイシングを行うようにしたので、隣接する台座の上端面間に中空部が生じていても、半導体基板および台座を支障なく切り離して、複数の半導体圧力センサを得ることが可能となる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
〔実施の形態1〕
図1および図2は本発明に係る半導体圧力センサの製造方法の第1の実施の形態(実施の形態1)の概略を説明する図である。
〔実施の形態1〕
図1および図2は本発明に係る半導体圧力センサの製造方法の第1の実施の形態(実施の形態1)の概略を説明する図である。
なお、図1および図2には、紙面の関係上、本発明に係る製造方法の工程全体を分割して示している。また、図1および図2において、図1および図2において、図13と同一符号は図13を参照して説明した構成要素と同一或いは同等の構成要素を示し、その説明は省略する。
本実施の形態では、先ず、図1(a)に示すように、シリコンチューブウエハ10とガラス台座ウエハ20とセンサチップウエハ30とを重ね合わせて、すなわちシリコンチューブウエハ10とガラス台座ウエハ20とセンサチップウエハ30とを、シリコンチューブ3の上端面3aとガラス台座2の下端面2bとを対向させて、ガラス台座2の上端面2aと半導体基板1の厚肉の接合部1bとを対向させて、陽極接合する。これにより、3層のウエハ接合体(センサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体)50が得られる。
なお、この例において、シリコンチューブウエハ10とガラス台座ウエハ20とセンサチップウエハ30との陽極接合は、図13を用いて説明した方法と同様の方式を採用しているが、すなわち2度目の陽極接合を側面陽極接合方式で行う方式としているが、例えば交流を用いて3層同時に陽極接合する方式(例えば、特許文献3参照)を採用するなどしてもよく、その接合方式は問わない。
そして、図1(b)に示すように、図1(a)で陽極接合されたセンサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体50に対して、センサチップウエハ30上の隣接する半導体基板1の境界部をブレード7−1を用いてダイシングして切り離す。8−1は、このブレード7−1を用いてのダイシングによってセンサチップウエハ30に生じる溝である。また、11はダイシングテープである。
次に、図1(c)に示すように、図1(b)でセンサチップウエハ30上の隣接する半導体基板1の境界部がダイシングされたセンサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体50に対して、ガラス台座ウエハ20上の隣接するガラス台座2の境界部を、センサチップウエハ30のダイシングで使用したブレード7−1よりも刃厚の薄い(ダイシングに際する溝幅の小さい)ブレード7−2を用いてダイシングして切り離す。8−2は、このブレード7−2を用いてのダイシングによってガラス台座ウエハ20に生じる溝である。
この場合、ブレード7−1でダイシングした溝8−1の間をそれよりも刃厚の薄いブレード7−2が通されるので、ダイシングされたセンサチップウエハ30にブレード7−2が触れることがなく、次のガラス台座ウエハ20にスムーズにブレード7−2が入り込む。このため、隣接するガラス台座2の上端面2a間に中空部6が生じていても、半導体基板1やガラス台座2が傷ついたり、ブレード7−2を傷めたりしてしまうことがない。
次に、図2(a)に示すように、図1(c)でガラス台座ウエハ20上の隣接するガラス台座2の境界部がダイシングされたセンサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体50に対して、シリコンチューブウエハ10上の隣接するシリコンチューブ3の境界部を、ガラス台座ウエハ20のダイシングで使用したブレード7−2よりも刃厚の薄いブレード7−3を用いてダイシングして切り離す。
この場合も、ブレード7−2でダイシングした溝8−2の間をそれよりも刃厚の薄いブレード7−3が通されるので、ダイシングされたガラス台座ウエハ20にブレード7−3が触れることがなく、次のシリコンチューブウエハ10にスムーズにブレード7−3が入り込む。
これにより、図2(b)に示すように、センサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体50が溝8−1,8−2,8−3で切り離され、この切り離された個片(チップ)をダイシングテープ11から剥がして、ピックアップすることにより、複数の半導体圧力センサ101が得られる(図2(c))。
〔実施の形態2〕
実施の形態1では、図2(a)に示す工程で、ブレード7−3を用いて、シリコンチューブウエハ10上の隣接するシリコンチューブ3の境界部をダイシングして切り離すことができるものとした。すなわち、ブレード7−3の突き出し長さよりもシリコンチューブウエハ10の厚みが薄いものとした。
実施の形態1では、図2(a)に示す工程で、ブレード7−3を用いて、シリコンチューブウエハ10上の隣接するシリコンチューブ3の境界部をダイシングして切り離すことができるものとした。すなわち、ブレード7−3の突き出し長さよりもシリコンチューブウエハ10の厚みが薄いものとした。
しかし、シリコンチューブ3の厚みが厚く、ブレード7−3の突き出し長さよりもシリコンチューブウエハ10の厚みが厚い場合がある。この場合、図2(a)に示す工程では、シリコンチューブウエハ10上の隣接するシリコンチューブ3の境界部をダイシングして切り離すことができない。
そこで、実施の形態2では、先ず、図3(a)に示すように、シリコンチューブウエハ10の単体で、このシリコンチューブウエハ10上の隣接するシリコンチューブ3の境界部に、シリコンチューブウエハ10上の厚み方向へ垂直に途中まで溝9を入れる。この例では、ブレード7−3の突き出し長さ一杯までダイシングを行って、シリコンチューブ3の境界部にシリコンチューブウエハ10上の厚み方向へ垂直に途中まで溝8−3を形成する。
そして、図3(b)に示すように、図3(a)で溝8−3が形成されたシリコンチューブウエハ10とガラス台座ウエハ20とセンサチップウエハ30とをシリコンチューブウエハ10に形成された溝8−3を外側にして重ね、この重ねられたシリコンチューブウエハ10とガラス台座ウエハ20とセンサチップウエハ30とを陽極接合する。これにより、3層のウエハ接合体(センサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体)50が得られる。この場合も陽極接合の接合方式は問わない。
そして、図3(c)に示すように、図3(b)で陽極接合されたセンサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体50に対して、センサチップウエハ30上の隣接する半導体基板1の境界部をブレード7−1を用いてダイシングして切り離す。
次に、図4(a)に示すように、図3(c)でセンサチップウエハ30上の隣接する半導体基板1の境界部がダイシングされたセンサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体50に対して、ガラス台座ウエハ20上の隣接するガラス台座2の境界部を、センサチップウエハ30のダイシングで使用したブレード7−1よりも刃厚の薄いブレード7−2を用いてダイシングして切り離す。
この場合、ブレード7−1でダイシングした溝8−1の間をそれよりも刃厚の薄いブレード7−2が通されるので、ダイシングされたセンサチップウエハ30にブレード7−2が触れることがなく、次のガラス台座ウエハ20にスムーズにブレード7−2が入り込む。このため、隣接するガラス台座2の上端面2a間に中空部6が生じていても、半導体基板1やガラス台座2が傷ついたり、ブレード7−2を傷めたりしてしまうことがない。
次に、図4(b)に示すように、図4(a)でガラス台座ウエハ20上の隣接するガラス台座2の境界部がダイシングされたセンサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体50に対して、ガラス台座20上の隣接するガラス台座2の境界部を、センサチップウエハ30のダイシングで使用したブレード7−2よりも刃厚の薄いブレード7−3を用いてダイシングして切り離す。
この場合、シリコンチューブウエハ10上の隣接するシリコンチューブ3の境界部には、図3(a)に示した最初の工程で溝8−3が途中まで形成されているので、この溝8−3をブレード7−3を用いてダイシングにより貫通させるようにして、シリコンチューブウエハ10上の隣接するシリコンチューブ3の境界部を切り離す。
この場合も、ブレード7−2でダイシングした溝8−2の間をそれよりも刃厚の薄いブレード7−3が通されるので、ダイシングされたガラス台座ウエハ20にブレード7−3が触れることがなく、次のシリコンチューブウエハ10にスムーズにブレード7−3が入り込む。
これにより、図4(c)に示すように、センサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体50が溝8−1,8−2,8−3で切り離され、この切り離された個片(チップ)をダイシングテープ11から剥がして、ピックアップすることにより、複数の半導体圧力センサ101が得られる(図5)。
〔実施の形態3〕
実施の形態1において、半導体圧力センサ100のガラス台座2は、半導体基板1の厚肉の接合部1bに接合される上端面2aだけを小径(円形)とした。これに対して、実施の形態3における半導体圧力センサでは、図6に示すように、ガラス台座2の上端面2aだけではなく、シリコンチューブ3の上端面3aに接合される下端面2bも小径(円形)とする。このようにすることにより、ガラス台座2の上端面2a側だけではなく、下端面2b側でも、発生する応力を分散させ、センサダイアフラム1aに加わる応力を更に緩和させるようにすることができるようになる。
実施の形態1において、半導体圧力センサ100のガラス台座2は、半導体基板1の厚肉の接合部1bに接合される上端面2aだけを小径(円形)とした。これに対して、実施の形態3における半導体圧力センサでは、図6に示すように、ガラス台座2の上端面2aだけではなく、シリコンチューブ3の上端面3aに接合される下端面2bも小径(円形)とする。このようにすることにより、ガラス台座2の上端面2a側だけではなく、下端面2b側でも、発生する応力を分散させ、センサダイアフラム1aに加わる応力を更に緩和させるようにすることができるようになる。
図7および図8に実施の形態3の半導体圧力センサ101の製造工程を示す。この実施の形態3の半導体圧力センサ101の製造工程は、半導体圧力センサ100のガラス台座2の上端面2aだけではなく下端面2bも小径とされているのでみで、図1および図2に示した実施の形態1の半導体圧力センサ100の製造工程と基本的には同じであるので、ここでの説明は省略する。
〔実施の形態4〕
実施の形態3においても、実施の形態2と同様、シリコンチューブウエハ10の単体で、このシリコンチューブウエハ10上の隣接するシリコンチューブ3の境界部に、シリコンチューブウエハ10上の厚み方向へ垂直に途中まで溝8−3を形成するようにしておき、この溝8−3を最後に貫通させるようにしてもよい。
実施の形態3においても、実施の形態2と同様、シリコンチューブウエハ10の単体で、このシリコンチューブウエハ10上の隣接するシリコンチューブ3の境界部に、シリコンチューブウエハ10上の厚み方向へ垂直に途中まで溝8−3を形成するようにしておき、この溝8−3を最後に貫通させるようにしてもよい。
図9および図10に実施の形態4の半導体圧力センサ101の製造工程を示す。この実施の形態4の半導体圧力センサ101の製造工程は、半導体圧力センサ100のガラス台座2の上端面2aだけではなく下端面2bも小径とされているのでみで、図3および図4に示した実施の形態2の半導体圧力センサ100の製造工程と基本的には同じであるので、ここでの説明は省略する。
〔実施の形態の拡張〕
以上、実施の形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細には、本発明の技術思想の範囲内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。
以上、実施の形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細には、本発明の技術思想の範囲内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。
1…半導体基板、1a…センサダイアフラム、1b…厚肉の接合部、1c…空間、2…ガラス台座、2a…上端面、2b…下端面、2c…貫通孔、3…シリコンチューブ、3a…上端面、3b…下端面、3c…貫通孔、6…中空部、7−1〜7−3…ブレード、8−1〜8−3…溝、10…シリコンチューブウエハ、20…ガラス台座ウエハ、30…センサチップウエハ、40…2層のウエハの接合体(ガラス台座・シリコンチューブ接合体)、50…3層のウエハ接合体(センサチップ・ガラス台座・シリコンチューブ接合体)、100,101…半導体圧力センサ。
Claims (3)
- 上面中央部にセンサダイアフラムが形成された半導体基板と、この半導体基板の前記センサダイアフラムを取り囲む部分を厚肉の接合部とし、この厚肉の接合部に小径とされた上端面が接合される台座と、この台座の下端面にその上端面が接合される支持部材とを備え、前記台座および前記支持部材の軸方向に前記センサダイアフラムの下面側の前記厚肉の接合部で囲まれた空間に連通する貫通孔を備える半導体圧力センサを、前記支持部材が複数作成された第1のウエハと、前記台座が複数作成された第2のウエハと、前記半導体基板が複数作成された第3のウエハとの3層のウエハ接合体から分割して複数製造する半導体圧力センサの製造方法において、
前記第1のウエハと前記第2のウエハと前記第3のウエハとを、前記支持部材の上端面と前記台座の下端面とを対向させて、前記台座の上端面と前記半導体基板の厚肉の接合部とを対向させて、陽極接合する第1工程と、
前記第1工程によって接合された前記第1のウエハと前記第2のウエハと前記第3のウエハとの接合体に対して、前記第3のウエハ上の隣接する半導体基板の境界部を第1のブレードでダイシングして切り離す第2工程と、
前記第2工程によって前記第3のウエハ上の隣接する半導体基板の境界部が切り離された前記第1のウエハと前記第2のウエハと前記第3のウエハとの接合体に対して、前記第2のウエハ上の隣接する台座の境界部を前記第1のブレードよりも刃厚の薄い第2のブレードでダイシングして切り離す第3工程と、
前記第3工程によって前記第2のウエハ上の隣接する台座の境界部が切り離された前記第1のウエハと前記第2のウエハと前記第3のウエハとの接合体に対して、前記第1のウエハ上の隣接する支持部材の境界部を前記第2のブレードよりも刃厚の薄い第3のブレードでダイシングして切り離す第4工程と
を備えることを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。 - 請求項1に記載された半導体圧力センサの製造方法において、
前記第1のウエハ上の隣接する支持部材の境界部に前記第1のウエハの厚み方向へ垂直に途中まで溝を形成する溝入工程を備え、
前記第1工程は、
前記溝入工程によって溝が形成された前記第1のウエハと前記第2のウエハと前記第3のウエハとを前記第1のウエハに形成された溝を外側にして重ね、この重ねられた第1のウエハと第2のウエハと第3のウエハとを、前記支持部材の上端面と前記台座の下端面とを対向させて、前記台座の上端面と前記半導体基板の厚肉の接合部とを対向させて、陽極接合する
ことを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。 - 請求項1又は2に記載された半導体圧力センサの製造方法において、
前記半導体圧力センサの台座は、
前記半導体基板の厚肉の接合部に接合される上端面だけではなく、前記支持部材の上端面に接合される下端面も小径とされている
ことを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014066483A JP2015190791A (ja) | 2014-03-27 | 2014-03-27 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014066483A JP2015190791A (ja) | 2014-03-27 | 2014-03-27 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015190791A true JP2015190791A (ja) | 2015-11-02 |
Family
ID=54425401
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014066483A Pending JP2015190791A (ja) | 2014-03-27 | 2014-03-27 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015190791A (ja) |
-
2014
- 2014-03-27 JP JP2014066483A patent/JP2015190791A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102394687B1 (ko) | 시료 유지구 | |
JP2017052092A (ja) | 変更した応力特性を有する薄膜を形成する方法 | |
JP2010260167A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2008288384A (ja) | 3次元積層デバイスとその製造方法、及び3次元積層デバイスの接合方法 | |
JP2533272B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
US8455996B1 (en) | Wafer level packaging method and a packaging structure using thereof | |
KR101740177B1 (ko) | 삼층 기판의 접합 방법 | |
JP2015190791A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
EP3144271A1 (en) | Anodic oxide film structure cutting method and unit anodic oxide film structure | |
CN102792168B (zh) | Mems传感器 | |
JP2012169794A (ja) | 静電容量型電気機械変換装置の製造方法 | |
JP5980463B1 (ja) | セラミックス基板、接合体、モジュール、およびセラミックス基板の製造方法 | |
JP2015190790A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
JP5130151B2 (ja) | 静電容量型半導体物理量センサの製造方法及び静電容量型半導体物理量センサ | |
JP6393434B1 (ja) | 微小電気機械システム製造プロセスを用いるガス検知器の製造方法 | |
JP2011255436A (ja) | 貫通電極及びこれを用いた微小構造体、並びにそれらの製造方法 | |
JP2005039078A (ja) | 薄板基板構造形成用ウエーハ基板、この製造方法およびmems素子の製造方法 | |
JP6237440B2 (ja) | 物理量センサおよびその製造方法 | |
JP2015191917A (ja) | Soi基板およびそれを用いた物理量センサ、soi基板の製造方法および物理量センサの製造方法 | |
TWI571978B (zh) | A method of manufacturing a microelement with a support structure | |
JP2015184063A (ja) | 半導体圧力センサ | |
JP5884667B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH04204128A (ja) | 応力センサ及びその製造方法 | |
JP5617801B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
TWI637901B (zh) | 利用微機電製程製造多種類氣體偵測器的方法 |