JP2015095297A - 荷電粒子線装置 - Google Patents
荷電粒子線装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015095297A JP2015095297A JP2013232668A JP2013232668A JP2015095297A JP 2015095297 A JP2015095297 A JP 2015095297A JP 2013232668 A JP2013232668 A JP 2013232668A JP 2013232668 A JP2013232668 A JP 2013232668A JP 2015095297 A JP2015095297 A JP 2015095297A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- charged particle
- aberration
- particle beam
- objective lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J3/12—Arrangements for controlling cross-section of ray or beam; Arrangements for correcting aberration of beam, e.g. due to lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
- H01J37/14—Lenses magnetic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/153—Electron-optical or ion-optical arrangements for the correction of image defects, e.g. stigmators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/2611—Stereoscopic measurements and/or imaging
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2814—Measurement of surface topography
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明に係る荷電粒子線装置は、荷電粒子線が軸外を通過することによって収差を発生させる収差発生レンズと、荷電粒子線のエネルギーによらずその軌道を対物レンズの主面上に集束させる補正レンズとを備え、補正レンズの主面は、開き角がそれぞれ異なる複数の荷電粒子線が収差発生レンズを通過した後に集束するクロスオーバー位置に配置されている。
【選択図】図1
Description
(課題2)高次色収差の発生を抑制することと併せて開き角に起因する収差を補正する手法については記載されていない。
図1は、本発明の実施形態1に係る荷電粒子線装置が備える光学系の構成を説明する図である。以下では荷電粒子線装置の例として、走査型電子顕微鏡(SEM)を例に説明する。本実施形態1における光学系は、対物レンズ12、補正レンズ15、収差発生レンズ13、コンデンサレンズ11を備える。対物レンズ12は、荷電粒子線(電子ビーム)2を像面Z4上の点P4に集束させる。収差発生レンズ13は、対物レンズ12と等価な特性を有するように構成されており、コンデンサレンズ11を通過した電子ビーム2が軸外を通過することによって収差を発生させる。補正レンズ15は、それぞれ異なるエネルギーを有する電子ビーム2を、対物レンズ12の主面上に集束させる。補正レンズ15の主面は、対物レンズ12の物面と重なるように配置されている。
以上のように、本実施形態1に係る荷電粒子線装置において、補正レンズ15の主面Z3は、開き角がそれぞれ異なる複数の電子ビーム2が収差発生レンズ13を通過した後に集束するクロスオーバー位置に配置されている。さらに補正レンズ15の主面は、対物レンズ12の物面と重なるように配置されている。この配置により、電子ビーム2のエネルギーが異なることに起因する収差と、電子ビーム2の開き角が異なることに起因する収差とを、同時に補正することができる。
図5は、本発明の実施形態2に係る荷電粒子線装置の構成を示す側面図である。本実施形態2においては、補正レンズ15の主面Z3上に配置された偏向器27に代えて、補正レンズ15と対物レンズ12の間に設置された2段偏向器27と28を用いて電子ビーム2を振り戻す。収差補正を厳密に実施するためには、実施形態1のように補正レンズ15の主面Z3上に偏向器27を設置して電子ビーム2を振り戻すことが望ましいが、設計上の理由によりその位置に偏向器27を配置することが難しい場合もある。そのような場合には、図5に示す2段偏向器27と28によって電子ビーム2を振り戻すこともできる。この場合においても、実用上分解能の低下が問題にならず実施形態1と同等の効果を発揮させることが期待できる。
図6は、本発明の実施形態3に係る荷電粒子線装置の構成を示す側面図である。本実施形態3においては、電子ビーム2の照射角を様々に変化させたときその照射角に応じて変化する収差を補正するため、収差発生レンズ13と補正レンズ15との間に2段偏向器25と26を設置する。
以上の実施形態1〜3においては、収差発生レンズ13を対物レンズ12と等価なレンズとして設計する必要がある。本発明の実施形態4ではこれに代えて、補正したい収差(今回の例では偏向色収差と偏向コマ収差)に注目し、注目した収差成分について、等量異符号の収差を発生させることができるようにレンズ条件を調整する機構を設け、これにより対物レンズ12において生じる収差を補正することを図る。
(ΔUC)Cor_P2:偏向収差補正器で発生させたP2での色収差量
(Cs13)P2:レンズ13の球面収差係数(像面定義)
(Cc13)P2:レンズ13の色収差係数(像面定義)
αP2:レンズ13像面でのビーム開き角
αP2*:αP2の複素共役
θP2:P2における傾斜角度
θP2*:θP2の複素共役
ΔΦ:チップ1から放出された電子ビーム2のエネルギー幅
ΦP2:P2における電子ビームポテンシャル。
(ΔUC)Cor_P3:偏向器23と24で発生させたP3における色収差量
MA14:収差調整レンズ14の角度倍率
M14:収差調整レンズ14の倍率
αP3:P3における電子ビーム2の開き角
αP3*:αP3の複素共役
ΦP3:P2における電子ビーム2のポテンシャル。
(ΔUC)Cor_P3:電子ビーム2を傾斜させたとき対物レンズ12において発生する色収差量(P3における大きさに換算)
MAobj:対物レンズ12の角度倍率
Mobj:対物レンズ12の倍率
(Csobj)P3:対物レンズ12の球面収差係数(物面定義)
(Ccobj)P3:対物レンズ12の色収差係数(物面定義)
θP3:P3における傾斜角度
θP3*:θP3の複素共役
θi:ビーム傾斜角(試料面)。
(ΔUC)Cor_P3:光学系全体で発生する偏向色収差量(試料面定義)。
オペレータは、試料観察に際する光学条件(加速電圧、ブースタ電位、リターディング電位、物面位置など)を決定し、光学条件記憶部36に対して入力する(S101)。ステップS101において入力される光学条件により、上述の(Csobj)P3と(Ccobj)P3が決定される。オペレータは、試料ステージを観察位置に移動させる(S102)。
ステージ高さ計測装置38は、試料52の高さを計測し、その計測結果に基づきワーキングディスタンスを光学条件記憶部36に格納する。ステージ高さ計測装置38に代えて無傾斜時の対物レンズ12の励磁量に基づき試料52の高さを推定することもできる。
光学要素制御部35は、ステップ101において光学条件記憶部36に格納した光学条件と、ステップ103において測定した光学条件とに基づき、式(7)または式(7)’にしたがって各レンズの設定パラメータを算出し、その結果を各レンズに対して反映する。
オペレータは、電子ビーム2の傾斜角度を光学条件記憶部36に対して入力する(S105)。光学要素制御部35は、入力された傾斜角度と、光学条件記憶部36が格納しているビーム傾斜時の各偏向器の偏向強度とに基づき、各偏向器の偏向強度とスティグマコイル37の設定強度を決定し、それぞれに対して反映する。ステップS106は、図1〜図3で説明した原理にしたがって各偏向器を調整するためのものである。
光学要素制御部35は、フォーカス調整とスティグマ調整を実施する(S107)。観察画像生成器(図示せず)は、試料52から放出される2次電子を用いて、試料52の傾斜画像を取得する(S108)。傾斜角度を変更する場合はS105に戻り、観察条件を変更する場合はS104に戻る。
以上のように、本実施形態4に係る荷電粒子線装置は、点P1とP3を固定して点P2を制御することにより、生成する偏向コマ収差と偏向色収差の割合を対物レンズ12において発生する同収差の割合に合わせることができる。これにより、ワーキングディスタンスの変更等によって、対物レンズ12において発生する偏向色収差と偏向コマ収差の割合が変動した場合であっても、その変動量に合わせて点P2を移動させることにより、偏向色収差と偏向コマ収差を同時補正することができる。すなわち、収差発生レンズ13と収差調整レンズ14の合成効果により、対物レンズ12の光学条件を変化させた場合であっても、対物レンズ12における収差を打ち消すことができる。
図9は、本発明の実施形態5に係る荷電粒子線装置の構成を示す側面図である。本実施形態5においては、対物レンズ12の磁場中に設置した偏向器28を用いて電子ビーム2を傾斜させる。対物レンズ12において発生する収差は、対物レンズ12と偏向器28の動作に応じて異なる。そこで本実施形態5においては、実施形態4と同様に、収差発生レンズ13と収差調整レンズ14の合成効果により、対物レンズ12において発生する収差を動的に調整する。なお図9においては、実施形態3で説明した2段偏向器25と26を併用して電子ビーム2をレンズ中心に向ける構成例を示したが、これに限られるものではない。
図10は、本発明の実施形態6に係る荷電粒子線装置の構成を示す側面図である。本実施形態6においては、2段偏向器23と24は、電子ビーム2が収差調整レンズ14の軸外を通過するように、電子ビーム2の軌道を偏向する。本実施形態6においては、電子ビーム2を収差調整レンズ14の軸外に通して偏向収差を発生させることにより、実施形態5と同量の収差を発生させるために必要な収差発生レンズ13における離軸量を小さくすることができる。これにより、収差発生レンズ13において発生させるべき高次収差量が抑制され、各レンズの制御が容易になる効果がある。
図11は、本発明の実施形態7に係る荷電粒子線装置が備える光学系の構成を説明する図である。本実施形態7において、軌道集束レンズ17は、偏向器30および31による偏向動作と併せて、開き角の異なる電子ビーム2を補正レンズ15の主面上の点P3に集束させる。第2補正レンズ16は、補正レンズ15と等価に構成されている。すなわち、第2補正レンズ16から見ると、それぞれ異なるエネルギーを有する電子ビーム2が収差発生レンズ13の主面上に集束するように構成されている。第2補正レンズ16の主面は、収差発生レンズ13の像面と重なるように配置されている。開き角の異なる電子ビーム2は、第2補正レンズ16の主面上の点P5および補正レンズ15の主面上の点P3においてそれぞれクロスオーバーする。
Claims (12)
- 荷電粒子線を出射する荷電粒子線源、
前記荷電粒子線を試料に対して集束させる対物レンズ、
前記対物レンズと前記荷電粒子線源との間に配置され、前記荷電粒子線が軸外を通過することによって収差を発生させる、収差発生レンズ、
前記荷電粒子線のエネルギーによらず前記荷電粒子線の軌道を前記対物レンズの主面上に集束させる補正レンズ、
を備え、
前記補正レンズの主面は、開き角がそれぞれ異なる複数の前記荷電粒子線の軌道が前記収差発生レンズを通過した後に集束するクロスオーバー位置に配置されている
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 前記補正レンズの主面は、前記対物レンズの物面と重なるように配置されている
ことを特徴とする請求項1記載の荷電粒子線装置。 - 前記収差発生レンズは、前記対物レンズが発生させる収差を打ち消す収差を発生させるように構成されている
ことを特徴とする請求項1記載の荷電粒子線装置。 - 前記補正レンズは、前記補正レンズの主面と重なる位置に配置され前記荷電粒子線の軌道を偏向する偏向器を備える
ことを特徴とする請求項1記載の荷電粒子線装置。 - 前記荷電粒子線装置は、前記荷電粒子線の傾斜角度によらず前記荷電粒子線が前記補正レンズの中心を通過するように前記荷電粒子線の軌道を調整する偏向器を備える
ことを特徴とする請求項1記載の荷電粒子線装置。 - 前記荷電粒子線装置は、前記収差発生レンズが発生させた収差を調整する収差調整レンズを備え、
前記収差発生レンズと前記収差調整レンズは、前記収差発生レンズが発生させる収差と前記収差調整レンズが発生させる収差との合成によって生成される合成収差が、前記対物レンズが発生させる収差を打ち消すように、構成されている
ことを特徴とする請求項1記載の荷電粒子線装置。 - 前記荷電粒子線装置は、前記対物レンズの球面収差係数、前記対物レンズの色収差係数、前記収差発生レンズの強度、および前記収差調整レンズの強度を制御する、光学要素制御部を備え、
前記光学要素制御部は、前記収差発生レンズの強度と前記収差調整レンズの強度を制御して前記収差発生レンズが前記荷電粒子線を集束させる位置を変更することにより、前記対物レンズの球面収差係数と前記対物レンズの色収差係数の変化に応じて、前記対物レンズによって発生する収差を打ち消すように前記合成収差を調整する
ことを特徴とする請求項6記載の荷電粒子線装置。 - 前記荷電粒子線装置は、前記荷電粒子線の傾斜角度に応じて前記荷電粒子線を偏向させて前記収差調整レンズの中心を通過させる偏向器を備える
ことを特徴とする請求項1記載の荷電粒子線装置。 - 前記荷電粒子線装置は、前記荷電粒子線を偏向させて前記収差調整レンズの軸外を通過させる偏向器を備える
ことを特徴とする請求項6記載の荷電粒子線装置。 - 前記荷電粒子線装置は、前記対物レンズのレンズ界の中に配置され前記荷電粒子線を傾斜させる偏向器を備える
ことを特徴とする請求項1記載の荷電粒子線装置。 - 前記荷電粒子線装置は、
前記補正レンズと前記収差発生レンズとの間に配置され、前記荷電粒子線が軸外を通過することによって収差を発生させる、軌道集束レンズ、
前記荷電粒子線のエネルギーによらず前記荷電粒子線の軌道を前記軌道集束レンズの主面上に集束させる第2補正レンズ、
を備え、
前記軌道集束レンズの主面は、エネルギーがそれぞれ異なる複数の前記荷電粒子線が前記第2補正レンズを通過した後に集束するクロスオーバー位置に配置されている
ことを特徴とする請求項1記載の荷電粒子線装置。 - 前記軌道集束レンズは、開き角がそれぞれ異なる複数の前記荷電粒子線を前記補正レンズの主面上に偏向させる偏向器と、エネルギーがそれぞれ異なる複数の前記荷電粒子線を前記軌道集束レンズの主面上に偏向させる偏向器と、を備える
ことを特徴とする請求項11記載の荷電粒子線装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013232668A JP6178699B2 (ja) | 2013-11-11 | 2013-11-11 | 荷電粒子線装置 |
US15/035,265 US9653256B2 (en) | 2013-11-11 | 2014-11-05 | Charged particle-beam device |
PCT/JP2014/079308 WO2015068717A1 (ja) | 2013-11-11 | 2014-11-05 | 荷電粒子線装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013232668A JP6178699B2 (ja) | 2013-11-11 | 2013-11-11 | 荷電粒子線装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015095297A true JP2015095297A (ja) | 2015-05-18 |
JP6178699B2 JP6178699B2 (ja) | 2017-08-09 |
Family
ID=53041494
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013232668A Active JP6178699B2 (ja) | 2013-11-11 | 2013-11-11 | 荷電粒子線装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9653256B2 (ja) |
JP (1) | JP6178699B2 (ja) |
WO (1) | WO2015068717A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10734190B2 (en) | 2018-05-18 | 2020-08-04 | Nuflare Technology, Inc. | Multiple electron beam irradiation apparatus, multiple electron beam inspection apparatus and multiple electron beam irradiation method |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018174016A (ja) * | 2015-07-29 | 2018-11-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
US10090131B2 (en) * | 2016-12-07 | 2018-10-02 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for aberration correction in an electron beam system |
JP2019164886A (ja) | 2018-03-19 | 2019-09-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ビーム照射装置 |
JP2020149767A (ja) | 2019-03-11 | 2020-09-17 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
US20240021404A1 (en) * | 2020-12-10 | 2024-01-18 | Asml Netherlands B.V. | Charged-particle beam apparatus with beam-tilt and methods thereof |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006012664A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置及びその光軸調整方法 |
JP2006054074A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子ビームカラム |
JP2010009907A (ja) * | 2008-06-26 | 2010-01-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6836373B2 (en) * | 2000-11-16 | 2004-12-28 | Jeol Ltd. | Spherical aberration corrector for electron microscope |
US7425703B2 (en) * | 2004-02-20 | 2008-09-16 | Ebara Corporation | Electron beam apparatus, a device manufacturing method using the same apparatus, a pattern evaluation method, a device manufacturing method using the same method, and a resist pattern or processed wafer evaluation method |
EP1783811A3 (en) | 2005-11-02 | 2008-02-27 | FEI Company | Corrector for the correction of chromatic aberrations in a particle-optical apparatus |
-
2013
- 2013-11-11 JP JP2013232668A patent/JP6178699B2/ja active Active
-
2014
- 2014-11-05 US US15/035,265 patent/US9653256B2/en active Active
- 2014-11-05 WO PCT/JP2014/079308 patent/WO2015068717A1/ja active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006012664A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置及びその光軸調整方法 |
JP2006054074A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子ビームカラム |
JP2010009907A (ja) * | 2008-06-26 | 2010-01-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10734190B2 (en) | 2018-05-18 | 2020-08-04 | Nuflare Technology, Inc. | Multiple electron beam irradiation apparatus, multiple electron beam inspection apparatus and multiple electron beam irradiation method |
TWI722372B (zh) * | 2018-05-18 | 2021-03-21 | 日商紐富來科技股份有限公司 | 多電子束照射裝置,多電子束檢查裝置及多電子束照射方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9653256B2 (en) | 2017-05-16 |
WO2015068717A1 (ja) | 2015-05-14 |
US20160300690A1 (en) | 2016-10-13 |
JP6178699B2 (ja) | 2017-08-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6178699B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
JP3968334B2 (ja) | 荷電粒子線装置及び荷電粒子線照射方法 | |
JP6490772B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置 | |
US6924488B2 (en) | Charged-particle beam apparatus equipped with aberration corrector | |
KR20190005134A (ko) | 1차 하전 입자 빔렛들의 어레이를 이용한 시료의 검사를 위한 하전 입자 빔 디바이스 및 1차 하전 입자 빔렛들의 어레이를 이용하여 시료를 이미징하거나 조명하는 방법 | |
JP5518128B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置用モノクロメータ及びこれを用いた電子装置 | |
US8618480B2 (en) | Charged particle beam apparatus | |
JP6320186B2 (ja) | 荷電粒子線応用装置 | |
WO2017018432A1 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
JP6134145B2 (ja) | 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置における軌道修正方法 | |
US9543053B2 (en) | Electron beam equipment | |
JP5492306B2 (ja) | 電子ビーム装置 | |
TW201812825A (zh) | 用於電子顯微鏡的像差校正裝置及包含其之電子顯微鏡 | |
JP2013138037A (ja) | 荷電粒子線応用装置 | |
US11239042B2 (en) | Beam irradiation device | |
JP4357530B2 (ja) | 荷電粒子ビーム系用の2段式荷電粒子ビームエネルギー幅低減系 | |
JP4287850B2 (ja) | 荷電粒子ビーム応用装置 | |
JP4627771B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
JP4094042B2 (ja) | 荷電粒子線装置及び荷電粒子線照射方法 | |
JP5452722B2 (ja) | 収差補正装置およびそれを用いた荷電粒子線装置 | |
JP7051655B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
JP2004235062A (ja) | 静電レンズユニット及びそれを用いた荷電粒子線装置 | |
TW202405855A (zh) | 成像多電子束之方法及系統 | |
CN114334590A (zh) | 用于校正带电粒子系统中的两倍五阶寄生像差的方法和系统 | |
JP2009135119A (ja) | 荷電粒子線装置の光軸調整方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20150731 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170418 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170616 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170627 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170714 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6178699 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |