JP2015100036A - バッファ回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】向上した電流駆動能力を有し、安定して動作するバッファ回路を提供する。【解決手段】本実施形態に係るバッファ回路は、第1〜第4のトランジスタと第1〜第3の電流源とを備える。第1のトランジスタは、制御端子を入力端子に接続され、第1の端子を出力端子と接続される。第2のトランジスタは、制御端子を入力端子に接続され、第1の端子を出力端子と接続され、第2の端子を第1の電源と接続される。第1の電流源は、第1のトランジスタの第2の端子と第1の電源との間に接続される。第3のトランジスタは、第1の端子を出力端子と接続される。第4のトランジスタは、第1の端子を第1のトランジスタの第2の端子と接続され、制御端子からバイアス電圧を印加され、第2の端子を第3のトランジスタの制御端子と接続される。第2の電流源は、第4のトランジスタの第2の端子と第2の電源との間に接続される。第3の電流源は、出力端子と接続される。【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、バッファ回路に関する。
従来、バッファ回路としてソースフォロア回路が広く用いられている。しかし、ソースフォロア回路には、ソース端子に接続されるバイアス電流源の電流により電流駆動能力が制限されるという課題があった。この課題を解決するために、並列に接続された2つのトランジスタのゲート端子にそれぞれ入力電圧を印加し、一方のトランジスタのドレイン電流が少なくなった場合にバイアス電流源の電流を制御するソースフォロア回路が提案されている。しかし、このようなソースフォロア回路は、電流駆動能力を向上させるためにバイアス電流を大きくする必要があるため、消費電力が大きくなってしまうという問題があった。
また、ソースフォロア回路を構成するトランジスタのドレイン電流を一定電流と比較し、比較結果を電圧に変換し、当該電圧によりバイアス電流を制御するように構成されたソースフォロア回路も提案されている。しかし、このようなソースフォロア回路は、トランジスタのドレイン電流が比較される一定電流により電流駆動能力が制限されるという問題があった。
さらに、上述のような従来のソースフォロア回路は、トランジスタの寄生容量による位相遅れなどの影響により、動作が不安定になることがあった。例えば、従来のソースフォロア回路では、周波数特性にピークが生じ、出力電圧にリンギングが生じることがあった。
IEEE ISCAS 1999, pp.II-212 - II-215
向上した電流駆動能力を有し、安定して動作するバッファ回路を提供する。
本実施形態に係るバッファ回路は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第1の電流源と、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、第2の電流源と、第3の電流源と、を備える。第1のトランジスタは、制御端子を入力端子に接続され、第1の端子を出力端子と接続される。第2のトランジスタは、制御端子を入力端子に接続され、第1の端子を出力端子と接続され、第2の端子を第1の電源と接続される。第1の電流源は、第1のトランジスタの第2の端子と第1の電源との間に接続される。第3のトランジスタは、第1の端子を出力端子と接続される。第4のトランジスタは、第1の端子を第1のトランジスタの第2の端子と接続され、制御端子からバイアス電圧を印加され、第2の端子を第3のトランジスタの制御端子と接続される。第2の電流源は、第4のトランジスタの第2の端子と第2の電源との間に接続される。第3の電流源は、出力端子と接続される。
バッファ回路は、入力端子Inputから入力された信号を増幅し、出力端子Outputから出力する。以下では、MOSトランジスタにより構成されたバッファ回路について説明するが、バッファ回路は、バイポーラトランジスタを用いて構成することも可能である。以下の説明におけるMOSトランジスタをバイポーラトランジスタと置換し、ソース端子をエミッタ端子と、ドレイン端子をコレクタ端子と、ゲート端子をベース端子と置換することにより、バイポーラトランジスタを用いてバッファ回路を構成することができる。
また、以下ではN型のMOSトランジスタを主として用いた実施形態について説明するが、P型のMOSトランジスタやPNP型のバイポーラトランジスタを主として用いてバッファ回路を構成することもできる。以下の説明におけるN型(P型)のMOSトランジスタをP型(N型)のMOSトランジスタ又はPNP型(NPN型)のバイポーラトランジスタと置換し、グランド(電源)と接続された端子を電源(グランド)と接続することにより、P型のMOSトランジスタやPNP型のバイポーラトランジスタを主として用いたバッファ回路を構成することができる。
(第1実施形態)
以下、第1実施形態に係るバッファ回路について図1〜図5を参照して説明する。ここで、図1は、第1実施形態に係るバッファ回路を示す回路図である。図1に示すように、バッファ回路は、入力端子Inputと、出力端子Outputと、トランジスタM1〜M4と、電流源Ib1〜Ib3と、を備える。
以下、第1実施形態に係るバッファ回路について図1〜図5を参照して説明する。ここで、図1は、第1実施形態に係るバッファ回路を示す回路図である。図1に示すように、バッファ回路は、入力端子Inputと、出力端子Outputと、トランジスタM1〜M4と、電流源Ib1〜Ib3と、を備える。
トランジスタM1(第1のトランジスタ)は、N型のMOSトランジスタ(以下、「NMOSトランジスタ」という)であって、ゲート端子(制御端子)を入力端子Inputと接続され、ソース端子(第1の端子)を出力端子Outputと接続され、ドレイン端子(第2の端子)を電流源Ib1と接続されている。トランジスタM1には、入力端子Inputから入力された入力電圧Vinと出力端子Outputから出力される出力電圧との差に応じたドレイン電流I1が流れる。
トランジスタM2(第2のトランジスタ)は、NMOSトランジスタであって、ゲート端子(制御端子)を入力端子Inputと接続され、ソース端子(第1の端子)を出力端子Outputと接続され、ドレイン端子(第2の端子)を電源(第1の電源)と接続されている。トランジスタM2には、入力端子Inputから入力された入力電圧Vinと出力端子Outputから出力される出力電圧との差に応じたドレイン電流I2が流れる。
トランジスタM3(第3のトランジスタ)は、NMOSトランジスタであって、ゲート端子(制御端子)をトランジスタM4のドレイン端子と接続され、ソース端子をグランド(第2の電源)と接続され、ドレイン端子(第1の端子)を出力端子Outputと接続されている。トランジスタM3には、入力端子Inputから入力された入力電圧Vinと出力端子Outputから出力される出力電圧との差に応じたドレイン電流I3が流れる。
トランジスタM4(第4のトランジスタ)は、P型のMOSトランジスタ(以下、「PMOSトランジスタ」という)であって、ゲート端子(制御端子)からバイアス電圧Vb1を印加され、ソース端子(第1の端子)をトランジスタM1のドレイン端子と接続され、ドレイン端子(第2の端子)をトランジスタM3のゲート端子と接続されている。トランジスタM4には、電流源Ib1の電流Ib1とトランジスタM1を流れるドレイン電流I1との差分のドレイン電流I4が流れる(I4=Ib1−I1)。
電流源Ib1(第1の電流源)は、電源とトランジスタM1のドレイン端子及びトランジスタM4のソース端子との間に接続されている。電流源Ib1は、トランジスタM1,M4にバイアス電流Ib1を供給する。
電流源Ib2(第2の電流源)は、グランドとトランジスタM3のゲート端子及びトランジスタM4のドレイン端子との間に接続されている。電流源Ib2は、トランジスタM4にバイアス電流Ib2を供給する。なお、バイアス電流Ib1,Ib2は、Ib1>Ib2となるように設定されている。
電流源Ib3(第3の電流源)は、グランドと出力端子との間に接続されている。電流源Ib3は、トランジスタM1,M2にバイアス電流Ib3を供給する。
次に、本実施形態の動作について説明する。入力端子Inputから入力電圧Vinが入力されると、略1倍の利得で増幅されたVoutが出力端子Outputから出力される(Vin≒Vout)。入力電圧Vinが一定の場合、I4=Ib2,I1=Ib1−Ib2で一定となり、トランジスタM1,M3,M4からなる電流制御回路を流れる電流の変化は小さくなる。この場合、トランジスタM2と電流源Ib3とから構成されるソースフォロア回路の動作が支配的になり、バッファ回路の動作に対する電流制御回路の影響は抑制される。したがって、バッファ回路は安定動作が可能となる。
入力電圧Vinが緩やかに変化する場合も同様であり、入力電圧Vin、すなわちトランジスタM1のゲート端子の電圧の変化に追従してトランジスタM1のソース端子の電圧が変化するため、I4=Ib2,I1=Ib1−Ib2となる。したがって、バッファ回路は安定動作が可能となる。
これに対して、入力電圧Vinが急激に変化した場合、トランジスタM1のソース端子の電圧は入力電圧Vinの変化に瞬間的に追従できない。例えば、入力電圧Vinが急激に上昇した場合、トランジスタM1のソース端子の電圧は、入力電圧Vinの変化に追従して上昇することができないため、トランジスタM1のゲートソース間電圧が上昇する。これにより、ドレイン電流I1は増加するが、バイアス電流Ib1で制限されてしまう。ドレイン電流I1が増加すると、I4=Ib1−I1であるから、ドレイン電流I4が減少する(I4<Ib2)。ドレイン電流I4が減少すると、トランジスタM4のドレイン端子の電圧、すなわち、トランジスタM3のゲート端子の電圧が低下し、ドレイン電流I3が減少する。ドレイン電流I3が減少することにより、出力端子Outputへの吐き出し電流が増加する。入力電圧Vinが急激に上昇した場合に、トランジスタM4のドレイン電流が0となるように設定することもできる。この場合、I1=Ib1,I4=0となり、ドレイン電流I3がより減少し、出力端子Outputへの吐き出し電流がより増加する。また、トランジスタM2のドレイン電流は制限されないため、大電流を出力端子Outputへの吐き出すことができる。このように入力電圧Vinが急激に変化した場合、吐き出し電流が増加し、出力電圧であるトランジスタM2,M1のソース端子の電圧は入力電圧Vinに追従して上昇する。入力電圧Vinの変化が少なくなると入力電圧Vinの上昇が緩やかになり、トランジスタM1のソース端子の電圧がVinの変化に追従して上昇する。これにより、電流制御回路は、I4=Ib2となるように動作する。
また、入力電圧Vinが急激に低下した場合、トランジスタM1,M2のソース端子の電圧は、入力電圧Vinの変化に追従して低下することができないため、トランジスタM1,M2のゲートソース間電圧が低下する。これにより、ドレイン電流I1、ドレイン電流I2が減少する。ドレイン電流I1が減少すると、I4=Ib1−I1であるから、ドレイン電流I4が増加する(I4>Ib2)。ドレイン電流I4が増加すると、トランジスタM4のドレイン端子の電圧、すなわち、トランジスタM3のゲート端子の電圧が上昇し、ドレイン電流I3が増加する。ドレイン電流I3が増加することにより、出力端子Outputからの吸い込み電流が増加する。入力電圧Vinが急激に低下した場合に、トランジスタM1がオフとなるように設定することもできる。この場合、I4=Ib1,I1=0となり、ドレイン電流I3がより増加し、出力端子Outputからの吸い込み電流がより増加する。入力電圧Vinの変化が少なくなると、入力電圧Vinの低下が緩やかになり、トランジスタM1のソース端子の電圧がVinの変化に追従して低下する。これにより、電流制御回路は、I4=Ib2となるように動作する。
以上説明したとおり、本実施形態によれば、トランジスタM1,M3,M4からなる電流制御回路により、出力端子Outputの吐き出し電流及び吸い込み電流を増加させ、電流駆動能力を向上させることができる。また、入力電圧Vinが一定の場合や緩やかに変化する場合には、トランジスタM2と電流源Ib3からなるソースフォロア回路の動作が支配的になるとともに、入力電圧Vinの各状態において、電流源Ib3が供給するバイアス電流によりバッファ回路全体の位相ずれが抑制される。したがって、本実施形態に係るバッファ回路は安定動作が可能である。
図2は、本実施形態に係るバッファ回路のトランジェント解析によるシミュレーション結果である。図2に示すように、出力電圧にはリンギングが生じておらず、バッファ回路が安定的に動作していることが確認できる。また、図3は、本実施形態に係るバッファ回路のAC解析によるシミュレーション結果である。図3に示すように、周波数特性には不安定を示すようなピーキングが形成されていないことが確認できる。
図4は、本実施形態の変形例を示す回路図である。図4に示すように、バッファ回路は、出力端子OutputとトランジスタM4のソース端子との間に容量Ccを備える。これにより、入力電圧Vinが急激に変化した場合のドレイン電流I3,I4の変化が抑制される。したがって、出力電圧Voutのオーバーシュートやアンダーシュートを抑制することができる。
図5は、図4のバッファ回路のトランジェント解析によるシミュレーション結果である。図4に示すように、出力電圧にはリンギングが生じておらず、バッファ回路が安定的に動作していることが確認できる。また、図2において入力電圧の立下り時に見られた出力電圧のアンダーシュートが改善されていることが確認できる。
(第2実施形態)
次に、第2実施形態に係るバッファ回路について図6〜図8を参照して説明する。ここで、図6は、第2実施形態に係るバッファ回路を示す回路図である。図6に示すように、バッファ回路は、入力端子Inputと、出力端子Outputと、トランジスタM1〜M7と、電流源Ib1,Ib2,Ib4と、を備える。トランジスタM1〜M4及び電流源Ib1,Ib2は、第1実施形態と同様の構成であるため説明を省略する。
次に、第2実施形態に係るバッファ回路について図6〜図8を参照して説明する。ここで、図6は、第2実施形態に係るバッファ回路を示す回路図である。図6に示すように、バッファ回路は、入力端子Inputと、出力端子Outputと、トランジスタM1〜M7と、電流源Ib1,Ib2,Ib4と、を備える。トランジスタM1〜M4及び電流源Ib1,Ib2は、第1実施形態と同様の構成であるため説明を省略する。
トランジスタM5(第5のトランジスタ)は、NMOSトランジスタであって、ゲート端子(制御端子)をトランジスタM6のゲート端子と接続され、ソース端子(第1の端子)をトランジスタM4のドレイン端子と接続され、ドレイン端子(第2の端子)を電源と接続されている。トランジスタM5には、所定のバイアス電圧Vb2が印加されており、バイアス電圧Vb2に応じたバイアス電流I5が流れている。
トランジスタM6,M7及び電流源Ib4は、トランジスタM5にバイアス電圧Vb2を印加するためのバイアス回路である。トランジスタM6,M7はNMOSトランジスタであり、縦積みに接続されている。入力電圧Vinが略一定の時、トランジスタM5のソース電圧はトランジスタM3のゲート電圧であり、トランジスタM7のゲート電圧、つまり、トランジスタM6のソース電圧と概ね同じである。よって、トランジスタM5には電流源Ib4から供給された電流に応じたドレイン電流が流れる。なお、トランジスタM5のバイアス回路の構成は、任意に選択することができる。
次に、本実施形態の動作について説明する。入力端子Inputから入力電圧Vinが入力されると、略1倍の利得で増幅されたVoutが出力端子Outputから出力される(Vin≒Vout)。入力電圧Vinが一定の場合、I4=Ib2−I5,I1=Ib1−(Ib2−I5)で一定となり、トランジスタM1,M3,M4からなる電流制御回路を流れる電流の変化は小さくなる。この場合、トランジスタM3のゲート電圧はトランジスタM5のソース電圧によりほぼ決定されるため、トランジスタM3は電流源として動作する。よってトランジスタM2により構成されるソースフォロア回路は、従来の単純なソースフォロアと同じ動作となり、バッファ回路は安定動作が可能となる。
入力電圧Vinが緩やかに変化する場合も同様であり、入力電圧Vin、すなわちトランジスタM1のゲート端子の電圧の変化に追従してトランジスタM1のソース端子の電圧が変化するため、I4=Ib2−I5,I1=Ib1−(Ib2−I5)となる。したがって、バッファ回路は安定動作が可能となる。
より詳細には、入力電圧Vinが緩やかに上昇する場合、本実施形態において、ドレイン電流I4が減少し、ドレイン電流I5が増加する。トランジスタM3のゲート端子の電圧の低下は、トランジスタM5のドレイン電流の変化によるトランジスタM5のゲートソース間電圧の変化分となるので、第1実施形態に比べて小さくなる。すなわち、本実施形態におけるトランジスタM4のドレイン端子におけるインピーダンスは、トランジスタM5のトランスコンダクタンスgm分の1であり、第1実施形態の場合に比べて低くなっている。このため、ドレイン電流I4の変化によるトランジスタM3のゲート端子の電圧の変化、すなわち、ドレイン電流I3の変化が第1実施形態の場合に比べて小さくなる。したがって、バッファ回路が安定的に動作可能となる。
また、入力電圧Vinが緩やかに低下する場合、本実施形態において、ドレイン電流I4が増加し、ドレイン電流I5は減少する。ただし、ドレイン電流I5はゼロにはならない。トランジスタM3のゲート端子の電圧の上昇は、トランジスタM5のドレイン電流の変化によるトランジスタM5のゲートソース間電圧の変化分となるので、第1実施形態に比べて小さくなる。すなわち、本実施形態におけるトランジスタM4のドレイン端子におけるインピーダンスは、トランジスタM5のトランスコンダクタンスgm分の1であり、第1実施形態の場合に比べて低くなっている。このため、ドレイン電流I4の変化によるトランジスタM3のゲート端子の電圧の変化、すなわち、ドレイン電流I3の変化が第1実施形態の場合に比べて小さくなる。したがって、バッファ回路が安定的に動作可能となる。
これに対して、入力電圧Vinが急激に変化した場合、トランジスタM1のソース端子の電圧は入力電圧Vinの変化に瞬間的に追従できない。例えば、入力電圧Vinが急激に上昇した場合、トランジスタM1のソース端子の電圧は、入力電圧Vinの変化に追従して上昇することができないため、トランジスタM1のゲートソース間電圧が上昇する。これにより、ドレイン電流I1が増加する。ドレイン電流I1が増加すると、I4=Ib1−I1であるから、ドレイン電流I4が減少する。ドレイン電流I4の減少分、トランジスタM5のドレイン電流I5が増えるため、トランジスタM5のゲートソース間電圧が大きくなる。このため、トランジスタM3のゲート端子の電圧が低下し、ドレイン電流I3が減少する。ドレイン電流I3が減少することにより、出力端子Outputへの吐き出し電流が増加する。また、トランジスタM2のドレイン電流は制限されないため、大電流を出力端子Outputへ吐き出すことができる。このように入力電圧Vinが急激に変化した場合、吐き出し電流が増加する。出力電圧であるトランジスタM1,M2のソース端子の電圧は、入力電圧Vinの上昇にわずかに遅れて追従して上昇する。
なお、入力電圧Vinが急激に上昇した場合に、トランジスタM4のドレイン電流が0となるように設定することもできる。この場合、I1=Ib1,I4=0となり、ドレイン電流I3がより減少し、出力端子Outputへの吐き出し電流がより増加する。入力電圧Vinの変化が少なくなると、入力電圧Vinの上昇が緩やかになり、トランジスタM1のソース端子の電圧が入力電圧Vinの変化に追従して上昇する。これにより、電流制御回路は、I4=Ib2−I5,I1=Ib1−(Ib2−I5)となる。したがって、バッファ回路は安定動作が可能となる。
また、入力電圧Vinが急激に低下した場合、トランジスタM1のソース端子の電圧は、入力電圧Vinの変化に追従して低下することができないため、トランジスタM1のゲートソース間電圧が低下する。これにより、ドレイン電流I1が減少する。ドレイン電流I1が減少すると、I4=Ib1−I1であるから、ドレイン電流I4が増加する。増加したドレイン電流I4がIb2より大きくなると、トランジスタM5はオフし、トランジスタM3のゲート端子の電圧が上昇し、ドレイン電流I3が増加する。ドレイン電流I3が増加することにより、出力端子Outputからの吸い込み電流が増加する。
入力電圧Vinの変化が少なくなると、入力電圧Vinの低下が緩やかになり、トランジスタM1のソース端子の電圧がVinの変化に追従して低下する。これにより、電流制御回路は、I4=Ib2−I5,I1=Ib1−(Ib2−I5)となる。したがって、バッファ回路は安定動作が可能となる。
以上説明したとおり、本実施形態によれば、トランジスタM1,M3,M4からなる電流制御回路により、出力端子Outputの吐き出し電流及び吸い込み電流を増加させ、電流駆動能力を向上させることができる。また、入力電圧Vinが一定の場合や緩やかに変化する場合には、トランジスタM5により、トランジスタM3のゲート電圧の変化が小さくなり、トランジスタM3のドレイン電流の変化も小さく、ほぼ一定となる。このため、トランジスタM2によるソースフォロア回路の動作が支配的になる。したがって、本実施形態に係るバッファ回路は安定動作が可能である。
図7は、本実施形態に係るバッファ回路のトランジェント解析によるシミュレーション結果である。図7に示すように、出力電圧にはリンギングが生じておらず、バッファ回路が安定的に動作していることが確認できる。また、図8は、本実施形態に係るバッファ回路のAC解析によるシミュレーション結果である。図8に示すように、周波数特性には不安定を示すようなピーキングが形成されていないことが確認できる。なお、本実施形態に係るバッファ回路は、出力端子OutputとトランジスタM4のソース端子との間に容量Ccを備えてもよい。これにより、入力電圧Vinが急激に変化した場合のドレイン電流I3,I4の変化が抑制される。したがって、出力電圧Voutのオーバーシュートやアンダーシュートを抑制することができる。
(第3実施形態)
次に、第3実施形態に係るバッファ回路について図9〜図12を参照して説明する。ここで、図9は、第3実施形態に係るバッファ回路を示す回路図である。図9に示すように、本実施形態に係るバッファ回路は、第1実施形態と第2実施形態とを組み合わせて構成され、入力端子Inputと、出力端子Outputと、トランジスタM1〜M7と、電流源Ib1〜Ib4と、を備える。本実施形態の各構成及び動作は、第1実施形態及び第2実施形態で説明した通りであるため説明を省略する。
次に、第3実施形態に係るバッファ回路について図9〜図12を参照して説明する。ここで、図9は、第3実施形態に係るバッファ回路を示す回路図である。図9に示すように、本実施形態に係るバッファ回路は、第1実施形態と第2実施形態とを組み合わせて構成され、入力端子Inputと、出力端子Outputと、トランジスタM1〜M7と、電流源Ib1〜Ib4と、を備える。本実施形態の各構成及び動作は、第1実施形態及び第2実施形態で説明した通りであるため説明を省略する。
図10は、本実施形態に係るバッファ回路のトランジェント解析によるシミュレーション結果である。図10に示すように、出力電圧にはリンギングが生じておらず、バッファ回路が安定的に動作していることが確認できる。
図11は、本実施形態の変形例を示す回路図である。図11に示すように、バッファ回路は、出力端子OutputとトランジスタM4のソース端子との間に容量Ccを備える。これにより、入力電圧Vinが急激に変化した場合のドレイン電流I3,I4の変化が抑制される。したがって、出力電圧Voutのオーバーシュートやアンダーシュートを抑制することができる。
図12は、図11のバッファ回路のトランジェント解析によるシミュレーション結果である。図12に示すように、出力電圧にはリンギングが生じておらず、バッファ回路が安定的に動作していることが確認できる。また、図12において入力電圧の立下り時に見られた出力電圧のアンダーシュートが改善されていることが確認できる。
なお、本発明は上記各実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記各実施形態に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることによって種々の発明を形成できる。また例えば、各実施形態に示される全構成要素からいくつかの構成要素を削除した構成も考えられる。さらに、異なる実施形態に記載した構成要素を適宜組み合わせてもよい。
Claims (6)
- 制御端子を入力端子に接続され、第1の端子を出力端子と接続された第1のトランジスタと、
制御端子を前記入力端子に接続され、第1の端子を前記出力端子と接続され、第2の端子を第1の電源と接続された第2のトランジスタと、
前記第1のトランジスタの第2の端子と前記第1の電源との間に接続された第1の電流源と、
第1の端子を前記出力端子と接続された第3のトランジスタと、
第1の端子を前記第1のトランジスタの第2の端子と接続され、制御端子からバイアス電圧を印加され、第2の端子を前記第3のトランジスタの制御端子と接続された第4のトランジスタと、
前記第4のトランジスタの第2の端子と第2の電源との間に接続された第2の電流源と、
前記出力端子と接続された第3の電流源と、
を備えるバッファ回路。 - 制御端子を入力端子に接続され、第1の端子を出力端子と接続された第1のトランジスタと、
制御端子を前記入力端子に接続され、第1の端子を前記出力端子と接続され、第2の端子を第1の電源と接続された第2のトランジスタと、
前記第1のトランジスタの第2の端子と前記第1の電源との間に接続された第1の電流源と、
第1の端子を前記出力端子と接続された第3のトランジスタと、
第1の端子を前記第1のトランジスタの第2の端子と接続され、制御端子からバイアス電圧を印加され、第2の端子を前記第3のトランジスタの制御端子と接続された第4のトランジスタと、
前記第4のトランジスタの第2の端子と第2の電源との間に接続された第2の電流源と、
第1の端子を前記第4のトランジスタの第2の端子と接続され、制御端子からバイアス電圧を印加される第5のトランジスタと、
を備えたバッファ回路。 - 前記出力端子と接続された第3の電流源をさらに備える請求項2に記載のバッファ回路。
- 前記出力端子と前記第4のトランジスタの第1の端子との間に容量素子を備えた請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のバッファ回路。
- 前記第1の電流源が供給する電流は、前記第2の電流源が供給する電流よりも大きい請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載のバッファ回路。
- 前記第1のトランジスタ及び第2のトランジスタの第1の端子はソース端子又はエミッタ端子であり、
前記第1のトランジスタ及び第2のトランジスタの第2の端子と前記第3のトランジスタの第1の端子とはドレイン端子又はコレクタ端子であり、
前記第1のトランジスタ及び第2のトランジスタの前記制御端子はゲート端子又はベース端子である請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載のバッファ回路。
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2014
- 2014-11-13 US US14/540,059 patent/US20150137858A1/en not_active Abandoned
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