JP6393434B1 - 微小電気機械システム製造プロセスを用いるガス検知器の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施例では、前記微小電気機械システムウェハー10はシリコンからなり、前記底溝113は、エッチング法により作製される。
本実施例では、熱の散逸を軽減するために負圧下で陽極接合を行い、これにより、前記底溝113内の空気を減らして、空気の対流による熱の伝導を効率的に回避して熱を集中させることができる。前記構造補強層20は、ガラス、ホウケイ酸ガラス又は両者の組み合わせからなり、厚さは0.2〜1mmである。陽極接合技術は、加熱に起因する前記微小電気機械システムウェハー10の損傷を緩和することができ、前記構造補強層20と前記微小電気機械システムウェハー10との接合における平坦度を高めるために接着剤を使用する必要がない。好ましくは、前記構造補強層20にBF33ガラスを適用し、前記微小電気機械システムウェハー10はシリコンからなる。
本実施例では、前記微小電気機械システムウェハー10の前記構造補強層20から離間した側に設置される(不図示の)レーザーを利用して、前記微小電気機械システムウェハー10、前記構造補強層20と前記接着テープ30を切断する。従来の加工方式とは異なり、レーザー加工では、静電気が生じず切削力による干渉もないため、前記微小電気機械システムウェハー10と前記構造補強層20の損傷と、残留応力の問題を回避することができる。また、レーザー加工は、瞬間に完了でき、熱からの影響を受ける領域も非常に限定的であるため、加工精度を確保することができ、冷却液を使用する必要がないため、後続の洗浄作業を減らし関連消費財が引き起こす汚染を緩和することができる。前記構造補強層20を設置することで、部品全体の機械的強度を高め、切断時にエッジ部が切れる問題を回避し、歩留まりを高めコストを削減することができる。
この工程は、以下の工程をさらに含む。
本実施例では、前記微小電気機械システムウェハー10はシリコンからなり、前記底溝113は、エッチング法により作製される。
本実施例では、4種のガス検知材料91を備えるのを例に挙げる。
陽極接合技術は、加熱に起因する前記微小電気機械システムウェハー10の損傷を緩和することができ、接着剤を使用する従来の方式よりも、接合における平坦度が高い。また、負圧下で陽極接合を行うことで、前記底溝113内の空気を減らして、空気の対流による熱の伝導を効率的に回避して熱を集中させることができる。前記構造補強層20は、ガラス、ホウケイ酸ガラス又は両者の組み合わせからなり、厚さは0.2〜1mmである。好ましくは、前記構造補強層20にガラス(例えば、BF33などのボロフロートガラス)を用いる。前記微小電気機械システムウェハー10はシリコンからなる。
この工程は、以下の工程をさらに含んでいてもよい。
Claims (6)
- 上部と、前記上部の周囲から延在する止め壁部と、前記上部と前記止め壁部で取り囲まれて画成した底溝とを含むユニットを複数具備し、前記ユニット同士が互いに隣接し、且つ複数の前記ユニットの複数の前記止め壁部が互いに連結する構成とする微小電気機械システムウェハーを用意する工程S1と、
前記微小電気機械システムウェハーの前記底溝から離間した側に、ガス検知材料層を形成させる工程S2と、
陽極接合技術を利用して、負圧環境下で、ガラス、ホウケイ酸ガラス又は両者の組み合わせから選ばれる材質からなる構造補強層を、複数の前記底溝を覆うように前記微小電気機械システムウェハーに接合させる工程S3と、
前記構造補強層の前記微小電気機械システムウェハーから離間した側に、接着テープを設置する工程S4と、
複数の前記ユニットの複数の前記止め壁部の連結部位に沿って切断し、前記構造補強層と前記接着テープを同時に切断して、前記底溝を含む複数のガス検知ユニットを形成させる工程S5と、
前記接着テープで、前記ガス検知ユニットを基板に粘着させることで、ガス検知器を形成させる工程S6と
を含むことを特徴とする微小電気機械システム製造プロセスを用いるガス検知器の製造方法。 - 前記構造補強層の厚さは0.2〜1mmであることを特徴とする
請求項1に記載の微小電気機械システム製造プロセスを用いるガス検知器の製造方法。 - 前記工程S6の後に、さらに、
吸引装置を用いて前記微小電気機械システムウェハーの一側から前記ガス検知ユニットを吸着した状態で、前記基板まで移動する工程S6Aと、
前記接着テープで、前記ガス検知ユニットを前記基板に粘着させることで、前記ガス検知器を形成させる工程S6Bと
を含むことを特徴とする請求項1に記載の微小電気機械システム製造プロセスを用いるガス検知器の製造方法。 - 上部と、前記上部の周囲から延在する止め壁部と、前記上部と前記止め壁部で取り囲まれて画成した底溝とを含むユニットを複数具備し、複数の前記ユニットの複数の前記止め壁部が互いに連結する検知モジュールを複数含み、前記検知モジュール同士が互いに隣接する構成とする微小電気機械システムウェハーを用意する工程P1と、
前記微小電気機械システムウェハーの前記底溝から離間した側に、異なるユニットにそれぞれ形成された複数種のガス検知材料を備えるガス検知材料層を形成させる工程P2と、
陽極接合技術を利用して、負圧環境下で、ガラス、ホウケイ酸ガラス又は両者の組み合わせから選ばれる材質からなる構造補強層を、複数の前記底溝を覆うように前記微小電気機械システムウェハーに接合させる工程P3と、
前記構造補強層の前記微小電気機械システムウェハーから離間した側に、接着テープを設置する工程P4と、
前記複数の検知モジュールの間の連結部位に沿って切断し、前記構造補強層と前記接着テープを同時に切断して、複数種ガス検知ユニットを複数形成させる工程P5と、
前記接着テープで、前記複数種ガス検知ユニットを基板に粘着させることで、複数種ガス検知器を形成させる工程P6とを含むことを特徴とする微小電気機械システム製造プロセスを用いる複数種ガス検知器の製造方法。 - 前記構造補強層の厚さは0.2〜1mmであることを特徴とする請求項4に記載の微小電気機械システム製造プロセスを用いる複数種ガス検知器の製造方法。
- 前記工程P6の後に、さらに、
吸引装置を用いて前記微小電気機械システムウェハーの一側から前記複数種ガス検知ユニットを吸着した状態で、前記基板まで移動する工程P6Aと、
前記接着テープで、前記複数種ガス検知ユニットを前記基板に粘着させることで、前記複数種ガス検知器を形成させる工程P6Bとを含むことを特徴とする請求項4に記載の微小電気機械システム製造プロセスを用いる複数種ガス検知器の製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW106122883 | 2017-07-07 | ||
TW106122883A TWI650540B (zh) | 2017-07-07 | 2017-07-07 | 利用微機電製程製造氣體偵測器的方法 |
TW106132367A TWI637901B (zh) | 2017-09-21 | 2017-09-21 | 利用微機電製程製造多種類氣體偵測器的方法 |
TW106132367 | 2017-09-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6393434B1 true JP6393434B1 (ja) | 2018-09-19 |
JP2019015710A JP2019015710A (ja) | 2019-01-31 |
Family
ID=63580064
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018023866A Active JP6393434B1 (ja) | 2017-07-07 | 2018-02-14 | 微小電気機械システム製造プロセスを用いるガス検知器の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10294100B2 (ja) |
JP (1) | JP6393434B1 (ja) |
CN (1) | CN109211983B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110579516A (zh) * | 2019-09-02 | 2019-12-17 | 青岛歌尔智能传感器有限公司 | 二氧化氮气体检测器件及其制作方法、以及电子产品 |
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CN103454052B (zh) * | 2013-08-29 | 2017-03-01 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | Mems器件及晶圆级密封性的测量方法 |
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-
2017
- 2017-12-29 CN CN201711472914.8A patent/CN109211983B/zh active Active
-
2018
- 2018-01-30 US US15/883,548 patent/US10294100B2/en active Active
- 2018-02-14 JP JP2018023866A patent/JP6393434B1/ja active Active
Patent Citations (3)
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10294100B2 (en) | 2019-05-21 |
CN109211983A (zh) | 2019-01-15 |
US20190010048A1 (en) | 2019-01-10 |
CN109211983B (zh) | 2021-03-23 |
JP2019015710A (ja) | 2019-01-31 |
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Date | Code | Title | Description |
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A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20180725 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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