JP2015146288A - 質量分析装置 - Google Patents

Abstract

【課題】質量精度を向上させることができる質量分析装置を提供する。
【解決手段】質量分析装置１００は、試料Ｓを測定領域ごとにイオン化して、当該測定領域ごとに質量分析を行う測定部１０と、測定部１０の測定結果に基づいて、測定領域ごとにマススペクトルを生成するスペクトル生成部２２０と、少なくとも２つの測定領域を１つのブロックとし、当該ブロックごとに測定領域のマススペクトルを積算し、積算されたマススペクトルに基づいて、前記ブロックごとに前記測定領域のマススペクトルの質量電荷比を補正する質量補正部２２２と、を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、質量分析装置に関する。

飛行時間質量分析計（Ｔｉｍｅ−ｏｆ−Ｆｌｉｇｈｔ ｍａｓｓ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ，ＴＯＦＭＳ）は、一定量のエネルギーを与えてイオンを加速・飛行させ、検出器に到達するまでに要する時間からイオンの質量電荷比（ｍ／ｚ）を求める質量分析装置である。

ＴＯＦＭＳでは、イオンを一定の加速電圧Ｖ_ａで加速する。このとき、イオンの速度ｖは、エネルギー保存則から以下のように表される。

ただし、ｍはイオンの質量、ｚはイオンの価数、ｅは素電荷である。

そのため、一定の距離Ｌの後に置いた検出器に到達するまでの飛行時間Ｔは次式（３）で表される。

式（３）からわかるように、飛行時間Ｔがイオンの質量ｍによって異なることを利用して、イオンをｍ／ｚ値で分離することができる。

ＴＯＦＭＳの質量分解能は、総飛行時間をＴ、ピーク幅をΔＴとすると、次式（４）で定義される。

式（４）からわかるように、ピーク幅ΔＴを一定にして、総飛行時間Ｔを延ばすことができれば、質量分解能を向上できる。

質量分離を行うイオン光学系で最もシンプルなものは、イオン源で加速したイオン群を
直線的に飛行させる直線型ＴＯＦＭＳである。また、イオン源と検出器の間に反射場を置くことにより、飛行距離を延長することができる反射型ＴＯＦＭＳも広く利用されている。

直線型、反射型の飛行時間質量分析計では、総飛行時間Ｔを長くすること、すなわち、総飛行距離を延ばすことは、装置の大型化に直結する。装置の大型化を避け、かつ高質量分解能を実現するために開発された装置が、多重周回型ＴＯＦＭＳ（非特許文献１）である。多重周回型ＴＯＦＭＳでは、円筒電場にマツダプレートを組み合わせたトロイダル電場を４個用い、８の字型の周回軌道を多重周回させることにより、総飛行時間Ｔを延ばしている。また、多重周回型ＴＯＦＭＳでは、初期位置、初期角度、初期運動エネルギーによる検出面での空間的な広がりと時間的な広がりを１次の項まで収束させることに成功している。

飛行時間質量分析計では、測定した飛行時間Ｔを、ｍ／ｚに変換する必要がある。上記（３）式は、もっとも簡単な飛行時間Ｔとｍ／ｚの関係を表しているが、実際には多項式で変換することが多い。次式（５）は、飛行時間Ｔとｍ／ｚの関係を２次式で表した場合である。

ａ，ｂ，ｃは定数であり、例えば、ｍ／ｚが既知の化合物を３点以上測定し、決定することができる。

ＴＯＦＭＳのイオン源の１つに、プレートに塗布した試料あるいは固体状の試料そのものにレーザー照射して測定対象化合物をイオン化するレーザー脱離イオン化法（Ｌａｓｅｒ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ／Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ，ＬＤＩ）がある。レーザー脱離イオン化法は、測定対象によってはイオン化効率が悪い場合がある。そのため、使用するレーザー光の波長に吸収帯を持ちイオン化を促進させるマトリックス（液体や結晶性の化合物、金属粉など）に試料を混合溶解させて固化し、これにレーザー照射して試料を気化あるいはイオン化させるマトリックス支援レーザー脱離イオン化法（Ｍａｔｒｉｘ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ／Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ，ＭＡＬＤＩ）が広く使用されている。また、近年、イオン化の促進のために、プレート上にナノ構造を施した表面支援レーザー脱離イオン化法（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｌａｓｅｒ
Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ／Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ，ＳＡＬＤＩ）も研究が進んでいる。

このような質量分析計を用いて、２次元の位置情報と各位置に含まれる化合物の質量と存在量の情報を得る手法は、マスイメージング（ＭＳＩ）と呼ばれている（非特許文献２参照）。マスイメージングにおいて、イオン化法としては、例えば、上述したＭＡＬＤＩを中心としたレーザー脱離イオン化を使用するもの、高速粒子を利用した二次イオン質量分析法（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ，ＳＩＭＳ）を使用するものがある。マスイメージングでは、例えば、試料が配置されたステージをＸ，Ｙ軸方向に二次元に走査し、マススペクトルを測定していく。データの情報としては、（Ｘ，Ｙ，ｍ／ｚ，イオン強度）となる。データ取得中あるいは取得後に、特定のｍ／ｚ（すなわち特定の化合物）についての強度分布の情報や、特定の領域に局在する化合物の情報を得ることができる。

マスイメージングでは、測定時間が比較的長いことによる系統誤差、試料表面の傾き、試料表面（特にマトリックス結晶）の凹凸等により、質量軸がドリフトする場合がある。
質量軸のドリフトとは、飛行時間Ｔからｍ／ｚ値を算出する際に誤差が生じることである。

質量軸を較正する方法として、例えば特許文献１には、質量電荷比が既知である化合物（内部標準物質）を目的試料とともに質量分析してその実測の質量電荷比を求め、実測値と理論値とを比較して較正情報を作成し、当該較正情報に基づいて質量較正を行う方法が開示されている。

特開２０１０−２０５４６０号公報

Ｍ．Ｔｏｙｏｄａ，Ｄ．Ｏｋｕｍｕｒａ，Ｍ．Ｉｓｈｉｈａｒａ ａｎｄ Ｉ．Ｋａｔａｋｕｓｅ，Ｊ．Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍ，２００３，３８，１１２５−１１４２ Ｒ．Ｍ．Ｃａｐｒｉｏｌｉ，Ｔ．Ｂ．Ｆａｒｍｅｒ，ａｎｄ Ｊ．Ｇｉｌｅ，Ａｎａｌ．Ｃｈｅｍ．，６９，４７５１（１９９７）

ここで、マスイメージングでは、１つの測定領域（測定点）で発生するイオン量をそれほど多くできないため、マスイメージを構成する１つ１つのマススペクトルのＳＮ比を高めることは難しい。そのため、マスイメージングを構成する各マススペクトルの質量軸のドリフトを補正しようとしても、補正ができない、あるいは補正後の質量精度を向上できない場合がある。

本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、質量精度を向上させることができる質量分析装置を提供することにある。

（１）本発明に係る質量分析装置は、
試料を測定領域ごとにイオン化して、当該測定領域ごとに質量分析を行う測定部と、
前記測定部の測定結果に基づいて、前記測定領域ごとにマススペクトルを生成するスペクトル生成部と、
少なくとも２つの前記測定領域を１つのブロックとし、当該ブロックごとに前記測定領域のマススペクトルを積算し、積算されたマススペクトルに基づいて、前記ブロックごとに前記測定領域のマススペクトルの質量電荷比を補正する質量補正部と、
を含む。

このような質量分析装置では、例えば、１つの測定領域のマススペクトルに基づいて質量電荷比の補正を行った場合と比べて、スペクトルのＳＮ比を向上させることができる。そのため、このような質量分析装置では、マススペクトルの質量軸のドリフトを精度よく補正することができ、質量精度を向上させることができる。

（２）本発明に係る質量分析装置において、
前記測定部は、１つの前記ブロックに含まれる前記測定領域をすべて測定した後に、次の前記ブロックに含まれる前記測定領域を測定してもよい。

このような質量分析装置では、例えば時間の経過による系統誤差の影響を低減させることができ、質量精度を向上させることができる。

（３）本発明に係る質量分析装置において、
前記質量補正部は、前記ブロックごとに積算されたマススペクトルにおいて、質量電荷比の第１範囲にピークが存在している場合には、前記第１範囲に存在するピークを用いて質量電荷比を補正し、前記第１範囲にピークが存在しない場合には、前記第１範囲とは異なる質量電荷比の第２範囲に存在するピークを用いて質量電荷比を補正してもよい。

このような質量分析装置では、質量電荷比を補正できない補正ブロックを減らすことができる。

（４）本発明に係る質量分析装置において、
前記質量補正部は、飛行時間を質量電荷比に変換するためキャリブレーション条件を求めて質量電荷比を補正してもよい。

このような質量分析装置では、質量精度を向上させることができる。

（５）本発明に係る質量分析装置において、
異なる前記キャリブレーション条件で補正されたマススペクトルについて、各マススペクトルのデータ間隔を揃えるデータ処理部を含み、
前記データ処理部は、各マススペクトルのデータ間隔を、補正されたマススペクトルのうちのいずれか１つのマススペクトルのデータ間隔に揃えてもよい。

このような質量分析装置では、データ間隔を揃えたマススペクトルについても、測定したマススペクトルと同様に扱うことができる。すなわち、例えば、データ間隔を揃えたマススペクトルについても、質量電荷比の軸を飛行時間の軸に変換することができる。

（６）本発明に係る質量分析装置において、
前記測定部は、
前記測定領域にレーザー光を照射してイオン化するイオン源と、
前記イオン源で生成されたイオンを質量分離して検出する質量分析部と、
を含んでいてもよい。

（７）本発明に係る質量分析装置において、
前記質量分析部は、前記イオン源で生成されたイオンを飛行時間に基づいて分離してもよい。

（８）本発明に係る質量分析装置において、
前記質量補正部で補正された前記測定領域ごとのマススペクトルから、前記測定領域の位置情報と、各前記測定領域に含まれる化合物の質量の情報を取得するマスイメージング部を含んでいてもよい。

このような質量分析装置では、例えば、特定の化合物についての強度分布の情報や、特定の領域に局在する化合物の情報を得ることができる。

第１実施形態に係る質量分析装置の構成を示す図。 試料の測定の対称となる領域を測定領域ごとに分割した状態を模式的に示す図。 第１実施形態に係る質量分析装置のイオン源を模式的に示す図。 第１実施形態に係る質量分析装置の質量分析部の構成の一例を示す図。 補正ブロックを説明するための図。 マススペクトルのデータ間隔を揃える処理の一例を説明するための図。 マススペクトルのデータ間隔を揃える処理の一例を説明するための図。 第３実施形態に係る質量分析装置の測定部の測定順を説明するための図。 第５実施形態に係る質量分析装置の測定部の構成の一例を示す図。

以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。

１． 第１実施形態
まず、第１実施形態に係る質量分析装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態に係る質量分析装置（ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳ）１００の構成を示す図である。

質量分析装置１００は、図１に示すように、測定部１０と、処理部２０と、操作部３０と、表示部３２と、記憶部３４と、情報記憶媒体３６と、を含む。

測定部１０は、試料Ｓを測定領域ごとにイオン化して、当該測定領域ごとに質量分析を行う。図２は、試料Ｓの測定の対称となる領域を、測定領域Ａごとに分割した状態を模式的に示す図である。測定部１０は、図２に示すように、測定の対象となる領域を、複数の測定領域Ａに分割して、質量分析を行う。測定領域Ａの数は特に限定されず、任意に設定することができる。測定領域Ａの位置は、図示の例では、二次元の直交座標系（測定領域Ａ（Ｘ，Ｙ））として表わされる。測定部１０が測定領域Ａごとに測定を行うことにより、後述するように１つの測定領域Ａに対して１つのマススペクトルＭ_Ａが得られる。

測定部１０は、例えば、測定領域Ａ（０，０）から測定を開始し、測定領域Ａ（１，０）、（２，０）、・・・、（ｎ_ｘ，０）の順で１行目の測定を行うと、次に測定領域Ａ（０，１）、（１，１）、・・・、（ｎ_ｘ，１）の順で２行目の測定を行う。測定部１０は、２行目以降についても同様の測定を行い、測定領域Ａ（ｎ_ｘ，ｎ_ｙ）まで測定を行う。なお、ｎ_ｘ，ｎ_ｙは、正の整数である。

測定部１０は、図１に示すように、イオン源１０ａと、質量分析部１０ｂと、を含んで構成されている。

イオン源１０ａは、所定の方法で試料をイオン化し、生成されたイオンを一定のパルス電圧で加速する。本実施形態では、イオン源１０ａは、マトリックス支援レーザー脱離イオン化（ＭＡＬＤＩ）法を用いて試料Ｓをイオン化する。

図３は、質量分析装置１００のイオン源１０ａを模式的に示す図である。イオン源１０ａは、図３に示すように、試料ステージ１２と、イオン生成部１４と、加速部１６と、を含んで構成されている。

試料ステージ１２には、試料Ｓが配置されたサンプルプレート（ターゲットプレート）２が載置される。試料Ｓには、必要に応じてイオン化を促進するためのマトリックス（金属微粒子や有機化合物等）が噴霧される。試料ステージ１２は、図示はしないがモーター等を含むステージ駆動部によりＸ−Ｙ（試料ステージ１２の面内方向）の２軸方向に移動
する。

イオン生成部１４は、レーザー光Ｌを照射することで試料Ｓをイオン化する。イオン生成部１４は、レーザー光Ｌを発生させるレーザー光源１４１と、レーザー光Ｌを集束するレンズ１４２と、レーザー光Ｌを反射させるミラー１４３と、試料Ｓからの像を反射させるミラー１４４と、ミラー１４４で反射された像を集束するレンズ１４５と、レンズ１４５を介して入射する像を取得するＣＣＤカメラ１４６と、を含んで構成されている。

イオン生成部１４では、レーザー光源１４１から射出されたレーザー光Ｌを、レンズ１４２、ミラー１４３により、試料Ｓの所定の測定領域Ａに照射し、試料Ｓを気化あるいはイオン化する。レーザー光Ｌの照射位置は固定されているため、ステージ駆動部により試料ステージ１２が移動すると、それに伴い試料Ｓ上におけるレーザー光Ｌの照射領域が移動する。ミラー１４４、レンズ１４５、ＣＣＤカメラ１４６によって、試料Ｓの測定領域Ａの状態を観察することができる。

加速部１６は、第１加速電極１６２と、第２加速電極１６４と、を含んで構成されている。加速電極１６２，１６４に所定の電圧（パルス電圧）を印加することにより、イオン生成部１４で生成されたイオンＩは加速し、質量分析部１０ｂに導入される。質量分析装置１００において、レーザー光Ｌの照射から所定時間遅れて加速電極１６２，１６４にパルス電圧を印加する遅延引き出し法を用いてもよい。遅延引き出し法を用いることにより、イオン生成時の初期エネルギーを時間収束させることができ、質量分解能を向上させることができる。

質量分析部１０ｂは、イオン源１０ａで生成されたイオンＩを質量分離して検出する。質量分析部１０ｂは、イオン源１０ａで生成されたイオンＩを飛行時間Ｔに基づいて分離する。すなわち、質量分析部１０ｂでは、飛行時間型質量分析法により、質量分析を行う。

図４は、質量分析装置１００の質量分析部１０ｂの構成の一例を示す図である。

質量分析部１０ｂは、図４に示すように、リフレクトロン１７と、検出器１８と、を含んで構成された反射型ＴＯＦＭＳである。

リフレクトロン１７は、イオン源１０ａと検出器１８との間のイオンＩの経路に配置されている。リフレクトロン１７には、イオン源１０ａで生成されたイオンＩが入射する。リフレクトロン１７は、静電場（反射場）を用いて、イオンＩの飛行する向きを反転させることができる。イオン源１０ａと検出器１８の間にリフレクトロン１７を置くことにより、エネルギー収束性の向上と飛行距離の延長を可能にする。

質量分析部１０ｂでは、上記式（３）により、飛行時間Ｔがｍ／ｚ値によって異なることを利用して質量分離する。イオン源１０ａで生成されたイオンＩは、リフレクトロン１７を通って、検出器１８に到達するまでの間に、ｍ／ｚ値に応じて質量分離される。

検出器１８は、イオンＩを検出し、入射したイオンＩの量（強度）に応じた検出信号を出力する。この検出器１８の検出信号は、処理部２０に出力される。

処理部２０は、記憶部３４に記憶されているプログラムに従って、各種の計算処理を行う。処理部２０は、記憶部３４に記憶されているプログラムを実行することで、以下に説明する、スペクトル生成部２２０、質量補正部２２２、データ処理部２２４、マスイメージング部２２６として機能する。処理部２０の機能は、各種プロセッサ（ＣＰＵ、ＤＳＰ
等）、ＡＳＩＣ（ゲートアレイ等）などのハードウェアや、プログラムにより実現できる。なお、処理部２０の少なくとも一部をハードウェア（専用回路）で実現してもよい。

スペクトル生成部２２０は、測定部１０の測定結果に基づいて、測定領域ＡごとにマススペクトルＭ_Ａを生成する。以下、スペクトル生成部２２０の処理について詳細に説明する。

まず、スペクトル生成部２２０は、検出器１８の検出信号に基づいて、飛行時間Ｔを計測する処理を行う。具体的には、スペクトル生成部２２０は、加速電極１６２，１６４に所定の電圧が印加されてからイオンＩが検出器１８に到達するまでの時間差を検出することにより飛行時間Ｔを計測する。スペクトル生成部２２０は、所定の時間間隔（時間等間隔）で検出器１８の検出信号、すなわち、イオン強度をサンプリングする。そして、スペクトル生成部２２０は、検出器１８の検出信号を時間に等間隔な形で記録し、指定回数分積算して、飛行時間スペクトルとして記録する。

飛行時間スペクトルは、横軸に飛行時間Ｔ、縦軸に検出強度をとったスペクトルである。各測定領域Ａの飛行時間スペクトルは、測定領域Ａの位置情報（Ｘ、Ｙ）とともに、記憶部３４に記録される。

次に、スペクトル生成部２２０は、各測定領域Ａの飛行時間スペクトルから各測定領域ＡのマススペクトルＭ_Ａを生成する。スペクトル生成部２２０は、飛行時間スペクトルの飛行時間Ｔを質量電荷比ｍ／ｚに変換して、マススペクトルＭ_Ａを生成する。飛行時間Ｔを質量電荷比ｍ／ｚに変換するためのキャリブレーション条件は、例えば、下記式（６）で表わされる。

式（６）における３つの係数ａ，ｂ，ｃは、キャリブレーション係数（初期値）であり、予め記憶部３４に記憶されている。キャリブレーション係数ａ，ｂ，ｃは、例えば、ｍ／ｚが既知の化合物を３点以上測定することで決定することができる。

上記式（６）を用いて飛行時間スペクトルの飛行時間Ｔを質量電荷比ｍ／ｚに変換することにより、飛行時間スペクトルからマススペクトルを生成することができる。各測定領域ＡのマススペクトルＭ_Ａは、測定領域Ａの位置情報（Ｘ、Ｙ）とともに、記憶部３４に記録される。

なお、ここでは、上記式（６）で表されるキャリブレーション条件を用いて、飛行時間Ｔを質量電荷比ｍ／ｚに変換する場合について説明したが、キャリブレーション条件は式（６）に限定されない。例えば、３次以上の高次の関数をキャリブレーション条件としてもよい。

質量補正部２２２は、少なくとも２つの測定領域Ａを１つのブロック（「補正ブロック」ともいう）とし、当該ブロックごとに測定領域ＡのマススペクトルＭ_Ａを積算し、積算されたマススペクトルに基づいて、当該ブロックごとに測定領域ＡのマススペクトルＭ_Ａの質量電荷比ｍ／ｚを補正する。

図５は、補正ブロックＢを説明するための図である。図５に示す例では、１つの補正ブロックＢは、３行３列に並んだ９つの測定領域Ａからなる。なお、１つの補正ブロックＢ
を構成する測定領域Ａの数は２つ以上であれば特に限定されず、所望の行数および所望の列数をとることができる。また、各補正ブロックＢを構成する測定領域Ａの数は異なっていてもよい。また、１つの補正ブロックＢを構成する測定領域Ａは、互いに近接していてもよいし、離間していてもよい。測定部１０で測定された全測定領域Ａが複数の補正ブロックＢ（１）、Ｂ（２）、Ｂ（３）・・・に分けられる。

質量補正部２２２は、補正ブロックＢごとに、マススペクトルＭ_Ａの質量電荷比ｍ／ｚの補正を行う。具体的には、質量補正部２２２は、補正ブロックＢごとにキャリブレーション条件を求めて、測定領域ＡのマススペクトルＭ_Ａの質量電荷比ｍ／ｚを補正する。以下、質量補正部２２２の処理について詳細に説明する。

まず、質量補正部２２２は、補正ブロックＢごとに測定領域ＡのマススペクトルＭ_Ａを積算する。すなわち、質量補正部２２２は、１つの補正ブロックＢに含まれる複数（図示の例では９つ）の測定領域ＡのマススペクトルＭ_Ａを積算する。これにより、補正ブロックマススペクトルＭ_Ｂが得られる。補正ブロックマススペクトルＭ_Ｂは、１つの補正ブロックＢに含まれる複数の測定領域ＡのマススペクトルＭ_Ａを積算したものである。

図５の例では、各補正ブロックＢ（１）、Ｂ（２）、・・・ごとに測定領域ＡのマススペクトルＭ_Ａが積算されて、各補正ブロックＢ（１）、Ｂ（２）、・・・ごとに補正ブロックマススペクトルＭ_Ｂが得られる。

次に、質量補正部２２２は、補正ブロックマススペクトルＭ_Ｂに基づいて、各補正ブロックＢ（１）、Ｂ（２）、・・・ごとにキャリブレーション条件を求める。

質量補正部２２２は、まず、補正ブロックＢ（１）のキャリブレーション条件を求める。

補正ブロックＢ（１）の補正ブロックマススペクトルＭ_Ｂにおいて、所定のピークのｍ／ｚ値をリファレンス値（理論値）に合わせる。所定のピークとしては、各補正ブロックマススペクトルＭ_Ｂに共通に観測されるピーク（以下「共通ピーク」ともいう）を用いる。

補正ブロックマススペクトルＭ_Ｂの共通ピークの質量電荷比を（ｍ／ｚ）ｏとし、飛行時間をＴｏとすると、上記式（６）は次式（７）で表わされる。

ただし、｜（ｍ／ｚ）ｏ−（ｍ／ｚ）ｒ｜＜Δｍ／ｚである。ここで、（ｍ／ｚ）ｒは、共通ピークのリファレンス値（理論値）であり、Δｍ／ｚは共通ピークとみなす閾値（質量電荷比の範囲）である。

次に、上記式（７）の「ｂ」を補正して、（ｍ／ｚ）ｏと（ｍ／ｚ）ｒを一致させる。「ｂ」の補正後の値を「ｂ´」とすると、上記（６）式は、次式（８）で表わされる。

（７）式および（８）式から「ｂ´」は、次式（９）で表される。

したがって、飛行時間Ｔを質量電荷比ｍ／ｚに変換するためのキャリブレーション条件は、次式（１０）で表される。

但し、

上記式（１０）のキャリブレーション条件を用いて、補正ブロックＢ（１）に含まれる測定領域Ａ（０，０）、（１，０）、（２，０）、（０，１）、（１，１）、（２，１）、（０，２）、（１，２）、（２，２）の飛行時間スペクトルの飛行時間Ｔを質量電荷比ｍ／ｚに変換する。これにより、補正ブロックＢ（１）に含まれる各測定領域Ａについて、質量電荷比ｍ／ｚの軸が補正されたマススペクトルＭ_Ａが得られる。

質量補正部２２２が、上記処理を、他の補正ブロックＢ（２）、Ｂ（３）、・・・に対しても同様に行うことで、全測定領域Ａについて、質量電荷比ｍ／ｚの軸が補正されたマススペクトルＭ_Ａが得られる。補正された各測定領域ＡのマススペクトルＭ_Ａは、測定領域Ａの位置情報（Ｘ、Ｙ）とともに、記憶部３４に記録される。

ここで、質量補正部２２２は、補正ブロックＢ（１）、Ｂ（２）、・・・ごとにキャリブレーション条件を求めるため、各補正ブロックＢ（１）、Ｂ（２）、・・・ごとに異なるキャリブレーション条件が用いられる。ここで、同じキャリブレーション条件の場合、同じ飛行時間Ｔのｍ／ｚ値は同じだが、キャリブレーション条件が異なる場合は、同じ飛行時間であってもｍ／ｚ値が異なることとなる。そのため、例えば、図５に示すように、複数の測定領域Ａにまたがる領域Ｃを選択して、領域Ｃに含まれる測定領域ＡのマススペクトルＭ_Ａを積算して領域Ｃのマススペクトルを得る場合、領域Ｃに含まれる測定領域ＡのマススペクトルＭ_Ａのデータ間隔を揃える必要がある。

したがって、質量分析装置１００では、データ処理部２２４は、異なるキャリブレーション条件で補正されたマススペクトルＭ_Ａについて、補正された各マススペクトルＭ_Ａのデータ間隔を揃える処理を行う。

図６は、補正されたマススペクトルＭ_Ａのデータ間隔を揃える処理の一例を説明するための図である。マススペクトルＭ_Ａ１およびマススペクトルＭ_Ａ２は、互いに異なるキャリブレーション条件で補正されているものとする。そのため、マススペクトルＭ_Ａ１では、ｍ／ｚ＝ａ１，ａ２，ａ３，・・・に対応する強度のデータを有している。また、マススペクトルＭ_Ａ２では、ｍ／ｚ＝ｂ１，ｂ２，ｂ３，・・・に対応する強度のデータを有している。

ここで、ｍ／ｚ＝ａ１，ａ２，ａ３，・・、およびｍ／ｚ＝ａ１，ａ２，ａ３，・・は、所定の時間間隔（時間等間隔）で検出器１８の検出信号をサンプリングしたときのサンプリング時間（飛行時間Ｔ）を、上記式（１０）を用いてｍ／ｚ値に変換したものである。マススペクトルＭ１とマススペクトルＭ２とでは、キャリブレーション条件が異なるため、ｍ／ｚ＝ａ１，ａ２，ａ３，・・の間隔とｍ／ｚ＝ｂ１，ｂ２，ｂ３，・・の間隔とは、異なっている。このように、マススペクトルＭ_Ａ１とマススペクトルＭ_Ａ２とでは、データ間隔が異なっているため、単純にマススペクトルＭ_Ａ１とマススペクトルＭ_Ａ２とを積算することはできない。

そのため、マススペクトルＭ_Ａ１のデータ間隔と、マススペクトルＭ_Ａ２のデータ間隔とが等しくなるように、マススペクトルＭ_Ａ１，Ｍ_Ａ２のデータを補完して、新たなマススペクトルＭ_Ａ１ａ，Ｍ_Ａ２ａを生成する。具体的には、マススペクトルＭ_Ａ１から、ｍ／ｚ＝ｃ１，ｃ２，ｃ３，・・・のときの強度を補完し、データ間隔を任意のデータ間隔ｍ／ｚ＝ｃ１，ｃ２，ｃ３，・・・としたマススペクトルＭ_Ａ１ａを求める。同様に、マススペクトルＭ_Ａ２から、ｍ／ｚ＝ｃ１，ｃ２，ｃ３，・・・のときの強度を補完し、データ間隔を任意のデータ間隔ｍ／ｚ＝ｃ１，ｃ２，ｃ３，・・・としたマススペクトルＭ_Ａ２ａを求める。これにより、マススペクトルＭ_Ａ１，Ｍ_Ａ２のデータ間隔を揃えることができる。したがって、例えば、マススペクトルＭ_Ａ１とマススペクトルＭ_Ａ２とを積算することができる。

データ処理部２２４は、上述した処理を各測定領域Ａの補正されたマススペクトルＭ_Ａに対して行い、補正された各マススペクトルＭ_Ａのデータ間隔を揃える。データ間隔が揃えられたマススペクトルＭ_Ａの情報は、測定領域Ａの位置情報（Ｘ、Ｙ）とともに、記憶部３４に記録される。

マスイメージング部２２６は、質量補正部２２２で補正されたマススペクトルＭ_Ａまたはデータ処理部２２４でデータ間隔が揃えられたマススペクトルＭ_Ａから、イメージング情報を取得する。ここで、イメージング情報とは、測定領域Ａの位置情報と、各測定領域Ａに含まれる化合物の質量の情報である。すなわち、イメージング情報は、例えば、（Ｘ，Ｙ，ｍ／ｚ，イオン強度）という形式で記憶部３４に記録される。処理部２０は、例えば、イメージング情報に基づいて、特定のｍ／ｚ（すなわち特定の化合物）についての強度分布の情報や、特定の領域に局在する化合物の情報等を、表示部３２に表示させる処理を行う。

操作部３０は、ユーザーによる操作に応じた操作信号を取得し、処理部２０に送る処理を行う。操作部３０は、例えば、ボタン、キー、タッチパネル型ディスプレイ、マイクなどである。

表示部３２は、処理部２０によって生成された画像を表示するものであり、その機能は、ＬＣＤ、ＣＲＴなどにより実現できる。表示部３２は、例えば、処理部２０で生成された特定のｍ／ｚ（すなわち特定の化合物）についての強度分布の情報や、特定の領域に局在する化合物の情報を表示する。

記憶部３４は、処理部２０のワーク領域となるもので、その機能はＲＡＭなどにより実現できる。記憶部３４は、処理部２０が各種の計算処理や制御処理を行うためのプログラムやデータ等を記憶している。また、記憶部３４は、処理部２０の作業領域として用いられ、処理部２０が各種プログラムに従って実行した算出結果等を一時的に記憶するためにも使用される。

情報記憶媒体３６（コンピューターにより読み取り可能な媒体）は、プログラムやデー
タなどを格納するものであり、その機能は、光ディスク（ＣＤ、ＤＶＤ）、光磁気ディスク（ＭＯ）、磁気ディスク、ハードディスク、磁気テープ、或いはメモリ（ＲＯＭ）などにより実現できる。処理部２０は、情報記憶媒体３６に格納されるプログラム（データ）に基づいて本実施形態の種々の処理を行う。情報記憶媒体３６には、処理部２０の各部としてコンピューターを機能させるためのプログラムを記憶することができる。

次に、第１実施形態に係る質量分析装置１００の動作について説明する。

ユーザーは、試料Ｓを、サンプルプレート２（図３参照）に配置し、必要に応じてイオン化を促進するためのマトリックスを試料Ｓに噴霧する。そして、サンプルプレート２を試料ステージ１２上に載置する。

次に、ユーザーは、サンプルプレート２の中で試料Ｓの測定の対象となる領域、測定領域Ａの数（測定対象となる領域の分割数）、各測定領域Ａでのレーザー照射回数（例えば数十回から数百回）等の測定条件を指定する。測定条件の指定は、操作部３０を介して行うことができる。測定条件が指定されると質量分析装置１００は、測定を開始する。

ステージ駆動部（図示せず）は、指定された測定条件に従って試料ステージ１２を移動させることでレーザー照射位置（測定領域Ａ）を変更させ、イオン生成部１４は、測定領域Ａに指定された回数だけレーザー光Ｌを照射する。レーザー光Ｌの照射ごとに、イオンＩは、リフレクトロン１７を通って、検出器１８に到達するまでの間に質量電荷比（ｍ／ｚ値）に応じて質量分離され、検出器１８で検出される。

スペクトル生成部２２０は、検出器１８の検出信号を飛行時間Ｔに等間隔な形で記録し、指定回数分積算して飛行時間スペクトルとして記録する。飛行時間スペクトルは、測定領域Ａの位置情報（Ｘ，Ｙ）とともに記録される。また、スペクトル生成部２２０は、飛行時間スペクトルの飛行時間軸を、初期（補正前）のキャリブレーション条件（上記式（６））を用いてｍ／ｚ軸に変換して、マススペクトルＭ_Ａを得る。マススペクトルＭ_Ａは、測定領域Ａの位置情報（Ｘ，Ｙ）とともに記録される。質量分析装置１００は、上述の処理を、すべての測定領域Ａに対して行う。

次に、質量補正部２２２が質量軸のドリフトの補正を行う。具体的には、質量補正部２２２は、まず、各補正ブロックＢ（図５参照）に含まれるマススペクトルＭ_Ａ（または飛行時間スペクトル）を積算して、補正ブロックマススペクトルＭ_Ｂを得る。次に、各補正ブロックマススペクトルＭ_Ｂで共通に観測されるピーク（共通ピーク）のｍ／ｚ値を、リファレンス値に合わせて、キャリブレーション係数を補正する。これにより、新たなキャリブレーション条件（上記式（１０））が得られる。次に、新たなキャリブレーション条件（上記式（１０））を用いて、補正ブロックＢに含まれる測定領域Ａの飛行時間スペクトルの飛行時間軸をｍ／ｚ軸に変換して、補正されたマススペクトルＭ_Ａを得る。補正されたマススペクトルＭ_Ａは、測定領域Ａの位置情報（Ｘ，Ｙ）とともに記録される。質量補正部２２２は、上述の処理を、すべての補正ブロックＢに対して行う。

次に、データ処理部２２４は、図６に示すように、各補正ブロックＢの飛行時間で等間隔のマススペクトルＭ_Ａから、データ補完を行い、ｍ／ｚ値を等間隔にしたマススペクトルＭ_Ａとする処理を行う。

次に、マスイメージング部２２６は、質量補正部２２２で補正されたマススペクトルＭ_Ａ、またはデータ処理部２２４でｍ／ｚ値を等間隔にしたマススペクトルＭ_Ａから、測定領域Ａごとにイメージング情報（Ｘ，Ｙ，ｍ／ｚ，イオン強度）を取得する。イメージング情報は、例えば、記憶部３４に記録される。処理部２０は、例えば、イメージング情報
に基づいて、特定のｍ／ｚ（すなわち特定の化合物）についての強度分布の情報や、特定の領域に局在する化合物の情報を、表示部３２に表示させる制御を行う。

質量分析装置１００は、例えば、以下の特徴を有する。

質量分析装置１００では、質量補正部２２２は、少なくとも２つの測定領域Ａを１つのブロックＢとし、当該ブロックＢごとに測定領域ＡのマススペクトルＭ_Ａを積算し、積算されたマススペクトルＭ_Ｂに基づいて、ブロックＢごとに測定領域ＡのマススペクトルＭ_Ａの質量電荷比を補正する。そのため、質量分析装置１００では、例えば、１つの測定領域ＡのマススペクトルＭ_Ａに基づいて質量電荷比の補正を行った場合と比べて、スペクトルのＳＮ比を向上させることができる。これにより、マススペクトルＭ_Ａの質量軸のドリフト（飛行時間から質量電荷比を算出する際の誤差）を精度よく補正することができ、質量精度を向上させることができる。

質量分析装置１００では、マスイメージング部２２６は、質量補正部２２２で補正された測定領域ＡごとのマススペクトルＭ_Ａから、測定領域Ａの位置情報と、各測定領域Ａに含まれる化合物の質量の情報を取得する。そのため、質量分析装置１００では、特定の化合物についての強度分布の情報や、特定の領域に局在する化合物の情報を得ることができる。

２． 第２実施形態
次に、第２実施形態に係る質量分析装置について説明する。第２実施形態に係る質量分析装置の構成は、上述した図１に示す第１実施形態に係る質量分析装置１００と同様であり、以下では、第１実施形態に係る質量分析装置１００との相違点について説明する。

質量分析装置１００の例では、データ処理部２２４は、図６に示すように、異なるキャリブレーション条件で補正されたマススペクトルＭ_Ａについて、各マススペクトルＭ_Ａのデータ間隔を任意のデータ間隔ｍ／ｚ＝ｃ１，ｃ２，ｃ３，・・・として、データ間隔を揃えていた。

これに対して、第２実施形態に係る質量分析装置では、データ処理部２２４は、異なるキャリブレーション条件で補正されたマススペクトルＭ_Ａについて、各マススペクトルＭ_Ａのデータ間隔を、補正されたマススペクトルＭ_Ａのうちのいずれか１つのマススペクトルＭ_Ａのデータ間隔に揃える。

図７は、マススペクトルＭ_Ａのデータ間隔を揃える処理の一例を説明するための図である。マススペクトルＭ_Ａ１およびマススペクトルＭ_Ａ２は、互いに異なるキャリブレーション条件で補正されている。第２実施形態では、図７に示すように、マススペクトルＭ_Ａ２のデータ間隔を、マススペクトルＭ_Ａ１のデータ間隔に揃うように、マススペクトルＭ_Ａ２のデータを補完して、新たなマススペクトルＭ_Ａ２ａを得る。具体的には、マススペクトルＭ_Ａ２から、ｍ／ｚ＝ａ１，ａ２，ａ３，・・・のときの強度を補完し、データ間隔をｍ／ｚ＝ａ１，ａ２，ａ３，・・・としたマススペクトルＭ_Ａ２ａを得る。これにより、マススペクトルＭ_Ａ２の質量電荷比の軸を、マススペクトルＭ_Ａ１の質量電荷比の軸に揃えることができる。

データ処理部２２４は、上述した処理を各測定領域ＡのマススペクトルＭ_Ａに対して行い、各マススペクトルＭ_Ａのデータ間隔を揃える。基準となるマススペクトルＭ_Ａ（マススペクトルＭ_Ａ１）は、全測定領域Ａから任意に選択することができる。例えば、図５に示す例では、最初に測定された測定領域Ａ（０，０）のマススペクトルＭ_Ａのデータ間隔を基準とする。

第２実施形態に係る質量分析装置では、データ処理部２２４は、各マススペクトルＭ_Ａのデータ間隔を、補正されたマススペクトルＭ_Ａのうちのいずれか１つのマススペクトルＭ_Ａのデータ間隔に揃える。これにより、データを補完してデータ間隔を揃えたマススペクトルＭ_Ａであっても、測定したマススペクトルＭ_Ａと同様に扱うことができる。すなわち、例えば、データを補完してデータ間隔を揃えたマススペクトルＭ_Ａであっても、質量電荷比の軸を飛行時間Ｔの軸に変換することができる。これにより、例えば、データを補完してデータ間隔を揃えたマススペクトルＭ_Ａを飛行時間スペクトルに変換することができる。

また、第２実施形態に係る質量分析装置では、上述した第１実施形態に係る質量分析装置１００と同様の作用効果を奏することができる。

３． 第３実施形態
次に、第３実施形態に係る質量分析装置について説明する。第３実施形態に係る質量分析装置の構成は、上述した図１に示す第１実施形態に係る質量分析装置１００と同様であり、以下では、第１実施形態に係る質量分析装置１００との相違点について説明する。

質量分析装置１００の例では、測定部１０は、図２に示す測定領域Ａ（０，０）から測定を開始し、測定領域Ａ（１，０）、（２，０）、・・・、（ｎ_ｘ，０）の順で１行目の測定を行い、次に２行目の測定、次に３行目の測定、・・・を行って、測定領域Ａ（ｎ_ｘ，ｎ_ｙ）まで測定を行った。

これに対して、第３実施形態に係る質量分析装置では、測定部１０は、１つの補正ブロックＢに含まれる測定領域Ａをすべて測定した後に、次の補正ブロックＢに含まれる測定領域Ａを測定する。

図８は、第３実施形態に係る質量分析装置の測定部１０の測定順を説明するための図である。測定部１０は、図８に示すように、まず、補正ブロックＢ（１）に含まれる測定領域Ａをすべて測定し、次に補正ブロックＢ（２）に含まれる測定領域Ａのすべてを測定する。その後、補正ブロックＢ（３）、補正ブロックＢ（４）、・・・についても同様に測定を行い、全測定領域Ａを測定する。

１つの補正ブロックＢに含まれる測定領域Ａを測定する順番は特に限定されず、例えば、図示の例では、補正ブロックＢ（１）において、測定領域Ａ（０，０）、（１，０）、（２，０）、（０，１）、（１，１）、（２，１）、（０，２）、（１，２）、（２，２）の順に測定を行っている。

第３実施形態に係る質量分析装置では、１つの補正ブロックＢに含まれる測定領域Ａをすべて測定した後に、次の補正ブロックＢに含まれる測定領域Ａを測定する。これにより、時間の経過による系統誤差の影響を低減させることができ、質量精度を向上させることができる。

例えば、仮に測定部１０が、図８において、測定領域Ａ（０，０）から測定を開始し、測定領域Ａ（１，０）、（２，０）、・・・、（ｎ_ｘ，０）の順で１行目の測定を行い、次に２行目の測定領域Ａ（０，１）、（１，１）、（２，１）・・・、（ｎ_ｘ，１）の測定を行い、次に、３行目の測定領域Ａ（０，２）、（１，２）、（３，１）・・・、（ｎ_ｘ，２）の測定を行うものとする。この場合、補正ブロックＢ（１）の測定領域Ａ（０，０）が測定されてから、補正ブロックＢ（１）の測定領域Ａ（２，２）が測定されるまでの時間が長い。すなわち、補正ブロックＢ（１）に含まれる測定領域Ａがすべて測定され
るまでの時間が長い。これにより、時間の経過による系統誤差の影響が大きくなる。

これに対して、第３実施形態に係る質量分析装置では、１つの補正ブロックＢに含まれる測定領域Ａをすべて測定した後に、次の補正ブロックＢに含まれる測定領域Ａを測定するため、補正ブロックＢ（１）の測定領域Ａ（０，０）が測定されてから、補正ブロックＢ（１）の測定領域Ａ（２，２）が測定されるまでの時間を短くすることができる。したがって、第３実施形態に係る質量分析装置では、時間の経過による系統誤差の影響を低減させることができる。

また、第３実施形態に係る質量分析装置では、上述した第１実施形態に係る質量分析装置１００と同様の作用効果を奏することができる。

４． 第４実施形態
次に、第４実施形態に係る質量分析装置について説明する。第４実施形態に係る質量分析装置の構成は、上述した図１に示す第１実施形態に係る質量分析装置１００と同様であり、以下では、第１実施形態に係る質量分析装置１００との相違点について説明する。

第４実施形態に係る質量分析装置の質量補正部２２２では、補正ブロックＢごとに積算されたマススペクトルＭ_Ｂ（補正ブロックマススペクトルＭ_Ｂ）において、質量電荷比の第１範囲に共通ピークが存在している場合には、当該第１範囲に存在する共通ピーク（第１ピーク）を用いて、質量電荷比を補正し、前記第１範囲に共通ピークが存在しない場合には、前記第１範囲とは異なる質量電荷比の第２範囲に存在する共通ピーク（第２ピーク）を用いて、質量電荷比を補正する。

このように、質量補正部２２２では、最初に指定した共通ピークが見つからなかった補正ブロックＢについて、他のピークを指定して補正を行う。質量電荷比の第１範囲は、当該第１範囲に存在するピークは第１ピークとみなせる範囲である。また、質量電荷比の第２範囲は、当該第２範囲に存在するピークは第２ピークとみなせる範囲である。第１範囲および第２範囲は任意に設定することができる。

第４実施形態に係る質量分析装置では、補正ブロックマススペクトルＭ_Ｂにおいて、質量電荷比の第１範囲に共通ピークが存在している場合には、当該第１範囲に存在する共通ピークを用いて、質量電荷比を補正し、前記第１範囲に共通ピークが存在しない場合には、前記第１範囲とは異なる質量電荷比の第２範囲に存在する共通ピークを用いて、質量電荷比を補正する。これにより、共通ピークが存在しないために補正できない補正ブロックＢを減らすことができる。

なお、補正できない補正ブロックＢが存在する場合には、例えば、処理部２０は、図５に示す補正ブロックＢを示す図を表示部３２に表示させ、補正できなかった補正ブロックＢについては、補正できた補正ブロックＢとは異なる色で表示させる処理を行う。

また、第４実施形態に係る質量分析装置では、上述した第１実施形態に係る質量分析装置１００と同様の作用効果を奏することができる。

５． 第５実施形態
次に、第５実施形態に係る質量分析装置について説明する。第５実施形態に係る質量分析装置の構成は、上述した図１に示す第１実施形態に係る質量分析装置１００と同様であり、以下では、第１実施形態に係る質量分析装置１００との相違点について説明する。

質量分析装置１００の例では、質量分析部１０ｂは、図４に示すように、リフレクトロ
ン１７と、検出器１８と、を含んで構成された反射型ＴＯＦＭＳであった。

これに対して、第５実施形態に係る質量分析装置では、質量分析部１０ｂは、多重周回型ＴＯＦＭＳである。

図９は、第５実施形態に係る質量分析装置の測定部１０の構成の一例を示す図である。質量分析部１０ｂは、図９に示すように、セクター電極５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄと、検出器１８と、を含んで構成されている。

質量分析部１０ｂでは、複数のセクター電極５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄがつくる電場によって、８の字形状の周回軌道５２が形成される。なお、図示はしないが、周回軌道５２は、円形状、楕円形状等であってもよい。また、周回軌道５２は、直線状や曲線状の軌道をイオンが往復する往復軌道であってもよい。

質量分析部１０ｂは、図９に示すように、イオン源１０ａから供給されたイオンＩを、周回軌道５２に沿って多重周回させることで質量電荷比ｍ／ｚに応じて分離して、検出器１８で検出する。これにより、飛行時間Ｔを長くすることができ、高い質量精度を得ることができる。

第５実施形態に係る質量分析装置では、質量分析部１０ｂが多重周回型ＴＯＦＭＳであるため、高い質量精度を得ることができる。さらに、第５実施形態に係る質量分析装置では、上述した第１実施形態に係る質量分析装置１００と同様に、マススペクトルＭ_Ａの質量軸のドリフトを精度よく補正することができ、質量精度を向上させることができる。したがって、第５実施形態に係る質量分析装置では、より高い質量精度を得ることができる。

本発明は上述した実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。

例えば、上述した第１〜第５実施形態に係る質量分析装置では、イオン源１０ａがマトリックス支援レーザー脱離イオン化法（ＭＡＬＤＩ）により試料Ｓをイオン化する例について説明したが、本発明に係る質量分析装置のイオン源におけるイオン化法はこれに限定されない。例えば、本発明に係る質量分析装置のイオン源は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）により試料をイオン化してもよい。二次イオン質量分析法は、試料Ｓの表面にイオンビーム（一次イオン）を照射し、そのイオンと固体表面の分子・原子レベルでの衝突によってイオン（二次イオン）を発生させる手法である。また、例えば、本発明に係る質量分析装置のイオン源は、サンプルプレート上にナノ構造を施した表面支援レーザー脱離イオン化法（ＳＡＬＤＩ）により試料をイオン化してもよい。

また、例えば、上述した第１〜第５実施形態に係る質量分析装置では、質量分析部１０ｂが飛行時間型である例について説明したが、本発明に係る質量分析装置の質量分析部は飛行時間型に限定されない。例えば、本発明に係る質量分析装置の質量分析部は、四重極型、イオントラップ型、磁場偏向型、フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴型等であってもよい。

また、例えば、上述した第１〜第４実施形態に係る質量分析装置では、質量分析部１０ｂが、反射型ＴＯＦＭＳである例について説明し、第５実施形態に係る質量分析装置では、質量分析部１０ｂが、多重周回型ＴＯＦＭＳである例について説明した。本発明に係る質量分析装置の質量分析部は、これらに限定されず、例えば、イオン源で発生させてイオン群を直線的に飛行させる直線型ＴＯＦＭＳであってもよい。

上述した実施形態は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態を適宜組み合わせることも可能である。

本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。

２…サンプルプレート、１０…測定部、１０ａ…イオン源、１０ｂ…質量分析部、１２…試料ステージ、１４…イオン生成部、１６…加速部、１７…リフレクトロン、１８…検出器、２０…処理部、３０…操作部、３２…表示部、３４…記憶部、３６…情報記憶媒体、５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄ…セクター電極、５２…周回軌道、１００…質量分析装置、１４１…レーザー光源、１４２…レンズ、１４３…ミラー、１４４…ミラー、１４５…レンズ、１４６…ＣＣＤカメラ、１６２…第１加速電極、１６４…第２加速電極、２２０…スペクトル生成部、２２２…質量補正部、２２４…データ処理部、２２６…マスイメージング部

Claims (8)

1. 試料を測定領域ごとにイオン化して、当該測定領域ごとに質量分析を行う測定部と、
   前記測定部の測定結果に基づいて、前記測定領域ごとにマススペクトルを生成するスペクトル生成部と、
   少なくとも２つの前記測定領域を１つのブロックとし、当該ブロックごとに前記測定領域のマススペクトルを積算し、積算されたマススペクトルに基づいて、前記ブロックごとに前記測定領域のマススペクトルの質量電荷比を補正する質量補正部と、
   を含む、質量分析装置。
2. 請求項１において、
   前記測定部は、１つの前記ブロックに含まれる前記測定領域をすべて測定した後に、次の前記ブロックに含まれる前記測定領域を測定する、質量分析装置。
3. 請求項１または２において、
   前記質量補正部は、前記ブロックごとに積算されたマススペクトルにおいて、質量電荷比の第１範囲にピークが存在している場合には、前記第１範囲に存在するピークを用いて質量電荷比を補正し、前記第１範囲にピークが存在しない場合には、前記第１範囲とは異なる質量電荷比の第２範囲に存在するピークを用いて質量電荷比を補正する、質量分析装置。
4. 請求項１ないし３のいずれか１項において、
   前記質量補正部は、飛行時間を質量電荷比に変換するためキャリブレーション条件を求めて質量電荷比を補正する、質量分析装置。
5. 請求項４において、
   異なる前記キャリブレーション条件で補正されたマススペクトルについて、各マススペクトルのデータ間隔を揃えるデータ処理部を含み、
   前記データ処理部は、各マススペクトルのデータ間隔を、補正されたマススペクトルのうちのいずれか１つのマススペクトルのデータ間隔に揃える、質量分析装置。
6. 請求項１ないし５のいずれか１項において、
   前記測定部は、
   前記測定領域にレーザー光を照射してイオン化するイオン源と、
   前記イオン源で生成されたイオンを質量分離して検出する質量分析部と、
   を含む、質量分析装置。
7. 請求項６において、
   前記質量分析部は、前記イオン源で生成されたイオンを飛行時間に基づいて分離する、質量分析装置。
8. 請求項１ないし７のいずれか１項において、
   前記質量補正部で補正された前記測定領域ごとのマススペクトルから、前記測定領域の位置情報と、各前記測定領域に含まれる化合物の質量の情報を取得するマスイメージング部を含む、質量分析装置。

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