JP2015103715A - 直接変調レーザ - Google Patents
直接変調レーザ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015103715A JP2015103715A JP2013244341A JP2013244341A JP2015103715A JP 2015103715 A JP2015103715 A JP 2015103715A JP 2013244341 A JP2013244341 A JP 2013244341A JP 2013244341 A JP2013244341 A JP 2013244341A JP 2015103715 A JP2015103715 A JP 2015103715A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inp
- laser
- lens
- direct modulation
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
共振器長が35〜70μmの場合、
1.電気配線217−2及び218−2、及び217−3及び218−3のBの長さを35μm以上に設定する。
2.電気配線217−2及び218−2、及び217−3及び218−3の長さはA+Bであるため、電気配線217−4及び218−4についてもA+Bに設定して、基板端部202から取り出す。また、電気配線217−5及び218−5についてもA+Bに設定して、基板端部202から取り出す。
3.電気配線217−6及び218−6、及び電気配線217−7、218−7の長さもA+Bに設定して、基板端部203から取り出す。
4.電気配線217−1及び218−1の長さもA+Bに設定して、基板端部204及び205から取り出す。
5.基板の幅を2A+2Bに設定する。
1.電気配線217−2及び218−2、及び217−3及び218−3の長さはA+Bであるため、電気配線217−4及び218−4についてもA+Bに設定して、基板端部204から取り出す。また、電気配線217−5及び218−5についてもA+Bに設定して、基板端部205から取り出す。ここで電気配線は202から取り出してしまうと、等長にできないので、基板端部204及び205から取り出さなければならない。
2.電気配線217−6及び218−6、及び電気配線217−7、218−7の長さもA+Bに設定して、基板端部203から取り出す。
3.電気配線217−1及び218−1の長さもA+Bに設定して、基板端部204及び205から取り出す。
4.基板の幅を2A+2Bに設定する。
半導体レーザの場合元々が光ファイバなどのガラス材料のデバイスと比べNAが大きく異なる。そのため、半導体内部の電界分布がマルチコアのコア径に近づくまで広げられれば高い結合が得られる。
本発明の実施例を図10を用いて説明する。図10は直接変調レーザアレイの1のレーザ素子の断面図であり、図10(a)はレーザ素子1000の共振器及び導波路方向の断面図、図10(b)は、図10(a)におけるレーザ素子1000のA−A´における断面図である。また、図11はレーザ素子1000を7つ集積した直接変調レーザアレイ1100の上面図である。
111、213−1〜213−7、412、1011 InPレンズ
112、212−1〜212−7、411、1010 45°ミラー
114、211−1〜211−7 共振器
200、1100 直接変調レーザアレイ
201、401 SI基板
210−1〜210−7 レーザ素子
214−1〜214−7 導波路
215−1〜215−7、1006 p電極
216−1〜216−7、1007 n電極
217−1〜217−7、218−1〜218−7、1101、1102 電気配線
300 マルチコアファイバ
311 コア
402 n−InP層
403 活性層
404、406 導波路
405 p−InP層
415、416、1012、1013 ARコート
1001 SI−InP基板
1002 n−InP層
1003 InGaAls活性層
1004 Fe添加InP層
1005 p−InP層
1008 回折格子
1009、1015 i−InP層
Claims (6)
- InP基板上に形成されたn−InP層と、
前記n−InP層上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成されたp−InP層と
を備える直接変調レーザであって、
前記直接変調レーザの共振器の第1の端部から前記InP基板に対し水平方向に出射される第1のレーザ光を、反射により前記p−InP層に出射するミラーと、
前記p−InP層を加工して形成されたレンズであって、前記ミラーにより反射された前記第1のレーザが到達する部分に形成される、レンズと、
前記レンズの表面に施されたARコートと、
前記共振器の第2の端部に接続された導波路の、接続部分とは反対側の端部に施されたARコートと
を備えることを特徴とする直接変調レーザ。 - 前記共振器の前記第1の端部と前記第1のミラーとの前記InP基板に水平方向の距離が30μmであり、
前記ミラーと、前記レンズとの前記InP基板に垂直な方向の距離が2μmから8μmであり、
前記レンズの直径が7μmから15μmであり、
前記レンズのサグ量が0.5μmから1.6μmである
ことを特徴とする請求項1に記載の直接変調レーザ。 - 前記直接変調レーザが、前記基板上に7箇所形成されたことを特徴とする請求項1又は2に記載の直接変調レーザ。
- 前記レンズは、前記第1のレーザ光が結合されるマルチコアファイバの断面におけるコアの間隔と同一の間隔で配置されることを特徴とする請求項3に記載の直接変調レーザ。
- 前記第1のレーザ光が結合される前記マルチコアファイバは、コアが7つであることを特徴とする請求項4に記載の直接変調レーザ。
- 7つの前記共振器のn電極及びp電極に接続された電気配線をさらに有し、前記電気配線は、前記p電極及びn電極から端面までの距離がすべて等長であることを特徴とする請求項5に記載の直接変調レーザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013244341A JP6220246B2 (ja) | 2013-11-26 | 2013-11-26 | 直接変調レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013244341A JP6220246B2 (ja) | 2013-11-26 | 2013-11-26 | 直接変調レーザ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015103715A true JP2015103715A (ja) | 2015-06-04 |
JP6220246B2 JP6220246B2 (ja) | 2017-10-25 |
Family
ID=53379181
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013244341A Active JP6220246B2 (ja) | 2013-11-26 | 2013-11-26 | 直接変調レーザ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6220246B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4254825A1 (en) * | 2022-04-01 | 2023-10-04 | Microsoft Technology Licensing, LLC | Optical transmitter unit, optical receiver unit and optical transceiver unit |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01283892A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ素子 |
JPH07283479A (ja) * | 1994-04-07 | 1995-10-27 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置、その製造方法、およびその使用方法 |
JP2005353761A (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 分布帰還型半導体レーザ |
JP2007005594A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Opnext Japan Inc | 半導体光素子及びそれを用いたモジュール |
JP2007519258A (ja) * | 2004-01-20 | 2007-07-12 | ビノプティクス・コーポレイション | 光装置および単一チップ上に双方向光動作用の統合されたレーザおよび検出器を製造する方法 |
JP2007534155A (ja) * | 2003-10-20 | 2007-11-22 | ビノプティクス・コーポレイション | レンズ付き表面放射入射光子デバイス |
JP2008153297A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Opnext Japan Inc | 半導体レーザ素子及びそれを用いた光モジュール |
JP2009130030A (ja) * | 2007-11-21 | 2009-06-11 | Opnext Japan Inc | 半導体レーザ |
JP2010003883A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Opnext Japan Inc | 半導体レーザ素子、光モジュールおよび光トランシーバ |
JP2010003746A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Panasonic Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2010140967A (ja) * | 2008-12-09 | 2010-06-24 | Hitachi Ltd | 光モジュール |
JP2011193459A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-29 | Ofs Fitel Llc | 多芯ファイバ伝送システムおよび多芯ファイバ伝送方法 |
JP2012209286A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Hitachi Ltd | 光モジュール |
-
2013
- 2013-11-26 JP JP2013244341A patent/JP6220246B2/ja active Active
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01283892A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ素子 |
JPH07283479A (ja) * | 1994-04-07 | 1995-10-27 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置、その製造方法、およびその使用方法 |
JP2007534155A (ja) * | 2003-10-20 | 2007-11-22 | ビノプティクス・コーポレイション | レンズ付き表面放射入射光子デバイス |
JP2007519258A (ja) * | 2004-01-20 | 2007-07-12 | ビノプティクス・コーポレイション | 光装置および単一チップ上に双方向光動作用の統合されたレーザおよび検出器を製造する方法 |
JP2005353761A (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 分布帰還型半導体レーザ |
JP2007005594A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Opnext Japan Inc | 半導体光素子及びそれを用いたモジュール |
JP2008153297A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Opnext Japan Inc | 半導体レーザ素子及びそれを用いた光モジュール |
JP2009130030A (ja) * | 2007-11-21 | 2009-06-11 | Opnext Japan Inc | 半導体レーザ |
JP2010003746A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Panasonic Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2010003883A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Opnext Japan Inc | 半導体レーザ素子、光モジュールおよび光トランシーバ |
JP2010140967A (ja) * | 2008-12-09 | 2010-06-24 | Hitachi Ltd | 光モジュール |
JP2011193459A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-29 | Ofs Fitel Llc | 多芯ファイバ伝送システムおよび多芯ファイバ伝送方法 |
JP2012209286A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Hitachi Ltd | 光モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6220246B2 (ja) | 2017-10-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5240583B2 (ja) | 光導波路及びこれを用いたスポットサイズ変換器 | |
JP6289401B2 (ja) | スポットサイズ変換器 | |
US7058259B2 (en) | Optical device having a waveguide lens with multimode interference | |
JP2008277445A (ja) | 半導体レーザおよび光モジュール | |
CN104204880A (zh) | 光元件、光发送元件、光接收元件、混合波导激光器、光发送装置 | |
JP2004117706A (ja) | 光集積素子、光集積素子の製造方法、及び光源モジュール | |
US9971099B2 (en) | Grating coupler with high optical coupling efficiency for SMF | |
JP2018040925A (ja) | 光ファイバ搭載光集積回路装置 | |
CA3023857C (en) | Optical module | |
JP6003069B2 (ja) | グレーティング素子及び光素子 | |
US20230049310A1 (en) | Optical connecting device, optical device, and manufacturing method for optical device | |
JP5979653B2 (ja) | 多モード干渉光カプラ | |
CN112904499A (zh) | 半导体激光器和平面光波导耦合结构、光路系统及制造方法 | |
JP6393221B2 (ja) | 光送信器および光送信装置 | |
JP6220246B2 (ja) | 直接変調レーザ | |
US20130208750A1 (en) | Semiconductor laser diode having waveguide lens | |
US10416385B1 (en) | Negative angle grating coupler | |
JP2019219459A (ja) | 平面光波回路及び光デバイス | |
JP6093286B2 (ja) | 直接変調レーザ | |
JP5880087B2 (ja) | グレーティング素子及び光素子 | |
WO2020246042A1 (ja) | 表面出射型光回路及びそれを適用した表面出射型光源 | |
JP6127079B2 (ja) | 光波長フィルタ | |
CN103748748B (zh) | 光半导体元件 | |
US7961994B2 (en) | Optical interface assembly | |
CN114008874A (zh) | 包括承载至少一个二极管的至少一个半导体芯片的光源 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151222 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160921 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161101 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170104 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170530 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170731 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170926 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170929 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6220246 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |