JP2015130641A - 圧電デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】ハンダで基板に実装した場合に、ハンダが励振電極まで浸食することを回避できる圧電デバイスを提供する。【解決手段】圧電デバイス１００は、励振電極１２８が形成された励振部１２４、枠部１２２、及び励振電極から引き出される引出電極１３０を有する圧電振動片１２０と、枠部と対向する主面の反対面に形成された実装端子１４２、側面に形成された切欠き部１４８、及び切欠き部に形成される切欠き部電極１４４を有するベース１４０と、を備える。引出電極は、切欠き部電極に接続される切欠き部領域１３０Ａと、励振電極に接続される励振電極接続領域１３０Ｃと、切欠き部領域及び励振電極接続領域の間に形成される浸食防止領域１３０Ｂと、により構成される。浸食防止領域は金（Ａｕ）及び銀（Ａｇ）を含まずに形成され、切欠き部領域及び励振電極接続領域は金（Ａｕ）又は銀（Ａｇ）の少なくとも一方を含んで形成される。【選択図】図２

Description

本発明は圧電デバイスに関する。特に、ハンダの浸食を抑制できる圧電デバイスに関する。

携帯電話やパーソナルコンピュータなどの様々な電子機器には、主に周波数の選択や制御のために圧電デバイスが広く使われている。圧電デバイスは機能によって圧電振動子、圧電発振器、ＳＡＷデバイスや光学デバイス等に分類できる。そして、圧電素子に水晶を用いた水晶振動子や水晶発振器等が広く知られており、一般的に使われている。

ここで水晶振動子として、例えば、特許文献１では次のようなものが開示されている。まず、両主面に励振電極が形成された振動部と、振動部と接続して、当該振動部の周囲を囲む枠部がある。枠部には板状のベースが接合する。ベースの側面には切欠き部が形成され、ベースの裏面（枠部と接合する面の反対面）には実装端子が形成される。ここで、励振電極からは、枠部まで伸びるように引出電極が形成される。引出電極は、ベースの切欠き部に対向する領域まで伸びる。そして、実装端子は、切欠き部の側面に形成された電極を経由して引出電極に導通する。

特開２０１３−０１７１６３号公報

しかし、当該水晶振動子が、ハンダによって基板に実装された場合、ハンダが引出電極を浸食して、励振電極まで到達するおそれがあった。特に、電子機器の製造のために、当該水晶振動子を実装した基板を複数回加熱することが必要な場合がある。また、ハンダを構成する金属と引出電極を構成する金属とが合金を形成しやすい場合がある。この場合に、この際にハンダが励振電極まで到達するおそれが顕著になるという問題があった。

以上のような事情に鑑みて、本発明は圧電デバイスをハンダで基板に実装した場合に、ハンダが励振電極まで浸食することを回避できる圧電デバイスの提供を目的とする。

本発明の第１観点の圧電デバイスは、圧電材料からなり、励振部、励振部の周囲を囲む枠部、励振部と枠部とを接続する接続部、励振部の両主面に形成された励振電極、及び励振電極と接続して枠部まで伸びる引出電極、を有する枠付き圧電振動片と、枠部と接合材で接合し、枠部と対向する主面の反対面に形成された実装端子、側面に形成された切欠き部、及び切欠き部に形成されて実装端子及び引出電極と接続する切欠き部電極を有するベースと、を備える。引出電極は、切欠き部電極に接続される切欠き部領域と、励振電極に接続される励振電極接続領域と、切欠き部領域及び励振電極接続領域の間に形成されハンダの浸食を防止する為の浸食防止領域と、により構成され、また、浸食防止領域における引出電極は金（Ａｕ）及び銀（Ａｇ）を含まずに形成され、切欠き部領域及び励振電極接続領域の引出電極は金（Ａｕ）又は銀（Ａｇ）の少なくとも一方を含んで形成される。

本発明の第２観点の圧電デバイスは、第１観点の圧電デバイスにおいて、浸食防止領域が枠部に形成される。

本発明の第３観点の圧電デバイスは、第１観点又は第２観点の圧電デバイスにおいて、圧電材料からなり、両主面に形成される励振電極及び励振電極から引き出される引出電極を有する圧電振動片と、側面に形成された切欠き部、圧電振動片を載置する主面に形成され引出電極に電気的に接続される接続電極、圧電振動片を載置する主面とは反対側の主面に形成される実装端子、及び切欠き部に形成され接続電極と実装端子とを接続する切欠き部電極を有するベースと、を備える。接続電極は、切欠き部電極に接続される切欠き部領域と、引出電極を介して励振電極に電気的に接続される励振電極接続領域と、切欠き部領域及び励振電極接続領域の間に形成されハンダの浸食を防止する為の浸食防止領域と、により構成される。また、浸食防止領域における接続電極は金（Ａｕ）及び銀（Ａｇ）を含まずに形成され、切欠き部領域及び励振電極接続領域の接続電極は金（Ａｕ）又は銀（Ａｇ）の少なくとも一方を含んで形成される。

本発明の第４観点の圧電デバイスは、第１観点から第３観点の圧電デバイスにおいて、浸食防止領域がクロム（Ｃｒ）層、ニッケル（Ｎｉ）層、タングステン（Ｗ）層、モリブデン（Ｍｏ）層、ニッケルタングステン（ＮｉＷ）層、チタン（Ｔｉ）層、又はクロム（Ｃｒ）層とニッケルタングステン（ＮｉＷ）層との２層により形成され、切欠き部領域及び励振電極接続領域では表面に金（Ａｕ）層又は銀（Ａｇ）層が形成されている。

本発明の第５観点の圧電デバイスは、第３観点の圧電デバイスにおいて、さらに、圧電振動片を覆うリッドを備える。また、浸食防止領域はリッドとベースとを接合する非導電性の接合材より形成される。

本発明の第６観点の圧電デバイスは、第１観点又は第２観点の圧電デバイスにおいて、浸食防止領域がベースと圧電振動片の枠部とを接合する非導電性の接合材より形成される。

本発明の第７観点の圧電デバイスは、第１観点から第６観点の圧電デバイスにおいて、切欠き部領域及び励振電極接続領域が、クロム（Ｃｒ）層と、クロム（Ｃｒ）層の表面に形成されるニッケルタングステン（ＮｉＷ）層と、ニッケルタングステン（ＮｉＷ）層の表面に形成される金（Ａｕ）層と、により形成される。

本発明の圧電デバイスによれば、圧電デバイスをハンダで基板に実装した場合に、ハンダが励振電極まで浸食することを回避できる。

圧電デバイス１００の分解斜視図である。 図１のＡ−Ａ断面図である。 （ａ）は、圧電振動片１２０の上面図である。 （ｂ）は、圧電振動片１２０の下面図である。 ベース１４０の下面図である。 （ａ）は、圧電デバイス１００の一部を拡大した断面図である。 （ｂ）は、図５（ａ）の点線１８１の拡大図である。 圧電デバイス１００の製造方法が示されたフローチャートである。 圧電ウエハＷ１２０の平面図である。 （ａ）は、クロム（Ｃｒ）のブロック１５４が形成されたベアウエハの枠部１２２の部分断面図である。 （ｂ）は、励振電極１２８及び引出電極１３０が形成された圧電ウエハＷ１２０の枠部１２２の部分断面図である。 （ｃ）は、浸食防止領域１３０Ｂの金（Ａｕ）層が除去された圧電ウエハＷ１２０の枠部１２２の部分断面図である。 （ａ）は、ベースウエハＷ１４０の平面図である。 （ｂ）は、リッドウエハＷ１１０の平面図である。 （ａ）は、励振電極１２８及び引出電極１３０が形成された圧電ウエハＷ１２０の枠部１２２の部分断面図である。 （ｂ）は、浸食防止領域１３０Ｂの金（Ａｕ）層が除去された圧電ウエハＷ１２０の枠部１２２の部分断面図である。 （ｃ）は、圧電デバイス１００ａの一部を拡大した断面図である。 （ａ）は、浸食防止領域１３０Ｂにおいて第１層１９１Ａから第３層１９１Ｃが除去された圧電ウエハＷ１２０の枠部１２２の部分断面図である。 （ｂ）は、浸食防止領域１３０Ｂにクロム（Ｃｒ）層１５５が形成された圧電ウエハＷ１２０の枠部１２２の部分断面図である。 （ｃ）は、圧電デバイス１００ｂの一部を拡大した断面図である。 圧電デバイス２００の分解斜視図である。 （ａ）は、図１２のＢ−Ｂ断面図である。 （ｂ）は、図１３（ａ）の点線１８２の拡大図である。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明の範囲は以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。

（第１実施形態）
＜圧電デバイス１００の全体構成＞
図１は、圧電デバイス１００の分解斜視図である。圧電デバイス１００は外形が直方体状の圧電振動子である。圧電デバイス１００は図１に示される通り、ベース１４０と、枠付き圧電振動片１２０と、リッド１１０とが積層された構成になっている。圧電振動片１２０には、例えばＡＴカットの水晶振動片が用いられる。ＡＴカットの水晶振動片は、主面（ＹＺ面）が結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に対して、Ｘ軸を中心としてＺ軸からＹ軸方向に３５度１５分傾斜されている。以下の説明では、ＡＴカットの水晶振動片の軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をＹ’軸及びＺ’軸として用いる。すなわち、圧電デバイス１００において、圧電デバイス１００の長手方向をＸ軸方向、圧電デバイス１００の高さ方向をＹ’軸方向、Ｘ軸方向及びＹ’軸方向に垂直な方向をＺ’軸方向として説明する。

枠付き水晶振動片１２０は、中央に矩形状の振動部１２４が設けられる。振動部１２４の外側には、振動部１２４と離間して振動部１２４を囲む枠部１２２が設けられる。振動部１２４と枠部１２２とは、振動部１２４の−Ｘ軸側から−Ｘ軸方向に伸びて枠部１２２に到達する接続部１２６によって、接続される。

振動部１２４の両主面である＋Ｙ’軸側の面及び−Ｙ’軸側の面には、図１に示される通り、互いに対向する励振電極１２８が形成される。また、各励振電極１２８からは、接続部１２６を介して枠部１２２に引出電極１３０が引き出されている。

ベース１４０は平板状に形成され、枠部１２２の−Ｙ’軸側の面に接合される。ベース１４０は振動部１２４に対向するように配置される。ベース１４０はガラス又は水晶等を基材として形成される。また、ベース１４０の−Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側及び＋Ｘ軸側の−Ｚ’軸側の角には、ベース１４０の角が切り取られるように形成される切欠き部１４８が形成されている。ベース１４０には電極が形成されるが、図１では示されていない。ベース１４０に形成される電極に関しては、図２、図４、図５（ａ）、及び図５（ｂ）で説明される。

リッド１１０は平板状に形成され、枠部１２２の＋Ｙ’軸側の面に接合される。リッド１１０は振動部１２４に対向するように配置される。リッド１１０はガラス又は水晶等で形成される。

図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。リッド１１０と枠部１２２とは、ポリイミド等の樹脂接着剤又は低融点ガラス等の非導電性の接合材１５１で接合される。また、ベース１４０と枠部１２２とは、ポリイミド等の樹脂接着剤又は低融点ガラス等の非導電性の接合材１５０で接合される。こうして振動部１２４は、リッド１１０、枠部１２２、及びベース１４０で囲まれた空間に密閉封入される。また、振動部１２４は、圧電デバイス１００の周波数を調整するため、及び振動部１２４がリッド１１０及びベース１４０に接触しないように枠部１２２よりも薄く形成される。

ベース１４０の−Ｙ’軸側の面には一対の実装端子１４２が形成される。また、切欠き部１４８の側面には切欠き部電極１４４が形成され、引出電極１３０に接続されるように端部電極１４６が形成されている。実装端子１４２の一方はベース１４０の＋Ｘ軸側に形成され、実装端子１４２の他方はベース１４０の−Ｘ軸側に形成される。それぞれの実装端子１４２は切欠き部１４８まで伸びて切欠き部電極１４４に接続される。また、切欠き部電極１４４は、枠部１２２の−Ｙ’軸側の面に伸びて端部電極１４６に接続される。これにより、実装端子１４２は励振電極１２８に電気的に接続される。

図３（ａ）は、圧電振動片１２０の上面図である。振動部１２４と枠部１２２との間には圧電振動片１２０をＹ’軸方向に貫通する貫通溝１３２が形成されている。また、振動部１２４と枠部１２２とは接続部１２６を介して接続されている。振動部１２４には励振電極１２８が形成されており、励振電極１２８からは接続部１２６を介して枠部１２２に引出電極１３０が引き出されている。引出電極１３０は、貫通溝１３２の側面１３４を介して枠部１２２の−Ｙ’軸側の面に引き出されている。

図３（ｂ）は、圧電振動片１２０の下面図である。−Ｙ’軸側の面に形成された励振電極１２８からは、引出電極１３０が引き出されている。引出電極１３０は、−Ｙ’軸側の面の励振電極１２８から−Ｘ軸方向に伸び、枠部１２２の−Ｘ軸側及び−Ｚ’軸側の部分を通って、枠部１２２の−Ｙ’軸側の面であって、−Ｚ’軸側かつ＋Ｘ軸側の角部まで伸びる。

また、＋Ｙ’軸側の面に形成された励振電極１２８から引き出される引出電極１３０は、貫通溝１３２の側面１３４を介して枠部１２２の−Ｙ’軸側の面に引き出されている。−Ｙ’軸側の面に引き出された引出電極１３０は、枠部１２２の−Ｙ’軸側の面であって、＋Ｚ’軸側かつ−Ｘ軸側の角部まで伸びる。

枠部１２２の一部は、ベース１４０に接続された場合にベース１４０の切欠き部１４８に面する（図２参照）。図３（ｂ）では、枠部１２２における切欠き部１４８に面する領域である切欠き部対向領域１７０が示されている。枠部１２２における切欠き部対向領域１７０の少なくとも一部には、各引出電極１３０が形成されている。

引出電極１３０は、切欠き部領域１３０Ａ、浸食防止領域１３０Ｂ、及び励振電極接続領域１３０Ｃの３つの領域に分けて説明される。切欠き部領域１３０Ａは、ベース１４０の切欠き部１４８に面する切欠き部対向領域１７０を含む領域である。励振電極接続領域１３０Ｃは励振電極１２８に接続される領域である。浸食防止領域１３０Ｂは、切欠き部領域１３０Ａ及び励振電極接続領域１３０Ｃの間に形成される領域であり、切欠き部領域１３０Ａと励振電極接続領域１３０Ｃとを分断するように形成されている。なお、励振電極接続領域１３０Ｃは、図３（ａ）に示される励振電極１２８に接続される引出電極１３０も含まれる。

枠部１２２の−Ｙ’軸側の面に形成される切欠き部領域１３０Ａは、Ｚ’軸方向の長さがＬ２であり、Ｘ軸方向の長さがＬ１である。圧電振動片１２０では、Ｌ２は後述される図４のＬ４に等しい。またＬ１は図４のＬ３より大きい。

図４は、ベース１４０の下面図である。ベース１４０は、主面が略長方形に形成されており、−Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側及び＋Ｘ軸側の−Ｚ’軸側の角には切欠き部１４８が形成されている。ベース１４０の−Ｙ’軸側の面の＋Ｘ軸側及び−Ｘ軸側にはそれぞれ実装端子１４２が形成されている。また、切欠き部１４８の側面には切欠き部電極１４４が形成される。切欠き部１４８のＸＺ’平面の大きさは、Ｚ’軸方向の長さをＬ４とし、Ｘ方向の長さをＬ３としたとき、Ｌ３が例えば０．０８ｍｍであり、Ｌ４が例えば０．４ｍｍである。

＜圧電デバイス１００の電極＞
図５（ａ）は、圧電デバイス１００の一部を拡大した断面図である。図５（ａ）では、図２の点線１８０で囲まれた領域が示されている。また、図５（ａ）では、圧電デバイス１００が基板１６０に載置された状態の断面図として示されている。以下に、図５（ａ）を参照して引出電極１３０、及び、引出電極１３０と実装端子１４２との導通について説明する。

圧電デバイス１００は、例えば基板１６０に実装されることにより用いられる。この場合、圧電デバイス１００の実装端子１４２は、基板１６０上に形成される基板電極１６１にハンダ１５２を介して接合され、電気的に接続される。また、図５（ａ）に示されるように、ハンダ１５２の濡れ性によってハンダ１５２は切欠き電極１４４、端部電極１４６、及び引出電極１３０にも接触する場合がある。

実装端子１４２は、ベース１４０の基材上に形成される実装端子１４２Ａと実装端子１４２Ａの表面に形成される実装端子１４２Ｂとの２層で形成される。また、切欠き部電極１４４は切欠き部電極１４４Ａと切欠き部電極１４４Ａの表面に形成される切欠き電極１４４Ｂとの２層で構成され、端部電極１４６は端部電極１４６Ａと端部電極１４６Ａの表面に形成される端部電極１４６Ｂとの２層で構成される。端部電極１４６は、枠部１２２の切欠き部１４８に面する切欠き部対向領域１７０に形成される引出電極１３０の切欠き部領域１３０Ａに接続されている。

実装端子１４２Ａ、切欠き部電極１４４Ａ、及び端部電極１４６Ａは一体的に形成されている。また、実装端子１４２Ｂ、切欠き部電極１４４Ｂ、及び端部電極１４６Ｂが一体的に形成されている。実装端子１４２Ａ、切欠き部電極１４４Ａ、及び端部電極１４６Ａはスパッタ又は蒸着などで形成される。実装端子１４２Ｂ、切欠き部電極１４４Ｂ及び端部電極１４６Ｂは、無電解メッキで形成される。実装端子１４２Ｂ、切欠き部電極１４４Ｂ及び端部電極１４６Ｂは、実装端子１４２Ａ、切欠き部電極１４４Ａ、及び端部電極１４６Ａより厚く形成される。これにより、実装端子１４２、切欠き部電極１４４、及び端部電極１４６の全体が厚く形成されるため、実装端子１４２と引出電極１３０との断線が防止され、導通が確保される。

図５（ｂ）は、図５（ａ）の点線１８１の拡大図である。切欠き部電極１４４Ａは、さらに３層からなる。ベース１４０の基材に接する層である切欠き部電極１４４Ａの第１層１９３Ａは、例えばクロム（Ｃｒ）層として形成される。当該第１層１９３Ａの表面に形成される第２層１９３Ｂは、ニッケル（Ｎｉ）及びタングステン（Ｗ）の合金であるニッケルタングステン（ＮｉＷ）層として形成される。当該第２層１９３Ｂの表面に形成される第３層１９３Ｃは、金（Ａｕ）層として形成される。実装端子１４２Ａ及び端部電極１４６Ａは切欠き部電極１４４Ａと一体的に形成されるため、実装端子１４２Ａ及び端部電極１４６Ａも切欠き部電極１４４Ａと同様に第１層１９３Ａ、第２層１９３Ｂ、及び第３層１９３Ｃにより形成される。

また、切欠き部電極１４４Ｂは２層からなる。切欠き部電極１４４Ａの表面に接するように形成される層である切欠き部電極１４４Ｂの第１層１９４Ａは、ニッケル（Ｎｉ）層として形成される。当該第１層１９４Ａの表面に形成される第２層１９４Ｂは金（Ａｕ）層として形成される。そして、当該第２層１９４Ｂが切欠き部電極１４４の表面に露出する。実装端子１４２Ｂ及び端部電極１４６Ｂは切欠き部電極１４４Ｂと一体的に形成されるため、実装端子１４２Ｂ及び端部電極１４６Ｂも切欠き部電極１４４Ｂと同様に第１層１９４Ａ及び第２層１９４Ｂにより形成される。

引出電極１３０の切欠き部領域１３０Ａ及び励振電極接続領域１３０Ｃは、３層からなる。圧電振動片１２０の基材である水晶の表面には、第１層１９１Ａとしてクロム（Ｃｒ）層が形成される。当該第１層１９１Ａの表面に形成される第２層１９１Ｂは、ニッケル（Ｎｉ）及びタングステン（Ｗ）の合金であるニッケルタングステン（ＮｉＷ）層として形成される。当該第２層１９１Ｂの表面に形成される第３層１９１Ｃは、金（Ａｕ）層として形成される。一方、浸食防止領域１３０Ｂはクロム（Ｃｒ）のみからなる。なお、クロム（Ｃｒ）の表面にニッケル（Ｎｉ）及びタングステン（Ｗ）の合金であるニッケルタングステン（ＮｉＷ）層が形成されていてもよい。

浸食防止領域１３０Ｂは、圧電振動片１２０の基材となる水晶との付着強度が強く、ハンダ１５２に浸食され難く、導電性を有する金属により形成されることができる。そのため、浸食防止領域１３０Ｂは、例えば、クロム（Ｃｒ）の代わりに、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、ニッケルタングステン（ＮｉＷ）、モリブデン（Ｍｏ）、又はチタン（Ｔｉ）等により形成されても良い。

また、切欠き部領域１３０Ａ及び励振電極接続領域１３０Ｃの第３層１９１Ｃ、実装端子１４２Ａ、端部電極１４６Ａ、及び切欠き部電極１４４Ａの第３層１９３Ｃ、及び実装端子１４２Ｂ、端部電極１４６Ｂ、及び切欠き部電極１４４Ｂの第２層１９４Ｂは、金（Ａｕ）の代わりに銀（Ａｇ）を用いて銀（Ａｇ）層が形成されても良く、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、及びパラジウム（Ｐｄ）の合金により形成される層が形成されても良い。

なお、励振電極１２８も、引出電極１３０の切欠き部領域１３０Ａ及び励振電極接続領域１３０Ｃと同様の３層により形成される。すなわち、第１層１９１Ａのクロム（Ｃｒ）層、第２層１９１Ｂのニッケルタングステン（ＮｉＷ）層、及び第３層１９１Ｃの金（Ａｕ）層により形成される。

＜圧電デバイス１００の基板１６０への実装方法＞
圧電デバイス１００は、図５（ａ）に示されるように、基板１６０に実装されることにより用いられる。このような実装は次のようにして行われる。まず、基板電極１６１が形成された基板１６０を用意する。次に、基板電極１６１の表面にハンダ１５２のペーストを塗布する。次に、ハンダ１５２のペースト上に実装端子１４２が接触するように基板１６０に圧電デバイス１００を載置する。次に、少なくともハンダ１５２のペーストを加熱して溶融させることにより、圧電デバイス１００が基板１６０に接合される。ハンダ１５２のペーストが加熱された際、ハンダ１５２は、図５（ａ）に示される通り、切欠き部電極１４４の表面を這い上がり、端部電極１４６及び、引出電極１３０の枠部１２２の切欠き部対向領域１７０における外側面に到達する。

ここで、ハンダは鉛（Ｐｂ）及びスズ（Ｓｎ）を主成分とした合金であり、ハンダの主成分であるスズ（Ｓｎ）は、金（Ａｕ）と合金を形成しやすい性質があることが知られている。よって、スズ（Ｓｎ）と金（Ａｕ）とが接触した状態で加熱されると、スズ（Ｓｎ）は金（Ａｕ）を浸食していく。図５（ｂ）に示されるように、ハンダ１５２と切欠き部領域１３０Ａの第３層１９１Ｃとが接触する場合には、ハンダ１５２が切欠き部領域１３０Ａの表面の層である第３層１９１Ｃを構成する金（Ａｕ）を浸食して励振電極１２８の方向に進む。

従来の圧電デバイスでは、このようにハンダのスズ（Ｓｎ）が引出電極に含まれる金（Ａｕ）を介して圧電振動片の励振電極に到達し、励振電極をも浸食することで圧電振動片の周波数をずらし、又は圧電振動片の発振を妨げる場合があった。

圧電デバイス１００では、引出電極１３０に浸食防止領域１３０Ｂが形成されることにより、ハンダ１５２が切欠き部領域１３０Ａを浸食していっても、クロム（Ｃｒ）からなる浸食防止領域１３０Ｂに到達すると、浸食防止領域１３０Ｂで浸食が実質的に止まるといえる。また、スズ（Ｓｎ）とクロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、ニッケル（Ｎｉ）及びタングステン（Ｗ）の合金であるニッケルタングステン（ＮｉＷ）とは、それぞれ、スズ（Ｓｎ）及び金（Ａｕ）の場合と比べて合金が形成されにくく、加熱してもスズ（Ｓｎ）が、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、及びニッケルタングステン（ＮｉＷ）を浸食する速度が遅い。したがって、ハンダ１５２が励振電極接続領域１３０Ｃまで到達することがない。これにより、ハンダ１５２が励振電極１２８にまで到達することが防がれている。

また、ハンダ１５２は励振電極１２８にまで到達しなくても、ベース１４０に直接固定されない接続部１２６及び振動部１２４にまで浸食した場合には、接続部１２６及び振動部１２４に形成される引出電極１３０の重さが変動して周波数が変動する可能性がある。圧電デバイス１００では、浸食防止領域１３０Ｂが枠部１２２に形成されていることによりハンダ１５２が接続部１２６及び振動部１２４にまで浸食することが防がれているため好ましい。

以上では、切欠き部領域１３０Ａの外側面から、ハンダ１５２が浸食することを説明した。しかし、端部電極１４６から、ハンダ１５２が切欠き部領域１３０Ａまで浸食することもある。この点を次に説明する。

端部電極１４６の表面となる、端部電極１４６Ｂの第２層１９４Ｂは金（Ａｕ）の層がある。したがって、ハンダ１５２は、加熱された際に当該金（Ａｕ）の層を浸食して、端部電極１４６Ｂの第１層１９４Ａに到達する。ここで、端部電極１４６Ｂの第１層１９４Ａはニッケル（Ｎｉ）の層であるため、ハンダ１５２の浸食の速度が遅くなる。しかし、当該第１層１９４Ａは例えば３０Åであり薄く形成される。したがって、ハンダ１５２は当該第１層１９４Ａを浸食して、端部電極１４６Ａに到達することがある。

ここで、端部電極１４６Ａの表面の層である第３層１９３Ｃは金（Ａｕ）の層である。したがって、ハンダ１５２は当該第３層１９３Ｃを浸食して端部電極１４６Ａの第２層１９３Ｂに到達する。ここで、当該第２層１９３Ｂ及び第１層１９３Ａは、それぞれスズ（Ｓｎ）の浸食が遅い、ニッケル（Ｎｉ）とタングステン（Ｗ）との合金の層、及びクロム（Ｃｒ）の層である。しかし、当該第２層１９３Ｂ及び第１層１９３Ａは、それぞれ例えば３０Åであり薄く形成される。したがって、端部電極１４６Ｂの場合と同様に、ハンダ１５２は、端部電極１４６Ａを浸食していき、引出電極１３０に到達することがある。

このようにして、ハンダ１５２は端部電極１４６を浸食して枠部１２２の切欠き部１４８に面する領域１７０に形成される引出電極１３０に到達することがある。しかし、このようにハンダ１５２の浸食が進んでも、ハンダ１５２の浸食が、クロム（Ｃｒ）からなる浸食防止領域１３０Ｂに到達すると、浸食防止領域１３０Ｂで浸食が実質的に止まるといえる。したがって、ハンダ１５２が励振電極接続領域１３０Ｃまで到達することがない。

以上説明した圧電デバイス１００によれば、以下の優れた効果が得られる。切欠き部領域１３０Ａ及び励振電極接続領域１３０Ｃの表面には金（Ａｕ）の層が形成される。しかし、切欠き部領域１３０Ａと励振電極接続領域１３０Ｃとを分断する領域に、クロム（Ｃｒ）からなる浸食防止領域１３０Ｂが形成される。

したがって、圧電デバイス１００を、ハンダ１５２で基板１６０に実装して、ハンダ１５２が切欠き部領域１３０Ａに浸食した場合であっても、当該浸食は浸食防止領域１３０Ｂで止められて、ハンダ１５２が励振電極１２８まで到達することを回避できる。特に、図３（ｂ）に示される通り、浸食防止領域１３０Ｂは枠部１２２に形成される。したがって、ハンダ１５２が、振動部１２４及び接続部１２６まで到達することを回避できる。さらに、ハンダ１５２が、枠部１２２における、振動部１２４側の端部まで到達することを回避できる。

また、電子機器の製造のため、圧電デバイス１００が実装された基板１６０を、さらに１回以上加熱することがある。この場合、ハンダ１５２の浸食がより進むと考えられる。しかし、浸食防止領域１３０Ｂによってハンダ１５２の浸食が止まるため、ハンダ１５２が励振電極接続領域１３０Ｃまで浸食することを回避できる。なお、浸食防止領域１３０Ｂの表面にニッケル（Ｎｉ）とタングステン（Ｗ）との合金の層がある場合であっても、ニッケル（Ｎｉ）とタングステン（Ｗ）との合金はハンダの浸食が遅いため、同様の効果が得られる。

＜圧電デバイス１００の製造方法＞
図６は、圧電デバイス１００の製造方法が示されたフローチャートである。以下に、図６のフローチャートを参照して圧電デバイス１００の製造方法を説明する。

ステップＳ１０１では、圧電ウエハＷ１２０が用意される。ステップＳ１０１は、圧電ウエハを用意する工程である。圧電ウエハＷ１２０には、複数の圧電振動片１２０が形成されている。

図７は、圧電ウエハＷ１２０の平面図である。圧電ウエハＷ１２０には、複数の圧電振動片１２０が形成されており、互いに隣接した圧電振動片１２０の境界にはスクライブライン１７１が示されている。各圧電振動片１２０には貫通孔１３２が形成され、励振電極１２８及び引出電極１３０が形成されている。

ステップＳ１０１では、まず圧電材料により形成されたベアウエハが用意される。圧電デバイス１００では圧電材料として水晶が用いられるため、用意されるベアウエハは水晶のベアウエハである。ベアウエハは、枠付き圧電振動片１２０となる仮想的な領域（枠付き圧電振動片仮想領域）を複数有している。この枠付き圧電振動片仮想領域は、図７においてはスクライブライン１７１により囲まれた１つの領域に相当する。

次に、ベアウエハをエッチングして、枠付き圧電振動片仮想領域のそれぞれについて、振動部１２４及び接続部１２６の外形を形成する。具体的には、枠部１２２と、接続部１２６と、振動部１２４とで囲まれる領域を貫通させる。この際、振動部１２４を所定の厚さにして、圧電デバイス１００の周波数が所定の値になるように調整する。

次に、エッチングされたベアウエハに励振電極１２８及び引出電極１３０を形成する。以下に、図８（ａ）から図８（ｃ）を参照して電極形成について説明する。

図８（ａ）は、クロム（Ｃｒ）のブロック１５４が形成されたベアウエハの枠部１２２の部分断面図である。ベアウエハはエッチングされた後に、ベアウエハの−Ｙ’軸側の全面にクロム（Ｃｒ）の膜をスパッタ又は蒸着などで形成する。次に、エッチングによって、枠付き圧電振動片仮想領域における浸食防止領域１３０Ｂが形成される領域以外の領域のクロム（Ｃｒ）を除去する。その結果、図８（ａ）に示されるように枠部１２２の浸食防止領域１３０Ｂが形成される領域にクロム（Ｃｒ）のブロック１５４が形成される。

図８（ｂ）は、励振電極１２８及び引出電極１３０が形成された圧電ウエハＷ１２０の枠部１２２の部分断面図である。クロム（Ｃｒ）のブロック１５４が形成されたベアウエハは励振電極１２８及び引出電極１３０が形成されることにより圧電ウエハＷ１２０として形成される。図８（ａ）に示されるクロム（Ｃｒ）のブロック１５４が形成されたベアウエハの＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の全面に、クロム（Ｃｒ）の層、ニッケル（Ｎｉ）及びタングステン（Ｗ）の合金の層、及び金（Ａｕ）の層を、スパッタ又は蒸着などによって、この順序で形成する。これらの層が引出電極１３０の第１層１９１Ａ、第２層１９１Ｂ、及び第３層１９１Ｃとなる。次に、エッチングによって、励振電極１２８及び引出電極１３０を除いた領域の、クロム（Ｃｒ）の層、ニッケル（Ｎｉ）及びタングステン（Ｗ）の合金の層、及び金（Ａｕ）の層を除去する。これによって、励振電極１２８及び引出電極１３０が形成される。

図８（ｃ）は、浸食防止領域１３０Ｂの金（Ａｕ）層が除去された圧電ウエハＷ１２０の枠部１２２の部分断面図である。図８（ｂ）に示される状態では浸食防止領域１３０Ｂの表面に金（Ａｕ）の層が残っている。そこで、次に、エッチングによって、浸食防止領域１３０Ｂの表面に形成された金（Ａｕ）の層を除去する。なお、浸食防止領域１３０Ｂの表面の金（Ａｕ）の層と共にニッケル（Ｎｉ）及びタングステン（Ｗ）の合金の層を除去してもよい。この場合、浸食防止領域１３０Ｂは、図５（ｂ）に示されるようにクロム（Ｃｒ）の層のみから形成されることになる。

図６に戻って、ステップＳ１０２では、ベースウエハＷ１４０が用意される。ベースウエハＷ１４０には、複数のベース１４０が形成される。ステップＳ１０２は、ベースウエハＷ１４０を用意する工程である。

図９（ａ）は、ベースウエハＷ１４０の平面図である。ベースウエハＷ１４０には、複数のベース１４０が形成されており、互いに隣接したベース１４０の境界にはスクライブライン１７１が示されている。ベースウエハＷ１４０は、水晶等の圧電材料又はガラス等により形成されている。

ステップＳ１０２では、まず圧電材料等により形成されたベアウエハが用意される。圧電デバイス１００では、用意されるベアウエハは水晶のベアウエハである。ベアウエハは、ベース１４０となる仮想的な領域（ベース仮想領域）を複数有する。次に、エッチングによって、ベース仮想領域の切欠き部１４８となる領域が貫通されて、切欠き部１４８が形成される。

ステップＳ１０３では、リッドウエハＷ１１０が用意される。リッドウエハＷ１１０には、複数のリッド１１０が形成される。ステップＳ１０３は、リッドウエハＷ１１０を用意する工程である。

図９（ｂ）は、リッドウエハＷ１１０の平面図である。リッドウエハＷ１１０には、複数のリッド１１０が形成されており、互いに隣接したリッド１１０の境界にはスクライブライン１７１が示されている。リッドウエハＷ１１０は、水晶等の圧電材料又はガラス等により形成される。ステップＳ１０３では、まず圧電材料又はガラス等により形成されたベアウエハが用意される。圧電デバイス１００では、用意されるベアウエハは水晶のベアウエハである。ベアウエハは、リッド１１０となる仮想的な領域（リッド仮想領域）を複数有する。

ステップＳ１０４では、接合材１５０により圧電ウエハＷ１２０とベースウエハＷ１４０とが接合される。ステップＳ１０４は、圧電ウエハとベースウエハとの接合工程である。ステップＳ１０４では、圧電ウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面とベースウエハＷ１４０の＋Ｙ’軸側の面とが、枠付き圧電振動片仮想領域とベース仮想領域とが対向するように接合材１５０を介して互いに接合される。

ステップＳ１０５では、接合材１５１により圧電ウエハＷ１２０とリッドウエハＷ１１０とが接合される。ステップＳ１０５は、圧電ウエハとリッドウエハとの接合工程である。ステップＳ１０５では、圧電ウエハＷ１２０の＋Ｙ’軸側の面とリッドウエハＷ１１０の−Ｙ’軸側の面とが、枠付き圧電振動片仮想領域とリッド仮想領域とが対向するように接合材１５１を介して互いに接合される。これによって、積層されたウエハが形成される。

ステップＳ１０６では、実装端子１４２が形成される。ステップＳ１０６は、実装端子形成工程である。当該積層されたウエハの−Ｙ’軸側の面であるベースウエハＷ１４０側の面からスパッタ又は蒸着などによって、クロム（Ｃｒ）の層、ニッケル（Ｎｉ）及びタングステン（Ｗ）の合金の層、及び金（Ａｕ）の層が順次形成されて、図５（ａ）に示される実装端子１４２Ａ、切欠き部電極１４４Ａ及び端部電極１４６Ａが形成される。次に無電解メッキによって、実装端子１４２Ａ、切欠き部電極１４４Ａ及び端部電極１４６Ａの表面に、ニッケル（Ｎｉ）の層及び金（Ａｕ）の層が順次形成され、実装端子１４２Ｂ、切欠き部電極１４４Ｂ及び端部電極１４６Ｂが形成される。

ステップＳ１０７では、積層されたウエハがダイシングにより切断される。ステップＳ１０７は、切断工程である。当該積層されたウエハは、スクライブライン１７１に沿ってダイシングされることにより、個片になった圧電デバイス１００が形成される。

＜浸食防止領域１３０Ｂの形成例＞
浸食防止領域１３０Ｂは、図８（ａ）から図８（ｃ）で説明された方法とは異なる方法により形成されても良い。以下に、図８（ａ）から図８（ｃ）で説明された方法とは異なる方法により浸食防止領域１３０Ｂを形成する方法について説明する。なお、図１０（ａ）から図１０（ｃ）においては圧電デバイス１００ａについて、図１０（ａ）及び図１１（ａ）から図１１（ｃ）においては圧電デバイス１００ｂについて説明される。圧電デバイス１００ａ、１００ｂは、圧電デバイス１００と浸食防止領域１３０Ｂの構成が異なるのみであり、その他の構成は圧電デバイス１００と同様である。

図１０（ａ）は、励振電極１２８及び引出電極１３０が形成された圧電ウエハＷ１２０の枠部１２２の部分断面図である。図１０（ａ）には、図６のステップＳ１０１においてエッチングされたベアウエハに励振電極１２８及び引出電極１３０が形成された圧電ウエハＷ１２０の枠部１２２の部分断面が示されている。図１０（ａ）は図８（ｂ）とは異なり、クロム（Ｃｒ）のブロック１５４が形成されていない。

図１０（ｂ）は、浸食防止領域１３０Ｂの金（Ａｕ）層が除去された圧電ウエハＷ１２０の枠部１２２の部分断面図である。図１０（ｂ）における浸食防止領域１３０Ｂは、第３層１９１Ｃがエッチングされることにより除去される。すなわち、浸食防止領域１３０Ｂが第１層１９１Ａ及び第２層１９１Ｂにより形成されることになる。

図１０（ｃ）は、圧電デバイス１００ａの一部を拡大した断面図である。図１０（ｃ）は、図５（ｂ）に相当する部分の断面図である。圧電デバイス１００ａでは、浸食防止領域１３０Ｂの第３層１９１Ｃが形成されていた空間に接合材１５０が入り込んでいる。これにより、切欠き部領域１３０Ａにハンダ１５２が浸食したとしても、第１層１９１Ａ及び第２層１９１Ｂはハンダ１５２に浸食され難く、接合材１５０はハンダ１５２に浸食されないため、ハンダ１５２の浸食が励振電極接続領域１３０Ｃまで及ぶことが防がれる。

図１１（ａ）は、浸食防止領域１３０Ｂにおいて第１層１９１Ａから第３層１９１Ｃが除去された圧電ウエハＷ１２０の枠部１２２の部分断面図である。圧電デバイス１００ｂでは、図１０（ａ）の状態から浸食防止領域１３０Ｂの第１層１９１Ａから第３層１９１Ｃがエッチング等により除去される。

図１１（ｂ）は、浸食防止領域１３０Ｂにクロム（Ｃｒ）層１５５が形成された圧電ウエハＷ１２０の枠部１２２の部分断面図である。圧電デバイス１００ｂでは、図１１（ａ）の後に、浸食防止領域１３０Ｂにクロム（Ｃｒ）層１５５がスパッタ又は蒸着などで形成される。

図１１（ｃ）は、圧電デバイス１００ｂの一部を拡大した断面図である。図１１（ｃ）は、図５（ｂ）に相当する部分の断面図である。圧電デバイス１００ｂでは、浸食防止領域１３０Ｂが、ハンダ１５２が浸食し難いクロム（Ｃｒ）層１５５のみにより形成されることになる。そのため、切欠き部領域１３０Ａにハンダ１５２が浸食したとしても、ハンダ１５２の浸食が励振電極接続領域１３０Ｃまで及ぶことが防がれる。

（第２実施形態）
圧電デバイス１００は、ベース１４０、圧電振動片１２０、及びリッド１１０が重ね合わされる３枚重ねの圧電デバイスであるが、ベースにリッドが直接接合される２枚重ねの圧電デバイスにおいても励振電極にハンダが浸食するという問題が起こりうる。そのため、２枚重ねの圧電デバイスにおいてもハンダの浸食を防ぐための浸食防止領域が電極に形成されても良い。以下に、浸食防止領域が形成される２枚重ねの圧電デバイス２００について説明する。なお、以下の説明において、第１実施形態と同じ部分に関しては第１実施形態と同じ符号を付してその説明を省略する。

＜圧電デバイス２００の全体構成＞
図１２は、圧電デバイス２００の分解斜視図である。圧電デバイス２００は主に、圧電振動片２２０と、ベース２４０と、リッド２１０と、により構成されている。圧電デバイス２００では、リッド２１０及びベース２４０が、例えば水晶又はガラス材料等を基材として形成されている。また、圧電振動片１３０には例えばＡＴカットの水晶振動片が用いられる。

圧電デバイス２００は、ベース２４０の＋Ｙ’軸側の面上に圧電振動片２２０が載置される。さらに圧電振動片２２０を密封するようにリッド２１０がベース２４０の＋Ｙ’軸側に接合されて圧電デバイス２００が形成されている。

圧電振動片２２０は、＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の主面に励振電極２２１が形成されている。また、各励振電極２２１からは−Ｘ軸方向に引出電極２２２が引き出されて形成されている。−Ｙ’軸側に形成されている励振電極２２１に接続されている引出電極２２２は、−Ｙ’軸側の面の−Ｘ軸側の−Ｚ’軸側の端まで引き出されており、さらに−Ｚ’軸側の側面を介して＋Ｙ’軸側の面に引き出されている。

また、＋Ｙ’軸側に形成されている励振電極２２１に接続されている引出電極２２２は、−Ｙ’軸側の面の−Ｘ軸側及び＋Ｚ’軸側の端まで引き出され、さらに＋Ｚ’軸側の側面を介して−Ｙ’軸側の面に引き出されている。圧電振動片２２０に形成される励振電極２２１及び引出電極２２２等の電極は、例えば圧電振動片２２０にクロム（Ｃｒ）層が形成され、クロム（Ｃｒ）層の上に金（Ａｕ）層が形成されることにより形成されている。

リッド２１０は、−Ｙ’軸側の面に＋Ｙ’軸側に凹んでいる凹部２１１が形成されている。また、凹部２１１の周囲には接合面２１２が形成されている。リッド２１０は、接合面２１２においてベース２４０に接合される。

ベース２４０は、−Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側及び＋Ｘ軸側の−Ｚ’軸側の角には、ベース２４０の角が切り取られるように切欠き部２４８が形成されている。ベース２４０の＋Ｙ’軸側の面には、圧電振動片２２０の引出電極２２２に電気的に接続される一対の接続電極２３０が形成されている。また、切欠き部２４８には切欠き部電極２４４が形成され、ベース２４０の−Ｙ’軸側の面には実装端子２４２が形成されている。

接続電極２３０は、切欠き部電極２４４に接続される切欠き部領域２３０Ａ、導電性接着剤を介して圧電振動片が載置されることにより励振電極に電気的に接続される励振電極接続領域２３０Ｃ、及び切欠き部領域２３０Ａと励振電極接続領域２３０Ｃとの間に形成される浸食防止領域２３０Ｂにより形成される。また、実装端子２４２は、ベース２４０の基材の表面に形成される実装端子２４２Ａと、実装端子２４２Ａの表面に形成される実装端子２４２Ｂと、により形成され、切欠き部電極２４４は、ベース２４０の基材の表面に形成される切欠き部電極２４４Ａと、切欠き部電極２４４Ａの表面に形成される切欠き部電極２４４Ｂと、により形成されている。

図１３（ａ）は、図１２のＢ−Ｂ断面図である。リッド２１０はベース２４０に接合材１５０を介して接合されることにより圧電デバイス２００内に密封されたキャビティ２０１が形成される。圧電デバイス２００では、導電性接着剤１５６を介して励振電極接続領域２３０Ｃに引出電極２２２が接続されることにより、圧電振動片２２０がキャビティ２０１に載置される。

ベース２４０に形成される接続電極２３０、切欠き部電極２４４Ａ、及び実装端子２４２Ａは、ベース２４０とリッド２１０とが接合される前にスパッタ又は蒸着等により形成される。切欠き部電極２４４Ｂ及び実装端子２４２Ｂは、ベース２４０とリッド２１０とが接合された後に無電解メッキにより形成される。

図１３（ｂ）は、図１３（ａ）の点線１８２の拡大図である。図１３（ｂ）では、圧電デバイス２００がハンダ１５２で基板１６０に接合された場合の拡大図として示されている。

接続電極２３０の切欠き部領域２３０Ａ及び励振電極接続領域２３０Ｃは、ベース２４０の基材の表面に形成される第１層２９１Ａ、第１層２９１Ａの表面に形成される第２層２９１Ｂ、及び第２層２９１Ｂの表面に形成される第３層２９１Ｃにより形成されている。また、切欠き部電極２４４Ａは、ベース２４０の基材の表面に形成される第１層２９３Ａ、第１層２９３Ａの表面に形成される第２層２９３Ｂ、及び第２層２９３Ｂの表面に形成される第３層２９３Ｃにより形成されている。

切欠き部領域２３０Ａの第１層２９１Ａと切欠き部電極２４４Ａの第１層２９３Ａとはクロム（Ｃｒ）の層として一体的に形成されており、切欠き部領域２３０Ａの第２層２９１Ｂと切欠き部電極２４４Ａの第２層２９３Ｂとはニッケル（Ｎｉ）及びタングステン（Ｗ）の合金の層として一体的に形成されており、切欠き部領域２３０Ａの第３層２９１Ｃと切欠き部電極２４４Ａの第３層２９３Ｃとは金（Ａｕ）の層として一体的に形成されている。また、浸食防止領域２３０Ｂは、図５（ｂ）の浸食防止領域１３０Ｂと同様に、クロム（Ｃｒ）により形成される。
（コメント：図１３（ｂ）も図５（ｂ）と同様の修正をしました。）

切欠き部電極２４４Ｂは、切欠き部電極２４４Ａの表面に形成される第１層２９４Ａと第１層２９４Ａの表面に形成されている第２層２９４Ｂとにより形成されている。第１層２９４Ａはニッケル（Ｎｉ）の層であり、第２層２９４Ｂは金（Ａｕ）の層である。

ハンダ１５２は、加熱された際に金（Ａｕ）の層である第２層２９４Ｂを浸食して、切欠き部電極２４４Ｂの第１層２９４Ａに到達する。ここで、切欠き部電極２４４Ｂの第１層２９４Ａはニッケル（Ｎｉ）の層であるため、ハンダ１５２の浸食の速度が遅くなる。しかし、当該第１層２９４Ａは例えば３０Åであり薄く形成される。したがって、ハンダ１５２は当該第１層２９４Ａを浸食して、切欠き部電極２４４Ａに到達することがある。

切欠き部電極２４４Ａに到達したハンダ１５２は導電性接着剤１５６に達する。導電性接着剤は、主に圧電振動片を固定するためのバインダーと、電気伝導性を持たせるための導電フィラーとにより構成される。導電フィラーは、例えば銀（Ａｇ）の粒子により構成される。ハンダ１５２に含まれるスズ（Ｓｎ）は、銀（Ａｇ）に対しても浸食するため、ハンダ１５２は導電性接着剤１５６を介して圧電振動片２２０の引出電極２２２及び励振電極２２１に達する可能性がある。

圧電デバイス２００では、接続電極２３０に浸食防止領域２３０Ｂが形成されることにより、ハンダ１５２が励振電極接続領域２３０Ｃに達することが防がれている。これにより、ハンダ１５２が圧電振動片２２０に達することが防がれている。

図１３（ｂ）では、浸食防止領域２３０Ｂがキャビティ２０１内に露出した状態で形成されているが、浸食防止領域２３０Ｂは接合材１５０の−Ｙ’軸側に形成されていても良い。また、接続電極２３０では、切欠き部領域２３０Ａを形成せずに励振電極接続領域２３０Ｃ及び浸食防止領域２３０Ｂのみで形成されても良い。この場合、浸食防止領域２３０Ｂが切欠き部電極２４４Ａに接続されることになる。さらに、浸食防止領域２３０Ｂは、第１実施形態で示された浸食防止領域１３０Ｂと同様の様々な形状、構成に形成されることができる。

以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。また、各実施形態の特徴を様々に組み合わせて実施することができる。

例えば、上記の実施形態では、引出電極及び接続電極の切欠き部領域及び励振電極接続領域が、第１層のクロム（Ｃｒ）の層、第２層のニッケル（Ｎｉ）とタングステン（Ｗ）の合金の層、及び、第３層の金（Ａｕ）の層からなっていた。しかし、当該第１層及び第２層の代わりに他の金属の層を形成してもよい。具体的には当該第３層の金属、及び、圧電振動片を構成する圧電材料と一定の接合強度を確保できる金属を用いた層を形成してもよい。

上記の実施形態では、引出電極及び接続電極の切欠き部領域及び励振電極接続領域及び励振電極の表面の層である第３層は金（Ａｕ）からなる。しかし、金（Ａｕ）の代わりに、銀（Ａｇ）、又は金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、及びパラジウム（Ｐｄ）の合金を用いてもよい。銀（Ａｇ）も、金（Ａｕ）と同様にハンダ１５２の浸食が進みやすい。しかし、上記の通り、当該浸食は引出電極及び接続電極の浸食防止領域で止められる。

第１実施形態では、浸食防止領域１３０Ｂが枠部１２２に形成された。しかし、浸食防止領域１３０Ｂの形成箇所はこれに限定されず、例えば接続部１２６に形成されてもよい。この場合も、ハンダ１５２の浸食は浸食防止領域１３０Ｂで止められるため、ハンダ１５２が振動部１２４まで浸食することを回避できる。

また、浸食防止領域１３０Ｂの一部が切欠き部対向領域１７０と重なっていてもよい。こ場合であっても、浸食防止領域１３０Ｂが、切欠き部対向領域１７０と励振電極接続領域１３０Ｃとを分断する領域まで伸びていれば、ハンダ１５２が励振電極１２８まで浸食することを防止できる。

また、上記の実施形態では、振動部は矩形であってが、音叉型、楕円形、円形など他の形状であってもよい。また、圧電振動片はＡＴカットの水晶であったが、Ｚカット又はＢＴカットなどの水晶を用いてもよい。また、圧電デバイス１００、２００は水晶振動子であったが、発振回路を備えたＩＣを搭載した圧電発振器であってもよい。また、圧電振動片１２０、２２０は水晶で形成されたが、水晶以外の圧電材料、例えばタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム又は圧電セラミックを用いてもよい。

１００、２００ … 圧電デバイス
１１０、２１０ … リッド
１２０、２２０ … 圧電振動片
１２２ … 枠部
１２４ … 振動部
１２６ … 接続部
１２８、２２１ … 励振電極
１３０、２２２ … 引出電極
１３０Ａ、２３０Ａ … 切欠き部領域
１３０Ｂ、２３０Ｂ … 浸食防止領域
１３０Ｃ、２３０Ｃ … 励振電極接続領域
１３２ … 貫通溝
１３４ … 貫通溝１３２の側面
１４０、２４０ … ベース
１４２、１４２Ａ、Ｂ、２４２、２４２Ａ、２４２Ｂ … 実装端子
１４４、１４４Ａ、Ｂ、２４４、２４４Ａ、２４４Ｂ … 切欠き部電極
１４６、１４６Ａ、Ｂ … 端部電極
１４８、２４８ … 切欠き部
１５０、１５１ … 接合材
１５２ … ハンダ
１５４ … クロム（Ｃｒ）のブロック
１５５ … クロム（Ｃｒ）層
１５６ … 導電性接着剤
１６０ … 基板
１６１ … 基板電極
１７０ … 切欠き部対向領域
１７１ … スクライブライン
１９１Ａ、２９１Ａ … 切欠き部領域及び励振電極接続領域の第１層
１９１Ｂ、２９１Ｂ … 切欠き部領域及び励振電極接続領域の第２層
１９１Ｃ、２９１Ｃ … 切欠き部領域及び励振電極接続領域の第３層
１９３Ａ … 実装端子１４２Ａ、切欠き部電極１４４Ａ、及び端部電極１４６Ａの第１層
１９３Ｂ … 実装端子１４２Ａ、切欠き部電極１４４Ａ、及び端部電極１４６Ａの第２層
１９３Ｃ … 実装端子１４２Ａ、切欠き部電極１４４Ａ、及び端部電極１４６Ａの第３層
１９４Ａ … 実装端子１４２Ｂ、切欠き部電極１４４Ｂ、及び端部電極１４６Ｂの第１層
１９４Ｂ … 実装端子１４２Ｂ、切欠き部電極１４４Ｂ、及び端部電極１４６Ｂの第２層
２０１ … キャビティ
２１１ … 凹部
２１２ … 接合面
２３０ … 接続電極
Ｌ１ … 切欠き部領域１３０ＡのＸ軸方向の長さ
Ｌ２ … 切欠き部領域１３０ＡのＺ’軸方向の長さ
Ｌ３ … 切欠き部電極１４４のＸ方向の長さ
Ｌ４ … 切欠き部電極１４４のＺ’軸方向の長さ
Ｗ１１０ … リッドウエハ
Ｗ１２０ … 圧電ウエハ
Ｗ１４０ … ベースウエハ

Claims (7)

1. 圧電材料からなり、励振部と、前記励振部の周囲を囲む枠部と、前記励振部と前記枠部とを接続する接続部と、前記励振部の両主面に形成された励振電極と、前記励振電極と接続して前記枠部まで伸びる引出電極と、を有する枠付き圧電振動片と、
   前記枠部と接合材で接合し、前記枠部と対向する主面の反対面に形成された実装端子と、側面に形成された切欠き部と、前記切欠き部に形成されて前記実装端子及び前記引出電極と接続する切欠き部電極と、を有するベースと、を備え、
   前記引出電極は、前記切欠き部電極に接続される切欠き部領域と、前記励振電極に接続される励振電極接続領域と、前記切欠き部領域及び前記励振電極接続領域の間に形成されハンダの浸食を防止する為の浸食防止領域と、により構成され、
   前記浸食防止領域における前記引出電極は金（Ａｕ）及び銀（Ａｇ）を含まずに形成され、前記切欠き部領域及び前記励振電極接続領域の前記引出電極は金（Ａｕ）又は銀（Ａｇ）の少なくとも一方を含んで形成される圧電デバイス。
2. 前記浸食防止領域は、前記枠部に形成された請求項１に記載の圧電デバイス。
3. 圧電材料からなり、両主面に形成される励振電極及び前記励振電極から引き出される引出電極を有する圧電振動片と、
   側面に形成された切欠き部と、前記圧電振動片を載置する主面に形成され前記引出電極に電気的に接続される接続電極と、前記圧電振動片を載置する主面とは反対側の主面に形成される実装端子と、前記切欠き部に形成され前記接続電極と前記実装端子とを接続する切欠き部電極と、を有するベースと、を備え、
   前記接続電極は、前記切欠き部電極に接続される切欠き部領域と、前記引出電極を介して前記励振電極に電気的に接続される励振電極接続領域と、前記切欠き部領域及び前記励振電極接続領域の間に形成されハンダの浸食を防止する為の浸食防止領域と、により構成され、
   前記浸食防止領域における前記接続電極は金（Ａｕ）及び銀（Ａｇ）を含まずに形成され、前記切欠き部領域及び前記励振電極接続領域の前記接続電極は金（Ａｕ）又は銀（Ａｇ）の少なくとも一方を含んで形成される圧電デバイス。
4. 前記浸食防止領域はクロム（Ｃｒ）層、ニッケル（Ｎｉ）層、タングステン（Ｗ）層、モリブデン（Ｍｏ）層、ニッケルタングステン（ＮｉＷ）層、チタン（Ｔｉ）層、又はクロム（Ｃｒ）層とニッケルタングステン（ＮｉＷ）層との２層により形成され、前記切欠き部領域及び前記励振電極接続領域では表面に金（Ａｕ）層又は銀（Ａｇ）層が形成されている請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
5. さらに、前記圧電振動片を覆うリッドを備え、
   前記浸食防止領域は前記リッドと前記ベースとを接合する非導電性の接合材より形成される請求項３に記載の圧電デバイス。
6. 前記浸食防止領域は前記ベースと前記圧電振動片の枠部とを接合する非導電性の接合材より形成される請求項１又は請求項２に記載の圧電デバイス。
7. 前記切欠き部領域及び前記励振電極接続領域は、クロム（Ｃｒ）層と、前記クロム（Ｃｒ）層の表面に形成されるニッケルタングステン（ＮｉＷ）層と、前記ニッケルタングステン（ＮｉＷ）層の表面に形成される金（Ａｕ）層と、により形成される請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の圧電デバイス。