JP2015162501A - 樹脂封止半導体装置製造用離型フィルム、樹脂封止半導体装置製造用離型フィルムの製造方法及び樹脂封止半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止半導体装置製造用離型フィルム、樹脂封止半導体装置製造用離型フィルムの製造方法及び樹脂封止半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015162501A JP2015162501A JP2014035391A JP2014035391A JP2015162501A JP 2015162501 A JP2015162501 A JP 2015162501A JP 2014035391 A JP2014035391 A JP 2014035391A JP 2014035391 A JP2014035391 A JP 2014035391A JP 2015162501 A JP2015162501 A JP 2015162501A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- release film
- mold
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【課題】樹脂封止半導体装置を容易に離型でき、封止樹脂成形の時に穴が開かずかつ低コストで樹脂封止半導体装置を成形できる半導体装置製造用離型フィルム、半導体装置製造用離型フィルムの製造方法及びそれを用いた樹脂封止半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子を含む半導体装置を供する工程、凹部を表面に有する型を供する工程、ポリアミド樹脂を含むクッション層とクッション層の少なくとも一方の面に設けられる剥離層とを有する離型フィルムを少なくとも凹部に添うように型に固着する工程、凹部内を含む離型フィルム上に封止樹脂又は封止樹脂前駆体を供給する工程、封止樹脂内または封止樹脂前駆体内に半導体素子が浸漬されるように半導体装置と型とを配置する工程、半導体素子を封止樹脂又は上記封止樹脂前駆体に浸漬させた状態で、封止樹脂又は封止樹脂前駆体を硬化する工程を備える。【選択図】図３
Description
本発明は、樹脂封止半導体装置製造用離型フィルム、樹脂封止半導体装置製造用離型フィルムの製造方法及び樹脂封止半導体装置の製造方法に関する。
従来から、光デバイスの製造方法として、キャビティが形成された型に離型フィルムをキャビティに沿うように配設すると共に、キャビティ内に硬化性組成物を充填し、支持体上に設けられた光素子がキャビティ内の硬化性組成物に挿入されるように、支持体を型に圧接した状態で硬化性組成物を成形することにより硬化性組成物を一体化する方法が用いられている。この離型フィルムとしては、フッ素樹脂フィルム、ポリエステル樹脂フィルム及びポリオレフィン樹脂フィルムが用いられている（特許文献１）。
しかし、フッ素樹脂フィルムでは、フィルムのコストが高くなるという欠点があった。また、ポリエステル樹脂フィルムでは、硬化性組成物の成形時に離型しにくいという欠点があった。また、ポリオレフィン樹脂フィルムでは硬化性組成物の成形時に穴が開くという欠点があった。
本発明の課題は、樹脂封止半導体装置を容易に離型することができ、封止樹脂成形の時に穴が開かず、かつ、低コストで樹脂封止半導体装置を成形できる半導体装置製造用離型フィルム、半導体装置製造用離型フィルムの製造方法、及び、それを用いた樹脂封止半導体装置の製造方法を提供することにある。
このような目的は、以下の（１）〜（６）に記載される本発明により達成される。
（１） 本発明の一側面としての樹脂封止半導体装置の製造方法は、半導体素子を含む半導体装置を供する工程と、凹部を表面に有する型を供する工程と、ポリアミド樹脂を含むクッション層と、上記クッション層の少なくとも一方の面に設けられる剥離層と、を有する離型フィルムを、少なくとも上記凹部に添うように型に固着する工程と、上記凹部内を含む上記離型フィルム上に封止樹脂または封止樹脂前駆体を供給する工程と、上記封止樹脂内または上記封止樹脂前駆体内に上記半導体素子が浸漬されるように半導体装置と型とを配置する工程と、上記半導体素子を上記封止樹脂または上記封止樹脂前駆体に浸漬させた状態で、上記封止樹脂または上記封止樹脂前駆体を硬化する工程と、を備えることを特徴とする。
（２） 本発明の他側面としての樹脂封止半導体装置の製造方法は、上記樹脂封止半導体装置の製造方法において、上記離型フィルムは、突き刺し強度が５．５Ｎ以上であることを特徴とする。
（３） 本発明の他側面としての樹脂封止半導体装置の製造方法は、上記樹脂封止半導体装置の製造方法において、上記半導体素子は、光素子であることを特徴とする。
（４） 本発明の一側面としての樹脂封止半導体装置製造用離型フィルムは、半導体装置を樹脂封止する樹脂封止半導体装置の封止樹脂成形プロセスにおいて、型と上記半導体装置との間に配される離型フィルムであって、ポリアミド樹脂を含むクッション層と、上記クッション層の少なくとも一方の面に設けられる剥離層と、を備えることを特徴とする。
（５） 本発明の他側面としての樹脂封止半導体装置製造用離型フィルムは、上記樹脂封止半導体装置製造用離型フィルムであって、上記離型フィルムは、突き刺し強度が５．５Ｎ以上であることを特徴とする。
（６） 本発明の一側面としての樹脂封止半導体装置製造用離型フィルムの製造方法は、半導体装置を樹脂封止する樹脂封止半導体装置の封止樹脂成形プロセスにおいて、型と上記半導体装置との間に配される離型フィルムの製造方法であって、ポリアミド樹脂を含むクッション層と、上記クッション層の少なくとも一方の面に設けられる剥離層と、を押出成形する工程を備えることを特徴とする。
（１） 本発明の一側面としての樹脂封止半導体装置の製造方法は、半導体素子を含む半導体装置を供する工程と、凹部を表面に有する型を供する工程と、ポリアミド樹脂を含むクッション層と、上記クッション層の少なくとも一方の面に設けられる剥離層と、を有する離型フィルムを、少なくとも上記凹部に添うように型に固着する工程と、上記凹部内を含む上記離型フィルム上に封止樹脂または封止樹脂前駆体を供給する工程と、上記封止樹脂内または上記封止樹脂前駆体内に上記半導体素子が浸漬されるように半導体装置と型とを配置する工程と、上記半導体素子を上記封止樹脂または上記封止樹脂前駆体に浸漬させた状態で、上記封止樹脂または上記封止樹脂前駆体を硬化する工程と、を備えることを特徴とする。
（２） 本発明の他側面としての樹脂封止半導体装置の製造方法は、上記樹脂封止半導体装置の製造方法において、上記離型フィルムは、突き刺し強度が５．５Ｎ以上であることを特徴とする。
（３） 本発明の他側面としての樹脂封止半導体装置の製造方法は、上記樹脂封止半導体装置の製造方法において、上記半導体素子は、光素子であることを特徴とする。
（４） 本発明の一側面としての樹脂封止半導体装置製造用離型フィルムは、半導体装置を樹脂封止する樹脂封止半導体装置の封止樹脂成形プロセスにおいて、型と上記半導体装置との間に配される離型フィルムであって、ポリアミド樹脂を含むクッション層と、上記クッション層の少なくとも一方の面に設けられる剥離層と、を備えることを特徴とする。
（５） 本発明の他側面としての樹脂封止半導体装置製造用離型フィルムは、上記樹脂封止半導体装置製造用離型フィルムであって、上記離型フィルムは、突き刺し強度が５．５Ｎ以上であることを特徴とする。
（６） 本発明の一側面としての樹脂封止半導体装置製造用離型フィルムの製造方法は、半導体装置を樹脂封止する樹脂封止半導体装置の封止樹脂成形プロセスにおいて、型と上記半導体装置との間に配される離型フィルムの製造方法であって、ポリアミド樹脂を含むクッション層と、上記クッション層の少なくとも一方の面に設けられる剥離層と、を押出成形する工程を備えることを特徴とする。
本発明の離型フィルムは、樹脂封止半導体装置を容易に脱型することができ、封止樹脂成形プロセスにおいて穴が開かず、かつ、低コストで樹脂封止半導体装置を成形することができる。本発明の離型フィルムの製造方法は、樹脂封止半導体装置を容易に脱型することができ、封止樹脂成形プロセスにおいて穴が開かない離型フィルムを製造することができる。さらにまた、本発明の樹脂封止半導体装置は、上記離型フィルムを用いることで、樹脂封止半導体装置を容易にかつ、低コストで成形することができる。
＜樹脂封止半導体装置の製造方法＞
本発明の実施形態に係る樹脂封止半導体装置の製造方法について、図１乃至図７を用いて説明する。本実施形態に係る樹脂封止半導体の製造方法は、離型フィルム設置工程、封止樹脂等供給工程、半導体素子浸漬工程および封止樹脂等硬化工程を少なくとも備える封止樹脂成形プロセスを含む。
本発明の実施形態に係る樹脂封止半導体装置の製造方法について、図１乃至図７を用いて説明する。本実施形態に係る樹脂封止半導体の製造方法は、離型フィルム設置工程、封止樹脂等供給工程、半導体素子浸漬工程および封止樹脂等硬化工程を少なくとも備える封止樹脂成形プロセスを含む。
まず、図１に示すように、半導体装置１００を供する。半導体装置１００は、支持体１１０と、支持体１１０に固着された１個または複数個の半導体素子１２０と、を含む。半導体素子１２０としては、発光素子や受光素子などの光素子が例示される。発光素子としては、ＬＥＤチップ（発光ダイオード）が例示され、受光素子としては、イメージセンサが例示される。また、支持体１１０は、円形状或いは多角形状等の任意の形状で形成された基板である。支持体１１０としては、セラミックス基板、シリコーン基板、金属基板、エポキシ樹脂及びＢＴレジン等のリジット基板、又は、ポリイミド樹脂及びポリエチレン基板等のフレキシブル基板が例示される。半導体装置１００は、支持体１１０に設けられた回路配線上の電極パッドと、半導体素子１２０に設けられた電極と、を電気的に接続したものである。この支持体１１０の電極パッドと半導体素子１２０の電極とは、図１に示すようにワイヤ１３０によってワイヤボンディングで接続されてもよいし、支持体１１０の電極パッドと半導体素子１２０の電極とを対向させて、それらを電気的に接続するフリップチップ実装で接続されてもよい。支持体１１０には、回路配線に電気的に接続された外部リード等が設けられてもよい。
ＬＥＤチップとしては、液相成長法、ＭＯＣＶＤ法等の方法により基板上に窒化インジウム（ＩnＮ）、窒化アルミニウム（ＡlＮ）、窒化ガリウム（ＧaＮ）、セレン化亜鉛（ＺnＳe）、炭化ケイ素（ＳiＣ）、リン化ガリウム（ＧaＰ）、ヒ化ガリウム（ＧaＡs）、ヒ化ガリウムアルミニウム（ＧaＡlＡs）、窒化ガリウムアルミニウム（ＧaＡlＮ）、リン化アルミニウムインジウムガリウム（ＡlＩnＧaＰ）、窒化インジウムガリウム（ＩnＧaＮ）、窒化アルミニウムインジウムガリウム（ＡlＩnＧaＮ）等の半導体が発光部として形成されたものが好ましい。ワイヤ１３０としては、金線あるいはアルミニウム線などが挙げられる。
次に、離型フィルム設置工程について説明する。離型フィルム設置工程は、図２および図３に示されるように、型３００の凹部３１０が設けられた表面に沿って離型フィルム２００を配置するものである。型３００には、金型及び樹脂性金型が例示される。型３００には、外周に段差平面部３４０を有してもよい。離型フィルム２００については、後に詳述する。離型フィルム設置工程を順に説明すると、図２に示すように、離型フィルム２００を、型３００の凹部３１０が設けられた面側に配置する。その後、図３に示すとおり、離型フィルム２００が型３００の少なくとも凹部３１０内の略全面に固着されるように、型３００の凹部３１０を含む表面に沿って離型フィルム２００を配置する。これは、図３に示すような通気孔３２０を介して、吸引装置（図示せず）により離型フィルム２００と型３００との間の空間にある空気・水分・ガス等を吸引排出して、離型フィルム２００を型３００の凹部３１０に引きこんで真空吸着することにより行われる。離型フィルム２００は、型３００の凹部３１０内および平面部３３０の表面に沿って配設されてもよい。さらに、離型フィルム２００を型３００にしっかりと固定するために、封止樹脂注入領域の外周部、離型フィルム２００全体の外周部、又は、型３００全体の外周部に対応する位置に配されたチャック機構によって、離型フィルム２００を挟持してもよい。離型フィルム設置工程は、半導体装置１００を供する工程と同時、半導体装置１００を供する工程より前、または、半導体装置１００を供する工程よりも後に行ってもよい。
離型フィルム設置工程の後に、封止樹脂等供給工程を行う。封止樹脂等供給工程では、図３および図４に示されるように、型３００の少なくとも離型フィルム２００が表面に沿って固着された離型凹部３１１上に封止樹脂または封止樹脂前駆体である封止樹脂等４００が供給される。本明細書では、封止樹脂または封止樹脂前駆体を封止樹脂等４００という。封止樹脂等４００は、図４に示すように離型フィルム２００を介した離型凹部３１１内および型３００の平面部の上方に、または、型３００の平面部を除く離型フィルム２００を介した離型凹部３１１内のみに、供給される。封止樹脂等４００には、封止樹脂として、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド系樹脂、シリコーン変形エポキシ系樹脂等の１種またはこれらの混合物などが挙げられる。封止樹脂前駆体としては、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド系樹脂、シリコーン変形エポキシ系樹脂等の硬化処理が施される前の各樹脂前駆体の１種またはこれらの混合物などが挙げられる。耐候性、耐熱性、電気絶縁性、化学安定性に優れ、かつ、可視光から紫外光領域まで高い光透過率を有するため、封止樹脂等４００としては、シリコーン系樹脂又はシリコーン系樹脂前駆体を用いることが好ましい。また、半導体素子１２０がＬＥＤチップである場合には、封止樹脂等４００としては、シリコーン樹脂、シリコーン樹脂前駆体、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂前駆体、及び、それらの混合物が用いられることが好ましい。これらは、ＬＥＤチップからの光抽出を大きく向上させ、並びにレンズの役割を果たすのに十分な屈折率を有するためである。さらにまた、半導体素子１２０が光素子である場合には、封止樹脂等４００としては、透光性樹脂又は透光性樹脂の前駆体を用いることが好ましい。これにより、封止樹脂等４００によって形成される封止樹脂層４０１は、光素子の受光部または発光部まで光を透過することができる。封止樹脂等４００は、顆粒状、液状又はシート状で供給してもよい。封止樹脂等４００は、無機材料からなる微粒子をさらに含んでもよい。
封止樹脂等供給工程の後に、半導体素子浸漬工程を行う。半導体素子浸漬工程では、図４に示すように、半導体装置１００の半導体素子１２０が設けられた面と、型３００の凹部３１０が設けられた面と、を対向させて、半導体装置１００と型３００とを配置する。次に、図５に示すように、半導体装置１００及び型３００の少なくとも一方を移動して、型３００に対して半導体装置１００を圧接することで、半導体素子１２０と、ボンディングワイヤ１３０などの半導体素子１２０及び支持体１１０の電気的接続部と、を型３００上方の封止樹脂等４００で覆う。この際、半導体素子１２０の少なくとも一部は、凹部３１０内又は凹部３１０の上方に配置される。半導体素子１２０が光素子である場合には、この半導体素子１２０の少なくとも一部は、光素子の受光部または発光部である。型３００に対して半導体装置１００を圧接するときは、型３００の段差平面部３４０に半導体装置１００の支持体１１０が当接し、かつ、平面部３３０には支持体１１０に当接しないようにしてもよいし、又は、型３００に段差平面部３４０を有さず、支持体１１０が平面部３３０に当接するようにしてもよい。
半導体素子浸漬工程の後に、封止樹脂等硬化工程を行う。封止樹脂等硬化工程では、図６に示されるように、半導体素子１２０と、ボンディングワイヤ１３０などの半導体素子１２０及び支持体１１０の電気的接続部と、を型３００上方の封止樹脂等４００で覆った状態で、封止樹脂等４００が硬化されて封止樹脂層４０１が形成され、成形体１０１が作製される。なお、本工程において、封止樹脂等４００は、冷却、加熱または活性エネルギー線照射されることにより硬化される。一方、封止樹脂等４００が硬化性樹脂の前駆体である場合、封止樹脂等４００は、加熱または活性エネルギー線照射により硬化される。活性エネルギー線としては、放射線、紫外線、可視光線及び電子線が例示される。
また、封止樹脂層４０１は、支持体１１０および半導体素子１２０の両方に接着していることが好ましい。封止樹脂層４０１は、少なくとも半導体素子１２０と、ボンディングワイヤ１３０などの半導体素子１２０及び支持体１１０の電気的接続部と、を覆うように設けられているが、隣接する半導体素子１２０間の支持体１１０の表面上には封止樹脂層４０１が設けられておらず、隣接する封止樹脂層４０１が離間配置されていてもよいし、または、隣接する半導体素子１２０間の支持体１１０の表面上が封止樹脂層４０１で被覆されていてもよい。この封止樹脂層４０１は、無色な樹脂であってもよいし、蛍光体等を含有した樹脂であってもよい。また、この封止樹脂層４０１の形状は、特に限定されず、一般的には、凸レンズ状、円すい台状、四角すい台状であるが、凸レンズ状または凹レンズ状であることが好ましい。封止樹脂層４０１を凸レンズ状または凹レンズ状とすることにより、封止樹脂層４０１を湿度や温度などの外部環境の変化から光素子を保護する封止樹脂としてだけでなく、光素子のレンズとしても用いることができる。
封止樹脂等硬化工程後に、成形体１０１の脱型工程を含む。図６および図７に示すように、成形体１０１の脱型工程は、通気孔３２０を通じて凹部３１０を含む部分に空気・水分・ガス等が供給されることにより、離型フィルム２００が型３００から剥がされると共に、成形体１０１が脱型される。離型フィルム２００は成形体１０１から除去される。支持体１１０に設けられた半導体素子１２０が１つの場合、この成形体１０１が樹脂封止半導体装置となる。
一方、図７に示すように、支持体１１０に設けられた半導体素子１２０が複数の場合、成形体１０１の脱型工程の後に、成形体１０１の樹脂封止半導体装置への個片化工程を含んでもよい。個片化工程では、ダイシングソー、レーザー、バンドソー、ワイヤソーまたはウォータージェット等によって支持体１１０のみ、または、封止樹脂層４０１と支持体１１０とが切断または破断されることによって、成形体１０１を複数個の樹脂封止半導体装置に個片化する。
＜離型フィルムの詳細＞
本発明の実施の形態に係る離型フィルム２００は、図８に示されるように、剥離層２１０およびクッション層２２０を備える。上記樹脂封止半導体装置の製造方法において、離型フィルム２００は、剥離層２１０が半導体装置１００側に配され、クッション層２２０が型３００側に配されるように、型３００に配置される。すなわち、離型フィルム２００は、封止樹脂等４００および封止樹脂層４０１が剥離層２１０上に設けられ、クッション層２２０が型３００に接するように配置される。なお、本実施の形態において、離型フィルム２００の厚みは２５μｍ以上であって３００μｍ以下であるのが好ましい。離型フィルム２００の厚みが２５μｍ未満であると封止樹脂成形プロセスにおいて穴が開きやすく、３００μｍより厚いと、型の上に離型フィルム２００を置いて成形するため離型フィルム２００の厚さ分だけ型が小さくなり、所望のサイズの成形品を得ることができない。
本発明の実施の形態に係る離型フィルム２００は、図８に示されるように、剥離層２１０およびクッション層２２０を備える。上記樹脂封止半導体装置の製造方法において、離型フィルム２００は、剥離層２１０が半導体装置１００側に配され、クッション層２２０が型３００側に配されるように、型３００に配置される。すなわち、離型フィルム２００は、封止樹脂等４００および封止樹脂層４０１が剥離層２１０上に設けられ、クッション層２２０が型３００に接するように配置される。なお、本実施の形態において、離型フィルム２００の厚みは２５μｍ以上であって３００μｍ以下であるのが好ましい。離型フィルム２００の厚みが２５μｍ未満であると封止樹脂成形プロセスにおいて穴が開きやすく、３００μｍより厚いと、型の上に離型フィルム２００を置いて成形するため離型フィルム２００の厚さ分だけ型が小さくなり、所望のサイズの成形品を得ることができない。
以下、これらの層それぞれについて詳述する。
＜離型フィルムの構成層＞
１．剥離層
剥離層２１０は、封止樹脂等４００および封止樹脂層４０１に対して良好な剥離性を有する層であり、剥離層形成材料として、ポリ（４−メチル−１−ペンテン）を主成分として含むものを用いることが好ましい。剥離層２１０としては、クッション層２２０より封止樹脂等４００および封止樹脂層４０１に対する剥離性が高いものが好ましい。ポリ（４−メチル−１−ペンテン）を主成分として含む樹脂は、三井化学（株）から商品名ＴＰＸ（登録商標）として市販されており、以下「ＴＰＸ樹脂」と称する。なお、本実施の形態において、剥離層２１０の厚みは５μｍ以上２９５μｍ以下であるのが好ましく、１０μｍ以上２９０μｍ以下であるのがより好ましい。剥離層２１０の厚みがこの範囲であれば、クッション層の効果を損なわず剥離性が良好な離型フィルム２００となる。剥離層２１０としては、ポリアミド樹脂を含まないもの、または、実質的に含まないものが好ましい。
＜離型フィルムの構成層＞
１．剥離層
剥離層２１０は、封止樹脂等４００および封止樹脂層４０１に対して良好な剥離性を有する層であり、剥離層形成材料として、ポリ（４−メチル−１−ペンテン）を主成分として含むものを用いることが好ましい。剥離層２１０としては、クッション層２２０より封止樹脂等４００および封止樹脂層４０１に対する剥離性が高いものが好ましい。ポリ（４−メチル−１−ペンテン）を主成分として含む樹脂は、三井化学（株）から商品名ＴＰＸ（登録商標）として市販されており、以下「ＴＰＸ樹脂」と称する。なお、本実施の形態において、剥離層２１０の厚みは５μｍ以上２９５μｍ以下であるのが好ましく、１０μｍ以上２９０μｍ以下であるのがより好ましい。剥離層２１０の厚みがこの範囲であれば、クッション層の効果を損なわず剥離性が良好な離型フィルム２００となる。剥離層２１０としては、ポリアミド樹脂を含まないもの、または、実質的に含まないものが好ましい。
剥離層２１０において、剥離層形成材料全体の重量に対して、ＴＰＸ樹脂は９０重量％以上含有されているのが好ましく、９５重量％以上含有されているのがより好ましい。ＴＰＸ樹脂が９０重量％以上含有されていることで、成形体１０１の剥離性が良好となる。なお、ＴＰＸ樹脂は、ＴＰＸ樹脂のメルトフローレート（ＭＦＲ：測定規格／ＡＳＴＭ Ｄ１２３８、測定条件／２６０℃、５ｋｇ荷重）は３０ｇ／１０ｍｉｎ以上であって３００ｇ／１０ｍｉｎ以下であるのが好ましく、４０ｇ／１０ｍｉｎ以上であって２００ｇ／１０ｍｉｎ以下であるのがより好ましい。メルトフローレートがこの範囲であれば、離型フィルム２００の平滑性が上がり、成形体１０１の外観が良好となる。
剥離層形成材料として、ポリ（４−メチル−１−ペンテン）を含むＴＰＸ樹脂の他、各種の添加剤、例えば、アンチブロッキング剤、酸化防止剤、核剤、帯電防止剤、プロセスオイル、可塑剤、離型剤、難燃剤、難燃助剤及び顔料等の少なくとも１つが配合されてもよい。
２．クッション層
クッション層２２０は、本実施の形態において、クッション層形成材料としてポリアミド樹脂を含む。ポリアミド樹脂としては、例えば、脂肪族ポリアミド、芳香族ポリアミド等が挙げられる。ポリアミド樹脂を用いることで、ポリアミド内のアミド基の水素結合によりクッション層２２０に強靭性が付与され、離型フィルム２００の突き刺し強度が５．５Ｎ以上となる。これにより、樹脂封止半導体装置の製造方法において、封止樹脂成形プロセスにおいて離型フィルム２００に穴が開かずに成形することができる。クッション層２２０の突き刺し強度は、剥離層２１０の突き刺し強度よりも高いことが好ましい。
クッション層２２０は、本実施の形態において、クッション層形成材料としてポリアミド樹脂を含む。ポリアミド樹脂としては、例えば、脂肪族ポリアミド、芳香族ポリアミド等が挙げられる。ポリアミド樹脂を用いることで、ポリアミド内のアミド基の水素結合によりクッション層２２０に強靭性が付与され、離型フィルム２００の突き刺し強度が５．５Ｎ以上となる。これにより、樹脂封止半導体装置の製造方法において、封止樹脂成形プロセスにおいて離型フィルム２００に穴が開かずに成形することができる。クッション層２２０の突き刺し強度は、剥離層２１０の突き刺し強度よりも高いことが好ましい。
脂肪族ポリアミドの具体例としては、ポリアミド６、ポリアミド６，６、ポリアミド６−６，６共重合体、ポリアミド１１、ポリアミド１２などが挙げられる。芳香族ポリアミドの具体例としては、ポリアミド６１、ポリアミド６６／６Ｔ、ポリアミド６Ｔ／６、ポリアミド１２／６Ｔなどが挙げられる。これらの中でも脂肪族ポリアミドのポリアミド６、ポリアミド６，６、ポリアミド６−６，６共重合体、ポリアミド１１、ポリアミド１２はメルトフローレートがそれぞれ、ポリアミド６（（ＭＦＲ：測定方法／ＡＳＴＭ Ｄ１２３８、測定条件／２３０℃、２．１６ｋｇ荷重）４０ｇ／１０分）、ポリアミド６，６（（ＭＦＲ：ＡＳＴＭ Ｄ１２３８、測定条件／２７５℃、２．１６ｋｇ荷重）５２ｇ／１０分）、ポリアミド６−６，６共重合体（（ＭＦＲ：測定方法／ＡＳＴＭ Ｄ１２３８、測定条件／２７５℃、２．１６ｋｇ荷重）６０ｇ／１０分）、ポリアミド１１（（ＭＦＲ：測定方法／ＡＳＴＭ Ｄ１２３８、測定条件／２６０℃、２．１６ｋｇ荷重）４２ｇ／１０分）、ポリアミド１２（（ＭＦＲ：測定方法／ＡＳＴＭ Ｄ１２３８、測定条件／２３５℃、２．１６ｋｇ荷重）２０ｇ／１０分）であり、ＴＰＸ樹脂（（ＭＦＲ：測定方法／ＡＳＴＭ Ｄ１２３８、測定条件／２６０℃、５ｋｇ荷重）１００ｇ／１０分）であることから、ＴＰＸ樹脂と、脂肪族ポリアミドのポリアミド６、ポリアミド６，６、ポリアミド６−６，６共重合体、ポリアミド１１及びポリアミド１２の少なくとも１つと、のメルトフローレートを合わせることが容易である。このため、剥離層２１０がポリ（４−メチル−１−ペンテン）を含む場合、クッション層２２０はポリアミド６、ポリアミド６，６、ポリアミド６−６，６共重合体、ポリアミド１１、ポリアミド１２の少なくとも１つを含むことが好ましい。
ポリアミド樹脂のメルトフローレート（ＭＦＲ：測定方法／ＡＳＴＭ Ｄ１２３８、測定条件／２３０℃、２．１６ｋｇ荷重）は２０ｇ／１０ｍｉｎ以上であって３００ｇ／１０ｍｉｎ以下であるのが好ましく、３０ｇ／１０ｍｉｎ以上であって２００ｇ／１０ｍｉｎ以下であるのがより好ましい。メルトフローレートがこの範囲にあれば、ＴＰＸ樹脂とポリアミド樹脂の両者が混ざりやすくなり、良好な物性を有する離型フィルム２００を得ることができる。
また、クッション層２２０には、オレフィン重合体及び／又はオレフィン共重合体を含むことが好ましい。オレフィン重合体としては、プロピレン系、ブテン系、ヘキセン系、オクテン系、デセン系の重合体及び／又は共重合体などが挙げられる。この中でも、クッション層２２０には、プロピレン系重合体とブテン系重合体を用いることがより好ましい。
これらにより、離型フィルム２００の成形性が向上するからである。
これらにより、離型フィルム２００の成形性が向上するからである。
オレフィン重合体またはオレフィン共重合体のメルトフローレート（測定方法／ＡＳＴＭ Ｄ１２３８、測定条件／１９０℃、２．１６ｋｇ荷重）は、好ましくは０．０１ｇ／１０ｍｉｎ以上であって５００ｇ／１０ｍｉｎ以下、より好ましくは０．１ｇ／１０ｍｉｎ以上であって１００ｇ／１０ｍｉｎ以下である。メルトフローレートが上記範囲にあると、クッション層２２０にポリ−４−メチル−１−ペンテンを含む場合に、ポリ−４−メチル−１−ペンテンとオレフィン重合体またはオレフィン共重合体とが混ざりやすくなる。
クッション層２２０には、剥離層形成材料に含まれる樹脂と同様の樹脂およびその変性樹脂の少なくとも一方と、ポリアミド樹脂と、を備えることが好ましい。例えば、剥離層形成材料がポリ−４−メチル−１−ペンテンを含む場合、クッション層形成材料は、ポリ−４−メチル−１−ペンテンおよび変性ポリ−４−メチル−１−ペンテンの少なくとも一方と、ポリアミド樹脂と、を含むことが好ましい。これにより、剥離層とクッション層との剥離を低減することができる。ポリアミド樹脂のみをクッション層２２０として用いた離型フィルムでは、剥離層２１０との接着力が弱いため、脱型工程で剥離層２１０とクッション層２２０との間で剥離が起こりやすい。そこで、クッション層形成材料に剥離層形成材料をブレンドすることで、剥離層２１０とクッション層２２０との接着力が強くなり脱型する際にクッション層２１０と剥離層２２０との間で剥離が起こらず、封止樹脂成形プロセスにおいて離型フィルム２００に穴が開かずに脱型することができる。
変性ポリ−４−メチル−１−ペンテンは、ポリ−４−メチル−１−ペンテンにエチレン性不飽和結合含有モノマーを、有機過酸化物を用いてグラフト変性することにより得られる。
変性ポリ−４−メチル−１−ペンテンが有する官能基の種類としては、ハロゲン原子、カルボキシル基、酸無水物基、エポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、イミド基、エステル基、アルコキシシラン基、酸ハライド基およびニトリル基などが挙げられる。ポリアミドの反応性官能基と反応しうる官能基として、変性ポリ−４−メチル−１−ペンテンが有する官能基には、カルボキシル基や酸無水物基またはこれらの誘導体を含むことが、ポリアミドとの反応性が高いことから好ましい。
変性ポリ−４−メチル−１−ペンテンが有する官能基の種類としては、ハロゲン原子、カルボキシル基、酸無水物基、エポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、イミド基、エステル基、アルコキシシラン基、酸ハライド基およびニトリル基などが挙げられる。ポリアミドの反応性官能基と反応しうる官能基として、変性ポリ−４−メチル−１−ペンテンが有する官能基には、カルボキシル基や酸無水物基またはこれらの誘導体を含むことが、ポリアミドとの反応性が高いことから好ましい。
エチレン性不飽和結合含有モノマーとしては、不飽和カルボン酸およびその誘導体、水酸基含有エチレン性不飽和化合物およびエポキシ基含有エチレン性不飽和化合物からなる群から選択される少なくともいずれか１種またはこれらの２種以上の組合せが挙げられる。なお、エチレン性不飽和結合含有モノマーのうち、ポリアミドの末端のアミノ基との反応性が高いという理由から無水マレイン酸が最も好ましい。
不飽和カルボン酸およびその誘導体としては、塩化マロニル、マレイミド、無水マレイン酸、無水シトラコン酸、無水ナジック酸、（メタ）アクリル酸、ナジック酸、マレイン酸、マレイン酸モノメチル、マレイン酸ジメチルおよび（メタ）アクリル酸メチルからなる群から選択される少なくともいずれか１種またはこれらの２種以上の組合せが挙げられる。
水酸基含有エチレン性不飽和化合物としては、１０−ウンデセン−１−オール、１−オクテン−３−オール、２−メタノールノルボルネン、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ヒドロキシスチレン、ヒドロキシエチルビニルエーテル、ヒドロキシブチルビニルエーテル、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルアシッドホスフェート、グリセリンモノアリルエーテル、アリルアルコール、アリロキシエタノール、２−ブテン−１，４−ジオールおよびグリセリンモノアルコールからなる群から選択される少なくともいずれか１種またはこれらの２種以上の組合せが挙げられる。
エポキシ基含有エチレン性不飽和化合物としては、グリシジルアクリレートおよびグリシジルメタクリレートからなる群から選択される少なくともいずれか１種またはこれらの２種以上の組合せが挙げられる。
有機過酸化物としては、ポリ−４−メチル−１−ペンテンにエチレン性不飽和結合含有モノマーをグラフト変性できれば特に限定されず、公知のものを使用できる。有機過酸化物としては、ｔ−ブチルペルオキシベンゾエート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）ヘキサン、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）ヘキシン−３、ｔ−ブチルペルオキシ−２−エチルヘキサノエートおよびジクミルペルオキシドからなる群から選択される少なくともいずれか１種またはこれらの２種以上の組合せが挙げられる。
＜変性ポリ−４−メチル−１−ペンテンの製造方法＞
変性ポリ−４−メチル−１−ペンテンは、ポリ−４−メチル−１−ペンテンと、エチレン性不飽和結合含有モノマーと、有機過酸化物と、を加熱条件下でグラフト変性反応させることにより製造される。
変性ポリ−４−メチル−１−ペンテンは、ポリ−４−メチル−１−ペンテンと、エチレン性不飽和結合含有モノマーと、有機過酸化物と、を加熱条件下でグラフト変性反応させることにより製造される。
ポリ−４−メチル−１−ペンテンの変性方法としては、一軸または二軸押出機を用い、あらかじめ十分に予備混合したポリ−４−メチル−１−ペンテンと、エチレン性不飽和結合含有モノマーおよび／またはその誘導体と、有機過酸化物と、を押出機の供給口より供給して混練を行う方法が挙げられる。
混練機のうち混練を行う部分のシリンダ温度は、特に限定されないが、好ましくは２００℃以上であって３００℃以下であり、より好ましくは２２０℃以上であって２９０℃以下である。温度が２００℃よりも低いと変性ポリ−４−メチル−１−ペンテン中のグラフト量が向上しない場合があり、温度が３００℃よりも高いと、ポリ−４−メチル−１−ペンテンの分解が起こる場合がある。混練時間は特に限定されないが、好ましくは０．１分間以上であって３０分間以下であり、より好ましくは０．５分間以上であって５分間以下である。混練時間が０．１分に満たないと十分なグラフト量は得られない場合があり、また、混練時間が３０分を超えると変性ポリ−４−メチル−１−ペンテンの分解が起こる場合がある。
変性ポリ−４−メチル−１−ペンテンの製造方法において、溶融混練で製造する場合、各成分の配合割合としては、ポリ−４−メチル−１−ペンテン１００重量％に対して、エチレン性不飽和結合含有モノマーを好ましくは０．１重量％以上であって２０重量％以下、より好ましくは０．３重量％以上であって１０重量％、さらに好ましくは０．５重量％以上であって５重量％以下含み、有機過酸化物を好ましくは０．００１重量％以上であって１０重量％以下、より好ましくは０．００５重量％以上であって５重量％以下、さらに好ましくは０．０１重量％以上であって４重量％以下含む。
上述のようにして得られた変性ポリ−４−メチル−１−ペンテンは、用いるエチレン性不飽和結合含有モノマーの種類により、カルボキシル基、酸無水物基またはこれらの誘導体、エポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、イミド基、エステル基、アルコキシシラン基、酸ハライド基、芳香族環およびニトリル基などを有し、好ましくはカルボキシル基、酸無水物基またはこれらの誘導体、アミド基、エステル基、酸ハライド基を有し、より好ましくはカルボキシル基、酸無水物基、アミド基、エステル基、酸ハライド基を有する。
＜クッション層中の各成分の含有量＞
ポリアミドと、ポリ−４−メチル−１−ペンテンと、オレフィン重合体またはオレフィン共重合体と、変性ポリ−４−メチル−１−ペンテンと、の合計を１００重量％として、クッション層２２０のポリアミドの含有量は１０重量％以上であって５０重量％以下が好ましく、より好ましくは２０重量％以上であって４０重量％以下である。上記の範囲にあれば、剥離層２１０とクッション層２２０の接着を損なわず、かつ、突き刺し強度が５．５Ｎ以上となる。
ポリアミドと、ポリ−４−メチル−１−ペンテンと、オレフィン重合体またはオレフィン共重合体と、変性ポリ−４−メチル−１−ペンテンと、の合計を１００重量％として、クッション層２２０のポリアミドの含有量は１０重量％以上であって５０重量％以下が好ましく、より好ましくは２０重量％以上であって４０重量％以下である。上記の範囲にあれば、剥離層２１０とクッション層２２０の接着を損なわず、かつ、突き刺し強度が５．５Ｎ以上となる。
ポリアミドと、ポリ−４−メチル−１−ペンテンと、オレフィン重合体またはオレフィン共重合体と、変性ポリ−４−メチル−１−ペンテンと、の合計を１００重量％として、クッション層２２０のポリ−４−メチル−１−ペンテンの含有量は３０重量％以上であって７０重量％以下が好ましく、より好ましくは４０重量％以上であって６０重量％以下である。上記の範囲にあれば、突き刺し強度の低下をもたらさずに剥離層２１０とクッション層２２０との剥離を低減することができる。
ポリアミドと、ポリ−４−メチル−１−ペンテンと、オレフィン重合体またはオレフィン共重合体と、変性ポリ−４−メチル−１−ペンテンと、の合計を１００重量％として、クッション層２２０のオレフィン重合体またはオレフィン共重合体の含有量は５重量％以上であって１５重量％以下が好ましい。上記の範囲にあれば、クッション層２２０の耐熱性を損なわずに成形性の改良ができる。
ポリアミドと、ポリ−４−メチル−１−ペンテンと、オレフィン重合体またはオレフィン共重合体と、変性ポリ−４−メチル−１−ペンテンと、の合計を１００重量％として、クッション層２２０の変性ポリ−４−メチル−１−ペンテンの含有量は２重量％以上であって８重量％以下が好ましい。上記の範囲にあれば、ポリアミドとポリ−４−メチル−１−ペンテンとオレフィン重合体またはオレフィン共重合体との相溶化が進み、ポリ−４−メチル−１−ペンテンが有する剥離性を保持したまま、ポリアミドが有する突き刺し強度を発現させ、オレフィン重合体またはオレフィン共重合体による成形性の改良を行うことが可能になる。
本実施の形態において、クッション層２２０の厚みは５μｍ以上であって２９５μｍ以下であるのが好ましく、１０μｍ以上であって２９０μｍ以下であるのがより好ましい。クッション層２２０の厚みがこの範囲であれば、クッション層２２０の強靭性を損なわず剥離性が良好な離型フィルム２００となる。
＜離型フィルムの製造方法＞
本実施の形態に係る離型フィルム２００は、剥離層２１０とクッション層２２０とを、共押出法や押出ラミネート法等で押出成形する押出成形工程を含む方法で製造することができる。
本実施の形態に係る離型フィルム２００は、剥離層２１０とクッション層２２０とを、共押出法や押出ラミネート法等で押出成形する押出成形工程を含む方法で製造することができる。
共押出法では、フィードブロック、マルチマニホールドダイなどを使用して剥離層形成材料とクッション層形成材料とを同時に押し出すことにより離型フィルム２００を製造する。なお、図１０に示されるように、共押出法では、ダイス５１０を通過した剥離層形成材料とクッション層形成材料とが積層された融解物Ｍは、矢印で示されるフィルム送り方向に給送されて、第１ロール５３０に誘導されると共にタッチロール５２０によって第１ロール５３０に固定化され、第１ロール５３０から脱離するまでの間に第１ロール５３０により冷却され、離型フィルム２００となる。その後、その離型フィルム２００は、第２ロール５４０により矢印で示されるフィルム送り方向の更に下流側に給送され、巻取ロール（図示せず）に巻き取られる。なお、このとき、第１ロール５３０の温度は３０℃〜１００℃であるのが好ましく、タッチロール５２０の温度は３０℃〜１００℃であるのが好ましく、第１ロール５３０に対する第２ロール５４０の周速比は０．９９０〜０．９９８であるのが好ましい。
押出しラミネート法では、押出機シリンダの温度を２００〜３００℃に設定して剥離層形成材料を押出し、その剥離層フィルムＦをクッション層フィルムと合流させることにより剥離層フィルムＦとクッション層フィルムとを積層して離型フィルム２００を製造する。なお、押出しラミネート法では、図１０に示されるように、ダイス５１０を通過した剥離層形成材料の融解物Ｍは、第１ロール５３０に誘導されると共にタッチロール５２０によって第１ロール５３０に固定化され、第１ロール５３０から脱離するまでの間に第１ロール５３０により冷却されて剥離層フィルムＦとなる。その後、その剥離層フィルムＦは、第２ロール５４０により矢印で示されるフィルム送り方向の更に下流側に給送される。そして、フィルム送り方向下流側に送られた剥離層フィルムＦに、クッション層形成材料により形成されたクッション層フィルムが合流されて剥離層フィルムＦと一体化され、離型フィルム２００が製造される。なお、このようにして製造された離型フィルム２００は、さらにフィルム送り方向下流側に設けられる巻取ロール（図示せず）に巻き取られる。なお、このときも、第１ロール５３０の温度は３０℃〜１００℃であるのが好ましく、タッチロール５２０の温度は３０℃〜１００℃であるのが好ましく、第１ロール５３０に対する第２ロール５４０の周速比は０．９９０〜０．９９８であるのが好ましい。
なお、必要に応じて、上述のようにして得られた離型フィルム２００中のＴＰＸ樹脂の結晶化度を公知の熱処理装置により調節してもかまわない。例えば、テンター装置を使用し乾燥機の中にて離型フィルム２００を熱固定する方法や熱処理ロールを使用して５０℃〜２２０℃近辺で熱処理を行えばよい。
＜変形例＞
先の実施の形態では、クッション層２２０の一方の面側にのみ剥離層２１０が設けられる離型フィルム２００を説明したが、図９に示されるように、クッション層２２０の両側に剥離層２１０ａ、２１０ｂが設けられる離型フィルム２００Ａも本発明の一実施の形態に含まれる。なお、以下、符号２１０ａの剥離層を「第１剥離層」と称し、符号２１０ｂの剥離層を「第２剥離層」と称する。離型フィルム２００Ａは、第１剥離層２１０ａが半導体装置１００側に配され、第２剥離層２１０ｂが型３００側に配されるように、型３００に被覆される。すなわち、離型フィルム２００Ａは、封止樹脂等４００および封止樹脂層４０１が第１剥離層２１０ａ上に設けられ、第２剥離層２１０ｂが型３００に接するように配置され、クッション層２２０は第１剥離層２１０ａと第２剥離層２１０ｂとの間に配置される。第１剥離層２１０ａとクッション層２２０との間および第２剥離層２１０ｂとクッション層２２０との間には、アンカー層やプライマー層（接着層）を更に有してもよい。
先の実施の形態では、クッション層２２０の一方の面側にのみ剥離層２１０が設けられる離型フィルム２００を説明したが、図９に示されるように、クッション層２２０の両側に剥離層２１０ａ、２１０ｂが設けられる離型フィルム２００Ａも本発明の一実施の形態に含まれる。なお、以下、符号２１０ａの剥離層を「第１剥離層」と称し、符号２１０ｂの剥離層を「第２剥離層」と称する。離型フィルム２００Ａは、第１剥離層２１０ａが半導体装置１００側に配され、第２剥離層２１０ｂが型３００側に配されるように、型３００に被覆される。すなわち、離型フィルム２００Ａは、封止樹脂等４００および封止樹脂層４０１が第１剥離層２１０ａ上に設けられ、第２剥離層２１０ｂが型３００に接するように配置され、クッション層２２０は第１剥離層２１０ａと第２剥離層２１０ｂとの間に配置される。第１剥離層２１０ａとクッション層２２０との間および第２剥離層２１０ｂとクッション層２２０との間には、アンカー層やプライマー層（接着層）を更に有してもよい。
第１剥離層２１０ａは、先の実施の形態に係る剥離層２１０と同一の構造を有する。その一方、第２剥離層２１０ｂは、第１剥離層２１０ａと同一の構造を有していてもよいし、第１剥離層２１０ａと異なる構造を有していてもよい。後者の場合、第２剥離層２１０ｂとクッション層２２０と接着力が低下するおそれがあるが、そのような場合には、第２剥離層２１０ｂとクッション層２２０との間にアンカー層やプライマー層（接着層）を介在させてもよい。
本発明の実施の形態に係る離型フィルム２００Ａは、突き刺し強度が５．５Ｎ以上であることが好ましく、突き刺し強度が５．７Ｎ以上２０Ｎ以下であることがさらに好ましい。
離型フィルム２００Ａの突き刺し強度がこの範囲内であれば、樹脂封止半導体装置の製造方法において、封止樹脂成形プロセスにおいて、離型フィルム２００Ａに穴が開かずに成形することができる。
離型フィルム２００Ａの突き刺し強度がこの範囲内であれば、樹脂封止半導体装置の製造方法において、封止樹脂成形プロセスにおいて、離型フィルム２００Ａに穴が開かずに成形することができる。
＜実施例＞
以下、実施例を示して本発明をより詳細に説明する。
以下、実施例を示して本発明をより詳細に説明する。
（実施例１）
剥離層形成材料としては、ＴＰＸ樹脂（三井化学株式会社製のＴＰＸ（登録商標）、ＤＸ３１０）を用いた。クッション層形成材料としては、以下の製造例に従い作製した樹脂組成物を用いた。ポリ−４−メチル−１−ペンテン（三井化学株式会社製）ＤＸ３１０を１００重量％と、無水マレイン酸１重量％と、有機過酸化物として、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）ヘキシン−３を０．０２重量％とを、２軸押出機（株式会社池貝、ＰＣＭ４５、φ＝４５ｍｍ，Ｌ／Ｄ＝３０）にて、シリンダ温度：２７０℃で、溶融混練を３分間行い、マレイン酸変性ポリ−４−メチル−１−ペンテン（Ｄ）（ＭＦＲ（測定方法／ＡＳＴＭ Ｄ１２３８、測定条件／２６０℃、５ｋｇ荷重）１００ｇ／１０分）を得た。収率は９０％であった。
剥離層形成材料としては、ＴＰＸ樹脂（三井化学株式会社製のＴＰＸ（登録商標）、ＤＸ３１０）を用いた。クッション層形成材料としては、以下の製造例に従い作製した樹脂組成物を用いた。ポリ−４−メチル−１−ペンテン（三井化学株式会社製）ＤＸ３１０を１００重量％と、無水マレイン酸１重量％と、有機過酸化物として、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）ヘキシン−３を０．０２重量％とを、２軸押出機（株式会社池貝、ＰＣＭ４５、φ＝４５ｍｍ，Ｌ／Ｄ＝３０）にて、シリンダ温度：２７０℃で、溶融混練を３分間行い、マレイン酸変性ポリ−４−メチル−１−ペンテン（Ｄ）（ＭＦＲ（測定方法／ＡＳＴＭ Ｄ１２３８、測定条件／２６０℃、５ｋｇ荷重）１００ｇ／１０分）を得た。収率は９０％であった。
ポリ−４−メチル−１−ペンテン（Ａ）は、三井化学株式会社製ＤＸ３１０（ＭＦＲ（測定方法／ＡＳＴＭ Ｄ１２３８、測定条件／２６０℃、５ｋｇ荷重）１００ｇ／１０分、融点（Ｔｍ）２２６℃）を用いた。また、ポリアミド（Ｂ）としては、宇部興産株式会社製１０１３Ｂ（ポリアミド６、ＭＦＲ（測定方法／ＡＳＴＭ Ｄ１２３８、測定条件／２３０℃、２．１６ｋｇ荷重）４０ｇ／１０分）を使用した。また、オレフィン（共）重合体（Ｃ）としては、三井化学株式会社製ＢＬ４０００（１−ブテン単独重合体、ＭＦＲ（測定方法／ＡＳＴＭ Ｄ１２３８、測定条件／１９０℃、２．１６ｋｇ荷重）１．８ｇ／１０分、融点（Ｔｍ）１２５℃）を使用した。
上記ポリ−４−メチル−１−ペンテン（Ａ）、ポリアミド（Ｂ）、オレフィン（共）重合体（Ｃ）および変性ポリ４−メチル−１−ペンテン（Ｄ）をそれぞれ表１に記載の配合量で、二軸押出機（株式会社テクノベル製、ＫＺＷ−１５、スクリュー径１５ｍｍ、Ｌ／Ｄ＝３０、温度２７０℃、回転数２００ｒｐｍ）にて溶融混練し、樹脂組成物を得た。次に、共押出法を利用して、クッション層の表裏に同一の剥離層を有する離型フィルム（図９参照）を作製した。なお、具体的には、フィードブロックと単層ダイスを使用してＴＰＸ樹脂、上記樹脂組成物およびＴＰＸ樹脂を同時に押し出して離型フィルムを作製した。なお、このときの第１ロール５３０の温度は３０℃であり、タッチロール５２０の温度は３０℃であり、第１ロール５３０に対する第２ロール５４０の周速比は０．９９０であった。この離型フィルムの剥離層の厚みは表裏共に１５μｍであり、クッション層の厚みは２０μｍであった。
（実施例２）
オレフィン（共）重合体（Ｃ）として三井化学株式会社製ＢＬ３４５０（ブテン・エチレン共重合体、ＭＦＲ（測定方法／ＡＳＴＭ Ｄ１２３８、測定条件／１９０℃、２．１６ｋｇ荷重）４ｇ／１０分、融点（Ｔｍ）１０４℃）を使用する他は実施例１と同様にして作製した。
オレフィン（共）重合体（Ｃ）として三井化学株式会社製ＢＬ３４５０（ブテン・エチレン共重合体、ＭＦＲ（測定方法／ＡＳＴＭ Ｄ１２３８、測定条件／１９０℃、２．１６ｋｇ荷重）４ｇ／１０分、融点（Ｔｍ）１０４℃）を使用する他は実施例１と同様にして作製した。
（実施例３）
オレフィン（共）重合体（Ｃ）として三井化学株式会社製ＢＬ２４８１（ブテン・プロピレン共重合体、ＭＦＲ（測定方法／ＡＳＴＭ Ｄ１２３８、測定条件／１９０℃、２．１６ｋｇ荷重））４ｇ／１０分、融点（Ｔｍ）７５℃）を使用する他は実施例１と同様にして作製した。
オレフィン（共）重合体（Ｃ）として三井化学株式会社製ＢＬ２４８１（ブテン・プロピレン共重合体、ＭＦＲ（測定方法／ＡＳＴＭ Ｄ１２３８、測定条件／１９０℃、２．１６ｋｇ荷重））４ｇ／１０分、融点（Ｔｍ）７５℃）を使用する他は実施例１と同様にして作製した。
（実施例４）
オレフィン（共）重合体（Ｃ）として三井化学株式会社製ＸＭ７０７０（プロピレン・ブテン共重合体、ＭＦＲ（測定方法／ＡＳＴＭ Ｄ１２３８、測定条件／２３０℃、２．１６ｋｇ荷重））７ｇ／１０分、融点（Ｔｍ）７０℃）を使用する他は実施例１と同様にして作製した。
オレフィン（共）重合体（Ｃ）として三井化学株式会社製ＸＭ７０７０（プロピレン・ブテン共重合体、ＭＦＲ（測定方法／ＡＳＴＭ Ｄ１２３８、測定条件／２３０℃、２．１６ｋｇ荷重））７ｇ／１０分、融点（Ｔｍ）７０℃）を使用する他は実施例１と同様にして作製した。
（実施例５）
オレフィン（共）重合体（Ｃ）としてプライムポリマー株式会社製Ｆ３２７（プロピレン・エチレンランダム共重合体、ＭＦＲ（測定方法／ＡＳＴＭ Ｄ１２３８、測定条件／２３０℃、２．１６ｋｇ荷重））７ｇ／１０分、融点（Ｔｍ）１３８℃）を使用する他は実施例１と同様にして作製した。
オレフィン（共）重合体（Ｃ）としてプライムポリマー株式会社製Ｆ３２７（プロピレン・エチレンランダム共重合体、ＭＦＲ（測定方法／ＡＳＴＭ Ｄ１２３８、測定条件／２３０℃、２．１６ｋｇ荷重））７ｇ／１０分、融点（Ｔｍ）１３８℃）を使用する他は実施例１と同様にして作製した。
（実施例６）
ポリアミド（Ｂ）として東レ社製ＣＭ３００１−Ｎ（ポリアミド６，６、ＭＦＲ（測定方法／ＡＳＴＭ Ｄ１２３８、測定条件／２７５℃、２．１６ｋｇ荷重）５２ｇ／１０分）を使用する他は実施例１と同様にして作製した。
ポリアミド（Ｂ）として東レ社製ＣＭ３００１−Ｎ（ポリアミド６，６、ＭＦＲ（測定方法／ＡＳＴＭ Ｄ１２３８、測定条件／２７５℃、２．１６ｋｇ荷重）５２ｇ／１０分）を使用する他は実施例１と同様にして作製した。
（実施例７）
ポリアミド（Ｂ）として東レ社製ＣＭ３３０１（ポリアミド６−６，６共重合体、ＭＦＲ（測定方法／ＡＳＴＭ Ｄ１２３８、測定条件／２７５℃、２．１６ｋｇ荷重）６０ｇ／１０分）を使用する他は実施例１と同様にして作製した。
ポリアミド（Ｂ）として東レ社製ＣＭ３３０１（ポリアミド６−６，６共重合体、ＭＦＲ（測定方法／ＡＳＴＭ Ｄ１２３８、測定条件／２７５℃、２．１６ｋｇ荷重）６０ｇ／１０分）を使用する他は実施例１と同様にして作製した。
（実施例８）
ポリアミド（Ｂ）としてＡＲＫＥＭＡ社製Ｒｉｌｓａｎ ＢＭＮＯＰ４０Ｄ（ポリアミド１１、ＭＦＲ（測定方法／ＡＳＴＭ Ｄ１２３８、測定条件／２３０℃、２．１６ｋｇ荷重）４２ｇ／１０分）を使用する他は実施例１と同様にして作製した。
ポリアミド（Ｂ）としてＡＲＫＥＭＡ社製Ｒｉｌｓａｎ ＢＭＮＯＰ４０Ｄ（ポリアミド１１、ＭＦＲ（測定方法／ＡＳＴＭ Ｄ１２３８、測定条件／２３０℃、２．１６ｋｇ荷重）４２ｇ／１０分）を使用する他は実施例１と同様にして作製した。
（実施例９）
ポリアミド（Ｂ）として宇部興産社製３０２０Ｕ（ポリアミド１２、ＭＦＲ（測定方法／ＡＳＴＭ Ｄ１２３８、測定条件／２３５℃、２．１６ｋｇ荷重）２０ｇ／１０分）を使用する他は実施例１と同様にして作製した。
ポリアミド（Ｂ）として宇部興産社製３０２０Ｕ（ポリアミド１２、ＭＦＲ（測定方法／ＡＳＴＭ Ｄ１２３８、測定条件／２３５℃、２．１６ｋｇ荷重）２０ｇ／１０分）を使用する他は実施例１と同様にして作製した。
（実施例１０）
剥離層厚みを裏表共に５μｍとした他は実施例１と同様にして作製した。
剥離層厚みを裏表共に５μｍとした他は実施例１と同様にして作製した。
（実施例１１）
剥離層厚みを裏表共に１０μｍとした他は実施例１と同様にして作製した。
剥離層厚みを裏表共に１０μｍとした他は実施例１と同様にして作製した。
（実施例１２）
剥離層厚みを裏表共に１４５μｍとし、クッション層厚みを１０μｍとした他は実施例１と同様にして作製した。
剥離層厚みを裏表共に１４５μｍとし、クッション層厚みを１０μｍとした他は実施例１と同様にして作製した。
（実施例１３）
クッション層厚みを５μｍとした他は実施例１と同様にして作製した。
クッション層厚みを５μｍとした他は実施例１と同様にして作製した。
（実施例１４）
クッション層厚みを１０μｍとした他は実施例１と同様にして作製した。
クッション層厚みを１０μｍとした他は実施例１と同様にして作製した。
（実施例１５）
クッション層厚みを２９０μｍとし、剥離層厚みを裏表共に５μｍとして他は実施例１と同様にして作製した。
クッション層厚みを２９０μｍとし、剥離層厚みを裏表共に５μｍとして他は実施例１と同様にして作製した。
（実施例１６）
ポリアミドの量を１５重量％とし、ポリ−４−メチル−１−ペンテンを７０．７重量％とした他は実施例１と同様にして作製した。
ポリアミドの量を１５重量％とし、ポリ−４−メチル−１−ペンテンを７０．７重量％とした他は実施例１と同様にして作製した。
（実施例１７）
ポリアミドの量を４５重量％とし、ポリ−４−メチル−１−ペンテンを４０．７重量％とした他は実施例１と同様にして作製した。
ポリアミドの量を４５重量％とし、ポリ−４−メチル−１−ペンテンを４０．７重量％とした他は実施例１と同様にして作製した。
２．離型フィルムの評価
（１）離型フィルムの成形品外観の評価
先ず、型温度１２５℃の条件下、上述のようにして得られた離型フィルムを、１００個の半球状凹部（半径１．０ｍｍ）を有する型に被せ、空気吸引機を用いて７００Ｔｏｒｒで空気孔から半球状凹部中の空気を排出し、離型フィルムを半球状凹部を有する型表面に沿わせた（図２および図３参照）。
（１）離型フィルムの成形品外観の評価
先ず、型温度１２５℃の条件下、上述のようにして得られた離型フィルムを、１００個の半球状凹部（半径１．０ｍｍ）を有する型に被せ、空気吸引機を用いて７００Ｔｏｒｒで空気孔から半球状凹部中の空気を排出し、離型フィルムを半球状凹部を有する型表面に沿わせた（図２および図３参照）。
また、上述の状態で、離型フィルムに覆われた半球状凹部に硬化性シリコーン組成物を注入した後、型に半導体装置を圧接しながら、その硬化性シリコーン組成物を１２５℃の温度下で５分間、熱硬化させた。そして、「硬化性シリコーン組成物の硬化物が半球状凹部に１００個中１００個が転写したもの」をＡ評価とし、「硬化性シリコーン組成物の硬化物が半球状凹部に１００個中９０〜９９個が転写したもの」をＢ評価とし、「硬化性シリコーン組成物の硬化物が半球状凹部に１００個中９０個未満が転写したもの」をＣ評価とした。
なお、表１に示すように、本実施例に係る離型フィルムを用いて得られた硬化物（成形品）の外観はＡおよびＢ評価であった。
なお、表１に示すように、本実施例に係る離型フィルムを用いて得られた硬化物（成形品）の外観はＡおよびＢ評価であった。
（２）離型フィルムの穴開きの評価
脱型した後に、「離型フィルムに穴が開いていないもの」をＡ評価とし、「離型フィルムに１〜２個の穴が開いているもの」をＢ評価とし、「離型フィルムに２個以上穴が開いているもの」をＣ評価とした。なお、表１に示すように、本実施例に係る離型フィルムはＡおよびＢ評価であった。
脱型した後に、「離型フィルムに穴が開いていないもの」をＡ評価とし、「離型フィルムに１〜２個の穴が開いているもの」をＢ評価とし、「離型フィルムに２個以上穴が開いているもの」をＣ評価とした。なお、表１に示すように、本実施例に係る離型フィルムはＡおよびＢ評価であった。
（３）離型フィルムの突き刺し強度
離型フィルムの突き刺し強度は、「島津製作所（株）製オートグラフＡＧ−２０００Ｂ」を用いて測定した。具体的には、離型フィルムを幅７０ｍｍ、長さ５００ｍｍに切りだして試験片を作製した後、φ１ｍｍ、先端の曲率半径が０．５ｍｍの針を用い、試験速度５００ｍｍ／ｍｉｎとした以外は、ＪＩＳ Ｚ１７０７ ７．４に記載されている方法に準拠して測定を行った。そして、「突き刺し強度が５．７Ｎ以上、２０Ｎ以下の離型フィルム」をＡ評価とし、「突き刺し強度が５．５Ｎ以上、５．７Ｎ以下の離型フィルム」をＢ評価とし、「突き刺し強度が５．５Ｎ未満の離型フィルム」をＣ評価とした。なお、表１に示すように、本実施例に係る離型フィルムはＡおよびＢ評価であった。
離型フィルムの突き刺し強度は、「島津製作所（株）製オートグラフＡＧ−２０００Ｂ」を用いて測定した。具体的には、離型フィルムを幅７０ｍｍ、長さ５００ｍｍに切りだして試験片を作製した後、φ１ｍｍ、先端の曲率半径が０．５ｍｍの針を用い、試験速度５００ｍｍ／ｍｉｎとした以外は、ＪＩＳ Ｚ１７０７ ７．４に記載されている方法に準拠して測定を行った。そして、「突き刺し強度が５．７Ｎ以上、２０Ｎ以下の離型フィルム」をＡ評価とし、「突き刺し強度が５．５Ｎ以上、５．７Ｎ以下の離型フィルム」をＢ評価とし、「突き刺し強度が５．５Ｎ未満の離型フィルム」をＣ評価とした。なお、表１に示すように、本実施例に係る離型フィルムはＡおよびＢ評価であった。
（比較例１）
押出法を利用して、ＴＰＸ樹脂の単層型離型フィルムを作製した。なお、この単層型離型フィルムの厚みは５０μｍであった。そして、実施例１と同様にしてこの単層型離型フィルムの評価を行った。
押出法を利用して、ＴＰＸ樹脂の単層型離型フィルムを作製した。なお、この単層型離型フィルムの厚みは５０μｍであった。そして、実施例１と同様にしてこの単層型離型フィルムの評価を行った。
表１に示すように、評価の結果、成形品外観はＡ評価であった。また、本比較例に係る単層型離型フィルムの穴開き評価はＣ判定であり、同単層型離型フィルムの突き刺し強度はＣ判定であった。
（比較例２〜６）
押出法を利用して、実施例１〜５で使用したクッション層樹脂の単層型フィルムを作製した。なお、この単層型離型フィルムの厚みは５０μｍであった。そして、実施例１と同様にしてこの単層型離型フィルムの評価を行った。
押出法を利用して、実施例１〜５で使用したクッション層樹脂の単層型フィルムを作製した。なお、この単層型離型フィルムの厚みは５０μｍであった。そして、実施例１と同様にしてこの単層型離型フィルムの評価を行った。
表１に示すように、評価の結果、成形品外観はＣ評価であった。また、本比較例に係る単層型離型フィルムの穴開き評価はＡ判定であり、同単層型離型フィルムの突き刺し強度はＡ判定であった。
以上、本発明の好ましい実施形態について詳述したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。
１００ 半導体装置
１０１ 成形体
１１０ 支持体
１２０ 半導体素子
１３０ ボンディングワイヤ
２００ 離型フィルム
２００Ａ 離型フィルム
２１０ 剥離層
２１０ａ 第１剥離層
２１０ｂ 第２剥離層
２２０ クッション層
３００ 型
３１０ 凹部
３１１ 離型凹部
３２０ 空気孔
３３０ 平面部
３４０ 段差平面部
４００ 封止樹脂等（封止樹脂または封止樹脂前駆体）
４０１ 封止樹脂層
５１０ ダイス
５２０ タッチロール
５３０ 第１ロール
５４０ 第２ロール
１０１ 成形体
１１０ 支持体
１２０ 半導体素子
１３０ ボンディングワイヤ
２００ 離型フィルム
２００Ａ 離型フィルム
２１０ 剥離層
２１０ａ 第１剥離層
２１０ｂ 第２剥離層
２２０ クッション層
３００ 型
３１０ 凹部
３１１ 離型凹部
３２０ 空気孔
３３０ 平面部
３４０ 段差平面部
４００ 封止樹脂等（封止樹脂または封止樹脂前駆体）
４０１ 封止樹脂層
５１０ ダイス
５２０ タッチロール
５３０ 第１ロール
５４０ 第２ロール
Claims (6)
- 半導体素子を含む半導体装置を供する工程と、
凹部を表面に有する型を供する工程と、
ポリアミド樹脂を含むクッション層と、前記クッション層の少なくとも一方の面に設けられる剥離層と、を有する離型フィルムを、少なくとも前記凹部に添うように型に固着する工程と、
前記凹部内を含む前記離型フィルム上に封止樹脂または封止樹脂前駆体を供給する工程と、
前記封止樹脂内または前記封止樹脂前駆体内に前記半導体素子が浸漬されるように半導体装置と型とを配置する工程と、
前記半導体素子を前記封止樹脂または前記封止樹脂前駆体に浸漬させた状態で、前記封止樹脂または前記封止樹脂前駆体を硬化する工程と、
を備えることを特徴とする樹脂封止半導体装置の製造方法。 - 前記離型フィルムは、突き刺し強度が５．５Ｎ以上であることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止半導体装置の製造方法。
- 前記半導体素子は、光素子であることを特徴とする請求項１または２に記載の樹脂封止半導体装置の製造方法。
- 半導体装置を樹脂封止する樹脂封止半導体装置の封止樹脂成形プロセスにおいて、型と前記半導体装置との間に配される離型フィルムであって、ポリアミド樹脂を含むクッション層と、前記クッション層の少なくとも一方の面に設けられる剥離層と、を備えることを特徴とする樹脂封止半導体装置製造用離型フィルム。
- 前記離型フィルムは、突き刺し強度が５．５Ｎ以上であることを特徴とする請求項４に記載の樹脂封止半導体装置製造用離型フィルム。
- 半導体装置を樹脂封止する樹脂封止半導体装置の封止樹脂成形プロセスにおいて、型と前記半導体装置との間に配される離型フィルムの製造方法であって、ポリアミド樹脂を含むクッション層と、前記クッション層の少なくとも一方の面に設けられる剥離層と、を押出成形する工程を備えることを特徴とする樹脂封止半導体装置製造用離型フィルムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014035391A JP6398221B2 (ja) | 2014-02-26 | 2014-02-26 | 樹脂封止半導体装置製造用離型フィルム、樹脂封止半導体装置製造用離型フィルムの製造方法及び樹脂封止半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014035391A JP6398221B2 (ja) | 2014-02-26 | 2014-02-26 | 樹脂封止半導体装置製造用離型フィルム、樹脂封止半導体装置製造用離型フィルムの製造方法及び樹脂封止半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015162501A true JP2015162501A (ja) | 2015-09-07 |
| JP6398221B2 JP6398221B2 (ja) | 2018-10-03 |
Family
ID=54185427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014035391A Active JP6398221B2 (ja) | 2014-02-26 | 2014-02-26 | 樹脂封止半導体装置製造用離型フィルム、樹脂封止半導体装置製造用離型フィルムの製造方法及び樹脂封止半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6398221B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7442763B2 (ja) | 2019-06-10 | 2024-03-05 | グンゼ株式会社 | 離型フィルム |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06240134A (ja) * | 1993-02-16 | 1994-08-30 | Toray Ind Inc | ポリアミドフィルム |
| JP2004162046A (ja) * | 2002-10-25 | 2004-06-10 | Toyobo Co Ltd | ポリエステルフィルム |
| JP2010070630A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-02 | Toray Ind Inc | 二軸配向ポリアリーレンスルフィドフィルムおよびそれを用いてなる接着材料 |
| JP2013084949A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 封止半導体およびその製造方法 |
| JP2014019017A (ja) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 離型フィルム |
-
2014
- 2014-02-26 JP JP2014035391A patent/JP6398221B2/ja active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06240134A (ja) * | 1993-02-16 | 1994-08-30 | Toray Ind Inc | ポリアミドフィルム |
| JP2004162046A (ja) * | 2002-10-25 | 2004-06-10 | Toyobo Co Ltd | ポリエステルフィルム |
| JP2010070630A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-02 | Toray Ind Inc | 二軸配向ポリアリーレンスルフィドフィルムおよびそれを用いてなる接着材料 |
| JP2013084949A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 封止半導体およびその製造方法 |
| JP2014019017A (ja) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 離型フィルム |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7442763B2 (ja) | 2019-06-10 | 2024-03-05 | グンゼ株式会社 | 離型フィルム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6398221B2 (ja) | 2018-10-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5563981B2 (ja) | 半導体樹脂パッケージ製造用金型離型フィルム、およびそれを用いた半導体樹脂パッケージの製造方法 | |
| JP5297233B2 (ja) | 半導体封止プロセス用離型フィルム、およびそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法 | |
| JP6617215B2 (ja) | ダイシングシート | |
| CN105451954A (zh) | 离型膜、成型体的制造方法、半导体部件和反射器部件 | |
| WO2017094871A1 (ja) | プロセス用離型フィルム、その用途、及びそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法 | |
| US11512233B2 (en) | Protective film | |
| JP2023016045A (ja) | 自発光型表示体用又は直下型バックライト用の封止材シート、自発光型表示体、直下型バックライト | |
| JP7463478B2 (ja) | 圧縮成形法による樹脂封止プロセス用離型フィルム | |
| JP2017132162A (ja) | 外観性能に優れたプロセス用離型フィルム、その用途、及びそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法 | |
| JP2017100397A (ja) | プロセス用離型フィルム、その用途、及びそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法 | |
| TWI665283B (zh) | 切割片用基材膜及切割片 | |
| JP6126368B2 (ja) | Ｌｅｄ封止体用金型離型フィルムおよびそれを用いたｌｅｄ封止体の製造方法 | |
| JP6472972B2 (ja) | ダイシングテープ基材用樹脂組成物およびダイシングテープ基材 | |
| JP6398221B2 (ja) | 樹脂封止半導体装置製造用離型フィルム、樹脂封止半導体装置製造用離型フィルムの製造方法及び樹脂封止半導体装置の製造方法 | |
| TWI774877B (zh) | 積層膜及半導體元件之製造方法 | |
| JP6012602B2 (ja) | 半導体加工シート用基材フィルム、半導体加工シート及び半導体装置の製造方法 | |
| JP5923001B2 (ja) | リフレクタ成形用金型離型フィルム、それを用いたリフレクタを有する発光装置用基板の製造方法 | |
| TWI317155B (en) | Adhesive sheet for processing semiconductors and method for processing semiconductors | |
| KR102106923B1 (ko) | 반도체 가공시트 및 반도체 장치의 제조방법 | |
| JP7177623B2 (ja) | 樹脂モールド成形品の製造方法、樹脂モールド成形品、及びその用途。 | |
| JP2012153775A (ja) | フィルム、前記フィルムの製造方法及びそれを用いたｌｅｄパッケージの製造方法 | |
| TW201600581A (zh) | 切割片用基材膜及切割片 | |
| KR20140055966A (ko) | 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름 | |
| JP2013189493A (ja) | 離型フィルム及びこれを用いた成型方法 | |
| US10400085B2 (en) | Electron beam curable resin composition, reflector resin frame, reflector, semiconductor light-emitting device, and molded article production method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170111 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170804 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170822 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171013 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180313 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180423 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180807 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180820 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6398221 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |