JP2015173211A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体ウェハ１１の劈開時に起点ずれした場合においても、その劈開が本来劈開すべき劈開ラインにより近い位置および方向に進行するよう補正することが可能な、半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体ウェハ１１の、半導体素子パターン１２が形成される素子形成領域とは平面視において離れたダミー形成領域における第１または第２の主表面１１Ａ，１１Ｂの少なくともいずれかに、半導体ウェハ１１の劈開性を有する劈開ライン１５と重なるように凹部２２が形成される。第１の主表面１１Ａ上にキズ１７が形成される。キズ１７を起点として半導体ウェハ１１が劈開ライン１５に沿って劈開される。キズ１７は、凹部２２が形成された劈開ライン１５上の一部に、劈開ライン１５に沿うように形成される。【選択図】図９

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、端面から発光する半導体発光素子の製造方法に関するものである。

半導体ウェハの主表面上に複数の半導体素子を形成し、ダイシング法または半導体ウェハを構成する単結晶の劈開性を用いて、半導体ウェハを個々の半導体素子が配置された半導体チップに分割する処理が従来から広く行なわれている。ここで、劈開性とは半導体ウェハがその結晶方位に沿って割れやすい性質のことである。

たとえば端面から発光する半導体発光素子は、端面に凹凸が存在すれば発光特性に影響する場合がある。このため半導体発光素子が形成された半導体チップは、その端面がいわゆる鏡面であることが好ましい。このような半導体発光素子は通常、単結晶の劈開性を利用して個々の半導体チップに分離され、このようにすれば鏡面の端面を有する半導体チップを得ることができる。また、半導体ウェハの分割の際には単結晶の劈開性を用いた方が、ダイシング法を用いるよりも切断される位置の精度を向上させることができるため、形成される半導体チップの寸法および形状を高精度に制御することができる。

単結晶の劈開性を利用した半導体ウェハの分割方法は以下のとおりである。まず半導体ウェハの主表面上の、特に正規の半導体発光素子が形成される領域とは離れた領域に、ダミーパターンが形成される。半導体ウェハのダミーパターン上に、単結晶の劈開性を有する直線である劈開ラインに沿って、キズが形成される。このキズを起点として半導体ウェハがその結晶面である劈開ラインに沿って劈開される。したがって、劈開ラインを考慮して複数の半導体発光素子のパターンを形成すれば、単結晶の劈開性を利用して、個々の半導体発光素子が分割後の半導体チップ上に高精度な角度および位置を有するように配置することができる。

しかしながら上記の劈開性を利用した方法により半導体ウェハが分割されれば、分離（劈開）の起点となるキズの周囲には様々な向きに延びる複数の微小なクラックが形成される。このため、キズを起点とした劈開が所望の劈開ラインとは異なる方向に進んでしまうことがある（起点ずれ）。この起点ずれは、そのまま所望の劈開ラインとは異なる方向に進み続けるとは限らず、途中で結晶方位と平行な劈開ライン上に乗るように劈開の位置および方向が修正される場合もある。

そこで劈開の位置および方向を修正するために、たとえば特許文献１では、半導体ウェハの主表面において複数の半導体素子パターンが形成された素子形成領域とは離れたダミー形成領域において、劈開ラインの一部を含むようにダミーパターンが形成される。当該ダミーパターンには切り欠きが形成され、当該切り欠きは、劈開ラインの一部を挟むように対向し、かつ劈開ラインに沿う方向に延びる１対の側辺と、主表面上において劈開ラインと交差（直交）するように１対の側辺の一方から１対の側辺の他方まで延びる底辺とを有している。つまり切り欠きの底辺は、劈開ラインと交差している。特許文献１では、このダミーパターンの切り欠きの底辺にキズが形成され、キズを起点として切り欠きの開口方向に向かって半導体ウェハが結晶面（劈開ライン）に沿って劈開される。これにより、たとえ劈開の進行方向が起点ずれしても、劈開の進行方向はダミーパターンに沿って補正される。

特開２００９−１０５２１５号公報

特許文献１のダミーパターンによる劈開の進行方向の補正は、半導体ウェハのダミーパターンが形成される主表面から、厚み方向に数μｍ程度の範囲に限られ、それより厚み方向に深い領域においては起点ずれした方向でそのまま劈開が進行する。そのためダミーパターンが形成された領域を過ぎれば、劈開はダミーパターンの形成される主表面側の浅い領域も含め全体が再び起点ずれした方向に沿って劈開が進行するものがほとんどである。すなわち特許文献１の手法を用いても、劈開方向を補正する効果が十分でないといえる。

仮に半導体ウェハの劈開が劈開ラインに対してずれた方向に進行すれば、半導体ウェハの分割により形成される半導体チップの半導体発光素子が共振器長不良となり、個々の半導体チップ間で特性のばらつきが大きくなったり、特性不良となる場合がある。劈開の進行位置および方向が本来劈開すべき位置および方向に対して大きくずれれば、当該劈開方向での劈開により形成された半導体チップがすべて共振器長不良となるため、歩留まりが大幅に低下する可能性がある。

本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体ウェハの劈開時に起点ずれした場合においても、その劈開が本来劈開すべき劈開ラインにより近い位置および方向に進行するよう補正することが可能な、半導体装置の製造方法を提供することである。

本発明の一実施例による半導体装置の製造方法は以下の工程を備えている。
まず第１の主表面と、第１の主表面に対向する第２の主表面とを有する半導体ウェハが準備される。半導体ウェハは、複数の半導体素子パターンが形成される素子形成領域と、平面視において素子形成領域とは離れたダミー形成領域とを含む。ダミー形成領域における第１または第２の主表面の少なくともいずれかに、半導体ウェハの劈開性を有する劈開ラインと重なるように凹部が形成される。第１の主表面上にキズが形成される。キズを起点として半導体ウェハが劈開ラインに沿って劈開される。キズは、凹部が形成された劈開ライン上の一部に、劈開ラインに沿うように形成される。

本発明によれば、劈開ラインと重なるように形成された凹部により、凹部が形成された位置における半導体基板が薄くなるため、半導体基板は劈開ラインまたはその近くの凹部が形成された領域において劈開しやすくなる。このため、起点ずれした劈開の進行する位置および方向が本来劈開すべき劈開ラインにより近づくように補正することができる。

実施の形態１における半導体装置の製造方法の第１工程を示し、当該半導体装置の製造方法で用いられる半導体ウェハの平面図（Ａ）と、当該半導体ウェハの側面図（Ｂ）とである。 実施の形態１における半導体装置の製造方法の第２工程を示す概略断面図である。 実施の形態１における半導体装置の製造方法の第３工程での半導体ウェハの状態を示す概略平面図である。 図３中にＤ１で示す領域の構成を詳細に示す概略平面図である。 実施の形態１における半導体装置の製造方法の第４工程を示す概略断面図である。 実施の形態１における半導体装置の製造方法の第５工程を示す概略断面図である。 図６にて形成される裏面凹部が半導体ウェハに形成される態様を示す概略平面図である。 図７中の点線で囲まれた領域ＶＩＩＩの構成を詳細に示す概略平面図である。 実施の形態１における半導体装置の製造方法の第６工程を示す概略斜視図である。 図９のＸＡ−ＸＡ線に沿う部分における概略断面図（Ａ）と、図９のＸＢ−ＸＢ線に沿う部分における概略断面図（Ｂ）と、図９のＸＣ−ＸＣ線に沿う部分における概略断面図（Ｃ）とである。 本来劈開すべき劈開ラインと、その劈開ラインに対してずれた位置を劈開するずれ劈開ラインとの進行方向を示す概略平面図である。 実施の形態２において図３中にＤ１で示す領域に形成される構成を詳細に示す概略平面図である。 実施の形態３において図３中にＤ１で示す領域に形成される構成を詳細に示す概略平面図である。 実施の形態４において図３中にＤ１で示す領域に形成される構成を詳細に示す概略平面図である。 実施の形態５において図３中にＤ１で示す領域に形成される構成を詳細に示す概略平面図である。 実施の形態６において図３中にＤ１で示す領域に形成される構成を詳細に示す概略平面図である。 実施の形態７において図３中にＤ１で示す領域に形成される構成を詳細に示す概略平面図である。 図１８のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線に沿う部分における概略断面図である。 実施の形態８における半導体装置の製造方法の第１工程での半導体ウェハの状態を示す概略平面図である。 図１９中にＤ２で示す領域の構成を詳細に示す概略平面図である。 実施の形態８における半導体装置の製造方法の第２工程を示す概略斜視図である。 図２１のＸＸＩＩＡ−ＸＸＩＩＡ線に沿う部分における概略断面図（Ａ）と、図２１のＸＸＩＩＢ−ＸＸＩＩＢ線に沿う部分における概略断面図（Ｂ）と、図２１のＸＸＩＩＣ−ＸＸＩＩＣ線に沿う部分における概略断面図（Ｃ）とである。 実施の形態９において図１９中にＤ２で示す領域に形成される構成を詳細に示す概略平面図である。 実施の形態１０において図１９中にＤ２で示す領域に形成される構成を詳細に示す概略平面図である。 実施の形態１１において図１９中にＤ２で示す領域に形成される構成を詳細に示す概略平面図である。 図２５のＸＸＶＩＡ−ＸＸＶＩＡ線に沿う部分における概略断面図（Ａ）と、図２５のＸＸＶＩＢ−ＸＸＶＩＢ線に沿う部分における概略断面図（Ｂ）とである。 実施の形態１２においてＤ１およびＤ２で示す領域に形成される構成を詳細に示す概略平面図である。 図２７のＸＸＶＩＩＩＡ−ＸＸＶＩＩＩＡ線に沿う部分における概略断面図（Ａ）と、図２７のＸＸＶＩＩＩＢ−ＸＸＶＩＩＩＢ線に沿う部分における概略断面図（Ｂ）と、図２７のＸＸＶＩＩＩＣ−ＸＸＶＩＩＩＣ線に沿う部分における概略断面図（Ｃ）とである。

以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１〜図１０を用いて、本実施の形態の半導体装置に係る、半導体発光素子が形成された半導体チップの製造方法について説明する。なお以下においては、劈開ラインにおいて半導体ウェハの劈開は図の右側から左側に進行する（図の右側から左側に向けて半導体ウェハが劈開される）ものとして説明がなされる。

図１（Ａ）、（Ｂ）を参照して、まずたとえばシリコンの単結晶からなる半導体ウェハ１１が準備される。半導体ウェハ１１は、一方（表側）の主表面１１Ａ（第１の主表面）と、一方の主表面１１Ａに対向する他方（裏側）の主表面１１Ｂ（第２の主表面）とを有している。

図２を参照して、半導体ウェハ１１は、平面視において素子形成領域とダミー形成領域とを含んでいる。素子形成領域は、複数の半導体素子パターンとしての半導体発光素子１２が形成される領域であり、ダミー形成領域は、複数のダミーパターン１３が形成される領域である。

半導体発光素子１２は、半導体層、絶縁膜層、金属層などの組み合わせにより形成されるが、ダミーパターン１３は、半導体発光素子１２を構成する半導体層、絶縁膜層、金属層などを形成する工程と同時に、半導体発光素子１２を構成する半導体層、絶縁膜層、金属層などと同一の層として形成されることが好ましい。この場合、図２に示すように、半導体発光素子１２を構成する半導体層などが感光体としてのフォトレジストＰＲを用いた通常の写真製版技術およびエッチングにより形成されるのと同時に、ダミーパターン１３が形成されてもよい。このようにすれば、半導体発光素子１２を形成する工程を利用してダミーパターン１３を形成することができるため、工程数を削減できるという効果がある。

ダミーパターン１３は半導体ウェハ１１の一方の主表面１１Ａ上に半導体層などの薄膜として形成される。このためダミーパターン１３は、一方の主表面１１Ａに対して段差（厚み）を有するように形成される。

図３を参照して、半導体ウェハ１１の中央部のやや左側寄りにたとえば矩形状の素子形成領域が設けられ、素子形成領域の右側（半導体ウェハ１１の右側の縁部寄り）にダミー形成領域が設けられる。ダミー形成領域は、半導体ウェハ１１のたとえば一方の主表面１１Ａにおいて、素子形成領域と互いに並ぶように、平面視において素子形成領域と互いに離れた位置に形成される。ダミー形成領域は素子形成領域の外側の、平面視における半導体ウェハ１１の縁部に比較的近い領域に形成されることが好ましい。

素子形成領域には、複数の半導体発光素子１２がたとえば行列状に並ぶように形成される。ダミー形成領域にはダミーパターン１３が、たとえば半導体発光素子１２の並ぶ行方向または列方向のいずれかに沿うように、複数形成される。

半導体ウェハ１１は、その結晶方位にほぼ一致し劈開しやすい方向に延びる（劈開しやすい方向を示す）直線である劈開ライン１５を有している。たとえば図３においては劈開ライン１５は、半導体ウェハ１１の左右方向に平行に延びるものとする。劈開ライン１５としては、実際には半導体ウェハ１１の左右方向に延びるものが無数に存在するが、図３においてはそのうちの数本（４本）が図３の上下方向に関して互いに間隔をあけて示されている。この明細書においては劈開ライン１５とは、上記の数本に着目し、特に本来劈開すべき領域を示す直線を意味するものとして説明する。

複数の半導体発光素子１２は、それらが並ぶ行方向または列方向が、劈開ライン１５にほぼ平行またはほぼ垂直となるように、半導体ウェハ１１上に形成される。このため複数の半導体発光素子１２のうち図３の上下方向に関して互いに隣り合う１対の半導体発光素子１２の間の領域には、図３の左右方向に並ぶ複数の半導体発光素子１２のいずれとも交わらないように、１本の劈開ライン１５が延びる。逆に言えば、図３における１本の劈開ライン１５のすぐ上側に配置される半導体発光素子１２と、図３における１本の劈開ライン１５のすぐ下側に配置される半導体発光素子１２とは、当該劈開ライン１５を挟むように互いに対向する。

またダミーパターン１３についても同様であり、図３の上下方向に関して互いに隣り合う１対のダミーパターン１３の間の領域には、図３の左右方向に並ぶ複数のダミーパターン１３のいずれとも交わらないように、１本の劈開ライン１５が延びる。逆に言えば、図３における１本の劈開ライン１５のすぐ上側に配置されるダミーパターン１３と、図３における１本の劈開ライン１５のすぐ下側に配置されるダミーパターン１３とは、当該劈開ライン１５を挟むように互いに対向する。

図４を参照して、図３中にＤ１で示す領域において上下方向に関して隣り合う１対のダミーパターン１３は、劈開ライン１５を挟むように互いに対向するように形成される。本実施の形態におけるダミーパターン１３は、たとえば平面視において台形形状を有しており、劈開ライン１５に交差（ほぼ垂直）な方向に延びる１対の交差面側辺１３ｂと、劈開ライン１５の延在する方向に対して平面視において角度べーを有するように傾いた方向に延びる斜面側辺１３ｃとを有している。

１対のダミーパターン１３は、それぞれの斜面側辺１３ｃ同士が、それらの間の劈開ライン１５を挟むように互いに対向するように形成される。それぞれの斜面側辺１３ｃは、それらの間隔が、特に劈開ライン１５に沿う方向（図４の左右方向）に関して劈開の起点に近い側（図４の右側）の端部である交差面側辺１３ｂ（第１の起点側端部）において、その反対側（図４の左側）すなわち劈開の終点に近い側の端部である交差面側辺１３ｂ（第１の終点側端部）よりも広くなるように形成されている。これにより斜面側辺１３ｃは、劈開ライン１５に対して角度αを有している。なおここでは斜面側辺１３ｃのみならず、劈開の第１の起点側および終点側端部を側辺（交差面側辺１３ｂ）と呼ぶことにする。

斜面側辺１３ｃの劈開ライン１５に対する角度αは０°より大きく４５°未満であることが好ましい。斜面側辺１３ｃは、図４の上下方向に隣り合う１対のダミーパターン１３同士の、図の上下方向に関する距離が、図の右側すなわち劈開の起点側において広くなり、図の左側すなわち劈開の終点側に向けて狭くなるように形成される。

図５および図６は図２のダミー形成領域のみを示している。図５を参照して、半導体ウェハ１１の他方の主表面１１Ｂが研削加工されることにより、半導体ウェハ１１の厚みが薄くなる。図５および図６を参照して、薄くなった後の新しい他方の主表面１１Ｂに対して、たとえばシリコン絶縁膜により主表面１１Ｂに形成されたハードマスクＨＭを加工用マスクとして用いた通常のエッチングがなされる。半導体ウェハ１１が主表面１１Ｂから主表面１１Ａ側に向けて部分的に除去され薄くなることにより、主表面１１Ｂの一部に凹部としての裏面凹部２２が形成される。

図７および図８を参照して、裏面凹部２２はたとえば矩形の平面形状を有し、１対のダミーパターン１３の間の領域を延びる劈開ライン１５の少なくとも一部（特にダミー形成領域の一部における劈開ライン１５）と重なるように形成される。

図８を参照して、図７中にＤ１で示す領域において上下方向に並ぶ１対のダミーパターン１３のそれぞれの少なくとも一部または全体と平面視において重なるように、主表面１１Ｂには裏面凹部２２が形成される。裏面凹部２２は、たとえば劈開ライン１５の延在する方向に沿うように延びる１対の沿面側辺２２ａと、劈開ライン１５の延在する方向に対して交差するように延びる１対の交差面側辺２２ｂとを有するように形成される。

裏面凹部２２は、ダミー形成領域の中でも特に、１対のダミーパターン１３の間の（１対のダミーパターン１３に挟まれた）領域と平面視において重なる領域（の少なくとも一部）に形成され、図８に示す１対のダミーパターン１３のそれぞれの斜面側辺１３ｃと互いに平面的に重なるように形成されることが好ましい。特に１対のダミーパターン１３のそれぞれの、第１の起点側端部としての交差面側辺１３ｂに挟まれた領域を含む、１対のダミーパターン１３の間の領域のうち比較的劈開の起点側（図の右側）の領域と平面視において重なるように、裏面凹部２２が形成されることがより好ましい。ただし本実施の形態においては、裏面凹部２２は、１対のダミーパターン１３に挟まれた領域と平面視において重なる領域の全体に形成されている。

また裏面凹部２２は、図３の上下方向に関して互いに隣り合う１対のダミーパターン１３の双方を跨ぐように形成され、１対のダミーパターン１３の双方と、少なくとも部分的に、互いに平面的に重なるように形成されることが好ましい。すなわち本実施の形態において裏面凹部２２は、１対のダミーパターン１３のうち一方の斜面側辺１３ｃと他方の斜面側辺１３ｃとの双方の少なくとも一部と重なるように形成される。言い換えれば裏面凹部２２は、劈開ライン１５の延在する方向に交差する方向に関して、１対のダミーパターン１３のうち一方の斜面側辺１３ｃから他方の斜面側辺１３ｃまでの距離よりも大きな寸法の幅を有している。

図９を参照して、裏面凹部２２が形成された劈開ライン１５上の、一方の主表面１１Ａ上における一部（劈開の起点となる図の右側）に、劈開ライン１５に沿う（たとえば劈開ライン１５と重なる）ようにキズ１７が形成される。ここではダミー形成領域におけるダミーパターン１３および裏面凹部２２が形成された領域よりも図９の右側すなわち劈開の起点側における、一方の主表面１１Ａ上の劈開ライン１５に、劈開ライン１５とほぼ重なるように図の左右方向に延びるキズ１７が形成される。このキズ１７はたとえばダイヤモンド針を用いて所望の劈開ライン１５に沿ったスクライブがなされることにより形成される。

上記により形成された、劈開ライン１５に沿うように図３（図９）の左右方向に延びるキズ１７を起点として、たとえばブレード１９を用いて、半導体ウェハ１１がキズ１７を含む、図３に示す劈開ライン１５に沿うように劈開される。具体的には、図９に示す図８のＤ１で示す領域に対して、たとえば他方の主表面１１Ｂ側からブレード１９が押し当てられる。ブレード１９は半導体ウェハ１１に対して、他方の主表面１１Ｂ側から一方の主表面１１Ａ側に向けて荷重を加える。これにより半導体ウェハ１１はＤ１で示す領域において、キズ１７を起点として劈開しやすい結晶方位である劈開ライン１５に沿って劈開される。半導体ウェハ１１の劈開は、図９の半導体ウェハ１１（領域Ｄ１）の右側から左側まで主表面１１Ａ，１１Ｂに沿う方向と、他方の主表面１１Ｂ側から一方の主表面１１Ａ側までの半導体ウェハ１１の厚み方向との双方向に進行する。これにより半導体ウェハ１１は、個々の半導体発光素子１２を含む複数の半導体チップとなるように分割される。

次に、図９〜図１１を参照しながら、本実施の形態の作用効果について説明する。
図１０（Ａ）を参照して、これは図９のキズ１７よりも左側（劈開の進行する方向）であるがダミーパターン１３および裏面凹部２２よりも右側の領域における断面の態様を示している。図１０（Ｂ）を参照して、これは図９のダミーパターン１３（斜面側辺１３ｃ）および裏面凹部２２（沿面側辺２２ａ）の形成される領域における断面の態様を示している。図１０（Ｃ）を参照して、これは図９のダミーパターン１３および裏面凹部２２よりも左側の領域における断面の態様を示している。したがってキズ１７を起点とする劈開は、図１０（Ａ）の領域→図１０（Ｂ）の領域→図１０（Ｃ）の領域の順に進行する。

図１０および図１１を参照して、キズ１７から劈開ライン１５に沿って（キズ１７と重なる劈開ライン１５上を）劈開が進行すれば、当該劈開は図１０（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）のいずれの領域においても劈開ライン１５から外れることなく直線状に進行する。この場合は劈開は１対のダミーパターン１３のそれぞれの間の領域を通り、かつ当該領域の裏面凹部２２すなわち半導体ウェハ１１が薄くなった領域を通る。半導体ウェハ１１が薄くなった領域は厚い領域に比べて劈開が起こりやすいため、裏面凹部２２と劈開ライン１５が重なった領域においては当該劈開ライン１５に沿って容易に劈開を進行させることができる。

次に図１１のずれ劈開ライン１８のように、たとえばキズ１７の先端（図１１の左側の端部）から劈開ライン１５の方向に対して傾いた方向に劈開が進行する（起点ずれする）場合について考える。ずれ劈開ライン１８はキズ１７の先端と重なる（本来進むべき）劈開ライン１５の延在方向に対して傾いた方向に少し進行した後、本来の劈開ライン１５と平行な方向に、劈開ライン１５に対して（図１０（Ａ）の右側に）たとえば数μｍずれた位置を進行する。このように劈開ライン１５と平行な方向に劈開が進行するのは、上記のように当該方向に進行する劈開ライン１５は半導体ウェハ１１の全領域に無数に存在するためである。図１０（Ａ）はこの領域において劈開ライン１５と平行に進むずれ劈開ライン１８を示している。

本実施の形態においては裏面凹部２２の劈開の起点に近い側の端部（第２の起点側端部）である交差面側辺２２ｂは、ダミーパターン１３の上記第１の起点側端部である交差面側辺１３ｂよりも起点側に存在する（図９参照）。このためずれ劈開ライン１８はダミーパターン１３に到達する前に裏面凹部２２に到達する。しかし裏面凹部２２に到達した後もずれ劈開ライン１８は進行方向を変えることなくそのまままっすぐ進行する。

劈開ライン１５とずれ劈開ライン１８との距離が、１対のダミーパターン１３のそれぞれとその間の（本来進むべき）劈開ライン１５との（第１の起点側端部における）最大の距離よりも小さい場合は、ずれ劈開ライン１８はやがてダミーパターン１３の斜面側辺１３ｃ上に達する。ダミーパターン１３は上記のように主表面１１Ａに対して厚みを有し、かつ劈開しにくい半導体層、絶縁層、金属層により形成されている。このため斜面側辺１３ｃ上に達したずれ劈開ライン１８はダミーパターン１３上に乗り上げてそのまままっすぐ進むには抵抗が大きい。したがって図９および図１０（Ｂ）に示すように、ずれ劈開ライン１８は、主表面１１Ａから主表面１１Ｂまで半導体ウェハ１１の厚み方向の全体が、斜面側辺１３ｃに沿って進行する。１対の斜面側辺１３ｃは劈開の進行方向に進むにつれその間隔が狭くなるように形成されているため、ずれ劈開ライン１８は斜面側辺１３ｃに沿って進行することにより、劈開ライン１５に近づくようにその進行方向が補正される。

図１１および図１０（Ｃ）を参照して、ダミーパターン１３の終点側の端部よりも図の左側の領域においては、ずれ劈開ライン１８は半導体ウェハ１１の厚み方向の全体が本来進むべき劈開ライン１５に近い位置にその進行方向が補正された状態で、他の方向に逸れることなく劈開ライン１５に平行に進行する。このためずれ劈開ライン１８の劈開ライン１５に対する位置のずれの量が小さくなり、ずれの量を半導体発光素子１２を個々のチップに分割する際に許容される寸法誤差の範囲内（劈開ライン１５と第１の終点側端部との、図の上下方向の距離以内）に抑えることができる。

ずれの量が補正されたずれ劈開ライン１８は、裏面凹部２２よりも終点側にまで進行した後も、進行方向が変わることなくそのまままっすぐ劈開ライン１５に平行に進行することができる。

上記のようにずれ劈開ライン１８のずれを補正する効果は、特に１対のダミーパターン１３に挟まれた領域と平面視において重なる領域の少なくとも一部（１対のダミーパターン１３に挟まれた領域のうち特に劈開の起点側の領域）に裏面凹部２２が形成されることにより顕著となる。また裏面凹部２２が１対のダミーパターン１３の双方と平面視において重なるように形成されるように１対のダミーパターン１３の双方を跨ぐように形成されることにより、ダミーパターン１３の斜面側辺１３ｃと重なる領域の半導体ウェハ１１が薄くなるため、ずれ劈開ライン１８が斜面側辺１３ｃに沿って進みやすくなる。

ダミーパターン１３の斜面側辺１３ｃに沿うようにずれ劈開ライン１８が進行するとともに、１対の斜面側辺１３ｃに挟まれた領域の範囲内をずれ劈開ライン１８が進行するよう補正するためには、特に起点側においてずれ劈開ライン１８を進行させたい領域の半導体ウェハ１１が薄くなるように、（１対のダミーパターン１３の双方を跨ぐように重なる）裏面凹部２２が形成される。

以上をまとめると、劈開しにくい材質からなるダミーパターン１３が形成された領域によりずれ劈開ライン１８の進行方向を補正することができ、劈開しやすいよう厚みが小さくなった裏面凹部２２により、補正後のずれ劈開ライン１８の進行方向に劈開が進むことをより確実にすることができる。

ずれ劈開ライン１８の進行方向を上記のように補正可能とするためには以下の条件を満足することが好ましい。半導体ウェハ１１が（１００）基板である場合には、劈開ライン１５，１８は［０１−１］方向または［０−１１］方向に進行することが好ましく、結晶方位は（０−１−１）面に平行であることが好ましい。裏面凹部２２が形成され薄くなった領域における半導体ウェハ１１の厚みは５０μｍ以下であり、図１０（Ｂ）の厚みｔ２に示すように裏面凹部２２が形成される領域の全体においてほぼ同じ厚みであることが好ましい。ダミーパターン１３は半導体層、絶縁層、金属層のいずれかにより形成されることが好ましいが、シリコン酸化膜などの酸化物層により形成されることが特に好ましい。またダミーパターン１３はより劈開されにくくする観点から厚みｔ１（図１０（Ｂ）参照）が大きい方が好ましいが、０．１μｍ以上２０μｍ以下の厚みｔ１を有することがより好ましい。

（実施の形態２）
図１２を参照して、本実施の形態においては、ダミー形成領域のうち図３中にＤ１で示す１対のダミーパターン１３のそれぞれが、互いに対向する１対の第１の側辺としての沿面側辺１３ａ（第１の沿面側辺）と斜面側辺１３ｃ（第１の斜面側辺）とを有するように形成される。沿面側辺１３ａとは平面視において劈開ライン１５に沿う（ほぼ平行な）方向に延在する面（側辺）を意味し、斜面側辺１３ｃとは平面視において劈開ライン１５の延在する方向に対して斜めの方向に延在する面（側辺）を意味する。

斜面側辺１３ｃは劈開ライン１５に対して角度βを有している。斜面側辺１３ｃの劈開ライン１５に対する角度βは０°より大きく９０°未満であることが好ましいが、中でも０°より大きく４５°以下であることがより好ましい。

１対の沿面側辺２２ａと１対の斜面側辺２２ｃとのそれぞれは、劈開ライン１５に関して互いに対称となるように形成される。また斜面側辺１３ｃは沿面側辺１３ａよりも劈開の起点側（図の右側）に形成され、両者は図の左右方向に関して互いに連続するように形成される。

本実施の形態においても、劈開ライン１５を挟むように対向する１対のダミーパターン１３は、その第１の側辺同士の間隔が、起点側において終点側よりも広くなるように形成される。このため１対の斜面側辺１３ｃの間隔は、起点側から終点側に向けて次第に狭くなるように形成される。１対の斜面側辺１３ｃの終点側の端点における間隔を維持するように、１対の沿面側辺１３ａが図の左右方向に延びている。

本実施の形態においては裏面凹部２２は、１対のダミーパターン１３に挟まれた領域と平面視において重なる領域のうち、特に１対の起点側の交差面側辺１３ｂの間の領域を含む、比較的起点側の領域のみに形成されている。しかし（実施の形態１のように）裏面凹部２２は、１対のダミーパターン１３に挟まれた領域と平面視において重なる領域の全体に形成されてもよい。裏面凹部２２は矩形状の平面形状を有している。

なお、これ以外の本実施の形態の構成は、実施の形態１の構成とほぼ同じであるため同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
本実施の形態においても実施の形態１と同様に、たとえ図１１に示すようにずれ劈開ライン１８が本来の劈開ライン１５よりずれた位置を進行しても、これが１対のダミーパターン１３を乗り上げて進行するのは困難である。このため１対のダミーパターン１３の起点側の第１の側辺である斜面側辺１３ｃに達したところで、劈開は斜面側辺１３ｃに沿って進行するように位置が補正される。この補正は特に斜面側辺１３ｃの真下の半導体ウェハ１１が、裏面凹部２２により薄くなっていることにより容易になる。

このため斜面側辺１３ｃよりも終点側の、１対の沿面側辺１３ａに挟まれた領域においては、斜面側辺１３ｃよりも互いの間隔が狭い１対の沿面側辺１３ａの間の領域を、劈開ライン１５に沿って進行することが可能となる。このためずれ劈開ライン１８は本来の劈開ライン１５に近い位置を他の方向に逸れることなく劈開ライン１５に平行に進行することになり、半導体発光素子１２を個々のチップに分割する際に許容される寸法誤差の範囲内に抑えることができる。

なお本実施の形態においては裏面凹部２２はダミーパターン１３の起点側の領域のみと重なるように形成され、ダミーパターン１３の終点側の領域とは重なっていない。しかし少なくとも起点側の領域においてダミーパターン１３の斜面側辺１３ｃの真下の裏面凹部２２により劈開を斜面側辺１３ｃに沿って進行させることができれば、以降（終点側）においては裏面凹部２２が形成されていなくても、劈開しにくいダミーパターン１３の斜面側辺１３ｃに沿って劈開を進行させることができる。

（実施の形態３）
図１３を参照して、本実施の形態においては、ダミー形成領域のうち図３中にＤ１で示す１対のダミーパターン１３のそれぞれにおいて、互いに対向する１対の第１の側辺として沿面側辺１３ａ（第１の沿面側辺）と交差面側辺１３ｂ（第１の交差面側辺）とが平面視において階段状を構成するように（図の左右方向に関して）交互に複数連続するように形成される。ここで交差面側辺１３ｂとは平面視において劈開ライン１５に交差する（ほぼ垂直な）方向に延在する面（側辺）を意味する。したがって沿面側辺１３ａと交差面側辺１３ｂとは平面視においてほぼ直交するように形成される。

階段状に形成されることにより、それぞれのダミーパターン１３は、沿面側辺１３ａと交差面側辺１３ｂとを複数有するように形成される。１対のダミーパターン１３のうち一方と他方とは、劈開ライン１５に関して互いに対称となるように形成される。このため一方のダミーパターン１３のすべての沿面側辺１３ａと、他方のダミーパターン１３のすべての沿面側辺１３ａとの長さもほぼ等しく、一方のダミーパターン１３のすべての交差面側辺１３ｂと、他方のダミーパターン１３のすべての交差面側辺１３ｂとの長さもほぼ等しい。

それぞれの沿面側辺１３ａの長さは、それぞれの交差面側辺１３ｂの長さ以上であることが好ましい。このようにすれば、階段状の第１の側辺１３ａ，１３ｂ全体を巨視的に直線と近似してみたときに、その直線が劈開ライン１５となす角度を実施の形態１，２の角度α、βと同様に０°より大きく４５°未満とすることができる。このため実施の形態１，２と同様にずれ劈開ライン１８の進行方向を補正する効果が高められる。

本実施の形態においても、劈開ライン１５を挟むように対向する１対のダミーパターン１３は、その第１の側辺同士の間隔が、起点側において終点側よりも広くなるように形成される。

また本実施の形態においては裏面凹部２２は、実施の形態２と同様に、１対のダミーパターン１３に挟まれた領域と平面視において重なる領域のうち、特に１対の起点側の端部における交差面側辺１３ｂの間の領域を含む、比較的起点側の領域に形成されている。しかし（実施の形態１のように）裏面凹部２２は、１対のダミーパターン１３に挟まれた領域と平面視において重なる領域の全体に形成されてもよい。

なお、これ以外の本実施の形態の構成は、実施の形態１の構成とほぼ同じであるため同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
本実施の形態のようにダミーパターン１３が階段状の側辺１３ａ，１３ｂを有する場合においても、特に上記のようにそれぞれの長さを調整することにより、ずれ劈開ライン１８が１対のダミーパターン１３に挟まれた領域内を進行するようにその進行の位置および方向を補正することができる。この効果は実施の形態１，２と同様に、裏面凹部２２の存在により高められる。

（実施の形態４）
図１４を参照して、本実施の形態においては、裏面凹部２２の、平面視において劈開ライン１５の延在する方向に交差する方向（図１４の上下方向）に関する幅が、起点に近い図の右側の端部である交差面側辺２２ｂ（第２の起点側端部）において、その反対側すなわち劈開の終点に近い側の端部である交差面側辺２２ｂ（第２の終点側端部）よりも広くなるように形成される。

より具体的には、本実施の形態の裏面凹部２２は、劈開ライン１５を挟むように対向する１対の第２の側辺として、１対の沿面側辺２２ａ（第２の沿面側辺）と１対の斜面側辺２２ｃ（第２の斜面側辺）とを有するように形成される。沿面側辺２２ａとは平面視において劈開ライン１５に沿う（ほぼ平行な）方向に延在する面（側辺）を意味し、斜面側辺２２ｃとは平面視において劈開ライン１５の延在する方向に対して斜めの方向に延在する面（側辺）を意味する。

１対の沿面側辺２２ａと１対の斜面側辺２２ｃとのそれぞれは、劈開ライン１５に関して互いに対称となるように形成される。また斜面側辺２２ｃは沿面側辺２２ａよりも劈開の起点側（図の右側）に形成され、両者は図の左右方向に関して互いに連続するように形成される。１対の斜面側辺１３ｃは起点側より終点側に進むにつれてそれらの（図の上下方向の）間隔が次第に小さくなるように傾いて形成される。

なお図１４においては実施の形態２（図１２）に比べて、劈開ライン１５に沿う方向に関して沿面側辺１３ａが短く斜面側辺１３ｃが長くなっているが、本実施の形態のダミーパターン１３はこのような形態に限られず、図１２と同様の平面形状となるように形成されてもよい。

図１４においては、図３中にＤ１で示す領域の１対のダミーパターン１３のそれぞれが、実施の形態２と同様に、１対の沿面側辺１３ａと斜面側辺１３ｃとを有するように形成される。そして１対のダミーパターン１３のそれぞれの第１の側辺１３ａ，１３ｃと、裏面凹部２２の１対の第２の側辺２２ａ，２２ｃとが互いに重なるように図示されている。しかしこのような態様に限らず、本実施の形態においても裏面凹部２２が１対のダミーパターン１３の双方を跨ぐように１対のダミーパターン１３の双方と互いに重なるように形成され、第２の側辺２２ａ，２２ｃは１対のダミーパターン１３内の領域と互いに重なるように形成されてもよい。また１対のダミーパターン１３は実施の形態２のダミーパターン１３の態様に限らず、実施の形態１，３のダミーパターン１３と同様の態様を有していてもよい。いずれにおいても１対のダミーパターン１３の第１の側辺１３ａ，１３ｃの真下の半導体ウェハ１１が裏面凹部２２により薄くなっていることが好ましい。

以上の点において本実施の形態は、裏面凹部２２が矩形の平面形状を有し図の上下方向に関する幅が一定となるように形成される実施の形態１〜３と異なっている。これ以外の本実施の形態の構成は、実施の形態１の構成とほぼ同じであるため同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
本実施の形態においても、ずれ劈開ライン１８の進行方向がダミーパターン１３の斜面側辺１３ｃにより補正される。この効果は斜面側辺１３ｃの真下の半導体ウェハ１１が薄くなった裏面凹部２２により高められる。また沿面側辺１３ａの真下の半導体ウェハ１１も裏面凹部２２により薄くなっているため、ずれ劈開ライン１８は沿面側辺１３ａに沿う方向に進行することができる。このため沿面側辺１３ａよりも終点側（第１の終点側端部よりも終点側）においてもずれ劈開ライン１８は劈開ライン１５に平行に、沿面側辺１３ａの延長線上を進むことができる。このためずれ劈開ライン１８の劈開ライン１５に対するずれ量を許容範囲内（劈開ライン１５と沿面側辺１３ａとの、図の上下方向の距離以内）に収めることができる。

また裏面凹部２２の幅が第２の起点側端部において第２の終点側端部よりも広くなるように形成されることにより、終点側に向かうにつれて次第にその幅が狭くなることから、ずれ劈開ライン１８の進行方向をその幅が狭くなった裏面凹部２２の領域内に収めることができる。

（実施の形態５）
図１５を参照して、本実施の形態の裏面凹部２２は、劈開ライン１５を挟むように対向する１対の第２の側辺のそれぞれは、沿面側辺２２ａ（第２の沿面側辺）と交差面側辺２２ｂ（第２の交差面側辺）とが平面視において階段状を構成するように（図の左右方向に関して）交互に複数連続するように形成されている。沿面側辺２２ａとは平面視において劈開ライン１５に沿う（ほぼ平行な）方向に延在する面（側辺）を意味し、交差面側辺２２ｂとは平面視において劈開ライン１５の延在する方向に交差（直交）する方向に延在する面（側辺）を意味する。

図１５においては、図３中にＤ１で示す領域の１対のダミーパターン１３のそれぞれが、実施の形態３と同様に、第１の側辺として沿面側辺１３ａ（第１の沿面側辺）と交差面側辺１３ｂ（第１の交差面側辺）とが平面視において階段状を構成するように形成される。そして１対のダミーパターン１３のそれぞれの階段状を構成する第１の側辺１３ａ，１３ｂと、裏面凹部２２の階段状を構成する１対の第２の側辺２２ａ，２２ｂとが互いに重なるように図示されている。しかしこのような態様に限らず、本実施の形態においても裏面凹部２２が１対のダミーパターン１３の双方を跨ぐように１対のダミーパターン１３の双方と互いに重なるように形成され、第２の側辺２２ａ，２２ｃは１対のダミーパターン１３内の領域と互いに重なるように形成されてもよい。また１対のダミーパターン１３は実施の形態３のダミーパターン１３の態様に限らず、実施の形態１，２のダミーパターン１３と同様の態様を有していてもよい。いずれにおいても１対のダミーパターン１３の第１の側辺１３ａ，１３ｂの真下の半導体ウェハ１１が裏面凹部２２により薄くなっていることが好ましい。

なお、これ以外の本実施の形態の構成は、実施の形態４の構成とほぼ同じであるため同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
本実施の形態においても、ずれ劈開ライン１８の進行方向がダミーパターン１３の第１の側辺である沿面側辺１３ａおよび交差面側辺１３ｂにより補正され、第１の側辺に沿って進行する。この効果は斜面側辺１３ｃの真下の半導体ウェハ１１が薄くなった裏面凹部２２により高められる。このため沿面側辺１３ａよりも終点側（第１の終点側端部よりも終点側）においてもずれ劈開ライン１８は劈開ライン１５に平行に、最も終点側の沿面側辺１３ａの延長線上を進むことができる。このためずれ劈開ライン１８の劈開ライン１５に対するずれ量を許容範囲内（劈開ライン１５と沿面側辺１３ａとの、図の上下方向の距離以内）に収めることができる。

また階段状の平面形状を有する裏面凹部２２の幅が第２の起点側端部において第２の終点側端部よりも広くなるように形成されることにより、終点側に向かうにつれて次第にその幅が狭くなることから、ずれ劈開ライン１８の進行方向をその幅が狭くなった裏面凹部２２の領域内に収めることができる。

（実施の形態６）
図１６を参照して、本実施の形態においては実施の形態４と同様に、裏面凹部２２が劈開ライン１５を挟むように対向する１対の第２の側辺として、１対の沿面側辺２２ａ（第２の沿面側辺）と１対の斜面側辺２２ｃ（第２の斜面側辺）とを有するように形成される。ただし本実施の形態においては斜面側辺２２ｃは沿面側辺２２ａよりも劈開の終点側（図の左側）に形成される点において、斜面側辺２２ｃは沿面側辺２２ａよりも劈開の起点側（図の右側）に形成される実施の形態４と異なっている。本実施の形態においても沿面側辺２２ａと斜面側辺２２ｃとは図の左右方向に関して互いに連続するように形成される。

また本実施の形態においては、１対のダミーパターン１３についても裏面凹部２２と同様に、斜面側辺１３ｃは沿面側辺１３ａよりも劈開の終点側（図の左側）に形成され、沿面側辺１３ａと斜面側辺１３ｃとは図の左右方向に関して互いに連続するように形成される。１対の斜面側辺１３ｃは起点側より終点側に進むにつれてそれらの（図の上下方向の）間隔が次第に小さくなるように傾いて形成される。このため１対の斜面側辺１３ｃは第１の終点側端部（１対の斜面側辺１３ｃの交点）においてはそれらの間隔が小さくなる方向に傾いた形状を有するように形成される。

裏面凹部２２について、１対の沿面側辺２２ａと１対の斜面側辺２２ｃとのそれぞれは、劈開ライン１５に関して互いに対称となるように形成される。このため第２の終点側端部に相当する１対の斜面側辺２２ｃの交点は劈開ライン１５上に形成されることが好ましい。

図１６においても図１４，１５と同様に、図３中にＤ１で示す領域の１対のダミーパターン１３の第１の側辺１３ａ，１３ｃが、裏面凹部２２の第２の側辺２２ａ，２２ｃと互いに重なるように図示されている。しかしこのような態様に限らず、本実施の形態においても裏面凹部２２が１対のダミーパターン１３の双方を跨ぐように１対のダミーパターン１３の双方と互いに重なるように形成され、第２の側辺２２ａ，２２ｃは１対のダミーパターン１３内の領域と互いに重なるように形成されてもよい。また１対のダミーパターン１３は実施の形態１，２，３のダミーパターン１３と同様の態様を有していてもよい。１対のダミーパターン１３の第１の側辺１３ａ，１３ｃの真下の半導体ウェハ１１が裏面凹部２２により薄くなっていることが好ましい。

なお、これ以外の本実施の形態の構成は、実施の形態４の構成とほぼ同じであるため同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
本実施の形態においても、ずれ劈開ライン１８の進行方向がダミーパターン１３の沿面側辺１３ａにより補正される。この効果は沿面側辺１３ａの真下の半導体ウェハ１１が薄くなった裏面凹部２２により高められる。また第１の側辺１３ａ，１３ｃの真下の半導体ウェハ１１も裏面凹部２２により薄くなっているため、ずれ劈開ライン１８は沿面側辺１３ａに沿って進行することができる。

さらにずれ劈開ライン１８は、裏面凹部２２の斜面側辺２２ｃに沿って進行させることも可能である。これは裏面凹部２２（斜面側辺２２ｃ）の外側は内側に比べて半導体ウェハ１１の厚みが大きいため、抵抗が大きく劈開が進行しにくいためである。この場合、仮にずれ劈開ライン１８が斜面側辺２２ｃの第２の終点側端部に達すれば、これよりも終点側の領域にて劈開を劈開ライン１５上に進行させることができる可能性が高くなる。これは第２の終点側端部と劈開ライン１５とがほぼ交わるように形成されるため、斜面側辺２２ｃに沿って進み第２の終点側端部に達したずれ劈開ライン１８はそこで劈開ライン１５上を進むように進行方向を変更させることが比較的容易にできるためである。

（実施の形態７）
図１７を参照して、本実施の形態においては、ダミー形成領域のうち図３中にＤ１で示す領域の１対のダミーパターン１３のそれぞれおよび裏面凹部２２は、実施の形態２の図１２におけるそれぞれと同様の平面形状および配置を有するように形成される。しかし図１８を参照して、本実施の形態においては、裏面凹部２２の一部である半導体ウェハ１１の主表面１１Ａ，１１Ｂに概ね対向する裏面凹部底面２２ｄが、主表面１１Ａに対して傾斜した角度γを有するように形成される。

裏面凹部２２が形成され薄くなった領域における半導体ウェハ１１の厚みｔ２（図１８参照）は、図１７の上下方向（図１８の左右方向）つまり平面視において劈開ライン１５の延在する方向に交差する方向に関する裏面凹部２２の中央部ＣＴ（図１８参照）において最小になることが好ましい。すなわち上記の中央部ＣＴにおいて裏面凹部底面２２ｄと半導体ウェハ１１の一方の主表面１１Ａとの図１８の上下方向に関する距離が最小になることが好ましい。そして図１７の上下方向（図１８の左右方向）に関して中央部ＣＴから離れるにつれて裏面凹部底面２２ｄと主表面１１Ａとの図１８の上下方向に関する距離（厚みｔ２）が次第に増加するよう、裏面凹部底面２２ｄは主表面１１Ａ，１１Ｂに対して傾斜した角度γを有するように形成される。

ここで主表面１１Ａ，１１Ｂに対して傾斜した角度γを有する裏面凹部底面２２ｄを形成する方法について説明する。たとえば図５および図６と同様の処理により半導体ウェハ１１の主表面１１Ｂに通常の（深さが一定の）裏面凹部２２を形成した後、たとえば塩酸とリン酸とをおよそ１：５の割合で混合した薬液による通常のウェットエッチングがなされる。これにより裏面凹部２２の特に主表面１１Ａと対向する底面のみが選択的にエッチングされ、裏面凹部底面２２ｄが主表面１１Ａに対してたとえば約３５°の傾斜角度γを有する斜面として形成される。

裏面凹部底面２２ｄは、図１８の中央部ＣＴに向けて主表面１１Ａとの距離である厚みｔ２が小さくなるように傾斜した形状を有し、中央部ＣＴを境とする２つの平面を有するように形成されることが好ましい。裏面凹部２２の１対の沿面側辺２２ａおよび上記２つの平面は、中央部ＣＴに関して互いに対称となるように形成される。

ただし上記の傾斜角度γはあくまで一例であり、上記のウェットエッチングにより裏面凹部底面２２ｄを形成する場合には、当該角度γは６０°以下とすることが好ましい。たとえば結晶方位が（１１１）面に平行である場合には角度γは５７°、結晶方位が（２１１）面に平行である場合には角度γは３５°、結晶方位が（３１１）面に平行である場合には角度γは２５°であることが好ましい。

以上の点において本実施の形態は、裏面凹部底面２２ｄが半導体ウェハ１１の主表面１１Ａ，１１Ｂの広がる方向に沿うように広がりながら対向する（たとえば図１０（Ｂ）における裏面凹部２２の厚みｔ２がその全体において一定である）実施の形態１〜６と異なっている。

なお、これ以外の本実施の形態の構成は、実施の形態２の構成とほぼ同じであるため同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
本実施の形態においても基本的に上記の各実施の形態と同様に、ダミーパターン１３と裏面凹部２２とにより、ずれ劈開ライン１８の進行する方向が補正される効果を有する。これに加えて本実施の形態においては、裏面凹部底面２２ｄのうち特に中央部ＣＴにおいて裏面凹部底面２２ｄの他の領域よりもさらに半導体ウェハ１１が薄くなるように加工がなされている。つまり半導体ウェハ１１が特に（最も）薄くなった中央部ＣＴにおいてはいっそう劈開が起こりやすくなる。このため、１対のダミーパターン１３に挟まれた領域に重なる裏面凹部２２内を進行するずれ劈開ライン１８は、斜面側辺１３ｃに沿って進行した後に、より高い確率で中央部ＣＴ上を進行させることができる。

ここで裏面凹部底面２２ｄの中央部ＣＴは、本来進行すべき劈開ライン１５の位置にほぼ等しくなるため、斜面側辺１３ｃに沿って進行したずれ劈開ライン１８は、やがて中央部ＣＴに達したところでそれ以降は劈開ライン１５上を進行する可能性が高くなる。言い換えれば裏面凹部２２よりも終点側において、本来進行すべき劈開ライン１５上を進行するように劈開させることができる可能性が高くなる。このため本実施の形態においては、劈開により形成される半導体チップの寸法などの信頼性をいっそう高めることが期待できる。

（実施の形態８）
図１９を参照して、本実施の形態においては、ダミー形成領域における一方の主表面１１Ａの一部に、ダミーパターン１３の代わりに、凹部としての表面凹部２３が形成される。表面凹部２３は裏面凹部２２と同様に、たとえばフォトレジストを用いた通常の写真製版技術およびエッチングにより半導体ウェハ１１が主表面１１Ａから主表面１１Ｂ側に向けて部分的に除去され薄くなることにより形成される。表面凹部２３は、たとえば半導体発光素子１２の並ぶ行方向または列方向のいずれかに沿うように、複数形成される。

本実施の形態においても素子形成領域には上記の他の実施の形態と同様に半導体発光素子１２が形成される。そして複数の半導体発光素子１２のうち図１の上下方向に関して互いに隣り合う１対の半導体発光素子１２の間の領域には、図１の左右方向に並ぶ複数の半導体発光素子１２のいずれとも交わらないように、１本の劈開ライン１５が延びる。表面凹部２３は１対の半導体発光素子１２の間の領域を図の左右方向に延びる劈開ライン１５の少なくとも一部（特にダミー形成領域の一部における劈開ライン１５）と重なるように形成される。

図２０を参照して、ダミー形成領域のうち図１９中にＤ２で示す領域において、表面凹部２３はたとえば図１６（実施の形態６）の裏面凹部２２と同様の平面形状を有している。すなわち、まず表面凹部２３は、平面視において劈開ライン１５の延在する方向に交差する方向（図２０の上下方向）に関する幅が、起点に近い図の右側の端部である交差面側辺２３ｂ（第３の起点側端部）において、その反対側すなわち劈開の終点に近い側の端部である第３の終点側端部（１対の斜面側辺２３ｃの交点）よりも広くなるように形成される。

また表面凹部２３は、図１６（実施の形態６）の裏面凹部２２と同様に、劈開ライン１５を挟むように対向する１対の第３の側辺として、１対の沿面側辺２３ａ（第３の沿面側辺）と１対の斜面側辺２３ｃ（第３の斜面側辺）とを有するように形成される。斜面側辺２３ｃは沿面側辺２３ａよりも劈開の終点側（図の左側）に形成され、沿面側辺２３ａと斜面側辺２３ｃとは図の左右方向に関して互いに連続するように形成される。

ここで１対の斜面側辺２３ｃが劈開ライン１５となす角度は０°より大きく９０°未満であることが好ましいが、中でも０°より大きく４５°以下であることがより好ましい。

図２１を参照して、表面凹部２３が形成された半導体ウェハ１１（図１９中にＤ２で示す領域を含む）において、図９に示す工程と同様にキズ１７が形成され、ブレード１９により、半導体ウェハ１１がキズ１７を含む図１に示す劈開ライン１５に沿うように劈開される。

表面凹部２３について、１対の沿面側辺２３ａと１対の斜面側辺２３ｃとのそれぞれは、劈開ライン１５に関して互いに対称となるように形成される。このため第３の終点側端部に相当する１対の斜面側辺２３ｃの交点は劈開ライン１５上に形成されることが好ましい。

なお、これ以外の本実施の形態の構成は、実施の形態１の構成とほぼ同じであるため同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。

次に、図２１〜図２２を参照しながら、本実施の形態の作用効果について説明する。
図２２（Ａ）を参照して、これは図２１のキズ１７よりも左側（劈開の進行する方向）であるが表面凹部２３よりも右側の領域における断面の態様を示している。図２２（Ｂ）を参照して、これは図２１の表面凹部２３（斜面側辺２３ｃ）の形成される領域における断面の態様を示している。図２２（Ｃ）を参照して、これは図２１の表面凹部２３よりも左側の領域における断面の態様を示している。

図２２（Ａ）のように劈開ライン１５に対して（図の右側に）ずれた位置を劈開ライン１５の延びる方向に沿って図２１の右側から左側へ進行するずれ劈開ライン１８は、表面凹部２３内に到達した後も進行方向を変えることなくそのまままっすぐ進行する。

しかしずれ劈開ライン１８が表面凹部２３の斜面側辺２３ｃに達すれば、斜面側辺２３ｃに沿うように進行方向が補正される。これは斜面側辺２３ｃ（表面凹部２３）の外側は内側に比べて半導体ウェハ１１の厚みが大きいため、ずれ劈開ライン１８が斜面側辺２３ｃをそのまままっすぐ進むには抵抗が大きいためである。

１対の斜面側辺２３ｃに沿って進行するずれ劈開ライン１８は、第３の終点側端部に相当する１対の斜面側辺２３ｃの交点にて、その交点と交わる劈開ライン１５上に比較的容易に乗せることができる。このためずれ劈開ライン１８は、表面凹部２３よりも終点側においては、図２２（Ｃ）に示すように高い確率で劈開ライン１５上を進行させることができるため、劈開の位置のずれを高い確率で（ほぼ完全に）排除することができる。

なお本実施の形態においては表面凹部２３のみが形成され、裏面凹部２２は形成されない。この場合においても一方の主表面１１Ａから他方の主表面１１Ｂまで（すなわち裏面側である主表面１１Ｂ側も含めて）半導体ウェハ１１をずれることなく劈開することを可能とするためには、ずれ劈開ライン１８の進行方向を補正する斜面側辺２３ｃが形成される領域の半導体ウェハ１１の厚みをなるべく薄くすることが好ましい。このようにするためには、表面凹部２３の特に斜面側辺２３ｃの、半導体ウェハ１１の厚み方向の深さは１０μｍ以上であり、斜面側辺２３ｃの主表面１１Ａ，１１Ｂの延在方向に対する傾斜角度は０°より大きく４５°未満であることが好ましい。さらに第３の起点側端部である交差面側辺２３ｂの、図２０の上下方向の幅は５０μｍ以下であることが好ましい。

さらに、たとえば実施の形態１〜７においてはダミーパターン１３の斜面側辺１３ｃと裏面凹部２２の側辺とが互いに重なるように一致すれば、当該斜面側辺１３ｃがずれ劈開ライン１８の進行方向を補正する効果がいっそう高められる。本実施の形態においてはこのようなダミーパターン１３と裏面凹部２２とが互いに重なる構成は形成されず、表面凹部２３のみが形成される。つまり本実施の形態においては１つの領域である斜面側辺２３ｃは、ダミーパターン１３と裏面凹部２２の側辺とが互いに重なってあたかも１つの領域のみを構成する場合と同様の機能を有することにより、ずれ劈開ライン１８の進行方向を補正する効果がいっそう高められる。

（実施の形態９）
図２３を参照して、本実施の形態においては、ダミー形成領域のうち図１９中にＤ２で示す領域に形成される表面凹部２３は、たとえば図１４（実施の形態４）の裏面凹部２２と同様の平面形状を有している。すなわち表面凹部２３は、劈開ライン１５を挟むように対向する１対の第３の側辺として、１対の沿面側辺２３ａ（第３の沿面側辺）と１対の斜面側辺２３ｃ（第３の斜面側辺）とを有するように形成される。斜面側辺２３ｃは沿面側辺２３ａよりも劈開の起点側（図の右側）に形成され、沿面側辺２３ａと斜面側辺２３ｃとは図の左右方向に関して互いに連続するように形成される。また表面凹部２３の第３の起点側端部と第３の終点側端部とは１対の交差面側辺２３ｂとして形成される。

なお、これ以外の本実施の形態の構成は、実施の形態８の構成とほぼ同じであるため同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
本実施の形態においても実施の形態８と同様に、劈開ライン１５にほぼ平行に進行し、表面凹部２３の第３の側辺である沿面側辺２３ａまたは斜面側辺２３ｃに達したずれ劈開ライン１８は、沿面側辺２３ａまたは斜面側辺２３ｃに沿うように進行方向が補正される。第３の終点側端部における、図２３の上下方向に関する幅が第３の起点側端部における当該幅よりも狭くなっているため、表面凹部２３の第３の側辺に沿うように進行するずれ劈開ライン１８は、劈開ライン１５に近い位置を進行するように進行方向が補正される。

このため沿面側辺２３ａよりも終点側（第３の終点側端部である交差面側辺２３ｂよりも終点側）においてもずれ劈開ライン１８は劈開ライン１５に平行に、最も終点側の沿面側辺２３ａの延長線上を進むことができる。このためずれ劈開ライン１８の劈開ライン１５に対するずれ量を許容範囲内（劈開ライン１５と沿面側辺２３ａとの、図の上下方向の距離以内）に収めることができる。

（実施の形態１０）
図２４を参照して、本実施の形態においては、ダミー形成領域のうち図１９中にＤ２で示す領域に形成される表面凹部２３は、たとえば図１５（実施の形態５）の裏面凹部２２と同様の平面形状を有している。すなわち表面凹部２３は、劈開ライン１５を挟むように対向する１対の第３の側辺のそれぞれは、沿面側辺２３ａ（第３の沿面側辺）と交差面側辺２３ｂ（第３の交差面側辺）とが平面視において階段状を構成するように（図の左右方向に関して）交互に複数連続するように形成されている。また表面凹部２３の第３の起点側端部と第３の終点側端部とは１対の交差面側辺２３ｂとして形成される。

なお、これ以外の本実施の形態の構成は、実施の形態８の構成とほぼ同じであるため同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
本実施の形態においても、ずれ劈開ライン１８の進行方向が表面凹部の第３の側辺である沿面側辺２３ａおよび交差面側辺２３ｂにより補正され、第３の側辺に沿って進行する。このため上記の他の実施の形態と同様に、ずれ劈開ライン１８の劈開ライン１５に対するずれ量を許容範囲内（劈開ライン１５と沿面側辺２３ａとの、図の上下方向の距離以内）に収めることができる。

（実施の形態１１）
図２５を参照して、本実施の形態においては、ダミー形成領域のうち図１９中にＤ２で示す領域の表面凹部２３は、実施の形態８の図２０におけるそれぞれと同様の平面形状および配置を有するように形成される。しかし図２６を参照して、本実施の形態においては、表面凹部２３の一部である半導体ウェハ１１の主表面１１Ａ，１１Ｂに概ね対向する表面凹部底面２３ｄが、主表面１１Ｂに対して傾斜した角度γを有するように形成される。

表面凹部底面２３ｄを有する表面凹部２３の態様は、基本的に実施の形態７の傾斜した裏面凹部底面２２ｄを有する裏面凹部２２の態様と同様である。すなわち表面凹部２３が形成され薄くなった領域における半導体ウェハ１１の厚みｔ２（図２６参照）は、図２５の上下方向（図２６の左右方向）つまり平面視において劈開ライン１５の延在する方向に交差する方向に関する表面凹部２３の中央部ＣＴ（図１８参照）において最小になることが好ましい。そして図２５の上下方向（図２６の左右方向）に関して中央部ＣＴから離れるにつれて表面凹部底面２３ｄと主表面１１Ｂとの図２６の上下方向に関する距離（厚みｔ２）が次第に増加するよう、表面凹部底面２３ｄは主表面１１Ａ，１１Ｂに対して傾斜した角度γを有するように形成される。

角度γの好ましい条件については基本的に実施の形態７の角度γと同様である。
表面凹部底面２３ｄは、図２６の中央部ＣＴに向けて主表面１１Ｂとの距離である厚みｔ２が小さくなるように傾斜した形状を有し、中央部ＣＴを境とする２つの平面を有するように形成されることが好ましい。表面凹部２３の１対の沿面側辺２３ａおよび上記２つの平面は、中央部ＣＴに関して互いに対称となるように形成される。

本実施の形態の表面凹部底面２３ｄを有する表面凹部２３は、実施の形態７の裏面凹部２２と同様の手法により形成される。

なお、これ以外の本実施の形態の構成は、実施の形態８の構成とほぼ同じであるため同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
本実施の形態においては、表面凹部２３の中でも半導体ウェハ１１が特に（最も）薄くなった、いっそう劈開が起こりやすい中央部ＣＴが形成される。このため、実施の形態７と同様に、表面凹部２３内を進行するずれ劈開ライン１８は、より高い確率で中央部ＣＴ上を進行させることができる。

ここで表面凹部底面２３ｄの中央部ＣＴは、本来進行すべき劈開ライン１５の位置にほぼ等しくなるため、斜面側辺２３ｃに沿って進行したずれ劈開ライン１８は、やがて中央部ＣＴに達したところでそれ以降は劈開ライン１５上を進行する可能性が高くなる。これは第３の終点側端部に相当する１対の斜面側辺２３ｃの交点にて、その交点と交わる劈開ライン１５上に比較的容易に乗せることができるためである。

本実施の形態においては、特に表面凹部２３よりも終点側の領域において、本来進行すべき劈開ライン１５上を進行するように劈開させることができる可能性が高くなる。このため本実施の形態においては、劈開により形成される半導体チップの寸法などの信頼性をいっそう高めることが期待できる。

（実施の形態１２）
図２７を参照して、本実施の形態においては、ダミー形成領域のうち図３中にＤ１で示す領域に形成される実施の形態２（図１２）の態様を有するダミーパターン１３および裏面凹部２２と、図１９中にＤ２で示す領域に形成される実施の形態８（図２０）の態様を有する表面凹部２３との双方が組み合わせられるように形成される。

逆に言えば本実施の形態においては、実施の形態８（図２０）と同様に表面凹部２３が形成されるダミー形成領域の主表面１１Ａに、実施の形態２（図１２）と同様に劈開ライン１５を挟むように１対のダミーパターン１３が形成され、さらに実施の形態２（図１２）と同様の裏面凹部２２が形成される。

ここで裏面凹部２２は、実施の形態２と同様に、図１の上下方向に関して互いに隣り合う１対のダミーパターン１３の双方を跨ぐように形成され、１対のダミーパターン１３の双方と、少なくとも部分的に、互いに平面的に重なるように形成されることが好ましい。

一方、表面凹部２３は、図２７においては、１対の斜面側辺２３ｃのそれぞれが１対のダミーパターン１３のそれぞれの斜面側辺１３ｃと互いに重なるように図示されている。しかしこのような態様に限らず、表面凹部２３が１対のダミーパターン１３の双方を跨ぐように１対のダミーパターン１３の双方と互いに重なるように形成され、第３の側辺２３ａ，２３ｃは１対のダミーパターン１３内の領域と互いに重なるように形成されてもよい。

以上のように本実施の形態においては半導体発光素子１２（図３，１９参照）と表面凹部２３と裏面凹部２２とダミーパターン１３とが形成されるが、これらの形成される順序は不問である。またたとえば半導体発光素子１２とダミーパターン１３とが同時に形成されてもよく、このようにすれば工程数を削減することができる。

図２８（Ａ）を参照して、これは図２７の表面凹部２３が形成される領域でありかつ裏面凹部２２が形成される領域よりも右側の領域における断面の態様を示している。図２８（Ｂ）を参照して、これは図２７の表面凹部２３と裏面凹部２２とが重なりかつダミーパターン１３と裏面凹部２２とが重なる領域における断面の態様を示している。図２８（Ｃ）を参照して、これは図２７の表面凹部２３および裏面凹部２２よりも終点側でありダミーパターン１３が形成された領域における断面の態様を示している。

たとえば図２８（Ｂ）に示す表面凹部２３と裏面凹部２２とが互いに重なる領域においては、表面凹部２３と裏面凹部２２とのそれぞれの、半導体ウェハ１１の厚み方向の深さを制御することにより、これらの重なる領域においても半導体ウェハ１１の厚みを確保することができる。なお表面凹部２３と裏面凹部２２との少なくともいずれかが形成される領域における半導体ウェハ１１の厚みは５０μｍ以下であることが好ましい。

なお、これ以外の本実施の形態の構成は、実施の形態２，８の構成とほぼ同じであるため同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
たとえば実施の形態２においては、たとえば図２８（Ｂ）に示すようにダミーパターン１３に沿うようにずれ劈開ライン１８を劈開させることにより、ずれ劈開ライン１８のずれの量が許容範囲内に収まるように小さくすることができる。しかしダミーパターン１３の沿面側辺１３ａと劈開ライン１５との、図２７の上下方向に関する距離分だけのずれの量が残る。

しかし本実施の形態においては、実施の形態２の構成に加えて実施の形態８の（劈開ライン１５に対して対称である）表面凹部２３が形成される。このため、図２８（Ｂ）に示すように１対の斜面側辺２３ｃに沿って進行するずれ劈開ライン１８は、第３の終点側端部に相当する１対の斜面側辺２３ｃの交点にて、その交点と交わる劈開ライン１５上に比較的容易に乗せることができる。このためずれ劈開ライン１８は、表面凹部２３よりも終点側においては、図２８（Ｃ）に示すように高い確率で劈開ライン１５上を進行させることができるため、劈開の位置のずれを高い確率で（ほぼ完全に）排除することができる。

視点を変えれば、本実施の形態においてはダミーパターン１３と表面凹部２３とに加えて裏面凹部２２が形成される。このためたとえば表面凹部２３のみが形成される場合に比べて劈開ライン１５上の一部の領域の半導体ウェハ１１の厚みをいっそう薄くすることができる（図２８（Ｂ）参照）。このため実施の形態２，８に比べてより確実にずれ劈開ライン１８の劈開の進行方向が劈開ライン１５上に乗るように補正することができる。

なお本実施の形態においては、実施の形態２のダミーパターン１３および裏面凹部２２に実施の形態８の表面凹部２３を組み合わせて形成する例について説明したが、本実施の形態において適用可能な形成例はこれに限らず、他の実施の形態の構成同士を任意に組み合わせてもよい。たとえば実施の形態３のダミーパターン１３および裏面凹部２２に実施の形態１０の表面凹部２３を組み合わせて形成してもよい。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１１ 半導体ウェハ、１１Ａ 一方の主表面、１１Ｂ 他方の主表面、１２ 半導体発光素子、１３ ダミーパターン、１３ａ，２２ａ，２３ａ 沿面側辺、１３ｂ，２２ｂ，２３ｂ 交差面側辺、１３ｃ，２２ｃ，２３ｃ 斜面側辺、１５ 劈開ライン、１７ キズ、１８ ずれ劈開ライン、１９ ブレード、２２ 裏面凹部、２２ｄ 裏面凹部底面、２３ 表面凹部、２３ｄ 表面凹部底面、ＣＴ 中央部、ＨＭ ハードマスク、ＰＲ フォトレジスト。

Claims (18)

1. 第１の主表面と、前記第１の主表面に対向する第２の主表面とを有する半導体ウェハを準備する工程を備え、
   前記半導体ウェハは、複数の半導体素子パターンが形成される素子形成領域と、平面視において前記素子形成領域とは離れたダミー形成領域とを含み、さらに
   前記ダミー形成領域における前記第１または第２の主表面の少なくともいずれかに、前記半導体ウェハの劈開性を有する劈開ラインと重なるように凹部を形成する工程と、
   前記第１の主表面上にキズを形成する工程と、
   前記キズを起点として前記半導体ウェハを前記劈開ラインに沿って劈開する工程とを備え、
   前記キズは、前記凹部が形成された前記劈開ライン上の一部に、前記劈開ラインに沿うように形成される、半導体装置の製造方法。
2. 前記凹部は前記第２の主表面に形成された裏面凹部を含み、
   前記第１の主表面の前記ダミー形成領域に、前記劈開ラインを挟むように１対のダミーパターンを形成する工程をさらに備え、
   前記ダミーパターンを形成する工程においては、前記１対のダミーパターンのうち一方の前記ダミーパターンと他方の前記ダミーパターンとのそれぞれに存在する、前記劈開ラインを挟むように対向する第１の側辺同士の間隔は、前記起点に近い側の第１の起点側端部において前記第１の起点側端部と反対側の第１の終点側端部よりも広くなるように前記ダミーパターンが形成される、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記裏面凹部は前記１対のダミーパターンに挟まれた領域と平面視において重なる領域の少なくとも一部に形成される、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記裏面凹部は、前記１対のダミーパターンの双方と平面視において重なるように形成される、請求項２または３に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記ダミーパターンを形成する工程においては、前記一方のダミーパターンの前記第１の側辺と、前記他方のダミーパターンの前記第１の側辺とは、平面視において前記劈開ラインの延在する方向に沿うように延在する第１の沿面側辺と、平面視において前記劈開ラインの延在する方向に対して斜めの方向に延在する第１の斜面側辺を含むように前記ダミーパターンが形成される、請求項２〜４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記ダミーパターンを形成する工程においては、前記一方のダミーパターンの前記第１の側辺と、前記他方のダミーパターンの前記第１の側辺とは、平面視において前記劈開ラインの延在する方向に沿うように延在する第１の沿面側辺と、平面視において前記劈開ラインの延在する方向に交差する方向に延在する第１の交差面側辺とが階段状に形成される、請求項２〜４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記凹部を形成する工程においては、平面視において前記劈開ラインの延在する方向に交差する方向に関する前記裏面凹部の幅は、前記起点に近い側の第２の起点側端部において前記第２の起点側端部と反対側の第２の終点側端部よりも広くなるように前記凹部が形成される、請求項２〜６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記凹部を形成する工程においては、前記裏面凹部の、前記劈開ラインを挟むように対向する１対の第２の側辺は、平面視において前記劈開ラインの延在する方向に沿うように延在する第２の沿面側辺と、平面視において前記劈開ラインの延在する方向に対して斜めの方向に延在する第２の斜面側辺を含むように前記裏面凹部が形成される、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記凹部を形成する工程においては、前記裏面凹部の、前記劈開ラインを挟むように対向する１対の第２の側辺は、平面視において前記劈開ラインの延在する方向に沿うように延在する第２の沿面側辺と、平面視において前記劈開ラインの延在する方向に交差する方向に延在する第２の交差面側辺とが階段状に形成された構成を含むように前記裏面凹部が形成される、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記裏面凹部は前記第１または第２の主表面に対向する裏面凹部底面を含み、
    前記裏面凹部底面は、前記第１の主表面に対して傾斜した角度を有するように形成される、請求項２〜９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
11. 前記裏面凹部底面は、平面視において前記劈開ラインの延在する方向に交差する方向に関する前記裏面凹部の中央部において前記第１の主表面との距離が最小となり、前記第１または第２の主表面に対して傾斜した角度を有するように形成される、請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
12. 前記凹部は前記第１の主表面に形成された表面凹部を含み、
    平面視において前記劈開ラインの延在する方向に交差する方向に関する前記表面凹部の幅は、前記起点に近い側の第３の起点側端部において前記第３の起点側端部と反対側の第３の終点側端部よりも広くなるように前記表面凹部が形成される、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
13. 前記凹部を形成する工程においては、前記表面凹部の、前記劈開ラインを挟むように対向する１対の第３の側辺は、平面視において前記劈開ラインの延在する方向に沿うように延在する第３の沿面側辺と、平面視において前記劈開ラインの延在する方向に対して斜めの方向に延在する第３の斜面側辺を含むように前記表面凹部が形成される、請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
14. 前記凹部を形成する工程においては、前記表面凹部の、前記劈開ラインを挟むように対向する１対の第３の側辺は、平面視において前記劈開ラインの延在する方向に沿うように延在する第３の沿面側辺と、平面視において前記劈開ラインの延在する方向に交差する方向に延在する第３の交差面側辺とが階段状に形成された構成を含むように前記表面凹部が形成される、請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
15. 前記表面凹部は前記第１または第２の主表面に対向する表面凹部底面を含み、
    前記表面凹部底面は、前記第２の主表面に対して傾斜した角度を有するように形成される、請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
16. 前記表面凹部底面は、平面視において前記劈開ラインの延在する方向に交差する方向に関する前記表面凹部の中央部において前記第２の主表面との距離が最小となり、前記第１または第２の主表面に対して傾斜した角度を有するように形成される、請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
17. 前記凹部は前記第２の主表面に形成された裏面凹部を含む、請求項１２〜１６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
18. 前記ダミー形成領域の前記第１の主表面に、前記劈開ラインを挟むように１対のダミーパターンを形成する工程をさらに備え、
    前記凹部を形成する工程においては、前記裏面凹部は、前記１対のダミーパターンの双方の少なくとも一部と平面視において重なるように形成される、請求項１７に記載の半導体装置の製造方法。

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