JP2015154353A - 高周波電力増幅器及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る高周波電力増幅器を示す平面図である。高周波電力増幅器1の半導体基板2上に複数のトランジスタセル3が個々に分離して設けられている。複数のテスト用電極4が複数のトランジスタセル3にそれぞれ個別に接続されている。テスト用電極4により、対応するトランジスタセル3を個別に動作させる電気信号と電力をトランジスタセル3ごとに独立に外部から供給する。
図3は、本発明の実施の形態2に係る高周波電力増幅器を示す平面図である。テスト用電極4としてトランジスタセル3ごとに複数の電極4a,4b,4cが接続されている。異なる負荷を持つ複数の負荷回路7a,7b,7cが、トランジスタセル3と複数の電極4a,4b,4cとの間にそれぞれ接続されている。これにより、RFプロービング時に目的に応じてストレスの種類を使い分けることができる。例えば、RFストレス信号の周波数に応じた負荷を持つ負荷回路7a,7b,7cを選択することができる。また、負荷回路7a,7b,7cの抵抗値によりトランジスタセル3のバイアス電圧を設定することもできる。
図4は、本発明の実施の形態3に係る高周波電力増幅器を示す平面図である。トランジスタセル3と対応するテスト用電極4a,4b,4cとの間に接続された抵抗8a,8b,8cを形成する。高周波バーンイン試験において、温度モニタにより抵抗8a,8b,8cの抵抗値の変化を測定しながら電気信号の条件を調整する。これにより、試験中に簡単にDC/RFストレス信号の条件を調整することができる。
図5は、本発明の実施の形態4に係る高周波電力増幅器を示す平面図である。各トランジスタセル3に赤外線を放射する黒体9を形成する。高周波バーンイン試験において、温度モニタにより黒体の温度、即ちトランジスタセル3の温度を測定しながら電気信号の条件を調整する。これにより、試験中に簡単にDC/RFストレス信号の条件を調整することができる。
Claims (6)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に個々に分離して設けられた複数のトランジスタセルと、
前記複数のトランジスタセルにそれぞれ個別に接続され、対応する前記トランジスタセルを個別に動作させる電気信号と電力を前記トランジスタセルごとに独立に外部から供給する複数のテスト用電極とを備えることを特徴とする高周波電力増幅器。 - 前記トランジスタセルと対応する前記テスト用電極との間に接続された負荷回路を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の高周波電力増幅器。
- 前記テスト用電極は複数の電極を有し、
前記負荷回路は、前記トランジスタセルと前記複数の電極との間にそれぞれ接続され、異なる負荷を持つ複数の負荷回路を有することを特徴とする請求項2に記載の高周波電力増幅器。 - 半導体基板上に複数のトランジスタセルを個々に分離して形成する工程と、
前記複数のトランジスタセルにそれぞれ個別に接続された複数のテスト用電極を形成する工程と、
前記複数のテスト用電極の1つを用いて対応する前記トランジスタセルに独立に外部から電気信号と電力を供給して高周波バーンイン試験を行う工程とを備えることを特徴とする高周波電力増幅器の製造方法。 - 前記トランジスタセルと対応する前記テスト用電極との間に接続された抵抗を形成する工程を更に備え、
前記高周波バーンイン試験において、温度モニタにより前記抵抗の抵抗値の変化を測定しながら前記電気信号の条件を調整することを特徴とする請求項4に記載の高周波電力増幅器の製造方法。 - 各トランジスタセルに赤外線を放射する黒体を形成する工程を更に備え、
前記高周波バーンイン試験において、温度モニタにより前記黒体の温度を測定しながら前記電気信号の条件を調整することを特徴とする請求項4に記載の高周波電力増幅器の製造方法。
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