JP2015133483A - 固体撮像装置及び画像取得方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1電極11、強誘電体層12及び透明電極である第2電極13が積層され、前記強誘電体層12と前記第1電極11又は前記第2電極13との間にpn接合が形成された複数の固体撮像素子14を具備する固体撮像装置10において、撮像対象の輝度情報を取得して該輝度情報に基づいて個々の固体撮像素子14を高感度モードにするか低感度モードにするかを判定する制御手段33と、該判定に基づいて固体撮像素子14に電圧を印加して、固体撮像素子14を高感度モード又は低感度モードに設定する回路25と、を具備し、高感度モード又は低感度モードに設定された固体撮像素子14から、それぞれのモードに応じた光起電流Ihνを検出し、この検出の結果に基づいて画像を取得する。
【選択図】図6
Description
かかる態様では、固体撮像素子が強誘電体特性及びpn接合ダイオード特性を両立したものとなり、強誘電体層の誘起双極子の分極方向を変化させることでpn接合ダイオード特性を変化させることが可能となる。このため、撮像対象の輝度情報に基づいて強誘電体層の分極方向を変化させ、これにより感度を変化させてダイナミックレンジを拡大できる。よって、一回の露光で画像を構成できるようになるため、複数の画像情報を併合することによる画像の位置ずれを防止でき、かつ高感度な画像を取得できるようになる。
かかる態様では、固体撮像素子が強誘電体特性及びpn接合ダイオード特性を両立したものとなり、強誘電体層の誘起双極子の分極方向を変化させることでpn接合ダイオード特性を変化させることが可能となる。このため、撮像対象の輝度情報に基づいて強誘電体層の分極方向を変化させ、これにより感度を変化させてダイナミックレンジを拡大できる。よって、一回の露光で画像を構成できるようになるため、複数の画像情報を併合することによる位置ずれを防止でき、かつ高感度な画像を取得できるようになる。
図1及び図2は、本発明の実施形態に係る固体撮像装置の構成例を示す図である。
基板24としては、例えばシリコン(Si)基板やガラス基板を用いることができるが前記の例に制限されない。ここでは図示が省略されているものの、基板24及び第1電極11の間に絶縁層や密着層が設けられても構わない。第1電極11、強誘電体層12又は第2電極13等が基板24を兼ねるように構成される場合には基板24を省略してもよい。
(Bi1-x,Lax)(Fe1-y,Mny)O3 (1)
(式中、x及びyは、いずれも0より大きく1より小さい値をとる。)
(Bi1-x,Lax)(Fe1-y-z,Mny,Tiz)O3 (2)
(式中、x、y及びzは、いずれも0より大きく1より小さい値をとる。)
幅A)。つまり、固体撮像素子14の高感度モードが得られるようになる。
つまり、固体撮像素子14の低感度モードが得られるようになる。
先に説明した固体撮像素子14は、強誘電体層12と第2電極13との間でpn接合16が形成されていたが、代わりに、強誘電体層と第1電極との間でpn接合が形成される固体撮像素子を採用しても良い。図10は、このような固体撮像素子44の概略構成を示す図である。
<溶液調製>
強誘電体層12を形成するためのBLFMT前駆体溶液を下記の手順で調製した。まず、ビーカーにプロピオン酸を測り取り、それに酢酸ビスマス、酢酸ランタン、酢酸鉄、酢酸マンガン、及びテトライソプロポキシチタンをモル比80:20:96:1:3で混合した。次に、ホットプレート上にて140℃で1時間加熱攪拌した後、プロピオン酸で0.3mol/Lに調節することでBLFMT前駆体溶液を調製した。
6inchシリコン(Si)基板24の表面に、絶縁層34としての二酸化シリコン膜を熱酸化により形成し、この二酸化シリコン膜上に、窒化アルミニウムチタン、イリジウム、酸化イリジウム及び白金を積層することで第1電極11を形成した。
第2電極を白金とした以外は実施例1と同様の手法にて、比較例1の固体撮像装置を作製した。
実施例1及び比較例1の固体撮像装置に搭載される固体撮像素子について、ヒューレットパッカード社製「4140B」を用い、大気下(湿度40〜50%)にて外界光を遮蔽した状態で、電流密度J(μA/cm2)と電圧E(V)との関係(J−E Curve)を求めた。
実施例1及び比較例1の固体撮像装置に搭載される固体撮像素子について、東陽テクニカ社製「FCE−1A」を用い、φ=500μmの電極パターンを使用し、室温で周波数
1kHzの三角波形を印加して、分極量P(μC/cm2)と電圧E(V)の関係(P−E loop)を求めた。
実施例1に搭載される固体撮像素子14について、東陽テクニカ社製「FCE−1A」及びKeithley社製6514型エレクトロメーターを使用し、そのpn接合ダイオード特性、特に光電変換特性を評価した。具体的には、FCE−1Aを使用し、φ=500μmの電極パターンに室温で周波数1kHzの+20V又は−20Vのユニポーラ三角波形を印加することで強誘電体層12の分極処理を行った。次に、ピコアンペアメーターを使用し、2mVの電位(不可避な回路電位)下で蛍光灯の点灯及び消灯を繰り返しながら光起電流を測定した。
以上、本発明の一実施形態を説明したが、その基本的構成は上述したものに限定されるものではない。
Claims (8)
- 第1電極、強誘電体層及び透明電極である第2電極が積層され、前記強誘電体層と前記第1電極又は前記第2電極との間にpn接合が形成された複数の固体撮像素子を具備する固体撮像装置であって、
撮像対象の輝度情報を取得して該輝度情報に基づいて個々の前記固体撮像素子を高感度モードにするか低感度モードにするかを判定する制御手段と、
前記判定に基づいて前記固体撮像素子に電圧を印加して、前記固体撮像素子を前記高感度モード又は前記低感度モードに設定する回路と、を具備し、
前記高感度モード又は前記低感度モードに設定された前記固体撮像素子から、それぞれのモードに応じた光起電流を検出し、前記検出の結果に基づいて画像を取得する
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記制御手段は、
前記輝度情報を所定の閾値と比較し、
前記輝度情報が前記閾値を超える領域の前記固体撮像素子に対して前記低感度モードとなる電圧値又は分極方向を決定し、
前記輝度情報が前記閾値以下の領域の前記固体撮像素子に対して前記高感度モードとなる電圧値又は分極方向を決定し、
前記決定に基づいて、前記個々の固体撮像素子が高感度モード又は低感度モードになるように制御する
ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記高感度モードでは前記pn接合による空乏層が拡大し、前記低感度モードでは前記pn接合による空乏層が縮小するように、前記固体撮像素子の分極方向が制御される
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の固体撮像装置。 - 前記固体撮像素子を前記高感度モード又は前記低感度モードに設定する前に、前記複数の固体撮像素子のすべてが前記高感度モード又は前記低感度モードとなるように、前記複数の固体撮像素子の分極方向が予めリセットされている
ことを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の固体撮像装置。 - 前記強誘電体層がp型半導体である
ことを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載の固体撮像装置。 - 前記強誘電体層がビスマス(Bi)及び鉄(Fe)を含む
ことを特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載の固体撮像装置。 - 前記強誘電体層が、ランタン(La)、マンガン(Mn)及びチタン(Ti)からなる群から選択される少なくとも一種を含む
ことを特徴とする請求項1〜6の何れか一項に記載の固体撮像装置。 - 第1電極、強誘電体層及び透明電極である第2電極が積層され、前記強誘電体層と前記第1電極又は前記第2電極との間にpn接合が形成された複数の固体撮像素子を具備する固体撮像装置を用いた画像取得方法であって、
撮像対象の輝度情報を取得し、
該輝度情報に基づいて個々の前記固体撮像素子を高感度モードにするか低感度モードにするかを判定し、
前記判定に基づいて、前記固体撮像素子を前記高感度モード又は前記低感度モードに設定し、
前記高感度モード又は前記低感度モードに設定された前記固体撮像素子から、それぞれのモードに応じた光起電流を検出し、
前記検出の結果に基づいて画像を取得する
ことを特徴とする画像取得方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10194104B2 (en) | 2017-02-22 | 2019-01-29 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device and imaging module |
WO2022092362A1 (ko) * | 2020-10-29 | 2022-05-05 | 한국과학기술원 | 강유전체를 이용한 광센서 및 그 제조방법 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9574951B2 (en) * | 2013-09-09 | 2017-02-21 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensor including temperature sensor and electronic shutter function |
JP2018093297A (ja) * | 2016-11-30 | 2018-06-14 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システム |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004172166A (ja) * | 2002-11-15 | 2004-06-17 | Zenji Hiroi | 光センサー |
JP2007121194A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Nec Corp | 光検出素子 |
JP2011066338A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Nikon Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
US20130037092A1 (en) * | 2010-02-12 | 2013-02-14 | Rutgers, The State University Of New Jersey | Ferroelectric diode and photovoltaic devices and methods |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4051465A (en) * | 1973-11-01 | 1977-09-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Ferroelectric ceramic devices |
US4126901A (en) * | 1978-04-05 | 1978-11-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Photovoltaic-ferroelectric correlation devices |
JP2868915B2 (ja) | 1991-03-27 | 1999-03-10 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
US5458986A (en) * | 1993-12-16 | 1995-10-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Thin film of MgIn2 O4 for use as an electrode in a ferro-electric device |
JP4018820B2 (ja) | 1998-10-12 | 2007-12-05 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置および信号読出し方法 |
JP4738907B2 (ja) | 2004-11-19 | 2011-08-03 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子および固体撮像装置 |
US20070152133A1 (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-05 | Motorola, Inc. | Image sensor array with ferroelectric elements and method therefor |
JP2008066702A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-03-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像素子及びカメラ |
ITMI20062352A1 (it) * | 2006-12-06 | 2008-06-07 | Milano Politecnico | Struttura fotosensibile al colore di una radiazione luminosa |
JP5183184B2 (ja) * | 2007-12-13 | 2013-04-17 | 富士フイルム株式会社 | 撮像装置 |
JP5258551B2 (ja) | 2008-12-26 | 2013-08-07 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、その駆動方法及び撮像システム |
JP5621964B2 (ja) | 2009-11-02 | 2014-11-12 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子並びに超音波デバイス |
KR20110072921A (ko) * | 2009-12-23 | 2011-06-29 | 삼성전자주식회사 | 메모리소자 및 그 동작방법 |
WO2011091709A1 (zh) * | 2010-01-28 | 2011-08-04 | 复旦大学 | 铁电阻变存储器及其操作方法、制备方法 |
JP2011159848A (ja) * | 2010-02-02 | 2011-08-18 | Toshiba Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP5733487B2 (ja) | 2010-03-09 | 2015-06-10 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、超音波デバイス及び圧電素子並びに圧電材料 |
JP5672433B2 (ja) | 2010-03-12 | 2015-02-18 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、焦電素子及びirセンサー |
US8854515B2 (en) * | 2011-09-09 | 2014-10-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Efficient spectral imaging based on imaging systems with scene adaptation using tunable color pixels |
JP2014175554A (ja) * | 2013-03-11 | 2014-09-22 | Seiko Epson Corp | 光電変換素子及び太陽電池セル |
JP6142593B2 (ja) * | 2013-03-15 | 2017-06-07 | セイコーエプソン株式会社 | センサー |
JP2014185982A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Seiko Epson Corp | 赤外線センサー及び熱検知素子 |
JP6260764B2 (ja) * | 2013-09-26 | 2018-01-17 | セイコーエプソン株式会社 | 光電変換素子及びその製造方法 |
JP2015130464A (ja) * | 2013-12-03 | 2015-07-16 | セイコーエプソン株式会社 | 光電変換素子及びその製造方法、光センサー並びに太陽電池セル |
-
2014
- 2014-12-11 US US14/567,315 patent/US9503656B2/en active Active
- 2014-12-11 JP JP2014250506A patent/JP6365839B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004172166A (ja) * | 2002-11-15 | 2004-06-17 | Zenji Hiroi | 光センサー |
JP2007121194A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Nec Corp | 光検出素子 |
JP2011066338A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Nikon Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
US20130037092A1 (en) * | 2010-02-12 | 2013-02-14 | Rutgers, The State University Of New Jersey | Ferroelectric diode and photovoltaic devices and methods |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10194104B2 (en) | 2017-02-22 | 2019-01-29 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device and imaging module |
WO2022092362A1 (ko) * | 2020-10-29 | 2022-05-05 | 한국과학기술원 | 강유전체를 이용한 광센서 및 그 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US20150172556A1 (en) | 2015-06-18 |
US9503656B2 (en) | 2016-11-22 |
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