JP2015149406A - チップ抵抗器 - Google Patents
チップ抵抗器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015149406A JP2015149406A JP2014021538A JP2014021538A JP2015149406A JP 2015149406 A JP2015149406 A JP 2015149406A JP 2014021538 A JP2014021538 A JP 2014021538A JP 2014021538 A JP2014021538 A JP 2014021538A JP 2015149406 A JP2015149406 A JP 2015149406A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- insulating layer
- chip resistor
- substrate
- covering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
Abstract
【課題】マイグレーションの発生による抵抗値の変化を防止することのできるチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】チップ抵抗器1は、直方体状の絶縁性基板2と、この絶縁性基板上に所定間隔を存して対向配置された銀を主成分とする一対の表電極3と、これら両表電極間を橋絡する長方形状の抵抗体4と、この抵抗体を覆うガラス材料からなる第1絶縁層5と、この第1絶縁層を覆う樹脂材料からなる第2絶縁層と、を備えており、抵抗体と第1絶縁層に抵抗値調整用のトリミング溝7が形成されている。表電極が抵抗体の長短いずれか一方の辺部と重なる部位を接続部E1としたとき、表電極に接続部の両側から抵抗体のいずれか他方の辺部を越えて絶縁性基板の側辺に向かう突出部E2を設けると共に、第1絶縁層に前記突出部を覆う被覆部E3を設けた。
【選択図】図1
【解決手段】チップ抵抗器1は、直方体状の絶縁性基板2と、この絶縁性基板上に所定間隔を存して対向配置された銀を主成分とする一対の表電極3と、これら両表電極間を橋絡する長方形状の抵抗体4と、この抵抗体を覆うガラス材料からなる第1絶縁層5と、この第1絶縁層を覆う樹脂材料からなる第2絶縁層と、を備えており、抵抗体と第1絶縁層に抵抗値調整用のトリミング溝7が形成されている。表電極が抵抗体の長短いずれか一方の辺部と重なる部位を接続部E1としたとき、表電極に接続部の両側から抵抗体のいずれか他方の辺部を越えて絶縁性基板の側辺に向かう突出部E2を設けると共に、第1絶縁層に前記突出部を覆う被覆部E3を設けた。
【選択図】図1
Description
本発明は、面実装タイプのチップ抵抗器に関する。
図9は従来の一般的なチップ抵抗器を模式的に示す平面図、図10は図9のC−C線に沿う断面図、図11は図9のD−D線に沿う断面図である。図9に示すチップ抵抗器101は、直方体状の絶縁性基板102と、絶縁性基板102の表面に所定間隔を存して対向配置された一対の表電極103と、これら両表電極103の間を橋絡する長方形状の抵抗体104と、この抵抗体104を覆う第1絶縁層105および第2絶縁層106等によって主として構成されている。なお、図示省略されているが、絶縁性基板102の裏面には表電極103に対応するように一対の裏電極が設けられており、絶縁性基板2の短手方向に沿う両端面には表電極103と裏電極を橋絡する端面電極が設けられている。
絶縁性基板102は、大判基板を縦横の分割溝に沿って分割して多数個取りされたものであり、大判基板はアルミナを主成分とするセラミックス基板である。また、表電極103は銀を主成分とする導電材料からなり、抵抗体104は酸化ルテニウム等からなる。第1絶縁層105は耐熱性に優れたガラス材料からなり、この第1絶縁層105で抵抗体104を覆った後に、抵抗体104と第1絶縁層105の一部に抵抗値を調整するためのトリミング溝107が形成される。その後、外的環境により抵抗体104の抵抗値が変わらないようにするために、第1絶縁層105の全体を覆い隠すようにして第2絶縁層106が形成される。
近年では、低温で硬化可能な樹脂材料を用いて第2絶縁層106の形成を行ったチップ抵抗器101が主流となりつつある。ここで、チップ抵抗器101の製造過程において、第1絶縁層105で抵抗体104を覆うと、第1絶縁層105の両端面105aと絶縁性基板102の板面102bとによって段差部分が生じ、その後に第2絶縁層106で第1絶縁層105を覆うとき、第2絶縁層106と前記段差部分との間に隙間S200が生じ易くなる(図10参照)。したがって、このようなチップ抵抗器101を高湿度のもとで使用すると、樹脂はガラスに比べて耐湿性に乏しいため、第2絶縁層106を水分が透過して隙間S200に蓄積され、表電極103の主成分である銀が隙間S200に蓄積された水分を伝って移動するマイグレーションを発生させることがある。そして、表電極103の銀がトリミング溝107まで到達すると、トリミング溝107に露出する抵抗体104の破断面と表電極103との間で短絡して、チップ抵抗器101の抵抗値が変動するという問題が起こる。
そこで、マイグレーションの発生を抑制するために、例えば、樹脂材料を用いた保護膜によって抵抗体を被覆し、この保護膜に撥水処理を施したチップ抵抗器が提案されている(特許文献1)。この特許文献1に記載されたチップ抵抗器は、セラミック基板(絶縁性基板102)と、このセラミック基板の端面に対向配置された一対の外部電極(表電極103)と、これら外部電極の間を橋絡する抵抗体と、この抵抗体を覆う樹脂材料からなる保護膜(第2絶縁層106)とで構成されており、保護膜の表面には撥水膜を有する無機フィラーが露出している。特許文献1の記載によると、保護膜に施された撥水膜により水分の吸着を防止することでマイグレーションの発生を抑制している。
しかし、樹脂はガラスに比べて密着性に乏しいため、樹脂を用いて第2絶縁層106を形成すると、絶縁性基板102の長手方向に沿う両端面102aと第2絶縁層106の両端面106aとの間に第1絶縁層105の両端面105aまで通じる隙間S100が生じ易くなる(図10参照)。そして、隙間S100と隙間S200とが繋がった場合には、樹脂材料からなる第2絶縁層106に撥水膜を形成したとしても、あるいは、高耐湿の樹脂材料を用いて第2絶縁層を形成したとしても、隙間S200内への水分の侵入を阻止することができない。
さらに、第1絶縁層105の両端面105aの一端面にはトリミング溝107が形成されていることから(図10参照)、隙間S200は表電極103の銀をトリミング溝107まで移動可能とする経路となり得る。この場合、表電極103の銀が隙間S200内に侵入した水分を伝ってトリミング溝107まで到達可能となるため、マイグレーションに起因する抵抗値の変動を抑制することができなくなる。
本発明は、上記した従来技術の実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、マイグレーションに起因する抵抗値の変動を抑制することのできるチップ抵抗器を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明のチップ抵抗器は、直方体状の絶縁性基板と、この絶縁性基板上に所定間隔を存して対向配置された銀を主成分とする一対の表電極と、これら両表電極間を橋絡する長方形状の抵抗体と、この抵抗体を覆うガラス材料からなる第1絶縁層と、この第1絶縁層を覆う樹脂材料からなる第2絶縁層と、を備え、前記抵抗体と前記第1絶縁層にトリミング溝を形成して抵抗値を調整するようにしたチップ抵抗器において、前記表電極が前記抵抗体の長短いずれか一方の辺部と重なる部位を接続部としたとき、前記表電極に前記接続部の両側から前記抵抗体のいずれか他方の辺部を越えて前記絶縁性基板の側辺に向かう突出部を設けると共に、前記第1絶縁層に前記突出部を覆う被覆部を設けたことを特徴とする。
このように構成されたチップ抵抗器では、表電極と抵抗体とが重なる部位を接続部としたとき、この接続部の両側に設けられた表電極の突出部を第1絶縁層の被覆部で覆う構造になっている。すなわち、本構成のチップ抵抗器は、表電極の主成分である銀がトリミング溝に到達するまでの経路上に第1絶縁層の被覆部が存在するため、第1絶縁層の被覆部によりマイグレーションに起因する抵抗値の変動を抑制することができる。
また、上記構成において、前記被覆部を前記突出部から前記絶縁性基板の前記側辺に至る範囲まで帯状に延出させると、表電極の主成分である銀がトリミング溝に到達するまでの経路を完全に遮断することができるため、マイグレーションの発生をより確実に防止することができる。
また、上記構成において、前記被覆部を前記絶縁性基板の前記側辺に至る手前位置まで延出させてから当該側辺と直交する他側辺まで連続させると、表電極の側縁部が第1絶縁層の被覆部によって覆われるため、表電極の銀の移動を完全に封じることができる。
本発明のチップ抵抗器では、表電極間に橋絡される抵抗体を覆う第1絶縁層に被覆部を設け、この被覆部で表電極の突出部を覆うようになっているため、表電極の主成分である銀がトリミング溝に到達するまでの経路上に密着性の良い第1絶縁層の被覆部が存在することになり、この被覆部によってマイグレーションに起因する抵抗値の変動を抑制することができる。
以下、発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、図1は第1実施形態例に係るチップ抵抗器を模式的に示す平面図であるが、便宜上、第2絶縁層6(図6参照)の図示を省略している。また、図2は図1のA−A線に沿う断面図であり、図3は図1のB−B線に沿う断面図である。
図1に示すチップ抵抗器1は、直方体形状の絶縁性基板2と、絶縁性基板2の表面の長手方向両端部に設けられた一対の表電極3と、これら両表電極3の間を橋絡する長方形状の抵抗体4と、抵抗体4を覆うガラス材料からなる第1絶縁層5と、第1絶縁層5を覆う樹脂材料からなる第2絶縁層6等によって主として構成されている。なお、図示省略されているが、絶縁性基板2の裏面には表電極3に対応するように一対の裏電極が設けられており、絶縁性基板2の短手方向に沿う両端面には表電極3と裏電極を橋絡する端面電極が設けられている。
絶縁性基板2は、後述する大判基板40を縦横の分割溝41,42に沿って分割して多数個取りされたものであり、大判基板40の主成分はアルミナを主成分とするセラミックス基板である。表電極3と裏電極の主成分は銀であり、抵抗体4は酸化ルテニウム等からなる。そして、この抵抗体4と第1絶縁層5にトリミング溝7を形成することによってチップ抵抗器1の抵抗値が調整されている。
図1に示すように、表電極3は、図の上下方向へ延びる対向辺3aと、この対向辺3aの両端から直交する左右方向へ延びる一対の側縁部3bとを有し、全体的に矩形状に形成されている。一対の表電極3は互いの対向辺3aが平行になるように配置されており、各対向辺3aに抵抗体4の長手方向両端部が重なっている。ここで、表電極3と抵抗体4とが重なる部位を接続部E1(図中の斜線部分)とすると、表電極3には、接続部E1の両側から抵抗体4の短手方向両端部を越えて絶縁性基板2の長辺に向かう突出部E2が設けられる。また、第1絶縁層5には表電極3の突出部E2を覆う被覆部E3が設けられており、第1絶縁層5は抵抗体4の全体と突出部E2とを被覆するように形成される。そして、抵抗体4と第1絶縁層5にトリミング溝7を形成した後に、外的環境により抵抗体4の抵抗値が変わらないようにするために、第1絶縁層5の全体と絶縁性基板2の大部分を覆い隠すようにして第2絶縁層6が形成される。
なお、第1実施形態例における「接続部E1」が本発明の「表電極が抵抗体の一方の辺部と重なる部位(接続部)」に相当し、第1実施形態例における「突出部E2」が本発明の「表電極に接続部の両側から抵抗体の他方の辺部を越えて絶縁性基板の側辺に向かう突出部」に相当する。
次に、このチップ抵抗器1の製造工程(第1工程〜第12工程)について、図4〜図6を用いて説明する。
まず、第1工程として、絶縁性基板2が多数個取りされる大判基板40の表面40aに、Ag/Pdペーストをスクリーン印刷して乾燥させることによって未焼成の表電極3を形成する(図4(1))。なお、大判基板40には予め1次分割溝41と2次分割溝42が格子状に設けられており、両分割溝41,42によって区切られたマス目の1つ1つが1個分のチップ領域となるが、表電極層3は1次分割溝41を介して隣接する一方のチップ領域の長手方向一端部と他方のチップ領域の長手方向他端部とに連続的に形成する。
なお、図示省略してあるが、上記第1工程に前後して、絶縁性基板2が多数個取りされる大判基板40の裏面に、Agペーストをスクリーン印刷して乾燥させることによって未焼成の裏電極を形成する(図示せず)。これら裏電極群の形成位置と表電極3群の形成位置はほぼ対応している。
次に、第2工程として、表電極3と裏電極を850℃程度の高温で焼成する。これにより、大判基板40の表面40aと裏面にそれぞれ焼成銀からなる表電極3と裏電極が密着して固定される。
次に、第3工程として、大判基板40の表面40aに酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥させることにより、各チップ領域に未焼成の抵抗体4を形成する(図4(2))。その際、表電極3が抵抗体4の長手方向両端部と重なるようにして合わせ置かれるが、抵抗体4の短辺を表電極3の前記対向辺3aよりも短く形成していることから、前記接続部E1の両側に前記突出部E2が現れる(図4(3))。そして、次なる第4工程で、この抵抗体4を850℃程度の高温で焼成する。
次に、第5工程として、抵抗体4と突出部E2とを覆う領域にガラスペーストをスクリーン印刷した後、第6工程でこのガラスペーストを600℃程度の高温で焼成することにより、抵抗体4を覆う第1絶縁層5を形成する(図5(1))。なお、上述のように、第1絶縁層5には表電極3の突出部E2を覆う被覆部E3が設けられており、この被覆部E3で突出部E2を覆うと、被覆部E3の一部は表電極3の前記側縁部3bを越えて絶縁性基板2の長辺の手前まで突出する(図5(2))。この第1絶縁層5は、次工程で照射されるレーザーの熱で抵抗体4のトリミング溝7近傍が損傷しないようにするためのものである。なお、第5,6工程において、第1絶縁層5の長手方向に沿う両端面5aと絶縁性基板2の板面2bとによって段差部分が生じる(図2参照)。
次に、第7工程として、抵抗体4および第1絶縁層5にレーザーを照射してトリミング溝7を形成することにより、所望の抵抗値に調整する(図5(3))。なお、トリミング溝7には抵抗体4の破断面が露出する。
次に、第8工程として、第1絶縁層5やトリミング溝7を覆うようにエポキシ系等の樹脂ペーストをスクリーン印刷した後、第9工程でこの樹脂ペーストを200℃程度の低温で加熱硬化させることにより、第2絶縁層6を形成する(図6(1))。なお、第8工程において、第2絶縁層6で第1絶縁層5を覆うとき、第2絶縁層6と前記段差部分との間に隙間S2(図2参照)が生じ易くなる。そして、第1絶縁層5の両端面5aの一端面にはトリミング溝7が形成されていることから、隙間S2は表電極3の主成分である銀がトリミング溝7まで移動可能な隙間(以下、移動経路と言う)となり得る。
ここまでの工程は多数個取り用の大判基板40に対する一括処理であるが、次なる第10工程では、ブレークによって大判基板40を1次分割溝41に沿って短冊状に分割するという1次ブレーク加工を行う。これにより、複数個分のチップ領域が設けられた短冊状基板43を得る(図6(2))。
次に、第11工程で、短冊状基板43の分割面にNi/Crをスパッタリングすることにより、表電極3と裏電極を橋絡する端面電極(図示せず)を形成する。そして、次の第12工程で、短冊状基板43を2次分割溝42に沿って分割するという2次ブレーク加工を行うことにより(図6(3))、チップ抵抗器1が完成する(図1)。
なお、第1実施形態例の第2絶縁層6は、ガラスに比べて密着性に乏しい樹脂材料を用いて形成されているため、第12工程において2次ブレーク加工が行われると、絶縁性基板2の長手方向に沿う側面2aと第2絶縁層6の側面6aとの間に第1絶縁層5の両端面5aまで通じる隙間S1(図2参照)が生じ易くなる。この隙間S1が上記した隙間S2と繋がり、かつ、当該隙間S2が上記した移動経路となると、この移動経路内に水分が移動してきて、マイグレーションが発生しやすい状態となる。そして、マイグレーションが発生して表電極3の銀がトリミング溝7に露出する抵抗体4の破断面に到達した場合には、トリミング溝7と表電極3との間で短絡して、チップ抵抗器1の抵抗値が変動する。
ここで、第1実施形態例の第1絶縁層5には表電極3の突出部E2を覆う被覆部E3が設けられているため、マイグレーションが発生したとしても、表電極3の銀がトリミング溝7に到達するためには、必ず被覆部E3の周縁を移動しなければならない。つまり、第1実施形態例のチップ抵抗器1では、表電極3の主成分である銀がトリミング溝7に到達するまでの移動経路上に被覆部E3が存在するため、表電極3からトリミング溝7までの沿面距離が被覆部E3によって長くなり、マイグレーションに起因する抵抗値の変動を抑制することができる。
なお、第1実施形態例では、表電極3を絶縁性基板2の長手方向両端部に対向配置すると共に、抵抗体4の長手方向両端部を表電極3と重なるようにして、抵抗体4を両表電極3の間に橋絡させているが(図4(2),(3))、これに限られず、表電極3を絶縁性基板2の短手方向両端部に形成した後、抵抗体4の短手方向両端部を表電極3と重なるようして、抵抗体4を両表電極3の間に橋絡させても良い。このように表電極3と抵抗体4とを配置させたとしても、第1実施形態例の奏する効果、すなわち、マイグレーション起因する抵抗値の変動を抑制するという効果を得ることが可能であることは言うまでもない。
なお、第1実施形態例では、表電極3の対向辺3aが絶縁性基板2の短辺と略平行となって図1の上下方向に延びているが、これに限られず、表電極3の対向辺3aが絶縁性基板2の短辺と略平行とならない構成、すなわち、表電極3の対向辺3aが絶縁性基板2の短辺に対して所定の角度(例えば15度)となるような構成であっても良い。このようにしても、第1実施形態例の奏する効果を得ることが可能であることは言うまでもない。
続いて、本発明の第2実施形態例に係るチップ抵抗器について説明する。第2実施形態例に係るチップ抵抗器は、第1実施形態例に係るチップ抵抗器1と比較すると、第1絶縁層5の被覆部E3が表電極3の側縁部3bを越えて絶縁性基板2の長辺まで突出している点で相違する。そこで、第1実施形態例と相違する部分について説明をし、同じ部分については説明を省略する。
図7に示すように、第2実施形態例に係るチップ抵抗器は、第1絶縁層5の被覆部E3を突出部E2から絶縁性基板2の長辺に至る全範囲に亘って帯状に延出させている。その結果、表電極3の銀がトリミング溝7まで移動するための前記移動経路が完全に遮断されるため、マイグレーションの発生をより確実に防止することができる。
続いて、本発明の第3実施形態例に係るチップ抵抗器について説明する。第3実施形態例に係るチップ抵抗器は、第1,第2実施形態例に係るチップ抵抗器と比較すると、第1絶縁層5の被覆部E3が表電極3の側縁部3bを被覆している点で相違する。そこで、第1,第2実施形態例と相違する部分について説明をし、同じ部分については説明を省略する。
図8に示すように、第3実施形態例に係るチップ抵抗器は、第1絶縁層5の被覆部E3を絶縁性基板2の長辺に至る手前位置まで延出させてから絶縁性基板2の短辺まで連続させている。このため、第3実施形態例に係るチップ抵抗器は、表電極3の側縁部3bが第1絶縁層5の被覆部E3によって覆われるため、表電極3の銀の移動を完全に封じることができる。
また、第3実施形態例に係るチップ抵抗器では、被覆部E3を絶縁性基板2の長辺に至る手前位置まで延出させた構造、すなわち、被覆部E3が2次分割溝42を覆わない構造となっているため、第12工程の2次ブレーク加工を行いやすい。なお、第3実施形態例における「絶縁性基板2の長辺」が本発明の「絶縁性基板の側辺」に相当し、第3実施形態例における「絶縁性基板2の短辺」が本発明の「絶縁性基板の他側辺」に相当する。
1 チップ抵抗器
2 絶縁性基板
3 表電極
4 抵抗体
5 第1絶縁層
6 第2絶縁層
7 トリミング溝
40 大判基板
41 1次分割溝
42 2次分割溝
S1 隙間
S2 隙間
E1 接続部
E2 突出部
E3 被覆部
2 絶縁性基板
3 表電極
4 抵抗体
5 第1絶縁層
6 第2絶縁層
7 トリミング溝
40 大判基板
41 1次分割溝
42 2次分割溝
S1 隙間
S2 隙間
E1 接続部
E2 突出部
E3 被覆部
Claims (3)
- 直方体状の絶縁性基板と、この絶縁性基板上に所定間隔を存して対向配置された銀を主成分とする一対の表電極と、これら両表電極間を橋絡する長方形状の抵抗体と、この抵抗体を覆うガラス材料からなる第1絶縁層と、この第1絶縁層を覆う樹脂材料からなる第2絶縁層と、を備え、
前記抵抗体と前記第1絶縁層にトリミング溝を形成して抵抗値を調整するようにしたチップ抵抗器において、
前記表電極が前記抵抗体の長短いずれか一方の辺部と重なる部位を接続部としたとき、前記表電極に前記接続部の両側から前記抵抗体のいずれか他方の辺部を越えて前記絶縁性基板の側辺に向かう突出部を設けると共に、前記第1絶縁層に前記突出部を覆う被覆部を設けたことを特徴とするチップ抵抗器。 - 請求項1の記載において、
前記被覆部を前記突出部から前記側辺に至る範囲まで帯状に延出させたことを特徴とするチップ抵抗器。 - 請求項1の記載において、
前記被覆部を前記絶縁性基板の前記側辺に至る手前位置まで延出させてから当該側辺と直交する他側辺まで連続させたことを特徴とするチップ抵抗器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014021538A JP2015149406A (ja) | 2014-02-06 | 2014-02-06 | チップ抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014021538A JP2015149406A (ja) | 2014-02-06 | 2014-02-06 | チップ抵抗器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015149406A true JP2015149406A (ja) | 2015-08-20 |
Family
ID=53892541
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014021538A Pending JP2015149406A (ja) | 2014-02-06 | 2014-02-06 | チップ抵抗器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015149406A (ja) |
-
2014
- 2014-02-06 JP JP2014021538A patent/JP2015149406A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6181500B2 (ja) | チップ抵抗器およびその製造方法 | |
JP6479361B2 (ja) | チップ抵抗器 | |
WO2016158240A1 (ja) | チップ抵抗器 | |
JP6371080B2 (ja) | チップ抵抗器の製造方法 | |
JP6393484B2 (ja) | チップ抵抗器 | |
CN111279443B (zh) | 片式电阻器及片式电阻器的制造方法 | |
WO2016167182A1 (ja) | チップ抵抗器およびその製造方法 | |
JP2015149406A (ja) | チップ抵抗器 | |
US10276285B2 (en) | Chip resistor | |
JP6615637B2 (ja) | チップ抵抗器の製造方法 | |
JP2015230922A (ja) | チップ抵抗器の製造方法 | |
JP6170726B2 (ja) | チップ抵抗器の製造方法 | |
JPWO2018061961A1 (ja) | チップ抵抗器 | |
JP6749752B2 (ja) | チップ抵抗器およびチップ抵抗器の製造方法 | |
JP2017045861A (ja) | チップ抵抗器およびチップ抵抗器の製造方法 | |
JP2021086837A (ja) | チップ抵抗器 | |
JP6695415B2 (ja) | チップ抵抗器 | |
JP2017130568A (ja) | チップ抵抗器 | |
JP2018088497A (ja) | チップ抵抗器およびチップ抵抗器の製造方法 | |
JP2016131169A (ja) | チップ抵抗器 | |
JP2018107375A (ja) | チップ抵抗器 | |
JP2017017198A (ja) | チップ抵抗器の製造方法 | |
JP2018107373A (ja) | チップ抵抗器 | |
JP2018195638A (ja) | チップ抵抗器の製造方法 | |
JP2019201139A (ja) | チップ抵抗器の製造方法 |