JP2015158452A - 機能素子、電子機器、および移動体 - Google Patents

機能素子、電子機器、および移動体 Download PDF

Info

Publication number
JP2015158452A
JP2015158452A JP2014034244A JP2014034244A JP2015158452A JP 2015158452 A JP2015158452 A JP 2015158452A JP 2014034244 A JP2014034244 A JP 2014034244A JP 2014034244 A JP2014034244 A JP 2014034244A JP 2015158452 A JP2015158452 A JP 2015158452A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
movable body
substrate
functional element
electrode portion
opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014034244A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6274413B2 (ja
Inventor
田中 悟
Satoru Tanaka
悟 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2014034244A priority Critical patent/JP6274413B2/ja
Priority to CN201510085068.9A priority patent/CN104864862B/zh
Priority to US14/628,587 priority patent/US10317425B2/en
Publication of JP2015158452A publication Critical patent/JP2015158452A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6274413B2 publication Critical patent/JP6274413B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01CMEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G01C19/5642Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using vibrating bars or beams
    • G01C19/5656Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using vibrating bars or beams the devices involving a micromechanical structure
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0002Arrangements for avoiding sticking of the flexible or moving parts
    • B81B3/0016Arrangements for avoiding sticking of the flexible or moving parts not provided for in groups B81B3/0005 - B81B3/0013
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/125Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/14Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of gyroscopes
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0862Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with particular means being integrated into a MEMS accelerometer structure for providing particular additional functionalities to those of a spring mass system
    • G01P2015/0874Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with particular means being integrated into a MEMS accelerometer structure for providing particular additional functionalities to those of a spring mass system using means for preventing stiction of the seismic mass to the substrate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)

Abstract

【課題】可動体が基板に張り付くことを低減することができる機能素子を提供する。【解決手段】機能素子100は、基板10と、可動電極部21,22を備えている可動体20と、可動体20を第1軸Qまわりに変位可能に支持する支持部30,32と、第1軸Qを境に区分された可動体20の一方である第1部分20aに少なくとも一部が対向して基板10上に配置されている第1固定電極部50と、第1軸Qを境に区分された可動体20の他方である第2部分20bに少なくとも一部が対向して基板10上に配置されている第2固定電極部52と、第1部分20aに少なくとも一部が対向して基板10上に配置されている第3固定電極部60と、を含み、平面視において、可動体20には、第1固定電極部50と第3固定電極部60との間の基板10の領域13と対向する開口部24が設けられ、開口部24の幅W24は、領域13の幅W13以上である。【選択図】図1

Description

本発明は、機能素子、電子機器、および移動体に関する。
近年、例えばシリコンMEMS(Micro Electro Mechanical
Systems)技術を用いて、加速度等の物理量を検出する機能素子(物理量センサー)が開発されている。
例えば、特許文献1には、半導体層の固定部分にビーム部を介して非対称な質量バランスとなるように可動支持され該半導体層の厚み方向の物理量の変位に応じて動作する第1可動電極と、該半導体層を支持する支持基板上に形成された第1固定電極と、を相互に間隙を介して対向配置し、第1可動電極と第1固定電極との間隙の大きさに応じて検出される静電容量に基づき物理量を検出する静電容量式センサーが開示されている。
このような機能素子において、例えば、機能素子を製造する際に、可動電極と支持基板とに電位差が生じ、可動電極が静電力によって支持基板側に引っ張られて、可動電極が支持基板に張り付いてしまうことがある。特に、可動電極を封止するための蓋体(キャップ)と支持基板とを陽極接合する際には、可動電極と支持基板との間に大きな電位差が生じるため、問題となる。
特許文献1に記載の静電容量式センサーでは、可動電極が基板に張り付いてしまうことを防ぐために、可動電極の支持基板との対向面には、支持基板との直接接触を回避するためのストッパーが設けられている。
特開2007−298405号公報
しかしながら、特許文献1に記載の静電容量式センサーでは、支持基板の可動電極と対向している面は、露出している領域が大きいため、この露出した領域と可動電極との間の静電力により、可動電極が支持基板に張り付いてしまう場合がある。
本発明のいくつかの態様に係る目的の1つは、可動体が基板に張り付くことを低減することができる機能素子を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の1つは、上記機能素子を含む電子機器および移動体を提供することにある。
本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することができる。
[適用例1]
本適用例に係る機能素子は、
基板と、
可動電極部を備えている可動体と、
可動体を第1軸まわりに変位可能に支持する支持部と、
前記第1軸を境に区分された前記可動体の一方である第1部分に少なくとも一部が対向して前記基板上に配置されている第1固定電極部と、
前記第1軸を境に区分された前記可動体の他方である第2部分に少なくとも一部が対向して前記基板上に配置されている第2固定電極部と、
前記第1部分に少なくとも一部が対向して前記基板上に配置されている第3固定電極部と、を含み、
平面視において、前記第1固定電極部は、前記第2固定電極部と前記第3固定電極部との間に配置され、
前記可動体には、前記第1固定電極部と前記第3固定電極部との間の前記基板の領域と対向する開口部が設けられ、
前記開口部の幅は、前記領域の幅以上である。
このような機能素子では、可動体に設けられた開口部によって、可動体と基板との間に生じる静電力を抑制して可動体が基板に張り付くことを低減することができる。したがって、このような機能素子では、例えば機能素子を製造する際に、可動体と基板とに電位差が生じ、可動体が静電力によって基板側に引っ張られて可動体が基板に張り付いてしまうという問題を低減させることができる。
[適用例2]
本適用例に係る機能素子において、
前記第3固定電極部は、前記可動体と電気的に接続されていてもよい。
このような機能素子では、第3固定電極部と可動体との電位差を容易に小さくすることができる。したがって、可動体と基板との間に生じる静電力を抑制して可動体が基板に張り付くことを低減することができる。
[適用例3]
本適用例に係る機能素子において、
前記開口部は、平面視において、前記第1固定電極部、前記領域、および前記第3固定電極部と重なっていてもよい。
このような機能素子では、より確実に可動体と基板との間に生じる静電力を抑制して、可動体が基板に張り付くことを低減することができる。
[適用例4]
本適用例に係る機能素子において、
前記可動体には、前記可動体を貫通するスリット部が設けられ、
平面視において、前記スリット部と前記第1軸との間の距離は、前記開口部と前記第1軸との間の距離よりも大きく、
前記スリット部の幅は、前記開口部の幅よりも小さくてもよい。
このような機能素子では、可動体において、ダンピングを低減しつつ、トルクを稼ぐことができる。したがって、このような機能素子では、例えば検出感度を高めることができる。
[適用例5]
本適用例に係る機能素子において、
前記スリット部の長さは、前記開口部の長さよりも小さくてもよい。
このような機能素子では、ダンピングの影響を低減しつつ、可動体の質量を大きくすることができる。
[適用例6]
本適用例に係る機能素子において、
前記スリット部は、複数設けられ、前記第1軸の方向に配列されていてもよい。
このような機能素子では、ダンピングの影響を低減しつつ、可動体の質量を大きくすることができる。
[適用例7]
本適用例に係る機能素子において、
前記開口部は、前記可動体を貫通していてもよい。
このような機能素子では、例えば開口部が可動体を貫通していない場合と比べて、可動体と基板との間に生じる静電力を抑制することができる。したがって、このような機能素子では、可動体が基板に張り付くことを、より低減することができる。
[適用例8]
本適用例に係る機能素子において、
前記開口部は、前記可動体の前記基板側の面に設けられた凹部であってもよい。
このような機能素子では、可動体に設けられた開口部によって、可動体と基板との間に生じる静電力を抑制して、可動体が基板に張り付くことを低減することができる。
[適用例9]
本適用例に係る機能素子において、
前記基板の材質は、ガラスであり、
前記可動体の材質は、シリコンであってもよい。
このような機能素子では、容易に基板と可動体とを電気的に絶縁することができ、機能素子の構造を簡素化することができる。
[適用例10]
本適用例に係る機能素子において、
前記開口部の幅は、前記第1軸と直交する第2軸の方向における前記開口部の大きさであり、
前記領域の幅は、前記第2軸の方向における前記開口部の大きさであってもよい。
このような機能素子では、可動体に設けられた開口部によって、可動体と基板との間に生じる静電力を抑制して、可動体が基板に張り付くことを低減することができる。
[適用例11]
本適用例に係る電子機器は、
上記のいずれかの機能素子を含む。
このような電子機器では、上記のいずれかの機能素子を含むため、高い信頼性を有することができる。
[適用例12]
本適用例に係る移動体は、
上記のいずれかの機能素子を含む。
このような移動体では、上記のいずれかの機能素子を含むため、高い信頼性を有することができる。
第1実施形態に係る機能素子を模式的に示す平面図。 第1実施形態に係る機能素子を模式的に示す断面図。 第1実施形態に係る機能素子の製造工程を模式的に示す断面図。 第1実施形態に係る機能素子の製造工程を模式的に示す断面図。 第1実施形態に係る機能素子の製造工程を模式的に示す断面図。 第1実施形態の変形例に係る機能素子を模式的に示す平面図。 第1実施形態の変形例に係る機能素子を模式的に示す断面図。 第2実施形態に係る機能素子を模式的に示す平面図。 第2実施形態に係る機能素子を模式的に示す断面図。 第3実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。 第3実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。 第3実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。 第4実施形態に係る移動体を模式的に示す斜視図。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
1. 第1実施形態
1.1. 機能素子
まず、第1実施形態に係る機能素子について、図面を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態に係る機能素子100を模式的に示す平面図である。図2は、第1実施形態に係る機能素子100を模式的に示す図1のII−II線断面図である。なお、図1および図2には、互いに直交する3つの軸として、X軸、Y軸、およびZ軸を図示しており、以下に示す各図においても同様にX軸、Y軸、およびZ軸を図示している。
機能素子100は、図1および図2に示すように、基板10と、可動体20と、支持部30,32と、固定部40と、第1固定電極部50と、第2固定電極部52と、第3固定電極部(以下「第1ダミー電極部」ともいう)60と、第4固定電極部(以下「第2ダミー電極部」ともいう)62と、蓋体70と、を含む。なお、便宜上、図1では、蓋体70の図示を省略している。
以下では、機能素子100が、鉛直方向(Z軸方向)の加速度を検出する加速度センサー(静電容量型MEMS加速度センサー)である例について説明する。
基板10の材質は、例えば、ガラス等の絶縁材料である。例えば基板10をガラス等の絶縁材料、可動体20、支持部30,32、および固定部40を含む構造体2をシリコン等の半導体材料にすることにより、容易に両者を電気的に絶縁することができ、機能素子100の構造を簡素化することができる。
基板10には、凹部12が形成されている。凹部12の平面形状(Z軸方向から見た形状)は、例えば、長方形である。凹部12の底面(凹部12を規定する基板10の面)14には、ポスト部16が設けられている。ポスト部16は、底面14よりも上方(+Z軸方向)に突出している。ポスト部16の高さと凹部12の深さとは、例えば、等しい。
可動体20は、凹部12上に設けられている。可動体20と基板10との間には、間隙が設けられている。すなわち、可動体20は、基板10と離間している。可動体20は、支持部30,32を介して、基板10に固定された固定部40に接続されている。
可動体20は、支持軸(第1軸)Qまわりに変位可能である。具体的には、可動体20は、鉛直方向(Z軸方向)の加速度が加わると、支持部30,32によって決定される支持軸Qを回転軸(揺動軸)としてシーソー揺動する。支持軸Qは、図示の例では、Y軸に平行である。可動体20の平面形状は、例えば、長方形である。可動体20の厚さ(Z軸方向の大きさ)は、例えば、一定である。
可動体20は、第1シーソー片(第1部分)20aと、第2シーソー片(第2部分)20bと、を有している。第1シーソー片20aは、平面視において(基板10の厚さ方向から見て、Z軸方向から見て)、支持軸Qによって区分された可動体20の2つの部分のうちの一方(図示の例では支持軸Qの−X軸方向側に位置する部分)である。第2シーソー片20bは、平面視において、支持軸Qによって区分された可動体20の2つの部分のうちの他方(図示の例では支持軸Qの+X軸方向側に位置する部分)である。すなわち、可動体20は、支持軸Qを境に第1シーソー片20aおよび第2シーソー片20bに区分けされている。
例えば、鉛直方向の加速度(例えば重力加速度)が可動体20に加わった場合、第1シーソー片20aと第2シーソー片20bの各々に回転モーメント(力のモーメント)が生じる。ここで、第1シーソー片20aの回転モーメント(例えば反時計回りの回転モーメント)と第2シーソー片20bの回転モーメント(例えば時計回りの回転モーメント)が均衡した場合には、可動体20の傾きに変化が生じず、加速度を検出することができない。したがって、鉛直方向の加速度が加わったときに、第1シーソー片20aの回転モーメントと、第2シーソー片20bの回転モーメントとが均衡せず、可動体20に所定の傾きが生じるように、可動体20が設計される。
機能素子100では、第1シーソー片20aの質量と第2シーソー片20bの質量を異ならせることによって、鉛直方向の加速度が加わったときに、第1シーソー片20aの回転モーメントと第2シーソー片20bの回転モーメントとを均衡させず、可動体20に所定の傾きを生じさせている。すなわち、機能素子100では、支持軸Qが可動体20の重心から外れた位置に配置されている。図示の例では、平面視において、第1シーソー片20aの端面23aと支持軸Qとの間の距離を、第2シーソー片20bの端面23bと支持軸Qとの間の距離よりも大きくし、かつ、第1シーソー片20aの厚さと第2シーソー片20bの厚さとを等しくしている。これにより、第1シーソー片20aの質量を、第2シーソー片20bの質量よりも大きくして、第1シーソー片20aの質量と第2シーソー片20bの質量を異ならせている。
なお、図示はしないが、平面視において第1シーソー片20aの端面23aと支持軸Qとの間の距離と第2シーソー片20bの端面23bと支持軸Qとの間の距離とを等しくし、かつ、シーソー片20a,20bの厚さを互いに異ならせることによって、シーソー片20a,20bが互いに異なる質量を有するようにしてもよい。このような場合であっても、鉛直方向の加速度が加わったときに、可動体20に所定の傾きを生じさせることができる。
可動体20は、支持軸Qを境にして設けられた第1可動電極部21および第2可動電極部22を備えている。第1可動電極部21は、第1シーソー片20aに設けられている。第2可動電極部22は、第2シーソー片20bに設けられている。
第1可動電極部21は、可動体20のうち、平面視において第1固定電極部50と重なる部分である。第2可動電極部22は、可動体20のうち、平面視において第2固定電極部52と重なる部分である。機能素子100では、可動体20が導電性材料(不純物がドープされたシリコン)で構成されることによって、可動電極部21,22が設けられている。すなわち、第1シーソー片20aが第1可動電極部21として機能し、第2シーソー片20bが第2可動電極部22として機能している。第1可動電極部21および第2可動電極部22(可動体20)には、所定の電位が与えられる。
可動体20には、開口部24が設けられている。開口部24は、第1固定電極部50と第1ダミー電極部(第3固定電極部)60との間の基板10の領域13と対向している。すなわち、平面視において、基板10の領域13と開口部24とは重なっている。開口部24は、Z軸方向に可動体20を貫通している。
ここで、基板10の領域13は、基板10の凹部12の底面14の一部である。基板10の領域13は、平面視において、第1固定電極部50と第1ダミー電極部60との間の領域である。基板10の領域13上には、第1固定電極部50、第2固定電極部52、第1ダミー電極部60、および第2ダミー電極部62は設けられておらず、基板10の領域13は露出している。
開口部24の平面形状は、例えば、Y軸に平行な長辺、およびX軸に平行な短辺を持つ長方形である。開口部24の幅W24は、基板10の領域13の幅W13以上である。図示の例では、開口部24の幅W24は、基板10の領域13の幅W13よりも大きい。ここで、開口部24の幅W24は、支持軸Qに直交する軸(第2軸、図示せず)の方向、すなわちX軸方向における開口部24の大きさである。図示の例では、開口部24の幅W24は、開口部24の短辺の長さに相等する。また、領域13の幅W13は、支持軸Qに直交する軸の方向(X軸方向)における領域13の大きさである。
図1に示すように、開口部24は、平面視において、第1固定電極部50、基板10の領域13、および第1ダミー電極部60と重なっている。言い換えると、平面視において、開口部24の外縁の内側に、第1固定電極部50の一部、基板10の領域13の一部、および第1ダミー電極部60の一部が位置している。
なお、図示はしないが、開口部24は、平面視において、第1固定電極部50および基板10の領域13と重なり、第1ダミー電極部60と重なっていなくてもよい。また、図示はしないが、開口部24は、平面視において、第1ダミー電極部60および基板10の領域13と重なり、第1固定電極部50と重なっていなくてもよい。
可動体20には、可動体20を貫通するスリット部26が設けられている。可動体20にスリット部26を設けることにより、気体の粘性により生じるダンピング(質量体の動きを止めようとする働き、流動抵抗)を低減することができる。
スリット部26は、第1シーソー片20aおよび第2シーソー片20bの両方に設けられている。図示の例では、スリット部26は、第1シーソー片20aにおいて、第1シーソー片20aの開口部24よりも端面23a側の領域20a−1、および第1シーソー片20aの開口部24よりも支持軸Q側の領域20a−2の両方に設けられている。第1シーソー片20aの領域20a−1では、平面視において、スリット部26と支持軸Qとの間の距離は、開口部24と支持軸Qとの間の距離よりも大きい。第1シーソー片20aの領域20a−2では、平面視において、スリット部26と支持軸Qとの間の距離は、開口部24と支持軸Qとの間の距離よりも小さい。第2シーソー片20bでは、平面視におい
て、スリット部26と支持軸Qとの間の距離は、開口部24と支持軸Qとの間の距離よりも小さい。
スリット部26の平面形状は、例えば、Y軸に平行な長辺、およびX軸に平行な短辺を持つ長方形である。スリット部26の幅W26は、開口部24の幅W24よりも小さい。スリット部26の幅W26は、支持軸Qに直交する軸の方向(X軸方向)におけるスリット部26の大きさである。図示の例では、スリット部26の幅W26は、スリット部26の短辺の長さに相等する。
また、スリット部26の長さL26は、開口部24の長さL24よりも小さい。スリット部26の長さL26は、支持軸Qの方向(Y軸方向)におけるスリット部26の大きさである。図示の例では、スリット部26の長さL26は、スリット部26の長辺の長さに相等する。開口部24の長さL24は、支持軸Qの方向(Y軸方向)における開口部24の大きさである。図示の例では、開口部24の長さL24は、開口部24の長辺の長さに相等する。
スリット部26は、複数設けられている。スリット部26は、支持軸Qの方向(Y軸方向)に配列されている。図示の例では、1つの列は、7個のスリット部26がY軸方向に並ぶことで構成されている。ここで、例えば、図示はしないが、可動体に1つのスリット部を所定の長さ設けた場合と、可動体に複数のスリット部を該所定の長さに一列に並べた場合とを比べると、ダンピングを低減する効果は同程度である。これに対して、可動体の質量は、当然ながら、複数のスリット部を並べた場合の方が大きくなる。したがって、複数のスリット部26を支持軸Qの方向に配列することで、ダンピングを低減しつつ、可動体の質量を大きくすることができる。図示の例では、スリット部26は、複数列設けられている。すなわち、スリット部26は、複数行複数列に配列されている。
可動体20には、支持部30,32および固定部40が配置される貫通孔28が設けられている。
支持部30,32は、可動体20を支持軸Qまわりに変位可能に支持している。支持部30,32は、トーションバネ(捻りバネ)として機能する。そのため、可動体20がシーソー揺動することにより支持部30,32に生じるねじり変形に対して強い復元力を有することができる。
支持部30,32は、平面視において、支持軸Q上に配置されている。支持部30,32は、支持軸Qに沿って延在している。支持部30は、固定部40から可動体20まで+Y軸方向に延出している。支持部32は、固定部40から可動体20まで−Y軸方向に延出している。支持部30,32は、固定部40と可動体20とを接続している。
固定部40は、貫通孔28内に配置されている。固定部40は、平面視において、支持軸Q上に設けられている。固定部40は、基板10のポスト部16に接合されている。
可動体20、支持部30,32、および固定部40は、一体に設けられている。可動体20、支持部30,32、および固定部40は、例えば1つの基板(シリコン基板4、図4参照)をパターニングすることによって一体的に設けられる。そのため、可動体20、支持部30,32、および固定部40は、1つの構造体(シリコン構造体)2を構成している。構造体2の材質は、例えば、リン、ボロン等の不純物がドープされることにより導電性が付与されたシリコンである。基板10の材質がガラスであり、構造体2の材質がシリコンである場合、基板10と固定部40(構造体2)とは、例えば陽極接合によって接合される。
構造体2は、1つの固定部40によって基板10に固定されている。すなわち、構造体2は、基板10に1点で支持されている。したがって、例えば構造体2が基板10に2点で支持されている場合(2つの固定部によって基板に固定されている場合)と比べて、基板10の熱膨張率と構造体2の熱膨張率との差によって生じる応力や、実装時に装置に加わる応力等が、支持部30,32に与える影響を低減することができる。
第1固定電極部50は、基板10上に設けられている。第1固定電極部50は、凹部12の底面14に設けられている。第1固定電極部50は、平面視において、第2固定電極部52と第1ダミー電極部60との間に設けられている。第1固定電極部50は、第1シーソー片20a(第1可動電極部21)に少なくとも一部が対向して配置されている。すなわち、平面視において、第1固定電極部50と第1シーソー片20a(第1可動電極部21)とは重なっている。第1固定電極部50と第1シーソー片20a(第1可動電極部21)との間には間隙が設けられている。
第2固定電極部52は、基板10上に設けられている。第2固定電極部52は、凹部12の底面14に設けられている。第2固定電極部52は、第1固定電極部50の+X軸方向側に設けられている。第2固定電極部52と第1固定電極部50との間には第2ダミー電極部62が設けられている。第2固定電極部52は、第2シーソー片20b(第2可動電極部22)に少なくとも一部が対向して配置されている。すなわち、平面視において、第2固定電極部52と第2シーソー片20b(第2可動電極部22)とは重なっている。第2固定電極部52と第2シーソー片20b(第2可動電極部22)との間には間隙が設けられている。
機能素子100では、例えば、平面視で第1固定電極部50が可動体20と重なる部分の形状と、平面視で第2固定電極部52が可動体20と重なる部分の形状とが、支持軸Qに関して対称である。すなわち、平面視で第1固定電極部50が可動体20と重なる部分の面積と、平面視で第2固定電極部52が可動体20と重なる部分の面積とは、等しい。
第1固定電極部50と第1可動電極部21によって、静電容量C1が形成される。また、第2固定電極部52と第2可動電極部22によって、静電容量C2が形成される。静電容量C1および静電容量C2は、例えば、図2に示す可動体20が水平な状態で、等しくなるように構成されている。可動電極部21,22は、可動体20の動きに応じて位置が変化し、この可動電極部21,22の位置に応じて、静電容量C1,C2が変化する。
第1ダミー電極部60は、基板10上に設けられている。第1ダミー電極部60は、基板10の凹部12の底面14に設けられている。第1ダミー電極部60は、第1固定電極部50の−X軸方向側に設けられている。第1ダミー電極部60は、第1シーソー片20aに対向して配置されている。すなわち、平面視において、第1ダミー電極部60と第1シーソー片20aとは重なっている。
第1ダミー電極部60は、可動体20(構造体2)と電気的に接続されている。第1ダミー電極部60は、例えば、基板10上に設けられた配線(図示せず)によって、第2ダミー電極部62を介して、可動体20(構造体2)に電気的に接続されている。第1ダミー電極部60は、例えば、ボンディングワイヤー(図示せず)等によって、可動体20(構造体2)と電気的に接続されていてもよい。
第2ダミー電極部62は、基板10上に設けられている。第2ダミー電極部62は、基板10の凹部12の底面14に設けられている。第2ダミー電極部62は、第1固定電極部50と第2固定電極部52との間に設けられている。第2ダミー電極部62は、第1シ
ーソー片20aの一部、第2シーソー片20bの一部、および支持部30,32に対向して配置されている。すなわち、第2ダミー電極部62は、平面視において、第1シーソー片20aの一部、第2シーソー片20bの一部、および支持部30,32と重なっている。
第2ダミー電極部62は、可動体20(構造体2)と電気的に接続されている。第2ダミー電極部62は、例えば、ポスト部16の表面に設けられた配線(図示せず)、固定部40、および支持部30,32を介して、可動体20と電気的に接続されている。
上記のように、第1ダミー電極部60および第2ダミー電極部62は、構造体2(可動体20)と電気的に接続されているため、各ダミー電極部60,62と構造体2(可動体20)とを等電位にすることができる。また、第1ダミー電極部60および第2ダミー電極部62は、一定電位(固定電位やグランド電位)に接続させていればよく、必ずしも構造体2と電気的に接続されていなくてもよい。
固定電極部50,52およびダミー電極部60,62の材質は、例えば、アルミ、金、ITO(Indium Tin Oxide)等である。固定電極部50,52およびダミー電極部60,62の材質は、ITO等の透明電極材料であることが望ましい。固定電極部50,52およびダミー電極部60,62の材質として透明電極材料を用いることにより、基板10が透明基板(ガラス基板)である場合に、固定電極部50,52上、およびダミー電極部60,62上に存在する異物等を容易に視認することができる。
蓋体70は、基板10上に設けられている。蓋体70は、基板10に接合されている。蓋体70および基板10は、可動体20を収容するキャビティー72を形成している。キャビティー72は、例えば、不活性ガス(例えば窒素ガス)雰囲気である。蓋体70の材質は、例えば、シリコンである。蓋体70の材質がシリコンであり、基板10の材質がガラスである場合、蓋体70と基板10とは、例えば陽極接合によって接合される。
次に、機能素子100の動作について説明する。
機能素子100では、加速度、角速度等の物理量に応じて、可動体20が支持軸Qまわりに揺動する。この可動体20の動きに伴って、第1可動電極部21と第1固定電極部50との間の距離、および第2可動電極部22と第2固定電極部52との間の距離が変化する。
具体的には、鉛直上向き(+Z軸方向)の加速度が機能素子100に加わると、可動体20は反時計回りに回転し、第1可動電極部21と第1固定電極部50との間の距離が小さくなり、第2可動電極部22と第2固定電極部52との間の距離が大きくなる。この結果、静電容量C1が大きくなり、静電容量C2が小さくなる。
また、鉛直下向き(−Z軸方向)の加速度が機能素子100に加わると、可動体20は時計回りに回転し、第1可動電極部21と第1固定電極部50との間の距離が大きくなり、第2可動電極部22と第2固定電極部52との間の距離が小さくなる。この結果、静電容量C1が小さくなり、静電容量C2が大きくなる。
したがって、機能素子100では、静電容量C1と静電容量C2との差に基づいて(いわゆる差動検出方式により)、加速度や角速度等の向きや大きさ等の物理量を検出することができる。
上述のように、機能素子100は、加速度センサーやジャイロセンサー等の慣性センサ
ーとして使用することができ、具体的には、例えば、鉛直方向(Z軸方向)の加速度を測定するための静電容量型加速度センサーとして使用することができる。
機能素子100は、例えば、以下の特徴を有する。
機能素子100では、可動体20には、第1固定電極部50と第1ダミー電極部60との間の基板10の領域13と対向する開口部24が設けられ、開口部24の幅W24は、基板10の領域13の幅W13以上である。そのため、機能素子100では、開口部24によって、可動体20と基板10の領域13(基板10の露出した領域)とが重なる領域を小さくすることができる。これにより、可動体20と基板10との間に生じる静電力を抑制して、可動体20が基板10に張り付くことを低減することができる。したがって、例えば機能素子100を製造する際に、可動体20と基板10とに電位差が生じ、可動体20が静電力によって基板10側に引っ張られて、可動体20が基板10に張り付いてしまうという問題を生じさせないことができる。
さらに、機能素子100では、第1シーソー片20aに対向して基板10上に配置され、可動体20に電気的に接続された第1ダミー電極部60を含む。そのため、機能素子100では、可動体20と第1ダミー電極部60との間の電位差を小さくすること(もしくは電位差を無くすこと)ができる。したがって、可動体20と基板10との間に生じる静電力を抑制して、可動体20が基板10に張り付くことを低減することができる。
さらに、機能素子100では、第1シーソー片20a、第2シーソー片20b、および支持部30,32に対向して基板10上に配置され、可動体20に電気的に接続された第2ダミー電極部62を含む。そのため、機能素子100では、可動体20と第2ダミー電極部62との間の電位差、および支持部30,32と第2ダミー電極部62との間の電位差を小さくすること(もしくは電位差を無くすこと)ができる。したがって、可動体20と基板10との間に生じる静電力、および支持部30,32と基板10との間に生じる静電力を抑制して、可動体20や支持部30が基板10に張り付くことを低減することができる。
このように、機能素子100では、開口部24およびダミー電極部60,62によって可動体20が基板10に張り付くことを低減することができる。そのため、例えば可動体の基板との対向面にストッパーを設ける場合と比べて、製造が容易である。
機能素子100では、開口部24は、平面視において、第1固定電極部50、基板10の領域13、および第1ダミー電極部60と重なっている。そのため、機能素子100では、可動体20と基板10との間に生じる静電力を抑制して、可動体20が基板10に張り付くことを低減することができる。また、例えば、製造工程におけるアライメントずれ等によって、開口部24の位置がずれた場合でも、機能素子100では、このようなずれを許容することができる。
機能素子100では、可動体20には、可動体20を貫通するスリット部26が設けられ、平面視において、スリット部26と支持軸Qとの間の距離は、開口部24と支持軸Qとの間の距離よりも大きく、スリット部26の幅W26は、開口部24の幅W24よりも小さい。そのため、機能素子100では、可動体20において、ダンピングを低減しつつ、トルク(支持軸Qまわりの力のモーメント)を稼ぐことができる。したがって、機能素子100では、例えば検出感度を高めることができる。これは、ダンピングは支持軸Qからの距離によらない(または距離の影響が小さい)が、トルクは支持軸Qからの距離の影響が大きいためである。
機能素子100では、スリット部26の長さL26は、開口部24の長さL24よりも小さい。そのため、機能素子100では、ダンピングの影響を低減しつつ、可動体20の質量を大きくすることができる。これにより、例えば、検出感度を高めることができる。
機能素子100では、スリット部26は、複数設けられ、支持軸Qの方向に配列されている。そのため、機能素子100では、ダンピングの影響を低減しつつ、可動体の質量を大きくすることができる。これにより、例えば、検出感度を高めることができる。
機能素子100では、開口部24は、可動体20を貫通している。そのため、例えば開口部24が可動体20を貫通していない場合と比べて、可動体20と基板10との間に生じる静電力を抑制することができる。したがって、機能素子100では、可動体20が基板10に張り付くことを、より確実に低減することができる。
機能素子100では、基板10の材質は、ガラスであり、可動体20の材質は、シリコンである。そのため、機能素子100では、容易に基板10と可動体20とを電気的に絶縁することができ、機能素子100の構造を簡素化することができる。
1.2. 機能素子の製造方法
次に、第1実施形態に係る機能素子の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図3〜図5は、第1実施形態に係る機能素子100の製造工程を模式的に示す断面図である。なお、図3〜図5は、図2に対応している。
図3に示すように、例えばガラス基板をパターニングして、凹部12およびポスト部16を有する基板10を形成する。ガラス基板のパターニングは、例えばフォトリソグラフィーおよびエッチングにより行われる。
次に、凹部12の底面14に、固定電極部50,52およびダミー電極部60,62を形成する。固定電極部50,52およびダミー電極部60,62は、スパッタ法等により凹部12の底面14上に導電層(図示せず)を成膜した後、当該導電層をフォトリソグラフィーおよびエッチングによりパターニングすることで形成される。
図4に示すように、基板10に、シリコン基板4を接合する。基板10とシリコン基板4との接合は、例えば、陽極接合によって行われる。
図5に示すように、シリコン基板4を、例えば研削機によって研削して薄膜化した後、パターニングして、可動体20、支持部30,32、および固定部40を一体的に形成する。これにより、構造体2が形成される。また、本工程において、可動体20には、開口部24、スリット部26、貫通孔28が形成される。パターニングは、フォトリソグラフィーおよびエッチング(ドライエッチング)によって行われ、より具体的なエッチング技術として、ボッシュ(Bosch)法を用いることができる。
図2に示すように、基板10に蓋体70を接合して、基板10および蓋体70によって形成されるキャビティー72に可動体20(構造体2)を収容する。基板10と蓋体70との接合は、例えば、陽極接合によって行われる。本工程を、不活性ガス雰囲気で行うことにより、キャビティー72に不活性ガスを充填することができる。
本工程において、基板10に蓋体70を接合する際の陽極接合により、構造体2と基板10との間には、大きな電位差が生じる。しかし、ダミー電極部60,62および開口部24によって、可動体20と基板10との間に働く静電力、および支持部30,32と基板10との間に働く静電力を抑制することができる。したがって、可動体20が基板10
に張り付くことを低減することができる。
以上の工程により、機能素子100を製造することができる。
1.3. 変形例
次に、第1実施形態に係る機能素子の変形例について、図面を参照しながら説明する。図6は、第1実施形態の変形例に係る機能素子102を模式的に示す平面図である。図7は、第1実施形態の変形例に係る機能素子102を模式的に示す図6のVII−VII線断面図である。なお、便宜上、図6では、蓋体70の図示を省略している。
以下、第1実施形態の変形例に係る機能素子102において、上述した機能素子100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
機能素子100では、図1および図2に示すように、開口部24は、平面視において、第1固定電極部50、基板10の領域13、および第1ダミー電極部60と重なっていた。すなわち、開口部24の幅W24は、基板10の領域13の幅W13よりも大きかった。
これに対して、機能素子102では、図6および図7に示すように、開口部24は、平面視において、基板10の領域13のみと重なっており、開口部24の幅W24は、基板10の領域13の幅W13と等しい。
開口部24の平面形状、第1固定電極部50の平面形状、および第1ダミー電極部60の平面形状は、Y軸に平行な長辺、およびX軸に平行な短辺を持つ長方形である。平面視において、開口部24の一方(+X軸方向側)の長辺は、第1固定電極部50の長辺と重なっている。また、平面視において、開口部24の他方(−X軸方向側)の長辺は、第1ダミー電極部60の長辺と重なっている。
機能素子102では、可動体20には、第1固定電極部50と第1ダミー電極部60との間の基板10の領域13と対向する開口部24が設けられ、開口部24の幅W24は、基板10の領域13の幅W13と等しい。そのため、機能素子102では、機能素子100と同様に、可動体20と基板10との間に生じる静電力を抑制して、可動体20が基板10に張り付くことを低減することができる。
なお、ここでは、開口部24の幅W24が、基板10の領域13の幅W13と等しい場合について説明した。これに対して、図示はしないが、開口部24の幅W24が基板10の領域13の幅W13以上であれば、平面視において、開口部24の一方(+X軸方向側)の長辺は、第1固定電極部50の長辺と重なっており、開口部24の他方(−X軸方向側)の長辺は、第1ダミー電極部60の長辺と重なっていなくてもよい。また、図示はしないが、平面視において、開口部24の一方(+X軸方向側)の長辺は、第1固定電極部50の長辺と重なっておらず、開口部24の他方(−X軸方向側)の長辺は、第1ダミー電極部60の長辺と重なっていてもよい。
2. 第2実施形態
次に、第2実施形態に係る機能素子について、図面を参照しながら説明する。図8は、第2実施形態に係る機能素子200を模式的に示す平面図である。図9は、第2実施形態に係る機能素子200を模式的に示す図8のIX−IX線断面図である。なお、便宜上、図8では、蓋体70の図示を省略している。
以下、第2実施形態に係る機能素子200において、上述した第1実施形態に係る機能素子100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
機能素子100では、図1および図2に示すように、開口部24は、可動体20を貫通していた。
これに対して、機能素子200では、図8および図9に示すように、開口部24は、可動体20の基板10側の面(下面)29に設けられた凹部である。開口部24が凹部であることによって、可動体20と基板10の領域13との間の距離を大きくすることができる。
ここで、静電力の大きさは、距離の2乗に反比例する。そのため、開口部24(凹部)を設けることにより、基板10と可動体20との間に働く静電力を抑制することができる。なお、開口部24の深さは、静電力によって基板10と可動体20とが張り付かないような深さであれば特に限定されない。
機能素子200では、可動体20には、第1固定電極部50と第1ダミー電極部60との間の基板10の領域13と対向する開口部24が設けられ、開口部24の幅W24は、基板10の領域13の幅W13以上である。そのため、機能素子200では、機能素子100と同様に、可動体20と基板10との間に生じる静電力を抑制して、可動体20が基板10に張り付くことを低減することができる。
さらに、機能素子200では、開口部24は、可動体20の下面29に設けられた凹部である。そのため、機能素子200では、例えば、開口部24が可動体20を貫通している場合と比べて、可動体20の質量を大きくすることができる。
なお、第1実施形態の変形例は、本実施形態についても同様に適用される。
3. 第3実施形態
次に、第3実施形態に係る電子機器について、図面を参照しながら説明する。第3実施形態に係る電子機器は、本発明に係る機能素子を含む。以下では、本発明に係る機能素子として、機能素子100を含む電子機器について、説明する。
図10は、第3実施形態に係る電子機器として、モバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピューター1100を模式的に示す斜視図である。
図10に示すように、パーソナルコンピューター1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部1108を有する表示ユニット1106と、により構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このようなパーソナルコンピューター1100には、機能素子100が内蔵されている。
図11は、第3実施形態に係る電子機器として、携帯電話機(PHSも含む)1200を模式的に示す斜視図である。
図11に示すように、携帯電話機1200は、複数の操作ボタン1202、受話口1204および送話口1206を備え、操作ボタン1202と受話口1204との間には、表
示部1208が配置されている。
このような携帯電話機1200には、機能素子100が内蔵されている。
図12は、第3実施形態に係る電子機器として、デジタルスチルカメラ1300を模式的に示す斜視図である。なお、図12には、外部機器との接続についても簡易的に示している。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ1300は、被写体の光像をCCD(Charge Coupled Device)などの撮像素子により光電変換して撮像信号(画像信号)を生成する。
デジタルスチルカメラ1300におけるケース(ボディー)1302の背面には、表示部1310が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部1310は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
また、ケース1302の正面側(図中裏面側)には、光学レンズ(撮像光学系)やCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。
撮影者が表示部1310に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン1306を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が、メモリー1308に転送・格納される。
また、このデジタルスチルカメラ1300においては、ケース1302の側面に、ビデオ信号出力端子1312と、データ通信用の入出力端子1314とが設けられている。そして、ビデオ信号出力端子1312には、テレビモニター1430が、データ通信用の入出力端子1314には、パーソナルコンピューター1440が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー1308に格納された撮像信号が、テレビモニター1430や、パーソナルコンピューター1440に出力される構成になっている。
このようなデジタルスチルカメラ1300には、機能素子100が内蔵されている。
以上のような電子機器1100,1200,1300は、可動体20が基板10に張り付くことを低減することができる機能素子100を含むため、高い信頼性を有することができる。
なお、機能素子100を備えた電子機器は、図10に示すパーソナルコンピューター(モバイル型パーソナルコンピューター)、図11に示す携帯電話機、図12に示すデジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置(例えばインクジェットプリンター)、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ヘッドマウントディスプレイ、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、ロケット、船舶の計器類)、ロボットや人体などの姿勢制御、フライトシミュレーターなどに適用することができる。
4. 第4実施形態
次に、第4実施形態に係る移動体について、図面を参照しながら説明する。第4実施形態に係る移動体は、本発明に係る機能素子を含む。以下では、本発明に係る機能素子として、機能素子100を含む移動体について、説明する。
図13は、第4実施形態に係る移動体として、自動車1500を模式的に示す斜視図である。
自動車1500には、機能素子100が内蔵されている。具体的には、図13に示すように、自動車1500の車体1502には、自動車1500の加速度を検知する機能素子100を内蔵してエンジンの出力を制御する電子制御ユニット(ECU:Electronic Control Unit)1504が搭載されている。また、機能素子100は、他にも、車体姿勢制御ユニット、アンチロックブレーキシステム(ABS)、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム(TPMS:Tire Pressure Monitoring System)、に広く適用することができる。
自動車1500は、可動体20が基板10に張り付くことを低減することができる機能素子100を含むため、高い信頼性を有することができる。
なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
例えば、上記の実施形態では、機能素子が、Z軸方向の加速度を検出する加速度センサー(物理量センサー)である場合について説明したが、本発明に係る機能素子は、Y軸方向の加速度を検出する加速度センサーであってもよいし、X軸方向の加速度を検出する加速度センサーでもあってもよい。また、本発明に係る機能素子は、加速度センサーに限定されず、例えば、角速度を検出するジャイロセンサーであってもよい。また、本発明に係る機能素子は、加速度センサーや角速度センサー等のセンサー以外の素子であってもよく、例えば、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)振動子などであってもよい。
また、例えば、第1実施形態に係る機能素子100および第2実施形態に係る機能素子200では、図1や図8に示すように、可動体20は、1つの固定部40によって基板10に固定されていた。本発明に係る機能素子は、これに限定されず、例えば、2つの固定部によって基板に固定されていてもよい。例えば、平面視において、可動体の両側に固定部を設け、各固定部と可動体とを支持部で接続することによって可動体を支持してもよい。このような機能素子であっても、上述した機能素子100および機能素子200と同様の作用効果を奏することができる。
上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
2…構造体、4…シリコン基板、10…基板、12…凹部、13…領域、14…底面、16…ポスト部、20…可動体、20a…第1シーソー片、20a−1,20a−2…領域、20b…第2シーソー片、21…第1可動電極部、22…第2可動電極部、23a,23b…端面、24…開口部、26…スリット部、28…貫通孔、29…下面、30,32…支持部、40…固定部、50…第1固定電極部、52…第2固定電極部、60…第1ダミー電極部(第3固定電極部)、62…第2ダミー電極部、70…蓋体、72…キャビティー、100,102,200…機能素子、1100…パーソナルコンピューター、1102…キーボード、1104…本体部、1106…表示ユニット、1108…表示部、1200…携帯電話機、1202…操作ボタン、1204…受話口、1206…送話口、1208…表示部、1300…デジタルスチルカメラ、1302…ケース、1304…受光ユニット、1306…シャッターボタン、1308…メモリー、1310…表示部、1312…ビデオ信号出力端子、1314…入出力端子、1430…テレビモニター、1440…パーソナルコンピューター、1500…自動車、1502…車体

Claims (12)

  1. 基板と、
    可動電極部を備えている可動体と、
    可動体を第1軸まわりに変位可能に支持する支持部と、
    前記第1軸を境に区分された前記可動体の一方である第1部分に少なくとも一部が対向して前記基板上に配置されている第1固定電極部と、
    前記第1軸を境に区分された前記可動体の他方である第2部分に少なくとも一部が対向して前記基板上に配置されている第2固定電極部と、
    前記第1部分に少なくとも一部が対向して前記基板上に配置されている第3固定電極部と、を含み、
    平面視において、前記第1固定電極部は、前記第2固定電極部と前記第3固定電極部との間に配置され、
    前記可動体には、前記第1固定電極部と前記第3固定電極部との間の前記基板の領域と対向する開口部が設けられ、
    前記開口部の幅は、前記領域の幅以上である、機能素子。
  2. 請求項1において、
    前記第3固定電極部は、前記可動体と電気的に接続されている、機能素子。
  3. 請求項1または2において、
    前記開口部は、平面視において、前記第1固定電極部、前記領域、および前記第3固定電極部と重なっている、機能素子。
  4. 請求項1ないし3のいずれか1項において、
    前記可動体には、前記可動体を貫通するスリット部が設けられ、
    平面視において、前記スリット部と前記第1軸との間の距離は、前記開口部と前記第1軸との間の距離よりも大きく、
    前記スリット部の幅は、前記開口部の幅よりも小さい、機能素子。
  5. 請求項4において、
    前記スリット部の長さは、前記開口部の長さよりも小さい、機能素子。
  6. 請求項4または5において、
    前記スリット部は、複数設けられ、前記第1軸の方向に配列されている、機能素子。
  7. 請求項1ないし6のいずれか1項において、
    前記開口部は、前記可動体を貫通している、機能素子。
  8. 請求項1ないし6のいずれか1項において、
    前記開口部は、前記可動体の前記基板側の面に設けられた凹部である、機能素子。
  9. 請求項1ないし8のいずれか1項において、
    前記基板の材質は、ガラスであり、
    前記可動体の材質は、シリコンである、機能素子。
  10. 請求項1ないし9のいずれか1項において、
    前記開口部の幅は、前記第1軸と直交する第2軸の方向における前記開口部の大きさであり、
    前記領域の幅は、前記第2軸の方向における前記開口部の大きさである、機能素子。
  11. 請求項1ないし10のいずれか1項に記載の機能素子を含む、電子機器。
  12. 請求項1ないし10のいずれか1項に記載の機能素子を含む、移動体。
JP2014034244A 2014-02-25 2014-02-25 機能素子、電子機器、および移動体 Active JP6274413B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014034244A JP6274413B2 (ja) 2014-02-25 2014-02-25 機能素子、電子機器、および移動体
CN201510085068.9A CN104864862B (zh) 2014-02-25 2015-02-16 功能元件、电子设备以及移动体
US14/628,587 US10317425B2 (en) 2014-02-25 2015-02-23 Functional element, electronic apparatus, and moving object

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014034244A JP6274413B2 (ja) 2014-02-25 2014-02-25 機能素子、電子機器、および移動体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015158452A true JP2015158452A (ja) 2015-09-03
JP6274413B2 JP6274413B2 (ja) 2018-02-07

Family

ID=53881967

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014034244A Active JP6274413B2 (ja) 2014-02-25 2014-02-25 機能素子、電子機器、および移動体

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10317425B2 (ja)
JP (1) JP6274413B2 (ja)
CN (1) CN104864862B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017150201A1 (ja) * 2016-03-03 2017-09-08 セイコーエプソン株式会社 センサーデバイス、電子機器、および移動体
US11137415B2 (en) 2017-06-26 2021-10-05 Seiko Epson Corporation Vibrating device, vibrating device module, electronic apparatus, and vehicle

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10295346B2 (en) * 2014-10-28 2019-05-21 Seiko Epson Corporation Physical quantity detecting vibration element, physical quantity sensor, electronic apparatus, and moving object
JP6897224B2 (ja) * 2017-03-27 2021-06-30 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、電子機器、および移動体
JP6922552B2 (ja) * 2017-08-25 2021-08-18 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器、携帯型電子機器および移動体
JP2019045170A (ja) * 2017-08-30 2019-03-22 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、複合センサー、慣性計測ユニット、携帯型電子機器、電子機器及び移動体
JP2019045171A (ja) * 2017-08-30 2019-03-22 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、複合センサー、慣性計測ユニット、携帯型電子機器、電子機器及び移動体
JP2019045172A (ja) * 2017-08-30 2019-03-22 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、複合センサー、慣性計測ユニット、携帯型電子機器、電子機器及び移動体
US10759656B2 (en) * 2017-09-29 2020-09-01 Apple Inc. MEMS sensor with dual pendulous proof masses
JP2021001853A (ja) * 2019-06-24 2021-01-07 セイコーエプソン株式会社 慣性センサー、電子機器および移動体
JP7383978B2 (ja) * 2019-10-23 2023-11-21 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、電子機器および移動体
JP2022079809A (ja) * 2020-11-17 2022-05-27 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、物理量センサーデバイス及び慣性計測装置
JP2022175616A (ja) * 2021-05-14 2022-11-25 セイコーエプソン株式会社 慣性センサー及び慣性計測装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2694403A1 (fr) * 1992-07-31 1994-02-04 Sagem Accéléromètre pendulaire électrostatique à électrode de test et procédé de fabrication d'un tel accéléromètre.
JP2003519384A (ja) * 2000-01-07 2003-06-17 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング マイクロメカニック構造及びその製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5488864A (en) * 1994-12-19 1996-02-06 Ford Motor Company Torsion beam accelerometer with slotted tilt plate
JPH10206457A (ja) 1997-01-22 1998-08-07 Hitachi Ltd 静電容量式加速度センサ及びその製造方法
US7146856B2 (en) * 2004-06-07 2006-12-12 Honeywell International, Inc. Dynamically balanced capacitive pick-off accelerometer
JP2007298405A (ja) 2006-04-28 2007-11-15 Matsushita Electric Works Ltd 静電容量式センサ
DE102006022811A1 (de) 2006-05-16 2007-11-22 Robert Bosch Gmbh Beschleunigungssensor
US8020443B2 (en) * 2008-10-30 2011-09-20 Freescale Semiconductor, Inc. Transducer with decoupled sensing in mutually orthogonal directions
DE102008043788A1 (de) * 2008-11-17 2010-05-20 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauelement
US8220330B2 (en) * 2009-03-24 2012-07-17 Freescale Semiconductor, Inc. Vertically integrated MEMS sensor device with multi-stimulus sensing
JP5779946B2 (ja) * 2011-04-07 2015-09-16 セイコーエプソン株式会社 センサーデバイスの製造方法
JP5811634B2 (ja) 2011-06-30 2015-11-11 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、電子機器
JP5790296B2 (ja) * 2011-08-17 2015-10-07 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー及び電子機器
JP5935986B2 (ja) * 2012-04-06 2016-06-15 セイコーエプソン株式会社 物理量センサーおよび電子機器
US9470709B2 (en) * 2013-01-28 2016-10-18 Analog Devices, Inc. Teeter totter accelerometer with unbalanced mass

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2694403A1 (fr) * 1992-07-31 1994-02-04 Sagem Accéléromètre pendulaire électrostatique à électrode de test et procédé de fabrication d'un tel accéléromètre.
JP2003519384A (ja) * 2000-01-07 2003-06-17 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング マイクロメカニック構造及びその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017150201A1 (ja) * 2016-03-03 2017-09-08 セイコーエプソン株式会社 センサーデバイス、電子機器、および移動体
JPWO2017150201A1 (ja) * 2016-03-03 2018-12-20 セイコーエプソン株式会社 センサーデバイス、電子機器、および移動体
US11137415B2 (en) 2017-06-26 2021-10-05 Seiko Epson Corporation Vibrating device, vibrating device module, electronic apparatus, and vehicle

Also Published As

Publication number Publication date
CN104864862B (zh) 2019-03-12
JP6274413B2 (ja) 2018-02-07
CN104864862A (zh) 2015-08-26
US10317425B2 (en) 2019-06-11
US20150241466A1 (en) 2015-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6274413B2 (ja) 機能素子、電子機器、および移動体
JP6146565B2 (ja) 物理量センサー、電子機器、および移動体
JP5943192B2 (ja) 物理量センサーおよびその製造方法、並びに電子機器
JP6897663B2 (ja) センサーデバイス、電子機器、および移動体
US9470703B2 (en) Physical quantity sensor and electronic apparatus
JP6146566B2 (ja) 物理量センサー、電子機器、および移動体
JP6206650B2 (ja) 機能素子、電子機器、および移動体
JP6380737B2 (ja) 電子デバイス、電子機器、および移動体
JP5930183B2 (ja) 物理量センサーおよび電子機器
US20130228013A1 (en) Physical quantity sensor and electronic apparatus
JP6655281B2 (ja) 物理量センサー、電子機器および移動体
JP6327384B2 (ja) 物理量センサー、電子機器、および移動体
JP5935402B2 (ja) 物理量センサーおよび電子機器
JP6464608B2 (ja) 物理量センサー、電子機器および移動体
JP6766861B2 (ja) 物理量センサー、電子機器および移動体
JP6137451B2 (ja) 物理量センサー、電子機器、及び移動体
JP6544058B2 (ja) 物理量センサー、電子機器および移動体

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170216

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20171003

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171011

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171130

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171213

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20171226

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6274413

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150