JP2015088613A - Mtj素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】短時間でMTJ素子を製造する方法を提供する。【解決手段】第1磁性層と、第2磁性層と、第1磁性層及び第2磁性層の間のトンネル絶縁層と、を含むMTJ素子の製造方法において、第1磁性層上にトンネル絶縁層を形成する工程と、第1磁性層及びトンネル絶縁層を含む被処理体をマイクロ波加熱又は誘導加熱により加熱する工程とを含む。【選択図】図2
Description
本発明の実施形態は、MTJ素子の製造方法に関する。
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)等のTMR(Tunnel Magneto−Resistance)効果を利用する電子デバイスにおいて、MTJ(Magnetic Tunnel Junction)素子が用いられている。MTJ素子には、トンネル絶縁層としてMgO層を用いるものがある。アモルファス状態のMgO層を結晶化するために、加熱室内でMgO層を加熱する方法が知られている(特許文献1参照)。
MgO層を加熱する方法としては、光による放射加熱、ヒータを用いた熱伝達等が挙げられる。しかし、一般に高真空状態である加熱室の内部空間の熱伝達率は低いので、このような方法ではMgO層の加熱に長い時間を要する。また、上記方法では被処理体中のMgO層だけでなく被処理体中の残部も加熱されるので、加熱後の被処理体全体の冷却に長い時間を要する。よって、上記方法では、MTJ素子の製造に長い時間を要する。
本発明の種々の側面及び実施形態は、短時間でMTJ素子を製造する方法を提供することを目的とし得る。
一側面においては、第1磁性層と、第2磁性層と、前記第1磁性層及び前記第2磁性層の間のトンネル絶縁層と、を含むMTJ素子の製造方法であって、前記第1磁性層上に前記トンネル絶縁層を形成する工程と、前記第1磁性層及び前記トンネル絶縁層を含む被処理体をマイクロ波加熱又は誘導加熱により加熱する工程と、を含む、MTJ素子の製造方法が提供される。
この方法では、被処理体中の第1磁性層又はトンネル絶縁層を選択的に加熱することができる。マイクロ波加熱では、主にトンネル絶縁層を選択的に加熱することができる。誘導加熱では、主に第1磁性層を選択的に加熱することによって、第1磁性層上のトンネル絶縁層を加熱することができる。よって、この方法では、トンネル絶縁層を短時間で加熱できると共に、加熱後の被処理体の冷却時間も短くできる。したがって、短時間でMTJ素子を製造することができる。
一形態において、上記方法は、前記トンネル絶縁層上に前記第2磁性層を形成する工程を更に含み、前記被処理体が前記第2磁性層を更に含んでもよい。
この場合、被処理体中のトンネル絶縁層又は第1及び第2磁性層を選択的に加熱することができる。マイクロ波加熱では、主にトンネル絶縁層を選択的に加熱することができる。誘導加熱では、主に第1及び第2磁性層を選択的に加熱することによって、第1及び第2磁性層間のトンネル絶縁層を加熱することができる。
本発明の種々の側面及び実施形態によれば、短時間でMTJ素子を製造する方法が提供され得る。
以下、添付図面を参照しながら種々の実施形態が詳細に説明される。図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号が用いられ、重複する説明は省略される。
図1は、一実施形態に係る方法により製造されるMTJ素子を模式的に示す断面図である。図1に示されるMTJ素子10は、MRAM等のTMR効果を利用する電子デバイスに用いられる。MTJ素子10は、例えば面内磁化方式のMTJ素子である。MTJ素子10は、第1磁性層22と、第2磁性層26と、第1磁性層22及び第2磁性層26の間のトンネル絶縁層24とを含む。第1磁性層22及び第2磁性層26は、例えばCo−Fe−B層等の磁性金属層であり得る。トンネル絶縁層24は例えばMgO層、酸化アルミニウム層、酸化チタン層等の金属酸化物層であり得る。
MTJ素子10は、基板12、下地層14、反強磁性層16、磁性層18、磁性層20及びキャップ層28を備え得る。下地層14は基板12上に設けられる。反強磁性層16は下地層14上に設けられる。磁性層18は、反強磁性層16上に設けられる。磁性層20は、磁性層18上に設けられる。第1磁性層22は、磁性層20は上に設けられる。キャップ層28は、第2磁性層26上に設けられる。一実施例において、基板12はSi基板であり、下地層14はTa層であり、反強磁性層16はMn−Pt層であり、磁性層18はCo−Fe層であり、磁性層20はRu層であり、キャップ層28はTa層である。
図2は、一実施形態に係るMTJ素子の製造方法を示すフローチャートである。図1に示されるMTJ素子10は、例えば以下の工程を経ることによって製造され得る。成膜工程S1は省略されてもよい。
(第1磁性層の形成工程)
まず、必要に応じて、基板12上に下地層14、反強磁性層16、磁性層18及び磁性層20をこの順に形成する。その後、磁性層20上に第1磁性層22を形成する(成膜工程S1)。第1磁性層22は例えばスパッタリング装置といった成膜装置を用いて形成され得る。
まず、必要に応じて、基板12上に下地層14、反強磁性層16、磁性層18及び磁性層20をこの順に形成する。その後、磁性層20上に第1磁性層22を形成する(成膜工程S1)。第1磁性層22は例えばスパッタリング装置といった成膜装置を用いて形成され得る。
(トンネル絶縁層の形成工程)
次に、第1磁性層22上にトンネル絶縁層24を形成する(成膜工程S2)。トンネル絶縁層24は例えばスパッタリング装置といった成膜装置を用いて形成され得る。
次に、第1磁性層22上にトンネル絶縁層24を形成する(成膜工程S2)。トンネル絶縁層24は例えばスパッタリング装置といった成膜装置を用いて形成され得る。
(加熱工程)
次に、第1磁性層22及びトンネル絶縁層24を含む被処理体をマイクロ波加熱又は誘導加熱により加熱する(加熱工程S3)。被処理体は、基板12、下地層14、反強磁性層16、磁性層18及び磁性層20を含み得る。加熱工程S3は、例えば後述する加熱装置100又は100aによって行われる。
次に、第1磁性層22及びトンネル絶縁層24を含む被処理体をマイクロ波加熱又は誘導加熱により加熱する(加熱工程S3)。被処理体は、基板12、下地層14、反強磁性層16、磁性層18及び磁性層20を含み得る。加熱工程S3は、例えば後述する加熱装置100又は100aによって行われる。
(第2磁性層の形成工程)
次に、トンネル絶縁層24上に第2磁性層26を形成する(成膜工程S4)。第2磁性層26は例えばスパッタリング装置といった成膜装置を用いて形成され得る。その後、必要に応じて第2磁性層26上にキャップ層28を形成する。
次に、トンネル絶縁層24上に第2磁性層26を形成する(成膜工程S4)。第2磁性層26は例えばスパッタリング装置といった成膜装置を用いて形成され得る。その後、必要に応じて第2磁性層26上にキャップ層28を形成する。
本実施形態に係るMTJ素子の製造方法では、加熱工程S3において、被処理体中の第1磁性層22又はトンネル絶縁層24を選択的に加熱することができる。マイクロ波加熱では、透磁率及び誘電率が大きい材料を選択的に加熱することができる。よって、主にトンネル絶縁層24を選択的に加熱することができる。誘導加熱では、主に第1磁性層22を選択的に加熱することによって、第1磁性層22上のトンネル絶縁層24を加熱することができる。よって、この方法では、トンネル絶縁層24を短時間で加熱できると共に、加熱後の被処理体の冷却時間も短くできる。したがって、短時間でMTJ素子10を製造することができるので、スループットが向上する。加熱後の被処理体を冷却すると、被処理体の表面の平滑性が高くなるので、その後の成膜を行い易くなる。
トンネル絶縁層24を加熱すると、高いMR比及び低いRA(素子抵抗値)を有するMTJ素子10を製造することができる。これは、トンネル絶縁層24が例えばMgO層の場合、加熱により、マグネシウム原子と酸素原子とを反応させ、余剰の遊離酸素原子をMgOから脱離させることができるからと考えられる。
さらに、光による放射加熱、ヒータを用いた熱伝達等の非選択的な加熱方法では、加熱室内にある被処理体以外の部材(例えば加熱室の内壁又は被処理体の載置台等)まで加熱されてしまうので、当該部材からガス(例えばH2O)が脱離する可能性がある。このような脱離ガスは、MTJ素子を構成する層に吸着又は反応してMTJ素子を劣化させるおそれがある。また、加熱室内の上記部材の温度変化が大きいので、長期間安定的に高品質のMTJ素子を製造することが困難である。
一方、本実施形態に係るMTJ素子の製造方法では、加熱工程S3において、被処理体中の第1磁性層22又はトンネル絶縁層24を選択的に加熱することができる。よって、脱離ガスによるMTJ素子10の劣化が抑制される。また、加熱装置内の部材の温度変化が小さいので、長期間安定的に高品質のMTJ素子10を製造することができる。
図3は、別の実施形態に係るMTJ素子の製造方法を示すフローチャートである。図1に示されるMTJ素子10は、図2に示される方法の加熱工程S3と成膜工程S4とを入れ替えることによって製造されてもよい。MTJ素子10は、例えば以下の工程を経ることによって製造され得る。成膜工程S1は省略されてもよい。
(第1磁性層の形成工程)
まず、必要に応じて、基板12上に下地層14、反強磁性層16、磁性層18及び磁性層20をこの順に形成する。その後、磁性層20上に第1磁性層22を形成する(成膜工程S1)。
まず、必要に応じて、基板12上に下地層14、反強磁性層16、磁性層18及び磁性層20をこの順に形成する。その後、磁性層20上に第1磁性層22を形成する(成膜工程S1)。
(トンネル絶縁層の形成工程)
次に、第1磁性層22上にトンネル絶縁層24を形成する(成膜工程S2)。
次に、第1磁性層22上にトンネル絶縁層24を形成する(成膜工程S2)。
(第2磁性層の形成工程)
次に、トンネル絶縁層24上に第2磁性層26を形成する(成膜工程S4)。
次に、トンネル絶縁層24上に第2磁性層26を形成する(成膜工程S4)。
(加熱工程)
次に、第1磁性層22、トンネル絶縁層24及び第2磁性層26を含む被処理体をマイクロ波加熱又は誘導加熱により加熱する(加熱工程S3)。その後、必要に応じて第2磁性層26上にキャップ層28を形成する。
次に、第1磁性層22、トンネル絶縁層24及び第2磁性層26を含む被処理体をマイクロ波加熱又は誘導加熱により加熱する(加熱工程S3)。その後、必要に応じて第2磁性層26上にキャップ層28を形成する。
この場合、被処理体中のトンネル絶縁層24又は第1磁性層22及び第2磁性層26を選択的に加熱することができる。マイクロ波加熱では、主にトンネル絶縁層24を選択的に加熱することができる。誘導加熱では、主に第1磁性層22及び第2磁性層26を選択的に加熱することによって、第1磁性層22及び第2磁性層26間のトンネル絶縁層24を加熱することができる。
図4は、一実施形態に係る方法において用いられる加熱装置を模式的に示す断面図である。図4に示される加熱装置100を用いることによって、上述の加熱工程S3を実施することができる。
加熱装置100は、処理容器30を備える。処理容器30は、例えば、アルミニウムから構成されており、接地電位に接続されている。処理容器30は、その内部に空間Sを画成している。この処理容器30の底部には、空間Sを減圧するための排気装置32が、アダプタ32aを介して接続されている。空間S内の真空度は例えば1×10−7Torr未満である。また、処理容器30の側壁には、被処理体(以下、「ウエハ」という)Wの搬送用の開口APが形成されており、当該側壁に沿って開口APを開閉するためのゲートバルブGVが設けられている。
処理容器30内には、載置台34が設けられている。載置台34は、ベース部34a及び静電チャック34bを含んでいる。ベース部34aは、例えば、アルミニウムから構成されており、略円盤形状を有している。
ベース部34a上には、静電チャック34bが設けられている。静電チャック34bは、誘電体膜と、当該誘電体膜の内層として設けられた電極と、を有する。静電チャック34bの電極には、直流電源SDCが接続されている。静電チャック34b上に載置されたウエハWは、静電チャック34bが発生する静電気力によって、当該静電チャック34bに吸着される。
載置台34は、載置台駆動機構36に接続されている。載置台駆動機構36は、支軸36a及び駆動装置36bを含んでいる。支軸36aは、空間Sにおいて載置台34の直下から処理容器30の底部を通って処理容器30の外部まで延在している。この支軸36aと処理容器30の底部との間には、封止部材SLが設けられている。封止部材SLは、支軸36aが回転及び上下動可能であるように、処理容器30の底部と支軸36aとの間の空間を封止する。このような封止部材SLは、例えば、磁性流体シールであり得る。
支軸36aの一端には、載置台34が結合されており、当該支軸36aの他端には駆動装置36bが接続されている。駆動装置36bは、支軸36aを回転及び上下動させるための駆動力を発生する。載置台34は、支軸36aが回転することによって軸線AX中心に回転し、支軸36aが上下動することに伴って上下動する。
載置台34の上方には、加熱源としてのマイクロ波加熱部40が設けられている。マイクロ波加熱部40は、処理容器30の上部に取り付けられる。マイクロ波加熱部40は、誘電体窓42及びアンテナ43を備え得る。処理容器30の上部には、開口が設けられており、当該開口内には、アンテナ43が設けられている。また、アンテナ43の直下には、空間Sを封止するように、誘電体窓42が設けられている。
アンテナ43は、誘電体窓42を介して、空間S内のウエハWにマイクロ波を供給する。アンテナ43は、スロット板44及び誘電体板46を含んでいる。スロット板44は複数のスロットが形成された略円盤状の金属板である。誘電体板46は、マイクロ波の波長を短縮させるものであり、略円盤形状を有している。誘電体板46は、例えば、石英又はアルミナから構成される。誘電体板46は、スロット板44と冷却ジャケット48の金属製の下面との間に狭持されている。アンテナ43は、したがって、誘電体板46、スロット板44、及び、冷却ジャケット48の下面によって構成され得る。
マイクロ波加熱部40は、同軸導波管50、モード変換器52、導波管54、チューナ56、及びマイクロ波発生器58を備え得る。マイクロ波発生器58は、例えば500MHz〜20GHzの周波数のマイクロ波を発生する。マイクロ波発生器58は、チューナ56、導波管54、及びモード変換器52を介して、同軸導波管50の上部に接続されている。同軸導波管50は、その中心軸線である軸線AXに沿って延在している。同軸導波管50は、外側導体50a及び内側導体50bを含んでいる。外側導体50aは、軸線AX中心に延在する筒形状を有している。外側導体50aの下端は、導電性の表面を有する冷却ジャケット48の上部に電気的に接続され得る。内側導体50bは、外側導体50aの内側に設けられている。内側導体50bは、軸線AXに沿って延びる略円柱形状を有している。内側導体50bの下端は、アンテナ43のスロット板44に接続している。
マイクロ波加熱部40では、マイクロ波発生器58により発生されたマイクロ波が、同軸導波管50を通って、誘電体板46に伝播され、スロット板44のスロット孔から誘電体窓42に与えられる。誘電体窓42は、略円盤形状を有しており、例えば、石英又はアルミナから構成されている。誘電体窓42は、スロット板44の直下に設けられている。誘電体窓42は、アンテナ43から受けたマイクロ波を透過して、当該マイクロ波を空間S内に導入する。導入されたマイクロ波はウエハWに照射される。
加熱工程S3は、加熱装置100を用いて例えば以下のように行われる。まず、処理容器30外から開口APを通って載置台34までウエハWを搬送する。次に、ゲートバルブGVにより開口APを閉じて、排気装置32を用いて空間Sを減圧する。次に、マイクロ波発生器58によりマイクロ波を発生させて、ウエハWに照射する。これにより、ウエハW中の主にトンネル絶縁層24を選択的に加熱することができる。次に、ゲートバルブGVにより開口APを開けて、載置台34から開口APを通って処理容器30外にウエハWを搬送する。このような手順は、加熱装置100を制御する制御部によって行われる。
図5は、別の実施形態に係る方法において用いられる加熱装置を模式的に示す断面図である。上述の加熱工程S3は、図4に示される加熱装置100に代えて図5に示される加熱装置100aを用いることによって行われてもよい。
加熱装置100aは、マイクロ波加熱部40を備えず、載置台34に代えて載置台134を備えること以外は加熱装置100と同じ構成を備える。載置台134は、ベース部134a及び静電チャック34bを含んでいる。静電チャック34bはベース部134a上に設けられている。ベース部134aは、例えば、アルミニウムから構成されており、略円盤形状を有している。
ベース部134aは、加熱源としての誘導加熱部60を備える。誘導加熱部60は、ベース部134aの内部に埋め込まれ得る。誘導加熱部60は、コイル62と電源64とを備える。コイル62は、誘導磁界を発生する配線であり得る。電源64は、コイル62に接続される整合部と、整合部に接続される高周波電源とを含んでもよい。誘導加熱部60は、整合部及び高周波電源を冷却する冷媒の循環ユニットを含んでもよい。高周波電源の周波数は例えば50〜500kHzである。
加熱装置100aでは、電源64によりコイル62から誘導磁界を発生させる。これにより、ウエハW中の主に第1磁性層22を選択的に加熱することによって、第1磁性層22上のトンネル絶縁層24を加熱することができる。
図6は、別の実施形態に係る方法により製造されるMTJ素子を模式的に示す断面図である。図6に示されるMTJ素子10aは、MRAM等のTMR効果を利用する電子デバイスに用いられる。MTJ素子10aは、例えば垂直磁化方式のMTJ素子である。MTJ素子10aは、ボトムピン構造を有する。MTJ素子10aは、MTJ素子10と同様の方法で製造され得る。
MTJ素子10aは、第1磁性層22、第2磁性層26及びトンネル絶縁層24を含む。MTJ素子10aは、基板12、下部電極層14a、下地層14b、ピン層11、中間層13及び上部電極層28aを備え得る。下部電極層14aは基板12上に設けられる。下地層14bは下部電極層14a上に設けられる。ピン層11は下地層14b上に設けられる。中間層13は、ピン層11上に設けられる。第1磁性層22は、中間層13上に設けられる。上部電極層28aは、第2磁性層26上に設けられる。一実施例において、基板12はSi基板であり、下部電極層14aはTa/Ru/Ta−B.E.層であり、下地層14bはPt層であり、中間層13はTa層であり、上部電極層28aはTa/Ru層である。また、一実施例において、ピン層11は、[Co/Pt]4層11a、Co層11b、Ru層11c、[Co/Pt]2層11d及びCo層11eからなる。
図7は、別の実施形態に係る方法により製造されるMTJ素子を模式的に示す断面図である。図7に示されるMTJ素子10bは、MRAM等のTMR効果を利用する電子デバイスに用いられる。MTJ素子10bは、例えば垂直磁化方式のMTJ素子である。MTJ素子10bは、トップピン構造を有する。MTJ素子10bは、MTJ素子10と同様の方法で製造され得る。
MTJ素子10bは、第1磁性層22、第2磁性層26及びトンネル絶縁層24を含む。MTJ素子10bは、基板12、下部電極層14a、第3磁性層27、ピン層11及び上部電極層28aを備え得る。下部電極層14aは基板12上に設けられる。第1磁性層22は下部電極層14a上に設けられる。第3磁性層27は、トンネル絶縁層24と第2磁性層26との間に設けられる。中間層13は、第2磁性層26上に設けられる。ピン層11は、中間層13上に設けられる。上部電極層28aは、ピン層11上に設けられる。一実施例において、基板12はSi基板であり、下部電極層14aはTa層であり、第3磁性層27はFe層であり、上部電極層28aはTa層である。また、一実施例において、ピン層11は、[Co/Pd]5層11f、Co層11g、Ru層11h及び[Co/Pd]14層11iからなる。
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明されたが、本発明は上記実施形態に限定されない。各実施形態の構成要素は互いに任意に組み合わせ得る。
例えば、図4に示される加熱装置100において、マイクロ波加熱部40を誘導加熱部60に置き換えてもよいし、ベース部34a内に更なるマイクロ波加熱部40又は誘導加熱部60を配置してもよい。また、図5に示される加熱装置100aにおいて、誘導加熱部60をマイクロ波加熱部40に置き換えてもよい。
さらに、加熱装置100又は加熱装置100aの処理容器30内の空間Sは、第1磁性層22、トンネル絶縁層24及び第2磁性層26のうち少なくとも1つを成膜するための成膜装置の処理容器内の空間と連通してもよい。加熱装置100又は加熱装置100aは、第1磁性層22、トンネル絶縁層24及び第2磁性層26のうち少なくとも1つを成膜するための成膜装置を兼ねてもよい。この場合、処理容器30内では、加熱工程Sだけでなく、成膜工程S1,S2,S4のうち少なくとも1つも行われる。
10,10a,10b…MTJ素子、22…第1磁性層、24…トンネル絶縁層、26…第2磁性層、W…ウエハ(被処理体)。
Claims (2)
- 第1磁性層と、第2磁性層と、前記第1磁性層及び前記第2磁性層の間のトンネル絶縁層と、を含むMTJ素子の製造方法であって、
前記第1磁性層上に前記トンネル絶縁層を形成する工程と、
前記第1磁性層及び前記トンネル絶縁層を含む被処理体をマイクロ波加熱又は誘導加熱により加熱する工程と、
を含む、MTJ素子の製造方法。 - 前記トンネル絶縁層上に前記第2磁性層を形成する工程を更に含み、
前記被処理体が前記第2磁性層を更に含む、請求項1に記載のMTJ素子の製造方法。
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