JP2015147866A - 接合方法、デバイスおよび接合装置 - Google Patents
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Abstract
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特許文献1 特開2013−098186号公報
Si(C2H5O)4+4H2O → Si(OH)4+4C2H5OH・・・(式1)
2Si(C2H5O)4 → Si(OH)3−O−Si(OH)3+H2O・・(式2)
Claims (18)
- 第一基板の接合面および第二基板の接合面を接合する接合方法であって、
前記第一基板の前記接合面の一部に、珪素化合物溶液を付着させる付着段階と、
前記第一基板および前記第二基板の間に前記珪素化合物溶液が満たされた状態で、前記第一基板の接合面に前記第二基板の接合面を重ね合わせる重ね合わせ段階と
を備え、前記珪素化合物溶液における縮合反応により生じたゲルにより前記第一基板および前記第二基板を相互に接合させる接合方法。 - 前記付着段階よりも前に、塩酸、アンモニアないしはアルコール類を含む触媒の存在下で前記珪素化合物溶液に加水分解を開始させる段階を含む請求項1記載の接合方法。
- 前記重ね合わせ段階よりも前に、前記珪素化合物溶液を攪拌することにより、前記珪素化合物溶液における珪酸の縮合反応を進行させる段階を含む請求項1または2に記載の接合方法。
- 前記重ね合わせ段階よりも前に、UV照射またはプラズマ処理により、前記珪素化合物溶液における縮合反応を進行させる段階を含む請求項1から3までのいずれか一項に記載の接合方法。
- 前記付着段階よりも前に、前記珪素化合物溶液における加水分解反応を開始させる段階を含む請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載の接合方法。
- 前記付着段階よりも後に、前記珪素化合物溶液における縮合反応を開始させる段階を含む請求項1から5までのいずれか一項に記載の接合方法。
- 前記重ね合わせ段階よりも後に、前記珪素化合物溶液における加水分解反応および縮合反応のいずれかにより生じた液体を除去する除去段階を更に備える請求項1から6までのいずれか一項に記載の接合方法。
- 前記除去段階は、前記ゲルを挟んだ前記第一基板および前記第二基板を加圧した状態を継続する段階を含む請求項7に記載の接合方法。
- 前記除去段階は、前記ゲルを挟んだ前記第一基板および前記第二基板を加熱する段階を含む請求項7に記載の接合方法。
- 前記除去段階は、前記ゲルを挟んだ前記第一基板および前記第二基板を減圧環境下で加熱する段階を含む請求項7に記載の接合方法。
- 前記重ね合わせ段階は、前記第一基板の前記接合面の一部に前記珪素化合物溶液の液滴を形成する液滴形成段階と、
前記珪素化合物溶液の液滴に前記第二基板を接触させる接触段階と
を含む請求項1から請求項10までのいずれか一項に記載の接合方法。 - 前記液滴形成段階は、前記第一基板の表面において、面方向の中央に前記液滴を形成する段階を含む請求項11に記載の接合方法。
- 前記重ね合わせ段階は、前記第一基板および前記第二基板を、面方向の中央において加圧する段階を含む請求項12に記載の接合方法。
- 前記付着段階は、塩酸、アンモニアないしはアルコール類を含む触媒の溶液で前記第一基板または前記第二基板の前記接合面を洗浄する段階を含む請求項2から12までのいずれか一項に記載の接合方法。
- 前記珪素化合物溶液は、珪素アルコキシド、オルトケイ酸テトラエチル、水素化珪素化合物のいずれかと、水を含む溶液である、請求項1から14までのいずれか一項に記載の接合方法。
- 請求項1から15までのいずれか一項に記載の接合方法により接合された積層基板を備えるデバイス。
- 第一基板の接合面および第二基板の接合面を接合する接合装置であって、
前記第一基板の前記接合面の一部に、珪素化合物溶液を付着させる付着部と、
前記第一基板および前記第二基板の間に前記珪素化合物溶液が満たされた状態で、前記第一基板の接合面に前記第二基板の接合面を重ね合わせる重ね合わせ部と
を備え、前記珪素化合物溶液における縮合反応により生じたゲルにより前記第一基板および前記第二基板を相互に接合させる接合装置。 - 前記珪素化合物溶液は、珪素アルコキシド、オルトケイ酸テトラエチル、水素化珪素化合物のいずれかと、水を含む溶液であることを特徴とする、請求項17記載の接合装置。
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2014
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