JPWO2018042732A1 - 磁気トンネル接合素子およびその製造方法 - Google Patents
磁気トンネル接合素子およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2018042732A1 JPWO2018042732A1 JP2018536923A JP2018536923A JPWO2018042732A1 JP WO2018042732 A1 JPWO2018042732 A1 JP WO2018042732A1 JP 2018536923 A JP2018536923 A JP 2018536923A JP 2018536923 A JP2018536923 A JP 2018536923A JP WO2018042732 A1 JPWO2018042732 A1 JP WO2018042732A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic
- tunnel junction
- layer made
- magnetic tunnel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 139
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims abstract description 99
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 65
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 30
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 30
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 26
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 284
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 103
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 25
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 21
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 15
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 12
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 30
- 229910019236 CoFeB Inorganic materials 0.000 description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 19
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 14
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 7
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 3
- 229910005335 FePt Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical group [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019222 CoCrPt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 description 1
- UOACKFBJUYNSLK-XRKIENNPSA-N Estradiol Cypionate Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H](C4=CC=C(O)C=C4CC3)CC[C@@]21C)C(=O)CCC1CCCC1 UOACKFBJUYNSLK-XRKIENNPSA-N 0.000 description 1
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000005324 grain boundary diffusion Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910000938 samarium–cobalt magnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
- H10N50/85—Magnetic active materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
よりＴＭＲ比が高く、耐熱性の高い磁気トンネル接合素子およびその製造方法を提供するために、積層順に、金属材料から成る下地層、強磁性体から成り磁化方向が固定である固定層、非磁性体から成る磁気結合層、強磁性体から成り磁化方向が固定である参照層、非磁性体から成る障壁層および強磁性体から成る記録層を積層して、または、積層順に、強磁性体から成る記録層、非磁性体から成る障壁層、強磁性体から成り磁化方向が固定である参照層、非磁性体から成る磁気結合層、金属材料から成る下地層および強磁性体から成り磁化方向が固定である固定層を積層して、磁気トンネル接合素子を構成するに際して、成膜した下地層の表面をプラズマトリートメントにした後に固定層を成膜して積層する。
Description
本発明は、磁気トンネル接合素子およびその製造方法に関する。
スピントランスファートルク（Ｓｐｉｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｔｏｒｑｕｅ、以下では、「ＳＴＴ」という）を用いた磁化反転は、素子サイズが小さくなるほど書き込みに要する電流値が小さくなるため、高密度で消費電力の小さいメモリ素子に適している。近年、このＳＴＴによる磁化反転を用いた磁気メモリ（ＳＴＴ−ＭＲＡＭ）が注目を集めている。
このＳＴＴによる磁化反転を利用する磁気メモリは、磁気トンネル接合（ＭＴＪ；Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｔｕｎｎｅｌ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）素子（以下、「ＭＴＪ素子」という場合がある）で構成されている。そして、ＭＴＪ素子は、磁化の向きが固定された参照（固定）層と磁化の向きが変化する記録（自由）層とで、トンネル障壁層（トンネル絶縁膜）をサンドイッチした構成を有している。
ＭＴＪ素子の性能は、トンネル磁気抵抗比（ＴＭＲ比）、熱安定性および閾値電流で表される。トンネル磁気抵抗比は、（Ｒａｐ−Ｒｐ）／Ｒｐ （ここで、Ｒｐ：障壁層に隣接する参照層の磁化と記録層の磁化とが平行に配列した時の抵抗値、Ｒａｐ：障壁層に隣接する参照層の磁化と記録層の磁化とが反平行に配列した時の抵抗値）で定義される値である。また、熱安定性は、Ｋｅｆｆ・Ｖ／ｋＢＴ （ここで、Ｋｅｆｆ：記録層の実効磁気異方性エネルギー密度、Ｖ：記録層の体積、ｋＢ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度）に比例する値である。一般に、ＭＴＪ素子は、トンネル磁気抵抗比が大きい方が好適であり、また、熱安定性を閾値電流で除した値が大きいほど好適である。
ＭＴＪ素子が、垂直磁化型のとき、ＳＴＴにより磁化を反転させる場合と熱的な反転が生じる場合とでは、磁化の通る方向が同じになる。一方、面内磁化型のとき、ＳＴＴにより磁化を反転させる場合と熱的な反転が生じる場合とでは、磁化が違う方向を通る。この場合、ＳＴＴによる反転では、磁化は反磁界が大きな面直方向を通り、熱的反転では、磁化は反磁界が小さな面内方向を通る。その結果、面内磁化型では、閾値電流に対する熱安定性の比が、垂直磁化型に比べて小さくなる。このため、近時では、垂直磁化型のＭＴＪ素子がより注目されており、垂直磁化型のＭＴＪ素子が用いられるようになってきている。
このような垂直磁化型のＭＴＪ素子として、ＣｏＦｅＢから形成される強磁性層とＭｇＯ絶縁膜とを用いることにより、高いトンネル磁気抵抗比と高い熱安定性、低い閾値電流を有するものが開発されており（例えば、特許文献１参照）、現在、この材料系を用いた検討が活発に行われている。
また、垂直磁気異方性を向上させるため、ＭｇＯ（障壁層）／ＣｏＦｅＢ（記録層）／ＭｇＯ（保護層）構造のように、記録層（ＣｏＦｅＢ）を、酸素を含む障壁層（ＭｇＯ）と保護層（ＭｇＯ）とで挟んだ構造（二重界面構造）を有するものも開発されている（例えば、特許文献１参照）。さらに、保護層として導電性酸化物層を用いた二重界面構造を有するものや、その保護層の上に金属キャップ層を配置したものも開発されている（例えば、特許文献２参照）。
このような二重界面構造を有するＭＴＪ素子は、記録層の下と記録層の上のＣｏＦｅＢ／ＭｇＯ界面に生じる２つの垂直磁気異方性によって、ＭｇＯの保護層がないトンネル接合素子よりも記録層の膜厚を大きくすることができる。熱安定性は、記録層の膜厚に比例して増加するため、膜厚を大きくすることにより熱安定性を向上させることができる。また、同時に、記録層の膜厚を大きくすることにより、記録層のダンピング定数αを低減することも可能となる。書き込み電流の値はダンピング定数αに比例するため、書き込み電流の値を同時に低減することができる。これらの結果、二重界面構造を有するＭＴＪ素子は、熱安定性が高く、書き込み電流が小さい、すなわち、熱安定性を閾値電流で除した値が大きいものとなっている。
一方、ＭｇＯの保護層がないＭＴＪ素子では、記録層の上に、ＭｇＯ保護層の代わりにＴａ等の保護層を積層している。この場合、熱処理によってＴａがボロンを吸収するため、ＣｏＦｅＢが結晶化し、高いＴＭＲ比が得られる。
しかし、特許文献１および２に記載された二重界面構造を有するＭＴＪ素子は、ＭｇＯでＣｏＦｅＢを挟んでおり、Ｔａ等のキャップがないため熱処理によるボロンの拡散が起きにくい。このため、ＣｏＦｅＢが熱処理によって結晶化せず、ＴＭＲ比が低下してしまうという問題があった。
そこで、このようなＴＭＲ比の低下を防ぐために、記録層の間に薄いＴａ等の非磁性層を挿入したＭＴＪ素子が提案されている（例えば、非特許文献１参照）。このＭＴＪ素子では、熱処理によりＴａ等の非磁性層がボロンを吸収してＣｏＦｅＢが結晶化しているため、高いＴＭＲ比が得られている。
また、磁化固定層として［Ｃｏ／Ｐｔ］多層膜のような垂直磁気異方性の高い膜の上に、磁気結合層といわれる４Å程度の薄いＴａを間に挟んでＣｏＦｅＢの参照層を積層したＭＴＪが提案されている（例えば、非特許文献１参照）。ＣｏＦｅＢ／ＭｇＯ／ＣｏＦｅＢのトンネル接合では、ＣｏＦｅＢとＭｇＯが（００１）面配向した時に高いＴＭＲ比が得られる。［Ｃｏ／Ｐｔ］はｆｃｃの（１１１）結晶配向性を持つため、この上にＣｏＦｅＢの参照層を直接積層すると、［Ｃｏ／Ｐｔ］のｆｃｃ結晶方向にＣｏＦｅＢが結晶配向するため高いＴＭＲ比が得られない。磁気結合層は、［Ｃｏ／Ｐｔ］の結晶配向をここでいったん切ることによって、ＣｏＦｅＢを（００１）方向に配向し、高いＴＭＲ比を得るために用いられる。
Ｈ．Ｓａｔｏ，Ｍ．Ｙａｍａｎｏｕｃｈｉ，Ｓ．Ｉｋｅｄａ，Ｓ．Ｆｕｋａｍｉ，Ｆ．Ｍａｔｓｕｋｕｒａ，ａｎｄ Ｈ．Ｏｈｎｏ，"Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ−ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙ ＣｏＦｅＢ−ＭｇＯ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｔｕｎｎｅｌ ｊｕｎｃｔｉｏｎｓ ｗｉｔｈ ａ ＭｇＯ／ＣｏＦｅＢ／Ｔａ／ＣｏＦｅＢ／ＭｇＯ ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ"，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，２０１２，１０１，０２２４１４
磁気トンネル接合素子の実際の構造は、例えば図１に示すように、基板２７の上に、下部電極層２８および下地層２９を形成し、この下地層２９の上に、固定層２５、磁気結合層２６、参照層１１、障壁層１２、記録層１３、保護層１４および上部電極層３０の順に積層された構成を有している。
ここで、固定層としては、後述するようにＣｏ／ＰｔなどのＣｏ合金系の垂直磁性膜が用いられる場合が多い。このＣｏ合金膜が垂直磁気異方性を持つには、ｈｃｐ構造の磁化容易軸である（０００１）方向が、基板と垂直な多結晶配向膜であることが必要である。
このようにＣｏ合金膜を配向させる方法として、下地層の上にヘテロエピタキシャルに成長させる方法が用いられる。ｈｃｐ構造の最稠密面の原子配列と同様な配列のｈｃｐ構造の（０００１）配向膜あるいはｆｃｃ構造の（１１１）配向膜を下地層にして、その上にＣｏ合金を成膜すると、Ｃｏ合金膜は下地層の結晶配向の影響を受けて、（０００１）面を下地と平行にした多結晶配向膜が成長することになる。このような材料として、例えば、ｈｃｐ構造を持つＴｉ、Ｓｃ、ＲｕおよびＨｆの膜、ｆｃｃ構造を持つＰｔ、Ｐｄ、ＡｕおよびＣｕの膜などがよく用いられている。
このようにＣｏ合金膜を配向させる方法として、下地層の上にヘテロエピタキシャルに成長させる方法が用いられる。ｈｃｐ構造の最稠密面の原子配列と同様な配列のｈｃｐ構造の（０００１）配向膜あるいはｆｃｃ構造の（１１１）配向膜を下地層にして、その上にＣｏ合金を成膜すると、Ｃｏ合金膜は下地層の結晶配向の影響を受けて、（０００１）面を下地と平行にした多結晶配向膜が成長することになる。このような材料として、例えば、ｈｃｐ構造を持つＴｉ、Ｓｃ、ＲｕおよびＨｆの膜、ｆｃｃ構造を持つＰｔ、Ｐｄ、ＡｕおよびＣｕの膜などがよく用いられている。
それらの材料の中で、プラチナ（Ｐｔ、以下では「Ｐｔ」という）を下地層２９として使用する場合には、Ｐｔ下地層を成膜後、その上に固定層２５の一部を構成する［Ｃｏ／Ｐｔ］多層膜（Ｃｏ膜とＰｔ膜とをそれぞれ交互に積層した膜）が成膜され、この成膜以降は上述した順に各層が成膜され、その後熱処理が施される。その時に、参照層１１を構成するＣｏＦｅＢのＦｅが熱処理（アニール処理）により下層のＣｏ／Ｐｔ多層膜側に拡散する現象が発生することが、測定分析（本発明の実施例において後述するが、図１１の（ａ）に示すように、ＥＤＸ線（エネルギー分散型Ｘ線）分析）により判明した。この現象は、垂直磁気異方性を劣化させＴＭＲ比の低下を引き起こす課題を呈するものである。
本発明は、この課題に着目してなされたもので、この課題を解決して、耐熱性およびＴＭＲ比を向上させる磁気トンネル接合素子の製造方法および該製造方法によって生成した磁気トンネル接合素子を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明に係る磁気トンネル接合素子の製造方法は、金属表面のスパッタエッチング、いわゆる「プラズマトリートメント（Ｐｌａｓｍａ Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）」（以下では、略して「ＰＴ」という）を活用する。すなわち、積層順に、金属材料から成る下地層、強磁性体から成り磁化方向が固定である固定層、非磁性体から成る磁気結合層、強磁性体から成り磁化方向が固定である参照層、非磁性体から成る障壁層および強磁性体から成る記録層を積層して、または、積層順に、強磁性体から成る記録層、非磁性体から成る障壁層、強磁性体から成り磁化方向が固定である参照層、非磁性体から成る磁気結合層、金属材料から成る下地層および強磁性体から成り磁化方向が固定である固定層を積層して、磁気トンネル接合素子を構成するに際して、成膜した下地層の表面をプラズマトリートメントにした後に固定層を成膜して積層することを特徴とする。
本発明は、磁気トンネル接合素子の下地層であるＰｔ下地を成膜後に、Ａｒ等でこのＰｔ表面をプラズマトリートメントした後に、［Ｃｏ／Ｐｔ］多層膜から成る固定層を成膜することにより、Ｐｔ表面の平滑性および［Ｃｏ／Ｐｔ］多層膜から成る固定層の結晶配向性が向上し、磁気トンネル接合素子の耐熱性およびＴＭＲ比を向上させることを可能にする。
以下、図面に基づいて、本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明に係る磁気トンネル接合（ＭＴＪ；Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｔｕｎｎｅｌ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）素子の積層構造の代表的な構成例（第１の構成例）を示す図である。
磁気トンネル接合素子１０は、参照層１１、障壁層１２、記録層１３および保護層１４をこの順番で積層した構造と、これらの各層をスパッタリング等で成膜するための基層１５とを有している。実際には、磁気トンネル接合素子１０は、図示のように、基板２７の上に、下部電極層２８および下地層２９を形成し、この下地層２９の上に、固定層２５、磁気結合層２６、参照層１１、障壁層１２、記録層１３、保護層１４および上部電極層３０の順に積層された構成を有している。この場合には、基板２７の上に各層を成膜した後、熱処理を行うことにより製造することができる。なお、図１では、基板２７、下部電極層２８、下地層２９、固定層２５および磁気結合層２６が、基層１５を成している。
図１は、本発明に係る磁気トンネル接合（ＭＴＪ；Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｔｕｎｎｅｌ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）素子の積層構造の代表的な構成例（第１の構成例）を示す図である。
磁気トンネル接合素子１０は、参照層１１、障壁層１２、記録層１３および保護層１４をこの順番で積層した構造と、これらの各層をスパッタリング等で成膜するための基層１５とを有している。実際には、磁気トンネル接合素子１０は、図示のように、基板２７の上に、下部電極層２８および下地層２９を形成し、この下地層２９の上に、固定層２５、磁気結合層２６、参照層１１、障壁層１２、記録層１３、保護層１４および上部電極層３０の順に積層された構成を有している。この場合には、基板２７の上に各層を成膜した後、熱処理を行うことにより製造することができる。なお、図１では、基板２７、下部電極層２８、下地層２９、固定層２５および磁気結合層２６が、基層１５を成している。
以下、各層について順に説明するが、基層１５については、参照層１１に近い固定層２５および磁気結合層２６を先に説明する。
基層１５を構成する固定層２５は、強磁性体であって、磁化方向が膜面に対して垂直方向で固定になっている。
基層１５を構成する磁気結合層２６は、非磁性体であって、例えば、厚さ０．４ｎｍのＴａの膜から成る。Ｔａ以外では、Ｈｆ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｙ、Ｓｃ、Ｔｉ、ＶおよびＣｒのうちの少なくともいずれか１つから成る膜であってもよい。
基層１５を構成する固定層２５は、強磁性体であって、磁化方向が膜面に対して垂直方向で固定になっている。
基層１５を構成する磁気結合層２６は、非磁性体であって、例えば、厚さ０．４ｎｍのＴａの膜から成る。Ｔａ以外では、Ｈｆ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｙ、Ｓｃ、Ｔｉ、ＶおよびＣｒのうちの少なくともいずれか１つから成る膜であってもよい。
参照層１１は、強磁性体であって、磁化方向が膜面に対して垂直方向で固定になっていて、例えば、厚さ１．０〜１．２ｎｍのＣｏＦｅＢの膜から成っている。
障壁層１２は、酸素を含む非磁性体であって、例えば、厚さ１．０〜１．３ｎｍのＭｇＯの膜から成っている。ただし、非磁性体として酸素を含めることを限定するものではない。
障壁層１２は、酸素を含む非磁性体であって、例えば、厚さ１．０〜１．３ｎｍのＭｇＯの膜から成っている。ただし、非磁性体として酸素を含めることを限定するものではない。
記録層１３は、強磁性体であって、磁化方向が膜面に対して垂直方向で可変になっていて、例えば、図示はしないが、第１の強磁性層、非磁性体から成る挿入層および第２の強磁性層の順に積層した構造とすることができ、第１の強磁性層および第２の強磁性層が挿入層を介して磁気的に結合している。その際には、第１の強磁性層は、磁化方向が膜面に対して垂直方向で可変になっており、例えば、厚さ１．４〜１．５ｎｍのＣｏＦｅＢの膜から成っている。挿入層は、非磁性体であって、例えば、厚さ０．２〜０．５ｎｍのＴａまたはＷの膜から成っている。第２の強磁性層は、磁化方向が膜面に対して垂直方向で可変になっており、例えば、厚さ１．０〜１．５ｎｍのＣｏＦｅＢの膜から成っている。
保護層１４は、酸素を含む非磁性体であって、例えば、厚さ１．０〜１．１ｎｍのＭｇＯの層から成っている。ただし、非磁性体として酸素を含めることを限定するものではない。また、保護層１４は、導電性酸化物膜から成っていてもよい。
上述のように、基層１５として、固定層２５および磁気結合層２６を有し、また、基層１５は、参照層１１の障壁層１２側とは反対側の面に配置されている。
上述のように、基層１５として、固定層２５および磁気結合層２６を有し、また、基層１５は、参照層１１の障壁層１２側とは反対側の面に配置されている。
固定層２５は、図２に示すように、第３の強磁性層３１、第４の強磁性層３２および双方の間に挟まれた非磁性層３３を有している。
第３の強磁性層３１は、例えば、厚さ０．５ｎｍのＣｏ膜と厚さ０．３ｎｍのＰｔ膜とをそれぞれ交互に４回積層した上に、厚さ０．５ｎｍのＣｏ膜を積層した膜から成っている。
第４の強磁性層３２は、例えば、厚さ０．５ｎｍのＣｏ膜と厚さ０．３ｎｍのＰｔ膜とをそれぞれ交互に２回積層した上に、厚さ０．５ｎｍのＣｏ膜を積層した膜から成っている。
第３の強磁性層３１は、例えば、厚さ０．５ｎｍのＣｏ膜と厚さ０．３ｎｍのＰｔ膜とをそれぞれ交互に４回積層した上に、厚さ０．５ｎｍのＣｏ膜を積層した膜から成っている。
第４の強磁性層３２は、例えば、厚さ０．５ｎｍのＣｏ膜と厚さ０．３ｎｍのＰｔ膜とをそれぞれ交互に２回積層した上に、厚さ０．５ｎｍのＣｏ膜を積層した膜から成っている。
非磁性層３３は、例えば、厚さ０．９ｎｍのＲｕ膜から成っている。
そして、固定層２５は、非磁性層３３を介して、第３の強磁性層３１および第４の強磁性層３２の磁化の向きが、ＲＫＫＹ相互作用により、膜面に対して垂直方向で互いに反対向きになっている。
そして、固定層２５は、非磁性層３３を介して、第３の強磁性層３１および第４の強磁性層３２の磁化の向きが、ＲＫＫＹ相互作用により、膜面に対して垂直方向で互いに反対向きになっている。
磁気結合層２６は、非磁性体であって、固定層２５と参照層１１との間に挟まれ、例えば、厚さ０．４ｎｍのＴａ膜から成っている。
また、固定層２５は、第４の強磁性層３２が磁気結合層２６と接するように設けられている。
なお、参照層１１は、磁気結合層２６を介して固定層２５と磁気的に結合しており、磁化方向が膜面に対して垂直方向で一方向に固定されている。
また、固定層２５は、第４の強磁性層３２が磁気結合層２６と接するように設けられている。
なお、参照層１１は、磁気結合層２６を介して固定層２５と磁気的に結合しており、磁化方向が膜面に対して垂直方向で一方向に固定されている。
磁気トンネル接合素子１０は、障壁層１２を介して、参照層１１と記録層１３との間に磁気トンネル接合が生成されている。また、図１に示すように、磁気トンネル接合素子１０は、記録層１３を障壁層１２と保護層１４とで挟んだ二重界面構造を有し、記録層１３と障壁層１２との界面、および、記録層１３と保護層１４との界面に、それぞれ垂直磁気異方性が生じ、記録層１３の磁化方向が膜面に対して垂直になっている。また、磁気トンネル接合素子１０は、記録層１３の磁化方向が、スピン注入磁化反転により変化するようになっている。
磁気トンネル接合素子１０の製造時には、基層１５の上に、参照層１１、障壁層１２、記録層１３および保護層１４を順に成膜した後、熱処理を行う。各層の堆積方法としては、物理蒸着法であるスパッタリングや分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）などを用いることができる。熱処理の温度は、３５０℃〜４５０℃が好ましい。
次に、基層１５につき、上述した固定層２５および磁気結合層２６以外の構成部分について説明する。
基板２７は、トランジスタや多層の配線層を含んだ構成を有している。
下部電極層２８は、例えば、厚さ２０〜５０ｎｍ程度の導電層であって、Ｔａ、ＴａＮ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｃｕ、ＣｕＮ、Ａｕ、ＡｇおよびＲｕなどの金属材料またはその合金などから成っている。また、下部電極層２８は、複数の金属材料を積層した構造、例えば、Ｔａ／Ｒｕ／Ｔａといった構造であってもよい。下部電極層２８は、上部の各層を形成するための下地となる層であり、成膜後、化学機械研磨（ＣＭＰ）やガスクラスターイオンビオーム（ＧＣＩＢ）等により、表面が平坦に形成されている。
基板２７は、トランジスタや多層の配線層を含んだ構成を有している。
下部電極層２８は、例えば、厚さ２０〜５０ｎｍ程度の導電層であって、Ｔａ、ＴａＮ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｃｕ、ＣｕＮ、Ａｕ、ＡｇおよびＲｕなどの金属材料またはその合金などから成っている。また、下部電極層２８は、複数の金属材料を積層した構造、例えば、Ｔａ／Ｒｕ／Ｔａといった構造であってもよい。下部電極層２８は、上部の各層を形成するための下地となる層であり、成膜後、化学機械研磨（ＣＭＰ）やガスクラスターイオンビオーム（ＧＣＩＢ）等により、表面が平坦に形成されている。
下地層２９は、例えば、厚さ５ｎｍ程度のＰｔの膜から成っているが、Ｐｔの他にも、Ｔｉ、Ｓｃ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｕ、ＡｕおよびＨｆなどの金属材料から成っていてもよい。
上部電極層３０は、例えば、厚さ１０〜１００ｎｍ程度の導電層であって、Ｔａ、ＴａＮ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｃｕ、ＣｕＮ、Ａｕ、ＡｇおよびＲｕなどの金属材料またはその合金などから成っている。また、上部電極層３０は、複数の金属材料を積層した構造、例えば、Ｔａ／Ｒｕといった構造であってもよい。
上部電極層３０は、例えば、厚さ１０〜１００ｎｍ程度の導電層であって、Ｔａ、ＴａＮ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｃｕ、ＣｕＮ、Ａｕ、ＡｇおよびＲｕなどの金属材料またはその合金などから成っている。また、上部電極層３０は、複数の金属材料を積層した構造、例えば、Ｔａ／Ｒｕといった構造であってもよい。
次に、磁気トンネル接合素子１０に対する情報の書き込み／読み出しについて説明する。
磁気トンネル接合素子１０は、図２の（ａ）に示すように、参照層１１の磁化方向と記録層１３の磁化方向が互いに平行で同一方向（Ｐ状態）のとき、下部電極層２８と上部電極層３０との間が低抵抗になる。一方、図２の（ｂ）に示すように、参照層１１の磁化方向と記録層１３の磁化方向が反平行（平行で反対方向：ＡＰ状態）のとき、下部電極層２８と上部電極層３０との間が高抵抗になる。この抵抗値の高低を、ビット情報の「０」と「１」とに対応させることにより、情報を書き込むことができる。図２に示す例では、低抵抗状態に「０」を、高抵抗状態に「１」を割り当てている。
磁気トンネル接合素子１０は、図２の（ａ）に示すように、参照層１１の磁化方向と記録層１３の磁化方向が互いに平行で同一方向（Ｐ状態）のとき、下部電極層２８と上部電極層３０との間が低抵抗になる。一方、図２の（ｂ）に示すように、参照層１１の磁化方向と記録層１３の磁化方向が反平行（平行で反対方向：ＡＰ状態）のとき、下部電極層２８と上部電極層３０との間が高抵抗になる。この抵抗値の高低を、ビット情報の「０」と「１」とに対応させることにより、情報を書き込むことができる。図２に示す例では、低抵抗状態に「０」を、高抵抗状態に「１」を割り当てている。
磁気トンネル接合素子１０に情報を書き込む場合は、下部電極層２８と上部電極層３０との間に流す書き込み電流の方向を変えることにより、「０」または「１」を書き込むことができる。書き込み電流を上部電極層３０から下部電極層２８に向かって流すと、図２の（ａ）に示すように、記録層１３の磁化が参照層１１の磁化と同一方向になるため、「０」が書き込まれる。一方で、書き込み電流を下部電極層２８から上部電極層３０に向かって流すと、図２の（ｂ）に示すように、記録層１３の磁化が参照層１１の磁化と反対方向になるため、「１」が書き込まれる。
一方、磁気トンネル接合素子１０から情報を読み出す場合は、下部電極層２８と上部電極層３０との間に読み出し電圧を印加することにより、「０」または「１」のそれぞれの抵抗値に応じた電流が流れる。この電流を検出することにより、磁気トンネル接合素子１０に書き込まれている情報（「０」または「１」）を読み出すことができる。
また、図３に、磁気トンネル接合素子１０の積層構造の第２の構成例を示す。第２の構成例は、図１に示す、固定層２５から保護層１４までをひっくり返し、図３に示すような積層構造とし、磁気結合層２６と固定層２５の間に下地層２９を挿入した構成である。この場合、保護層１４と下部電極層２８とが接触し、固定層２５と上部電極層３０とが接触している。そして、基板２７および下部電極層２８が基層１５を成している。また、参照層１１と固定層２５の間の磁気結合を強めるために、磁気結合層２６と下地層２９の間に薄い磁性膜を挿入してもよい。
さらにまた、図４に、磁気トンネル接合素子１０の積層構造の第３の構成例を示す。第３の構成例は、図４に示すように、記録層１３と保護層１４との間に、記録層１３の側から順に、第２の障壁層１２ａ、第２の参照層１１ａ、第２の磁気結合層２６ａ、第２の下地層２９ａおよび第２の固定層２５ａを挿入して積層された構造である。この場合には、基板２７から磁気結合層２６までの５層が基層１５を成している。また、第２の磁気結合層２６aと第２の下地層２９aの間の磁気的な結合を強めるために、薄い磁性膜を挿入してもよい。
次に、磁気トンネル接合素子１０の製造方法の中で、本発明に係る製造方法の実施例として、下地層を成膜後に下地層表面をスパッタエッチング、いわゆるプラズマトリートメント（以下、「ＰＴ」という場合がある）した後に固定層を成膜する方法について、以下に説明する。
まず初めに、プラズマトリートメント（ＰＴ）による磁気トンネル接合素子の積層面の表面粗さの変化について述べる。
実施例に係る磁気トンネル接合素子においては、固定層として、上述したＣｏ／Ｐｔ積層膜、Ｃｏ／Ｐｄ積層膜、Ｃｏ／Ｎｉ積層膜、ＣｏＰｔ合金膜、ＣｏＣｒＰｔ合金膜およびＣｏＣｒＲｕ合金膜などのＣｏ合金系の垂直磁性膜を用いる。そこで、このＣｏ合金膜が垂直磁気異方性を持つには、上述のように、ｈｃｐ構造の磁化容易軸である（０００１）方向が基板と垂直な多結晶配向膜であることが必要であるため、下地層の上にＣｏ合金膜をヘテロエピタキシャルに成長させる方法が用いられる。すなわち、ｈｃｐ構造の最稠密面の原子配列と同様な配列のｈｃｐ構造の（０００１）配向膜あるいはｆｃｃ構造の（１１１）配向膜を下地層にして、その上にＣｏ合金を成膜すると、Ｃｏ合金膜は下地層の結晶配向の影響を受けて、（０００１）面を下地と平行にした多結晶配向膜が成長することになる。これを満足させるために、下地層に用いる材料としては、上述した金属材料（Ｐｔ、Ｔｉ、Ｓｃ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｕ、ＡｕおよびＨｆなど）を用いる。構造的には、Ｔｉ、Ｓｃ、ＲｕおよびＨｆがｈｃｐ構造を持ち、Ｐｔ、Ｐｄ、ＣｕおよびＡｕがｆｃｃ構造を持つ。
実施例に係る磁気トンネル接合素子においては、固定層として、上述したＣｏ／Ｐｔ積層膜、Ｃｏ／Ｐｄ積層膜、Ｃｏ／Ｎｉ積層膜、ＣｏＰｔ合金膜、ＣｏＣｒＰｔ合金膜およびＣｏＣｒＲｕ合金膜などのＣｏ合金系の垂直磁性膜を用いる。そこで、このＣｏ合金膜が垂直磁気異方性を持つには、上述のように、ｈｃｐ構造の磁化容易軸である（０００１）方向が基板と垂直な多結晶配向膜であることが必要であるため、下地層の上にＣｏ合金膜をヘテロエピタキシャルに成長させる方法が用いられる。すなわち、ｈｃｐ構造の最稠密面の原子配列と同様な配列のｈｃｐ構造の（０００１）配向膜あるいはｆｃｃ構造の（１１１）配向膜を下地層にして、その上にＣｏ合金を成膜すると、Ｃｏ合金膜は下地層の結晶配向の影響を受けて、（０００１）面を下地と平行にした多結晶配向膜が成長することになる。これを満足させるために、下地層に用いる材料としては、上述した金属材料（Ｐｔ、Ｔｉ、Ｓｃ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｕ、ＡｕおよびＨｆなど）を用いる。構造的には、Ｔｉ、Ｓｃ、ＲｕおよびＨｆがｈｃｐ構造を持ち、Ｐｔ、Ｐｄ、ＣｕおよびＡｕがｆｃｃ構造を持つ。
下地層のＰｔ下地にＰＴを施すに当たって、まず、図５に、ＰＴ実施のあり／なしの場合において、Ｐｔ表面の平均表面粗さ（Ｒａ）を測定した結果を示す。Ｐｔ下地に対して、図５の（ａ）がＰＴなしの場合の測定結果を示し、図５の（ｂ）がＰＴあり（ＰＴ処理により厚さ８ｎｍのＰｔが厚さ５ｎｍとなり、ＰＴなしの場合と同等の状態とした）の場合の測定結果を示す。Ｐｔ表面の平均表面粗さ（Ｒａ）の測定結果は、ＰＴなしの場合がＲａ＝０．２１９ｎｍ、ＰＴありの場合がＲａ＝０．２２８ｎｍで、ほとんど差がないことが分かった。
そこで、下地層のＰｔ下地に、さらに固定層を積層した場合の表面粗さの変化について測定した。固定層として、厚さ０．５ｎｍのＣｏ膜と厚さ０．３ｎｍのＰｔ膜とをそれぞれ交互に４回積層した上に（以下、この積層を「Ｃｏ／Ｐｔ」と略し、図面中では、この４回積層を[Ｃｏ（０．５）／Ｐｔ（０．３）]４で示す）、厚さ０．５ｎｍのＣｏ膜（上述した、第３の強磁性層３１に対応）を積層した。図６に、この場合のＰｔ下地に対するＰＴ実施の有無によるＣｏ／Ｐｔ表面の平均表面粗さ（Ｒａ）の測定結果を示す。図６の（ａ）がＰＴなしの場合の測定結果を示し、図６の（ｂ）がＰＴあり（図５と同様に、ＰＴ処理により厚さ８ｎｍのＰｔが厚さ５ｎｍとなり、ＰＴなしの場合と同等の状態とした）の場合の測定結果を示す。ＰＴなしの場合がＲａ＝０．２４１ｎｍ、ＰＴありの場合がＲａ＝０．１８１ｎｍとなり、固定層を積層した状態においても、Ｐｔ下地にＰＴを実施することによりＣｏ／Ｐｔが平滑になることが分かった。
次に、プラズマトリートメント（ＰＴ）による耐熱性への効果について述べる。
Ｐｔ下地に対してＰＴを実施することにより、熱処理後に［Ｃｏ／Ｐｔ］多層膜の垂直磁気異方性がどのように変化するかを測定した。図７は、図６に示す積層構造に厚さ３ｎｍ（非磁性層３３に対応）を積層した状態において、Ｐｔ下地に対するＰＴのあり／なしのそれぞれについて、成膜直後（ａｓ ｄｅｐｏ）と４００℃で１時間熱処理した場合の異方性磁界Ｈｋの測定値の比較結果を示す。図７の（ａ）がＰＴなしの積層構造、図７の（ｂ）がＰＴありの積層構造、図７の（ｃ）がＰＴのあり／なしのそれぞれの異方性磁界Ｈｋの測定値のグラフ、を示す。図７の（ａ）と（ｂ）とは、ＰＴ処理後では同じ積層構造となっているが、図５および６と同様に、（ｂ）のＰＴありの場合は、ＰＴ処理によりＰｔ膜の厚さが８ｎｍから５ｎｍとなったものである。この４００℃の熱処理により、ＰＴなしの場合には、異方性磁界Ｈｋが半分近くまで減少しているのに対し、ＰＴありの場合には、異方性磁界Ｈｋの減少率は１割弱に留まっていることが分かる。すなわち、Ｐｔ下地に対してＰＴを行うことで、４００℃の熱処理後であっても、［Ｃｏ／Ｐｔ］多層膜の垂直磁気異方性の劣化を抑制できることが分かった。
Ｐｔ下地に対してＰＴを実施することにより、熱処理後に［Ｃｏ／Ｐｔ］多層膜の垂直磁気異方性がどのように変化するかを測定した。図７は、図６に示す積層構造に厚さ３ｎｍ（非磁性層３３に対応）を積層した状態において、Ｐｔ下地に対するＰＴのあり／なしのそれぞれについて、成膜直後（ａｓ ｄｅｐｏ）と４００℃で１時間熱処理した場合の異方性磁界Ｈｋの測定値の比較結果を示す。図７の（ａ）がＰＴなしの積層構造、図７の（ｂ）がＰＴありの積層構造、図７の（ｃ）がＰＴのあり／なしのそれぞれの異方性磁界Ｈｋの測定値のグラフ、を示す。図７の（ａ）と（ｂ）とは、ＰＴ処理後では同じ積層構造となっているが、図５および６と同様に、（ｂ）のＰＴありの場合は、ＰＴ処理によりＰｔ膜の厚さが８ｎｍから５ｎｍとなったものである。この４００℃の熱処理により、ＰＴなしの場合には、異方性磁界Ｈｋが半分近くまで減少しているのに対し、ＰＴありの場合には、異方性磁界Ｈｋの減少率は１割弱に留まっていることが分かる。すなわち、Ｐｔ下地に対してＰＴを行うことで、４００℃の熱処理後であっても、［Ｃｏ／Ｐｔ］多層膜の垂直磁気異方性の劣化を抑制できることが分かった。
図８は、本発明の実施例に係る磁気トンネル接合素子の製造方法の簡略図である。磁気トンネル接合素子を積層して製造する工程において、下地層を構成する（例えば、Ｐｔ）を成膜後に、Ａｒ、ＫｒおよびＸｅ等の希ガスによってこのＰｔ表面にプラズマトリートメント（ＰＴ）を施し、それに続いて、例えば［Ｃｏ／Ｐｔ］から成る固定層を成膜する。
ここで、このプラズマトリートメント（ＰＴ）を施すことにより、磁気特性に対してどのような効果があったかについて述べる。
図９は、先に述べた磁気トンネル接合素子の積層構造にあって、上記Ｐｔ下地に対するＰＴのあり／なしの場合におけるＴＭＲ比および接合抵抗（ＲＡ）の測定値の変化を示す図（グラフ）である。図９の（ａ）に、実際の測定に用いた磁気トンネル接合素子の積層構造を示し、図９の（ｂ）に、ＰＴのあり／なしのそれぞれにおけるＴＭＲ比および接合抵抗（ＲＡ）の測定値のグラフを示す。図９の（ａ）では、簡略的に、下地層に記す、「Ｐｔ（５）」がＰＴなしの場合を示し、「Ｐｔ（８→５）」がＰＴありの場合を示す（すなわち、図５〜７と同様である）。また、ＲＡ（Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ−Ａｒｅａ ｐｒｏｄｕｃｔ）は接合抵抗を表し、その値はＴＭＲ素子の単位面積（１μｍ２）当たりの規格化抵抗値であってトンネル膜の性能指標といえるものである。
図９は、先に述べた磁気トンネル接合素子の積層構造にあって、上記Ｐｔ下地に対するＰＴのあり／なしの場合におけるＴＭＲ比および接合抵抗（ＲＡ）の測定値の変化を示す図（グラフ）である。図９の（ａ）に、実際の測定に用いた磁気トンネル接合素子の積層構造を示し、図９の（ｂ）に、ＰＴのあり／なしのそれぞれにおけるＴＭＲ比および接合抵抗（ＲＡ）の測定値のグラフを示す。図９の（ａ）では、簡略的に、下地層に記す、「Ｐｔ（５）」がＰＴなしの場合を示し、「Ｐｔ（８→５）」がＰＴありの場合を示す（すなわち、図５〜７と同様である）。また、ＲＡ（Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ−Ａｒｅａ ｐｒｏｄｕｃｔ）は接合抵抗を表し、その値はＴＭＲ素子の単位面積（１μｍ２）当たりの規格化抵抗値であってトンネル膜の性能指標といえるものである。
ＴＭＲ比に関しては、ＰＴありの場合は、ＰＴなしの場合よりＴＭＲ比が約２０％増加することが分かり、抵抗値（ＲＡ）に関しては、若干の減少はあるが大きな変動はないことが分かった。すなわち、上記Ｐｔ下地に対してＰＴを行うことで、ＴＭＲ比特性、延いては磁気特性の向上を図ることができる。
さらに、プラズマトリートメント（ＰＴ）による削り量とＴＭＲ比特性との関係について述べる。
図１０は、先に述べた磁気トンネル接合素子の積層構造にあって、上記Ｐｔ下地に対してＰＴによる削り量とＴＭＲ比との関係を示す図（グラフ）である。図１０の（ａ）に、実際の測定に用いた磁気トンネル接合素子の積層構造を示し、図１０の（ｂ）に、ＰＴなしからＰＴによるＰｔ削り量６ｎｍまでのＴＭＲ比の特性をグラフで示す。削り量３ｎｍ程度をピークに、削り量が少なくても多くてもＴＭＲ比は減少する傾向にあることが分かる。すなわち、削り量を大きくとればＴＭＲ比の特性が向上していくものではなく、適正な削り量が存在することになる。
図１０は、先に述べた磁気トンネル接合素子の積層構造にあって、上記Ｐｔ下地に対してＰＴによる削り量とＴＭＲ比との関係を示す図（グラフ）である。図１０の（ａ）に、実際の測定に用いた磁気トンネル接合素子の積層構造を示し、図１０の（ｂ）に、ＰＴなしからＰＴによるＰｔ削り量６ｎｍまでのＴＭＲ比の特性をグラフで示す。削り量３ｎｍ程度をピークに、削り量が少なくても多くてもＴＭＲ比は減少する傾向にあることが分かる。すなわち、削り量を大きくとればＴＭＲ比の特性が向上していくものではなく、適正な削り量が存在することになる。
次に、上記Ｐｔ下地に対するプラズマトリートメント（ＰＴ）により、磁気トンネル接合素子の積層構造にどのような現象（変化）が生じたかについて述べる。
図１１は、上記Ｐｔ下地に対するＰＴのあり／なしの場合に、磁気トンネル接合素子の積層構造に対するＥＤＸ線（エネルギー分散型Ｘ線）分析を、元素Ｆｅについて行った結果を示す図（グラフ）である。図１１の（ａ）にＰＴなしの場合、図１１の（ｂ）にＰＴありの場合の各特性を示す。図示の積層構造に沿うと、右側の下地層から成膜し、当該下地層を構成するＰｔ（Ｐｔ下地）に対してプラズマトリートメント（ＰＴ）を実施するか否か（ＰＴのあり／なし）の場合のＥＤＸ線分析結果である。双方共に、グラフ上に示す磁気トンネル接合素子の積層構造に含まれるＦｅの含有特性を表し、成膜直後（ａｓ ｄｅｐｏ）の分析結果を実線で示し、４００℃で１時間熱処理（アニール処理）した後の分析結果を破線で示している。
図１１は、上記Ｐｔ下地に対するＰＴのあり／なしの場合に、磁気トンネル接合素子の積層構造に対するＥＤＸ線（エネルギー分散型Ｘ線）分析を、元素Ｆｅについて行った結果を示す図（グラフ）である。図１１の（ａ）にＰＴなしの場合、図１１の（ｂ）にＰＴありの場合の各特性を示す。図示の積層構造に沿うと、右側の下地層から成膜し、当該下地層を構成するＰｔ（Ｐｔ下地）に対してプラズマトリートメント（ＰＴ）を実施するか否か（ＰＴのあり／なし）の場合のＥＤＸ線分析結果である。双方共に、グラフ上に示す磁気トンネル接合素子の積層構造に含まれるＦｅの含有特性を表し、成膜直後（ａｓ ｄｅｐｏ）の分析結果を実線で示し、４００℃で１時間熱処理（アニール処理）した後の分析結果を破線で示している。
図１１の（ａ）に示すように、Ｐｔ下地に対するＰＴなしの場合には、４００℃で熱処理（アニール処理）を行うことによって、参照層を構成するＣｏＦｅＢに含まれるＦｅが、固定層の［Ｃｏ／Ｐｔ］側に拡散していることがグラフより明らかである（矢印で示すように、実線から破線へ変化）。ところが、図１１の（ｂ）に示すように、Ｐｔ下地に対するＰＴありの場合には、４００℃で熱処理（アニール処理）を行っても、参照層を構成するＣｏＦｅＢに含まれるＦｅに大きな変化はなく、上記Ｆｅの拡散が抑制されていることが分かる。この時、Ｃｏ／Ｐｔ中に拡散したＦｅ元素の量は２ａｔ％／ｎｍ以下である。これにより、垂直磁気異方性の劣化が抑制され、ＴＭＲ比は向上することになる。
さらに、断面のＴＥＭ観察（透過型電子顕微鏡による断面観察）により、上記Ｐｔ下地に対するプラズマトリートメント（ＰＴ）のあり／なしの場合における、結晶粒サイズの変化や層の格子間隔の変化の様子を示す。
図１２は、４００℃で１時間熱処理（アニール処理）を行った場合に、磁気トンネル接合素子の断面をＴＥＭで撮像した図である。図１２の（ａ）がＰＴなしのサンプルの撮像図で、図１２の（ｂ）がＰＴありのサンプルの撮像図である。固定層の断面である［Ｃｏ／Ｐｔ］の粒界に着目すると、両図において、「▽」で示される部分が［Ｃｏ／Ｐｔ］の粒界である。図示のとおり、ＰＴなしのサンプルでは、［Ｃｏ／Ｐｔ］の粒子サイズが１３ｎｍ程度であるが、ＰＴありのサンプルでは、２０ｎｍ程度であると推測される。このようにグレインサイズが大きくなることにより、ラフネスが低減され、垂直磁気異方性が増加したものと推測される。また、グレインサイズが大きくなることによって、結晶粒界が減少することから、結晶粒界を通したＦｅ元素の拡散が抑制される。
図１２は、４００℃で１時間熱処理（アニール処理）を行った場合に、磁気トンネル接合素子の断面をＴＥＭで撮像した図である。図１２の（ａ）がＰＴなしのサンプルの撮像図で、図１２の（ｂ）がＰＴありのサンプルの撮像図である。固定層の断面である［Ｃｏ／Ｐｔ］の粒界に着目すると、両図において、「▽」で示される部分が［Ｃｏ／Ｐｔ］の粒界である。図示のとおり、ＰＴなしのサンプルでは、［Ｃｏ／Ｐｔ］の粒子サイズが１３ｎｍ程度であるが、ＰＴありのサンプルでは、２０ｎｍ程度であると推測される。このようにグレインサイズが大きくなることにより、ラフネスが低減され、垂直磁気異方性が増加したものと推測される。また、グレインサイズが大きくなることによって、結晶粒界が減少することから、結晶粒界を通したＦｅ元素の拡散が抑制される。
図１３および図１４は、同じく４００℃で１時間熱処理（アニール処理）を行った場合に、固定層の［Ｃｏ／Ｐｔ］からその下の下地層のＰｔ、さらに下の下部電極のＴａＮまでの断面をＴＥＭで撮像した図である。共に、図１３および図１４の（ａ）がＰＴなしのサンプルの撮像図で、図１３および図１４の（ｂ）がＰＴありのサンプルの撮像図である。図１４は、特に、［Ｃｏ／Ｐｔ］部分を拡大した図である。ＰＴなしの場合には、Ｐｔの格子間隔は２．２９Å程度、［Ｃｏ／Ｐｔ］の格子間隔は２．１２Å程度である。一方、ＰＴありの場合には、Ｐｔの格子間隔は２．３１Å程度で、［Ｃｏ／Ｐｔ］の格子間隔は２．１８Å程度となる。
図を比較してみると、結晶配向性および格子間隔がＰＴの有無により変化していることが観察できる。固定層の［Ｃｏ／Ｐｔ］に関しては、図１４から明らかなように、ＰＴありの方が［Ｃｏ／Ｐｔ］の結晶格子縞が揃っていることが観察できる。すなわち、［Ｃｏ／Ｐｔ］の結晶配向性が向上していることが確認できたものである。
図を比較してみると、結晶配向性および格子間隔がＰＴの有無により変化していることが観察できる。固定層の［Ｃｏ／Ｐｔ］に関しては、図１４から明らかなように、ＰＴありの方が［Ｃｏ／Ｐｔ］の結晶格子縞が揃っていることが観察できる。すなわち、［Ｃｏ／Ｐｔ］の結晶配向性が向上していることが確認できたものである。
上記した［Ｃｏ／Ｐｔ］の結晶配向性の向上、すなわち、Ｐｔ下地に対するプラズマトリートメント（ＰＴ）による耐熱性向上について、高分解能ＲＢＳ（ＨＲ−ＲＢＳ：Ｈｉｇｈ Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）分析（以下、「ＨＲ−ＲＢＳ分析」という）を行って評価した結果を以下に示す。
図１５は、ＨＲ−ＲＢＳ分析による比較のために、Ｐｔ下地に対してＡｒを使ったプラズマトリートメント（ＰＴ）のあり／なしを示した模式図である。（ａ）がＰＴなし、（ｂ）がＰＴありの場合であり、そのＰｔ−ＰＴ条件は、図示のとおりである。シリコン（Ｓｉ）基板上に５０ｎｍのＰｔをＫｒガスで成膜し、成膜後にその場で表面にプラズマトリートメント（ＰＴ）を行った。その後、サンプルをＨＲ−ＲＢＳ分析し、Ａｒの打ち込み深さおよび打ち込み量を評価した。
図１６は、上記のＨＲ−ＲＢＳ分析による測定結果を示した図で、（ａ）がＰＴなし、（ｂ）がＰＴありの場合である。共に右側に、縦軸の原子パーセント（ａｔ％）を拡大した図を示す（最大値を１００％から５％に拡大）。（ｂ）に示されるように、ＰＴを行ったサンプルでは、Ｐｔ表面から１０ｎｍまでの範囲でＡｒが検出された。また、シリコン（Ｓｉ）基板表面のＡｒは、成膜前の基板クリーニングの際に打ち込まれたものである。なお、図中、Ｋｒのグラフ線種を記しているが、測定により検出下限以下であったため、図中には現れていない。
このように、ＡｒがＰｔ下地に打ち込まれることにより、該Ｐｔの結晶格子間隔が変化し、［Ｃｏ／Ｐｔ］の結晶格子不整合が減少してその結晶配向性が向上したものと評価できる。これにより、垂直磁気特性を向上させることができる。
このように、ＡｒがＰｔ下地に打ち込まれることにより、該Ｐｔの結晶格子間隔が変化し、［Ｃｏ／Ｐｔ］の結晶格子不整合が減少してその結晶配向性が向上したものと評価できる。これにより、垂直磁気特性を向上させることができる。
以上のとおり、本発明に係る製造方法による磁気トンネル接合素子の断面のＴＥＭ観察による分析結果から、上記Ｐｔ下地に対してプラズマトリートメント（ＰＴ）を行うことの効果として以下のことが判明した。すなわち、このＰｔの結晶配向性を変えることによって、［Ｃｏ／Ｐｔ］の結晶粒が大きくなり、それにより、結晶粒界の減少によるＦｅの粒界拡散が抑制され、また、［Ｃｏ／Ｐｔ］の結晶配向性が向上し、これらによって、耐熱性および垂直磁気異方性を向上させることができたものである。
また、本発明に係る磁気トンネル接合素子は、その固定層として、上記Ｃｏ合金系の垂直磁性膜の他にも種々の結晶性磁性膜を採用できる。
例えば、ＦｅＰｔ垂直磁性膜を用いることができる。ＦｅＰｔ合金は、Ｌ１０型の規則合金であり、基板垂直方向に磁化するには、結晶ｃ軸を膜面垂直に結晶配向させる必要がある。このような、結晶を配向させる下地膜の結晶構造としては、ＮａＣｌ構造、ｆｃｃ構造およびｂｃｃ構造をもつものがよく用いられている。例えば、下地膜として、ＮａＣｌ構造のＭｇＯ膜、ｆｃｃ結晶構造のＣｒＲｕ合金膜およびｂｃｃ結晶構造のＣｒ／Ｔａ、Ｃｒ／ＭｇＯ積層膜などがよく用いられる。
更には、ＳｍＣｏ５系の垂直磁性膜を用いることもできる。この場合にも、基板垂直方向に磁化するには、結晶ｃ軸を膜面垂直に結晶配向させる必要がある。このような、結晶を配向させる下地膜の結晶構造としては、ｆｃｃ構造をもつものが用いられる。例えば、ｆｃｃ結晶構造のＣｕ、Ｃｕ／Ｔｉ積層膜などがよく用いられる。
例えば、ＦｅＰｔ垂直磁性膜を用いることができる。ＦｅＰｔ合金は、Ｌ１０型の規則合金であり、基板垂直方向に磁化するには、結晶ｃ軸を膜面垂直に結晶配向させる必要がある。このような、結晶を配向させる下地膜の結晶構造としては、ＮａＣｌ構造、ｆｃｃ構造およびｂｃｃ構造をもつものがよく用いられている。例えば、下地膜として、ＮａＣｌ構造のＭｇＯ膜、ｆｃｃ結晶構造のＣｒＲｕ合金膜およびｂｃｃ結晶構造のＣｒ／Ｔａ、Ｃｒ／ＭｇＯ積層膜などがよく用いられる。
更には、ＳｍＣｏ５系の垂直磁性膜を用いることもできる。この場合にも、基板垂直方向に磁化するには、結晶ｃ軸を膜面垂直に結晶配向させる必要がある。このような、結晶を配向させる下地膜の結晶構造としては、ｆｃｃ構造をもつものが用いられる。例えば、ｆｃｃ結晶構造のＣｕ、Ｃｕ／Ｔｉ積層膜などがよく用いられる。
そしてまた、本発明に係る磁気トンネル接合素子の適用性に関しては、ＳＴＴ素子だけではなく、３端子のＳＯＴ（Ｓｐｉｎ Ｏｒｂｉｔ Ｔｏｒｑｕｅ）素子にも適用可能である。
１０ 磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子
１１ 参照層
１２ 障壁層
１３ 記録層
１４ 保護層
１５ 基層
２５ 固定層
２６ 磁気結合層
２７ 基板
２８ 下部電極層
２９ 下地層
３０ 上部電極層
３１ 第３の強磁性層
３２ 第４の強磁性層
３３ 非磁性層
１１ 参照層
１２ 障壁層
１３ 記録層
１４ 保護層
１５ 基層
２５ 固定層
２６ 磁気結合層
２７ 基板
２８ 下部電極層
２９ 下地層
３０ 上部電極層
３１ 第３の強磁性層
３２ 第４の強磁性層
３３ 非磁性層
【０００５】
その後熱処理が施される。その時に、参照層１１を構成するＣｏＦｅＢのＦｅが熱処理（アニール処理）により下層のＣｏ／Ｐｔ多層膜側に拡散する現象が発生することが、測定分析（本発明の実施例において後述するが、図１１の（ａ）に示すように、ＥＤＸ線（エネルギー分散型Ｘ線）分析）により判明した。この現象は、垂直磁気異方性を劣化させＴＭＲ比の低下を引き起こす課題を呈するものである。
［００１８］
本発明は、この課題に着目してなされたもので、この課題を解決して、耐熱性およびＴＭＲ比を向上させる磁気トンネル接合素子の製造方法および該製造方法によって生成した磁気トンネル接合素子を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
［００１９］
上記目的を達成するために、本発明に係る磁気トンネル接合素子の製造方法は、金属表面のスパッタエッチング、いわゆる「プラズマトリートメント（Ｐｌａｓｍａ Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）」（以下では、略して「ＰＴ」という）を活用する。すなわち、積層順に、金属材料から成る下地層、強磁性体から成り磁化方向が固定である固定層、非磁性体から成る磁気結合層、強磁性体から成り磁化方向が固定である参照層、非磁性体から成る障壁層および強磁性体から成る記録層を積層して、または、積層順に、強磁性体から成る記録層、非磁性体から成る障壁層、強磁性体から成り磁化方向が固定である参照層、非磁性体から成る磁気結合層、金属材料から成る下地層および強磁性体から成り磁化方向が固定である固定層を積層して、磁気トンネル接合素子を構成するに際して、成膜した下地層の表面をプラズマトリートメントにした後に固定層を成膜して積層することを特徴とする。
発明の効果
［００２０］
本発明は、磁気トンネル接合素子の下地層であるＰｔ下地を成膜後に、Ａｒ等でこのＰｔ表面をプラズマトリートメントした後に、［Ｃｏ／Ｐｔ］多層膜から成る固定層を成膜することにより、［Ｃｏ／Ｐｔ］多層膜から成る固定層の平滑性および結晶配向性が向上し、磁気トンネル接合素
その後熱処理が施される。その時に、参照層１１を構成するＣｏＦｅＢのＦｅが熱処理（アニール処理）により下層のＣｏ／Ｐｔ多層膜側に拡散する現象が発生することが、測定分析（本発明の実施例において後述するが、図１１の（ａ）に示すように、ＥＤＸ線（エネルギー分散型Ｘ線）分析）により判明した。この現象は、垂直磁気異方性を劣化させＴＭＲ比の低下を引き起こす課題を呈するものである。
［００１８］
本発明は、この課題に着目してなされたもので、この課題を解決して、耐熱性およびＴＭＲ比を向上させる磁気トンネル接合素子の製造方法および該製造方法によって生成した磁気トンネル接合素子を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
［００１９］
上記目的を達成するために、本発明に係る磁気トンネル接合素子の製造方法は、金属表面のスパッタエッチング、いわゆる「プラズマトリートメント（Ｐｌａｓｍａ Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）」（以下では、略して「ＰＴ」という）を活用する。すなわち、積層順に、金属材料から成る下地層、強磁性体から成り磁化方向が固定である固定層、非磁性体から成る磁気結合層、強磁性体から成り磁化方向が固定である参照層、非磁性体から成る障壁層および強磁性体から成る記録層を積層して、または、積層順に、強磁性体から成る記録層、非磁性体から成る障壁層、強磁性体から成り磁化方向が固定である参照層、非磁性体から成る磁気結合層、金属材料から成る下地層および強磁性体から成り磁化方向が固定である固定層を積層して、磁気トンネル接合素子を構成するに際して、成膜した下地層の表面をプラズマトリートメントにした後に固定層を成膜して積層することを特徴とする。
発明の効果
［００２０］
本発明は、磁気トンネル接合素子の下地層であるＰｔ下地を成膜後に、Ａｒ等でこのＰｔ表面をプラズマトリートメントした後に、［Ｃｏ／Ｐｔ］多層膜から成る固定層を成膜することにより、［Ｃｏ／Ｐｔ］多層膜から成る固定層の平滑性および結晶配向性が向上し、磁気トンネル接合素
Claims (8)
- 積層順に、
金属材料から成る下地層、
強磁性体から成り磁化方向が固定である固定層、
非磁性体から成る磁気結合層、
強磁性体から成り磁化方向が固定である参照層、
非磁性体から成る障壁層および
強磁性体から成る記録層
を積層して構成する磁気トンネル接合素子、
または、積層順に、
強磁性体から成る記録層、
非磁性体から成る障壁層、
強磁性体から成り磁化方向が固定である参照層、
非磁性体から成る磁気結合層、
金属材料から成る下地層および
強磁性体から成り磁化方向が固定である固定層
を積層して構成する磁気トンネル接合素子
の製造方法であって、
成膜した前記下地層の表面をプラズマトリートメントにした後に前記固定層を成膜して積層する
ことを特徴とする磁気トンネル接合素子の製造方法。 - 請求項１に記載の磁気トンネル接合素子の製造方法であって、
前記固定層は、強磁性体から成る２つの層に非磁性体から成る層が挟まれる構造に積層する
ことを特徴とする磁気トンネル接合素子の製造方法。 - 請求項１または２に記載の磁気トンネル接合素子の製造方法であって、
前記下地層を構成する前記金属材料は、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、スカンジウム（Ｓｃ）、パラジウム（Ｐｄ）、ルテニウム（Ｒｕ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）およびハフニウム（Ｈｆ）のいずれか１つである
ことを特徴とする磁気トンネル接合素子の製造方法。 - 請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気トンネル接合素子の製造方法であって、
前記プラズマトリートメントには、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）およびキセノン（Ｘｅ）の少なくともいずれか１つを用いる
ことを特徴とする磁気トンネル接合素子の製造方法。 - 積層順に、
金属材料から成り、自らの表面がプラズマトリートメントされた下地層、
強磁性体から成り磁化方向が固定である固定層、
非磁性体から成る磁気結合層、
強磁性体から成り磁化方向が固定である参照層、
非磁性体から成る障壁層および
強磁性体から成る記録層
の積層体から構成される磁気トンネル接合素子。 - 積層順に、
強磁性体から成る記録層、
非磁性体から成る障壁層、
強磁性体から成り磁化方向が固定である参照層、
非磁性体から成る磁気結合層、
金属材料から成り、自らの表面がプラズマトリートメントされた下地層および
強磁性体から成り磁化方向が固定である固定層
の積層体から構成される磁気トンネル接合素子。 - 請求項５または６に記載の磁気トンネル接合素子であって、
前記固定層は、強磁性体から成る２つの層と当該２つの層に挟まれた非磁性体から成る層とから構成させる磁気トンネル接合素子。 - 請求項５〜７のいずれか１項に記載の磁気トンネル接合素子であって、
前記記録層の前記障壁層とは反対側に隣接して設けられる保護層を有する磁気トンネル接合素子。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016166988 | 2016-08-29 | ||
| JP2016166988 | 2016-08-29 | ||
| PCT/JP2017/011263 WO2018042732A1 (ja) | 2016-08-29 | 2017-03-21 | 磁気トンネル接合素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2018042732A1 true JPWO2018042732A1 (ja) | 2019-09-05 |
| JP7002134B2 JP7002134B2 (ja) | 2022-01-25 |
Family
ID=61300329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018536923A Active JP7002134B2 (ja) | 2016-08-29 | 2017-03-21 | 磁気トンネル接合素子およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10833256B2 (ja) |
| JP (1) | JP7002134B2 (ja) |
| WO (1) | WO2018042732A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10573447B2 (en) * | 2015-03-31 | 2020-02-25 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Thin film magnet and method for manufacturing thin film magnet |
| US10957849B2 (en) * | 2018-05-24 | 2021-03-23 | Applied Materials, Inc. | Magnetic tunnel junctions with coupling-pinning layer lattice matching |
| JP2020161604A (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | 株式会社デンソー | 磁気センサおよびその製造方法 |
| CN111243816A (zh) * | 2020-01-16 | 2020-06-05 | 东华理工大学 | 磁化材料、制备方法、垂直磁化膜结构、电子自旋器件 |
| US20240196755A1 (en) * | 2022-12-10 | 2024-06-13 | International Business Machines Corporation | Reactive serial resistance reduction for magnetoresistive random-access memory devices |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1197531A (ja) * | 1997-09-17 | 1999-04-09 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH11251141A (ja) * | 1998-03-04 | 1999-09-17 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 高い交換結合磁場を有する積層膜および素子 |
| JPH11330588A (ja) * | 1998-05-20 | 1999-11-30 | Sony Corp | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法、ならびに磁気記録再生装置 |
| JP2003197673A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2015088613A (ja) * | 2013-10-30 | 2015-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | Ｍｔｊ素子の製造方法 |
| WO2016125200A1 (ja) * | 2015-02-02 | 2016-08-11 | キヤノンアネルバ株式会社 | 垂直磁化型ｍｔｊ素子の製造方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6960480B1 (en) | 2004-05-19 | 2005-11-01 | Headway Technologies, Inc. | Method of forming a magnetic tunneling junction (MTJ) MRAM device and a tunneling magnetoresistive (TMR) read head |
| US20060292705A1 (en) * | 2005-06-24 | 2006-12-28 | Veeco Instruments Inc. | Method and process for fabricating read sensors for read-write heads in mass storage devices |
| US7791844B2 (en) * | 2005-12-14 | 2010-09-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetoresistive sensor having a magnetically stable free layer with a positive magnetostriction |
| JP5061595B2 (ja) * | 2006-11-24 | 2012-10-31 | Ｔｄｋ株式会社 | トンネル型磁気検出素子の製造方法 |
| WO2009044474A1 (ja) * | 2007-10-04 | 2009-04-09 | Canon Anelva Corporation | 真空薄膜形成加工装置 |
| US20130134032A1 (en) * | 2008-06-25 | 2013-05-30 | Canon Anelva Corporation | Method of fabricating and apparatus of fabricating tunnel magnetic resistive element |
| US9450177B2 (en) | 2010-03-10 | 2016-09-20 | Tohoku University | Magnetoresistive element and magnetic memory |
| US8920947B2 (en) | 2010-05-28 | 2014-12-30 | Headway Technologies, Inc. | Multilayer structure with high perpendicular anisotropy for device applications |
| JP5816867B2 (ja) | 2011-11-08 | 2015-11-18 | 国立大学法人東北大学 | トンネル磁気抵抗効果素子及びそれを用いたランダムアクセスメモリ |
| JP2016134510A (ja) * | 2015-01-20 | 2016-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 垂直磁化型磁気トンネル接合素子を形成する方法、及び垂直磁化型磁気トンネル接合素子の製造装置 |
-
2017
- 2017-03-21 WO PCT/JP2017/011263 patent/WO2018042732A1/ja active Application Filing
- 2017-03-21 JP JP2018536923A patent/JP7002134B2/ja active Active
- 2017-03-21 US US16/328,852 patent/US10833256B2/en active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1197531A (ja) * | 1997-09-17 | 1999-04-09 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH11251141A (ja) * | 1998-03-04 | 1999-09-17 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 高い交換結合磁場を有する積層膜および素子 |
| JPH11330588A (ja) * | 1998-05-20 | 1999-11-30 | Sony Corp | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法、ならびに磁気記録再生装置 |
| JP2003197673A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2015088613A (ja) * | 2013-10-30 | 2015-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | Ｍｔｊ素子の製造方法 |
| WO2016125200A1 (ja) * | 2015-02-02 | 2016-08-11 | キヤノンアネルバ株式会社 | 垂直磁化型ｍｔｊ素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20190189917A1 (en) | 2019-06-20 |
| WO2018042732A1 (ja) | 2018-03-08 |
| US10833256B2 (en) | 2020-11-10 |
| JP7002134B2 (ja) | 2022-01-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108011039B (zh) | 自旋轨道转矩型磁化反转元件及磁存储器 | |
| US10643681B2 (en) | Memory device | |
| US10230044B2 (en) | Fully compensated synthetic ferromagnet for spintronics applications | |
| EP2673807B1 (en) | Magnetic element with improved out-of-plane anisotropy for spintronic applications | |
| US9082888B2 (en) | Inverted orthogonal spin transfer layer stack | |
| US9281468B2 (en) | Magnetic memory element | |
| JP5988019B2 (ja) | 強磁性トンネル接合体とそれを用いた磁気抵抗効果素子及びスピントロニクスデバイス | |
| JP6754108B2 (ja) | 単結晶磁気抵抗素子、その製造方法及びその使用方法 | |
| WO2018042732A1 (ja) | 磁気トンネル接合素子およびその製造方法 | |
| JP5527669B2 (ja) | 強磁性トンネル接合体およびそれを用いた磁気抵抗効果素子 | |
| CN107408626B (zh) | 磁阻效应元件 | |
| US9082950B2 (en) | Increased magnetoresistance in an inverted orthogonal spin transfer layer stack | |
| WO2018159015A1 (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ | |
| JP2012151213A (ja) | 記憶素子、メモリ装置 | |
| JP6567272B2 (ja) | 磁性多層スタック | |
| JP2012151213A5 (ja) | ||
| WO2018134929A1 (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気メモリ及び磁気抵抗効果素子の製造方法 | |
| WO2018020730A1 (ja) | 磁気トンネル接合素子およびその製造方法 | |
| US10586919B2 (en) | Memory device | |
| JPWO2016158865A1 (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| KR20170093546A (ko) | 메모리 소자 | |
| KR20230118765A (ko) | 스핀궤도 토크(spin-orbit torque, SOT) 기반 자기터널 접합 및 이의 제조 방법 | |
| US11050014B2 (en) | Memory device | |
| KR102560822B1 (ko) | 스핀궤도 토크(spin-orbit torque, SOT) 기반 자기 터널 접합 및 이의 제조 방법 | |
| JP6986729B2 (ja) | 単結晶磁気抵抗素子、及びこれを用いたデバイス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A529 | Written submission of copy of amendment under article 34 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A5211 Effective date: 20190125 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20190125 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200303 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210601 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210719 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211130 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211220 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7002134 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |