JP2015091746A - フィルム状ガラスの製造方法、電子デバイスの製造方法、及びガラスフィルム積層体の製造方法 - Google Patents

フィルム状ガラスの製造方法、電子デバイスの製造方法、及びガラスフィルム積層体の製造方法 Download PDF

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康夫 山崎
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Abstract

【課題】製造関連処理後に支持ガラスから容易に剥離することができるフィルム状ガラスの製造方法の提供。【解決手段】支持ガラス１２上にガラスフィルム１１を積層したガラスフィルム積層体１の側部に、ガラスフィルム１１と支持ガラス１２とが一部離間した剥離開始部３を形成し、剥離開始部が形成されたガラスフィルム積層体１のガラスフィルム１１上に素子１２を形成する製造関連処理を行った後、ガラスフィルム積層体１の剥離開始部３を起点としてガラスフィルム１１と支持ガラス１２とに分離する、フィルム状ガラス１１０の製造方法。【選択図】図１

Description

本発明は、フィルム状ガラス及び電子デバイスの製造方法に関し、より詳しくは、電子デバイス等の製造に際して用いられるガラスフィルム積層体を、ガラスフィルムと支持ガラスとに分離するための技術に関する。
省スペース化の観点から、従来普及していたＣＲＴ型ディスプレイに替わり、近年は液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイ等のフラットパネルディスプレイが普及している。これらのフラットパネルディスプレイにおいては、軽量化のためさらなる薄型化が要請される。特に有機ＥＬディスプレイには、折りたたみや巻き取ることによって持ち運びを容易にすると共に、平面だけでなく曲面にも使用可能とすることが求められている。また、平面だけでなく曲面にも使用可能とすることが求められているのはディスプレイには限られず、例えば、自動車の車体表面や建築物の屋根、柱や外壁等、曲面を有する物体の表面に太陽電池を形成したり、有機ＥＬ照明を形成したりすることができれば、その用途が広がることとなる。従って、これらデバイスに使用される基板やカバーガラスには、更なる薄板化と高い可撓性が要求される。
有機ＥＬディスプレイ等に使用される発光体は、酸素や水蒸気等の気体が接触することにより劣化する。従って有機ＥＬディスプレイに使用される基板には高いガスバリア性が求められるため、ガラス基板を使用することが期待されている。しかしながら、基板に使用されるガラスは、樹脂フィルムと異なり引っ張り応力に弱いため可撓性が低く、ガラス基板を曲げることによりガラス基板表面に引っ張り応力がかけられると破損に至る。ガラス基板に可撓性を付与するためにはガラス基板の超薄板化を行う必要があり、下記特許文献１に記載されているような厚み２００μｍ以下のガラスフィルムやガラスロールが提案されている。
フラットパネルディスプレイや太陽電池等の電子デバイスに使用されるガラス基板には、加工処理や洗浄処理等、様々な電子デバイス製造関連の処理が施される。ところが、これら電子デバイスに使用されるガラス基板のフィルム化を行うと、ガラスは脆性材料であるため多少の応力変化により破損に至り、上述した各種電子デバイス製造関連処理を行う際に、取り扱いが大変困難であるという問題がある。加えて、厚み２００μｍ以下のガラスフィルムは可撓性に富むため、処理を行う際に位置決め等を行い難く、パターンニング時にずれ等が生じるという問題もある。
ガラスフィルムの取り扱い性を向上させるために、下記特許文献２では、支持ガラスの上にガラスフィルムを積層させたガラスフィルム積層体が提案されている。これによれば、単体では強度や剛性のないガラスフィルムを用いても、支持ガラスの剛性が高いため、処理の際にガラスフィルム積層体全体として位置決めが容易となる。また、下記特許文献２では、工程終了後にガラスフィルムを破損することなくすみやかに支持ガラスからガラスフィルムを剥離することが可能であるとされている。
下記特許文献２に記載されたようなガラスフィルム積層体では、一般的には、ガラスフィルムのコーナー部からガラスフィルムの剥離を開始する。しかしながら、特許文献２に記載のガラスフィルム積層体は、ガラスフィルムの全ての面が支持ガラスと接触しているため、ガラスフィルムを剥離する際の起点が存在しない。このため、支持ガラスとガラスフィルムとの接着力が強固な場合については、ガラスフィルムのコーナー部を把持し難く、ガラスフィルムの剥離の際にガラスフィルムのコーナー部に破損や欠け等が生じ易くなるという問題がある。
この問題を解決するために、下記特許文献３では、支持ガラス上に段差を形成し、ガラスフィルムのコーナー部や一辺を支持ガラスから離間させているガラスフィルム積層体が提案されている。これにより、ガラスフィルムの剥離の際には、ガラスフィルムが支持ガラスから離間している箇所を起点として、支持ガラスからガラスフィルムを容易に剥離することができる。
特開２０１０−１３２５３１号公報 特開２０１１−１８３７９２号公報 特開２０１２−１３１６６４号公報
一般的にディスプレイ等の電子デバイスの製造工程では、ガラス基板表面に透明導電膜等の成膜処理等を行うことから、フォトレジスト等の工程を有することが多い。
しかしながら、特許文献３に記載されているガラスフィルム積層体では、ガラスフィルムと支持ガラスとの間が離間しているため、ガラスフィルム上に樹脂材料等の塗布を行うと、樹脂が離間部分に回り込むことで、ガラスフィルムと支持ガラスとが強固に固着されてしまうという問題が生じる。ガラスフィルムと支持ガラスとが樹脂材料等によって固着すると、支持ガラスからのガラスフィルムの剥離時に、ガラスフィルムが破損するという問題が生じるおそれがある。また、特許文献３に記載されているガラスフィルム積層体では、段差の作製時にガラス粉やゴミ等が発生するおそれがあり、このようなガラス粉やゴミ等が支持ガラスの上面に残存すると、ガラスフィルム積層時に、気泡の原因となるおそれがある。ガラスフィルム積層体に、このような気泡が存在すると、ガラスフィルムに製造関連処理を行う際に、適切に製造関連処理を行うことが困難となるおそれがある。
本発明は、上述したような従来技術の問題点を解決するためになされたものであって、電子デバイス等の製造関連処理後に支持ガラスからガラスフィルムを容易に剥離可能とすることを目的とする。また、積層界面に発生する気泡が少ないガラスフィルム積層体を作製することを目的とする。
上記課題を解決するために創案された本発明は、支持ガラス上にガラスフィルムを積層してガラスフィルム積層体を作製するガラスフィルム積層体作製工程と、前記ガラスフィルム積層体の側部に、前記ガラスフィルムと前記支持ガラスとが一部離間した剥離開始部を形成する剥離開始部形成工程と、前記剥離開始部形成工程後に前記ガラスフィルム積層体の前記剥離開始部を起点として、前記ガラスフィルムと前記支持ガラスとに分離する分離工程と、を有するフィルム状ガラスの製造方法に関する。
上記構成において、前記ガラスフィルム積層体作製工程と、前記剥離開始部形成工程との間に、前記ガラスフィルムに製造関連処理を行う製造関連処理工程を有することが好ましい。
上記構成において、前記剥離開始部形成工程は、前記ガラスフィルム積層体の側部に、フッ素化合物を含有する液体を付与することで、前記剥離開始部を形成することが好ましい。
上記構成において、前記ガラスフィルム積層体は、略矩形状のガラスフィルム積層体がコーナーカットされた形状を有し、前記剥離開始部形成工程は、前記ガラスフィルム積層体の少なくとも１つのコーナー部に、前記剥離開始部を形成することが好ましい。
上記構成において、前記ガラスフィルム積層体は、略矩形状であり、前記剥離開始部形成工程は、前記ガラスフィルム積層体の少なくとも１辺に、前記剥離開始部を形成することが好ましい。
上記構成において、前記ガラスフィルム積層体は、略矩形状であり、前記剥離開始部形成工程は、前記ガラスフィルム積層体の側部のうち、少なくとも３辺にフッ素化合物を含有する液体を付与し、中央の１辺を前記剥離開始部とすることが好ましい。
上記構成において、前記ガラスフィルム端面からの前記剥離開始部の離間距離は、１ｍｍ以上であることが好ましい。
上記課題を解決するために創案された本発明は、支持ガラス上にガラスフィルムを積層してガラスフィルム積層体を作製するガラスフィルム積層体作製工程と、前記ガラスフィルム積層体における前記ガラスフィルムに電子デバイス製造関連処理を行うことで前記ガラスフィルム積層体の前記ガラスフィルム上に素子を形成し、封止基板で前記素子を封止して支持ガラス付電子デバイスを作製する電子デバイス作製工程と、前記製造関連処理後の前記支持ガラス付電子デバイスにおける前記ガラスフィルム積層体の側部に、前記ガラスフィルムと前記支持ガラスとが一部離間した剥離開始部を形成する剥離開始部形成工程と、前記剥離開始部形成工程後の前記支持ガラス付電子デバイスを、前記剥離開始部を起点として、前記電子デバイスと前記支持ガラスとに分離する分離工程と、を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法に関する。
上記構成において、前記封止基板は、キャリアガラスにカバーガラスフィルムが積層されたカバーガラスフィルム積層体であって、前記ガラスフィルム積層体作製工程において、前記キャリアガラス上に前記カバーガラスフィルムを積層してカバーガラスフィルム積層体を作製する工程をさらに含み、前記剥離開始部形成工程において、前記カバーガラスフィルム積層体の側部に、前記カバーガラスフィルムと前記キャリアガラスとが一部離間したカバーガラスフィルム側剥離開始部を形成する工程をさらに含み、前記分離工程において、前記カバーガラスフィルム側剥離開始部を起点として、前記キャリアガラスと前記カバーガラスフィルムとを分離する工程をさらに含むことが好ましい。
上記課題を解決するために創案された本発明は、支持ガラス上にガラスフィルムを積層してガラスフィルム積層体を作製するガラスフィルム積層体作製工程と、前記ガラスフィルム積層体の側部に、前記ガラスフィルムと前記支持ガラスとが一部離間した剥離開始部を形成する剥離開始部形成工程と、を有するガラスフィルム積層体の製造方法に関する。
本発明によれば、電子デバイス等の製造関連処理後に、支持ガラスからガラスフィルムを容易に剥離することができる。また、積層界面に気泡の発生が少ないガラスフィルム積層体を作製することができる。
本発明の一実施形態に係るフィルム状ガラスの製造方法を示す模式図である。 本発明のガラスフィルム積層体作製工程の一例を示した図である。 ガラスフィルム及び支持ガラスの製造方法の一例を示した図である。 ガラスフィルム積層体の側部に、剥離開始部を形成した図である。 剥離開始部の他の実施の形態を示した図である。 調整層を有するガラスフィルム積層体の側部に、剥離開始部を形成した図である。 剥離開始部形成工程（剥離開始部の形成方法）の一例を示した図である。 本発明の剥離工程の一例を示した図である。 本発明の実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示した図である。 支持ガラスキャリアガラス付電子デバイスの一例を示した図である。 電子デバイスの製造方法の実施形態における剥離工程の一例を示した図である。
以下、本発明に係る電子デバイスの製造方法の好適な実施形態について、図面を参照しつつ説明する。但し、以下の実施形態は、単なる一例であり、本発明は、以下の実施形態に何ら限定されない。
本発明に係る好適なフィルム状ガラスの製造方法は、図１に示すように、支持ガラス１２上にガラスフィルム１１を積層してガラスフィルム積層体１を作製するガラスフィルム積層体作製工程と、ガラスフィルム１１への電子デバイス等の製造関連処理を行うことでガラスフィルム積層体１のガラスフィルム１１上に素子２を形成する製造関連処理工程と、ガラスフィルム積層体１の側部に剥離開始部３を形成する剥離開始部形成工程と、剥離開始部３を起点として、支持ガラス１２とガラスフィルム１１とを剥離する剥離工程とを備えている。
図２は、本発明に係るガラスフィルム積層体作製工程の一例を示した図である。
ガラスフィルム１１は、ケイ酸塩ガラスやシリカガラスが用いられ、好ましくはホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸塩ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスが用いられ、最も好ましくは無アルカリガラスが用いられる。ガラスフィルム１１にアルカリ成分が含有されていると、表面において陽イオンの脱落が発生し、いわゆるソーダ吹きの現象が生じ、構造的に粗となる。この場合、ガラスフィルム１１を湾曲させて使用していると、経年劣化により粗となった部分から破損する可能性がある。尚、ここで無アルカリガラスとは、アルカリ成分（アルカリ金属酸化物）が実質的に含まれていないガラスのことであって、具体的には、アルカリ成分が３０００ｐｐｍ以下のガラスのことである。本発明でのアルカリ成分の含有量は、好ましくは１０００ｐｐｍ以下であり、より好ましくは５００ｐｐｍ以下であり、更に好ましくは３００ｐｐｍ以下である。
ガラスフィルム１１の厚みは、好ましくは３００μｍ以下、より好ましくは５μｍ〜２００μｍ、最も好ましくは５μｍ〜１００μｍである。これによりガラスフィルム１１の厚みをより薄くして、適切な可撓性を付与することができるとともに、ハンドリング性が困難で、かつ、位置決めミスやパターニング時の撓み等の問題が生じやすいガラスフィルム１１に対して、後述する支持ガラス１２を使用することで電子デバイス製造関連処理等を容易に行うことができる。ガラスフィルム１１の厚みが５μｍ未満であると、ガラスフィルム１１の強度が不足がちになり、支持ガラス１２からガラスフィルム１１を剥離しにくくなるおそれがある。
支持ガラス１２は、ガラスフィルム１１と同様、ケイ酸塩ガラスやシリカガラスが用いられ、好ましくはホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸塩ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスが用いられ、最も好ましくは無アルカリガラスが用いられる。支持ガラス１２については、ガラスフィルム１１との３０〜３８０℃における熱膨張係数の差が、５×１０−７／℃以内のガラスを使用することが好ましい。これにより、電子デバイス製造関連処理の際に加熱を伴ったとしても、膨張率の差による熱反りやガラスフィルム１１の割れ等が生じ難く、安定した積層状態を維持できるガラスフィルム積層体１とすることが可能となる。支持ガラス１２とガラスフィルム１１とは、同一の組成を有するガラスを使用することが最も好ましい。
支持ガラス１２の厚みは、３００μｍ以上であることが好ましい。支持ガラス１２の厚みが３００μｍ未満であると、支持ガラス１２を単体で取り扱う場合に、強度の面で問題が生じるおそれがある。支持ガラス１２の厚みは、４００μｍ〜７００μｍであることが好ましく、５００μｍ〜７００μｍであることが最も好ましい。これによりガラスフィルム１１を確実に支持することが可能となる。尚、電子デバイス等の製造関連処理時に、図示しないセッター上に、ガラスフィルム積層体１を載置する場合は、支持ガラス１２の厚みは３００μｍ未満（例えば２００μｍ等、ガラスフィルム１１と同一の厚み）でも良い。
本発明に使用されるガラスフィルム１１及び支持ガラス１２は、ダウンドロー法、フロート法、スロットダウンドロー法、ロールアウト法、アップドロー法、リドロー法等によって成形されていることが好ましく、オーバーフローダウンドロー法によって成形されていることがより好ましい。特に、図３に示すオーバーフローダウンドロー法は、成形時にガラス板の両面が、成形部材と接触しない成形法であり、得られたガラス板の両面（透光面）には傷が生じ難く、研磨しなくても高い表面品位を得ることができる。
図３に示すオーバーフローダウンドロー法において、成形炉４内の断面が楔型の成形体４１の下端部４２から流下した直後のガラスリボンＧは、冷却ローラ４３によって幅方向の収縮が規制されながら下方へ引き伸ばされて所定の厚みまで薄くなる。次に、前記所定厚みに達したガラスリボンＧを徐冷炉（アニーラ）で徐々に冷却し、ガラスリボンＧの熱歪を除き、ガラスリボンＧを所定寸法に切断することにより、ガラスフィルム１１及び支持ガラス１２が夫々成形される。
図２では、支持ガラス１２とガラスフィルム１１とが、略同一の大きさであるが、ガラスフィルム１１を保護するという観点から、支持ガラス１２よりもガラスフィルム１１が、一回り小さいことが好ましい。この場合、支持ガラス１２のガラスフィルム１１からの食み出し量は、０．５〜３０ｍｍであることが好ましく、０．５〜５ｍｍであることがより好ましい。支持ガラス１２の食み出し量を少なくすることで、ガラスフィルム１１の有効面をより広く確保することができる。特に、ガラスフィルム１１が支持ガラス１２よりも一回り小さいガラスフィルム積層体１の場合については、ガラスフィルム１１の前面が支持ガラス１２と接触していることから、ガラスフィルム１１の剥離の起点がないことにより支持ガラス１２からガラスフィルム１１を剥離させ難い。このような場合であったとしても、後述する剥離開始部形成工程で剥離開始部３を形成することにより、ガラスフィルム１１が支持ガラス１２よりも一回り小さくても、好適にガラスフィルム１１を剥離することができる。
ガラスフィルム１１及び支持ガラス１２の相互に接触する側の表面（ガラスフィルム１１の下面１１ｂと支持ガラス１２の上面１２ａ）の表面粗さＲａが夫々２．０ｎｍ以下であることが好ましい。これにより、ガラスフィルム１１と支持ガラス１２とを、接着剤を使用することなく安定して積層させることができる。ガラスフィルム１１の下面１１ｂ及び支持ガラス１２の上面１２ａの表面粗さＲａは、夫々１．０ｎｍ以下であることが好ましく、０．５ｎｍ以下であることがより好ましく、０．２ｎｍ以下であることが最も好ましい。
図１に示す実施形態においては、ガラスフィルム１１と支持ガラス１２とを直接面接触させることで積層させているが、ガラスフィルム１１と支持ガラス１２との接着性や製造関連処理後の剥離性を適宜調整するために、支持ガラス１２の上面１２ａ上やガラスフィルム１１の下面１１ｂ上にＩＴＯ等の無機酸化物薄膜（金属酸化物薄膜）やＴｉ等の金属薄膜等、アクリル樹脂やシリコーン樹脂等の樹脂層等を適宜形成しても良い。ガラスフィルム１１の下面１１ｂや支持ガラスの上面１２ａに上述の無機酸化物（金属酸化物薄膜）やＴｉ等の金属薄膜を形成する場合については、形成された膜面の表面粗さＲａは、２．０ｎｍ以下であることが好ましく、１．０ｎｍ以下であることがより好ましく、０．５ｎｍ以下であることがより好ましく、０．２ｎｍ以下であることが最も好ましい。
ガラスフィルム積層体作製工程と、後述する剥離開始部形成工程との間に、製造関連処理工程を有することが好ましい。本実施形態における製造関連処理工程は、製造関連処理を行うことで、ガラスフィルム積層体作製工程で作製されたガラスフィルム積層体１のガラスフィルム１１の上面１１ａ（有効面）上に素子２を形成する工程である。ガラスフィルム１１の上面１１ａ（有効面）上に形成される素子２としては、液晶素子、有機ＥＬ素子、タッチパネル素子、太陽電池素子、圧電素子、受光素子、リチウムイオン２次電池等の電池素子、ＭＥＭＳ素子、半導体素子等が挙げられる。製造関連処理工程でガラスフィルム１１上に形成されるのは、図１に示すような素子２には限られず、ガラスフリットの焼結処理等や反射防止膜、透過防止膜、反射膜、防汚コート等を成膜することも含まれる。
製造関連処理工程における製造関連処理としては、加熱を伴う製造関連処理であることが好ましく、例えば、ＣＶＤ法やスパッタリング等による成膜処理等が挙げられる。加熱を伴う製造関連処理後は、特に支持ガラス１２からガラスフィルム１１を剥離しにくくなるところ、後述する剥離開始部形成工程で剥離開始部３を形成することで、容易に支持ガラス１２からガラスフィルム１１を剥離することができる。液晶ディスプレイや有機ＥＬ素子などの製造においては、ガラスフィルム１１上にフォトレジストやカラーフィルター等が形成されるが、製造関連処理工程時において、本発明におけるガラスフィルム積層体１は、ガラスフィルム１１と支持ガラス１２との間に離間している箇所がないため、これらの有機系材料がガラスフィルム積層体１の端部（ガラスフィルム１１と支持ガラス１２との界面）に意図せず残り、支持ガラス１２とガラスフィルム１１とが固着することが少ない。
剥離開始部形成工程は、ガラスフィルム積層体１の側部１４に、ガラスフィルム１１と支持ガラス１２の界面１５を含む凹状の剥離開始部３を形成する工程であり、これにより、ガラスフィルム１１と支持ガラス１２とが一部離間している。換言すれば、ガラスフィルム積層体１の側部１４の周方向の少なくとも一部に剥離開始部３が形成される。
本実施形態では、ガラスフィルム積層体作製工程後に、剥離開始部形成工程を行っているため、剥離開始部形成工程を先に行う場合と比較して、剥離開始部形成工程時に発生するガラス粉等のゴミや異物が、支持ガラス１２の上面１２ａに付着することで、界面１５にゴミ等の異物が混入し、ガラスフィルム積層体１の作製時に気泡等が発生することを防止することができる。よって、気泡の発生が少ないガラスフィルム積層体１を作製することができる。また、製造関連処理工程後に剥離開始部形成工程を行うことで、樹脂等によって、ガラスフィルム１１と支持ガラス１２とが固着することを防止することができる。
図４は、ガラスフィルム積層体１の側部１４に、ガラスフィルム１１と支持ガラス１２とが離間している剥離開始部３を形成した図である。
剥離開始部３は、ガラスフィルム積層体１の側部１４において、ガラスフィルム１１と支持ガラス１２とが、互いに離間している領域のことである。詳述すると、ガラスフィルム積層体１の側部１４において、ガラスフィルム１１の下面１１ａ側と支持ガラス１２の上面１２ａ側の夫々の厚みを減少させることで、剥離開始部３が形成されている。加えて、剥離開始部３は、ガラスフィルム積層体１の外方側が開放されている。ガラスフィルム１１の厚みと支持ガラス１２の厚みを夫々減少させているため、ガラスフィルム積層体１に外力を加えることなく、つまり、ガラスフィルム１１の上面１１ａと支持ガラス１２ｂの下面１２ｂとが変形することなくガラスフィルム積層体１のそのままの状態で、ガラスフィルム１１と支持ガラス１２とを離間させることができる。図４では、ガラスフィルム１１と支持ガラス１２の両方の厚みを減少させることで剥離開始部３を形成しているが、これには限定されず、ガラスフィルム１１と支持ガラス１２の何れか一方のみの厚みを減少させることで、剥離開始部３を形成してもよい。特に、ガラスフィルム１１の厚みのみを減少させると、支持ガラス１２をリサイクルすることが可能であるため好ましい。
剥離開始部３におけるガラスフィルム１１と支持ガラス１２との離間高さｈは、特に限定されないが、後述する剥離工程時に、金属刃等の剥離部材を使用する場合については、使用する剥離部材の肉厚よりも大きいことが好ましい。これにより、ガラスフィルム１１の端面に剥離部材が打突することによって、ガラスフィルム１１の端面の品位が悪化することを防止することができる。
ガラスフィルム積層体１の側部１４から内方に向かう方向における剥離開始部３の深さ、すなわち、剥離開始部３のガラスフィルム端面からの離間距離ｔは、上述の離間高さｈよりも大きいことが好ましい。これにより、ガラスフィルム１１と支持ガラス１２との剥離を開始する際に、剥離開始時にガラスフィルム１１に付与される応力を低減させることができる。離間距離ｔは、支持ガラス１２の厚みよりも大きいことが好ましく、ガラスフィルム積層体１の総厚みよりも大きいことが好ましい。具体的には、離間距離ｔは、１ｍｍ以上であることが好ましく、５ｍｍ以上であることがより好ましい。これにより、後述する剥離工程時に、支持ガラス１２からガラスフィルム１１を、剥離開始部３を起点として、容易に剥離することができる。ガラスフィルム端面からの離間距離ｔは、２０ｍｍ以下であることが好ましく、１０ｍｍ以下であることがより好ましい。これにより、剥離開始部３を短時間で形成することができる。
図４に示す通り、剥離開始部３は、ガラスフィルム積層体１の側部１４から内方に向かって漸次ガラスフィルム１１と支持ガラス１２との離間距離が狭くなるようなＶ字型のテーパ形状であることが好ましい。支持ガラス１２からガラスフィルム１１の剥離の開始時は、大きな曲率（大きな曲げ応力）を付与させる必要があるところ、剥離開始部の先端の肉厚が最も小さいため、剥離開始時に大きな曲率を付与させてもガラスフィルム１１や支持ガラス１２が破損し難くなる。また、前述の剥離部材を使用する場合には、剥離開始部３が、剥離部材挿入の際の、ガイドの機能も果たすこととなり、より円滑な支持ガラス１２からのガラスフィルムの１１の剥離を達成することができる。剥離開始部３の形状は、Ｖ字型のテーパ形状には限定されず、図５のようなＵ字型でもよい。
剥離開始部３は、コーナーカットされた矩形状のガラスフィルム積層体１の少なくとも１箇所のコーナー部に形成されていればよい。一箇所のコーナー部に形成されていることで、当該コーナー部を起点として、支持ガラス１２からガラスフィルム１１を容易に剥離することができる。
剥離開始部３は、略矩形状のガラスフィルム積層体１の少なくとも１辺に形成されていても良い。１辺に形成されていることで、当該辺部を起点として、支持ガラス１２からガラスフィルム１１を容易に剥離することができる。
図６に示す通り、支持ガラス１２の上面１２ａ上やガラスフィルム１１の下面１１ｂ上にＩＴＯ等の無機酸化物薄膜（金属酸化物薄膜）やＴｉ等の金属薄膜等、アクリル樹脂やシリコーン樹脂等の樹脂層等（以下、調整層１３という）を適宜形成することが可能であり、その場合には、調整層１３の厚みを減少させるか一部除去することで、凹状の剥離開始部３を形成してもよい。
図７は、剥離開始部形成工程における剥離開始部３の形成方法の一例を示した図である。図７では、処理槽５内に、処理液５１を貯留し、ガラスフィルム積層体１を縦方向に姿勢を変更させた後、ガラスフィルム積層体１の側部１４を処理液５１内に浸漬している。ここで、ガラスフィルム積層体１の側部１４を処理液５１内に浸漬するとは、ガラスフィルム１１の側面と支持ガラス１２の側面の両方を、処理液５１内に浸漬することを意味する。
処理液５１は、ガラスを溶解することが可能な液体であれば特に限定されないが、フッ素化合物を含有する液体であることが好ましい。フッ素化合物としては、フッ酸、酸性フッ化アンモニウム、テトラフルオロホウ酸等が挙げられるが、フッ酸を利用することが好ましい。本実施形態では、フッ酸を含有している液体を使用している。処理液５１の濃度は、１０〜５０％であることが好ましく、１５〜３０％であることがより好ましい。これにより、適切に剥離開始部３を形成することができる。なお、図６に示す通り、調整層１３を有するガラスフィルム積層体１に対して剥離開始部３を作製するためには、処理液５１は調整層１３を溶解することが可能な液体であればよい。調整層１３としてＩＴＯ等の無機酸化物薄膜（金属酸化物薄膜）やＴｉ等の金属薄膜等、無機薄膜を使用した場合は、処理液５１として塩酸や硫酸等を用いることもできる。調整層１３としてアクリル樹脂やシリコーン樹脂等の樹脂層を使用した場合は、処理液５１として樹脂層を溶解可能な有機溶媒等を使用することができる。
処理液５１内へのガラスフィルム積層体１の側部１４の浸漬時間は、使用する処理液の濃度にも依存するが、５分〜３６０分であることが好ましく、１０分〜６０分であることがより好ましく。２０〜４０分であることが最も好ましい。これにより、短時間で適切な剥離開始部３を形成することができる。
図７に示す通り、ガラスフィルム積層体１の側部１４を処理液５１内に浸漬すると、ガラスフィルム１１と支持ガラス１２とを直接積層していることから、ガラスフィルム１１と支持ガラス１２の端面角部が最も処理液５１の浸食を受け易い。このため、まず界面１５の端部に楔状（Ｖ字状）の微小な剥離開始部３が形成され、それが次第に拡大して、ガラスフィルム積層体１内部へと処理液５１が浸透する。これにより、図４や図５に示す通り、ガラスフィルム１１の下面１１ｂ側と支持ガラス１２の上面１２ａ側の夫々の厚みを減少させたＶ字形状やＵ字形状の剥離開始部３を形成することができる。また、離間距離ｔが離間高さｈよりも大きい剥離開始部３とすることができる。ガラスフィルム積層体１の側部１４の処理液５１内への浸漬深さｄ（処理液５１の液面からガラスフィルム１１の端面と支持ガラス１２の端面の両方が浸漬されている距離）は、５０ｍｍ以下であることが好ましく、３０ｍｍ以下がより好ましく、１０ｍｍ以下が最も好ましい。これにより、ガラスフィルム１１の上面１１ａ側が処理液によって劣化することを防止することができる。また、ガラスフィルム１１の上面１１ａ側に形成された素子２が劣化することを防止する観点から、ガラスフィルム１１の上面１１ａ側に、樹脂フィルム等による保護層を設けても良い。
図７では、ガラスフィルム積層体１の側部１４を処理液５１に浸漬する形態を説明したが、この形態には限定されず、処理液５１を直接ガラスフィルム積層体１の側部１４に塗布することや、処理液５１を含浸させた多孔質体等に側部１４を接触させることで、剥離開始部３を形成してもよい。
図７では、処理液５１を使用してガラスフィルム積層体１の側部１４に剥離開始部３を形成する形態について説明したが、ガラスフィルム積層体１の側部１４を図示しない研削部材等を使用して研削することで、物理的に剥離開始部３を形成してもよい。
図７に示す処理液５１を使用して剥離開始部３を形成する場合については、矩形状のガラスフィルム積層体１の少なくとも１辺全体に渡って形成することが好ましく、３辺以上に形成することが好ましい。後述する剥離工程時に、剥離開始部３を起点として、支持ガラス１２とガラスフィルム１１とを剥離する際にガラスフィルム１１の側面に曲げ応力が付与されるところ、処理液５１によってガラスフィルム１１の側面に生じているマイクロクラックが除去されるため、破損し難くなる。
本実施形態において、剥離工程は、剥離開始部形成工程後のガラスフィルム積層体１を、剥離開始部３を起点として、ガラスフィルム１１と支持ガラス１２とに分離する工程である。
図８は、剥離工程の一例を示した図である。図８に示すガラスフィルム剥離装置６は、支持ガラス１２とガラスフィルム１１とを引き離す力を付与することによって、支持ガラス１２からガラスフィルム１１を剥離することができる。この場合においては、剥離開始部３は、支持ガラス１２とガラスフィルム１１とが離間しているため、剥離開始の起点とすることができる。
支持ガラス１２からガラスフィルム１１を剥離する際には、界面１５に対してノズル６１から流体６２を付与することが好ましい。これにより、支持ガラス１２やガラスフィルム１１と物理的な接触をすることなく、支持ガラス１２からガラスフィルム１１の剥離を促進させることができる。これにより、剥離の際にガラスフィルム１１に傷等が発生することが防止される。流体６２としては、空気や水等を好適に使用することができる。支持ガラス１２からガラスフィルム１１を剥離する際には、剥離帯電が生じるおそれがあり、ガラスフィルム１１上に形成したデバイスや素子２によっては、静電放電破壊が生じるため、徐電作用を有する流体６２を使用することが好ましい。流体噴出ノズルにイオナイザー機能を持たせることや、高湿度の空気や水を吹き付けることで、徐電作用を有する流体６２とすることができる。
剥離工程は、図８に示す通り、ガラスフィルム積層体１の界面１５に、ノズル６１から高圧で噴射する手法（例えば、ウォータージェットの手法）で流体６２たる液体（例えば水）を吹き付けている。図８では、支持ガラス保持機構６３とガラスフィルム保持機構６４を用いて、ガラスフィルム積層体１のガラスフィルム１１をガラスフィルム保持機構６４の真空吸着パッド６４ａ・６４ａ・・・で固定し、支持ガラス１２を支持ガラス保持機構６３の真空吸着パッド６３ａ・６３ａ・・・で引っ張りながら、界面１５に液体６２を吹き付けて剥離開始部３を起点として剥離する過程を示している。
ガラスフィルム保持機構６４は、真空吸着パッド６４ａを複数配列したものや、真空吸着機能のあるプレートを使用してもよく、あるいは粘着性の樹脂シートを使用してもよい。特に、ガラスフィルム積層体１を水平に保った状態で取り扱う場合は、基板が撓みやすいため、プレート状の真空吸着機構を使用するのが好ましい。また、ガラスフィルム１１上にデバイスを形成したことによりプレートで平面状に固定することが困難な場合には真空吸着パッドを用いるのが好ましい。また、デバイス表面に形成された配線やデバイスの封着剤などが、液体６２から受ける圧力や真空吸着パッドの接触によりダメージを受けることが懸念される場合は、ダメージを回避したい部位に保護フィルムを貼ってもよい。また、封着剤の外周に液体６２の浸入防止層を設けてもよい。
また、支持ガラス及びガラスフィルムの各保持機構６３・６４は、支持ガラス１２やガラスフィルム１１等を平面状に固定するための用途と、ガラスフィルム１１や支持ガラス１２等を引っ張るための用途の、両方の用途を切り替えつつ使用する場合があるため、各保持機構６３・６４の構成に差をつけることなく共通の構成としてもよい。
支持ガラス１２からガラスフィルムを剥離する際には、図８の形態とは異なり、図示しない剥離部材を使用してもよい。剥離開始部３を有することで、剥離部材を円滑に剥離開始部３に挿入することができ、引き続き剥離部材を界面１５に挿入し続けることで、支持ガラス１２からガラスフィルム１１を剥離することができる。支持ガラス１２からガラスフィルム１１を剥離する際に、ガラスフィルム積層体１を水中に浸漬してもよく、水中に浸漬した際には、超音波を印加しても良い。
剥離部材の形状は、シート状、帯状、板状、短冊状等、厚みが少なく剥離進行方向に幅広な部材を使用することが好ましい。具体的には、剥離部材の厚みが０．０１ｍｍ〜１ｍｍであることが好ましく、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍであることがより好ましい。これにより、剥離開始部３に剥離部材を円滑に挿入することができる。剥離部材の幅は、剥離の対象となるガラスフィルム積層体１の面積にも依存するが、少なくともガラスフィルム積層体１よりも剥離進行方向において幅広であることが好ましい。
剥離部材の材質は、剛性を有するアルミニウム、ステンレス等の金属を使用することが可能であるが、可撓性を有するポリエチレンやアクリル等の樹脂フィルムを使用することが好ましく、フッ素樹脂フィルム等の疎水性の樹脂シートであることがより好ましい。
そして、図８に示すように、剥離工程により、ガラスフィルム積層体１から支持ガラス１２を剥離することで、最終的にフィルム状ガラス１１０を製造することができる。
図９は、本発明の一実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示した図である。図９に記載された実施形態が上述の実施形態と異なる点は、素子２の周囲にスペーサ２１が配置され、キャリアガラス７２によって支持されたカバーガラスフィルム７１によって封止されている点である。キャリアガラス７２上にカバーガラスフィルム７１が積層されたものを、カバーガラスフィルム積層体７とする。本実施形態においては、支持ガラスキャリアガラス付電子デバイス８を、縦方向に処理液５１に浸漬することで、カバーガラスフィルム積層体７の側部７３にも、カバーガラスフィルム側剥離開始部３１が形成される。カバーガラスフィルム７１は上述のガラスフィルム１１と同様であり、キャリアガラス７２は上述の支持ガラス１２と同様であり、カバーガラスフィルム側剥離開始部３１は上述の剥離開始部３と同様である。
本実施形態においては、図１０に示す通り、処理液５１に浸漬する際に、ガラスフィルム１１とカバーガラスフィルム７１の間且つスペーサ２１の外方側に保護部材２２を設けることが好ましい。これにより、スペーサ２１外側のガラスフィルム１１やカバーガラスフィルム７１には、電極等が設けられることがあり、これらの電極が処理液５１によって劣化することを防止することができる。また、後述する剥離工程時に、剥離開始部３やカバーガラス側剥離開始部３１から支持ガラス１２やキャリアガラス７２を剥離させる際、スペーサ２１の外側を保護部材２２でガラスフィルム１１とカバーガラスフィルム７１とを固定しているため、剥離開始時にガラスフィルム積層体１やカバーガラスフィルム積層体７が引っ張り力によって撓むことなく、円滑に剥離を開始することができる。保護部材２２としては、処理液５１によって侵食されない部材を使用することができ、エポキシ樹脂や紫外線硬化樹脂等を好適に使用することができる。保護部材２２は、支持ガラス１２やキャリアガラス７２の剥離後に、最終的に除去される。
図１１は、電子デバイスの製造方法の実施形態における剥離工程の一例を示した図である。
図１１では、まず、支持ガラス１２を支持ガラス保持機構６３で引っ張り、キャリアガラス７２をキャリアガラス保持機構６５で固定することでガラスフィルム１１を平面に保ち、支持ガラス１２とガラスフィルム１１の界面１５にノズル６１から流体６２たる水を吹き付けて支持ガラス１２を剥離している。
次に、支持ガラス１２の剥離後、ガラスフィルム１１を支持ガラス保持機構６３で平面状に固定し、かつ、キャリアガラス７２をキャリアガラス保持機構６５で引っ張りながらキャリアガラス７２とカバーガラスフィルム７１の界面７４に流体６２たる水を吹き付けてキャリアガラス７２を剥離する。
剥離工程において、ガラスフィルム１１と支持ガラス１２とが剥離するのと同一の工程内で、カバーガラスフィルム７１とキャリアガラス７２も剥離する。カバーガラスフィルム７１とキャリアガラス７２との剥離の際にも、キャリアガラス７２を引っ張りながら剥離を行う。
本実施形態において、剥離工程により、支持ガラスキャリアガラス付電子デバイス８から支持ガラス１２とキャリアガラス７２を剥離することで、最終的に所望の電子デバイス８１を製造することができる。
上述の実施形態においては、支持ガラス１２の次にキャリアガラス７２の剥離を行ったが、キャリアガラス７２から先に剥離を行っても良い。
上述の実施形態においては、封止基板としてカバーガラスフィルム積層体７を使用した形態について説明を行ったが、これには限定されず、封止基板として１枚のガラス板を使用してもよく、１枚の樹脂基板を使用してもよい。
本発明は、図１や図９に模式的に示すように、ガラスフィルム積層体作製工程、製造関連処理工程（電子デバイス作製工程）、剥離開始部形成工程、及び剥離工程を連続して行うことができる。また、本発明は、ガラスフィルム積層体作製工程から剥離工程まで連続して行う構成には限定されず、例えば、ガラスフィルム積層体作製工程後に製造されたガラスフィルム積層体１やカバーガラスフィルム積層体７を梱包、出荷し、別途電子デバイス製造関連処理施設において、製造関連処理工程（電子デバイス作製工程）、剥離開始部形成工程、及び剥離工程を行う構成であっても良い。
（実施例１）
支持ガラス、ガラスフィルム、カバーガラスフィルム、及び、キャリアガラスとして、日本電気硝子株式会社製の無アルカリガラス（ＯＡ−１０Ｇ、３０〜３８０℃における熱膨張係数：３８×１０−７／℃）を使用した。オーバーフローダウンドロー法にて、製造し、未研磨の状態で使用した。支持ガラス、キャリアガラスとして、縦６８０ｍｍ、横８８０ｍｍ、厚み５００μｍの矩形状の板ガラスを準備した。ガラスフィルム、カバーガラスフィルムとして、縦６７８ｍｍ、横８７８ｍｍ、厚み２００μｍの矩形状の透明なガラスを準備した。支持ガラス上にガラスフィルムを積層して、ガラスフィルム積層体を作製した。キャリアガラス上にカバーガラスフィルムを積層してカバーガラスフィルム積層体を作製した。その後、ガラスフィルム上に有機ＥＬ素子を形成した。有機ＥＬ素子形成の際の形成温度は、３５０°であった。有機ＥＬ素子の形成後、カバーガラスフィルム積層体で、有機ＥＬ素子を封止することで、支持ガラスキャリアガラス付電子デバイスを作製した。その後、作製された支持ガラスキャリアガラス付電子デバイスの側部５ｍｍ（ガラスフィルム側面から５ｍｍ）を、濃度２０％のフッ酸水溶液に３０分間浸漬した。支持ガラスキャリアガラス付電子デバイスの３側部を同様にフッ酸水溶液に浸漬した。ガラスフィルムとカバーガラスフィルムの剥離開始部を観察したところ、厚み方向に１５０μｍ薄化して、５０μｍとなっていた。この後、純水で洗浄した後、図１１に記載された方法で、剥離開始部から支持ガラスとキャリアガラスの剥離を試みたところ、夫々１０分以内に剥離することができた。
（実施例２）
支持ガラスキャリアガラス付電子デバイスの１側部のみをフッ酸水溶液に浸漬した以外は、実施例１と同様とした。支持ガラスとキャリアガラスの剥離時間は、夫々、１０〜２０分程度必要であった。
（実施例３）
支持ガラスキャリアガラス付電子デバイスの１コーナー部のみをフッ酸水溶液に浸漬した以外は、実施例１と同様とした。支持ガラスとキャリアガラスの剥離時間は、２０分〜３０分程度必要であった。
（比較例１）
フッ酸水溶液に浸漬しなかったこと以外は、実施例１と同様とした。支持ガラスとキャリアガラスを剥離するために、夫々１時間以上必要であった。
本発明は、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネルディスプレイや太陽電池等のデバイスに使用されるガラス基板、及び有機ＥＬ照明のカバーガラスに好適に使用することができる。
１ ガラスフィルム積層体
１１ ガラスフィルム
１２ 支持ガラス
１３ 調整層
１４ 側部
１５ 界面
１１０ フィルム状ガラス
２ 素子
２１ スペーサ
２２ 保護部材
３ 剥離開始部
３１ カバーガラスフィルム側剥離開始部
５ 処理槽
５１ 処理液
６ ガラスフィルム剥離装置
７ カバーガラスフィルム積層体
７１ カバーガラスフィルム
７２ キャリアガラス
７３ 側部
７４ 界面
８ 支持ガラスキャリアガラス付電子デバイス
８１ 電子デバイス

Claims (10)

  1. 支持ガラス上にガラスフィルムを積層してガラスフィルム積層体を作製するガラスフィルム積層体作製工程と、
    前記ガラスフィルム積層体の側部に、前記ガラスフィルムと前記支持ガラスとが一部離間した剥離開始部を形成する剥離開始部形成工程と、
    前記剥離開始部形成工程後に前記ガラスフィルム積層体の前記剥離開始部を起点として、前記ガラスフィルムと前記支持ガラスとに分離する分離工程と、
    を有するフィルム状ガラスの製造方法。
  2. 前記ガラスフィルム積層体作製工程と、前記剥離開始部形成工程との間に、前記ガラスフィルムに製造関連処理を行う製造関連処理工程を有することを特徴とする請求項１に記載のフィルム状ガラスの製造方法。
  3. 前記剥離開始部形成工程は、前記ガラスフィルム積層体の側部に、フッ素化合物を含有する液体を付与することで、前記剥離開始部を形成することを特徴とする請求項１または２に記載のフィルム状ガラスの製造方法。
  4. 前記ガラスフィルム積層体は、略矩形状のガラスフィルム積層体がコーナーカットされた形状を有し、
    前記剥離開始部形成工程は、前記ガラスフィルム積層体の少なくとも１つのコーナー部に、前記剥離開始部を形成することを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のフィルム状ガラスの製造方法。
  5. 前記ガラスフィルム積層体は、略矩形状であり、
    前記剥離開始部形成工程は、前記ガラスフィルム積層体の少なくとも１辺に、前記剥離開始部を形成することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載のフィルム状ガラスの製造方法。
  6. 前記ガラスフィルム積層体は、略矩形状であり、
    前記剥離開始部形成工程は、前記ガラスフィルム積層体の側部のうち、少なくとも３辺にフッ酸を含有する液体を付与し、中央の１辺を前記剥離開始部とすることを特徴とする請求項３に記載のフィルム状ガラスの製造方法。
  7. 前記ガラスフィルム端面からの前記剥離開始部の離間距離は、１ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載のフィルム状ガラスの製造方法。
  8. 支持ガラス上にガラスフィルムを積層してガラスフィルム積層体を作製するガラスフィルム積層体作製工程と、
    前記ガラスフィルム積層体における前記ガラスフィルムに電子デバイス製造関連処理を行うことで前記ガラスフィルム積層体の前記ガラスフィルム上に素子を形成し、封止基板で前記素子を封止して支持ガラス付電子デバイスを作製する電子デバイス作製工程と、
    前記製造関連処理後の前記支持ガラス付電子デバイスにおける前記ガラスフィルム積層体の側部に、前記ガラスフィルムと前記支持ガラスとが一部離間した剥離開始部を形成する剥離開始部形成工程と、
    前記剥離開始部形成工程後の前記支持ガラス付電子デバイスを、前記剥離開始部を起点として、前記電子デバイスと前記支持ガラスとに分離する分離工程と、
    を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
  9. 前記封止基板は、キャリアガラスにカバーガラスフィルムが積層されたカバーガラスフィルム積層体であって、
    前記ガラスフィルム積層体作製工程において、前記キャリアガラス上に前記カバーガラスフィルムを積層してカバーガラスフィルム積層体を作製する工程をさらに含み、
    前記剥離開始部形成工程において、前記カバーガラスフィルム積層体の側部に、前記カバーガラスフィルムと前記キャリアガラスとが一部離間したカバーガラスフィルム側剥離開始部を形成する工程をさらに含み、
    前記分離工程において、前記カバーガラスフィルム側剥離開始部を起点として、前記キャリアガラスと前記カバーガラスフィルムとを分離する工程をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の電子デバイスの製造方法。
  10. 支持ガラス上にガラスフィルムを積層してガラスフィルム積層体を作製するガラスフィルム積層体作製工程と、
    前記ガラスフィルム積層体の側部に、前記ガラスフィルムと前記支持ガラスとが一部離間した剥離開始部を形成する剥離開始部形成工程と、
    を有するガラスフィルム積層体の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020512252A (ja) * 2016-11-09 2020-04-23 コーニング インコーポレイテッド 反りの少ない調光可能な窓ガラスおよびそれを含む断熱ガラスユニット

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6260869B2 (ja) * 2014-06-13 2018-01-17 日本電気硝子株式会社 ガラスフィルムの製造方法、及びこのガラスフィルムを含む電子デバイスの製造方法
CN106356375B (zh) * 2015-07-17 2019-12-03 群创光电股份有限公司 基板单元、元件基板、显示装置及显示装置的制造方法
TWI551440B (zh) * 2015-07-17 2016-10-01 群創光電股份有限公司 基板單元、元件基板及顯示裝置的製造方法
JP6519951B2 (ja) * 2015-07-24 2019-05-29 日本電気硝子株式会社 ガラスフィルムの製造方法、及びガラスフィルムを含む電子デバイスの製造方法
KR102609759B1 (ko) * 2017-09-27 2023-12-06 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 광학막이 부착된 유리판 및 그 제조 방법
JP2020100502A (ja) * 2018-12-20 2020-07-02 日本電気硝子株式会社 ガラスフィルムの製造方法及び製造装置、並びにガラスフィルムを含む電子デバイスの製造方法
KR20230109135A (ko) * 2020-11-26 2023-07-19 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 유리 필름 적층체의 제조 방법 및 유리판의 세정 방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009186916A (ja) * 2008-02-08 2009-08-20 Asahi Glass Co Ltd 表示装置用パネルの製造方法
JP5029523B2 (ja) * 2008-07-14 2012-09-19 旭硝子株式会社 ガラス積層体、支持体付き表示装置用パネル、表示装置用パネル、表示装置およびこれらの製造方法
EP2463253B1 (en) * 2010-01-12 2019-11-06 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Glass film laminate, method of producing the same, and method of producing glass film
JP5692513B2 (ja) * 2010-12-22 2015-04-01 日本電気硝子株式会社 ガラスフィルム積層体
JP5585937B2 (ja) * 2010-07-28 2014-09-10 日本電気硝子株式会社 ガラスフィルム積層体

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020512252A (ja) * 2016-11-09 2020-04-23 コーニング インコーポレイテッド 反りの少ない調光可能な窓ガラスおよびそれを含む断熱ガラスユニット
JP7307676B2 (ja) 2016-11-09 2023-07-12 コーニング インコーポレイテッド 反りの少ない調光可能な窓ガラスおよびそれを含む断熱ガラスユニット
US11872787B2 (en) 2016-11-09 2024-01-16 Corning Incorporated Dimmable window pane with reduced bow and insulated glazing unit comprising the same

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