JP2015099823A - 基板接合方法、及び基板接合装置 - Google Patents
基板接合方法、及び基板接合装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015099823A JP2015099823A JP2013238061A JP2013238061A JP2015099823A JP 2015099823 A JP2015099823 A JP 2015099823A JP 2013238061 A JP2013238061 A JP 2013238061A JP 2013238061 A JP2013238061 A JP 2013238061A JP 2015099823 A JP2015099823 A JP 2015099823A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- temperature
- bonding
- temperature difference
- refrigerant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
- H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
Abstract
【解決手段】1つの実施形態によれば、基板接合方法が提供される。基板接合方法では、第1の基板と第2の基板とを互いに対向するように配置する。基板接合方法では、第1の基板及び第2の基板に温度差がつくように制御する。基板接合方法では、温度差がつくように制御された状態で、第1の基板における周辺部より内側の中央部が第2の基板の側へ凸になるように第1の基板を変形させながら第2の基板に接触させて、第1の基板を第2の基板に接合する。
【選択図】図2
Description
実施形態にかかる基板接合方法について説明する。
ΔT=ΔL/L/α・・・数式1
T1=T2+ΔT・・・数式2
ΔT’=−ΔL/L/α・・・数式3
T1=T2+ΔT’・・・数式4
同様に、温度制御構造45は、吸着ステージ20内を延びた冷媒流路43に代えて、吸着ステージ20内に埋め込まれたペルチェ素子であってもよい。この場合、図1の構成において、温度制御部40では、ポンプ41bが省略され、冷媒制御装置41とペルチェ素子との間が冷媒管42、冷媒管44に代わって配線で接続されることになる。また、吸着ステージ20内において、ペルチェ素子の加熱・冷却面を対向面20a側に位置させることができ、ペルチェ素子の加熱・冷却面を対向面20aとして露出させることもできる。加熱・冷却部41aは、例えば、予め実験的に得られたパラメータ(例えば、ペルチェ素子に流す電流量及び電流の方向など)を用いてフィードフォワード制御を行うことでペルチェ素子の加熱・冷却面の温度が目標温度になるようにペルチェ素子を制御してもよい。あるいは、加熱・冷却部41aは、例えば、吸着ステージ20内に埋め込まれた温度センサ(図示せず)で検知されたペルチェ素子の加熱・冷却面の温度と目標温度とを比較しながらフィードバック制御を行うことでペルチェ素子の加熱・冷却面の温度が目標温度になるようにペルチェ素子を制御してもよい。
また、上記の実施形態では、接合する2つの基板として常温における寸法及び形状が同じものを用いる場合について例示的に説明しているが、接合する2つの基板は、寸法及び形状の少なくとも一方が異なるものであってもよい。この場合でも、接合する2つの基板のそれぞれに位置合わせマークが形成されていれば、図2に示すステップS10と同様にして基板接合の条件出しを行うことができる。
Claims (5)
- 第1の基板と第2の基板とを互いに対向するように配置することと、
前記第1の基板及び前記第2の基板に温度差がつくように制御することと、
前記温度差がつくように制御された状態で、前記第1の基板における周辺部より内側の中央部が前記第2の基板の側へ凸になるように前記第1の基板を変形させながら前記第2の基板に接触させて、前記第1の基板を前記第2の基板に接合することと、
を備えたことを特徴とする基板接合方法。 - 前記温度差がつくように制御することは、前記第1の基板の基準位置と前記第2の基板の基準位置とのずれが目標値に一致するように、前記第1の基板及び前記第2の基板に温度差をつけることを含む
ことを特徴とする請求項1に記載の基板接合方法。 - 前記第1の基板に対応した第3の基板と前記第2の基板に対応した第4の基板とを互いに対向するように配置することと、
前記第3の基板及び前記第4の基板がそれぞれ常温になっている状態で、前記第3の基板における周辺部より内側の中央部を前記第4の基板側へ凸になるように前記第3の基板を変形させながら前記第4の基板に接触させて、前記第3の基板を前記第4の基板に接合することと、
前記第3の基板の基準位置と前記第4の基板の基準位置とのずれを測定することと、
前記測定された基準位置のずれに対応した温度差を決定することと、
をさらに備え、
前記温度差がつくように制御することは、前記決定された基準位置のずれに対応した温度差になるように、前記第1の基板及び前記第2の基板に温度差をつけることを含む
ことを特徴とする請求項2に記載の基板接合方法。 - 第1の基板を吸着する第1の吸着ステージと、
前記第1の基板に対向するように第2の基板を吸着する第2の吸着ステージと、
前記第1の基板の温度を制御するように前記第1の吸着ステージに設けられた第1の温度制御構造と、
前記第2の基板の温度を制御するように前記第2の吸着ステージに設けられた第2の温度制御構造と、
前記第1の吸着ステージに吸着された前記第1の基板を前記第2の吸着ステージ側へ凸になるように変形させる押え部材と、
前記第1の基板及び前記第2の基板に温度差がつくように制御するとともに、前記温度差がつくように制御された状態で、前記第1の基板における周辺部より内側の中央部が前記第2の基板の側へ凸になるように前記第1の基板を変形させながら前記第2の基板に接触させて、前記第1の基板を前記第2の基板に接合するように、前記第1の温度制御構造、前記第2の温度制御構造、及び前記押え部材を制御するコントローラと、
を備えたことを特徴とする基板接合装置。 - 前記コントローラは、前記第1の基板の基準位置と前記第2の基板の基準位置とのずれが目標値に一致するように、前記第1の基板及び前記第2の基板に温度差をつける
ことを特徴とする請求項4に記載の基板接合装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013238061A JP6184843B2 (ja) | 2013-11-18 | 2013-11-18 | 基板接合方法、及び基板接合装置 |
US14/198,339 US9209097B2 (en) | 2013-11-18 | 2014-03-05 | Substrate bonding method and substrate bonding apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013238061A JP6184843B2 (ja) | 2013-11-18 | 2013-11-18 | 基板接合方法、及び基板接合装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015099823A true JP2015099823A (ja) | 2015-05-28 |
JP6184843B2 JP6184843B2 (ja) | 2017-08-23 |
Family
ID=53173694
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013238061A Active JP6184843B2 (ja) | 2013-11-18 | 2013-11-18 | 基板接合方法、及び基板接合装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9209097B2 (ja) |
JP (1) | JP6184843B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016103536A (ja) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム |
CN112602168A (zh) * | 2018-08-29 | 2021-04-02 | 东京毅力科创株式会社 | 接合装置的参数调整方法和接合系统 |
KR20230060947A (ko) * | 2021-10-28 | 2023-05-08 | 코스텍시스템(주) | 기판 접합 장치 및 이를 이용한 기판 접합 방법 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW202305871A (zh) * | 2016-11-16 | 2023-02-01 | 日商尼康股份有限公司 | 保持構件、接合裝置、及接合方法 |
KR102576705B1 (ko) * | 2018-08-30 | 2023-09-08 | 삼성전자주식회사 | 기판 본딩 장치 및 기판의 본딩 방법 |
TWI828760B (zh) * | 2018-10-25 | 2024-01-11 | 日商尼康股份有限公司 | 基板貼合裝置、參數計算裝置、基板貼合方法及參數計算方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006278971A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせウエーハの製造方法及びそれに用いるウエーハ保持用治具 |
JP2008172093A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
WO2009133682A1 (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-05 | 株式会社ニコン | 評価方法および評価装置 |
JP2015015269A (ja) * | 2013-07-03 | 2015-01-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7262112B2 (en) * | 2005-06-27 | 2007-08-28 | The Regents Of The University Of California | Method for producing dislocation-free strained crystalline films |
JP4867373B2 (ja) | 2006-02-02 | 2012-02-01 | 株式会社ニコン | ウェハホルダ及び半導体装置の製造方法 |
JP2011523383A (ja) * | 2008-05-23 | 2011-08-11 | 富士フイルム株式会社 | 基板を接合する方法及び装置 |
JP4801769B2 (ja) * | 2009-11-30 | 2011-10-26 | 三菱重工業株式会社 | 接合方法、接合装置制御装置、接合装置 |
JP5549344B2 (ja) | 2010-03-18 | 2014-07-16 | 株式会社ニコン | 基板接合装置、基板ホルダ、基板接合方法、デバイス製造方法および位置合わせ装置 |
US8641845B2 (en) * | 2011-01-13 | 2014-02-04 | Siemens Energy, Inc. | Method of determining bond coverage in a joint |
JP5389847B2 (ja) * | 2011-03-04 | 2014-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム |
JP5845618B2 (ja) | 2011-04-27 | 2016-01-20 | 株式会社ニコン | 基板貼り合わせ装置、基板貼り合わせ方法および重ね合わせ基板 |
JP5490065B2 (ja) | 2011-08-09 | 2014-05-14 | 三菱重工業株式会社 | 接合装置および接合システム |
JP6005957B2 (ja) * | 2012-03-19 | 2016-10-12 | スタンレー電気株式会社 | 半導体素子及びその製造方法 |
CN103367374B (zh) * | 2012-04-02 | 2017-06-09 | 索尼公司 | 固体摄像装置及其制造方法、半导体器件的制造装置和方法、电子设备 |
-
2013
- 2013-11-18 JP JP2013238061A patent/JP6184843B2/ja active Active
-
2014
- 2014-03-05 US US14/198,339 patent/US9209097B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006278971A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせウエーハの製造方法及びそれに用いるウエーハ保持用治具 |
JP2008172093A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
WO2009133682A1 (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-05 | 株式会社ニコン | 評価方法および評価装置 |
JP2015015269A (ja) * | 2013-07-03 | 2015-01-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016103536A (ja) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム |
KR20160064002A (ko) * | 2014-11-27 | 2016-06-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 접합 방법, 컴퓨터 기억 매체, 접합 장치 및 접합 시스템 |
KR102442318B1 (ko) | 2014-11-27 | 2022-09-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 접합 방법, 컴퓨터 기억 매체, 접합 장치 및 접합 시스템 |
CN112602168A (zh) * | 2018-08-29 | 2021-04-02 | 东京毅力科创株式会社 | 接合装置的参数调整方法和接合系统 |
KR20230060947A (ko) * | 2021-10-28 | 2023-05-08 | 코스텍시스템(주) | 기판 접합 장치 및 이를 이용한 기판 접합 방법 |
KR102672860B1 (ko) * | 2021-10-28 | 2024-06-10 | 코스텍시스템(주) | 기판 접합 장치 및 이를 이용한 기판 접합 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6184843B2 (ja) | 2017-08-23 |
US9209097B2 (en) | 2015-12-08 |
US20150140689A1 (en) | 2015-05-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6184843B2 (ja) | 基板接合方法、及び基板接合装置 | |
JP6764040B2 (ja) | 接合システム、および接合方法 | |
JP5895676B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR101299779B1 (ko) | 접합 장치 및 접합 방법 | |
US11508688B2 (en) | Bonding apparatus including a heater and a cooling flow path used for stacking a plurality of semiconductor chips | |
JP5680684B2 (ja) | チップ圧着装置およびその方法 | |
US8490856B2 (en) | Joint apparatus, joint method, and computer storage medium | |
TW201802869A (zh) | 基板貼合裝置及基板貼合方法 | |
CN111344855B (zh) | 卡盘板、具有所述卡盘板的卡盘结构物及具有卡盘结构物的焊接装置 | |
TW201801136A (zh) | 基板貼合裝置及基板貼合方法 | |
KR20120052424A (ko) | 접합 방법, 접합 장치, 접합 시스템 | |
JP2018060833A (ja) | 静電チャック、基板固定装置 | |
TWI760499B (zh) | 焊接頭及具有其的焊接裝置 | |
JP2012191037A (ja) | 基板貼り合わせ装置および基板貼り合わせ方法 | |
KR20120118968A (ko) | 압력분할 기판 접합장치 및 기판 접합방법 | |
CN110729227A (zh) | 用于结合基底的真空吸盘和设备以及结合基底的方法 | |
JP5229679B2 (ja) | 加熱加圧システム | |
JP2018060834A (ja) | 静電チャック、基板固定装置 | |
TWI630048B (zh) | Bonding device, bonding system, bonding method, and computer memory medium | |
JP5780002B2 (ja) | 基板貼り合わせ装置及び基板貼り合わせ方法 | |
JP2011222632A (ja) | 基板貼り合せ装置、積層半導体装置製造方法及び積層半導体装置 | |
WO2017114315A1 (zh) | 一种键合机加热冷却装置及其制作方法 | |
KR101930489B1 (ko) | 전자기파 가열을 이용하는 코일 블록 장치 및 이를 갖는 웨이퍼 본딩 장치 | |
JP6453081B2 (ja) | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP6492528B2 (ja) | 加熱装置、基板接合装置、加熱方法および積層半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20151102 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160217 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170323 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170328 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170525 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20170605 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170627 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170726 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6184843 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |