JP2015185614A - 基板処理方法、基板処理装置およびプログラム - Google Patents
基板処理方法、基板処理装置およびプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015185614A JP2015185614A JP2014059195A JP2014059195A JP2015185614A JP 2015185614 A JP2015185614 A JP 2015185614A JP 2014059195 A JP2014059195 A JP 2014059195A JP 2014059195 A JP2014059195 A JP 2014059195A JP 2015185614 A JP2015185614 A JP 2015185614A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- layer
- gas
- processing chamber
- source gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 130
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 291
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 99
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 74
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 341
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 31
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical group [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical group [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical group [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910018321 SbTe Inorganic materials 0.000 abstract description 142
- 229910005900 GeTe Inorganic materials 0.000 abstract description 74
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 32
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 450
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 122
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 46
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 40
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 35
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 35
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 32
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 30
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 29
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 20
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 19
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 18
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 17
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 15
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 10
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 7
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 6
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 4
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 4
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 4
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 4
- 229910000618 GeSbTe Inorganic materials 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000320 amidine group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- -1 diisopropyl tellurium Chemical compound 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010067482 No adverse event Diseases 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- YENXDKGOGVLOPS-UHFFFAOYSA-N butane-1-tellurol Chemical group CCCC[TeH] YENXDKGOGVLOPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical compound N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000071 diazene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- YMUZFVVKDBZHGP-UHFFFAOYSA-N dimethyl telluride Chemical compound C[Te]C YMUZFVVKDBZHGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILXWFJOFKUNZJA-UHFFFAOYSA-N ethyltellanylethane Chemical compound CC[Te]CC ILXWFJOFKUNZJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- ZUSRFDBQZSPBDV-UHFFFAOYSA-N n-[bis(dimethylamino)stibanyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)[Sb](N(C)C)N(C)C ZUSRFDBQZSPBDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQRKOFXRIWEHIV-UHFFFAOYSA-N tert-butyl(dimethyl)stibane Chemical compound C[Sb](C)C(C)(C)C QQRKOFXRIWEHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- RBEXEKTWBGMBDZ-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yl)stibane Chemical compound CC(C)[Sb](C(C)C)C(C)C RBEXEKTWBGMBDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKOFCVMVBJXDFP-UHFFFAOYSA-N triethylstibane Chemical compound CC[Sb](CC)CC KKOFCVMVBJXDFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
基板に対して第1の元素を含む第1の原料と第2の元素を含む第2の原料とを供給して、前記第1の元素と前記第2の元素とを含む第1の層を形成する工程と、
前記基板に対して前記第2の原料と第3の元素を含む第3の原料とを供給して、前記第2の元素と前記第3の元素とを含む第2の層を形成する工程と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の層と前記第2の層とが積層されてなる積層膜を形成する工程を有し、
前記第3の原料は前記第1の原料および前記第2の原料よりも熱分解温度が低く、
前記第1の層を形成する工程では、前記第1の原料および前記第2の原料に加え、前記第3の原料をも供給する基板処理方法が提供される。
基板を収容する処理室と、
前記処理室内に第1の元素を含む第1の原料を供給する第1原料供給系と、
前記処理室内に第2の元素を含む第2の原料を供給する第2原料供給系と、
前記処理室内に第3の元素を含み前記第1の原料および前記第2の原料よりも熱分解温度が低い第3の原料を供給する第3原料供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記第1の原料と前記第2の原料とを供給して、前記第1の元素と前記第2の元素とを含む第1の層を形成する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記第2の原料と前記第3の原料とを供給して、前記第2の元素と前記第3の元素とを含む第2の層を形成する処理と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の層と前記第2の層とが積層されてなる積層膜を形成する処理を行い、前記第1の層を形成する処理では、前記第1の原料および前記第2の原料に加え、前記第3の原料をも供給するように、前記第1原料供給系、前記第2原料供給系および前記第3原料供給系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
処理室内の基板に対して第1の元素を含む第1の原料と第2の元素を含む第2の原料とを供給して、前記第1の元素と前記第2の元素とを含む第1の層を形成する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して前記第2の原料と第3の元素を含む第3の原料とを供給して、前記第2の元素と前記第3の元素とを含む第2の層を形成する手順と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の層と前記第2の層とが積層されてなる積層膜を形成する手順をコンピュータに実行させ、
前記第3の原料は前記第1の原料および前記第2の原料よりも熱分解温度が低く、
前記第1の層を形成する手順では、前記第1の原料および前記第2の原料に加え、前記第3の原料をも供給するプログラムが提供される。
(1)基板処理装置の構成
まず、本実施形態による基板処理装置の構成について、図2〜4を参照しながら説明する。
図2,3に示されているとおり、本実施形態による基板処理装置40は処理容器202を備えている。処理容器202は、例えば横断面が円形であり扁平な密閉容器として構成されている。また、処理容器202は、例えばアルミニウム(Al)やステンレス(SUS)等の金属材料により構成されている。処理容器202内には、基板としてのシリコンウエハ等のウエハ200に対して処理が行われる処理室201が形成されている。
処理室201内には、ウエハ200を支持する支持台203が設けられている。ウエハ200が直接触れる支持台203の上面には、例えば、石英(SiO2)、カーボン、セラミックス、炭化ケイ素(SiC)、酸化アルミニウム(Al2O3)、または窒化アルミニウム(AlN)等から構成された支持板としてのサセプタ217が設けられている。また、支持台203には、ウエハ200を加熱する加熱手段(加熱源)としてのヒータ206と、温度検出器としての温度センサ206bとが内蔵されている。温度センサ206bにより検出された温度情報に基づきヒータ206への通電具合を調整することで、サセプタ217上に支持されたウエハ200の温度分布を所望の温度分布にすることができる。支持台203の下端部は、処理容器202の底部を貫通している。
処理室201の外部には、支持台203を昇降させる昇降機構207bが設けられている。昇降機構207bを作動させて支持台203を昇降させることにより、サセプタ217上に支持されるウエハ200を昇降させることができる。支持台203は、ウエハ200の搬送時には図3で示される位置(ウエハ搬送位置)まで下降し、ウエハ200の処理時には図2で示される位置(ウエハ処理位置)まで上昇する。支持台203下端部の周囲は、ベローズ203aにより覆われており、処理室201内は気密に保持されている。
処理室201の底面(床面)には、例えば3本のリフトピン208bが鉛直方向に立ち上がるように設けられている。支持台203(サセプタ217も含む)には、リフトピン208bを貫通させる貫通孔208aが、リフトピン208bに対応する位置にそれぞれ設けられている。支持台203をウエハ搬送位置まで下降させた時には、図3に示されているように、リフトピン208bの上端部がサセプタ217の上面から突出して、リフトピン208bがウエハ200を下方から支持する。支持台203をウエハ処理位置まで上昇させたときには、図2に示されているように、リフトピン208bはサセプタ217の上面から埋没して、サセプタ217がウエハ200を下方から支持するようになっている。リフトピン208bは、ウエハ200と直接触れるため、例えば、石英や酸化アルミニウム等の材質で形成することが望ましい。
処理室201(処理容器202)の内壁側面には、処理室201の内外へウエハ200を搬送するウエハ搬送口250が設けられている。ウエハ搬送口250にはゲートバルブ44が設けられており、ゲートバルブ44を開くことにより、処理室201内と負圧移載室11内とが連通するようになっている。負圧移載室11は搬送容器(密閉容器)12内に形成されており、負圧移載室11内にはウエハ200を搬送する負圧移載機13が設けられている。負圧移載機13には、ウエハ200を搬送する際にウエハ200を支持する搬送アーム13aが備えられている。支持台203をウエハ搬送位置まで下降させた状態で、ゲートバルブ44を開くことにより、負圧移載機13により処理室201内と負圧移載室11内との間でウエハ200を搬送することができる。すなわち、負圧移載機13は、ウエハ200を処理室201内外へ搬送する搬送装置(搬送機構)として構成される。処理室201内へ搬送されたウエハ200は、上述したようにリフトピン208b上に一時的に載置される。なお、負圧移載室11のウエハ搬送口250が設けられた側と反対側には、図示しないロードロック室が設けられており、負圧移載機13によりロードロック室内と負圧移載室11内との間でウエハ200を搬送することができる。ロードロック室は、未処理もしくは処理済のウエハ200を一時的に収容する予備室として機能する。
処理室201(処理容器202)の内壁側面であって、ウエハ搬送口250の反対側には、処理室201内の雰囲気を排気する排気口260が設けられている。排気口260には、排気チャンバ260aを介して排気管261が接続されている。排気チャンバ260aには、処理室201内の圧力を検出する圧力検出器(圧力検出部)としての圧力センサ265が設けられている。排気管261には、処理室201内の圧力を所定の圧力とするように制御する圧力調整器(圧力調整部)としてのAPC(Auto Pressure Controller)バルブ262および原料回収トラップ263を介して、真空排気装置としての真空ポンプ264が接続されている。なお、APCバルブ262は、真空ポンプ264を作動させた状態で弁を開閉することで、処理室201内の真空排気および真空排気停止を行うことができ、さらに、真空ポンプ264を作動させた状態で弁開度を調節することで、処理室201内の圧力を調整することができるように構成されているバルブである。主に、排気チャンバ260a、圧力センサ265、排気管261、APCバルブ262により排気系(排気ライン)が構成される。なお、原料回収トラップ263、真空ポンプ264を排気系に含めて考えてもよい。排気系は、真空ポンプ264を作動させつつ、圧力センサ265により検出された圧力情報に基づいてAPCバルブ262の弁の開度を調節することにより、処理室201内が所定の圧力(真空度)となるよう真空排気され得るように、構成されている。
処理室201の上部に設けられる後述のシャワーヘッド240の上面(天井壁)には、処理室201内に所定元素を含む原料ガスを供給する原料ガス供給口210aと、処理室201内に反応ガスを供給する反応ガス供給口210bと、が設けられている。つまり、反応ガス供給口210bは、原料ガス供給口210aとは独立して設けられており、原料ガスと反応ガスとは異なる供給口より別々に処理室201内へ供給されるように構成されている。なお、図2、図3には、反応ガス供給口210bを原料ガス供給口210aの内側に原料ガス供給口210aと同心円状に配置する構成を例示しているが、本発明は上述の態様に限定されず、反応ガス供給口210bを原料ガス供給口210aの外側に設けてもよい。原料ガス供給口210a、反応ガス供給口210bに接続される各ガス供給系の構成については後述する。
原料ガス供給口210aと処理室201との間には、ガス分散機構としてのシャワーヘッド240が設けられている。シャワーヘッド240は、原料ガス供給口210aから供給される原料ガスを分散させる分散板240aと、分散板240aを通過した原料ガスをさらに均一に分散させて支持台203上のウエハ200の表面に供給するシャワー板240bと、を備えている。分散板240aおよびシャワー板240bには、それぞれ、複数の通気孔が設けられている。分散板240aは、シャワーヘッド240の上面およびシャワー板240bと対向するように配置されており、シャワー板240bは、支持台203上のウエハ200と対向するように配置されている。なお、シャワーヘッド240の上面と分散板240aとの間、および分散板240aとシャワー板240bとの間には、それぞれ空間が設けられており、これらの空間は、原料ガス供給口210aから供給される原料ガスを分散させる第1バッファ空間(分散室)240c、および分散板240aを通過した原料ガスを拡散させる第2バッファ空間(拡散室)240dとしてそれぞれ機能する。
処理室201(処理容器202)の内壁側面には、段差部201aが設けられている。そして、この段差部201aは、コンダクタンスプレート204をウエハ処理位置近傍に保持するように構成されている。コンダクタンスプレート204は、内周部にウエハ200を収容する穴が設けられた1枚のドーナツ状(リング状)をした円板として構成されている。コンダクタンスプレート204の外周部には、所定間隔を空けて周方向に配列された複数の排出口204aが設けられている。排出口204aは、コンダクタンスプレート204の外周部がコンダクタンスプレート204の内周部を支えることができるよう、不連続に形成されている。
処理室201の外部には、液体原料を収容する原料容器としてのバブラ220a,220b,220cが設けられている。バブラ220a,220b,220cは、内部に液体原料を収容(充填)可能なタンク(密閉容器)として構成されており、また、液体原料をバブリングにより気化させて原料ガスを生成させる気化部としても構成されている。なお、バブラ220a,220b,220cの周りには、バブラ220a,220b,220cおよび内部の液体原料を加熱するサブヒータ206aが設けられている。
バブラ220a,220b,220cには、それぞれ、バブラ220a,220b,220c内で生成された各原料ガスを処理室201内へ供給する原料ガス供給管213a,213b,213cが接続されている。原料ガス供給管213a,213b,213cの上流側端部は、それぞれ、バブラ220a,220b,220cの上部に存在する空間に連通している。原料ガス供給管213a,213b,213cの下流側端部は、原料ガス供給口210aに合流するように接続されている。
処理室201の外部には、反応ガスを供給する反応ガス供給源220dが設けられている。反応ガス供給源220dには、反応ガス供給管213dの上流側端部が接続されている。反応ガス供給管213dの下流側端部は、バルブvd3を介して反応ガス供給口210bに接続されている。反応ガス供給管213dには、反応ガスの供給流量を制御する流量制御器としてのMFC222dと、反応ガスの供給を制御するバルブvd1,vd2,vd3とが設けられている。反応ガスとしては、例えばアンモニア(NH3)ガスが用いられる。主に、反応ガス供給管213d、MFC222d、バルブvd1,vd2,vd3により、反応ガス供給系(反応ガス供給ライン)としてのNH3ガス供給系(NH3ガス供給ライン)が構成される。なお、反応ガス供給源220dを反応ガス供給系に含めて考えてもよい。反応ガス供給系(反応ガス供給ライン)は、還元ガス供給系(還元ガス供給ライン)と称することもでき、水素含有ガス供給系(水素含有ガス供給ライン)と称することもできる。
また、処理室201の外部には、パージガスである不活性ガスを供給する不活性ガス供給源220e,220fが設けられている。不活性ガス供給源220e,220fには、それぞれ、不活性ガス供給管213e,213fの上流側端部が接続されている。不活性ガス供給管213eの下流側端部は、バルブve3を介して原料ガス供給口210aに接続されている。不活性ガス供給管213fの下流側端部は、バルブvf3を介して反応ガス供給口210bに接続されている。不活性ガス供給管213eには、不活性ガスの供給流量を制御する流量制御器としてのMFC222eと、不活性ガスの供給を制御するバルブve1,ve2,ve3が設けられている。不活性ガス供給管213fには、不活性ガスの供給流量を制御する流量制御器としてのMFC222fと、不活性ガスの供給を制御するバルブvf1,vf2,vf3が設けられている。
原料ガス供給管213a,213b,213cのバルブva3,vb3,vc3よりも上流側には、それぞれ、ベント管215a,215b,215cの上流側端部が接続されている。ベント管215a,215b,215cの下流側端部は、それぞれ、排気管261のAPCバルブ262よりも下流側であって原料回収トラップ263よりも上流側に接続されている。ベント管215a,215b,215cには、それぞれ、ガスの流通を制御するバルブva4,vb4,vc4が設けられている。
図4に示されているように、制御部(制御手段)であるコントローラ280は、CPU(Central Processing Unit)280a、RAM(Random Access Memory)280b、記憶装置280c、I/Oポート280dを備えたコンピュータとして構成されている。RAM280b、記憶装置280c、I/Oポート280dは、内部バス280eを介して、CPU280aとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ280には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置281が接続されている。
上述の基板処理装置を用い、半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、基板上に積層膜を形成する成膜シーケンスについて、図5(a)を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ280により制御される。
基板としてのウエハ200に対して、第1の元素としてのSbを含む第1の原料としてのSb原料と、第2の元素としてのTeを含む第2の原料としてのTe原料と、を供給して、第1の元素および第2の元素を含む第1の層としてのSbTe層を形成する工程と、
ウエハ200に対して、Te原料と、第3の元素としてのGeを含む第3の原料としてのGe原料と、を供給して、第2の元素および第3の元素を含む第2の層としてのGeTe層を形成する工程と、
を含むサイクルを所定回数(1回以上)行うことで、ウエハ200上に、SbTe層とGeTe層とが積層されてなる積層膜を形成する。
昇降機構207bを作動させ、支持台203を、図3に示すウエハ搬送位置まで下降させる。そして、ゲートバルブ44を開き、処理室201と負圧移載室11とを連通させる。そして、上述のように負圧移載機13により負圧移載室11内から処理室201内へ、ウエハ200を搬送アーム13aで支持した状態でロードする。処理室201内に搬入されたウエハ200は、支持台203の上面から突出しているリフトピン208b上に一時的に載置される。負圧移載機13の搬送アーム13aが処理室201内から負圧移載室11内へ戻ると、ゲートバルブ44が閉じられる。
処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が、所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ264によって真空排気(減圧排気)される。減圧排気とは、大気圧未満の圧力となるように排気することをいう。この際に、処理室201内の圧力は圧力センサ265で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ262がフィードバック制御される。真空ポンプ264は、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。
基板搬入〜温度調整の工程と並行し、以下のようにして、Sb原料ガス(第1の原料ガス)、Te原料ガス(第2の原料ガス)およびGe原料ガス(第3の原料ガス)を、それぞれ生成させておく(予備気化)。
基板搬入〜温度調整の工程の後、第1の層の形成工程として、以下に説明するステップ1aを実行する。
(Sb原料ガス、Te原料ガスおよびGe原料ガスの供給)
バルブva4,vb4を同時に閉じ、バルブva3,vb3を同時に開いて、処理室201内へのSb原料ガスおよびTe原料ガスの供給を同時に開始する。また、バルブva4,vb4を閉じるのと同時にバルブvc4も閉じ、バルブva3,vb3を開くのと同時にバルブvc3も開いて、処理室201内へのGe原料ガスの供給も同時に開始する。
所定厚さのSbTe層が形成された後、バルブva3,vb3,vc3を閉じ、バルブva4,vb4,vc4を開いて、処理室201内へのSb原料ガス、Te原料ガス、Ge原料ガスの供給を停止する。このとき、排気管261のAPCバルブ262は開いたままとして、真空ポンプ264により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはSbTe層形成に寄与した後のSb原料ガス、Te原料ガス、Ge原料ガスを処理室201内から排除する。このとき、バルブve1,ve2,ve3,vf1,vf2,vf3は開いたままとして、不活性ガスとしてのN2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内に残留する未反応もしくはSbTe層形成に寄与した後のSb原料ガス、Te原料ガス、Ge原料ガスを処理室201内から排除する効果を高めることができる。
ウエハ温度:225℃〜350℃
処理室内圧力:50Pa〜400Pa
Sb原料ガス流量:0.1sccm〜100sccm
Te原料ガス流量:0.1sccm〜100sccm
Ge原料ガス流量:0.01sccm〜10sccm
N2流量:0sccm〜2000sccm
Sb原料ガス供給時間:1秒〜120秒、好ましくは1秒〜60秒
Te原料ガス供給時間:1秒〜120秒、好ましくは1秒〜60秒
Ge原料ガス供給時間:1秒〜120秒、好ましくは1秒〜60秒
N2ガス供給時間(パージ時間):1秒〜120秒、好ましくは1秒〜60秒
SbTe層厚:1nm〜100nm
が例示される。
第1の層の形成工程であるステップ1aの実行後、第2の層の形成工程として、以下に説明するステップ2aを実行する。
(Te原料ガスおよびGe原料ガスの供給)
バルブvb4,vc4を同時に閉じ、バルブvb3,vc3を同時に開いて、処理室201内へのTe原料ガスおよびGe原料ガスの供給を同時に開始する。Te原料ガス、Ge原料ガスは、それぞれ、ステップ1aにおけるガス供給と同様にして、シャワーヘッド240を介し処理室201内へ供給され、加熱されたウエハ200に対して供給される。
所定厚さのGeTe層が形成された後、バルブvb3,vc3を閉じ、バルブvb4,vc4を開いて、処理室201内へのTe原料ガス、Ge原料ガスの供給を停止する。このとき、排気管261のAPCバルブ262は開いたままとして、真空ポンプ264により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはGeTe層形成に寄与した後のTe原料ガス、Ge原料ガスを処理室201内から排除する。このとき、バルブve1,ve2,ve3,vf1,vf2,vf3は開いたままとしてN2ガスの処理室201内への供給を維持する点や、処理室201内に残留するガスを完全に排除しなくてもよく処理室201内を完全にパージしなくてもよい点は、ステップ1aにおける残留ガス除去工程と同様である。
ウエハ温度:225℃〜350℃
処理室内圧力:50Pa〜400Pa
Te原料ガス流量:0.1sccm〜100sccm
Ge原料ガス流量:0.1sccm〜100sccm
N2流量:0sccm〜2000sccm
Te原料ガス供給時間:1秒〜120秒、好ましくは1秒〜60秒
Ge原料ガス供給時間:1秒〜120秒、好ましくは1秒〜60秒
N2ガス供給時間(パージ時間):1秒〜120秒、好ましくは1秒〜60秒
GeTe層厚:1nm〜100nm
が例示される。
ステップ1a、すなわち、第1の層としてのSbTe層を形成する工程と、ステップ2a、すなわち、第2の層としてのGeTe層を形成する工程とを1サイクルとして、このサイクルを所定回数(1回以上)行うことにより、すなわち、SbTe層の形成工程とGeTe層の形成工程とを交互に1回以上行うことにより、ウエハ200上に、SbTe層とGeTe層とが積層されてなる積層膜を形成することができる。SbTe層とGeTe層とが積層されてなる積層膜を、SbTe層とGeTe層との積層順に関係なく、SbTe/GeTe積層膜と呼ぶこともある。六方晶のSbTe層上に、GeTe層を積層することにより、六方晶のSbTe/GeTe積層膜を形成することができる。SbTe/GeTe積層膜を、Ge、SbおよびTeを含む膜として、GeSbTe膜と呼ぶこともできる。
所定膜厚の積層膜が形成された後、排気管261のAPCバルブ262は開いたままとして、真空ポンプ264により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留するガスや反応副生成物を処理室201内から排除する。なお、このとき、バルブve1,ve2,ve3,vf1,vf2,vf3は開いたままとして、不活性ガスとしてのN2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内に残留するガスや反応副生成物を処理室201内から排除する効果を高めることができる。
その後、上述した基板搬入工程、基板載置工程に示した手順とは逆の手順により、積層膜を形成した後のウエハ200を、処理室201内から負圧移載室11内へ搬出する。その後、ウエハ200の温度が室温になるまで、負圧移載室11に隣接する保持室内で処理後のウエハ200を保持する。なお、形成した積層膜の酸化を抑制するように、負圧移載室11内や保持室内の雰囲気は、例えば、大気圧未満の圧力雰囲気であって、かつ、N2ガス等の不活性ガス雰囲気とし、酸素(O2)ガスの分圧を低下させておく。
本実施形態によれば、以下に示す効果のうち1つまたは複数の効果を得ることができる。
本実施形態における成膜シーケンスは、図5(a)に示す態様に限定されず、以下に示す変形例のように変更することができる。
図5(b)を参照して、変形例1について説明する。変形例1は、図5(a)に示す成膜シーケンスと、SbTe層を形成するステップ1aにおけるGe原料供給量の制御方法が異なる。変形例1のステップ1aでは、Ge原料ガスの供給時間を、Sb原料ガスおよびTe原料ガスの供給時間よりも短くしている。また、SbTe層形成を開始するためのトリガー的に、Sb原料ガスおよびTe原料ガスの供給時間の初期に、Ge原料ガスを供給するようにしている。このようにして、Ge原料供給量を制御することもできる。なおこの場合、Ge原料供給量は、主に、Ge原料ガスの供給時間で制御することから、Ge原料ガス流量は、図5(a)に示す成膜シーケンスのように微量にする必要はなく、Sb原料ガスやTe原料ガスの流量と同様な流量、例えば、0.1sccm〜100sccmの範囲内の流量とすることができる。
図6(a)を参照して、変形例2について説明する。変形例2は、図5(a)に示す成膜シーケンスと、SbTe層を形成するステップ1aの残留ガス除去工程およびGeTe層を形成するステップ2aの残留ガス除去工程におけるGe原料ガスの供給態様が異なる。変形例2では、ステップ1aの残留ガス除去工程およびステップ2aの残留ガス除去工程において、Ge原料ガスの供給を停止していない。すなわち、ステップ1aおよびステップ2aの全期間に亘り連続的にGe原料ガスを供給している。
図6(b)を参照して、変形例3について説明する。変形例3は、図5(a)に示す成膜シーケンスと、SbTe層を形成するステップ1aの残留ガス除去工程およびGeTe層を形成するステップ2aの残留ガス除去工程におけるTe原料ガスの供給態様が異なる。変形例3では、ステップ1aの残留ガス除去工程およびステップ2aの残留ガス除去工程において、Te原料ガスの供給を停止していない。すなわち、ステップ1aおよびステップ2aの全期間に亘り連続的にTe原料ガスを供給している。
図7(a)を参照して、変形例4について説明する。変形例4は、第1の層としてのSbTe層を形成する工程において、ステップ1aの後に反応ガスを供給するステップ1bが追加されている点で、図5(a)に示す成膜シーケンスと異なる。また、第2の層としてのGeTe層を形成する工程において、ステップ2aの後に反応ガスを供給するステップ2bが追加されている点で、図5(a)に示す成膜シーケンスと異なる。
[ステップ1a]
まず、図5(a)に示す成膜シーケンスについて説明した処理と同様にして、SbTe層を形成する工程のステップ1aまでの処理を行う。
(NH3ガス供給)
ステップ1aの残留ガス除去工程が終了した後、バルブvd1,vd2,vd3を開いて、処理室201内へ、反応ガスとしてのNH3ガスの供給を開始する。反応ガス供給口210bから供給されたNH3ガスは、シャワー板240bの下方側から、つまり、シャワーヘッド240を介さずに処理室201内へ供給され、加熱されたウエハ200に対して供給される。なお、処理室201内へのNH3ガスの供給時には、処理室201内におけるNH3ガスの拡散を促すように、バルブve1,ve2,ve3,vf1,vf2,vf3は開いたままとして、処理室201内へN2ガスを常に流しておくことが好ましい。
その後、バルブvd3を閉じ、処理室201内へのNH3ガスの供給を停止する。このとき、排気管261のAPCバルブ262は開いたままとして、真空ポンプ264により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはSbTe層からの残留リガンドの除去に寄与した後のNH3ガスや反応副生成物を処理室201内から排除する。
ウエハ温度:225℃〜350℃
処理室内圧力:50Pa〜400Pa
NH3流量:50sccm〜1000sccm
N2流量:0sccm〜2000sccm
NH3ガス供給時間:1秒〜120秒、好ましくは1秒〜60秒
N2ガス供給時間(パージ時間):1秒〜120秒、好ましくは1秒〜60秒
が例示される。
[ステップ2a]
ステップ1bの残留ガス除去工程が終了した後、図5(a)に示す成膜シーケンスについて説明した処理と同様にして、GeTe層を形成する工程のステップ2aまでの処理を行う。
(NH3ガス供給)
ステップ2aの残留ガス除去工程が終了した後、ステップ1bのNH3ガス供給工程と同様にして、NH3ガスの供給を開始する。また、ステップ1bのNH3ガス供給工程と同様に、処理室201内へN2ガスを常に流しておくことが好ましい。
その後、ステップ1bの残留ガス除去工程と同様にして、処理室201内へのNH3ガスの供給を停止する。このとき、排気管261のAPCバルブ262は開いたままとして、真空ポンプ264により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはGeTe層からの残留リガンドの除去に寄与した後のNH3ガスや反応副生成物を処理室201内から排除する。
ウエハ温度:225℃〜350℃
処理室内圧力:50Pa〜400Pa
NH3流量:50sccm〜1000sccm
N2流量:0sccm〜2000sccm
NH3ガス供給時間:1秒〜120秒、好ましくは1秒〜60秒
N2ガス供給時間(パージ時間):1秒〜120秒、好ましくは1秒〜60秒
が例示される。
図7(b)を参照して、変形例5について説明する。変形例5は、図5(a)に示す成膜シーケンスと、反応ガス、例えばNH3ガスの供給が加わっている点で異なる。SbTe層を形成するステップ1aでは、Sb原料ガス、Te原料ガス、Ge原料ガスと同時にNH3ガスを供給し、GeTe層を形成するステップ2aでは、Te原料ガス、Ge原料ガスと同時にNH3ガスを供給する。ステップ1aおよびステップ2aにおけるNH3ガスの流量は、それぞれ、例えば50sccm〜1000sccmとすることができる。
変形例6として、図5(a)に示す成膜シーケンスに対し、SbTe層を形成するステップ1aと、GeTe層を形成するステップ2aとの実施順を逆として、SbTe/GeTe積層膜を形成することもできる。この場合、SbTe層に先だって形成されるGeTe層は立方晶となり、立方晶のGeTe層上にSbTe層を形成することで、立方晶のSbTe/GeTe積層膜を形成することができる。変形例6において、図5(a)の成膜シーケンスとの差異として説明した以外の処理条件は、例えば、図5(a)の成膜シーケンスについて説明した処理条件と同様の処理条件とすることができる。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、
基板に対して第1の元素を含む第1の原料と第2の元素を含む第2の原料とを供給して、前記第1の元素と前記第2の元素とを含む第1の層を形成する工程と、
前記基板に対して前記第2の原料と第3の元素を含む第3の原料とを供給して、前記第2の元素と前記第3の元素とを含む第2の層を形成する工程と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の層と前記第2の層とが積層されてなる積層膜を形成する工程を有し、
前記第3の原料は前記第1の原料および前記第2の原料よりも熱分解温度が低く、
前記第1の層を形成する工程では、前記第1の原料および前記第2の原料に加え、前記第3の原料をも供給する基板処理方法が提供される。
付記1に記載の基板処理方法であって、好ましくは、
前記積層膜を形成する工程では、前記第1の層を形成する工程を、前記第2の層を形成する工程よりも先行して行う。
付記1または2に記載の基板処理方法であって、好ましくは、
前記積層膜を形成する工程では、前記第1の層を形成する工程と、前記第2の層を形成する工程と、を交互に繰り返す。
付記1乃至3のいずれかに記載の基板処理方法であって、好ましくは、
前記積層膜を形成する工程では、前記第1の層と前記第2の層とが交互に積層されてなる積層膜を形成する。
付記1乃至4のいずれかに記載の基板処理方法であって、好ましくは、
前記第1の層に含まれる前記第3の元素の原子濃度が6.3%未満である。
付記1乃至4のいずれかに記載の基板処理方法であって、好ましくは、
前記第1の層に含まれる前記第3の元素の原子濃度が5%以下である。
付記1乃至4のいずれかに記載の基板処理方法であって、好ましくは、
前記第1の層に含まれる前記第3の元素の原子濃度が4.4%以下である。
付記1乃至7のいずれかに記載の基板処理方法であって、好ましくは、
前記基板の表面には、シリコン含有層または金属含有層が形成されており、前記積層膜を形成する工程では、前記シリコン含有層または前記金属含有層の上に、前記積層膜を形成する。
付記1乃至7のいずれかに記載の基板処理方法であって、好ましくは、
前記基板の表面には、シリコン層が形成されており、前記積層膜を形成する工程では、前記シリコン層の上に、前記積層膜を形成する。
付記1乃至7のいずれかに記載の基板処理方法であって、好ましくは、
前記基板の表面には、タングステン層または窒化チタン層が形成されており、前記積層膜を形成する工程では、前記タングステン層または前記窒化チタン層の上に、前記積層膜を形成する。
付記1乃至10のいずれかに記載の基板処理方法であって、好ましくは、
前記第1の元素がアンチモンであり、前記第2の元素がテルルであり、前記第3の元素がゲルマニウムである。
本発明の他の態様によれば、
基板に対して第1の元素を含む第1の原料と第2の元素を含む第2の原料とを供給して、前記第1の元素と前記第2の元素とを含む第1の層を形成する工程と、
前記基板に対して前記第2の原料と第3の元素を含む第3の原料とを供給して、前記第2の元素と前記第3の元素とを含む第2の層を形成する工程と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の層と前記第2の層とが積層されてなる積層膜を形成する工程を有し、
前記第3の原料は前記第1の原料および前記第2の原料よりも熱分解温度が低く、
前記第1の層を形成する工程では、前記第1の原料および前記第2の原料に加え、前記第3の原料をも供給する半導体装置の製造方法が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板を収容する処理室と、
前記処理室内に第1の元素を含む第1の原料を供給する第1原料供給系と、
前記処理室内に第2の元素を含む第2の原料を供給する第2原料供給系と、
前記処理室内に第3の元素を含み前記第1の原料および前記第2の原料よりも熱分解温度が低い第3の原料を供給する第3原料供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記第1の原料と前記第2の原料とを供給して、前記第1の元素と前記第2の元素とを含む第1の層を形成する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記第2の原料と前記第3の原料とを供給して、前記第2の元素と前記第3の元素とを含む第2の層を形成する処理と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の層と前記第2の層とが積層されてなる積層膜を形成する処理を行い、前記第1の層を形成する処理では、前記第1の原料および前記第2の原料に加え、前記第3の原料をも供給するように、前記第1原料供給系、前記第2原料供給系および前記第3原料供給系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
処理室内の基板に対して第1の元素を含む第1の原料と第2の元素を含む第2の原料とを供給して、前記第1の元素と前記第2の元素とを含む第1の層を形成する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して前記第2の原料と第3の元素を含む第3の原料とを供給して、前記第2の元素と前記第3の元素とを含む第2の層を形成する手順と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の層と前記第2の層とが積層されてなる積層膜を形成する手順をコンピュータに実行させ、
前記第3の原料は前記第1の原料および前記第2の原料よりも熱分解温度が低く、
前記第1の層を形成する手順では、前記第1の原料および前記第2の原料に加え、前記第3の原料をも供給するプログラム、または、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
206 ヒータ
201 処理室
202 処理容器
210a 原料ガス供給口
210b 反応ガス供給口
280 コントローラ(制御部)
Claims (5)
- 基板に対して第1の元素を含む第1の原料と第2の元素を含む第2の原料とを供給して、前記第1の元素と前記第2の元素とを含む第1の層を形成する工程と、
前記基板に対して前記第2の原料と第3の元素を含む第3の原料とを供給して、前記第2の元素と前記第3の元素とを含む第2の層を形成する工程と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の層と前記第2の層とが積層されてなる積層膜を形成する工程を有し、
前記第3の原料は前記第1の原料および前記第2の原料よりも熱分解温度が低く、
前記第1の層を形成する工程では、前記第1の原料および前記第2の原料に加え、前記第3の原料をも供給する基板処理方法。 - 前記積層膜を形成する工程では、前記第1の層を形成する工程を、前記第2の層を形成する工程よりも先行して行う請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記第1の元素がアンチモンであり、前記第2の元素がテルルであり、前記第3の元素がゲルマニウムである請求項1または2に記載の基板処理方法。
- 基板を収容する処理室と、
前記処理室内に第1の元素を含む第1の原料を供給する第1原料供給系と、
前記処理室内に第2の元素を含む第2の原料を供給する第2原料供給系と、
前記処理室内に第3の元素を含み前記第1の原料および前記第2の原料よりも熱分解温度が低い第3の原料を供給する第3原料供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記第1の原料と前記第2の原料とを供給して、前記第1の元素と前記第2の元素とを含む第1の層を形成する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記第2の原料と前記第3の原料とを供給して、前記第2の元素と前記第3の元素とを含む第2の層を形成する処理と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の層と前記第2の層とが積層されてなる積層膜を形成する処理を行い、前記第1の層を形成する処理では、前記第1の原料および前記第2の原料に加え、前記第3の原料をも供給するように、前記第1原料供給系、前記第2原料供給系および前記第3原料供給系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 処理室内の基板に対して第1の元素を含む第1の原料と第2の元素を含む第2の原料とを供給して、前記第1の元素と前記第2の元素とを含む第1の層を形成する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して前記第2の原料と第3の元素を含む第3の原料とを供給して、前記第2の元素と前記第3の元素とを含む第2の層を形成する手順と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記第1の層と前記第2の層とが積層されてなる積層膜を形成する手順をコンピュータに実行させ、
前記第3の原料は前記第1の原料および前記第2の原料よりも熱分解温度が低く、
前記第1の層を形成する手順では、前記第1の原料および前記第2の原料に加え、前記第3の原料をも供給するプログラム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014059195A JP6306386B2 (ja) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | 基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014059195A JP6306386B2 (ja) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | 基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015185614A true JP2015185614A (ja) | 2015-10-22 |
JP6306386B2 JP6306386B2 (ja) | 2018-04-04 |
Family
ID=54351852
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014059195A Active JP6306386B2 (ja) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | 基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6306386B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017149604A1 (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-08 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、および記録媒体 |
JP2017183393A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
WO2021053756A1 (ja) * | 2019-09-18 | 2021-03-25 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006156640A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Sharp Corp | Iii−v族化合物半導体の結晶成長方法、iii−v族化合物半導体層、半導体レーザ素子、および応用システム |
JP2006182781A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Samsung Electronics Co Ltd | ゲルマニウム前駆体、これを利用して形成されたgst薄膜、前記薄膜の製造方法及び相変化メモリ素子 |
JP2007056369A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Integrated Process Systems Ltd | Ge−Sb−Te薄膜蒸着方法 |
JP2010287705A (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Tokyo Electron Ltd | Ge−Sb−Te膜の成膜方法および記憶媒体 |
JP2011518951A (ja) * | 2008-04-25 | 2011-06-30 | エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー. | テルルおよびセレン薄膜のaldのための前駆体の合成および使用 |
JP2011521443A (ja) * | 2008-04-18 | 2011-07-21 | アイピーエス・リミテッド | カルコゲナイド薄膜の形成方法 |
JP2012514635A (ja) * | 2009-01-08 | 2012-06-28 | テクノ セミケム シーオー., エルティーディー. | アミジン誘導体をリガンドとする新規ゲルマニウム化合物及びその製造方法 |
JP2013030752A (ja) * | 2011-06-22 | 2013-02-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
-
2014
- 2014-03-20 JP JP2014059195A patent/JP6306386B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006156640A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Sharp Corp | Iii−v族化合物半導体の結晶成長方法、iii−v族化合物半導体層、半導体レーザ素子、および応用システム |
JP2006182781A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Samsung Electronics Co Ltd | ゲルマニウム前駆体、これを利用して形成されたgst薄膜、前記薄膜の製造方法及び相変化メモリ素子 |
JP2007056369A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Integrated Process Systems Ltd | Ge−Sb−Te薄膜蒸着方法 |
JP2011521443A (ja) * | 2008-04-18 | 2011-07-21 | アイピーエス・リミテッド | カルコゲナイド薄膜の形成方法 |
JP2011518951A (ja) * | 2008-04-25 | 2011-06-30 | エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー. | テルルおよびセレン薄膜のaldのための前駆体の合成および使用 |
JP2012514635A (ja) * | 2009-01-08 | 2012-06-28 | テクノ セミケム シーオー., エルティーディー. | アミジン誘導体をリガンドとする新規ゲルマニウム化合物及びその製造方法 |
JP2010287705A (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Tokyo Electron Ltd | Ge−Sb−Te膜の成膜方法および記憶媒体 |
JP2013030752A (ja) * | 2011-06-22 | 2013-02-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017149604A1 (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-08 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、および記録媒体 |
JPWO2017149604A1 (ja) * | 2016-02-29 | 2018-10-18 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、および記録媒体 |
JP2017183393A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
WO2021053756A1 (ja) * | 2019-09-18 | 2021-03-25 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
KR20210035075A (ko) * | 2019-09-18 | 2021-03-31 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 |
JPWO2021053756A1 (ja) * | 2019-09-18 | 2021-09-30 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP7035196B2 (ja) | 2019-09-18 | 2022-03-14 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
US11476113B2 (en) | 2019-09-18 | 2022-10-18 | Kokusai Electric Corporation | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium |
KR102473548B1 (ko) | 2019-09-18 | 2022-12-05 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6306386B2 (ja) | 2018-04-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6022638B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム | |
JP5513767B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置および半導体装置 | |
US11020760B2 (en) | Substrate processing apparatus and precursor gas nozzle | |
JP5270476B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
JP5410174B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理システム | |
JP5719138B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理方法 | |
JP5683388B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 | |
WO2017168675A1 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板装填方法および記録媒体 | |
KR101759791B1 (ko) | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 | |
US20220157628A1 (en) | Substrate processing apparatus, substrate suppport and method of manufacturing semiconductor device | |
JP6306386B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置およびプログラム | |
JP5801916B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、および基板処理装置 | |
JP4943536B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP2011132568A (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
JP2019173062A (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
JP2018080349A (ja) | TiN系膜およびその形成方法 | |
JP2012059834A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20200411330A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium | |
JP2015183260A (ja) | クリーニング方法、基板処理装置およびプログラム | |
JP6084070B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、プログラムおよび基板処理装置 | |
JP2014084506A (ja) | 基板処理方法、基板処理装置およびプログラム | |
JP2014056906A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム | |
JP2010147157A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2012102404A (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP2012169438A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170307 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171226 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180221 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180306 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180308 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6306386 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |