JP2015153236A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2015153236A5
JP2015153236A5 JP2014027607A JP2014027607A JP2015153236A5 JP 2015153236 A5 JP2015153236 A5 JP 2015153236A5 JP 2014027607 A JP2014027607 A JP 2014027607A JP 2014027607 A JP2014027607 A JP 2014027607A JP 2015153236 A5 JP2015153236 A5 JP 2015153236A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
counter
duty ratio
clock signal
value
clk3
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014027607A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015153236A (ja
JP6106617B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2014027607A priority Critical patent/JP6106617B2/ja
Priority claimed from JP2014027607A external-priority patent/JP6106617B2/ja
Priority to US14/608,279 priority patent/US9531383B2/en
Publication of JP2015153236A publication Critical patent/JP2015153236A/ja
Publication of JP2015153236A5 publication Critical patent/JP2015153236A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6106617B2 publication Critical patent/JP6106617B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

[構成例]
図1は、一実施の形態に係る半導体装置が適用された受信装置の一構成例を表すものである。受信装置1は、無線通信システムにおいて、無線信号を受信する装置である。なお、本開示の実施の形態に係る半導体装置の制御方法は、本実施の形態により具現化されるので、併せて説明する。受信装置1は、電源回路10と、回路ブロック11〜13と、受信部20と、間欠動作制御部30とを備えている。
値Nを“9”にした場合には、カウンタ33は、“9”からダウンカウントし(図8(C))、値Nを“8”にした場合には、カウンタ33は、“8”からダウンカウントし(図9(C))、値Nを“7”にした場合には、カウンタ33は、“7”からダウンカウントする(図10(C))。これにより、起動信号ENのデューティ比は、値Nが大きいほど小さくなり、値Nが小さいほど大きくなる。
このように、受信装置1では、デューティ比制御ワードDCTLに基づいて、起動信号ENのデューティ比を制御する。そして、制御信号生成部40は、図5等に示したように、その起動信号ENに基づいて、制御信号EN1〜EN3を生成する。すなわち、この制御信号EN1〜EN3のデューティ比もまた、デューティ比制御ワードDCTLに基づいて制御される。これにより、以下に説明するように、回路の性能を維持しつつ消費電力を低減することができる。
[変形例3]
上記実施の形態では、クロック信号生成部31は、3つのクロック信号CLK1〜CLK3を生成したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば図15に示す受信装置1Bのように、クロック信号生成部31Bが2つのクロック信号CLK1,CLK3を生成してもよい。受信装置1Bは、間欠動作制御部30Bを備えている。間欠動作制御部30Bは、クロック信号生成部31Bと、起動信号生成部32Bとを有している。起動信号生成部32Bは、カウンタ33Bを有している。カウンタ33Bは、上記実施の形態に係るカウンタ33と同様に、デューティ比制御ワードDCTL、ロード信号LD、およびカウンタ起動信号CNTENに基づいて、クロック信号CLK3のパルスをダウンカウントして、そのカウント値CNTを出力するものである。このカウンタ33Bは、クロック信号CLK2より周波数の高いクロック信号CLK3のパルスをカウントするため、カウンタ33と比べて、クロック信号CLK3のパルスをより多くカウントするように構成されている。このように構成することにより、クロック信号の数を減らすことができ、回路構成をシンプルにすることができる。
JP2014027607A 2014-02-17 2014-02-17 半導体装置およびその制御方法 Active JP6106617B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014027607A JP6106617B2 (ja) 2014-02-17 2014-02-17 半導体装置およびその制御方法
US14/608,279 US9531383B2 (en) 2014-02-17 2015-01-29 Semiconductor device and method of controlling the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014027607A JP6106617B2 (ja) 2014-02-17 2014-02-17 半導体装置およびその制御方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2015153236A JP2015153236A (ja) 2015-08-24
JP2015153236A5 true JP2015153236A5 (ja) 2016-03-03
JP6106617B2 JP6106617B2 (ja) 2017-04-05

Family

ID=53799035

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014027607A Active JP6106617B2 (ja) 2014-02-17 2014-02-17 半導体装置およびその制御方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9531383B2 (ja)
JP (1) JP6106617B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102468261B1 (ko) * 2016-02-05 2022-11-21 에스케이하이닉스 주식회사 듀티 보정 회로

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000039937A (ja) * 1998-07-22 2000-02-08 Toshiba Corp コンピュータシステムおよびそのパワーセーブ制御方法
KR101026809B1 (ko) * 2003-12-19 2011-04-04 삼성전자주식회사 임펄시브 구동 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
JP2006065471A (ja) 2004-08-25 2006-03-09 Fuji Xerox Co Ltd 半導体集積回路およびその節電制御方法および節電制御プログラム
JP4216240B2 (ja) * 2004-10-14 2009-01-28 アンリツ株式会社 短パルスレーダ
JP4771422B2 (ja) * 2006-09-14 2011-09-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 受信装置
KR101542918B1 (ko) * 2008-04-18 2015-08-10 삼성전자주식회사 액티브 차지 펌프 회로, 이를 포함하는 고전원전압발생회로 및 반도체 장치
JP2013106134A (ja) * 2011-11-11 2013-05-30 Renesas Electronics Corp 半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2835886A3 (en) Power supply module and soft start method
JP2014060921A5 (ja)
JP2014096984A5 (ja)
WO2013032753A3 (en) Systems and methods for switched-inductor integrated voltage regulators
JP2012120168A5 (ja) オフセット除去回路
MX2019009334A (es) Sistemas y metodos para la habilitacion selectiva de la operacion de un dispositivo.
GB2570190A8 (en) Gate driving circuit and display device comprising the same
JP2013229815A5 (ja)
JP2017034957A5 (ja) チャージポンプ、チャージポンプ出力電圧を発生させる方法、及び無線周波数システム
WO2014176274A3 (en) Systems and methods for adaptive load control
EP2770622A3 (en) Control device, control method, and power supply device
JP2014236666A5 (ja)
WO2016182206A3 (ko) 조명 장치 및 그의 구동 회로
TW201614405A (en) Voltage generating circuit
UA110866C2 (uk) Контури для створення сигналу з гойданням частоти
WO2014138693A3 (en) Low threshold voltage comparator
MX363907B (es) Metodo para generar una señal de excitacion para un sensor vibratorio.
RU2015102791A (ru) Способ активации удаленного устройства с локального устройства
JP2017112399A5 (ja)
WO2014022575A3 (en) Synthesizing intermediate performance levels in integrated circuits, and related processor systems, methods, and computer-readable media
TW201643587A (en) Regulator circuit and operation method thereof
EP2763317A3 (en) Direct drive waveform amplifier
WO2013188272A3 (en) Optimizing power in a memory device
WO2016050689A3 (de) Getakteter elektronischer energiewandler mit einstellbarer lückenzeit
MY177593A (en) Signal conversion