JP2015178683A - 金属吸収格子及びタルボ干渉計 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 微細構造体の製造方法は、Si基板に第1の絶縁膜を形成する第1工程と、第1の絶縁膜の一部を除去してSi表面を露出する第2工程と、露出されたSi表面からSi基板をエッチングして凹部を形成する第3工程と、凹部の側壁及び底部に第2の絶縁膜を形成する第4工程と、凹部の底部に形成された第2の絶縁膜の少なくとも一部を除去してSiの露出面を形成する第5工程と、Siの露出面より凹部に金属を電解めっきにより充填する第6工程とを有する。
【選択図】 図1
Description
2 Si基板の裏面
10 Si基板
11 部分的に露出されたSi基板の表面
12 Siの凹部
13 Siの凹部の側壁
14 Siの凹部の底部
15 Siの露出面
20 第1の絶縁膜
21 第1の絶縁膜のパターン
30 第2の絶縁膜
33 Siの凹部の側壁に形成された第2の絶縁膜
34 Siの凹部の底部に形成された第2の絶縁膜
40 Siモールド
41 金属膜
Claims (15)
- Si基板に第1の絶縁膜を形成する第1工程と、
前記第1の絶縁膜の一部を除去してSi表面を露出する第2工程と、
該露出されたSi表面から前記Si基板をエッチングして凹部を形成する第3工程と、
前記凹部の側壁及び底部に第2の絶縁膜を形成する第4工程と、
前記凹部の底部に形成された前記第2の絶縁膜の少なくとも一部を除去してSiの露出面を形成する第5工程と、
前記Siの露出面より前記凹部に金属を電解めっきにより充填する第6工程と、を有することを特徴とする微細構造体の製造方法。 - 前記第1工程において、前記第1の絶縁膜を前記Si基板の表面および裏面に形成し、
前記第2工程において、前記Si基板の表面の前記第1の絶縁膜の一部を除去して前記Si表面を露出し、
前記第3工程において、前記Si基板の表面の第1の絶縁膜をマスクとして露出されたSi表面からSi基板をエッチングしてSiの凹部を形成し、
前記第4工程において、第2の絶縁膜を前記Siの凹部の側壁及び底部に形成し、
前記第5工程において、前記Siの凹部の底部に形成された前記第2の絶縁膜を少なくとも部分的に除去してSiの露出面を形成し、
前記第6工程において、前記Siの露出面よりSiの凹部に金属を電解めっきにより充填して金属の微細構造体を形成することを特徴とする請求項1に記載の微細構造体の製造方法。 - 前記第1工程において、第1の絶縁膜をSi基板の表面および裏面に形成し、
前記第2工程において、前記Si基板の表面の前記第1の絶縁膜の一部を除去してSi基板のSi表面を露出した後、前記Si基板の表面の第1の絶縁膜をマスクとして露出されたSi表面からSi基板をエッチングして、前記Si基板の表面にSiの凹部を形成し、
前記第3工程において、前記Si基板の裏面の第1の絶縁膜の一部を除去してSi基板のSi表面を露出した後、前記Si基板の裏面の第1の絶縁膜をマスクとして露出されたSi表面からSi基板をエッチングして、前記Si基板の裏面にSiの凹部を形成し、
前記第4工程において、第2の絶縁膜を前記Si基板の表面および裏面のSiの凹部の側壁及び底部に形成し、
前記第5工程において、前記Si基板の表面および裏面のSiの凹部の底部に形成された前記第2の絶縁膜を少なくとも部分的に除去してSiの露出面を形成し、
前記第6工程において、前記Si基板の表面および裏面のSiの露出面よりSiの凹部に金属を電解めっきにより充填して金属の微細構造体を形成することを特徴とする請求項1に記載の微細構造体の製造方法。 - 前記Si基板の表面および裏面にSiの凹部を鏡面対称になる様に形成することを特徴とする請求項3に記載の微細構造体の製造方法。
- 前記Si基板の表面および裏面の第1の絶縁膜をマスクとして露出されたSi表面からSi基板をエッチングして、前記Si基板の表面および裏面にSiの凹部を各々の凹部が貫通するか、または貫通しない様に形成することを特徴とする請求項3または4に記載の微細構造体の製造方法。
- 前記第5工程において、前記Siの露出面は前記Siの凹部の側壁の一部を含む請求項1乃至5のいずれか1項に記載の微細構造体の製造方法。
- 前記Si基板は、抵抗率が10Ωcm以下であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の微細構造体の製造方法。
- Si基板の表面に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜の一部を除去してSi表面を露出させる工程と、
該露出したSi表面から前記Si基板をエッチングして凹部を形成する工程と、
前記凹部の側壁および底部に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記凹部の底部に形成されている前記第2の絶縁膜の少なくとも一部を除去してSi表面を露出させる工程と、
前記底部の該露出したSi表面の上に金属膜を付与する工程と、
前記金属膜から電解めっきにより前記凹部に金属を充填する工程と、を有することを特徴とする微細構造体の製造方法。 - 電子ビーム蒸着装置を使用して、前記金属膜を付与することを特徴とする請求項8に記載の微細構造体の製造方法。
- 前記金属膜は、前記金属よりイオン化傾向が大きい金属を含むことを特徴とする請求項8に記載の微細構造体の製造方法。
- 複数の凹部が設けられているSi基板と、
前記複数の凹部のそれぞれに絶縁膜を介して充填されている金属と、を備え、
前記絶縁膜は、前記凹部の底部の少なくとも一部には設けられておらず、
前記少なくとも一部において、前記Si基板のSi表面と前記金属とが接していることを特徴とする微細構造体。 - 複数の穴が設けられているSi基板と、
前記複数の穴のそれぞれに絶縁膜を介して充填されている金属と、を備え、
前記絶縁膜は、前記穴の側面の一部には設けられておらず、
前記一部において、前記Si基板のSi表面と前記金属とが接していることを特徴とする微細構造体。 - 複数の凹部が設けられているSi基板と、
前記複数の凹部のそれぞれに絶縁膜を介して充填されている金属と、を備え、
前記絶縁膜は、前記凹部の底部の少なくとも一部には設けられておらず、
前記少なくとも一部において、前記Si基板のSi表面と前記金属との間に金属膜が介在していることを特徴とする微細構造体。 - 前記金属膜は、前記金属よりイオン化傾向が大きい金属を含むことを特徴とする請求項13に記載の微細構造体。
- 被検体を撮像する撮像装置であって、
X線源と、
前記X線源からのX線を回折する回折格子と、
前記回折格子によって回折された前記X線の一部を吸収する吸収格子と、
前記吸収格子を経たX線を検出する検出器と、を備え、
前記吸収格子は、請求項11乃至13のいずれか1項に記載の微細構造体であることを特徴とする撮像装置。
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