JP6986729B2 - 単結晶磁気抵抗素子、及びこれを用いたデバイス - Google Patents
単結晶磁気抵抗素子、及びこれを用いたデバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP6986729B2 JP6986729B2 JP2017041147A JP2017041147A JP6986729B2 JP 6986729 B2 JP6986729 B2 JP 6986729B2 JP 2017041147 A JP2017041147 A JP 2017041147A JP 2017041147 A JP2017041147 A JP 2017041147A JP 6986729 B2 JP6986729 B2 JP 6986729B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- single crystal
- substrate
- magnetic
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
また、本発明は、上記の単結晶磁気抵抗素子及びこれを用いたデバイスに関する。
(i)Cu電極の上に成膜したアモルファスTa上にアモルファスCoFeBを成膜する。
(ii)上記(i)のアモルファスCoFeBの上に、強い(001)配向で成長するMgOトンネルバリアを成膜する。
(iii)上記(ii)のMgOトンネルバリアの上に、さらにアモルファスCoFeBを成膜する。
(iv)上記の成膜された多層膜を熱処理して、アモルファスCoFeBが体心立方構造のCoFeに結晶化する。
(v)このとき、多結晶の個々の結晶がミラー指数を用いて(001)[001]CoFe//(001)[011]MgOの整合関係になり、そのためにトンネル電子が高くスピン分極する。
そして、上記(i)〜(v)により高いトンネル磁気抵抗が発現する。
さらに本発明は、大口径のSi基板上に、MgO基板上と同様の(001)配向を有する単結晶素子を有する単結晶磁気抵抗素子を提供することを目的とする。
さらに本発明は、上記の単結晶磁気抵抗素子を用いたデバイスを提供することを目的とする。
拡散防止層12Aは、膜厚が30nmである場合、表面ラフネスが悪化し、また1nm未満の場合、連続的な膜を成さず拡散防止層としての効果が得られない。
第1の非磁性層13が100nm以上である場合、表面ラフネスが悪化し、また0.5nm未満の場合、連続的な膜を成さず下地層としての効果が得られず、本用途での必要な磁気抵抗比が得られない。
第2の非磁性層15の膜厚が20nm以上の場合、非磁性層中でのスピン緩和の影響が大きく、また1nm以下の場合、上部強磁性層16と下部強磁性層14の磁気的な結合が生まれ磁化相対角度が小さくなり、本用途での必要な磁気抵抗比が得られない。
上記の前記デバイスは、記憶素子上で使用される読み出しヘッド、磁界センサ、スピン電子回路、およびトンネル磁気抵抗(TMR)デバイスの何れか一つであるとよい。
図1は、本発明の実施形態を示す巨大磁気抵抗効果層を有する単結晶磁気抵抗素子の構成断面図である。図において、本実施形態の巨大磁気抵抗効果層を有する単結晶磁気抵抗素子10は、シリコン基板11、このシリコン基板11に積層されたB2構造の下地層12、当該B2構造の下地層12に積層された拡散防止層12A、この拡散防止層12Aに積層された第1の非磁性層13、巨大磁気抵抗効果層17及びキャップ層18を有している。巨大磁気抵抗効果層17は、下部強磁性層14及び上部強磁性層16、並びに当該下部強磁性層14と当該上部強磁性層16の間に設けられた第2の非磁性層15を有する積層体層からなるものであるが、これらの積層体層を複数積層しても良い。巨大磁気抵抗効果層17は、第1の非磁性層13とキャップ層18の間に位置している。なお、必要に応じてキャップ層18の上に、上部電極層を設けても良い。
下部強磁性層14は、Co基ホイスラー合金、Fe、CoFeからなる群から選ばれた少なくとも一種からなるとよい。下部強磁性層14は、膜厚が1nm以上10nm未満であるとよい。
上部強磁性層16は、Co基ホイスラー合金、FeおよびCoFeの一種からなる群から選ばれた少なくとも一種からなるとよい。上部強磁性層16は、膜厚が1nm以上10nm未満であるとよい。
キャップ層18は、Ag、Cr、W、Mo、Au、Pt、Pd、TaおよびRhからなる群から選ばれた少なくとも一種からなるとよい。キャップ層18は、膜厚が1nm以上100nm未満であるとよい。上部電極層を設ける場合には、電極用材料として多用されているCu、Al等を用いると良い。
図2は、本発明の実施形態を示す巨大磁気抵抗効果層を有する単結晶磁気抵抗素子10の製造方法を説明するフローチャートである。図において、まず最初の工程では、シリコン基板11の自然酸化膜を除去し(S100)、続いてシリコン基板11の基板温度を300℃以上600℃以下に保持する(S102)。そして、自然酸化膜を除去したシリコン基板11上に、B2構造を有する下地層を上記基板温度で成膜して、下地層12を成膜する(S104)。次に、下地層12を成膜したシリコン基板上に、拡散防止材料を上記基板温度で成膜する(S106A)。続いて、拡散防止材料を成膜したシリコン基板上に、第1の非強磁性材料を上記基板温度で成膜する(S106B)。この拡散防止材料で成膜された層は拡散防止層12Aに対応し、第1の非強磁性材料で成膜された層は、第1の非磁性層13に対応している。
比較例1は、Si(001)/NiAl/Ag/CFGG/Ag/CFGG/Ag/Ruと積層させた単結晶となるエピ型巨大磁気抵抗素子膜で、図中黒塗りの星印★で示してある。比較例2は、MgO(001)/NiAl/Ag/CFGG/Ag/CFGG/Ag/Ruと積層させた単結晶となるエピ型巨大磁気抵抗素子膜で、図中黒塗りの四角印■で示してある。比較例3は、insituでアニール処理された多結晶巨大磁気抵抗素子膜で、図中黒塗りの三画印▲で示してある。比較例4は、exsituでアニール処理された多結晶巨大磁気抵抗素子膜で、図中黒塗りの丸印●で示してある。比較例5は、結晶成長が(011)配向膜の場合の多結晶巨大磁気抵抗素子膜で、図中黒塗りの菱形印◆で示してある。
比較例3−5は多結晶巨大磁気抵抗素子膜であるため、本発明の実施例と比較して、抵抗変化面積積(ΔRA)がかなり低い。
拡散防止層12AとしてのCoFe層が存在することで、B2構造の下地層12であるNiAl層から第1の非磁性層13であるAg層へのAlの拡散が防止されている。
図6は、本発明の比較例を示す薄膜断面図で、(A)は透過型電子顕微鏡像、(B)は各組成元素のエネルギー分散スペクトル元素マッピング像を示している。なお図6(B)において、各組成元素の配置関係は図4(B)の配置と同様である。拡散防止層12AとしてのCoFe層が存在しないため、アニール処理温度が400℃の場合と高温の場合には、B2構造の下地層12であるNiAl層から第1の非磁性層13であるAg層へのAlの拡散が生じている。
Ag下地層はNiAl上に(001)配向した単結晶成長可能な材料であれば代替が可能である。例えば、Cr、Fe、W、Moなどbcc系材料やAu、Pt、Pd、Rhなどfcc系材料など、NiAlと格子不整合が10%未満の材料単体であれば単結晶成長が期待されるため、単体かあるいはそれらの積層構造を代替して利用することは可能である。
12、22 B2構造のNiAlの下地層
12A 拡散防止層
13 第1の非磁性層
14、24 下部強磁性層
15 第2の非磁性層
16、26 上部強磁性層
17 巨大磁気抵抗効果層
18、28 キャップ層
25 絶縁体層
27 トンネル磁気抵抗効果層
Claims (6)
- Si(001)単結晶基板であるシリコン基板と、
このシリコン基板に積層されたB2構造の下地層であって、前記B2構造の下地層はNiAl、CoAl、FeAlからなる群から選ばれた少なくとも一種であり、
当該B2構造の下地層に積層された拡散防止層であって、Fe、CoFeからなる群から選ばれた少なくとも一種からなり、
この拡散防止層に積層された第1の非磁性層であって、Ag、V、Cr、W、Mo、Au、Pt、Pd、Ta、Ru、Re、Rh、NiO、CoO、TiN、CuNからなる群から選ばれた少なくとも一種であり、
下部強磁性層及び上部強磁性層、並びに当該下部強磁性層と当該上部強磁性層の間に設けられた第2の非磁性層を有する積層体層を少なくとも一つ有する巨大磁気抵抗効果層とを備え、
前記下部強磁性層は、Co基ホイスラー合金、Fe、CoFeからなる群から選ばれた少なくとも一種からなり、
前記第2の非磁性層はAg、Cr、W、Mo、Au、Pt、Pd、TaおよびRhからなる群から選ばれた少なくとも一種からなり、
前記上部強磁性層は、Co基ホイスラー合金、FeおよびCoFeの一種からなる群から選ばれた少なくとも一種からなる
ことを特徴とする磁気抵抗素子。 - 前記Co基ホイスラー合金は、式Co2YZで表されると共に、
式中、YはTi、V、Cr、MnおよびFeからなる群から選ばれた少なくとも一種からなり、ZはAl、Si、Ga、GeおよびSnからなる群から選ばれた少なくとも一種からなることを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗素子。 - 前記B2構造の下地層は、膜厚が10nm以上200nm未満であり、
前記拡散防止層は、膜厚が1nm以上30nm未満であり、
前記第1の非磁性層は、膜厚が0.5nm以上100nm未満であり、
前記下部強磁性層は、膜厚が1nm以上10nm未満であり、
前記第2の非磁性層は、膜厚が1nm以上20nm未満であり、
前記上部強磁性層は、膜厚が1nm以上10nm未満であることを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気抵抗素子。 - 磁気抵抗比は20%以上であり、
抵抗変化面積積(ΔRA)は5mΩμm2以上であることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の磁気抵抗素子。 - 請求項1乃至4の何れか1項に記載の磁気抵抗素子を用いたデバイス。
- 前記デバイスは、記憶素子上で使用される読み出しヘッド、磁界センサ、スピン電子回路、およびトンネル磁気抵抗(TMR)デバイスの何れか一つであることを特徴とする請求項5に記載のデバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017041147A JP6986729B2 (ja) | 2017-03-03 | 2017-03-03 | 単結晶磁気抵抗素子、及びこれを用いたデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017041147A JP6986729B2 (ja) | 2017-03-03 | 2017-03-03 | 単結晶磁気抵抗素子、及びこれを用いたデバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018148006A JP2018148006A (ja) | 2018-09-20 |
JP6986729B2 true JP6986729B2 (ja) | 2021-12-22 |
Family
ID=63591493
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017041147A Active JP6986729B2 (ja) | 2017-03-03 | 2017-03-03 | 単結晶磁気抵抗素子、及びこれを用いたデバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6986729B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6503405B1 (en) * | 1999-04-14 | 2003-01-07 | Seagate Technology Llc | Surface treatment with ZP process for GMR media |
AU2003201763A1 (en) * | 2003-01-15 | 2004-08-10 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
JP4171732B2 (ja) * | 2003-05-15 | 2008-10-29 | 富士通株式会社 | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
JP4956514B2 (ja) * | 2008-09-19 | 2012-06-20 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2010212631A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-24 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果素子および磁気記憶装置 |
JP2016134520A (ja) * | 2015-01-20 | 2016-07-25 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | ホイスラー合金薄膜およびその製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気メモリ |
-
2017
- 2017-03-03 JP JP2017041147A patent/JP6986729B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018148006A (ja) | 2018-09-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6754108B2 (ja) | 単結晶磁気抵抗素子、その製造方法及びその使用方法 | |
CN108011039B (zh) | 自旋轨道转矩型磁化反转元件及磁存储器 | |
JP7275391B2 (ja) | Sb拡散を防止し、bisb(012)配向を促進するためのシード層又は中間層を備えるbisbトポロジー絶縁体 | |
JP4703660B2 (ja) | スピンmos電界効果トランジスタ | |
US7906231B2 (en) | Magnetic tunnel barriers and associated magnetic tunnel junctions with high tunneling magnetoresistance | |
EP2434556B1 (en) | Ferromagnetic tunnel junction structure and magnetoresistive element using same | |
US9406365B1 (en) | Underlayers for textured films of Heusler compounds | |
JP6419825B2 (ja) | 磁気抵抗素子、当該磁気抵抗素子を用いた磁気ヘッド及び磁気再生装置 | |
US20060012926A1 (en) | Magnetic tunnel barriers and associated magnetic tunnel junctions with high tunneling magnetoresistance | |
JP6857421B2 (ja) | 強磁性トンネル接合体、それを用いたスピントロニクスデバイス、及び強磁性トンネル接合体の製造方法 | |
US10586919B2 (en) | Memory device | |
JP4304568B2 (ja) | 平坦化トンネル磁気抵抗素子 | |
KR101636492B1 (ko) | 메모리 소자 | |
JP7002134B2 (ja) | 磁気トンネル接合素子およびその製造方法 | |
KR20230118765A (ko) | 스핀궤도 토크(spin-orbit torque, SOT) 기반 자기터널 접합 및 이의 제조 방법 | |
KR102605027B1 (ko) | 반도체 장치 | |
JP5294043B2 (ja) | トンネル磁気抵抗素子 | |
JP6986729B2 (ja) | 単結晶磁気抵抗素子、及びこれを用いたデバイス | |
US11050014B2 (en) | Memory device | |
KR102560822B1 (ko) | 스핀궤도 토크(spin-orbit torque, SOT) 기반 자기 터널 접합 및 이의 제조 방법 | |
US20240112695A1 (en) | Magnetoresistance effect element, magnetic recording element, and high-frequency device | |
JP6821216B2 (ja) | 磁気抵抗素子及びその使用方法 | |
WO2023079762A1 (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
US20240099152A1 (en) | Magneto resistive element | |
Du et al. | Polycrystalline CPP-GMR Pseudospin Valves Using $\langle {001}\rangle $ Textured Co 2 Fe (Ga 0.5 Ge 0.5) Layer Grown on a Conductive (Mg 0.5 Ti 0.5) O Buffer Layer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A80 | Written request to apply exceptions to lack of novelty of invention |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A80 Effective date: 20170407 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191223 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201027 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201030 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210601 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210712 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211109 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211122 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6986729 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |