JP2015125629A - フィルムセンサ、タッチ位置検出機能付き表示装置、およびフィルムセンサを作製するための積層体 - Google Patents

Abstract

【課題】視認性に優れたフィルムセンサを提供する。
【解決手段】フィルムセンサは、基材フィルムを含む支持体と、基材上に設けられた複数の検出パターンと、を備えている。検出パターンは、遮光性および導電性を有する導線であって、各導線の間に開口部が形成されるよう網目状に配置された導線から構成されている。導線は、本体層および低反射層を含んでいる。このうち本体層は、９０重量％以上の銅を含んでおり、また本体層の厚みは、０．２μｍ以下になっている。低反射層は、酸化銅または窒化銅からなる銅化合物を含んでおり、低反射層の厚みは、２０〜６０ｎｍの範囲内になっている。
【選択図】図４

Description

本発明は、タッチパネルを構成するためのフィルムセンサに関する。また本発明は、当該フィルムセンサから構成されたタッチパネルと表示装置とを組み合わせることによって得られるタッチ位置検出機能付き表示装置に関する。また本発明は、フィルムセンサを作製するための積層体に関する。

今日、入力手段として、タッチパネル装置が広く用いられている。タッチパネル装置は、タッチパネル、タッチパネル上への接触位置を検出する制御回路、配線およびＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）を含んでいる。タッチパネル装置は、多くの場合、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等の表示装置が組み込まれた種々の装置等（例えば、券売機、ＡＴＭ装置、携帯電話、ゲーム機）に対する入力手段として、表示装置とともに用いられている。このような装置においては、タッチパネルが表示装置の表示面上に配置されており、これによって、表示装置に対する極めて直接的な入力が可能になっている。タッチパネルのうち表示装置の表示領域に対面する領域は透明になっており、タッチパネルのこの領域が、接触位置（接近位置）を検出し得るアクティブエリアを構成するようになる。

タッチパネルとして、投影型容量結合方式のタッチパネルが知られている。容量結合方式のタッチパネルにおいては、位置を検知されるべき外部導体（典型的には、指）が誘電体を介してタッチパネルに接触（接近）する際、新たに奇生容量が発生する。この奇生容量に起因する静電容量の変化に基づいて、タッチパネル上における外部導体の位置が検出される。このような投影型容量結合方式のタッチパネルは例えば、ＰＥＴなどの基材フィルムを含む支持体と、支持体上に設けられた複数の検出パターンと、を備えたフィルムセンサから構成されている。検出パターンは、例えば、透光性および導電性を有する透明導電材料から構成される。

また、検出パターンの電気抵抗値を低くし、これによってタッチ位置の検出精度を向上させるため、検出パターンを構成する材料として、透明導電材料よりも高い導電性を有する銀や銅などの金属材料を用いることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。検出パターンが金属材料から構成される場合、検出パターンには、表示装置からの映像光を適切な比率で透過させるための開口部が形成されている。例えば検出パターンは、網目状に配置された導線によって構成されている。

特開２０１２−７９２３８号公報

検出パターンが金属材料からなる導線によって構成される場合、金属材料が有する金属光沢に起因して検出パターンが観察者（ユーザー）に視認されてしまうことが考えられる。特に、導線の材料として銅が用いられる場合、検出パターンからの反射光として、銅に特有の、赤味を帯びた光が観察者に到達してしまい、これによって、映像の視認性が低下してしまう。

金属光沢に起因するこのような視認性の低下を防ぐため、特許文献１においては、導線の表面に酸化処理や硫化処理などの黒化処理を施して黒化処理層を設けることが提案されている。ところで、黒化処理によって形成される黒化処理層にはある程度の厚みが必要であり、このため、黒化処理層が形成される場合、導線の厚みは一般には１μｍ以上になる。一方、導線の幅は一般に数μｍ程度である。従って、黒化処理が実施される場合、導線の厚みは、導線の幅に対して無視できない程度の大きな比率で存在していると言える。この場合、導線の表面だけでなく導線の側面においても、無視できない程度の反射が生じたり、または導線の側面によって表示装置からの映像光が妨げられてしまったりすることが考えられる。

本発明は、このような課題を効果的に解決し得るフィルムセンサ、タッチ位置検出機能付き表示装置、およびフィルムセンサを作製するための積層体を提供することを目的とする。

本発明は、表示装置に組み合わされるフィルムセンサであって、基材フィルムを含む支持体と、前記支持体上に設けられた複数の検出パターンと、を備え、前記検出パターンは、遮光性および導電性を有する導線であって、各導線の間に開口部が形成されるよう網目状に配置された導線から構成されており、前記導線が、下記（１）、（２）または（３）の構成を有する導線形成層を含んでおり、
（１）前記支持体側から順に、本体層／低反射層
（２）前記支持体側から順に、低反射層／本体層
（３）前記支持体側から順に、低反射層／本体層／低反射層
前記導線形成層が上記（１）の構成を有する場合、前記導線は、前記支持体の観察者側に配置されており、前記導線形成層が上記（２）の構成を有する場合、前記導線は、前記支持体の表示装置側に配置されており、前記本体層は、９０重量％以上の銅を含み、前記本体層の厚みは、０．２μｍ以下になっており、前記低反射層は、酸化銅または窒化銅からなる銅化合物を含み、前記低反射層の厚みは、２０〜６０ｎｍの範囲内になっている、フィルムセンサである。

本発明によるフィルムセンサにおいて、前記支持体は、前記基材フィルムの観察者側に設けられた観察者側アンダーコート層をさらに含んでいてもよい。この場合、前記観察者側アンダーコート層の屈折率は、１．５０〜１．７５の範囲内になっていてもよい。

本発明によるフィルムセンサにおいて、前記観察者側アンダーコート層は、観察者側第１アンダーコート層と、前記観察者側第１アンダーコート層と前記基材フィルムとの間に設けられた観察者側第２アンダーコート層と、を含んでいてもよい。この場合、好ましくは、前記観察者側第１アンダーコート層の屈折率は、１．５８〜１．７５の範囲内になっており、前記観察者側第２アンダーコート層の屈折率は、１．５０〜１．６０の範囲内になっており、かつ、前記観察者側第１アンダーコート層の屈折率が、前記観察者側第２アンダーコート層の屈折率よりも大きくなっている。

本発明によるフィルムセンサにおいて、前記支持体は、前記基材フィルムの表示装置側に設けられた表示装置側アンダーコート層をさらに含んでいてもよい。この場合、前記表示装置側アンダーコート層の屈折率は、１．５０〜１．７５の範囲内になっていてもよい。

本発明によるフィルムセンサにおいて、前記表示装置側アンダーコート層は、表示装置側第１アンダーコート層と、前記表示装置側第１アンダーコート層と前記基材フィルムとの間に設けられた表示装置側第２アンダーコート層と、を含んでいてもよい。この場合、好ましくは、前記表示装置側第１アンダーコート層の屈折率は、１．５８〜１．７５の範囲内になっており、前記表示装置側第２アンダーコート層の屈折率は、１．５０〜１．６０の範囲内になっており、かつ、前記表示装置側第１アンダーコート層の屈折率が、前記表示装置側第２アンダーコート層の屈折率よりも大きくなっている。

本発明によるフィルムセンサにおいて、前記支持体は、前記導線に接するよう設けられ、酸化珪素または窒化銅からなる密着層をさらに含んでいてもよい。

本発明によるフィルムセンサにおいて、前記低反射層は、第１層と、前記第１層と前記本体層との間に設けられた第２層と、を含んでいてもよい。この場合、前記第１層は、酸化銅からなる銅化合物を含み、前記第２層は、窒化銅からなる銅化合物を含んでいてもよい。また、前記第１層の厚みおよび前記第２層の厚みをそれぞれｄ_１（ｎｍ）およびｄ_２（ｎｍ）とするとき、ｄ_１は１０〜３０（ｎｍ）の範囲内であり、ｄ_２は１０〜３０（ｎｍ）の範囲内であってもよい。

本発明は、表示装置と、前記表示装置の表示面上に配置されたフィルムセンサと、を備え、前記フィルムセンサは、上記記載のフィルムセンサを含む、タッチ位置検出機能付き表示装置である。

本発明は、フィルムセンサを作製するための積層体であって、基材フィルムを含む支持体と、前記支持体上に設けられ、下記（１）、（２）または（３）の構成を有する導線形成層と、を備え、
（１）前記支持体側から順に、本体層／低反射層
（２）前記支持体側から順に、低反射層／本体層
（３）前記支持体側から順に、低反射層／本体層／低反射層
前記導線形成層が上記（１）の構成を有する場合、前記導線は、前記支持体の観察者側に配置されており、前記導線形成層が上記（２）の構成を有する場合、前記導線は、前記支持体の表示装置側に配置されており、前記本体層は、９０重量％以上の銅を含み、前記本体層の厚みは、０．２μｍ以下になっており、前記低反射層は、酸化銅または窒化銅からなる銅化合物を含み、前記低反射層の厚みは、２０〜６０ｎｍの範囲内になっている、積層体である。

本発明において、導線は、９０重量％以上の銅を含む本体層と、酸化銅または窒化銅からなる銅化合物を含む低反射層と、を含んでいる。このため、銅の金属光沢に起因して、赤味を帯びた光が観察者に到達してしまうことを、低反射層によって抑制することができる。また、本体層および低反射層のいずれもが銅を含むため、積層体からフィルムセンサを作製する際、銅を選択的に溶かすことができるエッチング液を用いることにより、積層体の本体層および低反射層を同時にエッチングして導線を形成することができる。このため、フィルムセンサを作製するために必要になる工数を少なくすることができる。また本発明において、導線の本体層の厚みは、０．２μｍ以下になっている。このため、導線の幅に対する導線の厚みの比率を小さくすることができ、これによって、導線の側面で光の反射が生じることや、導線の側面によって表示装置からの映像光が妨げられてしまうことを抑制することができる。従って本発明によれば、タッチ位置の高い検出精度を確保しながら、映像の視認性を十分に確保することができる。

図１は、本発明の第１の実施の形態において、フィルムセンサを示す平面図。 図２Ａは、図１において符号IIが付された一点鎖線で囲まれた部分における検出パターンを拡大して示す平面図。 図２Ｂは、検出パターンの一変形例を示す図。 図３は、フィルムセンサを図２ＡのIII線に沿って切断した場合を示す断面図。 図４は、図３に示す支持体および導線を拡大して示す断面図。 図５（ａ）〜（ｄ）は、フィルムセンサの製造方法を説明するための図。 図６は、本発明の第１の実施の形態におけるフィルムセンサの導線の導線形成層の一変形例を示す断面図。 図７は、本発明の第１の実施の形態におけるフィルムセンサの導線の導線形成層の一変形例を示す断面図。 図８は、本発明の第２の実施の形態におけるフィルムセンサの導線の導線形成層を示す断面図。 図９は、本発明の第２の実施の形態におけるフィルムセンサの導線の導線形成層の一変形例を示す断面図。 図１０は、本発明の第２の実施の形態におけるフィルムセンサの導線の導線形成層の一変形例を示す断面図。 図１１は、本発明の第３の実施の形態におけるフィルムセンサの導線の導線形成層を示す断面図。 図１２は、本発明の第３の実施の形態におけるフィルムセンサの導線の導線形成層の一変形例を示す断面図。 図１３は、本発明の第３の実施の形態におけるフィルムセンサの導線の導線形成層の一変形例を示す断面図。 図１４は、本発明の第４の実施の形態において、タッチ位置検出機能付き表示装置を示す展開図。 図１５は、図１４のタッチ位置検出機能付き表示装置におけるタッチパネルを示す平面図。 図１６は、図１５において符号ＸVIが付された一点鎖線で囲まれた部分における検出パターンを拡大して示す平面図。 図１７は、タッチパネルを図１６のＸVII線に沿って切断した場合を示す断面図。 図１８は、図１７に示すタッチパネルの一部を拡大して示す断面図。 図１９は、本発明の第４の実施の形態におけるタッチパネルの一変形例を示す断面図。 図２０は、本発明の第４の実施の形態におけるタッチパネルの一変形例を示す断面図。 図２１は、本発明の第４の実施の形態におけるタッチパネルの一変形例を示す断面図。 図２２は、本発明の第４の実施の形態におけるタッチパネルの一変形例を示す断面図。 図２３は、表示装置側に配置される導線の断面形状の一変形例を示す図。 図２４は、本発明の第５の実施の形態におけるフィルムセンサを示す断面図。 図２５は、図２４に示すフィルムセンサの一部を拡大して示す断面図。 図２６は、図２５に示すフィルムセンサを作製するための積層体を示す断面図。 図２７は、実施例１および２における積層体のサンプルの層構成を示す断面図。 図２８は、実施例１における積層体のサンプルの反射率の測定結果を示す図。 図２９は、実施例２における積層体のサンプルの反射率の測定結果を示す図。 図３０は、実施例３における積層体のサンプルの層構成を示す断面図。 図３１は、実施例３における積層体のサンプルの反射率の測定結果を示す図。 図３２は、実施例４および５における積層体のサンプルの層構成を示す断面図。 図３３は、実施例４における積層体のサンプルの反射率の測定結果を示す図。 図３４は、実施例５における積層体のサンプルの反射率の測定結果を示す図。 図３５は、実施例６における積層体のサンプルの層構成を示す断面図。 図３６は、実施例６における積層体のサンプルの反射率の測定結果を示す図。

第１の実施の形態
以下、図１乃至図５（ａ）〜（ｄ）を参照して、本発明の第１の実施の形態について説明する。まず図１により、本実施の形態におけるタッチパネルを構成するためのフィルムセンサ３１について説明する。図１は、観察者側から見た場合のフィルムセンサ３１を示す平面図である。

フィルムセンサ
ここでは、フィルムセンサ３１が、投影型の静電容量結合方式のタッチパネル用に構成される例について説明する。なお、「容量結合」方式は、タッチパネルの技術分野において「静電容量」方式や「静電容量結合」方式等とも呼ばれており、本件では、これらの「静電容量」方式や「静電容量結合」方式等と同義の用語として取り扱う。典型的な静電容量結合方式のフィルムセンサは、導電性のパターンを有しており、外部の導体（典型的には人間の指）がフィルムセンサ３１に接近することにより、外部の導体とフィルムセンサ３１の導電性のパターンとの間でコンデンサ（静電容量）が形成される。そして、このコンデンサの形成に伴った電気的な状態の変化に基づき、フィルムセンサ３１上において外部導体が接近している位置の位置座標が特定される。

図１に示すように、フィルムセンサ３１は、支持体３２と、支持体３２上に設けられた複数の検出パターン４１と、を備えている。図１に示すように、各検出パターン４１はそれぞれ帯状に延びている。また、複数の検出パターン４１は、各検出パターン４１が延びる方向に直交する方向において、一定の配列ピッチで並べられている。検出パターン４１の配列ピッチは、タッチ位置の検出に関して求められる分解能に応じて定められるが、例えば数ｍｍになっている。

図１に示すように、フィルムセンサ３１の支持体３２は、タッチ位置を検出され得る領域に対応する矩形状のアクティブエリアＡａ１と、アクティブエリアＡａ１の周辺に位置する矩形枠状の非アクティブエリアＡａ２と、を含んでいる。アクティブエリアＡａ１および非アクティブエリアＡａ２はそれぞれ、後述するタッチ位置検出機能付き表示装置１０の表示装置のアクティブエリアおよび非アクティブエリアに対応して区画されたものである。

上述の検出パターン４１は、アクティブエリアＡａ１内に配置されている。また非アクティブエリアＡａ２には、各検出パターン４１に電気的に接続された複数の額縁配線４３と、支持体３２の外縁近傍に配置され、各額縁配線４３に電気的に接続された複数の端子部４４と、が設けられている。

次に図２Ａを参照して、検出パターン４１のパターン形状について説明する。図２Ａは、図１において符号IIが付された一点鎖線で囲まれた部分における検出パターン４１を示す平面図である。図２Ａに示すように、検出パターン４１は、遮光性および導電性を有する導線５１であって、各導線５１の間に開口部５１ａが形成されるよう網目状に配置された導線５１から構成されている。

検出パターン４１全体の面積のうち開口部５１ａによって占められる面積の比率（以下、開口率と称する）が十分に高くなり、これによって、表示装置からの映像光が適切な透過率でフィルムセンサ３１のアクティブエリアＡａ１を透過することができる限りにおいて、導線５１の寸法や形状が特に限られることはない。例えば図２Ａに示す例において、検出パターン４１は、矩形状に形成された導線５１を所定の方向に沿って並べることによって構成されている。開口率は、表示装置から放出される映像光の特性などに応じて適宜設定される。

導線５１の線幅は、求められる開口率などに応じて設定されるが、例えば導線５１の幅は１〜１０μｍの範囲内、より好ましくは２〜７μｍの範囲内に設定されている。また、互いに平行に延びる各導線５１の配列ピッチＰ１も、求められる開口率などに応じて設定される。これによって、観察者が視認する映像に対して導線５１が及ぼす影響を、無視可能な程度まで低くすることができる。

なお図２Ａにおいては、検出パターン４１が、矩形状に形成された導線５１を所定の方向に沿って並べることによって構成されている例を示したが、これに限られることはない。例えば図２Ｂに示すように、検出パターン４１は、菱形状に形成された導線５１を所定の方向に沿って並べることによって構成されていてもよい。

次に図３および図４を参照して、フィルムセンサ３１の層構成について説明する。図３は、フィルムセンサ３１を図２ＡのIII線に沿って切断した場合を示す断面図であり、図４は、図３に示す支持体３２および導線５１を拡大して示す断面図である。図３に示すように、フィルムセンサ３１は、支持体３２と、支持体３２の面上に設けられた導線５１と、を含んでいる。

（支持体）
支持体３２は、上述の検出パターン４１や額縁配線４３などのパターンや配線を支持するためのものである。この支持体３２は、表示装置からの映像光を透過させることができる基材フィルム３３を含んでいる。また図４に示すように、支持体３２は、基材フィルム３３と検出パターン４１の導線５１との間に設けられたアンダーコート層３５ａをさらに含んでいてもよい。また支持体３２は、基材フィルム３３のうち導線５１に向かい合う側とは反対の側に設けられたアンダーコート層３５ｂをさらに含んでいてもよい。また、基材フィルム３３と各アンダーコート層３５ａ，３５ｂとの間には、基材フィルム３３とアンダーコート層３５ａおよびアンダーコート層３５ｂとの間の密着性を向上させるためのプライマー層３４ａおよびプライマー層３４ｂが介在されていてもよい。

〔基材フィルム〕
基材フィルム３３を構成する材料としては、透明性および可撓性を有する材料が用いられ、例えば合成樹脂（プラスチック）が用いられる。合成樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミド（ＰＩ）またはトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）などの可撓性及び透明性を有する樹脂が用いられる。

〔アンダーコート層〕
アンダーコート層３５ａ，３５ｂは、擦り傷などに対する耐擦傷性を高めるという機能や、フィルムセンサ３１の透過率や反射率などの光学特性を調整するという機能を実現するために設けられる層である。
耐擦傷性を高める機能が求められる場合、アンダーコート層３５ａ，３５ｂを構成する材料としては、例えばアクリル樹脂などの、十分な硬度を有する材料が用いられる。この場合、アンダーコート層は、いわゆるハードコート層として機能することになる。
なお、アンダーコート層３５ａ，３５ｂのうち基材フィルム３３の観察者側に位置するアンダーコート層のことを「観察者側アンダーコート」と称し、反対側に位置するアンダーコート層のことを「表示装置側アンダーコート」と称することもある。なお後述するように、導線５１は、支持体３２の観察者側に位置することもあれば、支持体３２の表示装置側に位置することもある。従って、アンダーコート層３５ａが「観察者側アンダーコート」になりアンダーコート層３５ｂが「表示装置側アンダーコート」になることもあれば、アンダーコート層３５ｂが「観察者側アンダーコート」になりアンダーコート層３５ａが「表示装置側アンダーコート」になることもある。

（導線）
次に導線５１の層構成について説明する。図４に示すように、導線５１は、支持体３２側から順に配置された本体層５３および低反射層５４を有する導線形成層５２Ａを含んでいる。

〔本体層〕
本体層５３は、導線５１における導電性を主に実現するための層である。この本体層５３は、その厚みが０．２μｍ以下になるよう、より具体的には０．０２〜０．２μｍの範囲内になるよう構成されている。これによって、導線５１全体の厚みが大きくなることを抑制することができ、このことにより、導線５１の側面において外光や映像光が反射されてしまうことを抑制することができる。このため、フィルムセンサ３１が取り付けられる表示装置における視認性を十分に確保することができる。

一方、本体層５３の厚みを小さくすることは、導線５１の電気抵抗値が大きくなってしまうことを導き得る。ここで本実施の形態においては、本体層５３を構成する材料として、その比抵抗が所望の値以下である金属材料を用いており、例えばその比抵抗が４．０×１０^−６（Ωｍ）以下である金属材料を用いている。これによって、導線５１の電気抵抗値を十分に低くすることができる。例えば、本体層５３のシート抵抗値を０．３Ω／□以下にすることができる。本体層５３を構成するための、その比抵抗が４．０×１０^−６（Ωｍ）以下である金属材料としては、例えば、９０重量％以上の銅を含む材料を用いることができる。

ところで銅などの金属材料は、高い導電性を有する一方で、金属光沢を示す。このため、未処理の金属材料が導線５１として用いられると、表示装置からの映像光の視認性が、導線の金属光沢によって妨げられることになる。特に銅は、銅に特有の赤味を帯びた色を示すため、銀などのその他の金属材料に比べて目立ち易く、このため表示装置からの映像光の視認性がより妨げられることになる。このような銅特有の金属光沢を和らげるため、例えば上述の特許文献１においては、導線に酸化処理を施して導線の表面に酸化銅からなる黒化処理層を形成し、これによって導線の表面を黒色化（黒化）することが提案されている。しかしながら、黒化処理を実現するためには、本体層５３が有る程度の厚み、例えば１μｍ程度の厚みを有することが必要になる。この場合、導線５１全体の厚みが大きくなり、この結果、導線５１の側面において外光や映像光が無視できない程度に生じてしまうことになる。

このような課題を考慮し、本件発明者らは、導線５１の本体層５３を黒化処理するのではなく、本体層５３の面上に、本体層５３に比べて金属光沢が抑制された薄い低反射層５４を設けることにより、導線５１の金属光沢を軽減することを提案する。以下、低反射層５４について説明する。

〔低反射層〕
低反射層５４は、酸化銅または窒化銅からなる銅化合物を含む層である。酸化銅としては、銅原子と酸素原子とがほぼ一対一で結合することによって構成されるＣｕＯが用いられ得る。窒化銅としては、数アトミック％（例えば２〜５アトミック％）の窒素と、約９０アトミック％またはそれ以上の銅を含む銅化合物が用いられ得る。このような銅化合物を用いて構成される低反射層５４においては、その金属光沢が、本体層５３における金属光沢に比べて軽減されており、特に、銅に特有の赤味を帯びた色が軽減されている。このため、導線５１からの反射光によって映像の視認性が低下することを抑制することができる。

また低反射層５４は、本体層５３に比べて小さな厚みを有している。具体的には、低反射層５４の厚みは、２０〜６０ｎｍの範囲内になっており、例えば約５０ｎｍになっている。このため、導線５１全体の厚みが大きくなることを抑制することができ、このことにより、導線５１の側面において外光や映像光が反射されてしまうことを抑制することができる。

また後述の実施例によって支持されるように、低反射層５４の厚みを２０〜６０ｎｍの範囲内に設定することにより、導線５１における光の反射率を低くすることができる。この理由としては、限定はされないが例えば、低反射層５４において生じる薄膜干渉を挙げることができる。薄膜干渉とは、低反射層５４の一方の面で反射された光と、低反射層５４の他方の面で反射された光とが干渉するという現象である。低反射層５４の厚みを上述の２０〜６０ｎｍの範囲内に設定することにより、反射光を弱めるように薄膜干渉が生じ、これによって、導線５１における光の反射率が低減されたことが考えられ得る。

上述のような薄い低反射層５４を形成するための方法が特に限られることはなく、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム法などの公知の薄膜形成法を用いることができる。例えばスパッタリング法が用いられる場合、所定の分圧に制御された酸素ガスおよび窒素ガスが存在する環境下で、銅からなるターゲットに放電電力を印加することによって、所望の組成を有する上述の銅化合物を得ることができる。

なお上述の酸化銅は、窒素や炭素などの軽元素や、その他の不可避の不純物をさらに含んでいてもよい。同様に上述の窒化銅は、酸素や炭素などの軽元素や、その他の不可避の不純物をさらに含んでいてもよい。この場合、酸化銅は、例えばスパッタリングの際に酸素ガスに加えて窒素ガスや二酸化炭素ガスをさらに導入することにより、形成され得る。同様に窒化銅は、例えばスパッタリングの際に窒素ガスに加えて酸素ガスや二酸化炭素ガスをさらに導入することにより、形成され得る。ところで二酸化炭素ガスは、プラズマを安定化するという作用を有することが知られている。このため、スパッタリングの際に二酸化炭素ガスを導入することにより、安定した環境下で高品質の酸化銅膜または窒化銅膜からなる低反射層５４を得ることができる。

なお上述のアンダーコート層３５ａは、複数の層から構成されていてもよい。例えば、図示はしないが、アンダーコート層３５ａは、第１アンダーコート層と、第１アンダーコート層と基材フィルム３３との間に設けられた第２アンダーコート層と、を含んでいてもよい。この場合、好ましくは、第１アンダーコート層の屈折率は、１．５８〜１．７５の範囲内になっており、第２アンダーコート層の屈折率は、１．５０〜１．６０の範囲内になっており、かつ、第１アンダーコート層の屈折率は、第２アンダーコート層の屈折率よりも大きくなっている。これによって、アンダーコート層３５ａに、上述のハードコート層としての機能だけでなく、透過率や反射率などの光学特性を調整する機能を持たせることができる。第１アンダーコート層を構成する材料としては、アクリル樹脂などのベースとなる樹脂材料の中に、酸化ニオブやジルコニウムなどの高屈折率材料からなる粒子やフィラーを分散させたものが用いられ得る。また、第２アンダーコート層を構成する材料としては、アクリル樹脂などが用いられ得る。
同様にアンダーコート層３５ｂも、複数の層から構成されていてもよい。例えば、図示はしないが、アンダーコート層３５ｂは、第１アンダーコート層と、第１アンダーコート層と基材フィルム３３との間に設けられた第２アンダーコート層と、を含んでいてもよい。この場合、好ましくは、第１アンダーコート層の屈折率は、１．５８〜１．７５の範囲内になっており、第２アンダーコート層の屈折率は、１．５０〜１．６０の範囲内になっており、かつ、第１アンダーコート層の屈折率は、第２アンダーコート層の屈折率よりも大きくなっている。これによって、アンダーコート層３５ａの場合と同様に、アンダーコート層３５ｂに、上述のハードコート層としての機能だけでなく、透過率や反射率などの光学特性を調整する機能を持たせることができる。第１アンダーコート層および第２アンダーコート層を構成する材料としては、アンダーコート層３５ａの場合と同様の材料が用いられ得る。
なお本明細書において示されている屈折率は、特に断らない限り、波長５００ｎｍの光に対する屈折率を意味している。

（額縁配線および端子部）
検出パターン４１に接続されている額縁配線４３および端子部４４は、検出パターン４１からの信号をフィルムセンサ３１の外部に取り出すために設けられたものである。信号を適切に伝達することができる限りにおいて、額縁配線４３および端子部４４の具体的な構成が特に限られることはない。例えば額縁配線４３および端子部４４は、導線５１と同一の層構成で導線５１と同時に形成されるものであってもよい。

フィルムセンサの製造方法
次に、以上のような構成からなるフィルムセンサ３１を製造する方法について、図５（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。

はじめに図５（ａ）に示すように、フィルムセンサ３１を作製するための元材としての積層体６０（ブランクとも呼ばれる）を準備する。積層体６０は、支持体３２と、支持体３２上に設けられた導線形成層５２Ａと、を備えている。支持体３２は、上述のように、基材フィルム３３と、基材フィルム３３の両側の面にそれぞれ設けられたアンダーコート層３５ａおよびアンダーコート層３５ｂと、基材フィルム３３とアンダーコート層３５ａおよびアンダーコート層３５ｂとの間に設けられたプライマー層３４ａおよびプライマー層３４ｂと、を含んでいる。また導線形成層５２Ａは、支持体３２側から順に配置された本体層５３および低反射層５４を含んでいる。

以下、積層体６０を作製する方法の一例について説明する。はじめに、両側の面にプライマー層３４ａおよびプライマー層３４ｂが設けられた長尺状の基材フィルム３３を準備する。次に、プライマー層３４ａ上にアンダーコート層３５ａを形成し、プライマー層３４ｂ上にアンダーコート層３５ｂを形成する。例えば、アクリル樹脂を含む塗工液を、コーターを用いてプライマー層３４ａ，３４ｂ上にコーティングすることにより、アンダーコート層３５ａ，３５ｂを形成することができる。この際、コーターとしては、好ましくは、アンダーコート層３５ａ，３５ｂの平坦性を十分に確保することができるものが用いられ、例えばダイコーターが用いられる。なおアンダーコート層３５ａ，３５ｂを形成するための塗工液には、アンダーコート層３５ａ，３５ｂの平坦性を高めるためのレベリング剤が含まれていてもよい。これによって、例えば、アンダーコート層３５ａ上に導線５１の層や後述する密着層３６を形成する際にピンホールなどの欠陥が生じてしまうことを抑制することができる。
次に、支持体３２上に本体層５３および低反射層５４を順に形成する。本体層５３および低反射層５４を形成するための方法としては、上述のように、スパッタリング法などの薄膜形成法を用いることができる。

積層体６０を準備した後、図５（ｂ）に示すように、導線形成層５２Ａ上に感光層７１を所定のパターンで形成する。感光層７１は、特定波長域の光、例えば紫外線に対する感光性を有している。感光層７１のタイプが特に限られることはない。例えば光溶解型の感光層が用いられてもよく、若しくは光硬化型の感光層が用いられてもよい。ここでは、光溶解型の感光層が用いられる例について説明する。

感光層７１は、導線５１のパターンに対応したパターンで形成されている。感光層７１は、例えば、はじめに、積層体６０の表面上にコーターを用いて感光性材料をコーティングし、次に、感光性材料を所定のパターンで露光して現像することによって形成される。

次に図５（ｃ）に示すように、感光層７１をマスクとして低反射層５４および本体層５３をエッチングする。なお上述のように、低反射層５４および本体層５３のいずれも、銅を含むよう構成されている。このため、銅を溶解させることができるエッチング液を用いて、低反射層５４および本体層５３を同時にエッチングすることができる。エッチング液としては、例えば塩化第２鉄溶液が用いられる。

次に、低反射層５４上に残っている感光層７１に対して露光光を照射する。その後、感光層７１を現像する。これによって、図５（ｄ）に示すように、感光層７１を除去することができる。このようにして、本体層５３および低反射層５４を有する導線形成層５２Ａから構成された導線５１を備えるフィルムセンサ３１を得ることができる。

ここで本実施の形態によれば、上述のように、導線５１は、９０重量％以上の銅を含む本体層５３と、酸化銅または窒化銅からなる銅化合物を含む低反射層５４と、を含んでいる。このため、銅の金属光沢に起因して、赤味を帯びた光が観察者に到達してしまうことを、低反射層５４によって抑制することができる。また、本体層５３および低反射層５４のいずれもが銅を含むため、積層体６０からフィルムセンサ３１を作製する際、銅を選択的に溶かすことができるエッチング液を用いることにより、積層体６０の本体層５３および低反射層５４を同時にエッチングして導線５１を形成することができる。このため、フィルムセンサ３１を作製するために必要になる工数を小さくすることができる。また本実施の形態において、導線５１の本体層５３の厚みは、０．２μｍ以下になっている。このため、導線５１の幅に対する導線５１の厚みの比率を小さくすることができ、これによって、導線５１の側面に光の反射が生じることや、導線５１の側面によって表示装置からの映像光が妨げられてしまうことを抑制することができる。従って本実施の形態によれば、タッチ位置の高い検出精度を確保しながら、映像の視認性を十分に確保することができる。

なお、上述した本実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した本実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。

（密着層が設けられる例）
例えば図６に示すように、支持体３２は、導線５１に接するようアンダーコート層３５ａ上に設けられた密着層３６をさらに含んでいてもよい。密着層３６を構成する材料としては、アンダーコート層３５ａおよび導線形成層５２Ａに対する高い密着性を備える材料が用いられ、例えば酸化珪素や窒化銅が用いられる。このような密着層３６を設けることにより、支持体３２と導線形成層５２Ａとの間の密着性を向上させることができる。

密着層３６を形成する方法が特に限られることはなく、様々な方法を用いることができる。例えば、導線形成層５２Ａの各層５３，５４を形成する場合と同様に、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム法などの薄膜形成法を用いることができる。また、密着層３６が酸化珪素から構成される場合、酸化珪素ゾルを含むゾル液から酸化珪素ゲル膜を形成する方法によって、密着層３６を作製してもよい。酸化珪素からなる密着層３６の厚みは、好ましくは２〜２０ｎｍの範囲内になっており、例えば約５ｎｍになっている。

なお図６においては、密着層３６が全域にわたって、すなわち導線５１が存在する領域以外の領域にも存在している例を示したが、これに限られることはない。例えば、感光層７１を現像するための現像液としてアルカリ系の液が用いられる場合、密着層３６のうち導線５１と重なる部分が現像液に溶解して除去されることがある。この場合、密着層３６は、導線５１と重なる部分にのみ存在することになる。例えば窒化銅のように光の透過率が低い材料によって密着層３６が構成される場合、図示はしないが、密着層３６は、基材フィルム３３の法線方向から見て導線５１と重なる領域にのみ設けられていてもよい。
ところで、密着層３６が窒化銅から構成される場合、密着層３６は、密着性を向上させるという機能（第１機能）だけでなく、反射率を低減するという機能（第２機能）も発揮することができる。密着層３６に対して第１機能のみが求められる場合、密着層３６を構成する窒化銅の厚みは、少なくとも２ｎｍあればよい。一方、密着層３６に対して第１機能および第２機能が求められる場合、密着層３６を構成する窒化銅の厚みは、２０〜６０ｎｍの範囲内、例えば４０ｎｍに設定される。

（低反射層が複数の層を含む例）
また上述の本実施の形態においては、低反射層５４が単層からなる例を示したが、これに限られることはなく、低反射層５４が複数層で構成されていてもよい。例えば図７に示すように、低反射層５４は、第１層５４ａと、第１層５４ａと本体層５３との間で第１層５４ａに接するよう設けられた第２層５４ｂと、を含んでいてもよい。以下、第１層５４ａおよび第２層５４ｂについて説明する。

第１層５４ａは、酸化銅からなる銅化合物を含む層であり、一方、第２層５４ｂは、窒化銅からなる銅化合物を含む層である。上述の本実施の形態の場合と同様に、第１層５４ａの酸化銅としては、銅原子と酸素原子とがほぼ一対一で結合することによって構成されるＣｕＯが用いられ得る。第２層５４ｂの窒化銅としては、数アトミック％（例えば２〜５アトミック％）の窒素と、約９０アトミック％またはそれ以上の銅を含む銅化合物が用いられ得る。また、第１層５４ａの厚みは１０〜３０（ｎｍ）の範囲内に設定されており、第２層５４ｂの厚みは１０〜３０（ｎｍ）の範囲内に設定されている。このような２つの層５４ａ，５４ｂを低反射層５４が含む場合にも、後述する実施例によって支持されているように、導線５１における光の反射率を低減することができる。

上述の本実施の形態の場合と同様に、第１層５４ａの酸化銅は、窒素や炭素などの軽元素や、その他の不可避の不純物をさらに含んでいてもよい。同様に第２層５４ｂの窒化銅は、酸素や炭素などの軽元素や、その他の不可避の不純物をさらに含んでいてもよい。

なお、上述した本実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。

第２の実施の形態
次に図８を参照して、本発明の第２の実施の形態について説明する。図８に示す第２の実施の形態において、上述の第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。また、第１の実施の形態において得られる作用効果が本実施の形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。

（導線）
図８は、本実施の形態によるフィルムセンサ３１を拡大して示す断面図であり、上述の第１の実施の形態における図４に対応する図である。図８に示すように、本実施の形態において、導線５１は、支持体３２側から順に配置された低反射層５４、本体層５３および防錆層５５を有する導線形成層５２Ｂを含んでいる。

〔低反射層および本体層〕
本体層５３および低反射層５４は、支持体３２との間の位置関係が異なる点を除いて、上述の第１の実施の形態における本体層５３および低反射層５４と同一である。

〔防錆層〕
防錆層５５は、本体層５３の表面が錆びて変質し、これによって本体層５３の電気的特性などが低下してしまうことを防ぐために設けられるものである。防錆層５５を構成する材料としては、本体層５３を構成する材料よりも錆びにくいものが用いられる。なお防錆層５５は、本体層５３の表面が錆びることを防ぐという機能だけでなく、導線５１による光の反射を防ぐという機能をも発揮するよう構成されていてもよい。すなわち防錆層５５は、その金属光沢が、本体層５３における金属光沢に比べて軽減されるよう構成されていてもよい。

防錆層５５を構成するための具体的な材料は、防錆性や反射防止特性など、防錆層５５に対して求められる特性に応じて適宜選択される。例えば防錆層５５は、ＣｕＮｉ，ＣｕＣｒ，ＣｕＷおよびＣｕＴｉからなる群から選択される少なくとも１種の銅化合物を含んでいる。このうちＣｕＮｉは、例えば、２０重量％のＮｉを含む、いわゆる白銅として構成されていてもよい。

本実施の形態によれば、導線５１は、本体層５３と支持体３２との間に設けられた低反射層５４に加えて、本体層５３の面のうち支持体３２に向かい合う面とは反対側の面上に設けられた防錆層５５を含んでいる。このため、本体層５３の表面が錆びて変質し、これによって本体層５３の電気的特性などが低下してしまうことを防ぐことができる。また、防錆層５５が反射防止特性をも有する場合、光の反射が生じることを本体層５３の両面において抑制することができる。このため、導線５１の高い導電性を維持し、かつ映像の視認性を十分に確保することができる。

（密着層が設けられる例）
なお本実施の形態においても、上述の第１の実施の形態の場合と同様に、図９に示すように、支持体３２は、導線５１に接するようアンダーコート層３５ａ上に設けられた密着層３６をさらに含んでいてもよい。これによって、支持体３２と導線形成層５２Ｂとの間の密着性を向上させることができる。

（低反射層が複数の層を含む例）
また本実施の形態においても、上述の第１の実施の形態の場合と同様に、低反射層５４が複数層で構成されていてもよい。例えば図１０に示すように、低反射層５４は、第１層５４ａと、第１層５４ａと本体層５３との間で第１層５４ａに接するよう設けられた第２層５４ｂと、を含んでいてもよい。これによって、低反射層５４における反射防止効果をさらに向上させることができる。

なお、上述した本実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。

第３の実施の形態
次に図１１を参照して、本発明の第３の実施の形態について説明する。図１１に示す第３の実施の形態において、上述の第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。また、第１の実施の形態において得られる作用効果が本実施の形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。

（導線）
図１１は、本実施の形態によるフィルムセンサ３１を拡大して示す断面図であり、上述の第１の実施の形態における図４に対応する図である。図１１に示すように、本実施の形態において、導線５１は、支持体３２側から順に配置された低反射層５４、本体層５３および低反射層５４を有する導線形成層５２Ｃを含んでいる。

〔低反射層および本体層〕
本体層５３および低反射層５４は、支持体３２との間の位置関係が異なる点を除いて、上述の第１の実施の形態における本体層５３および低反射層５４と同一である。

本実施の形態によれば、導線５１は、本体層５３と支持体３２との間に設けられた低反射層５４に加えて、本体層５３の面のうち支持体３２に向かい合う面とは反対側の面上に設けられた低反射層５４を含んでいる。このため、光の反射が生じることを本体層５３の両側において抑制することができる。このことにより、映像の視認性を十分に確保することができる。

（密着層が設けられる例）
なお本実施の形態においても、上述の第１の実施の形態の場合と同様に、図１２に示すように、支持体３２は、導線５１に接するようアンダーコート層３５ａ上に設けられた密着層３６をさらに含んでいてもよい。これによって、支持体３２と導線形成層５２Ｃとの間の密着性を向上させることができる。

（低反射層が複数の層を含む例）
また本実施の形態においても、上述の第１の実施の形態の場合と同様に、低反射層５４が複数層で構成されていてもよい。例えば図１３に示すように、各低反射層５４は、第１層５４ａと、第１層５４ａと本体層５３との間で第１層５４ａに接するよう設けられた第２層５４ｂと、を含んでいてもよい。これによって、低反射層５４における反射防止効果をさらに向上させることができる。なお図１３においては、本体層５３の両側に設けられる低反射層５４がいずれも複数層で構成される例を示したが、これに限られることはなく、本体層５３の一方の側に設けられる低反射層５４のみが複数層で構成され、本体層５３の他方の側に設けられる低反射層５４は単層で構成されていてもよい。

なお、上述した本実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。

第４の実施の形態
次に図１４乃至１８を参照して、本発明の第４の実施の形態について説明する。本実施の形態においては、上述のフィルムセンサ３１から構成されたタッチパネルと表示装置とを組み合わせることによって得られるタッチ位置検出機能付き表示装置について説明する。本実施の形態において、上述の各実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。また、各実施の形態において得られる作用効果が本実施の形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。

タッチ位置検出機能付き表示装置
図１４は、タッチ位置検出機能付き表示装置１０を示す展開図である。図１に示すように、タッチ位置検出機能付き表示装置１０は、タッチパネル３０と、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどの表示装置１５とを組み合わせることによって構成されている。図示された表示装置１５は、フラットパネルディスプレイとして構成されている。表示装置１５は、表示面１６ａを有した表示パネル１６と、表示パネル１６に接続された表示制御部（図示せず）と、を有している。表示パネル１６は、映像を表示することができるアクティブエリアＡ１と、アクティブエリアＡ１を取り囲むようにしてアクティブエリアＡ１の外側に配置された非アクティブエリア（額縁領域とも呼ばれる）Ａ２と、を含んでいる。表示制御部は、表示されるべき映像に関する情報を処理し、映像情報に基づいて表示パネル１６を駆動する。表示パネル１６は、表示制御部の制御信号に基づいて、所定の映像を表示面１６ａに表示する。すなわち、表示装置１５は、文字や図等の情報を映像として出力する出力装置としての役割を担っている。

なお図１４に示すように、タッチパネル３０の観察者側、すなわち表示装置１５とは反対の側に、透光性を有する保護板１２がさらに設けられていてもよい。保護板１２は例えば、タッチパネル３０の観察者側の面に接着層などによって接着されている。この保護板１２は、指などの外部導体との接触によってタッチパネル３０のパターンや表示装置１５が損傷することを防ぐためのものであり、いわゆる前面板とも称されるものである。

タッチパネル
図１４に示すように、タッチパネル３０は、表示装置１５の表示面１６ａに、例えば接着層（図示せず）を介して接着されている。このタッチパネル３０は、２枚のフィルムセンサ３１を組み合わせることによって構成されている。図１４においては、観察者側に配置されたフィルムセンサが符号３１Ａで表されており、フィルムセンサ３１Ａよりも表示装置側に配置されたフィルムセンサが符号３１Ｂで表されている。以下の説明において、符号３１Ａおよび符号３１Ｂが付されたフィルムセンサをそれぞれ第１フィルムセンサ３１Ａおよび第２フィルムセンサ３１Ｂとも称する。

図１５は、観察者側から見た場合のタッチパネル３０を示す平面図である。図１５においては、第１フィルムセンサ３１Ａの構成要素が実線で表され、第２フィルムセンサ３１Ｂの構成要素が点線で表されている。

図１５に示すように、第１フィルムセンサ３１Ａおよび第２フィルムセンサ３１Ｂはそれぞれ、所定の方向に延びる複数の検出パターン４１を備えている。ここで、第１フィルムセンサ３１Ａおよび第２フィルムセンサ３１Ｂは、各々の検出パターン４１が互いに交差する方向に延びるよう、配置されている。例えば第１フィルムセンサ３１Ａは、その検出パターン４１が第１方向Ｄ１に沿って延びるよう、配置されている。一方、第２フィルムセンサ３１Ｂは、その検出パターン４１が、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２に沿って延びるよう、配置されている。

図１６は、図１５において符号ＸVIが付された一点鎖線で囲まれた部分における検出パターン４１を拡大して示す平面図である。図１６に示すように、第１フィルムセンサ３１Ａの検出パターン４１および第２フィルムセンサ３１Ｂの検出パターン４１はそれぞれ、網目状に配置された導線５１から構成されている。

図１７は、タッチパネル３０を図１６のＸVII線に沿って切断した場合を示す断面図である。図１７に示すように、タッチパネル３０は、第１フィルムセンサ３１Ａの導線５１および第２フィルムセンサ３１Ｂの導線５１のいずれもが支持体３２の観察者側に位置するよう第１フィルムセンサ３１Ａおよび第２フィルムセンサ３１Ｂを組み合わせることによって構成されている。なお第１フィルムセンサ３１Ａと第２フィルムセンサ３１Ｂとの間には接着層３８などが介在されていてもよい。

図１８は、図１７に示すタッチパネル３０の一部を拡大して示す断面図である。図１８に示すように、第１フィルムセンサ３１Ａの導線５１および第２フィルムセンサ３１Ｂの導線５１はいずれも、上述の導線形成層５２Ａを含んでいる。ここで図１８に示すように、導線形成層５２Ａは、本体層５３と、本体層５３の観察者側に設けられた低反射層５４と、を含んでいる。このため、観察者側からタッチパネル３０に入射した外光が導線５１によって反射されて観察者側に戻ってしまうことを抑制することができる。これによって、導線５１が観察者から視認されてしまうことを抑制することができ、このことにより、表示装置１５からの映像の視認性が導線５１によって妨げられることを抑制することができる。

また上述のように、導線形成層５２Ａの本体層５３は、その厚みが０．２μｍ以下になるよう構成されている。このため、支持体３２の法線方向から傾斜した方向に沿ってタッチパネル３０に入射した光が導線形成層５２Ａの側面によって反射してしまうことを抑制することができる。このことにより、導線５１の側面が観察者から視認されてしまうことや、導線５１の側面によって表示装置からの映像光が妨げられてしまうことを抑制することができる。従って、映像の視認性を向上させることができる。

なお、上述した本実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した本実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。

（用いられる導線形成層の種類に関する変形例）
図１８においては、第１フィルムセンサ３１Ａの導線５１および第２フィルムセンサ３１Ｂの導線５１のいずれもが導線形成層５２Ａを含む例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、第１フィルムセンサ３１Ａの導線５１は、上述の導線形成層５２Ｂまたは導線形成層５２Ｃを含んでいてもよい。すなわち、第１フィルムセンサ３１Ａの導線５１は、導線形成層５２Ａ、導線形成層５２Ｂまたは導線形成層５２Ｃのいずれによって構成されていてもよい。同様に、第２フィルムセンサ３１Ｂの導線５１も、導線形成層５２Ａ、導線形成層５２Ｂまたは導線形成層５２Ｃのいずれによって構成されていてもよい。

例えば図１９には、第１フィルムセンサ３１Ａの導線５１および第２フィルムセンサ３１Ｂの導線５１のいずれもが導線形成層５２Ｂを含む例が示されている。図１９に示すように、導線形成層５２Ｂは、本体層５３と、本体層５３の観察者側に設けられた防錆層５５と、を含んでいる。このため、本体層５３の表面が錆びて変質し、これによって本体層５３の電気的特性などが低下してしまうことを防ぐことができる。また、防錆層５５が反射防止特性をも有する場合、観察者側からタッチパネル３０に入射した外光が導線５１によって反射されて観察者側に戻ってしまうことを抑制することができる。

また、導線形成層５２Ｂは、本体層５３の表示装置側に設けられた低反射層５４を含んでいる。このため、タッチパネル３０に入射した表示装置１５からの映像光が導線５１によって反射されて表示装置１５側に戻り、その後、表示装置１５の構成要素によって再び反射されてノイズ光として観察者に到達してしまうことを抑制することができる。

また図２０には、第１フィルムセンサ３１Ａの導線５１および第２フィルムセンサ３１Ｂの導線５１のいずれもが導線形成層導線形成層５２Ｃを含む例が示されている。図２０に示すように、導線形成層５２Ｃは、本体層５３と、本体層５３の観察者側および表示装置側の両方にそれぞれ設けられた低反射層５４と、を含んでいる。このため、光の反射が生じることを本体層５３の両側において抑制することができる。このことにより、映像の視認性を十分に確保することができる。

（導線の配置に関する変形例）
また上述の本実施の形態および上述の各変形例において、第１フィルムセンサ３１Ａの導線５１および第２フィルムセンサ３１Ｂの導線５１のいずれもが支持体３２の観察者側に位置する例を示したが、これに限られることはない。例えば図２１に示すように、第１フィルムセンサ３１Ａの導線５１は、支持体３２の観察者側に位置し、一方、第２フィルムセンサ３１Ｂの導線５１は、支持体３２の表示装置側に位置していてもよい。

図２１に示す例においても、第１フィルムセンサ３１Ａの導線５１および第２フィルムセンサ３１Ｂの導線５１を構成する導線形成層の種類が特に限られることはない。すなわち、第１フィルムセンサ３１Ａの導線５１は、導線形成層５２Ａ、導線形成層５２Ｂまたは導線形成層５２Ｃのいずれによって構成されていてもよい。同様に、第２フィルムセンサ３１Ｂの導線５１も、導線形成層５２Ａ、導線形成層５２Ｂまたは導線形成層５２Ｃのいずれによって構成されていてもよい。なお図２１に示す例において、第２フィルムセンサ３１Ｂの導線５１を構成する導線形成層としては、好ましくは導線形成層５２Ｂまたは導線形成層５２Ｃが採用される。この場合、導線５１の本体層５３と支持体３２との間に低反射層５４が存在するため、観察者側からタッチパネル３０に入射した外光が、第２フィルムセンサ３１Ｂの導線５１の本体層５３によって反射されて観察者側に戻ってしまうことを抑制することができる。

また図２２に示すように、第１フィルムセンサ３１Ａの導線５１は、支持体３２の表示装置側に位置し、一方、第２フィルムセンサ３１Ｂの導線５１は、支持体３２の観察者側に位置していてもよい。

図２２に示す例においても、第１フィルムセンサ３１Ａの導線５１および第２フィルムセンサ３１Ｂの導線５１を構成する導線形成層の種類が特に限られることはない。すなわち、第１フィルムセンサ３１Ａの導線５１は、導線形成層５２Ａ、導線形成層５２Ｂまたは導線形成層５２Ｃのいずれによって構成されていてもよい。同様に、第２フィルムセンサ３１Ｂの導線５１も、導線形成層５２Ａ、導線形成層５２Ｂまたは導線形成層５２Ｃのいずれによって構成されていてもよい。なお図２２に示す例において、第１フィルムセンサ３１Ａの導線５１を構成する導線形成層としては、好ましくは導線形成層５２Ｂまたは導線形成層５２Ｃが採用される。この場合、導線５１の本体層５３と支持体３２との間に低反射層５４が存在するため、観察者側からタッチパネル３０に入射した外光が、第１フィルムセンサ３１Ａの導線５１の本体層５３によって反射されて観察者側に戻ってしまうことを抑制することができる。

（導線の断面形状の変形例）
次に、導線５１が支持体３２の表示装置側に設けられている場合における、導線５１の断面形状の好ましい一例について、図２３を参照して説明する。なお図２３においては、導線５１が導線形成層５２Ｃから構成されている例について説明するが、これに限られることはなく、導線５１が導線形成層５２Ａまたは導線形成層５２Ｂから構成されていてもよい。

図２３に示すように、導線５１の導線形成層５２Ｃは、表示装置１５に向かうにつれて先細になるテーパ形状を有している。この場合、支持体３２の法線方向から傾斜した方向に沿ってタッチパネル３０に入射した外光Ｌは、導線形成層５２Ｃのテーパ形状のため、導線５１の側面に入射することなく表示装置１５側へ抜けていくことができる。このため、外光が導線５１によって反射されて観察者側に戻ってしまうことをさらに抑制することができる。

導線形成層５２Ｃの具体的なテーパ形状は、想定される外光の傾斜の程度などに応じて適切に設定されるが、例えば、支持体３２の法線方向と導線５１の側面とが成す角は１０〜３０°の範囲内となっている。

なお、上述した本実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。

第５の実施の形態
次に図２４乃至２６を参照して、本発明の第５の実施の形態について説明する。本実施の形態においては、支持体３２の両側に導線５１が設けられる例について説明する。本実施の形態において、上述の各実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。また、各実施の形態において得られる作用効果が本実施の形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。

フィルムセンサ
図２４に示すように、フィルムセンサ３１は、支持体３２と、支持体３２の観察者側の面（第１面）３２ａ上に設けられた導線５１と、支持体３２の表示装置側の面（第２面）３２ｂ上に設けられた導線５１と、を備えている。第１面３２ａ側の導線５１および第２面３２ｂ側の導線５１は、互いに交差するように設けられている。このため本実施の形態によれば、１枚のフィルムセンサ３１によってタッチパネル３０を構成することができる。

図２５は、図２４に示すフィルムセンサ３１の一部を拡大して示す断面図である。図２５に示すように、支持体３２の第１面３２ａ上に設けられた導線５１は、上述の導線形成層５２Ａを含んでいる。また、支持体３２の第２面３２ｂ上に設けられた導線５１は、上述の導線形成層５２Ｂを含んでいる。このため、観察者側からタッチパネル３０に入射した外光が導線５１によって反射されて観察者側に戻ってしまうことを抑制することができる。これによって、導線５１が観察者から視認されてしまうことを抑制することができ、このことにより、表示装置１５からの映像の視認性が導線５１によって妨げられることを抑制することができる。

図２６は、図２５に示すフィルムセンサ３１を作製するための積層体６０を示す断面図である。図２６に示すように、積層体６０は、支持体３２と、支持体３２の第１面３２ａ上に設けられた導線形成層５２Ａと、支持体３２の第２面３２ｂ上に設けられた導線形成層５２Ｂと、を備えている。

（用いられる導線形成層の種類に関する変形例）
図２５においては、支持体３２の第１面３２ａ上に設けられる導線５１が導線形成層５２Ａを含み、支持体３２の第２面３２ｂ上に設けられる導線５１が導線形成層５２Ｂを含む例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、支持体３２の第１面３２ａ上に設けられる導線５１は、上述の導線形成層５２Ｂまたは導線形成層５２Ｃを含んでいてもよい。すなわち、支持体３２の第１面３２ａ上に設けられる導線５１は、導線形成層５２Ａ、導線形成層５２Ｂまたは導線形成層５２Ｃのいずれによって構成されていてもよい。同様に、支持体３２の第２面３２ｂ上に設けられる導線５１も、導線形成層５２Ａ、導線形成層５２Ｂまたは導線形成層５２Ｃのいずれによって構成されていてもよい。
同様に、積層体６０に関しても、支持体３２の第１面３２ａ上に設けられる導線形成層および支持体３２の第２面３２ｂ上に設けられる導線形成層として、導線形成層５２Ａ、導線形成層５２Ｂまたは導線形成層５２Ｃのいずれかを任意に用いることができる。

好ましくは、支持体３２の第２面３２ｂ上に設けられる導線５１を構成する導線形成層としては、導線形成層５２Ｂまたは導線形成層５２Ｃが採用される。この場合、導線５１の本体層５３と支持体３２との間に低反射層５４が存在するため、観察者側からタッチパネル３０に入射した外光が、第２フィルムセンサ３１Ｂの導線５１の本体層５３によって反射されて観察者側に戻ってしまうことを抑制することができる。

なお、上述した本実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。

次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。

（予備評価）
低反射層５４を構成するための酸化銅および窒化銅をスパッタリングで製造するための条件を探索する予備評価を実施した。具体的には、スパッタリング装置内に導入するアルゴンガス、酸素ガス、窒素ガスおよびスパッタリング装置内の圧力を様々に変更して、酸化銅または窒化銅などの銅化合物を基材フィルム上に形成した。また、形成された銅化合物の組成を、Ｘ線光電子分光法（ＥＳＣＡ）を用いて分析した。９通りのスパッタリングの条件、および、得られた銅化合物の組成分析結果を表１に示す。表１には、左側の列から順に、「ターゲットの銅に印加された電力」、「アルゴンガスの流量」、「酸素ガスの流量」、「窒素ガスの流量」、「装置内の圧力」、「基材フィルムの搬送速度」、「銅化合物中の銅濃度の分析結果」、「銅化合物中の酸素濃度の分析結果」、「銅化合物中の窒素濃度の分析結果」および「銅化合物中の炭素濃度の分析結果」が示されている。

表１のＮｏ．１〜３に示すように、アルゴンガスおよび酸素ガスを導入してスパッタリングを実施した結果、４６．６〜４７．２アトミック％の酸素を含む酸化銅が得られた。後述する各実施例においては、酸化銅として、表１のＮｏ．１に示されているものを用いた。また表１のＮｏ．４〜９に示すように、アルゴンガスおよび窒素ガスを導入してスパッタリングを実施した結果、２．６〜４．８アトミック％の窒素を含む窒化銅が得られた。後述する各実施例においては、窒化銅として、表１のＮｏ．７に示されているものを用いた。

（実施例１）
図２７に示すように、支持体３２と、支持体３２の第１面３２ａに設けられた導線形成層５２Ａと、を含む積層体のサンプルを準備した。導線形成層５２Ａは、支持体３２側から順に配置された本体層５３および反射防止層５４を含んでいる。支持体３２の基材フィルム３２を構成する材料としては、ＰＥＴを用いた。支持体３２のアンダーコート層３５ａ，３５ｂを構成する材料としては、アクリル樹脂を用いた。本体層５３を構成する材料としては、銅を用いた。反射防止層５４を構成する材料としては、酸化銅からなる銅化合物を用いた。具体的なサンプルとしては、反射防止層５４の厚みが異なる以下の３種類のものを準備した。
サンプル１１：厚み３０ｎｍの酸化銅からなる反射防止層５４を含む積層体
サンプル１２：厚み４０ｎｍの酸化銅からなる反射防止層５４を含む積層体
サンプル１３：厚み５０ｎｍの酸化銅からなる反射防止層５４を含む積層体
また比較のため、反射防止層５４が設けられていない積層体をサンプル０１として準備した。

各サンプルに光Ｌを入射させた際の、各サンプルからの反射光Ｌ’を測定した。光Ｌは、導線形成層５２Ａ側から各サンプルに入射させた。この結果に基づいて、各サンプルにおける光の反射率を算出した。測定は、光波長３６０〜７４０ｎｍの範囲内において、１０ｎｍ刻みで行った。測定器としては、コニカミノルタ製のＣＭ−３６００Ｄを用いた。サンプル０１，１１，１２および１３における反射率の測定結果を図２８に示す。

図２８に示すように、反射防止層５４が設けられていないサンプル０１においては、３６０〜７４０ｎｍの波長域全域において反射率が３０％以上となっていた。特に、約６００ｎｍ以上の波長域においては、反射率が９０％以上となっていた。約６００ｎｍ以上の波長域における高い反射率は、本体層５３を構成する銅に起因していると考えられる。

一方、反射防止層５４が設けられているサンプル１１〜１３においては、３６０〜７４０ｎｍの波長域全域において、サンプル０１の場合よりもよりも低い波長率が測定された。特にサンプル１２および１３においては、約６００〜７００ｎｍの波長域において、反射率が２０％以下に低減された。銅に特有の赤味を帯びた光が観察者によって視認されてしまうことを防ぐ上で、反射防止層５４は極めて有効であると言える。

（実施例２）
反射防止層５４を構成する材料として、窒化銅からなる銅化合物を用いたこと以外は、実施例１の場合と同様にして、反射防止層５４を含む積層体の反射率を測定した。具体的なサンプルとしては、反射防止層５４の厚みが異なる以下の３種類のものを準備した。
サンプル２１：厚み２０ｎｍの窒化銅からなる反射防止層５４を含む積層体
サンプル２２：厚み４０ｎｍの窒化銅からなる反射防止層５４を含む積層体
サンプル２３：厚み６０ｎｍの窒化銅からなる反射防止層５４を含む積層体
サンプル２１，２２および２３における反射率の測定結果を、上述のサンプル０１における反射率の測定結果と併せて図２９に示す。

図２９に示すように、窒化銅からなる反射防止層５４を備えたサンプル２１〜２３においても、３６０〜７４０ｎｍの波長域全域において、サンプル０１の場合よりも低い波長率が測定された。特にサンプル２２および２３においては、約６００〜７００ｎｍの波長域において、反射率が３０％前後に低減された。このように窒化銅を用いた本実施例においても、酸化銅を用いた上述の実施例１の場合と同様に、銅に特有の赤味を帯びた光を抑制することができた。

（実施例３）
反射防止層５４が図３０に示す第１層５４ａおよび第２層５４ｂを含むこと以外は、実施例１の場合と同様にして、反射防止層５４を含む積層体の反射率を測定した。第１層５４ａおよび第２層５４ｂを構成する材料としてはそれぞれ、酸化銅からなる銅化合物および窒化銅からなる銅化合物を用いた。具体的なサンプルとしては、第１層５４ａの酸化銅の厚みが２０ｎｍであり、第２層５４ｂの窒化銅の厚みが２０ｎｍであるサンプル３１を用いた。

実施例１の場合と同様にして、導線形成層５２Ａ側からサンプル３１に光を入射させた場合の、光の反射率を測定した。サンプル３１における反射率の測定結果を、上述のサンプル０１における反射率の測定結果と併せて図３１に示す。

図３１に示すように、第１層５４ａおよび第２層５４ｂを含む反射防止層５４を備えたサンプル３１においても、３６０〜７４０ｎｍの波長域全域において、サンプル０１の場合よりも低い波長率が測定された。特に約５００〜７００ｎｍの波長域においては、反射率が１０％以下に低減された。

（実施例４）
図３２に示すように、支持体３２と、支持体３２の第２面３２ｂに設けられた導線形成層５２Ｂと、を含む積層体のサンプルを準備した。導線形成層５２Ｂは、支持体３２側から順に配置された反射防止層５４および本体層５３を含んでいる。支持体３２の構成、および本体層５３を構成する材料は、実施例１の場合と同一である。反射防止層５４を構成する材料としては、酸化銅からなる銅化合物を用いた。具体的なサンプルとしては、反射防止層５４の厚みが異なる以下の３種類のものを準備した。
サンプル４１：厚み３０ｎｍの酸化銅からなる反射防止層５４を含む積層体
サンプル４２：厚み４０ｎｍの酸化銅からなる反射防止層５４を含む積層体
サンプル４３：厚み５０ｎｍの酸化銅からなる反射防止層５４を含む積層体
また比較のため、反射防止層５４が設けられていない積層体をサンプル０２として準備した。

各サンプルに光Ｌを入射させた際の、各サンプルからの反射光Ｌ’を測定した。光Ｌは、支持体３２側から各サンプルに入射させた。この結果に基づいて、各サンプルにおける光の反射率を算出した。測定は、光波長３６０〜７４０ｎｍの範囲内において、１０ｎｍ刻みで行った。測定器としては、コニカミノルタ製のＣＭ−３６００Ｄを用いた。サンプル０２，４１，４２および４３における反射率の測定結果を図３３に示す。

図３３に示すように、反射防止層５４が設けられていないサンプル０２においては、３６０〜７４０ｎｍの波長域のほぼ全域において反射率が３０％以上となっていた。特に、約６００ｎｍ以上の波長域においては、反射率が９０％以上となっていた。約６００ｎｍ以上の波長域における高い反射率は、本体層５３を構成する銅に起因していると考えられる。このように、光が入射される側とは反対側に本体層５３が設けられている場合であっても、反射防止層５４が設けられていなければ、本体層５３に起因する赤味を帯びた反射光が観察者によって視認されてしまうことになる。

一方、反射防止層５４が設けられているサンプル４１〜４３においては、３６０〜７４０ｎｍの波長域全域において、サンプル０２の場合よりもよりも低い波長率が測定された。約６００〜７００ｎｍの波長域に関しても、サンプル４２および４３においては、反射率が約３０％以下に低減された。光が入射される側とは反対側に反射防止層５４が設けられる場合にも、反射防止層５４は、銅に特有の赤味を帯びた光が観察者によって視認されてしまうことを防ぐ上で極めて有効に機能すると言える。

（実施例５）
反射防止層５４を構成する材料として、窒化銅からなる銅化合物を用いたこと以外は、実施例４の場合と同様にして、反射防止層５４を含む積層体の反射率を測定した。具体的なサンプルとしては、反射防止層５４の厚みが異なる以下の３種類のものを準備した。
サンプル５１：厚み２０ｎｍの窒化銅からなる反射防止層５４を含む積層体
サンプル５２：厚み４０ｎｍの窒化銅からなる反射防止層５４を含む積層体
サンプル５３：厚み６０ｎｍの窒化銅からなる反射防止層５４を含む積層体
サンプル５１，５２および５３における反射率の測定結果を、上述のサンプル０２における反射率の測定結果と併せて図３４に示す。

図３４に示すように、窒化銅からなる反射防止層５４を備えたサンプル５１〜５３においても、３６０〜７４０ｎｍの波長域全域において、サンプル０２の場合よりも低い波長率が測定された。特にサンプル５２および５３においては、約６００〜７００ｎｍの波長域において、反射率が２０％以下に低減された。このように窒化銅を用いた本実施例においても、酸化銅を用いた上述の実施例４の場合と同様に、銅に特有の赤味を帯びた光を抑制することができた。

（実施例６）
反射防止層５４が図３５に示す第１層５４ａおよび第２層５４ｂを含むこと以外は、実施例４の場合と同様にして、反射防止層５４を含む積層体の反射率を測定した。第１層５４ａおよび第２層５４ｂを構成する材料としてはそれぞれ、酸化銅からなる銅化合物および窒化銅からなる銅化合物を用いた。具体的なサンプルとしては、第１層５４ａの酸化銅の厚みが２０ｎｍであり、第２層５４ｂの窒化銅の厚みが２０ｎｍであるサンプル６１を用いた。

実施例４の場合と同様にして、支持体３２側からサンプル６１に光を入射させた場合の、光の反射率を測定した。サンプル６１における反射率の測定結果を、上述のサンプル０２における反射率の測定結果と併せて図３６に示す。

図３６に示すように、第１層５４ａおよび第２層５４ｂを含む反射防止層５４を備えたサンプル６１においても、３６０〜７４０ｎｍの波長域全域において、サンプル０２の場合よりも低い波長率が測定された。特に約５００〜７００ｎｍの波長域においては、反射率が十数％以下に低減された。

１０ タッチ位置検出機能付き表示装置
１５ 表示装置
３０ タッチパネル
３１ フィルムセンサ
３２ 支持体
３３ 基材フィルム
３４ａ，３４ｂ プライマー層
３５ａ，３５ｂ アンダーコート層
３６ 密着層
４１ 検出パターン
５１ 導線
５２Ａ 導線形成層
５２Ｂ 導線形成層
５２Ｃ 導線形成層
５３ 本体層
５４ 低反射層
５４ａ 第１層
５４ｂ 第２層
５５ 防錆層
６０ 積層体

Claims (12)

1. 表示装置に組み合わされるフィルムセンサであって、
   基材フィルムを含む支持体と、
   前記支持体上に設けられた複数の検出パターンと、を備え、
   前記検出パターンは、遮光性および導電性を有する導線であって、各導線の間に開口部が形成されるよう網目状に配置された導線から構成されており、
   前記導線が、下記（１）、（２）または（３）の構成を有する導線形成層を含んでおり、
   （１）前記支持体側から順に、本体層／低反射層
   （２）前記支持体側から順に、低反射層／本体層
   （３）前記支持体側から順に、低反射層／本体層／低反射層
   前記導線形成層が上記（１）の構成を有する場合、前記導線は、前記支持体の観察者側に配置されており、
   前記導線形成層が上記（２）の構成を有する場合、前記導線は、前記支持体の表示装置側に配置されており、
   前記本体層は、９０重量％以上の銅を含み、前記本体層の厚みは、０．２μｍ以下になっており、
   前記低反射層は、酸化銅または窒化銅からなる銅化合物を含み、
   前記低反射層の厚みは、２０〜６０ｎｍの範囲内になっている、フィルムセンサ。
2. 前記支持体は、前記基材フィルムの観察者側に設けられた観察者側アンダーコート層をさらに含み、
   前記観察者側アンダーコート層の屈折率は、１．５０〜１．７５の範囲内になっている、請求項１に記載のフィルムセンサ。
3. 前記観察者側アンダーコート層は、観察者側第１アンダーコート層と、前記観察者側第１アンダーコート層と前記基材フィルムとの間に設けられた観察者側第２アンダーコート層と、を含み、
   前記観察者側第１アンダーコート層の屈折率は、１．５８〜１．７５の範囲内になっており、前記観察者側第２アンダーコート層の屈折率は、１．５０〜１．６０の範囲内になっており、かつ、前記観察者側第１アンダーコート層の屈折率が、前記観察者側第２アンダーコート層の屈折率よりも大きくなっている、請求項２に記載のフィルムセンサ。
4. 前記支持体は、前記基材フィルムの表示装置側に設けられた表示装置側アンダーコート層をさらに含み、
   前記表示装置側アンダーコート層の屈折率は、１．５０〜１．７５の範囲内になっている、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のフィルムセンサ。
5. 前記表示装置側アンダーコート層は、表示装置側第１アンダーコート層と、前記表示装置側第１アンダーコート層と前記基材フィルムとの間に設けられた表示装置側第２アンダーコート層と、を含み、
   前記表示装置側第１アンダーコート層の屈折率は、１．５８〜１．７５の範囲内になっており、前記表示装置側第２アンダーコート層の屈折率は、１．５０〜１．６０の範囲内になっており、かつ、前記表示装置側第１アンダーコート層の屈折率が、前記表示装置側第２アンダーコート層の屈折率よりも大きくなっている、請求項４に記載のフィルムセンサ。
6. 前記支持体は、前記導線に接するよう設けられ、酸化珪素または窒化銅からなる密着層をさらに含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のフィルムセンサ。
7. 前記導線の前記導線形成層は、下記（１）の構成を有している、請求項１乃至６のいずれか一項に記載のフィルムセンサ。
   （１）前記基材側から順に、本体層／低反射層
8. 前記導線の前記導線形成層は、下記（２）の構成を有している、請求項１乃至６のいずれか一項に記載のフィルムセンサ。
   （２）前記基材側から順に、低反射層／本体層
9. 前記導線は、前記支持フィルムの観察者側に配置されており、
   前記導線の前記導線形成層は、下記（３）の構成を有している、請求項１乃至６のいずれか一項に記載のフィルムセンサ。
   （３）前記基材側から順に、低反射層／本体層／低反射層
10. 前記低反射層は、第１層と、前記第１層と前記本体層との間に設けられた第２層と、を含み、
    前記第１層は、酸化銅からなる銅化合物を含み、前記第２層は、窒化銅からなる銅化合物を含み、
    前記第１層の厚みおよび前記第２層の厚みをそれぞれｄ_１（ｎｍ）およびｄ_２（ｎｍ）とするとき、ｄ_１は１０〜３０（ｎｍ）の範囲内であり、ｄ_２は１０〜３０（ｎｍ）の範囲内である、請求項１乃至９のいずれか一項に記載のフィルムセンサ。
11. 表示装置と、
    前記表示装置の表示面上に配置されたタッチパネルセンサと、を備え、
    前記タッチパネルセンサは、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のフィルムセンサを含む、タッチ位置検出機能付き表示装置。
12. フィルムセンサを作製するための積層体であって、
    基材フィルムを含む支持体と、
    前記支持体上に設けられ、下記（１）、（２）または（３）の構成を有する導線形成層と、を備え、
    （１）前記支持体側から順に、本体層／低反射層
    （２）前記支持体側から順に、低反射層／本体層
    （３）前記支持体側から順に、低反射層／本体層／低反射層
    前記導線形成層が上記（１）の構成を有する場合、前記導線は、前記支持体の観察者側に配置されており、
    前記導線形成層が上記（２）の構成を有する場合、前記導線は、前記支持体の表示装置側に配置されており、
    前記本体層は、９０重量％以上の銅を含み、前記本体層の厚みは、０．２μｍ以下になっており、
    前記低反射層は、酸化銅または窒化銅からなる銅化合物を含み、
    前記低反射層の厚みは、２０〜６０ｎｍの範囲内になっている、積層体。

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